專利名稱：半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其將安裝在用樹脂模制件密封的引線框架的平 臺(tái)上的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行包封。本發(fā)明還涉及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
如專利文獻(xiàn)1這樣的各種文獻(xiàn)已經(jīng)開發(fā)和描述了各種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。在半導(dǎo)體 封裝結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體芯片安裝在被樹脂模制件密封的引線框架的矩形平臺(tái)的表面上。為了 有效地將熱量從半導(dǎo)體芯片散出，平臺(tái)的背側(cè)不用樹脂模制件密封但向外暴露。半導(dǎo)體封 裝結(jié)構(gòu)中，鍍層被施加到平臺(tái)的背側(cè)，以便改善釬焊潤(rùn)濕性，因?yàn)槠脚_(tái)背側(cè)完全釬焊到電路 板，以便將半導(dǎo)體芯片的熱量經(jīng)由電路板散掉。在這種情況下，在形成樹脂模制件之后執(zhí)行 鍍層。專利文獻(xiàn)1 日本專利申請(qǐng)公開No. 2000-150725在鍍層之后半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)被組裝在一起且共同運(yùn)輸?shù)筋A(yù)定地點(diǎn)。在豎直地組 裝的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的運(yùn)輸過程中，施加到“上”半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的平臺(tái)背側(cè)的鍍層會(huì)粘到 “下”半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的樹脂模制件，以使得鍍層會(huì)部分地脫落。當(dāng)鍍層被施加到許多半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)時(shí)，有必要在豎直地組裝的上下半導(dǎo)體封裝 結(jié)構(gòu)之間設(shè)置間隔件。在半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)之間設(shè)置間隔件很麻煩，且很可能降低半導(dǎo)體封 裝結(jié)構(gòu)的制造效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)能簡(jiǎn)化平臺(tái)的背側(cè)上的鍍 層過程，該平臺(tái)的表面上安裝半導(dǎo)體芯片，且該封裝結(jié)構(gòu)能防止鍍層脫落。本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體芯片、具有安裝在表面上的半導(dǎo)體芯片的矩 形平臺(tái)、排布在平臺(tái)的周邊中且電連接到半導(dǎo)體芯片的多個(gè)引線、將半導(dǎo)體芯片、平臺(tái)和引 線密封于其中的樹脂模制件同時(shí)在樹脂模制件的下表面上將平臺(tái)的背側(cè)向外暴露。特別 地，至少一個(gè)突出部在設(shè)置在樹脂模制件的密封部分之外的樹脂模制件的外部部分中的一 位置處形成在樹脂模制件的上表面或下表面上。樹脂模制件的具有突出部的外部部分的高 度大于平臺(tái)的厚度和樹脂模制件的密封部分的厚度之和。當(dāng)多個(gè)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)豎直地組裝時(shí)，形成在下半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的樹脂模制件外 部部分的上表面上的突出部與上半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的樹脂模制件外部部分的下表面接觸，或 形成在上半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的樹脂模制件外部部分的下表面上的突出部與下半導(dǎo)體封裝結(jié) 構(gòu)的樹脂模制件外部部分的上表面接觸。由此，相應(yīng)于突出部的間隙形成在上半導(dǎo)體封裝 結(jié)構(gòu)的平臺(tái)的暴露背側(cè)與下半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的樹脂模制件上表面之間。由于這種間隙，可 以可靠地防止上半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的平臺(tái)的暴露背側(cè)與下半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的樹脂模制件的 上表面接觸，由此防止施加到平臺(tái)背側(cè)的鍍層脫落。由于突出部的形成，本發(fā)明不需要插置在豎直地鄰近的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)之間的常規(guī)間隔件。這簡(jiǎn)化了施加到每個(gè)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的平臺(tái)背側(cè)的鍍層過程，由此改善半導(dǎo)體 封裝結(jié)構(gòu)的制造效率。當(dāng)鍍層之后多個(gè)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)豎直地組裝時(shí)，可以防止施加到上半導(dǎo)體封裝結(jié) 構(gòu)的平臺(tái)背側(cè)的鍍層粘到下半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的樹脂模制件的上表面。在以上中，突出部形成為環(huán)圈形狀，在俯視圖中包圍樹脂模制件的密封部分。替換 地，多個(gè)突出部繞在平臺(tái)背側(cè)中心處豎直地延伸的軸線軸對(duì)稱地設(shè)置。
上述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括處理薄金屬板以便制備上述引線框架的 引線框架制備步驟；將半導(dǎo)體芯片安裝在平臺(tái)的表面上并將半導(dǎo)體芯片與引線電連接的半 導(dǎo)體芯片安裝步驟；形成將半導(dǎo)體芯片、平臺(tái)、和引線進(jìn)行密封的樹脂模制件同時(shí)將平臺(tái)的 背側(cè)在樹脂模制件的下表面上向外暴露的模制步驟；和對(duì)從樹脂模制件向外暴露的平臺(tái)的 背側(cè)和引線的背側(cè)施加鍍層的鍍層步驟。在模制步驟中，在設(shè)置在樹脂模制件的密封部分 之外的樹脂模制件的外部部分中的一位置處在樹脂模制件的上表面或下表面上形成至少 一個(gè)突出部。樹脂模制件的具有突出部的外部部分的高度大于平臺(tái)的厚度和樹脂模制件的 密封部分的厚度之和。在鍍層之前，引線框架豎直地與具有與引線框架相同構(gòu)成的第二引線框架組裝， 其方式是，引線框架的平臺(tái)的背側(cè)與第二引線框架的樹脂模制件的上表面以一間隙略微間 隔開，該間隙相當(dāng)于它們之間的突出部。隨后對(duì)引線框架和第二引線框架一起施加鍍層。


參照所附附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的其他目的、方面和實(shí)施例。圖1是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)經(jīng) 由薄金屬板連結(jié)到另一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。圖2是從樹脂模制件的下表面觀察的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的背側(cè)視圖。圖3是沿圖1和2中A-A線截取的截面圖。圖4是用于制造圖1的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的引線框架的背側(cè)視圖。圖5是圖3的兩個(gè)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)豎直地組裝在一起的部分截面圖。圖6是半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的變化例的俯視圖，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)具有形成在樹脂模 制件表面上的四個(gè)角部中的四個(gè)圓點(diǎn)狀突出部。圖7是半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的另一變化例的俯視圖，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)具有形成在樹 脂模制件表面上的兩個(gè)相對(duì)角部中的兩個(gè)圓點(diǎn)狀突出部。圖8是顯示了兩個(gè)豎直地組裝的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的截面圖，每個(gè)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu) 具有在樹脂模制件的表面的一個(gè)角部中的一個(gè)圓點(diǎn)狀突出部。圖9是顯示了作為本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步變化例的方型扁平式封 裝結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實(shí)施例方式參照附圖通過例子更加詳細(xì)地描述本發(fā)明。參照附圖1到5描述根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1。多個(gè)半導(dǎo)體封 裝結(jié)構(gòu)(每個(gè)相當(dāng)于本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1)經(jīng)由薄金屬板20統(tǒng)一連結(jié)在一起且隨后在制造的最終階段被分成獨(dú)立的部件。如圖1到3所示，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1包括半導(dǎo)體芯片3、具有讓半導(dǎo)體芯片3安裝 于其上的表面5a的矩形平臺(tái)5、設(shè)置在半導(dǎo)體芯片3的周邊并電連接到半導(dǎo)體芯片3的多 個(gè)內(nèi)部引線7和將半導(dǎo)體芯片3、平臺(tái)5和內(nèi)部引線7密封在其中的樹脂模制件9。平臺(tái)5和內(nèi)部引線7形成在引線框架21中，該引線框架用于制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1。如圖4所示，多個(gè)引線框架(每個(gè)相當(dāng)于具有一個(gè)平臺(tái)5的引線框架21)沿一條線或沿 多條線對(duì)準(zhǔn)并共同地通過在薄金屬板21上執(zhí)行壓力加工和蝕刻來形成。隨后的描述涉及 具有一個(gè)平臺(tái)5的引線框架21的一個(gè)單元。引線框架21包括在俯視圖中具有矩形形狀的平臺(tái)5、設(shè)置在平臺(tái)5的周邊中的多 個(gè)引線23、將引線23互連在一起的框架25和將平臺(tái)5和框架25互連在一起的多個(gè)互連引 線27?？蚣?5的內(nèi)邊沿在俯視圖中形成為矩形形狀，將平臺(tái)5包圍在其中。在薄金屬板 20中，框架25由連結(jié)在一起的兩個(gè)引線框架共用。平臺(tái)5的四個(gè)側(cè)邊沿框架25的四個(gè)側(cè)邊設(shè)置。多個(gè)引線23從框架25的內(nèi)邊沿 的四個(gè)側(cè)邊每一個(gè)向內(nèi)朝向平臺(tái)5延伸，其中在引線23的末端與平臺(tái)5四個(gè)側(cè)邊每一個(gè)之 間設(shè)置有間隙。在這種情況下，引線23每一個(gè)沿與平臺(tái)5每個(gè)側(cè)邊和框架25內(nèi)邊沿的每 個(gè)側(cè)邊垂直的方向延伸?；ミB引線27從框架25的內(nèi)邊沿的四個(gè)角部向內(nèi)朝向平臺(tái)5的四 個(gè)角部延伸。引線23的端部部分構(gòu)成半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1的內(nèi)部引線7，且互連引線27的內(nèi)部部 分(該部分靠近平臺(tái)5定位)構(gòu)成半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1。阻擋條(dam bar) 29形成為沿這些條的縱向方向?qū)⒁€23的中點(diǎn)和互連引線27 的中點(diǎn)互連。阻擋條29在俯視圖中形成矩形環(huán)圈形狀，具有的四個(gè)側(cè)邊平行于平臺(tái)5的四 個(gè)側(cè)邊和框架25的四個(gè)側(cè)邊。引線框架21全部形成與薄金屬板20相同的厚度，其中，僅互連引線27的內(nèi)部部 分設(shè)置在平臺(tái)5和阻擋條29之間并與薄金屬板的原始厚度相比厚度減小。互連引線27的 內(nèi)部部分設(shè)置在與將半導(dǎo)體芯片3安裝于其上的表面5a相對(duì)的平臺(tái)5的背側(cè)5b上，其中， 互連引線27的內(nèi)部部分的背側(cè)經(jīng)歷半蝕刻(half-etching)并由此略高于平臺(tái)5的背側(cè) 5b。在圖4中，陰影區(qū)域代表互連引線27內(nèi)部部分的被半蝕刻的背側(cè)。半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1的樹脂模制件9將定位在阻擋條29內(nèi)的引線框架21的內(nèi)部區(qū) 域密封，該區(qū)域包括平臺(tái)5、引線23的末端23(構(gòu)成內(nèi)部引線7)和互連引線27的內(nèi)部部 分。樹脂模制件9在俯視圖中形成為類似厚矩形板，其中模制件的四個(gè)側(cè)邊沿阻擋條29的 四個(gè)側(cè)邊設(shè)置。從平臺(tái)5的厚度方向上看，在樹脂模制件9的平坦下表面9b上平臺(tái)5的背側(cè)5b 和內(nèi)部引線7向外暴露。因?yàn)榛ミB引線27的內(nèi)部部分的背側(cè)略高于平臺(tái)5的背側(cè)5b，所以 它們不會(huì)在樹脂模制件9的下表面9b上向外暴露。樹脂模制件9的上表面9a是平表面，其定位在平臺(tái)5的表面5a上方并平行于該 表面5a。在俯視圖中具有矩形環(huán)圈形狀的突出部11形成在樹脂模制件9的上表面9a上。突出部11在樹脂模制件的密封部分(或?qū)盈B部分)S之外形成在樹脂模制件9的 外部部分0中，該密封部分的水平區(qū)域在俯視圖中重疊平臺(tái)5的背側(cè)5b的區(qū)域且該密封部 分沿平臺(tái)的厚度方向覆蓋平臺(tái)5。具體說，在俯視圖中，在樹脂模制件9的外部部分0中，突出部11定位在平臺(tái)5和內(nèi)部引線7的末端之間。換句話說，在俯視圖中，突出部11定位為 不與引線框架21的暴露部分重疊(該暴露部分在樹脂模制件9的下表面9b上向外暴露)。由此，具有突出部11的樹脂模制件的外部部分0處的厚度Tl大于與樹脂模制件 9的密封部分S的厚度和平臺(tái)5的厚度之和相當(dāng)?shù)暮穸萒2。
接下來描述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1的制造方法。(a)引線框架制備步驟首先，多個(gè)引線框架(每個(gè)對(duì)應(yīng)于引線框架21)通過使用薄金屬板20來制備。(b)半導(dǎo)體芯片安裝步驟接下來，半導(dǎo)體芯片3附接到平臺(tái)5的表面5a上并經(jīng)由連結(jié)線31電連接到引線 23的末端(即內(nèi)部引線7)。(c)模制步驟樹脂模制件9形成為將半導(dǎo)體芯片3、平臺(tái)5、引線23和互連引線27的內(nèi)部部分 進(jìn)行密封，同時(shí)向外暴露出平臺(tái)5的背側(cè)5b和引線23的背側(cè)。在該步驟中，引線框架21 被放到金屬模具中，該模具的內(nèi)部形狀相應(yīng)于具有突出部11的樹脂模制件9的外部形狀， 熔化的樹脂注射到該模具中以便形成樹脂模制件9。在模制步驟之后，如圖1到3所示制造經(jīng)由薄金屬板20連結(jié)到另一半導(dǎo)體封裝結(jié) 構(gòu)1的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1。(d)鍍層步驟在模制步驟之后，鍍層被施加到平臺(tái)5的暴露部分和引線23的暴露部分，所述暴 露部分從樹脂模制件9向外暴露。鍍層步驟在圖5的狀態(tài)下執(zhí)行，在該狀態(tài)中已經(jīng)經(jīng)歷了引 線框架制備步驟、半導(dǎo)體芯片安裝步驟和模制步驟的多個(gè)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1豎直地組裝。 艮口，在引線框架制備步驟中制備每個(gè)具有多個(gè)引線框架21的多個(gè)薄金屬板20且該多個(gè)薄 金屬板隨后順序地經(jīng)歷半導(dǎo)體芯片安裝步驟和模制步驟，由此多個(gè)薄金屬板20組裝在一 起，以便豎直地組裝多個(gè)平臺(tái)5。在以上中，兩個(gè)引線框架21豎直地組裝，其方式是“下”引線框架21的樹脂模制件 9的突出部11接觸“上”引線框架21的樹脂模制件9的下表面％，即在俯視圖中在樹脂模 制件9的外部部分0中下表面9b的規(guī)定區(qū)域插置在平臺(tái)5和內(nèi)部引線7的末端之間。在 接觸狀態(tài)下，平臺(tái)5的背側(cè)5b和內(nèi)部引線7——它們?cè)谏弦€框架5的樹脂模制件9的下 表面9b上向外暴露——略微與下引線框架21的樹脂模制件9的上表面9a間隔開，在二者 之間形成間隙。由于這種間隙，可以防止“上”半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1的內(nèi)部引線7和平臺(tái)5的 背側(cè)5b意外地與“下”半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1的樹脂模制件9的接觸。如上所述，多個(gè)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1豎直地組裝并隨后經(jīng)歷鍍層。鍍層步驟例如以 豎直地組裝的多個(gè)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1浸在填充有電鍍?nèi)芤旱碾婂儾壑械姆绞絹韴?zhí)行。因?yàn)?所有半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)ι讓平臺(tái)5的背側(cè)5b和內(nèi)部引線7的背側(cè)從樹脂模制件9向外暴露， 所以鍍層被施加到平臺(tái)5的背側(cè)5b和內(nèi)部引線7的背側(cè)。(e)切割步驟插置在樹脂模制件9和阻擋條29之間的引線23和互連引線27經(jīng)歷切割，由此制 造出獨(dú)立的一件件的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1。在切割步驟之后，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1構(gòu)造為使得引 線23和互連引線27的切割面在樹脂模制件9的橫向側(cè)向外暴露。
根據(jù)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1及其制造方法的本實(shí)施例，不必在豎直地組裝的引線框架 21之間設(shè)置常規(guī)的間隔件，且可以對(duì)簡(jiǎn)單地組裝在一起的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1的平臺(tái)5的背 側(cè)5b施加鍍層。由此，可以簡(jiǎn)化鍍層操作且改善半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1的制造效率。在鍍層步驟之后，甚至當(dāng)多個(gè)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1豎直地組裝時(shí)，也可以可靠地防 止施加到“上”半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1的平臺(tái)5的背側(cè)5b和內(nèi)部引線7的背側(cè)上的鍍層粘到 “下”半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1的樹脂模制件9的上表面9a。換句話說，甚至當(dāng)已經(jīng)經(jīng)歷了鍍層的 多個(gè)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1豎直地組裝時(shí)，也可以可靠地防止鍍層從平臺(tái)5的背側(cè)5b和內(nèi)部引 線7的背側(cè)脫落。
在本實(shí)施例的制造方法中，用薄金屬板20互連的多個(gè)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1豎直地組 裝且共同經(jīng)歷鍍層。替代地，鍍層步驟可在切割步驟之后執(zhí)行，以使得半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1被 分成獨(dú)立的部件、組裝在一起并隨后經(jīng)歷鍍層。此外，引線框架制備步驟可以被修改為使得 單個(gè)引線框架21從每個(gè)薄金屬板20抽出。在俯視圖中具有矩形環(huán)圈形狀的突出部11的頂部區(qū)域沿周向方向保持處于同一 平面，換句話說，在突出部11中沿其周向方向保持同一高度。這使得可以以穩(wěn)定的方式豎 直地組裝多個(gè)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1。甚至當(dāng)在切割步驟之后執(zhí)行鍍層步驟時(shí)，也可以向引線 23的切割面和互連引線27的切割面施加鍍層，這些切割面從樹脂模制件9的橫向側(cè)向外暴
Mo本實(shí)施例不必設(shè)計(jì)為使得在俯視圖中具有矩形環(huán)圈形狀的突出部11形成在樹脂 模制件9的上表面9a上。替代地，可以形成每個(gè)具有圖6到8所示的圓點(diǎn)狀形狀的多個(gè)突出部。圖6顯示了半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)2，其中在樹脂模制件9的上表面9a上的四個(gè)角部中 形成四個(gè)圓點(diǎn)狀突出部13。圖7顯示了半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)4，其中在樹脂模制件9的上表面 9a上的兩個(gè)相對(duì)角部中形成兩個(gè)圓點(diǎn)狀突出部13。圖6和7所示的突出部13關(guān)于中心軸 線Ll軸對(duì)稱地定位，該軸線在背側(cè)5b的中心處沿平臺(tái)5的厚度方向延伸。圖8顯示了半 導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)6，其中，一個(gè)圓點(diǎn)狀突出部13形成在樹脂模制件9的上表面9a上的一個(gè)角 部中。所有上述突出部13相對(duì)于互連引線27豎直地定位。具有突出部13的上述變化例不必以類似于上述實(shí)施例的方式來設(shè)計(jì)，使得突出 部13相對(duì)于內(nèi)部引線7豎直地形成在樹脂模制件9的外部部分0中的一些位置處。S卩，突 出部13可以相對(duì)于內(nèi)部引線7和平臺(tái)5豎直地形成在除了樹脂模制件9的中央部分之外 的樹脂模制件9的外部部分0中的任何位置處。圖6、7和8所示的每個(gè)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)2、 4和6允許突出部(一個(gè)或多個(gè))13相對(duì)于內(nèi)部引線7和平臺(tái)5豎直地形成在樹脂模制件 9的中央部分以外的樹脂模制件9的外部部分0中，但是可以實(shí)現(xiàn)與本實(shí)施例類似的效果。在組裝狀態(tài)下——其中每一個(gè)具有一個(gè)圓點(diǎn)狀突出部13的多件獨(dú)立的半導(dǎo)體封 裝結(jié)構(gòu)6豎直地組裝，“下”半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)6的樹脂模制件9的上表面9a在定位為與剛好 在突出部13上方的一個(gè)角部相對(duì)的相對(duì)角部處與“上”半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)6的樹脂模制件9 的下表面％接觸，且在該相對(duì)的角部中在樹脂模制件9的下表面9b中不存在引線框架21 的暴露部分。因此，類似于本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1，下半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)6的樹脂模制 件9的上表面9a略微與上半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)6的樹脂模制件9的下表面9b間隔開，以使得 在平臺(tái)5的背側(cè)5b和樹脂模制件9的上表面9a之間形成間隙且在內(nèi)部引線7的背側(cè)和樹脂模制件9的上表面9a之間形成間隙，其中，平臺(tái)5的背側(cè)5b和內(nèi)部引線7的背側(cè)向外暴 露。由此，可以可靠地防止上半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)6的平臺(tái)5和內(nèi)部引線7與下半導(dǎo)體封裝結(jié) 構(gòu)6的樹脂模制件9接觸?？梢栽谇懈畈襟E之后以穩(wěn)定的方式豎直地組裝圖7所示的多個(gè)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu) 4，因?yàn)槔@中心軸線Ll軸對(duì)稱地定位的三個(gè)或更多個(gè)突出部13的頂部區(qū)域定位在同一平面 中，該中心軸線在平臺(tái)5的背側(cè)5b的中心處沿平臺(tái)5的厚度方向延伸。在這種情況下，可以通過使用用在模制步驟中的金屬模具(未示出)起模桿 (ejector pin)來形成圓點(diǎn)狀突出部13，其中起模桿最初是用于將相應(yīng)于樹脂模制件9的 模制物體拔出?？梢栽谕怀霾?3的頂部區(qū)域上形成平面。可在突出部13的頂部區(qū)域上壓 印出代表金屬模具的辨識(shí)號(hào)碼的腔穴號(hào)碼。半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1、2、4和6設(shè)計(jì)為使得突出部11和13每一個(gè)形成在樹脂模制件 9的“平坦”上表面9a上；但這不是一種限制。代替形成突出部11和13，可以部分地在外 部部分0中而不是在密封部分S中將樹脂模制件9的上表面9a的高度提高。例如，在樹脂 模制件9的上表面9a上在密封部分S和外部部分0之間形成階梯差，由此形成突出部。替 換地，樹脂模制件9的上表面9a以凹坑或凹槽的形狀形成，以使得其較低區(qū)域構(gòu)成密封部 分S而其較高的區(qū)域構(gòu)成突出部。突出部11和13不必形成為從樹脂模制件9的上表面9a向上突出，因?yàn)楸緦?shí)施例 要求具有突出部11或13的樹脂模制件9的外部部分0的厚度大于樹脂模制件9的密封部 分S的厚度與平臺(tái)5的厚度之和。為此，突出部可以形成為從樹脂模制件9的下表面9b向 下突出。至少一個(gè)突出部形成在樹脂模制件9的下表面9b上的上述變化例可以實(shí)現(xiàn)與前 述實(shí)施例相同的效果。此外，可以在電路板上形成與上述突出部相適應(yīng)的至少一個(gè)孔，該電 路板與平臺(tái)5的背側(cè)5b接觸?？梢匀菀椎亟雽?dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的所需定位，該封裝結(jié)構(gòu)的 突出部被插入到電路板的孔中。半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1、2、4和6是QFN(Quad Flat No-leaded，方形扁平無引腳封裝) 封裝結(jié)構(gòu)，其中，內(nèi)部引線7在樹脂模制件9的下表面9b上向外暴露；但是本實(shí)施例僅需讓 平臺(tái)5的背側(cè)5b在樹脂模制件9的下表面9b上向外暴露。因此，可以以QFP(quad flat package方形扁平式封裝)的形式來重新設(shè)計(jì)本實(shí)施例，其中，內(nèi)部引線7不向外暴露而是 埋在樹脂模制件9中，且連接到內(nèi)部引線7的引線23的基部部分用作從樹脂模制件9的橫 向側(cè)向外突出的外部引線。最后，本發(fā)明不必限制為本實(shí)施例和其變化例，可以在所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍內(nèi)進(jìn)一步修改本發(fā)明。本申請(qǐng)要求日本專利申請(qǐng)No. 2009-38319的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用合并于 此。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體芯片；矩形平臺(tái)，具有安裝在表面上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)引線，排布在平臺(tái)的周邊中且電連接到半導(dǎo)體芯片；樹脂模制件，將半導(dǎo)體芯片、平臺(tái)和引線密封于其中，同時(shí)在該樹脂模制件的下表面上將平臺(tái)的背側(cè)向外暴露；和至少一個(gè)突出部，在設(shè)置在樹脂模制件的密封部分之外的樹脂模制件的外部部分中的一位置處該至少一個(gè)突出部形成在樹脂模制件的上表面上，該密封部分在俯視圖中沿該平臺(tái)的厚度方向覆蓋平臺(tái)的背側(cè)并密封該平臺(tái)，其中，樹脂模制件的具有突出部的外部部分的高度大于平臺(tái)的厚度和樹脂模制件的密封部分的厚度之和。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，突出部形成為環(huán)圈形狀，在俯視圖中包 圍樹脂模制件的密封部分。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，多個(gè)突出部關(guān)于在平臺(tái)的背側(cè)的中心 處豎直地延伸的軸線軸對(duì)稱地設(shè)置。
4.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括處理薄金屬板，以便制備引線框架，該引線框架包括矩形平臺(tái)、排布在該平臺(tái)周邊中 的多個(gè)引線、將引線互連以便包圍平臺(tái)的框架、和將框架和平臺(tái)互連在一起的多個(gè)互連引 線.一入 ，將半導(dǎo)體芯片安裝在平臺(tái)的表面上并將半導(dǎo)體芯片與引線電連接；用樹脂模制件將半導(dǎo)體芯片、平臺(tái)、和引線密封，同時(shí)在樹脂模制件的下表面上將平臺(tái) 的背側(cè)向外暴露；在設(shè)置在樹脂模制件的密封部分之外的樹脂模制件的外部部分中的一位置處、在樹脂 模制件的上表面上形成至少一個(gè)突出部，該密封部分在俯視圖中沿該平臺(tái)的厚度方向覆蓋 平臺(tái)的背側(cè)并密封該平臺(tái)，其中，樹脂模制件的具有突出部的外部部分的高度大于平臺(tái)的 厚度和樹脂模制件的密封部分的厚度之和；和對(duì)從樹脂模制件向外暴露的平臺(tái)的背側(cè)和引線的背側(cè)施加鍍層。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在鍍層之前，引線框架豎直 地與具有與所述引線框架相同構(gòu)造的第二引線框架組裝，其方式是，所述引線框架的平臺(tái) 的背側(cè)與第二引線框架的樹脂模制件的上表面以一間隙略微間隔開，該間隙相應(yīng)于它們之 間的突出部，且隨后對(duì)所述引線框架和第二引線框架一起施加鍍層。
全文摘要
一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體芯片、具有安裝在表面上的半導(dǎo)體芯片的矩形平臺(tái)、排布在平臺(tái)的周邊中且電連接到半導(dǎo)體芯片的多個(gè)引線、將半導(dǎo)體芯片、平臺(tái)和引線密封于其中的樹脂模制件同時(shí)在樹脂模制件的下表面上將平臺(tái)的背側(cè)向外暴露。特別地，至少一個(gè)突出部在設(shè)置在樹脂模制件的密封部分之外的樹脂模制件的外部部分中的一位置處形成在樹脂模制件的上表面或下表面上。樹脂模制件的具有突出部的外部部分的高度大于平臺(tái)的厚度和樹脂模制件的密封部分的厚度之和。
文檔編號(hào)H01L21/56GK101814463SQ20101012138
公開日2010年8月25日 申請(qǐng)日期2010年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月20日
發(fā)明者福田芳生 申請(qǐng)人:雅馬哈株式會(huì)社