專(zhuān)利名稱(chēng)：圖案化的方法及集成電路結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種圖案化的方法及一種集成電路結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
非揮發(fā)性存儲(chǔ)器由于具有可多次進(jìn)行資料的存入、讀取、擦除等動(dòng)作，且存入的資 料在斷電后也不會(huì)消失的優(yōu)點(diǎn)，因此，非揮發(fā)性存儲(chǔ)器被廣泛采用在個(gè)人計(jì)算機(jī)和電子設(shè)
食寸寸。隨著非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的集成度的日益提升，非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的尺寸也必須隨之縮 小。元件縮小化與集積化是必然的趨勢(shì)，也是各界積極發(fā)展的重要課題，而其中的關(guān)鍵技術(shù) 就是光刻工藝。在光刻工藝中，已知制造線寬或線距低于65納米，尤其是線寬/線距(line/ space)不超過(guò)25/25納米，以現(xiàn)今的科技來(lái)說(shuō)是相當(dāng)困難的，除非使用波長(zhǎng)更短的光源以 及可配合所用波長(zhǎng)的光刻膠。如此一來(lái)，廠房很可能必須付出相當(dāng)大的成本來(lái)更替相配合 的新機(jī)臺(tái)。因此，如何使用現(xiàn)有的機(jī)臺(tái)及工藝來(lái)達(dá)到縮小線寬/線距至不超過(guò)25/25納米的 目標(biāo)，已成為業(yè)界相當(dāng)重視的課題之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種圖案化的方法，可以輕易地達(dá)到縮小線寬/線距至不超過(guò)25/25 納米的目標(biāo)。本發(fā)明另提供一種圖案化的方法，可將定義出來(lái)的圖案密度增加四倍，且縮小間 距到其原本長(zhǎng)度的四分之一。本發(fā)明提供一種圖案化的方法。首先，于目標(biāo)層上依序形成掩膜層及多個(gè)第一轉(zhuǎn) 移圖案。接著，對(duì)第一轉(zhuǎn)移圖案的表面進(jìn)行第一轉(zhuǎn)換工藝，以于第一轉(zhuǎn)移圖案的表面上形成 多個(gè)第一轉(zhuǎn)換圖案。然后，于第一轉(zhuǎn)換圖案之間的間隙中填入多個(gè)第二轉(zhuǎn)移圖案。之后，移 除第一轉(zhuǎn)換圖案。繼之，對(duì)第一轉(zhuǎn)移圖案及第二轉(zhuǎn)移圖案的表面進(jìn)行第二轉(zhuǎn)換工藝，以于第 一轉(zhuǎn)移圖案及第二轉(zhuǎn)移圖案的表面上形成多個(gè)第二轉(zhuǎn)換圖案。接著，于第二轉(zhuǎn)換圖案之間 的間隙中填入多個(gè)第三轉(zhuǎn)移圖案。然后，移除第二轉(zhuǎn)換圖案。之后，以第一轉(zhuǎn)移圖案、第二 轉(zhuǎn)移圖案及第三轉(zhuǎn)移圖案為掩膜，移除部份的掩膜層，以形成圖案化掩膜層。繼之，以圖案 化掩膜層為掩膜，移除部份的目標(biāo)層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的目標(biāo)層為基底。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的目標(biāo)層為包括基底及位于基底上的材料層的疊層 結(jié)構(gòu)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的材料層的材料包括多晶硅或金屬。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的材料層、第一轉(zhuǎn)移圖案、第二轉(zhuǎn)移圖案及第三轉(zhuǎn)移
圖案的材料相同或不同。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一轉(zhuǎn)移圖案、第二轉(zhuǎn)移圖案及第三轉(zhuǎn)移圖案的 材料皆包括多晶硅或金屬。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的掩膜層的材料包括四乙氧基硅氧烷形成的二氧化 硅(TE0S-Si02)、硼磷硅玻璃(BPSG)、磷硅玻璃(PSG)、氫化硅倍半轉(zhuǎn)換物(HSQ)、氟硅玻璃 (FSG)或無(wú)摻雜硅玻璃(USG)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一轉(zhuǎn)換工藝及第二轉(zhuǎn)換工藝皆包括氧化工藝、 氮化工藝、氮氧化工藝或金屬硅化工藝。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一轉(zhuǎn)換圖案及第二轉(zhuǎn)換圖案的材料相同或不 同。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一轉(zhuǎn)換圖案及第二轉(zhuǎn)換圖案的材料包括氧化 硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或金屬硅化物。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，于上述的第一轉(zhuǎn)換圖案之間的間隙中填入第二轉(zhuǎn)移圖案 的步驟包括先于第一轉(zhuǎn)換圖案上形成第一轉(zhuǎn)移層，再移除部份的第一轉(zhuǎn)移層以露出第一轉(zhuǎn) 換圖案的頂部。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，移除部份的第一轉(zhuǎn)移層的步驟包括進(jìn)行回蝕刻工藝或化 學(xué)機(jī)械研磨工藝。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，于上述的第二轉(zhuǎn)換圖案之間的間隙中填入第三轉(zhuǎn)移圖案 的步驟包括先于第二轉(zhuǎn)換圖案上形成第二轉(zhuǎn)移層，再移除部份的第二轉(zhuǎn)移層以露出第二轉(zhuǎn) 換圖案的頂部。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，移除部份的第二轉(zhuǎn)移層的步驟包括進(jìn)行回蝕刻工藝或化 學(xué)機(jī)械研磨工藝。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，移除第一轉(zhuǎn)換圖案的步驟及移除第二轉(zhuǎn)換圖案的步驟皆 包括進(jìn)行蝕刻工藝。本發(fā)明另提供一種圖案化的方法。首先，于目標(biāo)層上依序形成掩膜層及多個(gè)第一 轉(zhuǎn)移圖案。接著，于第一轉(zhuǎn)移圖案之間的間隙中形成多個(gè)第二轉(zhuǎn)移圖案。然后，于第一轉(zhuǎn)移 圖案與第二轉(zhuǎn)移圖案之間的間隙中形成多個(gè)第三轉(zhuǎn)移圖案。之后，以第一轉(zhuǎn)移圖案、第二轉(zhuǎn) 移圖案及第三轉(zhuǎn)移圖案為掩膜，移除部份的掩膜層，以形成圖案化掩膜層。繼之，以圖案化 掩膜層為掩膜，移除部份的目標(biāo)層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的目標(biāo)層為基底。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的目標(biāo)層為包括基底及位于基底上的材料層的疊層 結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的材料層的材料包括多晶硅或金屬。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一轉(zhuǎn)移圖案、第二轉(zhuǎn)移圖案及第三轉(zhuǎn)移圖案的 材料皆包括多晶硅或金屬。本發(fā)明又提供一種集成電路結(jié)構(gòu)，其包括目標(biāo)層及基底。目標(biāo)層配置在基底上且 具有多個(gè)第一圖案、多個(gè)第二圖案及多個(gè)第三圖案。各第一圖案具有線寬為L(zhǎng)1，各第二圖案 具有線寬為L(zhǎng)2，各第三圖案具有線寬為L(zhǎng)3，且L1、L2及L3彼此不同，以一個(gè)第一圖案、一個(gè) 第二圖案、一個(gè)第三圖案、一個(gè)第二圖案的順序重復(fù)排列。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的目標(biāo)層包括介電層及位于介電層上的材料層的疊層結(jié)構(gòu)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的材料層的材料包括多晶硅或金屬。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的介電層的材料包括氮化硅。基于上述，本發(fā)明的圖案化的方法由兩次轉(zhuǎn)換工藝及兩次自行對(duì)準(zhǔn)工藝，圖案 密度可以增加四倍。也就是說(shuō)，由本發(fā)明的四倍圖案化的方法(quadruple patterning method)，可以利用現(xiàn)有的機(jī)臺(tái)及工藝來(lái)達(dá)到縮小間距(pitch)至其原本長(zhǎng)度的四分之一 的目標(biāo)，大幅節(jié)省成本，提升競(jìng)爭(zhēng)力。


為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳 細(xì)說(shuō)明如下，其中圖1A到II是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的圖案化的方法的流程上視圖。圖2A到21是根據(jù)圖1A到II沿1_1，線所繪示的流程剖面圖。
具體實(shí)施例方式圖1A到II是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的圖案化的方法的流程上視圖。圖2A 到21是根據(jù)圖1A到II沿1-1’線所繪示的流程剖面圖。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D1A及2A，于目標(biāo)層104上依序形成掩膜層106、轉(zhuǎn)移層108及圖案 化光刻膠層110。目標(biāo)層104例如為疊層結(jié)構(gòu)，包括依序形成在基底100上的介電層101及 材料層102?；?00例如是半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)如硅基底。介電層101可以為單層或多層結(jié)構(gòu)。 材料層102的材料例如是多晶硅或金屬。掩膜層106的材料包括四乙氧基硅氧烷形成的二 氧化硅(TE0S-Si02)、硼磷硅玻璃(BPSG)、磷硅玻璃(PSG)、氫化硅倍半轉(zhuǎn)換物(HSQ)、氟硅 玻璃(FSG)或無(wú)摻雜硅玻璃(USG)。轉(zhuǎn)移層108的材料例如是多晶硅或金屬。形成介電層 101、材料層102、掩膜層106、轉(zhuǎn)移層108的方法例如為化學(xué)氣相沉積工藝。在此實(shí)施例中，介電層101例如為厚度20埃的多層結(jié)構(gòu)，其包括依序形成在基底 100上的0N0復(fù)合層121、電荷儲(chǔ)存層122及絕緣層123。材料層102例如為厚度100埃的 多晶硅層。掩膜層106例如為厚度200埃的四乙氧基硅氧烷形成的二氧化硅層。轉(zhuǎn)移層 108例如為厚度200埃的多晶硅層。圖案化光刻膠層110的線寬/線距例如為100/100納 米。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1B及2B，以圖案化光刻膠層110為掩膜，移除部份的轉(zhuǎn)移層108， 以形成多個(gè)轉(zhuǎn)移圖案(transfer pattern) 108a。在移除部份的轉(zhuǎn)移層108的步驟之前，也 可以對(duì)圖案化光刻膠層110進(jìn)行削減工藝，以進(jìn)一步縮小圖案化光刻膠層110的線寬。在此 實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移圖案108a的線寬例如為約70埃。在圖1B的上視圖中，轉(zhuǎn)移圖案108a呈蛇 狀，其末端彼此相連，但本發(fā)明并不以此為限。在另一實(shí)施例中(未繪示)，轉(zhuǎn)移圖案108a 的末端并不相連。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D1C及2C，對(duì)轉(zhuǎn)移圖案108a的表面進(jìn)行第一轉(zhuǎn)換工藝，以于轉(zhuǎn)移圖 案108a的表面上形成多個(gè)轉(zhuǎn)換圖案(C0nverSi0npattern)112。第一轉(zhuǎn)換工藝?yán)缡茄趸?工藝、氮化工藝、氮氧化工藝或金屬硅化工藝(metal silicidation process)。轉(zhuǎn)換圖案 112的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或金屬硅化物。在此實(shí)施例中，對(duì)轉(zhuǎn)移圖案108a的表面進(jìn)行例如是氧化工藝。當(dāng)轉(zhuǎn)移圖案108a 的材料例如為多晶硅時(shí)，轉(zhuǎn)換圖案112的材料例如為氧化硅。在此實(shí)施例中，由適當(dāng)?shù)乜刂?氧化速度，可形成線寬L1約50埃的轉(zhuǎn)移圖案108a及線寬L2約50埃的轉(zhuǎn)換圖案112。轉(zhuǎn) 換圖案112之間的間隙113的距離L3亦為50埃左右。另外，第一轉(zhuǎn)換工藝還可以包括化 學(xué)氣相沉積工藝，用以進(jìn)一步調(diào)整轉(zhuǎn)換圖案112的線寬。之后，請(qǐng)參照?qǐng)D1D及2D，于轉(zhuǎn)換圖案112之間的間隙113中填入多個(gè)轉(zhuǎn)移圖案 114。填入轉(zhuǎn)移圖案114的步驟包括于轉(zhuǎn)換圖案112上形成第一轉(zhuǎn)移層(未繪示)，以覆蓋 轉(zhuǎn)換圖案112的頂部及轉(zhuǎn)換圖案112之間的間隙113，接著，進(jìn)行回蝕刻工藝或化學(xué)機(jī)械研 磨工藝移除部份的第一轉(zhuǎn)移層以露出轉(zhuǎn)換圖案112的頂部。第一轉(zhuǎn)移層的材料包括多晶硅 或金屬。在此實(shí)施例中，第一轉(zhuǎn)移層例如是多晶硅層。繼之，請(qǐng)參照?qǐng)D1E及2E，對(duì)轉(zhuǎn)移圖案114進(jìn)行光刻工藝及蝕刻工藝，以定義轉(zhuǎn)移 圖案114的襯墊115。在定義襯墊115的步驟中，部分的轉(zhuǎn)移圖案108a也會(huì)被移除，如圖 1E的A處所示。接著，進(jìn)行蝕刻工藝，以移除轉(zhuǎn)換圖案112。如此一來(lái)，轉(zhuǎn)移圖案108a及轉(zhuǎn) 移圖案114以交錯(cuò)配置的方式形成陣列。也就是說(shuō)，由圖1B至1E步驟中的自行對(duì)準(zhǔn)工藝 (self-aligned process)，可于轉(zhuǎn)移圖案108a之間的間隙中形成轉(zhuǎn)移圖案114，且此陣列 的線寬/線距約50/50納米。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D1F及2F，對(duì)轉(zhuǎn)移圖案108a及轉(zhuǎn)移圖案114的表面進(jìn)行第二轉(zhuǎn)換 工藝，以于轉(zhuǎn)移圖案108a及轉(zhuǎn)移圖案114的表面上形成多個(gè)轉(zhuǎn)換圖案116。第二轉(zhuǎn)換工藝 例如是氧化工藝、氮化工藝、氮氧化工藝或金屬硅化工藝。轉(zhuǎn)換圖案116的材料例如是氧化 硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或金屬硅化物。在此實(shí)施例 中，對(duì)轉(zhuǎn)移圖案108a及轉(zhuǎn)移圖案114的表面進(jìn)行例如是氧化工藝。當(dāng)轉(zhuǎn)移圖案108a及轉(zhuǎn) 移圖案114的材料例如為多晶硅時(shí)，轉(zhuǎn)換圖案116的材料例如為氧化硅。在此實(shí)施例中，由 適當(dāng)?shù)乜刂蒲趸俣?，可形成線寬L4約25埃的轉(zhuǎn)移圖案108a、線寬L5約25埃的轉(zhuǎn)移圖案 114及線寬L6約25埃的轉(zhuǎn)換圖案116。轉(zhuǎn)換圖案116之間的間隙117的距離L7亦為25 埃左右。另外，第二轉(zhuǎn)換工藝還可以包括化學(xué)氣相沉積工藝，用以進(jìn)一步調(diào)整轉(zhuǎn)換圖案116 的線寬。之后，請(qǐng)參照?qǐng)D1G及2G，于轉(zhuǎn)換圖案116之間的間隙117中填入多個(gè)轉(zhuǎn)移圖案 118。填入轉(zhuǎn)移圖案118的步驟包括于轉(zhuǎn)換圖案116上形成第二轉(zhuǎn)移層(未繪示)，以覆蓋 轉(zhuǎn)換圖案116的頂部及轉(zhuǎn)換圖案116之間的間隙117，接著，進(jìn)行回蝕刻工藝或化學(xué)機(jī)械研 磨工藝移除部份的第二轉(zhuǎn)移層以露出轉(zhuǎn)換圖案116的頂部。第二轉(zhuǎn)移層的材料包括多晶硅 或金屬。在此實(shí)施例中，第二轉(zhuǎn)移層例如是多晶硅層。繼之，請(qǐng)參照?qǐng)D1H及2H，對(duì)轉(zhuǎn)移圖案118進(jìn)行光刻工藝及蝕刻工藝，以定義轉(zhuǎn)移圖 案118的襯墊119。接著，進(jìn)行蝕刻工藝，以移除轉(zhuǎn)換圖案116。如此一來(lái)，轉(zhuǎn)移圖案108a、 轉(zhuǎn)移圖案118、轉(zhuǎn)移圖案114及轉(zhuǎn)移圖案118以依序排列且重復(fù)的方式形成陣列。也就是 說(shuō)，由圖1F至1H步驟中的自行對(duì)準(zhǔn)工藝，可于轉(zhuǎn)移圖案108a及其相鄰的轉(zhuǎn)移圖案114之 間的間隙中形成轉(zhuǎn)移圖案118，且此陣列的線寬/線距約25/25納米。繼之，請(qǐng)參照?qǐng)DII及21，以轉(zhuǎn)移圖案108a、轉(zhuǎn)移圖案114、及轉(zhuǎn)移圖案118為掩膜， 移除部份的掩膜層106，以形成圖案化掩膜層106a。然后，以圖案化掩膜層106a為掩膜，移 除部份的目標(biāo)層104，以形成圖案化材料層102a及圖案化介電層101a。圖案化介電層101a包括圖案化0N0復(fù)合層121a、圖案化電荷儲(chǔ)存層122a及圖案化絕緣層123a。在上述的實(shí)施例中，是以各轉(zhuǎn)移圖案108a、各轉(zhuǎn)移圖案118及各轉(zhuǎn)移圖案114具 有實(shí)質(zhì)上相同的寬度為例來(lái)說(shuō)明的，但本發(fā)明并不以此為限。在另一實(shí)施例中，各轉(zhuǎn)移圖案 108a具有線寬為L(zhǎng)8，各轉(zhuǎn)移圖案118具有線寬為L(zhǎng)9，各轉(zhuǎn)移圖案114具有線寬為L(zhǎng)10，且 L8、L9及L10彼此不同。如圖2H及21所示，各轉(zhuǎn)移圖案108a定義第一圖案124a，各轉(zhuǎn)移 圖案118定義第二圖案124b，及各轉(zhuǎn)移圖案114定義第三圖案124c。因此，以一個(gè)第一圖 案124a、一個(gè)第二圖案124b、一個(gè)第三圖案124c及一個(gè)第二圖案124b的順序重復(fù)排列。在上述的實(shí)施例中，是以疊層結(jié)構(gòu)的目標(biāo)層104(包括介電層101及材料層102) 用來(lái)形成非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的柵極或字符線為例來(lái)說(shuō)明的，但本發(fā)明并不以此為限。在另一 實(shí)施例中(未繪示)，目標(biāo)層104也可以為單一層結(jié)構(gòu)，例如僅由基底組成，因此，本發(fā)明的 圖案化的方法可以用來(lái)形成基底中的淺溝渠隔離(STI)結(jié)構(gòu)。另外，在上述的實(shí)施例中，是以材料層102的材料與轉(zhuǎn)移圖案108a、轉(zhuǎn)移圖案114、 及轉(zhuǎn)移圖案118的材料相同(均為多晶硅)為例來(lái)說(shuō)明的，但本發(fā)明并不以此為限。在另 一實(shí)施例中，材料層102、轉(zhuǎn)移圖案108a、轉(zhuǎn)移圖案114、及轉(zhuǎn)移圖案118的材料也可以不同。 舉例來(lái)說(shuō)，材料層102的材料為金屬，但轉(zhuǎn)移圖案108a、轉(zhuǎn)移圖案114、及轉(zhuǎn)移圖案118的材 料為多晶硅，或是材料層102的材料為多晶硅，但轉(zhuǎn)移圖案108a、轉(zhuǎn)移圖案114、及轉(zhuǎn)移圖案 118的材料為金屬，或是材料層及轉(zhuǎn)移圖案114的材料為多晶硅，但轉(zhuǎn)移圖案108a及轉(zhuǎn)移 圖案118的材料為金屬等等。另外，第一轉(zhuǎn)換工藝及第二轉(zhuǎn)換工藝也可以相同或不同，例如 第一轉(zhuǎn)換工藝為氧化工藝，但第二轉(zhuǎn)換工藝為氮化工藝，也就是說(shuō)，轉(zhuǎn)換圖案112和轉(zhuǎn)換圖 案116可以相同或不同。如此一來(lái)，熟知本技術(shù)者可以視工藝需要，就材料層102、轉(zhuǎn)移圖案 108a、轉(zhuǎn)移圖案114、及轉(zhuǎn)移圖案118、轉(zhuǎn)換圖案112和轉(zhuǎn)換圖案116的材料加以變化調(diào)整， 其材料的排列組合于此不再贅述。綜上所述，本發(fā)明的圖案化的方法由兩次轉(zhuǎn)換工藝及兩次自行對(duì)準(zhǔn)工藝，先于轉(zhuǎn) 移圖案108a之間的間隙中形成轉(zhuǎn)移圖案114，再于轉(zhuǎn)移圖案108a及其相鄰的轉(zhuǎn)移圖案 114之間的間隙中形成轉(zhuǎn)移圖案118，因此，圖案密度可以增加四倍，間距可以縮少到其原 本長(zhǎng)度的四分之一。也就是說(shuō)，由本發(fā)明的四倍圖案化的方法(quadruple patterning method)，可以利用現(xiàn)有的機(jī)臺(tái)及工藝來(lái)達(dá)到縮小間距至其原本長(zhǎng)度的四分之一的目標(biāo)。舉例來(lái)說(shuō)，現(xiàn)今193納米ArF激光的光刻分辨率約為40納米。由于本發(fā)明的圖 案化的方法，可將其定義出來(lái)的圖案密度增加四倍，間距縮少到其原本長(zhǎng)度的四分之一，因 此，制作出線寬/線距不超過(guò)25/25納米，甚至是10/10納米都是可行的。本發(fā)明的圖案化 的方法不需更換現(xiàn)有的機(jī)臺(tái)和光刻膠，就可以使間距縮少到其原本長(zhǎng)度的四分之一，大幅 節(jié)省成本，提升競(jìng)爭(zhēng)力。此外，在本發(fā)明的圖案化的方法中，由于定義襯墊115、119時(shí)的疊對(duì)規(guī)格 (overlay specification)的要求并不若關(guān)鍵尺寸來(lái)得高，因此工藝空間也較為寬裕。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域 中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明 的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種圖案化的方法，包括于一目標(biāo)層上依序形成一掩膜層及多個(gè)第一轉(zhuǎn)移圖案；對(duì)所述第一轉(zhuǎn)移圖案的表面進(jìn)行一第一轉(zhuǎn)換工藝，以于所述第一轉(zhuǎn)移圖案的表面上形成多個(gè)第一轉(zhuǎn)換圖案；于所述第一轉(zhuǎn)換圖案之間的間隙中填入多個(gè)第二轉(zhuǎn)移圖案；移除所述第一轉(zhuǎn)換圖案；對(duì)所述第一轉(zhuǎn)移圖案及所述第二轉(zhuǎn)移圖案的表面進(jìn)行一第二轉(zhuǎn)換工藝，以于所述第一轉(zhuǎn)移圖案及所述第二轉(zhuǎn)移圖案的表面上形成多個(gè)第二轉(zhuǎn)換圖案；于所述第二轉(zhuǎn)換圖案之間的間隙中填入多個(gè)第三轉(zhuǎn)移圖案；移除所述第二轉(zhuǎn)換圖案；以所述第一轉(zhuǎn)移圖案、所述第二轉(zhuǎn)移圖案及所述第三轉(zhuǎn)移圖案為掩膜，移除部份的該掩膜層，以形成一圖案化掩膜層；以及以該圖案化掩膜層為掩膜，移除部份的該目標(biāo)層。
2.如權(quán)利要求1所述的圖案化的方法，其中該目標(biāo)層為一基底。
3.如權(quán)利要求1所述的圖案化的方法，其中該目標(biāo)層為包括一基底及位于該基底上的 一材料層的疊層結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求3所述的圖案化的方法，其中該材料層的材料包括多晶硅或金屬。
5.如權(quán)利要求3所述的圖案化的方法，其中該材料層、所述第一轉(zhuǎn)移圖案、所述第二轉(zhuǎn) 移圖案及所述第三轉(zhuǎn)移圖案的材料相同或不同。
6.如權(quán)利要求1所述的圖案化的方法，其中所述第一轉(zhuǎn)移圖案、所述第二轉(zhuǎn)移圖案及 所述第三轉(zhuǎn)移圖案的材料皆包括多晶硅或金屬。
7.如權(quán)利要求1所述的圖案化的方法，其中該掩膜層的材料包括四乙氧基硅氧烷形成 的二氧化硅、硼磷硅玻璃、磷硅玻璃、氫化硅倍半轉(zhuǎn)換物、氟硅玻璃或無(wú)摻雜硅玻璃。
8.如權(quán)利要求1所述的圖案化的方法，其中該第一轉(zhuǎn)換工藝及該第二轉(zhuǎn)換工藝皆包括 氧化工藝、氮化工藝、氮氧化工藝或金屬硅化工藝。
9.如權(quán)利要求1所述的圖案化的方法，其中所述第一轉(zhuǎn)換圖案及所述第二轉(zhuǎn)換圖案的 材料相同或不同。
10.如權(quán)利要求1所述的圖案化的方法，其中所述第一轉(zhuǎn)換圖案及所述第二轉(zhuǎn)換圖案 的材料皆包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或金屬硅 化物。
11.如權(quán)利要求1所述的圖案化的方法，其中于所述第一轉(zhuǎn)換圖案之間的間隙中填入 所述第二轉(zhuǎn)移圖案的步驟包括于所述第一轉(zhuǎn)換圖案上形成一第一轉(zhuǎn)移層；以及移除部份的該第一轉(zhuǎn)移層以露出所述第一轉(zhuǎn)換圖案的頂部。
12.如權(quán)利要求11所述的圖案化的方法，其中移除部份的該第一轉(zhuǎn)移層的步驟包括進(jìn) 行回蝕刻工藝或化學(xué)機(jī)械研磨工藝。
13.如權(quán)利要求1所述的圖案化的方法，其中于所述第二轉(zhuǎn)換圖案之間的間隙中填入 所述第三轉(zhuǎn)移圖案的步驟包括于所述第二轉(zhuǎn)換圖案上形成一第二轉(zhuǎn)移層；以及移除部份的該第二轉(zhuǎn)移層以露出所述第二轉(zhuǎn)換圖案的頂部。
14.如權(quán)利要求13所述的圖案化的方法，其中移除部份的該第二轉(zhuǎn)移層的步驟包括進(jìn) 行回蝕刻工藝或化學(xué)機(jī)械研磨工藝。
15.如權(quán)利要求1所述的圖案化的方法，其中移除所述第一轉(zhuǎn)換圖案的步驟及移除所 述第二轉(zhuǎn)換圖案的步驟皆包括進(jìn)行蝕刻工藝。
16.一種圖案化的方法，包括于一目標(biāo)層上依序形成一掩膜層及多個(gè)第一轉(zhuǎn)移圖案；于所述第一轉(zhuǎn)移圖案之間的間隙中形成多個(gè)第二轉(zhuǎn)移圖案；于所述第一轉(zhuǎn)移圖案與所述第二轉(zhuǎn)移圖案之間的間隙中形成多個(gè)第三轉(zhuǎn)移圖案；以所述第一轉(zhuǎn)移圖案、所述第二轉(zhuǎn)移圖案及所述第三轉(zhuǎn)移圖案為掩膜，移除部份的該 掩膜層，以形成一圖案化掩膜層；以及以該圖案化掩膜層為掩膜，移除部份的該目標(biāo)層。
17.如權(quán)利要求16所述的圖案化的方法，其中該目標(biāo)層為一基底。
18.如權(quán)利要求16所述的圖案化的方法，其中該目標(biāo)層包括一基底及位于該基底上的 一材料層的疊層結(jié)構(gòu)。
19.如權(quán)利要求18所述的圖案化的方法，其中該材料層的材料包括多晶硅或金屬。
20.如權(quán)利要求16所述的圖案化的方法，其中所述第一轉(zhuǎn)移圖案、所述第二轉(zhuǎn)移圖案 及所述第三轉(zhuǎn)移圖案的材料皆包括多晶硅或金屬。
21.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括一目標(biāo)層，配置在一基底上且具有多個(gè)第一圖案、多個(gè)第二圖案及多個(gè)第三圖案，其中 各第一圖案具有線寬為L(zhǎng)1，各第二圖案具有線寬為L(zhǎng)2，各第三圖案具有線寬為L(zhǎng)3，且L1、L2 及L3彼此不同，以一個(gè)第一圖案、一個(gè)第二圖案、一個(gè)第三圖案、一個(gè)第二圖案的順序重復(fù) 排列。
22.如權(quán)利要求21所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中該目標(biāo)層包括一介電層及位于該介電層 上的一材料層的疊層結(jié)構(gòu)。
23.如權(quán)利要求22所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中該材料層的材料包括多晶硅或金屬。
24.如權(quán)利要求23所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中該介電層的材料包括氮化硅。
全文摘要
一種圖案化的方法。首先，于目標(biāo)層上依序形成掩膜層及多個(gè)第一轉(zhuǎn)移圖案。接著，于第一轉(zhuǎn)移圖案之間的間隙中形成多個(gè)第二轉(zhuǎn)移圖案。然后，于第一轉(zhuǎn)移圖案與第二轉(zhuǎn)移圖案之間的間隙中形成多個(gè)第三轉(zhuǎn)移圖案。之后，以第一轉(zhuǎn)移圖案、第二轉(zhuǎn)移圖案及第三轉(zhuǎn)移圖案為掩膜，移除部分的掩膜層，以形成圖案化掩膜層。繼之，以圖案化掩膜層為掩膜，移除部分的目標(biāo)層。
文檔編號(hào)H01L21/8247GK101859697SQ20101000149
公開(kāi)日2010年10月13日 申請(qǐng)日期2010年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月9日
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