專利名稱：一種大功率led封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種大功率LED封裝方法。
背景技術(shù)：
目前大功率LED封裝，是以芯片置于金屬支架并固晶后涂布熒光膠，并灌上填充 硅膠再封裝成所需成品形狀；目前熒光粉的涂布方式皆取決于支架的料杯大小且必須全部 填滿以及填充厚度大，容易浪費(fèi)大量熒光粉及造成芯片本身發(fā)光效率降低，縮短LED壽命。 傳統(tǒng)封裝方法若要使熒光硅膠層變薄使發(fā)光效率提高，但因?yàn)槭芟抻跓晒夥酃枘z涂布在晶 粒芯片上時(shí)會(huì)因?yàn)楣枘z流體關(guān)系，導(dǎo)致整個(gè)熒光粉硅膠依據(jù)支架的形式不同整，體平均流 布在整體支架料杯上，流布在非實(shí)際發(fā)光晶粒芯片表面上面的熒光粉硅膠均屬于浪費(fèi)無效 的發(fā)光區(qū)域內(nèi)。到目前為止很難找到灌注少量的熒光粉硅膠的大功率LED封裝方式，來增 加白光LED光能。白光LED具有環(huán)保節(jié)能減排安全以及使用壽命長等諸多優(yōu)點(diǎn)，使用白光 LED于本發(fā)明的大功率LED封裝方法，更能提高白光LED的光強(qiáng)度和光效能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種大功率LED封裝方法，可以提高發(fā)光效率并大福提升大 功率LED亮度，并大福減少熒光粉使用量，使熒光粉硅膠能夠均勻且少量的涂布在發(fā)光二 極管晶粒芯片上。 本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)
—種大功率LED封裝方法，包括以下幾個(gè)步驟
1)將發(fā)光二極管晶粒芯片固定在支架上面； 2)將固好發(fā)光二極管晶粒芯片的支架送入烤箱，烤箱內(nèi)溫度為12(TC，固化時(shí)間 為60分鐘； 3)將黏度系數(shù)合適的硅膠，使用點(diǎn)膠機(jī)在發(fā)光二極管晶粒芯片周圍進(jìn)行畫膠或點(diǎn) 膠，在發(fā)光二極管晶粒芯片周圍涂上一層硅膠圍墻，硅膠圍墻可依據(jù)所需的熒光粉硅膠厚 度進(jìn)行單次或多次畫膠及點(diǎn)膠，所需厚度較高時(shí)，可使用3D畫膠功能，將硅膠圍墻涂布一 次后再次進(jìn)行硅膠圍墻涂布，再依據(jù)所需涂布熒光粉硅膠厚度決定硅膠圍墻的高度；
4)將涂好硅膠圍墻的支架送入烤箱，進(jìn)行硅膠圍墻固化，根據(jù)所選用的硅膠制程 固化參數(shù)條件進(jìn)行固化，所選用的硅膠為道康寧硅膠，固化時(shí)，烤箱內(nèi)部溫度為15(TC，固化 時(shí)間為60分鐘； 5)硅膠圍墻固化后進(jìn)行打線； 6)打線完畢后再預(yù)定的區(qū)域內(nèi)灌一層熒光粉硅膠。 本發(fā)明的有益效果為在發(fā)光二極管晶粒芯片周圍使用硅膠涂布硅膠圍墻，使熒 光粉硅膠不會(huì)因?yàn)榱黧w力學(xué)關(guān)系而流到非發(fā)光區(qū)域之外，使整個(gè)實(shí)際發(fā)光二極管晶粒芯片 表面上面的熒光粉硅膠能夠均勻涂布上，不會(huì)導(dǎo)致熒光粉硅膠的浪費(fèi)并增加整體的發(fā)光效率。


下面根據(jù)附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。 圖1是本發(fā)明實(shí)施例所述的一種大功率LED封裝方法封裝完畢后的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是本發(fā)明實(shí)施例所述的一種大功率LED封裝方法的工藝流程圖。圖中
1、支架；2、硅膠圍墻；3、發(fā)光二極管晶粒芯片；4、熒光粉硅膠。
具體實(shí)施例方式
如圖l-2所示，本發(fā)明實(shí)施例所述的一種大功率LED封裝方法，包括以下幾個(gè)步 驟 1)將發(fā)光二極管晶粒芯片3固定在支架1上面； 2)將固好發(fā)光二極管晶粒芯片3的支架1送入烤箱，烤箱溫度為120°C，固化時(shí)間 為60分鐘； 3)將黏度系數(shù)合適的硅膠，使用點(diǎn)膠機(jī)在發(fā)光二極管晶粒芯片3周圍進(jìn)行畫膠或 點(diǎn)膠，在發(fā)光二極管晶粒芯片3周圍涂上一層硅膠圍墻2，硅膠圍墻2可依據(jù)所需的熒光粉 硅膠4厚度進(jìn)行單次或多次畫膠及點(diǎn)膠，所需厚度較高時(shí)，可使用3D畫膠功能，將硅膠圍墻 2涂布一次后再次進(jìn)行硅膠圍墻2涂布，再依據(jù)所需涂布熒光粉硅膠4厚度決定硅膠圍墻2 的高度； 4)將涂好硅膠圍墻2的支架1送入烤箱，進(jìn)行硅膠圍墻2固化，根據(jù)所選用的硅膠
制程固化參數(shù)條件進(jìn)行固化，所選用的硅膠為道康寧硅膠，固化時(shí)，烤箱內(nèi)部溫度為15(TC，
固化時(shí)間為60分鐘； 5)硅膠圍墻2固化后進(jìn)行打線； 6)打線完畢后再預(yù)定的區(qū)域內(nèi)灌一層熒光粉硅膠4。 由于在發(fā)光二極管晶粒芯片周圍使用硅膠涂布硅膠圍墻，使熒光粉硅膠不會(huì)因?yàn)?流體力學(xué)關(guān)系而流到非發(fā)光區(qū)域之外，使整個(gè)實(shí)際發(fā)光二極管晶粒芯片表面上面的熒光粉 硅膠能夠均勻涂布上，不會(huì)導(dǎo)致熒光粉硅膠的浪費(fèi)并增加整體的發(fā)光效率。
權(quán)利要求
一種大功率LED封裝方法，其特征在于包括以下幾個(gè)步驟1)將發(fā)光二極管晶粒芯片固定在支架上面；2)將固好發(fā)光二極管晶粒芯片的支架送入烤箱，烤箱內(nèi)溫度為120℃，固化時(shí)間為60分鐘；3)將黏度系數(shù)合適的硅膠，使用點(diǎn)膠機(jī)在發(fā)光二極管晶粒芯片周圍進(jìn)行畫膠或點(diǎn)膠，在發(fā)光二極管晶粒芯片周圍涂上一層硅膠圍墻；4)將涂好硅膠圍墻的支架送入烤箱，進(jìn)行硅膠圍墻固化，根據(jù)所選用的硅膠制程固化參數(shù)條件進(jìn)行固化，所選用的硅膠為道康寧硅膠，固化時(shí)，烤箱內(nèi)部溫度為150℃，固化時(shí)間為60分鐘；5)硅膠圍墻固化后進(jìn)行打線；6)打線完畢后再預(yù)定的區(qū)域內(nèi)灌一層熒光粉硅膠。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率LED封裝方法，其特征在于硅膠圍墻可依據(jù)所需的 熒光粉硅膠厚度進(jìn)行單次或多次畫膠及點(diǎn)膠。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率LED封裝方法，其特征在于所需厚度較高時(shí)，可使用 3D畫膠功能，將硅膠圍墻涂布一次后再次進(jìn)行硅膠圍墻涂布，再依據(jù)所需涂布熒光粉硅膠 厚度決定硅膠圍墻的高度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種大功率LED封裝方法，包括以下幾個(gè)步驟將發(fā)光二極管晶粒芯片固定在支架上面；將固好發(fā)光二極管晶粒芯片的支架送入烤箱；將黏度系數(shù)合適的硅膠，使用點(diǎn)膠機(jī)在發(fā)光二極管晶粒芯片周圍進(jìn)行畫膠或點(diǎn)膠，在發(fā)光二極管晶粒芯片周圍涂上一層硅膠圍墻；硅膠圍墻固化后進(jìn)行打線；打線完畢后再預(yù)定的區(qū)域內(nèi)灌一層熒光粉硅膠。本發(fā)明的有益效果為在發(fā)光二極管晶粒芯片周圍使用硅膠涂布硅膠圍墻，使熒光粉硅膠不會(huì)因?yàn)榱黧w力學(xué)關(guān)系而流到非發(fā)光區(qū)域之外，使整個(gè)實(shí)際發(fā)光二極管晶粒芯片表面上面的熒光粉硅膠能夠均勻涂布上，不會(huì)導(dǎo)致熒光粉硅膠的浪費(fèi)并增加整體的發(fā)光效率。
文檔編號(hào)H01L33/48GK101783384SQ20101010512
公開日2010年7月21日 申請日期2010年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月4日
發(fā)明者章炯煜 申請人:九江聯(lián)輝光電有限公司