專利名稱：氣體流路結構體以及基板處理裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及氣體流路結構體以及基板處理裝置，特別是涉及一種電極可動式基板 處理裝置中的氣體流路結構體以及具有該氣體流路結構體的基板處理裝置。
背景技術：
用于對作為基板的半導體晶圓(以下簡稱為“晶圓”)實施等離子處理的基板處理 裝置包括用于收納晶圓且能夠對內部減壓的腔室(處理室)、配置在該腔室內部下部的基 座(susc印tor，載置臺)、和在腔室內部與載置臺相對地配置的簇射頭(shower head)。基 座不僅用于載置晶圓，而且與高頻電源相連接而被作為對腔室內部施加高頻電力的載置電 極發(fā)揮作用，簇射頭不僅用于將處理氣體導入到腔室內部，而且接地從而作為對置電極發(fā) 揮作用。在該種基板處理裝置中，利用高頻電力對供給到腔室內部的處理氣體進行激勵而 產生等離子體，利用該等離子體對晶圓實施等離子處理。但是，為了使等離子體合適地分布在腔室內部的簇射頭和基座之間的空間內，以 往人們開發(fā)了一種通過使基座可動、從而能夠調整簇射頭和基座之間的空間的高度(以下 稱作“間隙”。)的基板處理裝置。另外，近年，人們考慮到基板處理裝置的周邊的布局上的 限制，研究了 一種簇射頭可動而基座不可動的基板處理裝置。圖4是概略地表示形成有可動簇射頭的以往的基板處理裝置的結構的剖視圖。在圖4的基板處理裝置100中，在圓筒狀的腔室101內部，與基座102相對地配置 的簇射頭103呈外徑與腔室101的內徑大致相等的大致圓板狀，利用未圖示的升降機構，使 該簇射頭103在腔室101內部像活塞那樣上下移動。另外，在圖4中，用實線表示下降到最 下方位置時的簇射頭103，用虛線表示上升到最上方位置時的簇射頭103。簇射頭103包括處理氣體導入系統(tǒng)和氣體供給管107 ；上述處理氣體導入系統(tǒng)由 氣體流路104、緩沖室105、氣孔106構成；上述氣體供給管107與氣體供給源(未圖示)相 連接，該氣體供給源用于將處理氣體自外部供給到該處理氣體導入系統(tǒng)中。另外，在用于吊 掛支承作為上下移動的電極的簇射頭103的軸部分111的外周部，與之同軸狀地配置有具 有真空隔斷功能的波紋管112。如上所述，簇射頭103是可上下移動的，但由于氣體供給源 通常是固定不動的，所以氣體供給管107需要隨著簇射頭103的上下移動而進行彎曲。通常，作為用于自固定的流體供給源向可動結構物供給流體的供給管公知有撓性 軟管。例如，在模擬航天試驗裝置中，為了自真空容器向可動的門部護罩(shroud)供給液 化氮，采用撓性軟管為撓性絕熱配管(例如，參照專利文獻1)。但是，如圖5所示，撓性軟管108由實施了波紋形擠軋加工的多個薄壁的金屬管 109、和覆蓋該金屬管109周圍的由金屬網制成的編織層110構成，因此，該繞行軟管108對 于彎曲的剛性比較高而柔軟性不足。因而，在發(fā)生了很大的彎曲時，該繞行軟管108容易產 生很大的應力，在將該撓性軟管108應用在位移量很大的可動結構物中時，該撓性軟管108 有可能過早斷裂。因此，難以將撓性軟管108用作在將處理氣體供給到上下方向的位移量 大到例如為70mm、且頻繁地上下移動的簇射頭103中使用的氣體供給管。
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S卩、撓性軟管不是以能反復彎曲為前提的構件，具有偶然斷裂的使用壽命。因而， 需要將其視作一年左右定期更換的零部件進行處理，在使用壽命期間存在安全隱患。另外， 不以能反復彎曲為前提的一體成型波紋管也存在與撓性軟管同樣的問題，難以用作將處理 氣體供給到頻繁地上下移動的簇射頭103中的氣體供給管。另一方面，也可以考慮將旋轉萬向接頭應用于氣體供給管的可動部分，但由于旋 轉萬向接頭具有物理滑動部，所以難以避免產生微粒，因而，不能用在產生微粒會很大程度 地影響最終產品的品質的基板處理裝置中。此外，也可考慮應用波紋管來代替撓性軟管或旋轉萬向接頭。由于波紋管只由通 過連結幾個縱截面形狀為人字形的圓環(huán)狀構件(以下稱作“管段(日文二 7 ) (piece) ”) 而成的金屬管構成，所以對于彎曲的剛性比較低，富有柔軟性。因而，即使將該波紋管用作 頻繁位移且位移很大的簇射頭103的位移吸收構件，也不會產生很大的應力，因此該波紋 管不會過早斷裂。專利文獻1 日本特開2003-137200號公報但是，即使將對于彎曲的剛性比較低、富有柔軟性的波紋管用作將氣體供給到上 下移動的簇射頭中的供給管，若只是為了氣體配管而使用波紋管，則需要留出相應的設置 空間，特別是難以確保在裝設有許多設備的基板處理裝置的上部單元的上表面部上的配置 空間，因而，在布局上存在問題。另外，波紋管比撓性軟管等昂貴，因而也需要盡量縮短其使用長度、減少使用數(shù)量寸。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種在確保氣體流路的設置空間方面不存在布局上的問 題、且能隨著可動的電極移動、切實地供給氣體的可靠性較高的氣體流路結構體以及基板
處理裝置。為了達到上述目的，第1技術方案的氣體流路結構體，其是基板處理裝置的氣體 流路結構體，該基板處理裝置包括能夠對內部進行減壓的處理室、配置在該處理室內且用 于載置被處理基板的載置電極、以及與該載置電極相對地配置的對置電極，該基板處理裝 置對借助氣體流路供給到上述載置電極和上述對置電極之間的處理氣體進行激勵而產生 等離子體，利用該等離子體對上述被處理基板實施等離子體處理，該氣體流路結構體其特 征在于，該氣體流路結構體包括支承構件，其以使上述載置電極和對置電極中的一方能 相對于另一方移動的方式，對該上述載置電極和上述對置電極中的上述一方進行支承；第 1位移吸收壓力隔壁，其為環(huán)狀，在該支承構件貫穿上述處理室壁面的貫穿部處吸收上述 電極相對于上述壁面的位移，該第1位移吸收壓力隔壁與上述支承構件同軸狀地配置在該 支承構件的外周部，以密封上述處理室內而使該處理室內免受上述支承構件的周邊氣氛影 響；以及第2位移吸收壓力隔壁，其為環(huán)狀，與該第1位移吸收壓力隔壁同軸狀地配置在該 第1位移吸收壓力隔壁的外周部，利用上述第1位移吸收壓力隔壁和上述第2位移吸收壓 力隔壁形成環(huán)狀的第1氣體流路。第2技術方案的氣體流路結構體根據(jù)第1技術方案所述的氣體流路結構體，其特 征在于，在上述第2位移吸收壓力隔壁的外周部以與該第2位移吸收壓力隔壁同軸狀的方式設有環(huán)狀的第3或更多的位移吸收壓力隔壁，在上述第2位移吸收壓力隔壁的外側形成 有被彼此相鄰的位移吸收壓力隔壁相互夾持而成的環(huán)狀的第2或更多的氣體流路。第3技術方案的氣體流路結構體根據(jù)第1或第2技術方案所述的氣體流路結構 體，其特征在于，與上述第1位移吸收壓力隔壁的外周部相對地設有引導構件，該引導構件 用于限制上述第1位移吸收壓力隔壁被向與該第1位移吸收壓力隔壁的長度方向正交的方 向壓曲。第4技術方案的氣體流路結構體根據(jù)第1 3技術方案中的任一項所述的氣體流 路結構體，其特征在于，上述位移吸收壓力隔壁的截面形狀是圓形、橢圓形或矩形。第5技術方案的氣體流路結構體根據(jù)第1 4技術方案中的任意一項所述的氣體 流路結構體，其特征在于，上述位移吸收壓力隔壁是波紋管。為了達到上述目的，第6技術方案的基板處理裝置包括能夠對內部進行減壓的 處理室、配置在該處理室內且用于載置被處理基板的載置電極、以及與該載置電極相對地 配置的對置電極，該基板處理裝置對被供給到上述載置電極和上述對置電極之間的處理氣 體進行激勵而產生等離子體，利用該等離子體對上述被處理基板實施等離子體處理，其特 征在于，該基板處理裝置具有用于將處理氣體供給到上述載置電極和上述對置電極之間的 氣體流路結構體，該氣體流路結構體是第1 5技術方案中的任一項所述的氣體流路結構 體。采用第1技術方案的氣體流路結構體以及第6技術方案的基板處理裝置，氣體流 路結構體包括支承構件，其以使載置電極和對置電極中的一方能相對于另一方移動的方 式，對該載置電極和對置電極中的一方進行支承；第1位移吸收壓力隔壁，其為環(huán)狀，在該 支承構件貫穿處理室壁面的貫穿部處吸收電極相對于壁面的位移，與支承構件同軸狀地配 置在支承構件的外周部，從而密封處理室內以使該處理室內免受支承構件的周邊氣氛影 響；第2位移吸收壓力隔壁，其為環(huán)狀，與第1位移吸收壓力隔壁同軸狀地配置在第1位移 吸收壓力隔壁的外周部，利用第1位移吸收壓力隔壁和第2位移吸收壓力隔壁形成環(huán)狀的 第1氣體流路，因此，能夠在處理室內設置隨著電極的移動而吸收該電極的位移的氣體流 路。由此，在確保氣體流路的設置位置方面不存在布局上的問題，且能夠切實地吸收可動的 電極的位移，穩(wěn)定地供給氣體，并能提高作為氣體流路結構體的可靠性。采用第2技術方案的氣體流路結構體，由于在第2位移吸收壓力隔壁的外周部以 與第2位移吸收壓力隔壁同軸狀的方式設置環(huán)狀的第3或更多的位移吸收壓力隔壁，并在 第2位移吸收壓力隔壁的外側形成由彼此相鄰的位移吸收壓力隔壁相互夾持而成的環(huán)狀 的第2或更多的氣體流路，因此，能夠將該氣體流路結構體應用于使用多個系統(tǒng)的處理氣 體的基板處理裝置中。采用第3技術方案的氣體流路結構體，由于與第1位移吸收壓力隔壁的外周部相 對地設置引導構件，因此，能夠抑制被暴露在內側大氣、外側真空中的第1位移吸收隔壁的 壓曲。上述引導構件用于限制上述第1位移吸收壓力隔壁被向與該第1位移吸收壓力隔壁 的長度方向正交的方向壓曲。采用第4技術方案的氣體流路結構體，由于位移吸收壓力隔壁的截面形狀為圓 形、橢圓形或矩形，因此，能夠加大所應用的位移吸收壓力隔壁的變化(variation)。采用第5技術方案的氣體流路結構體，由于將波紋管用作位移吸收壓力隔壁，因此，能夠隨著可動的電極的移動來吸收該電極的位移，能夠切實地供給氣體，提高作為氣體 流路結構體的可靠性，且能極力減少微粒。


圖1是概略地表示具有本發(fā)明的實施方式的氣體流路結構體的基板處理裝置的 結構的剖視圖。圖2是圖1中的第1波紋管(第2波紋管與之相同)的局部放大圖。圖3是概略地表示本發(fā)明的實施方式的變形例的結構的剖視圖。圖4是概略地表示形成有可動簇射頭的以往的基板處理裝置的結構的剖視圖。圖5是撓性軟管的局部放大圖。
具體實施例方式下面，參照

本發(fā)明的實施方式。圖1是概略地表示具有本發(fā)明的實施方式的氣體流路結構體的基板處理裝置的 結構的剖視圖。該基板處理裝置用于對晶圓實施干法蝕刻處理。在圖1中，基板處理裝置10具有用于收納例如直徑為300mm的晶圓W的圓筒狀的 腔室11 (處理室)，在該腔室11內部的圖中下部的位置上配置有用于載置半導體器件用的 晶圓W的圓板形狀的基座12(載置電極)，腔室11的圖中上端被可開閉的圓板狀的蓋部13覆蓋。利用TMP (Turbo Molecular Pump,渦輪分子泵)以及 DP (Dry Pump，干式泵)(兩 者均未圖示)等對腔室11內進行減壓，另外，利用可變壓力控制閥(未圖示)控制腔室11 內部的壓力。另外，由于即使在半導體器件上附著有納米等級的微粒，也還是會導致缺陷， 所以在干法蝕刻處理之前要先對腔室11內部實施清洗處理來去除微粒?；?2借助第1匹配器15與第1高頻電源14相連接、且借助第2匹配器17與 第2高頻電源16相連接，第1高頻電源14對基座12施加頻率比較低的、例如3. 2MHz的高 頻電力即偏壓電力，第2高頻電源16對基座12施加頻率比較高的、例如40MHz的高頻電力 即等離子產生電力。然后，基座12對腔室11內部施加等離子產生電力。在基座12的上部配置有在內部具有靜電電極18的靜電吸盤(chuck) 19。靜電吸 盤19由圓板狀的陶瓷構件構成，靜電電極18與直流電源20相連接。在對靜電電極18施 加正的直流電壓時，在晶圓W的面對靜電吸盤19 一側的面(以下稱作“背面”)上產生負電 位，從而在靜電電極18以及晶圓W的背面之間產生電位差，利用由該電位差引發(fā)的庫侖力 或約翰遜 拉別克(Johnson Rahbeck)力將晶圓W吸附保持在靜電吸盤19上。另外，在基座12上圍著被吸附保持的晶圓W地載置有環(huán)狀構件即聚集環(huán)(focus ring) 21 聚集環(huán)22由導體、例如與構成晶圓W的材料相同的單晶硅構成。由于聚集環(huán)21 由導體構成，因此，等離子體的分布區(qū)域不僅限于晶圓W上而且擴大到該聚集環(huán)21上，從而 將晶圓W的周緣部上的等離子體密度保持成與該晶圓W的中央部上的等離子體密度相同的 程度。由此，能夠保持對整個晶圓W表面實施的干法蝕刻處理的均勻性。在基座12的圖中上部，以與基座12相對的方式配置有簇射頭22。簇射頭22包 括具有很多氣孔23的導電的上部電極24、吊掛支承能裝卸的該上部電極24的冷卻板25、和進一步吊掛支承該冷卻板25的作為支承構件的軸26。上部電極24接地，從而其被作為 相對于向腔室11內部施加的等離子產生電力的接地電極(對置電極)發(fā)揮作用。上部電 極24的外徑與腔室11的內徑大致相同，并且上部電極24配置在腔室11內部，與腔室11 間隙配合。軸26貫穿蓋部13 (壁面)，并且該軸26的上部與配置在基板處理裝置10上方的 升降機構(未圖示)相連接。該升降機構使軸26沿圖中的上下方向移動，在升降機構使軸 26上下移動的過程中，具有上部電極24的簇射頭22在腔室11內像活塞那樣上下移動。由 此，能夠調整位于簇射頭22和基座12之間的空間的高度，即，能夠調整簇射頭22和基座12 之間的間隙。簇射頭22的沿圖中上下方向的移動量的最大值例如為70mm。軸26可能與蓋部13摩擦，從而可能成為微粒的產生源。因而，用作為第1位移吸 收隔壁的第1波紋管31覆蓋軸26的外周表面。軸26呈圓柱狀，圓筒狀的第1波紋管31 與軸26呈同心圓狀地配置。第1波紋管31的圖中上方的一端與蓋部13的下表面接合，圖 中下方的一端與簇射頭22的冷卻板25的上表面接合。由此，在軸26貫穿蓋部13的貫穿 部處吸收電極相對于蓋部13 (壁面)的位移，從而將軸26的周邊氣氛和腔室11內密封起 來，保持腔室11內部與大氣的隔絕狀態(tài)。在第1波紋管31的外周部，與該第1波紋管31相鄰且與該第1波紋管31呈同心 圓狀地配置有呈圓形截面的第2波紋管32，該第2波紋管32作為第2位移吸收壓力隔壁。 第2波紋管32具有將與第1波紋管31之間的規(guī)定空隙包括在內的直徑。第2波紋管32 的圖中上方的一端與蓋部13的下表面接合，圖中下方的一端與簇射頭22的冷卻板25的上 表面接合。第1波紋管31與第2波紋管32之間的間隙構成氣體流路35。氣體流路35借 助貫穿蓋部13的處理氣體供給管36與氣體供給系統(tǒng)(未圖示)相連接。另外，氣體流路 35借助氣孔38與冷卻板25內部的緩沖室29連通。緩沖室29利用多個氣孔23與腔室11 的內部連通。處理氣體自氣體供給系統(tǒng)起經由處理氣體供給管36流入由第1波紋管31和 第2波紋管32形成的氣體流路35，之后經由氣孔38流入冷卻板25內部的緩沖室29，經由 多個氣孔23被導入到腔室11的內部。圖2是圖1中的第1波紋管(也適用于第2波紋管)的局部放大圖。在圖2中， 左半部分表示截面，右半部分表示側面。在圖2中，第1波紋管31由金屬管構成，該金屬管通過沿長度方向連結許多個縱 截面(沿長度方向的截面)形狀為人字形的圓環(huán)狀構件(以下稱作“管段(日文二 7 ) (piece) ”)31a而成。在各管段31a中，通過對成形為錐狀的2個金屬圓環(huán)板31b的末端之 間進行焊接而將它們接合起來。即、只有人字形的頂部被焊接部31c接合，因此相對于圖中 箭頭A方向的伸縮的剛性低，富有柔軟性，從而沿箭頭A方向容易伸縮。另外，由于各管段 31a的與長度方向垂直的截面為圓環(huán)形狀、且各管段31a由金屬構成，因此第1波紋管31基 本不會發(fā)生扭轉。返回到圖1，在使簇射頭22沿上下方向移動時，使未圖示的升降機構工作。通過使 升降機構工作，使與軸26相連結的簇射頭22相對于基座12的相對位置發(fā)生變化，但是用 于形成氣體流路35的第1波紋管31以及第2波紋管32分別隨著簇射頭22的上下方向的 移動而進行伸縮，從而吸收相對位置的變化。結果，即使簇射頭22沿圖中的上下方向移動， 氣體流路35也能始終與處理氣體導入系統(tǒng)相連接而供給處理氣體。
上述基板處理裝置10的各構成零件的動作、例如第1高頻電源14、第2高頻電源 16的動作，由基板處理裝置10所具有的控制部(未圖示)的CPU依據(jù)與干法蝕刻處理相應 的程序進行控制。在該種結構的基板處理裝置10中，首先為了使等離子體適當分布，驅動升降機構 (未圖示)而使軸26沿圖1中的上下方向移動，從而調整基座12與簇射頭22之間的間隙。 接著，經由處理氣體供給管36將處理氣體供給到腔室11內。處理氣體供給管36內流動的 處理氣體在例如被設在處理氣體供給管36上的過濾器去除微粒后，流入氣體流路35，之后 經由冷卻板25內部的緩沖室29以及氣孔23而流入腔室11內。流入到腔室11內的處理 氣體被向腔室11內部施加的等離子產生電力激勵而成為等離子體。等離子體中的陽離子被下述負的偏壓電位向載置在基座12上的晶圓W吸引，從而 對該晶圓W實施干法蝕刻處理，上述負的偏壓電位是由施加在基座12上的偏壓電力引發(fā) 的。采用本實施方式，在用于支承簇射頭22的軸26周圍與之呈同心圓狀地配置有伸 縮自如的第1波紋管31以及第2波紋管32，由該第1波紋管31以及第2波紋管32形成基 板處理裝置10的用于將處理氣體導入基座12與簇射頭22之間的氣體流路，因此容易確保 氣體流路的設置空間，并能隨著簇射頭22的上下方向的移動，吸收簇射頭22移動的位移， 由此能夠穩(wěn)定且切實地將處理氣體供給到簇射頭22內，提高了可靠性。采用本實施方式，由于在具有可上下移動的簇射頭的基板處理裝置中，將第1波 紋管31靈活地應用為伸縮的氣體流路35的構成構件，因此，能夠將使氣體流路伸縮的構造 和吸收簇射頭的上下移動的結構一體化，由此能夠將零件件數(shù)的增加量抑制在所需的最小 程度內，該第1波紋管31是預先設置的、且被作為將腔室內空間與大氣隔絕開的壓力隔壁。 另外，由于將伸縮的氣體流路35設在腔室內，因此也不會使腔室上方的結構變得復雜。在本實施方式中，優(yōu)選應用例如內徑在小100mm以上的第1波紋管31和第2波紋 管32。由此，氣體流路35的導流能力比通常的氣管大，從而例如能夠極力地縮小第1波紋 管31與第2波紋管32之間的間隙。S卩、第1波紋管31與第2波紋管32之間的間隙的設 定較大程度地依賴于波紋管的動作邊界(margin)的設計。但是，需要確保第1波紋管31 與第2波紋管32之間的間隙是能夠應對妨礙壓曲等垂直動作的現(xiàn)象的最低限度的間隙、例 如10mm左右。在本實施方式中，由于波紋管對于伸縮富有柔軟性、且在伸縮時不會產生很大的 應力，因此能夠防止氣體流路35的過早斷裂，從而提高可靠性。在本實施方式中，將第1波紋管31以及第2波紋管32的截面形狀形成為圓形，但 除圓形外，例如也可以形成為橢圓形、矩形等。在本實施方式中，只有第1波紋管31作為將腔室內空間與大氣隔絕開的壓力隔壁 發(fā)揮作用。因而，需要使第1波紋管31比第2波紋管32更能承受“內壓>>外壓”這樣的 壓力的狀態(tài)，因此需要考慮防止壓曲的對策(例如設置引導構件)。因而，優(yōu)選將用于防止 壓曲的引導構件設在第1波紋管31的外周部。第2波紋管32用于形成氣體流路35，氣體流路35與腔室11內連通，因而氣體流 路35被與腔室11的內部同樣地被減壓。因而，沒有特別要求第2波紋管32要具有像隔絕 真空與大氣的第1波紋管31那樣的功能。另外，即使在同軸狀地配置3個或更多的波紋管
8來形成多個系統(tǒng)的氣體流路的情況下，作用在第1波紋管之外的其它波紋管上的真空應力 也不會極端地增大。在本實施方式中，將波紋管用作位移吸收隔壁，但也可以應用具有磁流體密封構 件的滑動密封構造來代替波紋管。但是，由于滑動密封構造具有滑動部，因此需要實施防止 微粒產生的對策。在本實施方式中，說明了簇射頭22沿上下方向移動的情況，但本發(fā)明同樣也能夠 應用于在例如配置在腔室11內部下部的基座12沿上下方向移動的情況。具體而言，在基 座12沿上下方向移動、且需要自外部向該基座12供給氣體的情況下，通過在將支承基座12 支承為移動狀態(tài)的軸上，與該軸同軸狀地配置多個波紋管，能夠形成與外部的氣體供給源 相連接的基板處理裝置內的氣體流路。圖3是概略地表示本實施方式的變形例的結構的剖視圖。在圖3中，該基板處理裝置中，將圖1的基板處理裝置中的處理氣體供給系統(tǒng)以及 氣體流路作為2個系統(tǒng)，將2個系統(tǒng)中的氣體供給到腔室11內。在圖3中，對于與圖1相 同的結構標注相同的附圖標記，省略對其說明。該基板處理裝置50與圖1中的基板處理裝置的不同之處在于，在第2波紋管32 的外周部與之隔開規(guī)定間隔地設置第3波紋管33，從而將第2波紋管32與第3波紋管33 之間的間隙作為第2氣體流路45。另外，將緩沖室29劃分為內側緩沖室29a和外側緩沖室 29b，借助氣孔38使第1氣體流路35與內側緩沖室29a連通，借助氣孔39使第2氣體流路 45與外側緩沖室29b連通。在本種結構的基板處理裝置50中，將彼此不同的2個系統(tǒng)中的處理氣體分別經由 處理氣體供給管36以及處理氣體供給管46供給到第1氣體流路35以及第2氣體流路45 中。在處理氣體供給管36以及處理氣體供給管46上設有例如用于去除包含在處理氣體中 的微小且微量的微粒的過濾器。第1系統(tǒng)的處理氣體被過濾器去除了微粒后，流入氣體流 路35，之后經由氣孔38、緩沖室29a以及氣孔23被導入到腔室11內部。并且第2系統(tǒng)的 處理氣體被過濾器去除了微粒后，流入氣體流路45，之后經由氣孔39、緩沖室29b以及另一 氣孔23被導入到腔室11內部。被導入到腔室11內的2個系統(tǒng)的處理氣體被向腔室11內 部施加的等離子產生電力激勵而成為等離子體。等離子體中的陽離子被下述負的偏壓電位向載置在基座12上的晶圓W吸引，從而 對該晶圓W實施干法蝕刻處理，該負的偏壓電位是由施加在基座12上的偏壓電力引發(fā)的。在本實施方式中，與上述實施方式同樣地也能容易地確保氣體流路的設置空間， 并能隨著簇射頭22的上下方向的移動，吸收該簇射頭22的位移，從而能穩(wěn)定且切實地將處 理氣體供給到簇射頭內，因此提高了可靠性。在本實施方式中，氣體流路并不限定于2個系統(tǒng)，也可以通過依次增加同軸狀的 波紋管的數(shù)量來對應于3個系統(tǒng)或更多個系統(tǒng)的氣體流路。另外，在上述本實施方式中，將實施有干法蝕刻處理的基板作為半導體器件 用的晶圓進行了說明，但實施有干法蝕刻處理的基板并不限于此，例如也可以是具有 LCD (Liquid CrystalDisplay 液晶顯示器)的 FPD(Flat Panel Display 平板顯示器)等玻
璃基板。
權利要求
一種氣體流路結構體，其是基板處理裝置的氣體流路結構體，該基板處理裝置包括能夠對內部進行減壓的處理室、配置在該處理室內且用于載置被處理基板的載置電極、以及與該載置電極相對地配置的對置電極，該基板處理裝置對經由氣體流路供給到上述載置電極和上述對置電極之間的處理氣體進行激勵而產生等離子體，利用該等離子體對上述被處理基板實施等離子體處理，其特征在于，該氣體流路結構體包括支承構件，其以使上述載置電極和上述對置電極中的一方能相對于另一方移動的方式，對該上述載置電極和上述對置電極中的上述一方進行支承；第1位移吸收壓力隔壁，其為環(huán)狀，在該支承構件貫穿上述處理室壁面的貫穿部處吸收上述電極相對于上述壁面的位移，該第1位移吸收壓力隔壁與上述支承構件同軸狀地配置在該支承構件的外周部，以密封上述處理室內而使該處理室內免受上述支承構件的周邊氣氛影響；以及第2位移吸收壓力隔壁，其為環(huán)狀，與該第1位移吸收壓力隔壁同軸狀地配置在該第1位移吸收壓力隔壁的外周部；利用上述第1位移吸收壓力隔壁和上述第2位移吸收壓力隔壁形成環(huán)狀的第1氣體流路。
2.根據(jù)權利要求1所述的氣體流路結構體，其特征在于，在上述第2位移吸收壓力隔壁的外周部以與該第2位移吸收壓力隔壁同軸狀的方式設 有環(huán)狀的第3或更多的位移吸收壓力隔壁，在上述第2位移吸收壓力隔壁的外側形成有被 彼此相鄰的位移吸收壓力隔壁相互夾持而成的環(huán)狀的第2或更多的氣體流路。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的氣體流路結構體，其特征在于，與上述第1位移吸收壓力隔壁的外周部相對地設有引導構件，該引導構件用于限制上 述第1位移吸收壓力隔壁被向與該第1位移吸收壓力隔壁的長度方向正交的方向壓曲。
4.根據(jù)權利要求1 3中任一項所述的氣體流路結構體，其特征在于，上述位移吸收壓力隔壁的截面形狀是圓形、橢圓形或矩形。
5.根據(jù)權利要求1 4中任一項所述的氣體流路結構體，其特征在于，上述位移吸收壓力隔壁是波紋管。
6.一種基板處理裝置，其包括能夠對內部進行減壓的處理室、配置在該處理室內且 用于載置被處理基板的載置電極、以及與該載置電極相對地配置的對置電極，該基板處理 裝置對被供給到上述載置電極和上述對置電極之間的處理氣體進行激勵而產生等離子體， 利用該等離子體對上述被處理基板實施等離子體處理，其特征在于，該基板處理裝置具有用于將處理氣體供給到上述載置電極和上述對置電極之間的氣 體流路結構體，該氣體流路結構體是權利要求1 5中任一項所述的氣體流路結構體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種提供在確保氣體流路的設置空間方面不存在布局上的問題且能隨著可動的電極移動、切實地供給氣體的可靠性較高的氣體流路結構體以及具有該氣體流路結構體的基板處理裝置。基板處理裝置包括對內部減壓的處理室；以使配置在處理室內的對置電極相對于載置電極移動的方式支承對置電極的軸；環(huán)狀的第1波紋管，在軸貫穿處理室的壁面的貫穿部處吸收對置電極相對于壁面的位移，與軸同軸狀配置在軸的外周部，密封處理室內以使處理室內免受軸的周邊氣氛影響；與第1波紋管同軸狀地配置在第1波紋管的外周部的第2波紋管，利用第1波紋管和第2波紋管形成環(huán)狀的氣體流路。
文檔編號H01L21/00GK101853777SQ201010102550
公開日2010年10月6日 申請日期2010年1月22日 優(yōu)先權日2009年3月31日
發(fā)明者林大輔 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社