專利名稱：半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的晶圓級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)及制造方法。
背景技術(shù)：
晶圓級(jí)芯片尺寸封裝通常是把半導(dǎo)體芯片上外圍排列的焊墊通過再分布過程分布成面陣排列的大量金屬焊球，所述金屬焊球也被稱為焊接凸點(diǎn)。由于晶圓級(jí)芯片尺寸封裝先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測(cè)試，然后再切割，因而有著更明顯的優(yōu)勢(shì)首先是工藝工序大大優(yōu)化，晶圓直接進(jìn)入封裝工序，而傳統(tǒng)工藝在封裝之前要對(duì)晶圓進(jìn)行切割、分類；并且，所述晶圓級(jí)芯片尺寸封裝是所有集成電路一次封裝，刻印工作直接在晶圓上進(jìn)行，封裝測(cè)試一次完成，有別于傳統(tǒng)組裝工藝，使得生產(chǎn)周期和生產(chǎn)成本大幅下降。硅通孔是在晶圓背部制作垂直導(dǎo)通孔，實(shí)現(xiàn)電信號(hào)輸出的最新技術(shù)，其與一般三維堆疊技術(shù)利用在芯片四周打線實(shí)現(xiàn)堆疊芯片互聯(lián)的方式不同，硅通孔技術(shù)通過直接在焊墊上通孔并形成電通路的方式，形成了真正意義上的堆疊芯片的垂直互聯(lián)，顯著縮短了電連接的距離，大大改善信號(hào)傳輸速度，降低了功耗，并被期許會(huì)提供更好的產(chǎn)品可靠性。在現(xiàn)有技術(shù)中，形成通孔結(jié)構(gòu)的工藝方法通常包括以下步驟首先，在晶圓表面蝕刻出硅孔；接著，在所述硅孔表面形成絕緣層(通常為二氧化硅)；然后，金屬化所述硅孔；之后，采用銅電鍍的方法填充所述硅孔，并利用化學(xué)機(jī)械拋光的方法移除多余的銅層；最后，背面磨削所述晶圓，以暴露出所述銅層，完成通孔結(jié)構(gòu)。這種工藝流程能夠有效地實(shí)現(xiàn)高密度的三維通孔互連，但是存在如下的問題首先，在晶圓和銅層之間只有一層很薄的絕緣層，這導(dǎo)致在硅通孔互連間形成了很高的電容，有時(shí)甚至超過了傳統(tǒng)的引線鍵合互連 方式的電容值；并且，較厚的銅層被填充于所述硅孔之中，由于硅和銅之間具有較大的熱失配，這會(huì)導(dǎo)致在熱循環(huán)過程中產(chǎn)生很顯著的熱應(yīng)力；并且，還需要克服電鍍銅時(shí)產(chǎn)生的空洞(void)或線縫(seam)現(xiàn)象；此外，采用電鍍銅以完全填充硅孔的方法需要很長的工時(shí)，增 加了生產(chǎn)成本。申請(qǐng)?zhí)枮?00810178977. 7的中國專利公開了一種晶圓級(jí)芯片封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)，其可以增加中介金屬層與焊墊連接的連接面積，但是，由于通孔開口尺寸通常為100 120um，而所述通孔底部尺寸通常為50 60um，由于通孔開口的尺寸極其微小，且所述通孔的深度較大，因此在形成絕緣層或中介金屬層的過程中，所述通孔開口極易被絕緣材料或金屬堵塞住，導(dǎo)致所述通孔的側(cè)壁很難沉積到絕緣材料和中介金屬層，而一顆芯片通常具有幾十個(gè)通孔，只要其中一個(gè)通孔的側(cè)壁沒有沉積上絕緣材料或中介金屬層，或者沉積的效果不理想，就會(huì)導(dǎo)致一顆芯片電性能失效，對(duì)于晶圓級(jí)芯片尺寸封裝而言，一片晶圓有上千顆芯片，其芯片電性能失效的概率被成百倍地放大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種可避免絕緣材料或金屬堆積在通孔的開口處的封裝結(jié)構(gòu)，提高產(chǎn)品的可靠性，并減小封裝結(jié)構(gòu)的尺寸。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)包括基體，包括正面以及與所述正面相對(duì)的背面；半導(dǎo)體器件，位于所述基體 的正面；多個(gè)焊墊，位于所述基體的正面且分立排布在所述半導(dǎo)體器件的外圍；通孔，位于 所述基體的背面并與所述焊墊相對(duì)應(yīng)；中介金屬層，與所述焊墊電連接；焊接凸點(diǎn)，與所述 中介金屬層電連接；其中，所述通孔外圍的基體的厚度小于所述通孔內(nèi)側(cè)的基體的厚度。在所述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)中，所述通孔內(nèi)側(cè)的所述基體的厚度為30 150um，所述通孔外圍的基體的厚度為20 50um。在所述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)中，所述通孔側(cè)壁與所述基體的正面的夾角為銳角。在所述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)中，所述焊接凸點(diǎn)位于所述中介金屬層上。在所述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)中，還包括位于所述中介金屬層和所述基體之間的 絕緣層。在所述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)中，還包括位于所述中介金屬層上的保護(hù)層，所述 保護(hù)層具有暴露所述中介金屬層的開口。在所述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)中，還包括基板以及位于所述基板上并與所述焊墊 壓合的空腔壁。在所述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)中，所述半導(dǎo)體器件為影像傳感芯片、發(fā)光二極管 或微機(jī)電系統(tǒng)。相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供基體， 所述基體包括正面以及與所述正面相對(duì)的背面，所述基體的正面形成有半導(dǎo)體器件，所述 半導(dǎo)體器件的外圍形成有多個(gè)分立的焊墊；刻蝕所述基體的背面與所述焊墊相對(duì)應(yīng)的位 置，形成通孔；去除部分基體，使得通孔外圍的基體的厚度小于通孔內(nèi)側(cè)的基體的厚度；形 成與所述焊墊電連接的中介金屬層；形成與所述中介金屬層電連接的焊接凸點(diǎn)。在所述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中，利用機(jī)械切割的方式去除所述部分 基體。在所述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中，所述通孔內(nèi)側(cè)的基體的厚度為 30 150um，所述通孔外圍的基體的厚度為20 50um。在所述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中，所述通孔側(cè)壁與所述基體的正面的 夾角為銳角。在所述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中，所述焊接凸點(diǎn)位于所述中介金屬層 上。在所述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中，在形成所述中介金屬層之前還包 括在所述基體的背面和所述通孔的側(cè)壁上形成絕緣層。在所述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中，在形成所述焊接凸點(diǎn)之前還包括 在所述中介金屬層上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層具有暴露所述中介金屬層的開口。在所述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中，所述半導(dǎo)體器件為影像傳感芯片、 發(fā)光二極管或微機(jī)電系統(tǒng)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法具有以下優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明在形成通孔之后，去除部分基體使得通孔外圍的基體的厚度小于通孔內(nèi)側(cè) 的基體的厚度，從而使得所述通孔的深度相應(yīng)的變小，可確保所述通孔的開口處不易形成 金屬或絕緣材料的堆積，大大提高制程的良率，進(jìn)而提高產(chǎn)品的可靠性，有利于進(jìn)行規(guī)模化生產(chǎn)。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖；圖3至圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的各步驟 相應(yīng)結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明在形成通孔之后，去除部分基體使得通孔外圍的基體的厚度小于通孔內(nèi)側(cè) 的基體的厚度，從而使得所述通孔的深度變小，可確保所述通孔的開口處不易形成金屬或 絕緣材料的堆積，大大提高制程的良率，進(jìn)而提高產(chǎn)品的可靠性，有利于進(jìn)行規(guī)?；a(chǎn)。下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)及制造方法進(jìn)行更詳細(xì)的 描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本 發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的 廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能 和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開 發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的 限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi) 時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要 求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非 精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。請(qǐng)參考圖1，其為本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，如圖 1所示，該半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)包括基體100、半導(dǎo)體器件101、多個(gè)焊墊102、中介金屬 層103、焊接凸點(diǎn)104以及多個(gè)通孔100A。其中，基體100包括正面以及與所述正面相對(duì)的背面，所述半導(dǎo)體器件101位于基 體100的正面，所述多個(gè)焊墊102位于基體100的正面且分立排布在半導(dǎo)體器件101的外 圍，所述焊墊102的作用是形成半導(dǎo)體器件101內(nèi)部電路與外部電路的互聯(lián)連接點(diǎn)，所述通 孔100A位于基體100的背面并與焊墊102 —一對(duì)應(yīng)，所述中介金屬層103與焊墊102電連 接，所述焊接凸點(diǎn)104與中介金屬層103電連接。其中，所述通孔100A的外圍的基體的厚 度小于所述通孔100A的內(nèi)側(cè)的基體的厚度，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述通孔100A外圍的基體 是指靠近封裝結(jié)構(gòu)邊緣的部分基體，而所述通孔100A內(nèi)側(cè)的基體是指與半導(dǎo)體器件101相 對(duì)應(yīng)的部分基體。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例在形成通孔100A之后，去除部分基體，使得通孔 100A的深度相應(yīng)的變小，可確保所述通孔100A的開口處不易形成金屬或絕緣材料的堆積， 避免出現(xiàn)空洞(void)或線縫(seam)，提高制程的良率，進(jìn)而提高產(chǎn)品的可靠性，有利于進(jìn) 行規(guī)模化生產(chǎn)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述通孔100A內(nèi)側(cè)的基體的厚度為30 150um，而所 述通孔100A外圍的基體的厚度僅為20 50um。進(jìn)一步的，通孔100A的側(cè)壁與基體100正面的夾角為銳角，可確保通孔100A的開 口的尺寸大于其底部的尺寸，有利于避免通孔100A的開口處被絕緣材料或金屬堵塞住，可 確保通孔100A的側(cè)壁沉積到絕緣材料和金屬。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述焊接凸點(diǎn)104設(shè)置在基體100背面的中介金屬層 103上，中介金屬層103的一端與焊接凸點(diǎn)104的底部直接接觸，也就是說，中介金屬層103 與焊接凸點(diǎn)104和焊墊102直接接觸，從而形成從焊接凸點(diǎn)104到焊墊102的電通路。其 中，焊墊102可直接使用基體100上原有的焊墊而無需引出額外的焊墊，以提高基體100的 利用率。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，中介金屬層103具有一定的電路圖形，以形成每個(gè)焊 接凸點(diǎn)104與相應(yīng)焊墊102之間的獨(dú)立的電通路，中介金屬層103上的電路圖形可以是通 過光刻工藝形成的。其中，中介金屬層103的材質(zhì)可以是金屬，例如鋁、鋁鎳合金或黃金等。 當(dāng)然，如果根據(jù)半導(dǎo)體器件的需要，中介金屬層103需要具有透明的性質(zhì)時(shí)，則中介金屬層 103的材質(zhì)則可以是同時(shí)具備導(dǎo)電和透明性質(zhì)的材質(zhì)，例如，納米銦錫金屬氧化物(ITO)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，由于基體100的材質(zhì)是硅，因此需要在中介金屬層103 和基體100之間設(shè)置絕緣層105，以避免漏電。詳細(xì)的，絕緣層105是設(shè)置在基體100的背 面以及通孔100A的側(cè)壁。所述絕緣層105的厚度可以為2um 20um，其材質(zhì)可以是光刻膠 或樹脂，當(dāng)然其材質(zhì)也可為氮化硅、氧化硅或帕利靈(Parylene)。優(yōu)選的，本實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)還包括位于中介金屬層103上的 保護(hù)層106，以提供對(duì)中介金屬層103的保護(hù)，所述保護(hù)層106覆蓋中介金屬層103，并具有 暴露中介金屬層103的開口(未圖示)，所述開口的直徑與焊接凸點(diǎn)104的徑向直徑相等或 幾乎相等，使得保護(hù)層106既能完全覆蓋中介金屬層103，又能暴露焊接凸點(diǎn)104。所述保 護(hù)層106的材質(zhì)可以是光刻膠。進(jìn)一步的，所述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)還包括基板107以及位于基板107上的空 腔壁108，所述空腔壁108與焊墊102壓合。所述空腔壁108是圍墻狀的閉環(huán)結(jié)構(gòu)，所述空 腔壁108所圍成的區(qū)域可以包圍半導(dǎo)體器件101而不包圍焊墊102，當(dāng)然，所述空腔壁108 所圍成的區(qū)域也可包圍焊墊102。所述基板107的材質(zhì)需具有一定厚度和硬度，例如，其可以是裸硅片或樹脂等。若 所述半導(dǎo)體器件101需要透過基板107獲取光學(xué)信號(hào)時(shí)，除了提供絕緣和支撐性能以外，所 述基板107還需要具有透明的性質(zhì)，例如基板107的材質(zhì)可以是玻璃。所述空腔壁108與基板107可以是同一種材料，即所述空腔壁108是在基板107上開槽形成的。當(dāng)然，所述空腔壁108與基板107也可以是由不同材料制成的，例如，所述 空腔壁108的材質(zhì)是負(fù)性光刻膠，其是通過光刻工藝形成在基板107上。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，如圖2所示，該制造方法包括以下步驟步驟S100，提供基體，所述基體包括正面以及與正面相對(duì)的背面，所述基體的正面 形成有半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件的外圍形成有多個(gè)分立的焊墊；步驟S110，刻蝕所述基體的背面與所述焊墊相對(duì)應(yīng)的位置，形成通孔；步驟S120，去除部分基體，使得通孔外圍的基體的厚度小于通孔內(nèi)側(cè)的基體的厚度；步驟S130，形成與所述焊墊電連接的中介金屬層；步驟S140，形成與所述中介金屬層電連接的焊接凸點(diǎn)。圖3至圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的示意圖，下面結(jié)合圖3至圖11對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)的 制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。如圖3所示，首先提供基體100，所述基體100包括正面以及與所述正面相對(duì)的背 面，所述基體100的正面形成有半導(dǎo)體器件101、焊墊102以及鈍化層109。所述焊墊102 的數(shù)量為多個(gè)，所述多個(gè)焊墊102分立排布在所述半導(dǎo)體器件101的外圍，所述焊墊102的 作用是形成半導(dǎo)體器件101的內(nèi)部電路與外部電路的互聯(lián)連接點(diǎn)。所述鈍化層109位于所 述基體100的正面上，且所述鈍化層109包覆部分焊墊102。所述半導(dǎo)體器件101可以是影 像傳感芯片、發(fā)光二極管或微機(jī)電系統(tǒng)。如圖4所示，接著提供基板107，所述基板107上形成有空腔壁108，并在空腔壁 108遠(yuǎn)離基板107的一面形成粘合層(未圖示)，所述粘合層既可以實(shí)現(xiàn)粘結(jié)的作用，又可 以起到絕緣和密封的作用，再將基板107與基體100對(duì)應(yīng)壓合，使得基板107、空腔壁108以 及基體100包圍形成密封半導(dǎo)體器件101的空腔，而焊墊102則位于所述空腔之外。如圖5所示，利用化學(xué)機(jī)械研磨的方式對(duì)基體100的背面進(jìn)行減薄，減薄后的基體 100的厚度在30um至120um之間。如圖6所示，刻蝕所述基體100的背面與所述焊墊102相對(duì)應(yīng)的位置，以形成通 孔100A。詳細(xì)的，刻蝕所述基體100包括以下步驟首先在基體100的背面旋涂一層光刻 膠層；然后通過光刻的方法，在光刻膠層對(duì)應(yīng)于焊墊102的位置開出暴露基體100的背面的 開口 ；然后再以所述光刻膠層為掩膜，利用等離子干法刻蝕的方式，刻蝕基體100的背面直 至暴露出覆蓋焊墊102的鈍化層109 ；最后，去除所述光刻膠層，即可形成圖6所示的通孔 IOOA0如圖7所示，本發(fā)明的關(guān)鍵步驟是，在形成通孔100A之后，去除部分基體(即相鄰 的封裝結(jié)構(gòu)的相鄰焊墊之間的基體)，使得所述通孔100A外圍的基體的厚度大于所述通孔 100A內(nèi)側(cè)的基體的厚度，從而使得通孔100A的深度相應(yīng)的變小，進(jìn)而避免在后續(xù)步驟中通 孔100A的開口處被絕緣材料或金屬堵塞住，可避免出現(xiàn)空洞(void)或線縫(seam)，提高產(chǎn) 品的可靠性，有利于進(jìn)行規(guī)?；a(chǎn)。并且，由于去除了部分基體，也使得封裝結(jié)構(gòu)的外形 尺寸變小，可減少芯片信號(hào)延遲、降低功耗，提高半導(dǎo)體器件的性能。在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，可利用機(jī)械切割的方式去除所述部分基體，以確 保通孔100A外圍的基體厚度變小。如圖8所示，接著，在基體100背面以及通孔100A的側(cè)壁上形成絕緣層105。所述 絕緣層105可通過電鍍、化學(xué)氣相沉積法(CVD)、旋涂法(spin)或噴涂法(spray coating)等方式形成，由于去除了部分基體，使得通孔IOOA的深度也相應(yīng)變小，在形成絕緣層105的 過程中，通孔100A的開口處不易被絕緣材料堵塞住，可確保通孔100A的側(cè)壁沉積到絕緣材 料，避免出現(xiàn)空洞或線縫，使得絕緣層形成工藝變得易于操作，工藝簡單，重復(fù)性及再現(xiàn)性 好，可大大提高制程的良率，進(jìn)而提高產(chǎn)品的可靠性。如圖9所示，利用公知的等離子體蝕刻工藝將覆蓋焊墊102表面的鈍化層109去除掉，使焊墊102的表面暴露出來。如圖10所示，在基體100的背面以及通孔100A內(nèi)形成中介金屬層103，使得中介 金屬層103在通孔100A的底部與焊墊102形成直接連接。所述中介金屬層103的材質(zhì)可 以是鋁或銅等金屬，其可利用真空濺鍍技術(shù)形成。由于去除了部分基體，使得通孔100A的 深度也相應(yīng)變小，在形成中介金屬層103的過程中，通孔100A的開口處不易被金屬堵塞住， 可確保通孔100A的側(cè)壁和底部沉積到金屬，避免出現(xiàn)空洞或線縫，使得中介金屬層形成工 藝變得易于操作，工藝簡單，重復(fù)性及再現(xiàn)性好。接著，可利用光刻和蝕刻等技術(shù)圖形化中 介金屬層103，以使中介金屬層103具有電路圖形，從而形成每個(gè)焊接凸點(diǎn)104與相應(yīng)的焊 墊102之間的獨(dú)立的電通路。如圖11所示，在中介金屬層103上形成保護(hù)層106，可利用光刻和蝕刻等技術(shù)，使 保護(hù)層106具有暴露中介金屬層103的開口。最后，在所述開口處形成焊墊凸點(diǎn)104，以形成如圖1所示的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié) 構(gòu)，其中，焊接凸點(diǎn)104可利用鋼板印刷、電鍍或植球等方式形成。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括基體，包括正面以及與所述正面相對(duì)的背面；半導(dǎo)體器件，位于所述基體的正面；多個(gè)焊墊，位于所述基體的正面且分立排布在所述半導(dǎo)體器件的外圍；通孔，位于所述基體的背面并與所述焊墊相對(duì)應(yīng)；中介金屬層，與所述焊墊電連接；焊接凸點(diǎn)，與所述中介金屬層電連接；其特征在于，所述通孔外圍的基體的厚度小于所述通孔內(nèi)側(cè)的基體的厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔內(nèi)側(cè)的基體的 厚度為30 150um。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔外圍的基體的 厚度為20 50um。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔側(cè)壁與所述基 體的正面的夾角為銳角。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述焊接凸點(diǎn)位于所述 中介金屬層上。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括位于所述中介金 屬層和所述基體之間的絕緣層。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括位于所述中介金 屬層上的保護(hù)層，所述保護(hù)層具有暴露所述中介金屬層的開口。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括基板以及位于所 述基板上并與所述焊墊壓合的空腔壁。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為影像 傳感芯片、發(fā)光二極管或微機(jī)電系統(tǒng)。
10.一種如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供基體，所述基體包括正面以及與所述正面相對(duì)的背面，所述基體的正面形成有半 導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件的外圍形成有多個(gè)分立的焊墊； 刻蝕所述基體的背面與所述焊墊相對(duì)應(yīng)的位置，形成通孔； 去除部分基體，使得通孔外圍的基體的厚度小于通孔內(nèi)側(cè)的基體的厚度； 形成與所述焊墊電連接的中介金屬層； 形成與所述中介金屬層電連接的焊接凸點(diǎn)。
11.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其特征在于，利用機(jī)械切割的方式去除所述部分基體。
12.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述通孔內(nèi)側(cè)的基體的厚度為30 150umo
13.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述通孔外圍的基體的厚度為20 50umo
14.如權(quán)利要求10或13所述的制造方法，其特征在于，所述通孔側(cè)壁與所述基體的正 面的夾角為銳角。
15.如權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述焊接凸點(diǎn)位于所述中介金屬層上。
16.如權(quán)利要求15所述的制造方法，其特征在于，在形成所述中介金屬層之前還包括在所述基體的背面和所述通孔的側(cè)壁上形成絕緣層。
17.如權(quán)利要求19所述的制造方法，其特征在于，在形成所述焊接凸點(diǎn)之前還包括在所述中介金屬層上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層具有暴露所述中介金屬層的開口。
18.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為影像傳感芯片、發(fā)光二極管或微機(jī)電系統(tǒng)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，其中，所述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)包括基體，包括正面以及與所述正面相對(duì)的背面；半導(dǎo)體器件，位于所述基體的正面；多個(gè)焊墊，位于所述基體的正面且分立排布在所述半導(dǎo)體器件的外圍；通孔，位于所述基體的背面并與所述焊墊相對(duì)應(yīng)；中介金屬層，與所述焊墊電連接；焊接凸點(diǎn)，與所述中介金屬層電連接；所述通孔外圍的基體的厚度小于所述通孔內(nèi)側(cè)的基體的厚度，可避免絕緣材料或金屬堆積在通孔的開口處，提高產(chǎn)品的可靠性，并減小封裝結(jié)構(gòu)的尺寸。
文檔編號(hào)H01L23/485GK101800207SQ20101012344
公開日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2010年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月12日
發(fā)明者俞國慶, 王之奇, 王文斌, 王蔚, 鄒秋紅 申請(qǐng)人:晶方半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司