專利名稱：：光刻用防護(hù)薄膜組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是關(guān)于一種光刻用防護(hù)薄膜組件，其在制造LSI、超LSI等半導(dǎo)體裝置或液晶顯示板時(shí)作為光刻用遮罩的防塵器使用。
背景技術(shù)：
：在LSI、超LSI等半導(dǎo)體裝置或是液晶顯示板等產(chǎn)品的制造過程中，會(huì)用光照射半導(dǎo)體晶圓或液晶用原板以制作形成圖案，惟若此時(shí)所使用的曝光原版(光刻用遮罩)有灰塵附著的話，由于該灰塵會(huì)吸收光，使光反射，除了會(huì)讓轉(zhuǎn)印的圖案變形、使邊緣變粗糙之外，還會(huì)使基底污黑，損壞尺寸、品質(zhì)、外觀等。因此，這些作業(yè)通常是在無塵室內(nèi)進(jìn)行，然而即使是在無塵室內(nèi)進(jìn)行，想要經(jīng)常保持曝光原版清潔仍是相當(dāng)困難，故我們遂在曝光原版的表面貼合防護(hù)薄膜組件作為防塵器使用，該防護(hù)薄膜組件是將透光性良好的防護(hù)薄膜貼附在防護(hù)薄膜組件框架上所構(gòu)成的。此時(shí)，異物并非直接附著于曝光原版的表面上，而是附著于防護(hù)薄膜上，故只要在光刻時(shí)將焦點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)曝光原版的圖案，防護(hù)薄膜上的異物就不會(huì)對(duì)轉(zhuǎn)印造成影響。防護(hù)薄膜組件的基本構(gòu)造，是由防護(hù)薄膜組件框架與防護(hù)薄膜所構(gòu)成的；防護(hù)薄膜是由硝化纖維素、醋酸纖維素、氟類聚合物等物質(zhì)所構(gòu)成的，其是透明的，對(duì)曝光用光線具備良好的透光性；防護(hù)薄膜組件框架是由實(shí)施過黑色氧皮鋁處理且符合A7075、A6061、A5052等日本工業(yè)規(guī)格(J即aneselndustrialStandards;JIS)的鋁合金、不銹鋼、聚乙烯等材料所構(gòu)成的；我們?cè)诜雷o(hù)薄膜組件框架的上部涂布防護(hù)薄膜的良好溶媒，讓防護(hù)薄膜風(fēng)干接合于防護(hù)薄膜組件框架的上部(參照專利文獻(xiàn)1)，或是用丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂或氟樹脂等接合劑接合(參照專利文獻(xiàn)2、專利文獻(xiàn)3);然后，為了在防護(hù)薄膜組件框架的下部鋪設(shè)曝光原版，遂設(shè)置由聚丁烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、丙烯酸樹脂以及硅氧樹脂等物質(zhì)所構(gòu)成的黏著層，以及用來保護(hù)黏著層的初縮遮罩黏著劑保護(hù)用墊片。當(dāng)在曝光原版上貼合防護(hù)薄膜組件時(shí)，防護(hù)薄膜組件內(nèi)部會(huì)形成密閉空間。此時(shí)，由于防護(hù)薄膜不具備透氣性，故若溫度發(fā)生變化的話，該密閉空間內(nèi)的氣體就會(huì)膨脹或收縮，進(jìn)而讓防護(hù)薄膜朝上方膨起，或朝下方凹陷。為了防止這個(gè)問題發(fā)生，我們遂在防護(hù)薄膜組件框架上設(shè)置通氣孔(參照專利文獻(xiàn)4)。在專利文獻(xiàn)4中，如圖8所示的，揭示防護(hù)薄膜組件框邊12，其設(shè)有通氣孔11;以及防護(hù)薄膜組件框邊13，其涂布有黏著劑14，該黏著劑14可捕捉侵入到防護(hù)薄膜組件的密閉空間內(nèi)或在防護(hù)薄膜組件的密閉空間內(nèi)存在、產(chǎn)生的塵埃。又，亦有在防護(hù)薄膜組件內(nèi)部不使用黏著劑，而僅在防護(hù)薄膜組件框架上設(shè)置通氣孔的例子(參照?qǐng)D9)。然而，設(shè)置一個(gè)或多個(gè)通氣孔的防護(hù)薄膜組件，換氣的效率較差，若在防護(hù)薄膜組件內(nèi)部的密閉空間內(nèi)的氣壓變動(dòng)，例如，在伴隨曝光的遮罩環(huán)境下的氣壓變化不大的話便無法順利換氣，且從防護(hù)薄膜組件的構(gòu)件中所產(chǎn)生的有機(jī)或無機(jī)氣體，會(huì)與在光刻步驟的紫外線(i線、g線、KrF雷射、ArF雷射、F2雷射等)的照射、曝光時(shí)或在光罩保管時(shí)，從防護(hù)薄膜組件構(gòu)件內(nèi)部脫離而在防護(hù)薄膜組件與光罩所形成的密閉空間內(nèi)產(chǎn)生并滯留形成氣體狀物質(zhì)并在曝光時(shí)的紫外線下存在于環(huán)境中的氨或氰化合物或其他碳?xì)浠衔锏劝l(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，而產(chǎn)生以硫酸銨等物質(zhì)作為代表稱為所謂霧靄的霧狀物質(zhì)或微小粒子，要解決這些問題是相當(dāng)困難的。[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)1]日本特開昭58-219023號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)2]美國(guó)專利第4861402號(hào)說明書[專利文獻(xiàn)3]日本特公昭63-27707號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)4]日本特開平3-166545號(hào)公報(bào)防護(hù)薄膜組件會(huì)覆蓋形成于遮罩基板表面上的圖案區(qū)域。防護(hù)薄膜組件是用來防止異物附著到遮罩基板上而設(shè)置的構(gòu)件，故能隔離該圖案區(qū)域與防護(hù)薄膜組件外部，防止防護(hù)薄膜組件外部的塵埃附著到圖案表面上。近年來，LSI的布局規(guī)則向0.25微米以下微細(xì)化進(jìn)展，隨之曝光光源也向短波長(zhǎng)化進(jìn)展，亦即，逐漸從原為主流的水銀燈的g線(436nm)、I線(365nm)，轉(zhuǎn)而使用KrF準(zhǔn)分子雷射(248nm)、ArF準(zhǔn)分子雷射(193nm)、F2雷射(157nm)等雷射光。曝光光線像這樣朝短波長(zhǎng)化發(fā)展，當(dāng)然曝光光線所擁有的能量也會(huì)變高。當(dāng)使用高能量的光線時(shí)，比起習(xí)知波長(zhǎng)的光線而言，讓存在于曝光環(huán)境的氣體狀物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)而在遮罩基板上產(chǎn)生反應(yīng)物質(zhì)的可能性就變得更高了。于是，我們遂采取若干對(duì)策因應(yīng)，例如盡量減少無塵室內(nèi)的氣體狀物質(zhì)、徹底洗凈初縮遮罩，或從防護(hù)薄膜組件的構(gòu)成物質(zhì)中排除會(huì)發(fā)散氣體的物質(zhì)。特別是防護(hù)薄膜組件，由于其是直接貼附于遮罩基板上使用的物件，故防護(hù)薄膜組件的構(gòu)成材料，亦即由有機(jī)材料所構(gòu)成的初縮遮罩接合劑、膜層接合劑、內(nèi)壁涂布劑等物質(zhì)，其氣體發(fā)散率宜降低，以改善情況。然而，即使初縮遮罩清洗得再干凈或防護(hù)薄膜組件構(gòu)成材料的氣體發(fā)散特性再怎么降低，也無法完全防止遮罩基板上產(chǎn)生所謂「霧靄(haze)」的霧狀異物，而成為半導(dǎo)體制造成品率降低的原因。
發(fā)明內(nèi)容[發(fā)明所欲解決的問題]有鑒于上述情事，本發(fā)明所欲解決之問題是盡量從防護(hù)薄膜組件內(nèi)部空間減少排除在防護(hù)薄膜組件與遮罩的密閉空間內(nèi)于曝光時(shí)引起不良情況的物質(zhì)。[解決問題之技術(shù)手段]為了解決相關(guān)問題，本發(fā)明人專心致力不斷檢討，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，從構(gòu)成防護(hù)薄膜組件的構(gòu)件產(chǎn)生的氣體會(huì)在曝光環(huán)境下從防護(hù)薄膜組件構(gòu)件中脫離，并滯留在防護(hù)薄膜組件與遮罩的密閉空間內(nèi)，當(dāng)該氣體在曝光時(shí)照射到短波長(zhǎng)紫外線，便會(huì)產(chǎn)生例如硫酸銨或碳?xì)漕惢衔锏鹊撵F靄。于是，本發(fā)明人提出一種從防護(hù)薄膜組件的構(gòu)成要件產(chǎn)生的氣體不易滯留于防護(hù)薄膜組件內(nèi)部空間的防護(hù)薄膜組件，進(jìn)而完成一種即使在短紫外光的曝光環(huán)境下霧靄的產(chǎn)生率也很低的防護(hù)薄膜組件。4亦即，本發(fā)明的光刻用防護(hù)薄膜組件，在光刻用防護(hù)薄膜組件框架上設(shè)置多個(gè)通氣孔，并以防塵用過濾器覆蓋該通氣孔，其特征為在該框架的通氣孔部位上設(shè)置锪削加工部，且將該锪削加工部的壁面加工成推拔形狀。設(shè)置在框架上的通氣孔以及锪削加工部在框架的各邊上至少設(shè)置1處，推拔形狀加工的傾斜面角度從與框架面垂直的方向量起大于90度而小于180度，锪削加工部為圓形或橢圓形，再者锪削加工部可橫跨多個(gè)通氣孔。[對(duì)照先前技術(shù)之功效]由于本發(fā)明將設(shè)置在防護(hù)薄膜組件框架的外側(cè)面上的通氣孔以及覆蓋該通氣孔的過濾器配置在利用锪削加工方式設(shè)置在防護(hù)薄膜組件框架外側(cè)面上的凹部的底部，并將該凹部的壁面加工成推拔形狀，且讓步進(jìn)器或掃描器的平臺(tái)高速移動(dòng)，故能夠有效率地導(dǎo)入并排出外部大氣，進(jìn)而如圖7所示的，讓滯留在防護(hù)薄膜組件所形成之密閉空間內(nèi)的空氣有效率地排出，氣體便不易停滯于內(nèi)部。因此具有讓遮罩上較不易產(chǎn)生霧靄的效果，而能因應(yīng)朝短波長(zhǎng)化進(jìn)展的光刻技術(shù)。圖1是說明圖，表示本發(fā)明之防護(hù)薄膜組件的一個(gè)實(shí)施例。圖2(a)、(b)、(c)是立體說明圖，表示設(shè)置在本發(fā)明之防護(hù)薄膜組件框架的通氣孔周圍的局部整平部的各種實(shí)施例，(a)局部整平部為橢圓型，(b)為圓形，(c)為共通包含多個(gè)通氣孔2的"連續(xù)形狀"。圖3是說明圖，表示本發(fā)明之局部整平部的推拔角度的定義。圖4是例示圖，表示設(shè)置在本發(fā)明之防護(hù)薄膜組件框架上的通氣孔的配置范例。圖5是例示圖，表示設(shè)置在本發(fā)明之防護(hù)薄膜組件框架上的通氣孔的另一配置范例。圖6是例示圖，表示設(shè)置在本發(fā)明之防護(hù)薄膜組件框架上的通氣孔的其他配置范例。圖7是說明圖，表示當(dāng)掃描臺(tái)移動(dòng)時(shí)在貼合于遮罩基板上的防護(hù)薄膜組件內(nèi)的外部空氣的流動(dòng)情況的例子。圖8是表示習(xí)知裝設(shè)有通氣孔與黏著劑層的防護(hù)薄膜組件的一個(gè)實(shí)施例。圖9是表示習(xí)知在防護(hù)薄膜組件框架上裝設(shè)有通氣孔的防護(hù)薄膜組件的實(shí)施例。主要元件符號(hào)說明1防護(hù)薄膜組件框架2通氣孔3(防塵用)過濾器4锪削加工部5(防護(hù)薄膜組件框架1的)外側(cè)面6箭號(hào)11通氣孔12防護(hù)薄膜組件框邊13防護(hù)薄膜組件框邊14占著劑515過濾器具體實(shí)施例方式本發(fā)明是一種光刻用防護(hù)薄膜組件，其特征為所裝設(shè)的防護(hù)薄膜組件框架具備被動(dòng)地讓防護(hù)薄膜組件內(nèi)部換氣的機(jī)構(gòu)。以下參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明。本發(fā)明的防護(hù)薄膜組件，基本上與一般的相同，均是在防護(hù)薄膜組件框架的上端面涂布防護(hù)薄膜貼附用接合劑并鋪設(shè)防護(hù)薄膜，此時(shí)，通常會(huì)在下端面涂布初縮遮罩接合用黏著劑，并在該初縮遮罩接合用黏著劑的下端面以可剝離的方式貼合墊片。此時(shí)，該等防護(hù)薄膜組件構(gòu)件的大小跟通常的防護(hù)薄膜組件，例如半導(dǎo)體光刻用防護(hù)薄膜組件、大型液晶顯示板制造光刻步驟用防護(hù)薄膜組件等一樣，而且，材質(zhì)也可使用上述習(xí)知材質(zhì)。若更進(jìn)一步詳述，就防護(hù)薄膜的種類并無特別限制，例如可使用習(xí)知準(zhǔn)分子雷射用的非晶質(zhì)氟聚合物等。非晶質(zhì)氟聚合物，例如Cytop[旭硝子(股)公司制商品名]、特氟龍AF(DuPont公司制商品名)等。用該等聚合物制作防護(hù)薄膜時(shí)，可因應(yīng)需要先將其溶解于溶媒中再使用，例如可將其適當(dāng)溶解于氟類溶媒中。關(guān)于本發(fā)明所使用之防護(hù)薄膜組件框架的基材，可使用以往所使用的鋁合金基材，而宜使用JISA7075、JISA6061、JISA5052等規(guī)格的基材，即便使用鋁合金基材以外的樹脂、玻璃等材料，只要具備足夠的強(qiáng)度作為防護(hù)薄膜組件框架即可，對(duì)材質(zhì)而言并無特別限制。本發(fā)明之防護(hù)薄膜組件的其中一個(gè)特征，是在防護(hù)薄膜組件框架上設(shè)置通氣孔，并在該通氣孔上設(shè)置過濾器，且在設(shè)置該過濾器的部位的周圍形成"局部整平"部份。該典型的防護(hù)薄膜組件的實(shí)施例表示于圖1。在圖1中，1為防護(hù)薄膜組件框架，在防護(hù)薄膜組件框架1上設(shè)置通氣孔2，并在該通氣孔2上覆蓋防塵用過濾器3。在防護(hù)薄膜組件框架1的外側(cè)部位設(shè)置锪削加工部4。對(duì)設(shè)有通氣孔的部位實(shí)施锪削加工，是以比通氣孔更大的開孔尺寸挖得比過濾器厚度更深，只要不要挖超過防護(hù)薄膜組件框架的厚度就沒有特別的限制，然而就锪削加工部的壁面而言，角度大于9(T仍是必要的。角度小于9(T的話會(huì)形成將通氣孔堵塞住的形狀，相反的，角度取大一點(diǎn)能夠增加流入通氣孔的外部氣體流量。然而，當(dāng)角度大于180度，反倒會(huì)打亂氣體流勢(shì)，而無法獲得增加氣體流量的好處。锪削加工部的外形只要能夠有效率地導(dǎo)入外部氣體流量就沒有特別的限制，可采用例如，橢圓形[圖2(a)]、圓形[圖2(b)]，更可采用橫跨多個(gè)通氣孔2的"連續(xù)形狀"[圖2(c)]。局部整平部，如圖3所示的，從防護(hù)薄膜組件框架1的外側(cè)面5向內(nèi)部挖成推拔狀，如箭號(hào)6所示的，在決定局部整平部推拔角度時(shí)，讓局部整平部推拔角度比90度大，比180度小。在防護(hù)薄膜組件框架的4個(gè)側(cè)面(邊)分別設(shè)置至少一個(gè)以上的通氣孔。該通氣孔的尺寸、形狀并無特別限制，惟仍應(yīng)根據(jù)設(shè)置于該通氣孔上的過濾器的網(wǎng)目尺寸、過濾面積或從這些參數(shù)所求出的通氣量，選擇其尺寸、形狀。又，通氣孔之目的在于防護(hù)薄膜組件內(nèi)部與外部的換氣，讓防護(hù)薄膜組件內(nèi)部的污染空氣不要滯留，故宜以盡量讓防護(hù)薄膜組件內(nèi)部各個(gè)角落都能到換氣的方式配置通氣孔。6我們可將通氣孔設(shè)置在靠近防護(hù)薄膜組件框架的4個(gè)角落的部位以及框架中央附近等處所作為配置方式的較佳實(shí)施例。亦可考量曝光條件、使用時(shí)間，甚至成本等因素，適當(dāng)改變?cè)O(shè)置在防護(hù)薄膜組件框架上的通氣孔數(shù)量。防護(hù)薄膜組件框架4邊之通氣孔的設(shè)置數(shù)量、配置方式與霧靄的產(chǎn)生之間的關(guān)系，經(jīng)過調(diào)查實(shí)驗(yàn)，得到表1所示的結(jié)果。亦即，防護(hù)薄膜組件框架使用外寸149mmX122mmX5.8mm，框架厚度2mm的A7075-T651的鋁合金制框架，讓設(shè)置在互相對(duì)向之各長(zhǎng)邊以及各短邊上的通氣孔數(shù)量相同或不相同，或讓長(zhǎng)邊與短邊的通氣孔數(shù)量相同或不相同，設(shè)定出各種不同的組合，ArF準(zhǔn)分子雷射的曝光量為500J/cm2，檢查"是否產(chǎn)生霧靄"，進(jìn)行確認(rèn)實(shí)驗(yàn)。用雷射光散射異物檢查裝置檢查"是否產(chǎn)生霧靄"。圖4圖6表示若干防護(hù)薄膜組件框架的通氣孔的配置實(shí)施例。圖4的實(shí)施例是準(zhǔn)備框架外寸149mmX122mmX5.8mm、框架厚度2mm的A7075-T651的鋁合金制框架作為防護(hù)薄膜組件框架，并在該框架的各側(cè)面的中央(計(jì)4處)以及距離各側(cè)面角落20mm的位置(計(jì)8處，合計(jì)12處)設(shè)置直徑0.5mm的通氣孔。圖5的實(shí)施例是使用同樣的防護(hù)薄膜組件框架，并分別在該框架的各長(zhǎng)邊的各側(cè)面的10處、短邊的各側(cè)面的8處，合計(jì)共36處設(shè)置0.5mm的通氣孔。圖6的實(shí)施例是分別在長(zhǎng)邊、短邊的對(duì)邊設(shè)置不同數(shù)量的通氣孔，長(zhǎng)邊1/長(zhǎng)邊2為9/3，短邊1/短邊2為7/3。確認(rèn)實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)條件，代表性地就幾個(gè)實(shí)驗(yàn)編號(hào)進(jìn)行說明。其他實(shí)驗(yàn)編號(hào)準(zhǔn)用之。[實(shí)驗(yàn)編號(hào)6]:首先，準(zhǔn)備框架外寸149mmX122mmX5.8mm、框架厚度2mm的A7075-T651的鋁合金制框架作為防護(hù)薄膜組件框架，并在該框架的一側(cè)面中央4處，距離角落20mm的位置8處，合計(jì)共12處設(shè)置直徑0.5mm的通氣孔。接著以該12處的通氣孔作為中心設(shè)置寬度10mm、高度5mm、深度lmm、壁面角度135°的推拔形局部整平部。洗凈其表面后，使用玻璃細(xì)珠，用吐出壓約137.lkPa(l.5kg/cm2)的噴砂裝置進(jìn)行1分鐘的表面處理，使表面粗糙化。接著將其以NaOH處理液處理10秒鐘并洗凈之后，以形成電壓IOV(I.3A)在14%硫酸水溶液、液溫18t:中進(jìn)行陽極氧化處理。接著，進(jìn)行黑色染色、封孔處理，在表面形成黑色的氧化覆膜。之后使用超純水與超音波洗凈裝置進(jìn)行5分鐘的洗凈處理。接著，用噴涂裝置在該框架的內(nèi)面涂布lOym的硅氧類黏著劑。接著在該通氣孔上設(shè)置材質(zhì)為PTFE、塵埃過濾大小為0.13.0iim、過濾程度達(dá)99.9999%、寬度8mm、高度2.5mm、厚度300ym的過濾器。過濾器設(shè)置成除塵用過濾器的構(gòu)造。接著，將特氟龍AF1600(美國(guó)DuPont公司制商品名)溶解于氟類溶劑FluorinertFC_75(美國(guó)3M公司制商品名)調(diào)制出濃度8%的溶液。接著，以該溶液在直徑200mm、厚度600iim、經(jīng)過鏡面研磨處理的硅基板表面上，用旋涂機(jī)形成膜厚為0.8iim的透明薄膜。接著，在該薄膜上用環(huán)氧類接合劑Aralditer即id[昭和高分子(股)制商品名]接合外寸200mmX200mmX5mm、寬度與厚度均為5mm的框架，并從硅基板表面剝離之。接著，在如前述所準(zhǔn)備的鋁合金制框架的一端面上涂布硅氧類黏著劑，在10(TC下加熱IO分鐘，使其干燥硬化。然后，在該鋁合金制框架的另一端面上涂布稀釋于氟類溶媒CTSolv180[旭硝子(股)制商品名]中的氟類高分子聚合物CTX[旭硝子(股)制商品名]并在IO(TC下加熱10分鐘，使其干燥硬化。準(zhǔn)備PET制墊片，利用墊片貼附裝置將其貼合于初縮遮罩接合劑上，該墊片貼附裝置具備利用CCD相機(jī)的影像處理定位機(jī)構(gòu)。接著，將框架密合于準(zhǔn)備好的特氟龍AF1600(美國(guó)DuPont公司制商品名)的薄膜表面上，之后用IR燈加熱框架，將框架與薄膜黏合在一起。二個(gè)框架讓防護(hù)薄膜組件框架的接合面向上，并以固定用夾具固定，使其相對(duì)位置沒有偏差。接著，將防護(hù)薄膜組件框架外側(cè)的框抬起固定，對(duì)防護(hù)薄膜組件框架外側(cè)的薄膜施加約490Pa(0.5g/cm2)的張力。接著，用管式分注器，將FluorinertFC75(DuPont公司制商品名)以每分鐘10微升的速度滴到裝設(shè)在水平多關(guān)節(jié)型機(jī)械臂上的切斷器上，并沿著該防護(hù)薄膜組件框架的接合劑部份的周圍部位移動(dòng)切斷器，將防護(hù)薄膜組件框架外側(cè)不要的薄膜部份切斷除去。將完成的防護(hù)薄膜組件以表面殘留酸成份濃度在lppb以下的條件洗凈，并貼附于形成有Cr(鉻)測(cè)試圖案的石英玻璃制6英寸光罩基板上。接著，將其裝設(shè)在ArF準(zhǔn)分子雷射掃描器NSRS306C(Nikon股份有限公司制商品名)上，并在初縮遮罩表面上以曝光強(qiáng)度0.01mJ/cm2/pulse、重復(fù)頻率4000Hz的光線照射500J/cm2的照射量。以雷射異物檢查裝置觀察經(jīng)過照射之6英寸光罩上的污染狀況，發(fā)現(xiàn)測(cè)試圖案部、玻璃部分均未產(chǎn)生霧靄或異物。[實(shí)驗(yàn)編號(hào)7]:首先，準(zhǔn)備框架外寸149mmX122mmX5.8mm、框架厚度2mm的A7075-T651的鋁合金制框架作為防護(hù)薄膜組件框架，并在該框架的一長(zhǎng)邊側(cè)面10處，短邊8處，合計(jì)共36處設(shè)置0.5mm的通氣？L。接著在包含該36處通氣孔的長(zhǎng)邊以及短邊上設(shè)置寬度139mm、高度5mm以及寬度110mm、高度5mm且壁面角度135°的推拔形局部整平部。洗凈其表面后，使用玻璃細(xì)珠，用吐出壓約137.lkPa(l.5kg/cm2)的噴砂裝置進(jìn)行1分鐘的表面處理，使表面粗糙化。接著將其以NaOH處理液處理10秒鐘并洗凈，之后以形成電壓IOV(I.3A)在14%硫酸水溶液、液溫18t:中進(jìn)行陽極氧化處理。接著，進(jìn)行黑色染色、封孔處理，在表面形成黑色的氧化覆膜。之后使用超純水與超音波洗凈裝置進(jìn)行5分鐘的洗凈處理。接著，用噴涂裝置在該框架的內(nèi)面涂布lOym的硅氧類黏著劑。接著在該通氣孔上設(shè)置材質(zhì)為PTFE、塵埃過濾大小為0.13.0iim、過濾程度達(dá)99.9999%、寬度8mm、高度2.5mm、厚度300ym的過濾器。過濾器設(shè)置成外側(cè)具備化學(xué)過濾器的除塵用過濾器構(gòu)造。接著，將特氟龍AF1600(美國(guó)DuPont公司制商品名)溶解於氟類溶劑FluorinertFC-75(美國(guó)3M公司制商品名)調(diào)制出濃度8%的溶液。接著，以該溶液在直徑200mm、厚度600iim、經(jīng)過鏡面研磨處理的硅基板面上，用旋涂機(jī)形成膜厚為0.8iim的透明薄膜。接著，在該薄膜上用環(huán)氧類接合劑Aralditer即id[昭和高分子(股)制商品名]接合外寸200mmX200mmX5mm、寬度與厚度均為5mm的框架，并從硅基板表面剝離之。接著，在如前述所準(zhǔn)備的鋁合金制框架的一端面上涂布硅氧類黏著劑，在10(TC下加熱IO分鐘，使其干燥硬化。然后，在該鋁合金制框架的另一端面上涂布稀釋于氟類溶媒CTSolv180[旭硝子(股)制商品名]中的氟類高分子聚合物CTX[旭硝子(股)制商品8名]并在IO(TC下加熱10分鐘，使其干燥硬化。準(zhǔn)備PET制墊片，利用墊片貼附裝置將其貼合于初縮遮罩接合劑上，該墊片貼附裝置具備利用CCD相機(jī)的影像處理定位機(jī)構(gòu)。接著，將框架密合于準(zhǔn)備好的特氟龍AF1600(美國(guó)DuPont公司制商品名)的薄膜表面上，之后用IR燈加熱框架，將框架與薄膜黏合在一起。二個(gè)框架讓防護(hù)薄膜組件框架的接合面向上，并以固定用夾具固定，使其相對(duì)位置沒有偏差。接著，將防護(hù)薄膜組件框架外側(cè)的框抬起固定，對(duì)防護(hù)薄膜組件框架外側(cè)的薄膜施加約490Pa(0.5g/cm2)的張力。接著，用管式分注器，將FluorinertFC75(DuPont公司制商品名)以每分鐘10微升的速度滴到裝設(shè)在水平多關(guān)節(jié)型機(jī)械臂上的切斷器上，并沿著該防護(hù)薄膜組件框架的接合劑部份的周圍部位移動(dòng)切斷器，將防護(hù)薄膜組件框架外側(cè)不要的薄膜部份切斷除去。將完成的防護(hù)薄膜組件以表面殘留酸成份濃度在lppb以下的條件洗凈，并貼附于形成有Cr(鉻)測(cè)試圖案的石英玻璃制6英寸光罩基板上。接著，將其裝設(shè)在ArF準(zhǔn)分子雷射掃描器NSRS306C(Nikon股份有限公司制商品名)上，并在初縮遮罩表面上以曝光強(qiáng)度0.01mJ/cm2/pulse、重復(fù)頻率4000Hz的光線照射500J/cm2的照射量。以雷射異物檢查裝置觀察經(jīng)過照射之6英寸光罩上的污染狀況，發(fā)現(xiàn)測(cè)試圖案部、玻璃部分均未產(chǎn)生霧靄或異物。[實(shí)驗(yàn)編號(hào)12]:首先，準(zhǔn)備框架外寸149mmX122mmX5.8mm、框架厚度2mm的A7075-T651的鋁合金制框架作為防護(hù)薄膜組件框架，并在該框架的一側(cè)面中央設(shè)置直徑0.5mm的通氣孔。洗凈其表面后，使用玻璃細(xì)珠，用吐出壓約137.lkPa(l.5kg/cm2)的噴砂裝置進(jìn)行1分鐘的表面處理，使表面粗糙化。接著將其以NaOH處理液處理IO秒鐘并洗凈，之后以形成電壓IOV(I.3A)在14%硫酸水溶液、液溫18t:中進(jìn)行陽極氧化處理。接著，進(jìn)行黑色染色、封孔處理，在表面形成黑色的氧化覆膜。之后使用超純水與超音波洗凈裝置進(jìn)行5分鐘的洗凈處理。接著，用噴涂裝置在該框架的內(nèi)面涂布lym的硅氧類黏著劑。接著在該通氣孔上設(shè)置材質(zhì)為PTFE、塵埃過濾大小為0.13.0iim、過濾程度達(dá)99.9999%、寬度9.5mm、高度2.5mm、厚度300ym的過濾器。過濾器設(shè)置成外側(cè)具備化學(xué)過濾器的除塵用過濾器構(gòu)造。接著，將鐵氟龍AF1600(美國(guó)DuPont公司製商品名)溶解於氟類溶劑FluorinertFC_75(美國(guó)3M公司製商品名)調(diào)製出濃度8%的溶液。接著，以該溶液在直徑200mm、厚度600iim、經(jīng)過鏡面研磨處理的硅基板表面上，用旋涂機(jī)形成膜厚為0.8iim的透明薄膜。接著，在該薄膜上用環(huán)氧類接合劑Aralditer即id[昭和高分子(股)制商品名]接合外寸200mmX200mmX5mm、寬度與厚度均為5mm的框架，并從硅基板表面剝離之。接著，在如前述所準(zhǔn)備的鋁合金制框架的一端面上涂布硅氧類黏著劑，在10(TC下加熱IO分鐘，使其干燥硬化。然后，在該鋁合金制框架的另一端面上涂布稀釋于氟類溶媒CTSolv180[旭硝子(股)制商品名]中的氟類高分子聚合物CTX[旭硝子(股)制商品名]并在IO(TC下加熱10分鐘，使其干燥硬化。準(zhǔn)備PET制墊片，利用墊片貼附裝置將其貼合于初縮遮罩接合劑上，該墊片貼附裝置具備利用CCD相機(jī)的影像處理定位機(jī)構(gòu)。接著，將框架密合于準(zhǔn)備好的特氟龍AF1600(美國(guó)DuPont公司制商品名)的薄膜表面上，之后用IR燈加熱框架，將框架與薄膜黏合在一起。二個(gè)框架讓防護(hù)薄膜組件框架的接合面向上，并以固定用夾具固定，使其相對(duì)位置沒有偏差。接著，將防護(hù)薄膜組件框架外側(cè)的框抬起固定，對(duì)防護(hù)薄膜組件框架外側(cè)的薄膜施加約490Pa(0.5g/cm2)的張力。接著，用管式分注器，將FluorinertFC75(DuPont公司制商品名)以每分鐘10微升的速度滴到裝設(shè)在水平多關(guān)節(jié)型機(jī)械臂上的切斷器上，并沿著該防護(hù)薄膜組件框架的接合劑部份的周圍部位移動(dòng)切斷器，將防護(hù)薄膜組件框架外側(cè)不要的薄膜部份切斷除去。將完成的防護(hù)薄膜組件以表面殘留酸成份濃度在lppb以下的條件洗凈，并貼附于形成有Cr(鉻)測(cè)試圖案的石英玻璃制6英寸光罩基板上。接著，將其裝設(shè)在ArF準(zhǔn)分子雷射掃描器NSRS306C(Nikon股份有限公司制商品名)上，并在初縮遮罩表面上以曝光強(qiáng)度0.01mJ/cm2/pulse、重復(fù)頻率4000Hz的光線照射500J/cm2的照射量。以雷射異物檢查裝置觀察經(jīng)過照射的6英寸光罩上的污染狀況，雖發(fā)現(xiàn)測(cè)試圖案部并未產(chǎn)生霧靄或異物，但發(fā)現(xiàn)玻璃部份產(chǎn)生霧靄。用雷射拉曼光譜分析裝置進(jìn)行分析，確認(rèn)其為硫酸銨。[實(shí)驗(yàn)編號(hào)13]:首先，準(zhǔn)備框架外寸149mmX122mmX5.8mm、框架厚度2mm的A7075-T651的鋁合金制框架作為防護(hù)薄膜組件框架，并在該框架的一側(cè)面中央4處，距離角落20mm的位置8處，合計(jì)共12處設(shè)置直徑0.5mm的通氣孔。接著以該12處的通氣孔作為中心設(shè)置寬度10mm、高度5mm、深度lmm、壁面角度90°的局部整平部。洗凈其表面后，使用玻璃細(xì)珠，用吐出壓約137.lkPa(l.5kg/cm2)的噴砂裝置進(jìn)行1分鐘的表面處理，使表面粗糙化。接著將其以NaOH處理液處理10秒鐘并洗凈，之后以形成電壓IOV(I.3A)在14%硫酸水溶液、液溫18t:中進(jìn)行陽極氧化處理。接著，進(jìn)行黑色染色、封孔處理，在表面形成黑色的氧化覆膜。之后使用超純水與超音波洗凈裝置進(jìn)行5分鐘的洗凈處理。接著，用噴涂裝置在該框架的內(nèi)面涂布lOym的硅氧類黏著劑。接著在該通氣孔上設(shè)置材質(zhì)為PTFE、塵埃過濾大小為0.13.0iim、過濾程度達(dá)99.9999%、寬度8mm、高度2.5mm、厚度300ym的過濾器。過濾器設(shè)置成外側(cè)具備化學(xué)過濾器的除塵用過濾器構(gòu)造。接著，將鐵氟龍AF1600(美國(guó)DuPont公司制商品名)溶解於氟類溶劑FluorinertFC-75(美國(guó)3M公司制商品名)調(diào)制出濃度8%的溶液。接著，以該溶液在直徑200mm、厚度600iim、經(jīng)過鏡面研磨處理的硅基板表面上，用旋涂機(jī)形成膜厚為0.8iim的透明薄膜。接著，在該薄膜上用環(huán)氧類接合劑Aralditer即id[昭和高分子(股)制商品名]接合外寸200mmX200mmX5mm、寬度與厚度均為5mm的框架，并從硅基板表面剝離之。接著，在如前述所準(zhǔn)備的鋁合金制框架的一端面上涂布硅氧類黏著劑，在IO(TC下加熱IO分鐘，使其干燥硬化。然后，在該鋁合金制框架的另一端面上涂布稀釋于氟類溶媒CTSolv180[旭硝子(股)制商品名]中的氟類高分子聚合物CTX[旭硝子(股)制商品10名]并在IO(TC下加熱10分鐘，使其干燥硬化。準(zhǔn)備PET制墊片，利用墊片貼附裝置將其貼合于初縮遮罩接合劑上，該墊片貼附裝置具備利用CCD相機(jī)的影像處理定位機(jī)構(gòu)。接著，將框架密合于準(zhǔn)備好的特氟龍AF1600(美國(guó)DuPont公司制商品名)的薄膜表面上，之后用IR燈加熱框架，將框架與薄膜黏合在一起。二個(gè)框架讓防護(hù)薄膜組件框架的接合面向上，并以固定用夾具固定，使其相對(duì)位置沒有偏差。接著，將防護(hù)薄膜組件框架外側(cè)的框抬起固定，對(duì)防護(hù)薄膜組件框架外側(cè)的薄膜施加約490Pa(0.5g/cm2)的張力。接著，用管式分注器，將FluorinertFC75(DuPont公司制商品名)以每分鐘10微升的速度滴到裝設(shè)在水平多關(guān)節(jié)型機(jī)械臂上的切斷器上，并沿著該防護(hù)薄膜組件框架的接合劑部份的周圍部位移動(dòng)切斷器，將防護(hù)薄膜組件框架外側(cè)不要的薄膜部份切斷除去。將完成的防護(hù)薄膜組件以表面殘留酸成份濃度在lppb以下的條件洗凈，并貼附于形成有Cr(鉻)測(cè)試圖案的石英玻璃制6英吋光罩基板上。接著，將其裝設(shè)在ArF準(zhǔn)分子雷射掃描器NSRS306C(Nikon股份有限公司制商品名)上，并在初縮遮罩表面上以曝光強(qiáng)度0.01mJ/cm2/pulse、重復(fù)頻率4000Hz的光線照射500J/cm2的照射量。以雷射異物檢查裝置觀察經(jīng)過照射的6英寸光罩上的污染狀況，雖發(fā)現(xiàn)測(cè)試圖案部并未產(chǎn)生霧靄或異物，但發(fā)現(xiàn)玻璃部份產(chǎn)生霧靄。用雷射拉曼光譜分析裝置進(jìn)行分析，確認(rèn)其為硫酸銨。以同樣方式進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)果整理于表l。[表l]表1:通氣孔分布、局部整平部推拔角度之效果<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>注「局部整平部推拔角度」的「0°」是沒有局部整平部的意思根據(jù)表l，實(shí)驗(yàn)編號(hào)1、2、10、11、13由于「局部整平角度」不適當(dāng)，而且實(shí)驗(yàn)編號(hào)12的「局部整平」這個(gè)部份的數(shù)量不足，故無法避免"霧靄的產(chǎn)生"。又，我們可附加本發(fā)明能夠使用的各種基本材料。本發(fā)明使用的除塵用過濾器，只要能夠設(shè)置在前述通氣孔的部位上即可，形狀、數(shù)量、設(shè)置位置并無特別限制。過濾器材質(zhì)可使用例如樹脂(PTFE、耐綸66等)、金屬(316L不銹鋼等)、陶瓷(鋁、氮化鋁等)等。又，亦宜在該除塵用過濾器的外側(cè)部位裝設(shè)能夠吸附或分解環(huán)境中化學(xué)物質(zhì)的化學(xué)過濾器。防護(hù)薄膜接合用的接合劑可使用習(xí)知常用者。例如，丙烯酸樹脂接合劑、環(huán)氧樹脂接合劑、硅氧樹脂接合劑、含氟硅氧接合劑等的氟聚合物等，其中以氟類聚合物較適當(dāng)。氟類聚合物，具體例如氟類聚合物CT69[旭硝子(股)制商品名]。初縮遮罩貼附用接合劑可使用例如雙面黏貼膠帶、硅氧樹脂黏著劑、丙烯酸類黏著劑等。本發(fā)明之防護(hù)薄膜組件，通常的制造方法是在防護(hù)薄膜組件框架的上端面隔著防護(hù)薄膜貼合用接合劑層鋪設(shè)防護(hù)薄膜，又通常會(huì)在下端面設(shè)置初縮遮罩貼附用接合劑層，并在該初縮遮罩貼附用接合劑層的下端面以可剝離的方式貼附脫模層。在此，設(shè)置于防護(hù)薄膜組件框架上端面的防護(hù)薄膜貼附用接合劑層，若有必要會(huì)用溶媒稀釋，然后涂布在防護(hù)薄膜組件框架上端面，加熱使其干燥硬化，便可形成。此時(shí)，接合劑的涂布方法可采用例如刷毛涂布、噴涂、自動(dòng)分注器等方法。本發(fā)明使用的初縮遮罩接合劑保護(hù)用墊片，材質(zhì)并無特別限制?？墒褂美鏟ET、PTFE、PFA、PE、PC、PVC、PP等材質(zhì)。權(quán)利要求一種光刻用防護(hù)薄膜組件，其在光刻用防護(hù)薄膜組件框架上設(shè)置多個(gè)通氣孔，并以防塵用過濾器覆蓋該通氣孔，其特征為在該框架的通氣孔部位上設(shè)置锪削加工部，且將該锪削加工部的壁面加工成推拔狀。2.如權(quán)利要求1所述的光刻用防護(hù)薄膜組件，其中，設(shè)置在框架上的該通氣孔以及該锪削加工部，是在框架的各邊上至少設(shè)置1處。3.如權(quán)利要求1或2所述的光刻用防護(hù)薄膜組件，其中，該推拔狀加工的傾斜面角度從與框架面垂直的方向量起大于90度而小于180度。4.如權(quán)利要求1或2所述的光刻用防護(hù)薄膜組件，其中，該锪削加工部為圓形。5.如權(quán)利要求1或2所述的光刻用防護(hù)薄膜組件，其中，該锪削加工部為橢圓形。6.如權(quán)利要求1或2所述的光刻用防護(hù)薄膜組件，其中，該锪削加工部為矩形。全文摘要本發(fā)明所欲解決的技術(shù)問題為從防護(hù)薄膜組件內(nèi)部空間盡量減少在防護(hù)薄膜組件與遮罩的密閉空間內(nèi)于曝光時(shí)引起不良情況的物質(zhì)。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種光刻用防護(hù)薄膜組件，其在光刻用防護(hù)薄膜組件框架(1)上設(shè)置多個(gè)通氣孔(2)，并用防塵用過濾器(3)覆蓋該通氣孔，其特征為在該框架的通氣孔部位上設(shè)置锪削加工部(4)，且將該锪削加工部的壁面加工為推拔形狀。設(shè)置在框架上的通氣孔以及锪削加工部在框架的各邊上至少設(shè)置(1)處，推拔狀加工的傾斜面角度從與框架面垂直的方向量起大于90度而小于180度，锪削加工部為圓形或橢圓形，再者锪削加工部可橫跨多個(gè)通氣孔。文檔編號(hào)H01L21/027GK101788761SQ20101010020公開日2010年7月28日申請(qǐng)日期2010年1月25日優(yōu)先權(quán)日2009年1月27日發(fā)明者永田愛彥申請(qǐng)人:信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社