專利名稱：用于霍爾元件的新型薄膜材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜材料及其制備方法，特別是一種可以應(yīng)用于霍爾元件磁敏感 活性層的Fe2.95Pt。.。504薄膜材料及其制備方法。
背景技術(shù)：
霍爾元件是利用活性層材料的霍爾效應(yīng)測量磁場的一種磁傳感器件，由活性層、 電極及保護(hù)它們的封裝組成。目前，全世界對霍爾器件的年需求量在10億只以上，已在無 刷電機(jī)、齒輪轉(zhuǎn)速檢測、過程控制中的無觸點開關(guān)、定位開關(guān)，汽車的安全裝置ABS(防抱死 制動系統(tǒng))，汽車發(fā)動機(jī)點火定時，電流電壓傳感器等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。其特點是無觸點 傳感，可靠性高，用以檢測電流電壓，無插入損耗，且實現(xiàn)輸入和輸出信號的完全隔離、無過 載損壞等。在磁性材料及測磁儀器的研究、地磁場圖的精確繪制、地質(zhì)勘探、航海、航空、航 天等領(lǐng)域都有十分重要的用途。 目前，霍爾元件中的活性層材料一般都采用硅、銻化銦、砷化銦等半導(dǎo)體材料，元 件的尺寸較大，在亞毫米量級。又由于半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率等特征參數(shù)隨溫 度變化很大，使霍爾元件的霍爾電阻率隨溫度變化很大，霍爾元件工作溫度受到限制。例 如， 一般霍爾元件的工作溫度是-40°C到150°C ，如果要在更寬的溫度范圍內(nèi)，例如-270°C 到20(TC工作，必須組合使用多種型號的霍爾元件，這就進(jìn)一步加大了霍爾元件的尺寸，也 使元件成本大大增加。為克服半導(dǎo)體活性層材料體積大、成本高、制備工藝復(fù)雜等缺點，必 須尋找一種工作溫度寬、體積小、制備簡單的替代材料。 磁性薄膜材料中存在反常霍爾效應(yīng)，某些磁性薄膜的反?；魻栂禂?shù)已經(jīng)與常規(guī)的 半導(dǎo)體霍爾器件的霍爾系數(shù)接近；并且這類材料具有較高的溫度穩(wěn)定性，制備簡單，能夠克 服半導(dǎo)體霍爾材料工作溫度范圍窄、制備工藝復(fù)雜的缺點，提供了一種新的霍爾元件活性 層材料。以這類磁性薄膜為活性層，霍爾元件的尺寸將降至亞微米量級。
然而，以磁性薄膜作為活性層時也存在一些問題。 一方面，為了盡量減小元器件尺 寸，必須降低活性層的厚度。對于一般的磁性薄膜材料，當(dāng)厚度減小到一定臨界值(一般為 納米尺度)以下時，材料有可能進(jìn)入超順磁態(tài)，此時磁化強(qiáng)度大大降低，霍爾電阻率也隨之 大大降低，從而有可能使霍爾元件失效；另一方面，作為活性層材料的磁性薄膜一般電阻率 較大，導(dǎo)電性差，因此需要更高的輸入電壓，這在實際應(yīng)用中增加了功率損耗，降低了元件 的使用壽命?？梢?，必須尋找到一種新型的霍爾元件磁性活性層材料，使得其在厚度為納米 級(500納米以下)的情況下仍保持較高的霍爾系數(shù)、較小的電阻率且具有良好的性能(高 線性度等)。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決傳統(tǒng)的半導(dǎo)體霍爾元件體積大、工作溫度范圍窄、導(dǎo)電性差等問題，尋 找一種更加經(jīng)濟(jì)實用、能夠在更寬的磁場范圍內(nèi)保持線性度的霍爾器件磁敏感層材料， 本發(fā)明提供了一種全新的可以作為活性層的納米多晶薄膜及其制備方法，其化學(xué)式為Fe2.95Pt。. 。503。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，使用該方法制備的Fe2.95Pt。. 。503薄膜在2K-500K溫度范圍內(nèi)霍爾 電阻率較高且大小幾乎不變，同時該薄膜電阻率較低，導(dǎo)電性好，并且線性度較好，體積?。?即將此？62.95 ^.。503薄膜材料作為活性層應(yīng)用于霍爾元件中，得到了一種性能優(yōu)異的全新
的霍爾元件。該？62.9#。.。503薄膜的制備方法簡單易行，容易控制，易于產(chǎn)業(yè)化，可以作為半
導(dǎo)體的替代材料應(yīng)用于霍爾元件的磁敏感活性層。所制備的霍爾元件具有性能穩(wěn)定，檢測 范圍寬等優(yōu)點。 本發(fā)明提供的納米晶Fe2.95Pt。.。503薄膜磁敏材料的厚度在4 400納米，優(yōu)選薄膜 厚度8 350納米，最優(yōu)選10 200納米。 本發(fā)明提供的納米晶Fe2.95Pt。.。503薄膜磁敏材料的制備方法可以采用磁控濺射、 脈沖激光沉積、離子束濺射、化學(xué)氣相沉積等常規(guī)的薄膜制備方法；電極層可以位于活性層 之下(薄膜與基片之間)，也可以位于活性層之上，電極層材料為金屬，厚度可以根據(jù)需要 調(diào)整，制備方法為常規(guī)的薄膜制備方法；活性層和電極的形狀可以根據(jù)霍爾元件的需要制 備，比如"十"字形，正方形，長方形等；保護(hù)層為穩(wěn)定性較好的材料。 本發(fā)明提供的納米晶Fe2.95Pt。.。503薄膜磁敏材料的制備方法可以經(jīng)過下述步驟
1)用光刻和掩膜的方法在基片上形成為了沉積薄膜的"十"字形圖案，如圖l(a) 所示。圖中陰影部分為所要沉積的薄膜的圖案，圖案中心正方形的邊長在0. 3 1. 0微米， 中心正方形的四個邊上突出部分的長度為0. 2微米； 2)采用通用的超高真空磁控濺射鍍膜機(jī)，在背底真空度小于5. 0X10—5Pa時，將 純度大于99. 999%的高純度的Ar氣和02氣的混合氣體通入真空室，其中Ar氣流量為 10sccm， 02氣流量為2. 7sccm ; 3)待真空度下降為1. OPa以下，將超高真空閘板閥的開啟度設(shè)定為20% ;在鐵靶 上加以設(shè)定為475W的直流功率，在鉑靶上加以設(shè)定為50W的直流功率，預(yù)濺射5分鐘；
4)打開鐵靶、鉬靶和基片的擋板，基片以20轉(zhuǎn)/分鐘的速度勻速旋轉(zhuǎn)，控制濺射時 間在0. 5 20分鐘成膜，即得到所需的納米晶Fe2.95Pt。.。503薄膜磁敏材料。
本發(fā)明提供的納米晶？62.95 ^.。503薄膜磁敏材料的制備方法步驟4中，通過控制不 同的濺射時間來控制不同的成膜厚度。 本發(fā)明還提供了一種全新的霍爾元件，由在基片上形成的納米晶Fe2.95Pt。.。503薄 膜磁敏材料作為活性層、金屬電極層和保護(hù)層構(gòu)成，金屬電極層與活性層接觸，保護(hù)層直接 覆蓋活性層；所述的基片是玻璃、石英、單晶硅或單晶砷化鎵。 所述的活性層Fe2.95Pt。.。503磁性薄膜的薄膜厚度在4 400納米，優(yōu)選薄膜厚度 8 350納米，最優(yōu)選10 200納米。 所述的活性層是"十"字形?；钚詫拥木€度在0. 3 1微米；所述的金屬電極層 是鈦和金電極層；所述的保護(hù)層是二氧化硅保護(hù)層；所述的二氧化硅保護(hù)層的厚度為50納 米。 本發(fā)明提供的以納米晶Fe2.95Pt。.。503薄膜磁敏材料為活性層的霍爾元件的制備方 法是經(jīng)過下述步驟 1)用光刻和掩膜的方法在基片上形成為了沉積薄膜的"十"字形圖案，如圖l(a) 所示。圖中陰影部分為所要沉積的薄膜的圖案，圖案中心正方形的邊長在0. 3 1. 0微米， 中心正方形的四個邊上突出部分的長度為0. 2微米；
2)采用通用的超高真空磁控濺射鍍膜機(jī)，在背底真空度小于5.0X10—5Pa時， 將高純度的Ar氣和02氣的混合氣體通入真空室，其中Ar氣流量為10sccm， 02氣流量為 2. 7sccm j 3)待真空度下降為1. OPa以下，將超高真空閘板閥的開啟度設(shè)定為20% ;在鐵靶 上加以設(shè)定為475W的直流功率，在鉑靶上加以設(shè)定為50W的直流功率，預(yù)濺射5分鐘；
4)打開鐵靶、鉬靶和基片的擋板，基片以20轉(zhuǎn)/分鐘的速度勻速旋轉(zhuǎn)，控制濺射時 間在0. 5 20分鐘成膜; 5)通過磁力轉(zhuǎn)軸將樣品送到副真空室，取出樣品，除去光刻膠；用光刻和掩膜的
方法在基片上正方形Feu5Pt。.。A薄膜的四個邊的外側(cè)形成為了沉積四個電極的矩形圖
案，如圖l(b)所示。圖形中的陰影部分為所要沉積的電極的圖案。每個電極圖案分別與正
方形Fe2.95Pt。.。503薄膜的四個邊有0. 15微米的重疊部分。將樣品送入真空室，連續(xù)制備50
納米厚的鈦層和500納米厚的金層形成電極，鈦靶和金靶均采用直流濺射； 6)通過磁力轉(zhuǎn)軸將樣品送到副真空室，取出樣品，除去光刻膠；用光刻和掩膜的
方法在基片上正方形Fe^5Pt。.。503薄膜的上方形成為了沉積保護(hù)層的正方形圖案，正方形
的邊長在0. 5 1. 2微米，將Fe2.95Pt。.。503薄膜完全覆蓋。將樣品送入真空室制備二氧化硅
保護(hù)層。二氧化硅靶采用射頻濺射，設(shè)定濺射功率為200W，濺射時間為10分鐘。 本發(fā)明提供了一種具有反常霍爾效應(yīng)的納米晶Fe2.95Pt。.。503磁性薄膜磁敏材料，
以及一種以納米晶Fe^5Pt。.。503磁性薄膜磁敏材料為活性層、利用磁性材料反?；魻栃?yīng)
原理工作的微型的霍爾元件。其工作溫度在2K到500K(即-27rC到227°C )范圍內(nèi)，電阻
率在250 ii Q cm到3500 y Q cm范圍內(nèi)。在2K到500K的工作溫度范圍內(nèi)，樣品的線性度小
于千分之二，磁場線性度保持在_7kOe到7kOe范圍內(nèi)。 本發(fā)明提供的 一 種納米晶Fe2.95Pt。. 。503薄膜磁敏材料，以及 一 種以納米晶 Fe2.95Pt。.。503薄膜磁敏材料作為活性層的霍爾元件。所具有的納米晶Fe2.95Pt。.。503薄膜與傳 統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，具有電阻率低、工作溫度范圍寬、線性度好、體積小等優(yōu)點，而且制備 簡單，因而在航空、航天、軍事等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 文中單位sccm指"standard cubic centimeter per minute，，，艮卩標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)毫升/ 分(1ml = 1cm3)，標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)為0°C， latm。


圖1陰影部分是制備納米晶Fe2.95Pt。.。503薄膜活性層和電極的圖案。
圖2是活性層厚度為200納米的納米晶Fe2.95Pt。.。503薄膜磁敏活性層霍爾元件在 不同溫度下的霍爾電阻率隨磁場的變化。插圖(a)是該霍爾元件的飽和霍爾電阻率隨溫度 的變化關(guān)系，插圖(b)是該霍爾元件的線性度與溫度的關(guān)系。
具體實施例方式
下面將通過具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
實施例1 1、活性層圖案的制備。用掩膜的方法在石英基片上形成為了沉積薄膜的"十"字 形圖案，如圖1(a)所示。圖中陰影部分無光刻膠，圖案中心正方形的邊長在l.O微米，中心正方形的四個邊上突出部分的長度為0. 2微米； 2、室溫下通入氬氣和氧氣。采用中國科學(xué)院沈陽科儀中心的DPS-III型超高真空 磁控濺射鍍膜機(jī)(自帶的計算機(jī)控制軟件)，在背底真空度小于5. OX 10—5Pa時，將高純度的 Ar氣和02氣的混合氣體通入真空室。其中Ar氣流量為10sccm， 02氣流量為2. 7sccm。待 真空度下降為l.OPa左右時，利用設(shè)備自帶的計算機(jī)控制軟件，將超高真空閘板閥的開啟 度設(shè)定為20% ; 3、預(yù)濺射。向純度為99.99X的鐵靶上加以設(shè)定為475W的直流功率，向純度為 99. 99%的鉑耙上加以設(shè)定為50W的直流功率，預(yù)濺射5分鐘； 4、濺射成膜。打開石英基片的擋板，基片以20轉(zhuǎn)/分鐘的速度勻速旋轉(zhuǎn)，控制濺
射時間在10分鐘；即得到一定厚度的納米晶Fe2.95Pt。.。503薄膜磁敏材料。 5、制備電極。通過磁力轉(zhuǎn)軸將樣品送到副真空室，取出樣品，除去光刻膠；用掩
膜的方法在基片上正方形Fe^5Pt。.。503薄膜的四個邊的外側(cè)形成為了沉積四個電極的矩
形圖案，如圖l(b)所示。圖形中的陰影部分未涂光刻膠。每個電極圖案分別與正方形
Fe2.95Pt。.。503薄膜的四個邊有0. 15微米的重疊部分。將樣品送入真空室，連續(xù)制備50納米
厚的鈦層和500納米厚的金層形成電極，鈦靶和金靶均采用直流濺射； 6、制備保護(hù)層。通過磁力轉(zhuǎn)軸將樣品送到副真空室，取出樣品，除去光刻膠；用掩
膜的方法在基片上正方形Fe^5Pt。.。503的上方形成為了沉積保護(hù)層的正方形圖案，正方形
的邊長在0. 5 1. 2微米，將Fe2.95Pt。.。503完全覆蓋。將樣品送入真空室制備二氧化硅保護(hù)
層。二氧化硅靶采用射頻濺射，利用計算機(jī)控制程序，設(shè)定濺射功率為200W，濺射時間為10
分鐘，得到霍爾元件。 采用Dektak 3表面形貌儀測量得到活性層薄膜厚度為200nm，經(jīng)過X射線衍射分 析和X射線光電子能譜分析表明薄膜的主要成分為Fe2.95Pt。.。503。 利用美國Quantum Design公司生產(chǎn)的物理性質(zhì)測量儀PPMS-9，在2K 500K 的溫度范圍內(nèi)對霍爾元件的電阻率進(jìn)行測量。結(jié)果表明，樣品的電阻率在950y Qcm 1150 ii Qcm范圍內(nèi)，大小和變化范圍均小于通常的半導(dǎo)體及FeNi-Si02、 Ni_Si02、 Co_Si02 等顆粒薄膜材料。 利用美國Quantum Design公司生產(chǎn)的物理性質(zhì)測量儀PPMS-9，在2K 500K的溫 度范圍內(nèi)對霍爾元件的飽和霍爾電阻率進(jìn)行測量，結(jié)果見圖2插圖(a)。飽和霍爾電阻率隨 溫度的變化反映了霍爾元件性能的穩(wěn)定性。飽和霍爾電阻率隨溫度的變化越小，表明霍爾 元件的溫度穩(wěn)定性越強(qiáng)，工作溫度范圍越寬。結(jié)果表明，在2K 500K的溫度范圍內(nèi)，飽和 霍爾電阻率的值變化了 12X，而在同樣條件下，Ni-Si02顆粒薄膜材料的霍爾電阻率變化了 80%。 利用美國Quantum Design公司生產(chǎn)的物理性質(zhì)測量儀PPMS-9，在-7kOe到7kOe 的磁場范圍內(nèi)，在2K 500K的溫度范圍內(nèi)，對霍爾元件的線性度進(jìn)行測量。傳感器的線性 度表征著器件對不同磁場的測量精度。在_7kOe到7kOe的磁場范圍內(nèi)，每個溫度下測得的 本霍爾元件霍爾電阻率與磁場均保持很好的線性關(guān)系，結(jié)果見圖2。為定量表示測量曲線的 線性度，采用線性擬合的方法，得出不同溫度下的最大相對誤差。在2K 500K的溫度范圍 內(nèi)，樣品的線性度小于十萬分之二，結(jié)果見圖2插圖(b)。
實施例2
1、活性層圖案的制備同實施例1步驟1 ;
2 、室溫下通入氬氣和氧氣，同實施例1步驟2 ;
3 、預(yù)濺射同實施例1步驟3 ; 4、濺射成膜。打開石英基片的擋板，基片以20轉(zhuǎn)/分鐘的速度勻速旋轉(zhuǎn)，控制濺 射時間分別為0. 5分鐘、2分鐘和20分鐘，制得樣品I、 II和III ;
5、電極的制備方法同實施例1步驟5 ;
6、保護(hù)層的制備方法同實施例1步驟6 ; 采用Dektak 3表面形貌儀測量得到活性層的厚度，結(jié)果列于表1中。利用美國Quantum Design公司生產(chǎn)的物理性質(zhì)測量儀PPMS-9，在2K 500K的溫
度范圍內(nèi)對霍爾元件I、 II和III的電阻率進(jìn)行測量，結(jié)果列于表1中。利用美國Quantum Design公司生產(chǎn)的物理性質(zhì)測量儀PPMS-9，在2K 500K的溫
度范圍內(nèi)對霍爾元件的飽和霍爾電阻率進(jìn)行測量，三個霍爾元件的飽和霍爾電阻率變化范
圍分別列于表l中。利用美國Quantum Design公司生產(chǎn)的物理性質(zhì)測量儀PPMS-9，在_7k0e到7k0e 的磁場范圍內(nèi)，在2K 500K的溫度范圍內(nèi)，對霍爾元件的線性度進(jìn)行測量。三個霍爾元件 的線性度的變化和保持線性度的磁場范圍分別列于表1中。
表1霍爾元件I、 II和III的性能參數(shù)。
樣品編 號活性層厚度 (nm)電阻率 (U Q cm)霍爾電阻率的變化 (%)線性度 (%"保持線性度的磁場 (kOe)
I42300 3500280. 01-7 7
II401720 2260190. 01-7 7
III400250 42081. 2-7 7
8
權(quán)利要求
一種納米晶薄膜磁敏材料，其特征在于化學(xué)式為Fe2.95Pt0.05O3，其薄膜厚度在4～400納米。
2. 如權(quán)利要求1所述的納米晶薄膜磁敏材料，其特征在于薄膜厚度優(yōu)選8 350納米。
3. 如權(quán)利要求1或2任一所述的納米晶薄膜磁敏材料，其特征在于所述的薄膜厚度最 優(yōu)選10 200納米。
4. 如權(quán)利要求1或2任一所述的納米晶薄膜磁敏材料，其特征在于該納米晶 Fe2.95Pt。.。503薄膜磁敏材料的制備方法經(jīng)過下述步驟1) 用光刻和掩膜的方法在基片上形成為了沉積薄膜的"十"字形圖案，圖案中心正方形 的邊長在0. 3 1. 0微米，中心正方形的四個邊上突出部分的長度為0. 2微米；2) 采用通用的超高真空磁控濺射鍍膜機(jī)，在背底真空度小于5. 0X 10—5Pa時，將純度大 于99. 999%的高純度的Ar氣和02氣的混合氣體通入真空室，其中Ar氣流量為10sccm， 02 氣流量為2. 7sccm ;3) 待真空度下降為1. 0Pa以下，將超高真空閘板閥的開啟度設(shè)定為20% ;在鐵靶上加 以設(shè)定為475W的直流功率，在鉑靶上加以設(shè)定為50W的直流功率，預(yù)濺射5分鐘；4) 打開鐵靶、鉬靶和基片的擋板，基片以20轉(zhuǎn)/分鐘的速度勻速旋轉(zhuǎn)，控制濺射時間在 0. 5 20分鐘成膜，即得到所需的納米晶Fe2.95Pt。.。503薄膜磁敏材料。
5. —種霍爾元件，其特征在于它是由在基片上形成的納米晶Fe2.95Pt。.。503薄膜磁敏材 料作為活性層、金屬電極層和保護(hù)層構(gòu)成，金屬電極層與活性層接觸，保護(hù)層直接覆蓋活性 層；所述的基片是玻璃、石英、單晶硅或單晶砷化鎵；所述？62.95 ^.。503磁性薄膜的薄膜厚度 在4 400納米。
6. 如權(quán)利要求5所述的霍爾元件，其特征在于所述的活性層Fe2.95Pt。.。503磁性薄膜，薄 膜厚度優(yōu)選8 350納米。
7. 如權(quán)利要求5或6任一所述的霍爾元件，其特征在于所述的薄膜厚度最優(yōu)選10 200納米。
8. 如權(quán)利要求5或6任一所述的霍爾元件，其特征在于所述的活性層是"十"字形。
9. 如權(quán)利要求5或6任一所述的霍爾元件，其特征在于所述的活性層的線度在0. 3 1微米；所述的金屬電極層是鈦和金電極層；所述的保護(hù)層是二氧化硅保護(hù)層；所述的二氧 化硅保護(hù)層的厚度為50納米。
10. 如權(quán)利要求5或6任一所述的霍爾元件，其特征在于所述的霍爾元件的制備方法是 經(jīng)過下述步驟1) 用光刻和掩膜的方法在基片上形成為了沉積薄膜的"十"字形圖案，圖案中心正方形 的邊長在0. 3 1. 0微米，中心正方形的四個邊上突出部分的長度為0. 2微米；2) 采用通用的超高真空磁控濺射鍍膜機(jī)，在背底真空度小于5. 0X 10—5Pa時，將純度大 于99. 999%的高純度的Ar氣和02氣的混合氣體通入真空室，其中Ar氣流量為10sccm， 02 氣流量為2. 7sccm ;3) 待真空度下降為l.OPa以下，將超高真空閘板閥的開啟度設(shè)定為20% ;在鐵靶上加 以設(shè)定為475W的直流功率，在鉑靶上加以設(shè)定為50W的直流功率，預(yù)濺射5分鐘；4) 打開鐵靶、鉬靶和基片的擋板，基片以20轉(zhuǎn)/分鐘的速度勻速旋轉(zhuǎn)，控制濺射時間在 0. 5 20分鐘成膜;5) 通過磁力轉(zhuǎn)軸將樣品送到副真空室，取出樣品，除去光刻膠；用光刻和掩膜的方法 在基片上正方形Fe^5Pt。.。A薄膜的四個邊的外側(cè)形成為了沉積四個電極的矩形圖案，每 個電極圖案分別與正方形Fe^5Pt。.。A薄膜的四個邊有0. 15微米的重疊部分。將樣品送入 真空室，連續(xù)制備50納米厚的鈦層和500納米厚的金層形成電極，鈦靶和金靶均采用直流6) 通過磁力轉(zhuǎn)軸將樣品送到副真空室，取出樣品，除去光刻膠；用光刻和掩膜的方法 在基片上正方形Fe2jPt。.。503薄膜的上方形成為了沉積保護(hù)層的正方形圖案，正方形的邊 長在0. 5 1. 2微米，將Fe2.95Pt。.。503薄膜完全覆蓋。將樣品送入真空室制備二氧化硅保護(hù) 層。二氧化硅靶采用射頻濺射，設(shè)定濺射功率為200W，濺射時間為10分鐘。
全文摘要
一種薄膜材料及其制備方法，特別是一種可以應(yīng)用于霍爾元件磁敏感活性層的Fe2.95Pt0.05O4薄膜材料及其制備方法。所涉及的納米晶Fe2.95Pt0.05O4磁敏感薄膜厚度在4～400納米；所涉及的納米晶Fe2.95Pt0.05O4薄膜與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體薄膜相比，具有電阻率低、工作溫度范圍寬、線性度好、體積小等優(yōu)點，而且制備簡單、成本低，因而在航空、航天、軍事等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
文檔編號H01L43/06GK101789488SQ20101012310
公開日2010年7月28日 申請日期2010年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月12日
發(fā)明者劉暉, 李魯艷, 程雅慧, 羅曉光 申請人:南開大學(xué)