專利名稱：反射式大功率led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種LED封裝結(jié)構(gòu)，尤其是一種反射式LED封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
LED是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見光的半導(dǎo)體。LED照明是最近幾年發(fā)展起來的
新興產(chǎn)業(yè)，堪稱19世紀(jì)白熾燈問世以來的又一次照明革命，被稱為是繼第一代白熾燈、第
二代氣體放電光源(包括熒光燈、節(jié)能燈、鈉燈等)后的第三代照明光源。 由于半導(dǎo)體照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長(zhǎng)、響應(yīng)速度快、耐振動(dòng)、易維護(hù)
等顯著優(yōu)點(diǎn)，在國(guó)際上被公認(rèn)為是最有可能進(jìn)入通用照明領(lǐng)域的新型固態(tài)冷光源。如同晶
體管替代電子管一樣，半導(dǎo)體取代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈也是大勢(shì)所趨。 目前，盡管LED已經(jīng)廣泛應(yīng)用于指示、LCD背光源、交通指示燈、建筑照明燈領(lǐng)域，
但用LED實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的半導(dǎo)體照明還有很多問題有待于解決。LED發(fā)光照明時(shí)，LED光源發(fā)
出的光線會(huì)向四周發(fā)散，會(huì)有部分LED發(fā)出的光線被基板所吸收，降低了 LED發(fā)光的利用率
低，減弱了LED照明的亮度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種反射式大功率LED封裝結(jié)
構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、安全可靠、能夠提高LED光源的亮度及LED發(fā)光的利用率。 按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述反射式大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，包括反射基板及
位于反射基板上的LED發(fā)光芯片；所述反射基板對(duì)應(yīng)于放置LED發(fā)光芯片另一端凹設(shè)有反
射槽，所述反射基板利用端部的反射槽及所述反射槽兩側(cè)的側(cè)壁將射入反射基板內(nèi)的光線
全反射到放置LED發(fā)光芯片的表面；所述反射基板周面上環(huán)繞有固定支架，所述固定支架
與反射基板固定連接；固定支架內(nèi)設(shè)有固定連接的導(dǎo)電電極，所述導(dǎo)電電極與LED發(fā)光芯
片電性連接；所述固定支架上設(shè)有導(dǎo)電引腳，所述導(dǎo)電引腳與導(dǎo)電電極電性連接。 所述LED發(fā)光芯片上壓蓋有聚焦透鏡，所述聚焦透鏡與反射基板間依次填充有熒
光粉、硅膠。所述反射基板由透明的二氧化硅晶體制成。所述反射基板為半球形結(jié)構(gòu)。所
述反射基板對(duì)應(yīng)于放置LED發(fā)光芯片的其余周面上設(shè)置若干散熱塊。 本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn) 1、通過在反射基板上設(shè)置反射槽，使反射基板成為全反射的基板；射入反射基板內(nèi)的光線，通過反射槽及連接反射槽的側(cè)壁，全反射到放置LED發(fā)光芯片的表面，增加了LED發(fā)光芯片發(fā)光的亮度，提高了 LED發(fā)光芯片的利用率。
2、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可以適用多種固定支架，安裝及使用方便。 3、反射基板采用二氧化硅晶體制成，具有高導(dǎo)熱性，能夠快速地將LED發(fā)光芯片的熱量導(dǎo)出，極大的提高LED發(fā)光芯片的使用壽命。 4、反射基板的外周面上設(shè)置若干曲面連接凸塊或凹槽的散熱塊，能夠增大反射基板的散熱面積。


圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。 如圖1所示本發(fā)明包括反射基板1、反射槽2、 LED發(fā)光芯片3、聚焦透鏡4、硅膠5、固定支架6、導(dǎo)電電極7及導(dǎo)電引腳8。 如圖1所示所述LED發(fā)光芯片3放置在反射基板1上，反射基板1外周面上環(huán)繞有固定支架6，固定支架6與反射基板1相固定連接。所述固定支架6內(nèi)設(shè)有固定連接的導(dǎo)電電極7，導(dǎo)電電極7利用導(dǎo)線與LED發(fā)光芯片3電性連接，用于對(duì)所述LED發(fā)光芯片3提供電源。固定支架6上設(shè)有固定連接的導(dǎo)電引腳8，導(dǎo)電引腳8與導(dǎo)電電極7電性連接；所述導(dǎo)電引腳8的端部與電源相連，通過導(dǎo)電電極7為L(zhǎng)ED發(fā)光芯片3提供電源，點(diǎn)亮LED發(fā)光芯片3。
所述反射基板1對(duì)應(yīng)于放置LED發(fā)光芯片3的另一端凹設(shè)有反射槽2，反射基板1利用反射槽2的內(nèi)凹曲面及反射槽2兩側(cè)的側(cè)壁，使反射基板1能夠反射射入反射基板1內(nèi)光線；LED發(fā)光芯片3向后發(fā)散的光線，射入反射基板1時(shí)，所述反射基板1以全反射的方式將射入的光線全反射到放置LED發(fā)光芯片3的表面，增加了 LED發(fā)光芯片3發(fā)出光線的聚合，提高了 LED發(fā)光芯片3的亮度及利用率。 所述LED發(fā)光芯片3上壓蓋有聚焦透鏡4，聚焦透鏡4與反射基板1間依次填充有熒光粉、硅膠5 ;所述硅膠5能夠使聚焦透鏡4與反射基板1相粘結(jié)，同時(shí)能夠保護(hù)LED發(fā)光芯片3與導(dǎo)電電極7間的線路。所述聚焦透鏡4壓蓋在LED發(fā)光芯片3上，匯聚LED發(fā)光芯片3發(fā)出的光線，能夠相應(yīng)的增強(qiáng)LED發(fā)光芯片3作為光源的亮度。
所述反射基板1為半球形結(jié)構(gòu)，反射基板1的外周面上設(shè)置若干不規(guī)則排列的凸塊或凹槽散熱塊，增大反射基板1的散熱面積。反射基板1采用透明的二氧化硅晶體制成，二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)具有高透光性及高導(dǎo)熱性，使LED發(fā)光芯片3發(fā)出的熱量，能夠及時(shí)傳導(dǎo)出去，延長(zhǎng)LED發(fā)光芯片3的使用壽命。所述聚焦透鏡4采用透明的二氧化硅材料制成。
如圖1所示使用時(shí)，將導(dǎo)電引腳8與電源相連接，導(dǎo)電引腳8通過導(dǎo)電電極7與LED發(fā)光芯片3電性連接，為L(zhǎng)ED發(fā)光芯片3提供發(fā)光所需的電源。接通電源后，所述LED發(fā)光芯片3向外發(fā)出光線。LED發(fā)光芯片3上壓蓋有聚焦透鏡4， LED發(fā)光芯片3發(fā)出的光線經(jīng)聚焦透鏡4匯聚后射出，能夠增強(qiáng)LED發(fā)光芯片3作為照明光源的亮度，同時(shí)能夠保護(hù)LED發(fā)光芯片3，避免LED發(fā)光芯片3受到損傷。所述LED發(fā)光芯片3發(fā)出的光線會(huì)向四周發(fā)散，部分光線會(huì)進(jìn)入反射基板1內(nèi)；反射基板1利用反射槽2及所述反射槽2兩側(cè)的側(cè)壁將射入反射基板1內(nèi)的光線全反射到放置LED發(fā)光芯片3的表面，經(jīng)聚焦透鏡4匯聚光線后射出，從而再一次增強(qiáng)了 LED發(fā)光芯片3的亮度，提高了 LED發(fā)光芯片3發(fā)光的利用率。所述反射基板1采用透明的二氧化硅晶體制成，能夠及時(shí)傳導(dǎo)大功率LED發(fā)光芯片3發(fā)出的熱量，延長(zhǎng)LED發(fā)光芯片3的使用壽命。 本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；通過在LED發(fā)光芯片3上壓蓋聚焦透鏡4及硅膠5，確保LED發(fā)光芯片3與反射基板1的安全可靠；同時(shí)使用大功率LED發(fā)光芯片3作為照明光源，經(jīng)濟(jì)環(huán)保。
權(quán)利要求
一種反射式大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，包括反射基板(1)及位于反射基板(1)上的LED發(fā)光芯片(3)，其特征是所述反射基板(1)對(duì)應(yīng)于放置LED發(fā)光芯片(3)另一端凹設(shè)有反射槽(2)，所述反射基板(1)利用端部的反射槽(2)及所述反射槽(2)兩側(cè)的側(cè)壁將射入反射基板(1)內(nèi)的光線全反射到放置LED發(fā)光芯片(3)的表面；所述反射基板(1)周面上環(huán)繞有固定支架(6)，所述固定支架(6)與反射基板(1)固定連接；固定支架(6)內(nèi)設(shè)有固定連接的導(dǎo)電電極(7)，所述導(dǎo)電電極(7)與LED發(fā)光芯片(3)電性連接；所述固定支架(6)上設(shè)有導(dǎo)電引腳(8)，所述導(dǎo)電引腳(8)與導(dǎo)電電極(7)電性連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征是所述LED發(fā)光芯片(3)上壓蓋有聚焦透鏡(4)，所述聚焦透鏡(4)與反射基板(1)間依次填充有熒光粉、硅膠(5)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征是所述反射基板(1)由透明的二氧化硅晶體制成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征是所述反射基板(1)為半球形結(jié)構(gòu)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征是所述反射基板(1)對(duì)應(yīng)于放置LED發(fā)光芯片(3)的其余周面上設(shè)置若干散熱塊。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種LED封裝結(jié)構(gòu)，尤其是一種反射式LED封裝結(jié)構(gòu)。其包括反射基板及位于反射基板上的LED發(fā)光芯片；所述反射基板對(duì)應(yīng)于放置LED發(fā)光芯片的下端設(shè)置反射槽，所述反射基板利用端部的反射槽及所述反射槽兩側(cè)的側(cè)壁將射入反射基板內(nèi)的光學(xué)全反射到放置LED發(fā)光芯片的表面；所述反射基板的左右兩端均設(shè)有固定支架，所述固定支架與反射基板固定連接；固定支架內(nèi)設(shè)有固定連接的導(dǎo)電電極，所述導(dǎo)電電極與LED發(fā)光芯片電性連接；所述固定支架上設(shè)有導(dǎo)電引腳，所述導(dǎo)電引腳與導(dǎo)電電極電性連接。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、安全可靠、提高LED光源的亮度及LED發(fā)光的利用率。
文檔編號(hào)H01L33/48GK101771129SQ201010115299
公開日2010年7月7日 申請(qǐng)日期2010年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月29日
發(fā)明者王海軍 申請(qǐng)人:王海軍