專利名稱：熱電轉(zhuǎn)換型太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及到太能利用技術領域，尤其是一種新型熱電轉(zhuǎn)換型太陽能熱發(fā)電系 統(tǒng)，屬于太陽能利用領域。
背景技術：
近年來，隨著能源，環(huán)境和經(jīng)濟可持續(xù)發(fā)展的“tri-lemma”問題的日益凸顯，對可 再生能源的重要利用方式-太陽能的利用受到越來越多的關注。太陽能的熱利用是太陽能 利用中一種最直接，最原始和最重要的方式，特別是在當前光伏發(fā)電成本高的形式下，發(fā)展 太陽能熱發(fā)電技術具有重要的意義。相對于太陽電池來說，太陽能熱發(fā)電相具有成本低，全 光譜利用，高溫，輻射，惡劣環(huán)境下性能穩(wěn)定發(fā)電的特點。從而被認為是實現(xiàn)大功率發(fā)電、替 代常規(guī)能源的最經(jīng)濟發(fā)電手段之一。太陽能熱發(fā)電是利用聚光集熱器將太陽輻射能轉(zhuǎn)換成熱能并通過熱力循環(huán)持續(xù) 發(fā)電的技術。大規(guī)模的太陽能熱發(fā)電站在發(fā)達國家已經(jīng)進入商業(yè)化運行階段，我國在此領 域的起步較晚，十一五期間有較大資金投入用于開發(fā)一些關鍵技術。目前太陽能熱發(fā)電系 統(tǒng)有塔式系統(tǒng)、碟式系統(tǒng)和槽式系統(tǒng)三類。這些發(fā)電方式首先將太陽光聚光，再完成光熱 轉(zhuǎn)換，之后一般需要循環(huán)工質(zhì)的傳熱，產(chǎn)生蒸汽推動蒸汽輪機的發(fā)電。常見的熱循環(huán)工質(zhì)有熔融鹽，油，水(汽)等。工作介質(zhì)的循環(huán)，儲存和熱交換到 發(fā)電的過程很長，需要龐大復雜的管路和機械系統(tǒng)，維護費用很高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決上述傳統(tǒng)熱發(fā)電系統(tǒng)的傳熱和發(fā)電系統(tǒng)部分運行成本高、 需要專人維護、熱利用率低等問題，用半導體熱電單元取代傳統(tǒng)熱發(fā)電系統(tǒng)中的熱力循環(huán) 部分，提供一種集傳熱、存儲、熱交換和發(fā)電為一體的元件、無須龐大的機械系統(tǒng)及機械式 的維護、無運動件的熱電轉(zhuǎn)換型太陽能發(fā)電系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有能源回收周期短、發(fā)電成本 低，小型高效，節(jié)能減排效果好的特點為實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明采取了以下的技術方案一種熱電轉(zhuǎn)換型太陽能熱發(fā)電 系統(tǒng)，包括有太陽光聚光接收模塊，在該太陽光聚光接收模塊的下底面上設有太陽跟蹤模 塊，其特征在于還包括有用于吸收太陽光并將太陽光轉(zhuǎn)換為熱能的光熱轉(zhuǎn)換模塊，在該光 熱轉(zhuǎn)換模塊下設有半導體熱溫差發(fā)電模塊，還包括與所述半導體熱溫差發(fā)電模塊連接的復 合式冷卻模塊。熱電材料是一種利用固體內(nèi)部載流子運動實現(xiàn)熱能和電能直接相互轉(zhuǎn)換的半導 體材料。它可以將任何形式的熱能轉(zhuǎn)換成電能，無需復雜的機械系統(tǒng)和運動元件。與目前 熱電廠或核電廠中進行的熱與電之間轉(zhuǎn)換的相比，具有設備結(jié)構(gòu)緊湊、性能可靠、運行時無 噪聲、無磨損、無泄漏、移動靈活，能源回收周期短，發(fā)電功率密度大等優(yōu)點。在所述光熱轉(zhuǎn)換模塊上方還設置有廢熱源供應模塊，該廢熱源供應模塊包括密封 保溫絕緣容器、熱電偶以及用于控制該熱電偶的傳感器控制開關，所述熱電偶設置在密封保溫絕緣容器的側(cè)面上，在熱電偶的旁側(cè)設有廢熱源入口，與廢熱源入口相對的密封保溫 絕緣容器另一側(cè)上設有廢熱源出口。密封保溫絕緣容器的上部設有透射太陽光的透光玻 璃，下部為半導體熱電單元的上端。該廢熱源供應模塊同時還具有相應的熱源通路；太陽能以外的熱源的提供可以增 大溫差，提高半導體熱溫差發(fā)電模塊的發(fā)電效率和保證整個發(fā)電系統(tǒng)穩(wěn)定提供電力輸出， 該熱源介質(zhì)是高溫廢氣或50 100度工業(yè)廢水。所述光熱轉(zhuǎn)換模塊為涂敷在所述半導體熱溫差發(fā)電模塊表面的太陽光選擇吸收 涂層。太陽光選擇吸收涂層可以將太陽光高效充分地轉(zhuǎn)換成熱能，其材料可以是低溫也可 以是中高溫材料，由本征吸收型，半導體吸收-反射金屬串列型，表面微不平型，電解質(zhì)-金 屬干涉疊層型，電解質(zhì)-金屬復合型等類別涂層中的至少一種材料提供，但不限于所列材 料類別。所述太陽光選擇吸收涂層材料為Ni-Al203或Cr_Cr203或TiN0x涂層體系。所述半導體熱溫差發(fā)電模塊包括半導體熱電單元、充放電控制器、蓄電池組和負 載，半導體熱電單元的上端與保溫絕熱容器連接，半導體熱電單元的下端連接有冷端絕緣 導熱板，并在其周圍填充有保溫絕緣層；半導體熱電單元由N型半導體和P型半導體串聯(lián)構(gòu) 成，在所述N型半導體與P型半導體的上下端均與金屬導體電極連接；半導體熱電單元依 次連接充放電控制器、蓄電池組形成一串聯(lián)回路，負載與半導體熱電單元并聯(lián)。由P型和N 型半導體串聯(lián)構(gòu)成的回路中若兩個接頭處存在溫度梯度，高溫端空穴和電子濃度較低溫端 高，在載流子濃度梯度的驅(qū)動下，空穴和電子向低溫端擴散，從而在高、低溫端形成電勢差， 當回路接通時會有電流輸出。將多對這種半導體單元連接起來組成模塊就可以獲得不同數(shù) 值的功率和電壓。一對PN結(jié)的工作電壓為V= a a\-T2)，其中a為賽貝爾系數(shù)，它由材
料屬性決定，1\、T2為熱、冷端溫度；工作電流為/ = “(—IR、r為負載電阻和溫差發(fā)電
單元內(nèi)阻。可以對半導體熱電單元進行不同的連接組成模塊，從而得到所需要的電壓。溫 度差越大，輸出電流越大。所述半導體熱電單元的功率輸出密度為0.3W/cm2以上，其材料可以由以下材料 提供碲金屬合金類:Bi2Te3, PbTe，AgSbTe2/GeTe，Bi2Te3/Sb2Te3，金屬氧化物類:NaCo04， CaCo03，SrTi03/SrTi03:Nb，含硅類化合物SiGe，F(xiàn)eSi2，Ba8Si46，Mg2Si，MnSi:.73，銻金屬合金 類:ZnSb, Zn4Sb3, CoSb3。所述太陽光聚光接收模塊包括聚光透鏡和與該聚光透鏡連接的支撐框架。聚光倍 數(shù)從10 500倍。所述聚光透鏡為平板菲涅爾透鏡或球面透鏡，所述復合式冷卻模塊包括循環(huán)冷卻 介質(zhì)和設置在半導體熱電單元下表面的熱沉，當循環(huán)介質(zhì)為冷媒時，在所述熱沉內(nèi)貫穿有 多個循環(huán)冷卻介質(zhì)管路，該循環(huán)冷卻介質(zhì)管路一端通過循環(huán)冷卻介質(zhì)出口連接到冷卻介質(zhì) 儲箱，另一端連接到循環(huán)冷卻介質(zhì)進口 ；當循環(huán)介質(zhì)為冷卻風時，在所述熱沉內(nèi)設有多個進 風口，所述進風口一端連接到循環(huán)冷卻介質(zhì)進口，另一端的出風口通過循環(huán)冷卻介質(zhì)出口 連接到冷卻介質(zhì)儲箱。冷卻介質(zhì)可以是水，風或其它循環(huán)制冷劑中的一種；當采用水冷方式 時可以提供日常生活所需的熱水。所述太陽跟蹤模塊包括跟蹤控制裝置和跟蹤支架，所述跟蹤控制裝置設置在太陽光聚光接收模塊下方，由跟蹤支架支撐連接。太陽跟蹤模塊可以是一維或三維跟蹤方式中 的任意一種，保證太陽光的垂直入射和單位面積上獲得最大熱流密度。本發(fā)明的作用和創(chuàng)新點在于本發(fā)明提供一種可再生能源與常規(guī)能源復合的發(fā)電 系統(tǒng)。小規(guī)模和大規(guī)模電力都可以提供?？梢詰糜诩彝?，住宅小區(qū)，工廠和日常生產(chǎn)生活 中需要電能的地方。創(chuàng)新點(1)光熱轉(zhuǎn)換模塊與半導體熱電單元模塊的有效結(jié)合；(2)太 陽能與廢熱能的有效結(jié)合。與現(xiàn)有太陽能發(fā)電技術相比，具有如下優(yōu)點(1)用半導體熱電單元取代傳統(tǒng)太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)中的熱力循環(huán)、儲能和發(fā)電系 統(tǒng)，無需配套系統(tǒng)，實現(xiàn)系統(tǒng)的高效和小型化、低投資、低維護成本。(2)可再生能源與常規(guī)能源復合的發(fā)電系統(tǒng)與太陽電池對比具有小面積大功率、 穩(wěn)定輸出電力的潛能。


圖1為本發(fā)明系統(tǒng)示意圖；圖2為菲涅爾透鏡聚焦以及光熱轉(zhuǎn)換系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖；圖3為球面透鏡聚焦以及光熱轉(zhuǎn)換系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖；圖4為水冷卻復合式散熱系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖；圖5為風冷卻復合式散熱系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。附圖標記說明1_聚光透鏡，2-支撐框架，3-跟蹤控制裝置，4-充放電控制器， 5-蓄電池組，6-負載，7-冷卻介質(zhì)儲箱，8-循環(huán)冷卻介質(zhì)進口，9-循環(huán)冷卻介質(zhì)出口， 10-跟蹤支架，11-半導體熱電單元，12-絕緣保溫層，13-熱電偶，14-傳感器控制開關， 15-廢熱源入口，16-廢熱源出口，17-透光玻璃，18-N型半導體，19-P型半導體，20-太陽光 選擇吸收涂層，21-金屬導體電極，22-冷端絕緣導熱層，23-密封保溫絕緣容器，24-球面透 鏡，25-熱沉，26-循環(huán)冷卻介質(zhì)管路，27-進風口，28-出風口。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明的內(nèi)容做進一步詳細說明。實施例一請參閱圖1所示，一種熱電轉(zhuǎn)換型太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)，包括有太陽光聚光接收模 塊，在該太陽光聚光接收模塊的下底面上設有太陽跟蹤模塊，還包括有用于吸收太陽光并 將太陽光轉(zhuǎn)換為熱能的光熱轉(zhuǎn)換模塊，在該光熱轉(zhuǎn)換模塊下設有半導體熱溫差發(fā)電模塊， 還包括與所述半導體熱溫差發(fā)電模塊連接的復合式冷卻模塊。其各個模塊的結(jié)構(gòu)具體闡述如下太陽光聚光接收模塊包括聚光透鏡1和與該聚光透鏡1連接的支撐框架2。太陽跟蹤模塊包括跟蹤控制裝置3和跟蹤支架10，跟蹤控制裝置3設置在太陽光 聚光接收模塊下方，由跟蹤支架10制成連接。光熱轉(zhuǎn)換模塊為涂敷在半導體熱溫差發(fā)電模塊表面的太陽光選擇吸收涂層20。該 太陽光選擇吸收涂層20材料可為Ni-Al203、Cr-Cr203、TiN0x涂層體系中的一種。在光熱轉(zhuǎn)換模塊(即太陽光選擇吸收涂層20)上還設置有廢熱源供應模塊，該廢熱源供應模塊包括密封保溫絕緣容器23、熱電偶13以及用于控制該熱電偶19的傳感器控 制開關14，密封保溫絕緣容器23的外層設有絕緣保溫層12，熱電偶13設置在密封保溫絕 緣容器23的側(cè)面上，在熱電偶13的旁側(cè)設有廢熱源入口 15，與廢熱源入口 15相對的密封 保溫絕緣容器23另一側(cè)上設有廢熱源出口 16 ；密封保溫絕緣容器23的上部為透光玻璃 17，下部為半導體熱電單元11的上端。請參閱圖2或圖3所示，半導體熱溫差發(fā)電模塊包括半導體熱電單元11、充放電 控制器4、蓄電池組5和負載6，半導體熱電單元11的上端與保溫絕熱容器23連接，半導 體熱電單元11的下端連接有冷端絕緣導熱板22，并在其周圍填充有保溫絕緣層12 ；半導 體熱電單元11由N型半導體18和P型半導體19串聯(lián)構(gòu)成，在N型半導體18與P型半導 體19的上下端均與金屬導體電極21連接；半導體熱電單元11依次連接充放電控制器4、 蓄電池組5形成一串聯(lián)回路，負載6與半導體熱電單元11并聯(lián)。高輸出功率密度(0. 3W/ cm2以上)的半導體熱電單元的材料可以由以下材料提供碲金屬合金類Bi2Te3，PbTe, AgSbTe2/GeTe, Bi2Te3/Sb2Te3，金屬氧化物類NaCo04，CaCo03, SrTi03/SrTi03:Nb，含硅類化 合物:SiGe, FeSi2，Ba8Si46，Mg2Si，MnSi^，銻金屬合金類ZnSb，Zn4Sb3，CoSb3，但不限于所 列材料類別。復合式冷卻模塊包括循環(huán)冷卻介質(zhì)和設置在半導體熱電單元11下表面的熱沉 25，請結(jié)合參閱圖4所示，當循環(huán)介質(zhì)為冷媒時，在熱沉25內(nèi)貫穿有多個循環(huán)冷卻介質(zhì)管路 26，該循環(huán)冷卻介質(zhì)管路26 —端通過循環(huán)冷卻介質(zhì)出口 9連接到冷卻介質(zhì)儲箱7，另一端連 接到循環(huán)冷卻介質(zhì)進口 8 ；請結(jié)合參閱圖5所示，當循環(huán)介質(zhì)為冷卻風時，在熱沉25內(nèi)設有 多個進風口 27，進風口 27 —端連接到循環(huán)冷卻介質(zhì)進口 8，另一端的出風口 28通過循環(huán)冷 卻介質(zhì)出口 9連接到冷卻介質(zhì)儲箱7。請再參閱圖2所示，上述聚光透鏡1為安裝在支撐框架2上的平板菲涅爾透鏡，整 個系統(tǒng)由太陽跟蹤模塊包括跟蹤控制裝置3進行三維跟蹤太陽，經(jīng)過聚光倍數(shù)為10倍的平 板菲涅爾透鏡的太陽光匯聚到Ni-Al203太陽光選擇吸收涂層20上，Ni-Al203光熱轉(zhuǎn)換涂層 轉(zhuǎn)換的熱量傳到半導體熱電單元11上，半導體熱電單元11的材料為碲金屬合金類(碲化 鉍Bi2Te3)。廢熱源供應熱量和太陽能轉(zhuǎn)化的熱量加在半導體熱電單元11的上方，在半導 體熱電單元11的另一端進行循環(huán)水冷卻，兩端產(chǎn)生溫差，從而得到電流，然后與充放電控 制器4、蓄電池組5和負載6組成系統(tǒng)回路。循環(huán)冷卻介質(zhì)管路是交叉排布的，從而更有利 于半導體熱電單元冷端的散熱，而且還能夠為用戶提供生活所需的熱水。廢熱源的供應是 從火力發(fā)電廠引一路抽汽作為輔助熱源。實施例二 請參閱圖3所示，聚光透鏡1采用安裝在支撐框架2上聚光倍數(shù)為500倍的球面 透鏡24，整個系統(tǒng)由太陽跟蹤模塊包括跟蹤控制裝置3進行三維跟蹤太陽；經(jīng)過聚光倍數(shù) 為500倍的球面透鏡24的太陽光匯聚到TiN0x太陽光選擇吸收涂層20上，TiN0x光熱轉(zhuǎn)換 涂層轉(zhuǎn)換的熱量傳到半導體熱電單元11上，熱電單元的材料為金屬氧化物類(NaCo04)。廢 熱源供應熱量和太陽能轉(zhuǎn)化的熱量加在半導體熱電單元11的上方，在半導體熱電單元11 的另一端進行冷卻風冷，兩端產(chǎn)生溫差，從而得到電流，然后與充放電控制器4、蓄電池組5 和負載6組成系統(tǒng)回路。廢熱源的供應是從附近工廠提供的50-100度的工業(yè)廢水作為輔 助熱源。
實施例三請再參閱圖2所示，上述聚光透鏡1為安裝在支撐框架2上的平板菲涅爾透鏡，整個系統(tǒng)由太陽跟蹤模塊包括跟蹤控制裝置3進行三維跟蹤太陽，經(jīng)過聚光倍數(shù)為100倍的 平板菲涅爾透鏡1的太陽光匯聚到Cr-Cr203太陽光選擇吸收涂層20上，Cr-Cr203光熱轉(zhuǎn)換 涂層轉(zhuǎn)換的熱量傳到半導體熱電單元11上，半導體熱電單元11的材料為Co-Sb系方鈷礦 化合物(CoSb3)。廢熱源供應熱量和太陽能轉(zhuǎn)化的熱量加在半導體熱電單元11的上方，在 半導體熱電單元的另一端進行風冷，兩端產(chǎn)生溫差，從而得到電流，然后與充放電控制器4、 蓄電池組5和負載6組成系統(tǒng)回路。廢熱源的供應是從附近工廠提供的50-100度的工業(yè) 廢水作為輔助熱源。實施例四請參閱圖3所示，聚光透鏡1采用安裝在支撐框架2上聚光倍數(shù)為500倍的球面 透鏡24，整個系統(tǒng)由太陽跟蹤模塊包括跟蹤控制裝置3進行三維跟蹤太陽；經(jīng)過聚光倍數(shù) 為500倍的球面透鏡24的太陽光匯聚到TiN0x太陽光選擇吸收涂層20上，TiN0x光熱轉(zhuǎn) 換涂層轉(zhuǎn)換的熱量傳到半導體熱電單元11上，半導體熱電單元11的材料為含硅類化合物 (SiGe)。廢熱源供應熱量和太陽能轉(zhuǎn)化的熱量加在半導體熱電單元11的上方，在半導體熱 電單元11的另一端進行冷媒冷卻(無氟制冷劑R410A)，兩端產(chǎn)生溫差，從而得到電流，然后 與充放電控制器4、蓄電池組5和負載6組成系統(tǒng)回路。廢熱源的供應是從火力發(fā)電廠引一 路抽汽作為輔助熱源。上列詳細說明是針對本發(fā)明可行實施例的具體說明，該實施例并非用以限制本發(fā) 明的專利范圍，凡未脫離本發(fā)明所為的等效實施或變更，均應包含于本案的專利范圍中。
權(quán)利要求
一種熱電轉(zhuǎn)換型太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)，包括有太陽光聚光接收模塊，在該太陽光聚光接收模塊的下底面上設有太陽跟蹤模塊，其特征在于還包括有用于吸收太陽光并將太陽光轉(zhuǎn)換為熱能的光熱轉(zhuǎn)換模塊，在該光熱轉(zhuǎn)換模塊下設有半導體熱溫差發(fā)電模塊，還包括與所述半導體熱溫差發(fā)電模塊連接的復合式冷卻模塊。
2.如權(quán)利要求1所述的熱電轉(zhuǎn)換型太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)，其特征在于在所述光熱轉(zhuǎn)換 模塊上方還設置有廢熱源供應模塊，該廢熱源供應模塊包括密封保溫絕緣容器(23)、熱電 偶(13)以及用于控制該熱電偶(19)的傳感器控制開關(14)，所述熱電偶(13)設置在密封 保溫絕緣容器(23)的側(cè)面上，在熱電偶(13)的旁側(cè)設有廢熱源入口(15)，與廢熱源入口 (15)相對的密封保溫絕緣容器(23)另一側(cè)上設有廢熱源出口(16)，所述密封保溫絕緣容 器(23)的上部設有透射太陽光的透光玻璃(17)。
3.如權(quán)利要求1所述的熱電轉(zhuǎn)換型太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)，其特征在于所述光熱轉(zhuǎn)換模 塊為涂敷在所述半導體熱溫差發(fā)電模塊表面的太陽光選擇吸收涂層(20)。
4.如權(quán)利要求3所述的熱電轉(zhuǎn)換型太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)，其特征在于所述太陽光選擇 吸收涂層(20)材料為Ni-Al203或Cr_Cr203或TiN0x涂層體系。
5.如權(quán)利要求1所述的熱電轉(zhuǎn)換型太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)，其特征在于所述半導體熱溫 差發(fā)電模塊包括半導體熱電單元(11)、充放電控制器(4)、蓄電池組(5)和負載(6)，半導 體熱電單元(11)的上端與保溫絕熱容器(23)連接，半導體熱電單元(11)的下端連接有冷 端絕緣導熱板(22)，并在其周圍填充有保溫絕緣層(12)；半導體熱電單元(11)由N型半導 體(18)和P型半導體(19)串聯(lián)構(gòu)成，在所述N型半導體(18)與P型半導體(19)的上下 端均與金屬導體電極(21)連接；半導體熱電單元(11)依次連接充放電控制器(4)、蓄電池 組(5)形成一串聯(lián)回路，負載(6)與半導體熱電單元(11)并聯(lián)。
6.如權(quán)利要求5所述的熱電轉(zhuǎn)換型太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)，其特征在于所述半導體熱 電單元(11)的功率輸出密度為0.3W/cm2以上，其材料可以由以下材料提供碲金屬合 金類Bi2Te3，PbTe, AgSbTe2/GeTe, Bi2Te3/Sb2Te3，金屬氧化物類NaCo04，CaCo03, SrTi03/ SrTi03:Nb,含硅類化合物:SiGe, FeSi2，Ba8Si46，Mg2Si，MnSiL73,銻金屬合金類ZnSb， Zn4Sb3, CoSb3。
7.如權(quán)利要求1所述的熱電轉(zhuǎn)換型太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)，其特征在于所述太陽光聚光 接收模塊包括聚光透鏡(1)和與該聚光透鏡(1)連接的支撐框架(2)。
8.如權(quán)利要求7所述的熱電轉(zhuǎn)換型太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)，其特征在于所述聚光透鏡(1) 為平板菲涅爾透鏡或球面透鏡，所述復合式冷卻模塊包括循環(huán)冷卻介質(zhì)和設置在半導體熱 電單元(11)下表面的熱沉(25)，當循環(huán)介質(zhì)為冷媒時，在所述熱沉(25)內(nèi)貫穿有多個循環(huán) 冷卻介質(zhì)管路(26)，該循環(huán)冷卻介質(zhì)管路(26) —端通過循環(huán)冷卻介質(zhì)出口(9)連接到冷卻 介質(zhì)儲箱(7)，另一端連接到循環(huán)冷卻介質(zhì)進口(8)；當循環(huán)介質(zhì)為冷卻風時，在所述熱沉 (25)內(nèi)設有多個進風口(27)，所述進風口(27) —端連接到循環(huán)冷卻介質(zhì)進口(8)，另一端 的出風口(28)通過循環(huán)冷卻介質(zhì)出口(9)連接到冷卻介質(zhì)儲箱(7)。
9.如權(quán)利要求1所述的熱電轉(zhuǎn)換型太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)，其特征在于所述太陽跟蹤模 塊包括跟蹤控制裝置(3)和跟蹤支架(10)，所述跟蹤控制裝置(3)設置在太陽光聚光接收 模塊下方，由跟蹤支架(10)支撐連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種熱電轉(zhuǎn)換型太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)，包括有太陽光聚光接收模塊，在該太陽光聚光接收模塊的下底面上設有太陽跟蹤模塊，還包括有用于吸收太陽光并將太陽光轉(zhuǎn)換為熱能的光熱轉(zhuǎn)換模塊，在該光熱轉(zhuǎn)換模塊下設有半導體熱溫差發(fā)電模塊，還包括與所述半導體熱溫差發(fā)電模塊連接的復合式冷卻模塊。用半導體熱電單元取代傳統(tǒng)太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)中的熱力循環(huán)、儲能和發(fā)電系統(tǒng)，實現(xiàn)系統(tǒng)的高效和小型化。采用低倍聚光跟蹤和復合廢熱供應模塊，減小占地面積有效提高溫度差和發(fā)電效率。該系統(tǒng)與太陽能熱發(fā)電對比具有小型化、低投資、低維護成本的特點。與太陽電池對比具有小面積大功率、穩(wěn)定輸出可能，引入太陽能以外的熱源保證穩(wěn)定電流提供。
文檔編號H01L31/052GK101826823SQ20101010493
公開日2010年9月8日 申請日期2010年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月29日
發(fā)明者徐剛, 朱艷青, 種村榮, 苗蕾 申請人:中國科學院廣州能源研究所