專利名稱：小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽及其中的微帶貼片天線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽及其天線，更詳細(xì)來說，是關(guān)于能夠在金屬環(huán)
境下的使用小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽及其天線。
背景技術(shù)：
射頻識(shí)別(Radio Frequency Identification)是一種非接觸式的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，它通過射頻信號(hào)自動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)，識(shí)別工作無須人工干預(yù)，可工作于各種惡劣環(huán)境。RFID是一種無線系統(tǒng)，由一個(gè)詢問器(或閱讀器[Reader])和很多應(yīng)答器(或標(biāo)簽[Tag])組成。標(biāo)簽上使用的天線，在附著于金屬材質(zhì)表面時(shí)，一般的標(biāo)簽在不同位置上具有不穩(wěn)定的識(shí)別率，并需要考慮金屬環(huán)境的不同。 與被動(dòng)型射頻識(shí)別的識(shí)讀[Reader]不同，射頻識(shí)別標(biāo)簽是附著于由多種材質(zhì)和不同形狀構(gòu)成的物體上使用；所以現(xiàn)有射頻標(biāo)識(shí)標(biāo)簽在金屬環(huán)境下就有使用極限，而具有穩(wěn)定的認(rèn)識(shí)特性又常常是標(biāo)簽天線的基本設(shè)計(jì)要求。 在射頻識(shí)別技術(shù)中，為了使讀取范圍的功能達(dá)到最大化，射頻識(shí)別標(biāo)簽天線的適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)也尤為重要。因此，需要盡可能將最大的電力無損失的傳達(dá)到射頻識(shí)別芯片上，為此，須具有良好的放射特性的同時(shí)，還要與標(biāo)簽芯片完整的結(jié)合。通常，射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片具有可以記錄多種信息，還能識(shí)讀被保存的信息的功能。 射頻識(shí)別標(biāo)簽天線附著于金屬體上時(shí)，天線的回波損耗特性和放射模式的特性會(huì)非常敏感地受到影響，因此需要在設(shè)計(jì)天線時(shí)予以注
意。 一般，使偶極子天線接近金屬體時(shí)，不能放射電磁波，而根據(jù)金屬表面的反射波，無
法保證射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片驅(qū)動(dòng)所需要的電力，且隨著金屬表面和天線之間的寄生電容成分的變化，共振頻率[Resonance Frequency]、天線[Antenna]、阻抗及放射效率[Radiation Efficiency]等特性也會(huì)發(fā)生變化。 因此，過去所采用的現(xiàn)存的標(biāo)識(shí)型標(biāo)簽，是在金屬體和標(biāo)簽天線之間插入各種各
樣的物質(zhì)，以使得射頻識(shí)別標(biāo)簽與金屬保持一定間隔的方法，來制作標(biāo)簽天線的。然而，這
樣制造的標(biāo)簽天線用在實(shí)際常用產(chǎn)品上時(shí)多少有些不便，在不同環(huán)境下，例如不同的金屬
體、不同的形狀等等，這樣的標(biāo)簽天線要求有所不同，不利于批量生產(chǎn)，且根據(jù)使用環(huán)境會(huì)
引起標(biāo)簽的損傷，特別是厚度及大小變大，不利于小型化化。 因此，將金屬體作為天線的Ground來使用的天線，應(yīng)被考慮為金屬體附著型標(biāo)簽天線。 作為此種類的代表性天線被廣泛熟悉的就是微帶貼片天線[Microstrip PatchAntenna]禾口 PIFA [Planar Inverted_F Antenna]天線。 通常，微帶貼片天線的制造相對(duì)容易，然而共振頻率上被設(shè)計(jì)成半波長(zhǎng)的大小，因此在制作標(biāo)簽天線時(shí)顯得偏大一些成為其缺點(diǎn)，另外，微帶貼片天線的結(jié)構(gòu)會(huì)出現(xiàn)金屬副作用，即產(chǎn)生超高頻。與其相比，PIFA天線在共振頻率上設(shè)計(jì)成1/4波長(zhǎng)的大小，由此小型化化變?yōu)榭赡?，但隨之而來的問題是制造工程煩瑣，且附著于金屬體時(shí)，隨著金屬表面的材
3質(zhì)和形狀不同，天線的共振特性也發(fā)生變化。 有鑒于此，如何提供一種射頻識(shí)別標(biāo)簽及其天線，來解決上述問題已成為業(yè)界亟
待解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明作為解決上述問題，其目的在于提供將金屬體作為天線的地面來使用的微帶貼片天線[Microstrip Patch Antenna]的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽，其附著于金屬體上時(shí)，不會(huì)降低天線的性能，且在各個(gè)位置上能擁有穩(wěn)定的認(rèn)識(shí)率的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽天線及利用它的射頻識(shí)別標(biāo)簽。 另外，本發(fā)明的目的在于提供，將供電部設(shè)計(jì)成微帶[Microstrip]，并使其與放射
部直接連接；為了連接射頻識(shí)別芯片，將供電部的位置設(shè)計(jì)成在電介質(zhì)的上、下、側(cè)面的任
何一處都可以容易連接的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽天線及利用它的射頻識(shí)別標(biāo)簽。 同時(shí)，本發(fā)明的目的在于提供，在射頻識(shí)別標(biāo)簽附著空間狹小的情況下，放射部具
備一字型切口 (Slit)，即便是在小于正常的入/2共振長(zhǎng)度的面積中，也可以將射頻識(shí)別頻
帶的電氣性半波長(zhǎng)設(shè)計(jì)成相同長(zhǎng)度的超小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽天線及利用它的射頻識(shí)別標(biāo)簽。 再者，本發(fā)明的目的在于提供，制造工程比較簡(jiǎn)單，制造費(fèi)用相對(duì)低廉，可以用簡(jiǎn)單的方法很容易地制造各種頻帶的射頻識(shí)別標(biāo)簽天線，并可以實(shí)現(xiàn)超小型化的金屬附著型射頻識(shí)別標(biāo)簽天線及利用它的射頻識(shí)別標(biāo)簽。 本發(fā)明的目的還在于為了設(shè)計(jì)超小型化的射頻識(shí)別標(biāo)簽天線而將電介質(zhì)設(shè)計(jì)成
固有電流的陶瓷的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽天線及利用它的射頻識(shí)別標(biāo)簽。 基于上述目的，本發(fā)明提供一種小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽中的微帶貼片天線，包括相
互連接的供電部及放射部，其中，所述放射部?jī)蓚?cè)至少具有一切口 。 其中，所述射頻識(shí)別標(biāo)簽至少還包括芯片，所述供電部是通過微帶線與所述芯片連接。 在具體實(shí)施例中，所述切口可以是圓形、橢圓形、多邊形中的任意一種。所述切口的大小是可調(diào)節(jié)的。所述供電部?jī)蓚?cè)與所述放射部之間具有間隔。所述放射部為圓形、橢圓形、多邊形中的一種。 另外，所述小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽中的微帶貼片天線還包括金屬接地層，而上述金屬接地層、放射部、和供電部是由銀制成。 提供一種小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽，包括芯片、電介質(zhì)、及微帶貼片天線，其中，所述微帶貼片天線及接地層是附著在所述電介質(zhì)的表面，所述微帶貼片天線包括相互連接的供電部及放射部，所述供電部與所述芯片通過微帶線連接。 在具體實(shí)施例中，所述芯片周邊具有根據(jù)所述芯片的高度而設(shè)置的保護(hù)涂層，而所述保護(hù)涂層可以是陶瓷、橡膠等。所述電介質(zhì)為陶瓷。所述微帶貼片天線還包括具有連接部的接地層，所述供電部和放射部是設(shè)置在與所述接地層相對(duì)的一面，且所述供電部與所述連接部將所述芯片連接在與所述微帶貼片天線同一面上、或與所述接地層同一面上、或所述微帶貼片天線和接地層連接的一個(gè)側(cè)面上。所述供電部?jī)蓚?cè)與所述放射部之間具有間隔。所述放射部為圓形、橢圓形、多邊形中的一種。所述微帶貼片天線及接地層是由銀制
4成。 而上述放射部?jī)蓚?cè)至少具有一切口，所述切口可以是圓形、橢圓形、多邊形中的一種。所述切口的大小是可調(diào)節(jié)的。 根據(jù)如上所述的基于本發(fā)明的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽中的天線，基于放射部或底面的長(zhǎng)度及寬度、放射體上形成的切口 Slit的長(zhǎng)度和寬度，具有以理想的共振頻率及多種標(biāo)簽芯片匹配為目的的阻抗易匹配的優(yōu)點(diǎn)；供電方式上因使用了微帶[Micro strip]，可以將供電部的位置根據(jù)應(yīng)用的環(huán)境，在上、下、側(cè)面的任意一處，且芯片嵌入后不"凸出"，不易受到外接環(huán)境造成的損傷，因能夠以簡(jiǎn)單的Print形態(tài)構(gòu)成天線，所以，不僅可以大量生產(chǎn)，而且還因其低廉的制造費(fèi)用，具有可使用于小型化金屬體附著型應(yīng)用領(lǐng)域上的優(yōu)點(diǎn)。
基于本發(fā)明的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽天線，作為附著于金屬的標(biāo)簽制品，即使附著于多種形態(tài)的金屬上也不會(huì)降低性能，并能保持穩(wěn)定的認(rèn)識(shí)率；因制作簡(jiǎn)單，可實(shí)現(xiàn)多樣形態(tài)的變化，具有很容易適用于廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域上的優(yōu)點(diǎn)。


圖1是基于本發(fā)明的一實(shí)施例的可附于金屬的UHF帶射頻識(shí)別標(biāo)簽天線的立體圖； 圖2是圖1的側(cè)面圖； 圖3是圖1中本發(fā)明的微帶貼片天線的供電部和放射部的詳細(xì)圖； 圖4是基于圖1的本發(fā)明中心頻率測(cè)定圖； 圖5是基于圖1的本發(fā)明回波損耗測(cè)定圖； 圖6是基于圖1的本發(fā)明讀取范圍的測(cè)定結(jié)果圖。
具體實(shí)施例方式
以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明也可通過其他不同的具體實(shí)例加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)亦可基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在不背離本發(fā)明的目的下進(jìn)行各種修飾與變更。 射頻識(shí)別(Radio Frequency Identification)技術(shù)，是在各事物上附著電子標(biāo)簽，通過無線認(rèn)識(shí)事物的固有ID，對(duì)事物進(jìn)行識(shí)別的技術(shù)。射頻識(shí)別系統(tǒng)，按適用領(lǐng)域在125kHz的頻帶至5. 8GHz的微波帶，使用著多種頻帶。 最近，在流通物流領(lǐng)域等，隨著對(duì)遠(yuǎn)距離識(shí)別要求的增加，射頻識(shí)別系統(tǒng)的動(dòng)作頻率提高至超高頻(UHF)帶以上。隨著頻率的增加，在讀取范圍的系統(tǒng)性能最大化上，射頻識(shí)別標(biāo)簽天線的設(shè)計(jì)成為非常重要的因素。 特別是在沒有額外的電池，通過對(duì)讀卡器輸出的電磁波信號(hào)進(jìn)行整流而獲得自身
動(dòng)作電源的被動(dòng)型射頻識(shí)別標(biāo)簽天線的情況下，以盡可能最大限度地控制電能損耗來傳達(dá)
到標(biāo)簽芯片上，為此，應(yīng)伴隨良好的放射特性形成與標(biāo)簽芯片的完整的阻抗整合。 與標(biāo)簽芯片構(gòu)成完整的阻抗整合的本發(fā)明下的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽天線，從大的
方面是由供電部、及放射部來構(gòu)成的。 上述供電部是對(duì)從讀寫器輸出的電磁波進(jìn)行整流來獲得動(dòng)作電源，并將該動(dòng)作電源供給放射部。上述供電部是由連接射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片的四角形空間構(gòu)成的。
此時(shí)，被動(dòng)型射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片就置于上述四角形的空間上。 上述放射體與上述供電部通過微帶線直接連接，具有理想的波長(zhǎng)長(zhǎng)度的約1/2的電氣長(zhǎng)度。 上述放射體從讀寫器獲得所輸出的電磁波，并從上述供電部得到動(dòng)作電源，完成放射電磁波的作用，擁有使用的射頻識(shí)別頻帶的電氣性半波長(zhǎng)長(zhǎng)度。 下面，參照附加圖紙，詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例。在說明本發(fā)明時(shí)，為了避免本發(fā)明要旨的含糊不清，將省略有關(guān)公布功能或?qū)τ跇?gòu)成的具體說明。 請(qǐng)參閱圖l，是基于本發(fā)明的一實(shí)施例的可附于金屬的UHF帶射頻識(shí)別標(biāo)簽天線的立體圖，如圖所示，本發(fā)明的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽(100)包括接地層(10)、接地層(10)的上的陶瓷電介質(zhì)(20)、陶瓷電介質(zhì)(20)上的放射部(30)和上述放射部(30)連接的微帶[Micro strip]供電部(31)所形成。上述微帶[Micro strip]供電部(31)為了給在側(cè)面的芯片(33)供電，是以90度彎曲的形態(tài)，與接地層10具有的連接部11將電氣連接到側(cè)面而形成。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，所述芯片也可以設(shè)置在所述電介質(zhì)(20)的上面或者下面，即與所述供電部(31)或者接地層(10)同一平面。 更詳細(xì)來說，上述放射部(30)基本上是擁有A /2共振長(zhǎng)度的貼片天線，上述放射部(30)上形成至少一切口 Slit(32)，即使是更小的面積也能保持A /2共振長(zhǎng)度，由此大幅縮小小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽(100)的大小，切口 (32)的形狀也可以體現(xiàn)為圓形、橢圓形、多邊形等多種形狀。 通過調(diào)整上述切口 Slit(32)的長(zhǎng)度和寬度，可以調(diào)節(jié)標(biāo)簽天線(100)的共振頻率，即在標(biāo)簽產(chǎn)品在使用過程中，如遇到不同區(qū)域不同標(biāo)準(zhǔn)要求時(shí)，可以對(duì)切口進(jìn)行調(diào)整，不需要再進(jìn)行產(chǎn)品或者天線的更換，這樣更有利于產(chǎn)品批量生產(chǎn)；本實(shí)施例中，切口 Slit的長(zhǎng)度是上述放射部(30)寬度的1/3，Slit的寬度不超過0.5mm，作為理想的一個(gè)實(shí)施例，本發(fā)明的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽(100)產(chǎn)生A/2共振。 而且，與上述放射體(30)連接的微帶[Micro strip]供電部(31)終端的側(cè)面上，具有被動(dòng)型射頻識(shí)別芯片IC Chip (33)。 請(qǐng)參閱圖2，是圖1的側(cè)面圖，如圖所示，構(gòu)成標(biāo)簽天線的接地層Gro皿d(10)，上述接地層Gro皿d(lO)的上部形成陶瓷電介質(zhì)(20)，在上述陶瓷電介質(zhì)(20)的上部構(gòu)成放射部(30)和與上述放射部(30)連接的微帶[Microstrip]的供電部(31)，上述微帶[Microstrip]的供電部(31)為了側(cè)面的供電以90。彎曲的形態(tài)將電氣連接到側(cè)面。
更詳細(xì)來說，上述小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽(100)作為利用A /2共振的微帶貼片天線構(gòu)造，因電場(chǎng)的最大點(diǎn)及最小點(diǎn)同時(shí)發(fā)生在上述放射體(30)上，所以，無論將小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽(100)附著于任意的金屬面上，都可以在標(biāo)簽天線的性能不發(fā)生變化的情況下使用。 上述陶瓷電介質(zhì)(20)是由固有電流的陶瓷材質(zhì)構(gòu)成的，而在其他實(shí)施例中，上述芯片(33)周邊可以具有根據(jù)所述芯片的高度而設(shè)置的保護(hù)涂層，例如涂布有陶瓷層、或橡膠層等，用以保護(hù)芯片。 同時(shí)，作為理想的一實(shí)施例，上述小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽(100)的構(gòu)成是全長(zhǎng)12 25mm，寬10mm，厚度1. 5 3mm以內(nèi)，即超小型化的使用成為可能。
請(qǐng)參閱圖3，圖1中本發(fā)明的微帶貼片天線的供電部和放射部的詳細(xì)圖，如圖所 示，本發(fā)明的微帶貼片天線中上述放射部(30)與上述微帶[MicroStrip]的供電部(31)連 接，上述微帶[Micro strip]供電部(31)為了側(cè)面的供電，彎曲成90度的形態(tài)將芯片連接 至側(cè)面，連接至上述側(cè)面的微帶[Micro strip]供電部(31)的終端處上的芯片是被動(dòng)型射 頻識(shí)別芯片ICChip(33)。上述供電部?jī)蓚?cè)與所述放射部之間具有間隔[D]。
更詳細(xì)來說，上述形成Slit的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽(100)的全體大小為 13mmX9mmX3mm，上述放射體(30)和微帶[Micro strip]的供電部(31) 、Ground為了獲得 高電導(dǎo)率，由銀[Ag]構(gòu)成。 特別是，根據(jù)上述微帶[Microstrip]供電部(31)的長(zhǎng)度[L]、寬度[W]、與放射體 之間的間隔[D]的變化，可調(diào)節(jié)小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽(100)的虛數(shù)阻抗和實(shí)數(shù)阻抗。
特別是，本實(shí)施例中，將放射部的面積最大化的同時(shí)，為了阻抗匹配，可望將上述 微帶[Micro strip]供電部(31)調(diào)整為長(zhǎng)[L]10mm以內(nèi)，寬[W]為3mm以內(nèi)，與放射體間 的距離[D]為lmm以內(nèi)。 請(qǐng)參閱圖4，是基于圖1的本發(fā)明中心頻率測(cè)定圖，按照小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽 (100)附著的金屬面的大小，測(cè)定頻率變化的結(jié)果。 更詳細(xì)來說，提供了小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽(100)附著在金屬表面的大小的變化， 根據(jù)附著在金屬表面的物質(zhì)的大小，本發(fā)明的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽(100)的共振頻率的變 化量為5MHz 。 請(qǐng)參閱圖5，是基于圖1的本發(fā)明回波損耗[Return Loss]測(cè)定圖，按小型化射頻 識(shí)別標(biāo)簽(100)附著在金屬表面的大小測(cè)定回波損耗[Return Loss]變化的結(jié)果。
更詳細(xì)來說，提供了小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽(100)附著在金屬表面的大小的變化， 根據(jù)附著在金屬表面的物質(zhì)的大小，本發(fā)明的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽(100)的回波損耗 [Return Loss]最大時(shí)有2dB的變化。 由此可以知道，在中心頻率及回波損耗[Return Loss]的變化遲鈍的問題上，本發(fā)
明的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽(100)與附著在金屬表面的物質(zhì)的大小是沒有關(guān)系的。 請(qǐng)參閱圖6，是基于圖1的本發(fā)明讀取范圍的測(cè)定結(jié)果圖，是利用具有28dBm輸出
的圓偏振天線的Handheld Reader Antenna(手握式讀卡天線)進(jìn)行測(cè)定的結(jié)果。 更詳細(xì)來說，小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽(100)并不附著在金屬表面來測(cè)定讀取范圍時(shí)
有最大8cm的讀取范圍，附著于金屬時(shí)的金屬物質(zhì)的大小為20x20mm，最大為49cm， 60x60mm
時(shí)體現(xiàn)為最大56cm的讀取范圍。 由此可以知道，上述小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽(100)附著在金屬上時(shí)，讀取范圍與附 著在金屬面的物質(zhì)的大小無關(guān)，不會(huì)出現(xiàn)很大的差，因此，在脆弱的金屬環(huán)境下可以實(shí)現(xiàn)各 式各樣的功用。 如上所述，參照根據(jù)本發(fā)明的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽及其具有的微帶貼片天線的圖 示為例進(jìn)行了說明，上述圖紙和發(fā)明的詳細(xì)說明屬于預(yù)示性，所以，并不會(huì)按實(shí)施例與圖紙 來限定本發(fā)明。 凡是具有本技術(shù)領(lǐng)域的一般知識(shí)的人，就能理解從此可以實(shí)現(xiàn)多種變形及類似的 其他實(shí)施例。因此，可以說本發(fā)明在不超越由附加的專利請(qǐng)求范圍提供的本發(fā)明的技術(shù)性 思想或領(lǐng)域的范圍內(nèi)，能夠均等對(duì)待的構(gòu)成要素的變更都屬于本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
一種應(yīng)用在小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽中的微帶貼片天線，其中，其特征在于包括相互連接的供電部及放射部，其中，所述放射部?jī)蓚?cè)至少具有一切口。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用在小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽中的微帶貼片天線，其特征在于，所述切口為圓形、橢圓形、多邊形中的一種。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用在小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽中的微帶貼片天線，其特征在于，所述放射部為圓形、橢圓形、多邊形中的一種。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的應(yīng)用在小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽中的微帶貼片天線，其特征在于，所述放射部和供電部是由銀制成。
5. —種小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于包括芯片、電介質(zhì)、及微帶貼片天線，其中，所述微帶貼片天線是附著在所述電介質(zhì)的表面，所述微帶貼片天線包括相互連接的供電部及放射部，所述供電部與所述芯片通過微帶線連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述芯片周邊具有根據(jù)所述芯片的高度而設(shè)置的保護(hù)涂層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述保護(hù)涂層為陶瓷或橡膠。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述電介質(zhì)為陶瓷。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述微帶貼片天線還包括具有連接部的接地層，所述供電部和放射部是設(shè)置在與所述接地層相對(duì)的一面，且所述供電部與所述連接部將所述芯片連接在與所述微帶貼片天線同一面上、或與所述接地層同一面上、或所述微帶貼片天線和接地層連接的一個(gè)側(cè)面上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求5或9所述的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述微帶貼片天線是由銀制成。
11. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述供電部?jī)蓚?cè)與所述放射部之間具有間隔。
12. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述放射部為圓形、橢圓形、多邊形中的一種。
13. 根據(jù)權(quán)利要求5、9、11、12中的任一所述的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述放射部?jī)蓚?cè)至少具有一切口 。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述切口為圓形、橢圓形、多邊形中的一種。
全文摘要
本發(fā)明是一種小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽及其中的微帶貼片天線。其中小型化射頻識(shí)別標(biāo)簽包括芯片、電介質(zhì)、及微帶貼片天線，其中，所述微帶貼片天線是附著在所述電介質(zhì)的表面，所述微帶貼片天線包括相互連接的供電部及放射部，所述供電部與所述芯片通過微帶線連接。其中所述放射部?jī)蓚?cè)具有至少一切口，使之具有半個(gè)波長(zhǎng)的長(zhǎng)度，在比正常半個(gè)波長(zhǎng)更短的范圍內(nèi)能夠正常使用標(biāo)簽產(chǎn)品。由于最大點(diǎn)和最小點(diǎn)在放射部中同時(shí)產(chǎn)生，所以即使標(biāo)簽接觸到任何金屬面上，也不會(huì)影響其性能，能夠正常使用。同時(shí)能使標(biāo)簽小型化。
文檔編號(hào)H01Q1/22GK101728647SQ201010023038
公開日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2010年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月20日
發(fā)明者劉智佳 申請(qǐng)人:劉智佳