專利名稱：一種半透射式tft陣列基板制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種半透射式TFT陣列基板制 造方法。
背景技術(shù)：
隨著液晶制造技術(shù)的飛速發(fā)展，薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)液晶 顯示器在現(xiàn)代生活中有著越來越多的使用，例如手機(jī)顯示屏，筆記本電腦顯示屏，MP3，MP4 顯示屏，GPS顯示屏及液晶電視顯示屏等。由于液晶應(yīng)用領(lǐng)域的不斷豐富，人們對液晶性能的要求也越來越高，尤其是液晶 的可視性要求，不但要求液晶在室內(nèi)光線比較柔和時(shí)具有良好的可視性，而且在戶外強(qiáng)烈 的太陽光下也要求具有良好可視性。對于普通全透型TFT液晶顯示器來說，其不能滿足上 述可視性要求，在戶外使用時(shí)，由于太陽光的強(qiáng)烈反射，需要提高TFT液晶顯示器的表面亮 度，或者在TFT顯示屏的表面制作一層減少光反射的材料，才能達(dá)到在戶外使用的要求?，F(xiàn)有技術(shù)中，提高TFT液晶顯示器的表面亮度的方式主要是提高TFT液晶顯示器 背光的亮度。然而，TFT液晶顯示器背光亮度的提高無疑增加了器件的功耗，對器件的電源 供應(yīng)系統(tǒng)提出了更高的要求，譬如對于手機(jī)來說，提高手機(jī)顯示器的背光亮度的同時(shí)，必須 使配備能量的電池才能滿足手機(jī)高功耗的使用要求。為了不增加器件功耗的情況下，人們在實(shí)踐中發(fā)明了半透射型TFT液晶顯示器， 使得液晶顯示器在室內(nèi)和戶外陽光條件下均具有良好的可視性。在現(xiàn)有的半透射型TFT液晶顯示器制造工藝過程中，容易出現(xiàn)透射膜層脫落的情 形，導(dǎo)致制作半透射型液晶顯示器的良品率不高。在此情況下，如何克服半透射型液晶顯示 器制程中TFT陣列基板上透射膜層易脫落的問題，提高此類產(chǎn)品的良品率，就顯得極為迫 切。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種半透射式TFT陣列基板制造方法，解決在半透 射型液晶顯示器制程中TFT陣列基板上透射膜層易脫落的問題。本發(fā)明實(shí)施例提供一種半透射式TFT陣列基板制造方法，所述方法包括在玻璃基板上濺射柵極金屬層，所述柵極金屬層經(jīng)過光刻形成柵極圖形；在所述柵極金屬層之上連續(xù)沉積柵極絕緣層、半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層經(jīng)光刻形 成半導(dǎo)體層圖形；在所述半導(dǎo)體層圖形之上濺射源漏極金屬層，所述源漏極金屬層經(jīng)過光刻形成源 漏極金屬層圖形；在所述源漏極金屬層沉積絕緣膜保護(hù)層，所述絕緣膜保護(hù)層經(jīng)過光刻形成絕緣膜 保護(hù)層圖形；濺射透明像素層，所述透明像素層經(jīng)過光刻形成像素電極；
在所述透明像素層之上濺射金屬反射層以及透射膜層保護(hù)層，在經(jīng)過光刻形成像素金屬反射層圖形之后，通過蝕刻去掉所述透射膜層保護(hù)層，完成所述半透射式TFT陣列 基板制造。優(yōu)選的，所述透射膜層保護(hù)層為透明導(dǎo)電氧化物薄膜TC0。優(yōu)選的，所述透射膜層保護(hù)層的形成過程為清洗所述金屬反射層表面；依次利用金屬M(fèi)o和金屬Al或Al合金在所述金屬反射層表面濺射成膜，其中，Mo 為底層；在利用Mo和Al或Al合金濺射形成的薄膜之上濺射所述TCO膜，形成所述透射膜
層保護(hù)層。優(yōu)選的，所述通過蝕刻去掉所述透射膜層保護(hù)層包括用比例3. 4%的草酸刻蝕沒有光刻膠保護(hù)的TCO膜；用磷酸類混酸刻蝕沒有光刻膠保護(hù)的Mo和Al或者Al合金濺射形成的薄膜；用脫膜液對沒有顯影的光刻膠進(jìn)行脫膜處理；用比例3. 4 %草酸刻蝕剩余的TCO膜。優(yōu)選的，所述Mo濺射形成的膜厚為50納米，Al或Al合金濺射形成的膜厚為100 納米。優(yōu)選的，所述在所述柵極金屬層之上連續(xù)沉積柵極絕緣層、半導(dǎo)體層包括利用化 學(xué)氣相沉積方法在所述柵極金屬層之上連續(xù)沉積柵極絕緣層、半導(dǎo)體層。優(yōu)選的，所述在所述源漏極金屬層沉積絕緣膜保護(hù)層包括利用化學(xué)氣相沉積方 法在所述源漏極金屬層沉積絕緣膜保護(hù)層。優(yōu)選的，所述TCO 包括IT0、In203、SnO2, ZnO, CdO、AZO 或 IZO。優(yōu)選的，所述柵極絕緣層為氮化硅，半導(dǎo)體層為非晶硅或者重?fù)诫s的非晶硅。優(yōu)選的，所述絕緣膜保護(hù)層為氮化硅。優(yōu)選的，所述透明像素層為透明導(dǎo)電氧化物薄膜TC0。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的技術(shù)方案通過在金屬反射層上增加透射膜層保護(hù) 層，在對金屬反射層進(jìn)行光刻以形成像素金屬反射層時(shí)，該透射膜層保護(hù)層能夠有效保護(hù) 像素層(即透射膜層)，防止發(fā)生現(xiàn)有半透射式液晶顯示器制作過程中透射膜層容易脫落 的問題；并且，透射膜層保護(hù)層位于反射膜層之上，透射膜層保護(hù)層與反射膜層可以在同 一類型設(shè)備內(nèi)連續(xù)制作，因此，節(jié)省了制作時(shí)間，且不會對其下反射膜層造成反射率性能的 降低；且工藝簡單實(shí)用，不會對現(xiàn)有制造工藝中的光刻次數(shù)造成增加。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中 所需要使用的附圖作簡單地介紹。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí) 施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖 獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半透射式TFT陣列基板制造方法步驟流程示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半透射式TFT陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種透射膜層保護(hù)層的形成過程示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過蝕刻去掉所述透射膜層保護(hù)層的形成過程 示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于 本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。首先對半透射式TFT陣列基板制造方法進(jìn)行說明，參照圖1所示，該制造方法可以 包括步驟101、在玻璃基板上濺射柵極金屬層，所述柵極金屬層經(jīng)過光刻形成柵極圖 形；步驟102、在所述柵極金屬層之上連續(xù)沉積柵極絕緣層、半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層 經(jīng)光刻形成半導(dǎo)體層圖形；步驟103、在所述半導(dǎo)體層圖形之上濺射源漏極金屬層，所述源漏極金屬層經(jīng)過光 刻形成源漏極金屬層圖形；步驟104、在所述源漏極金屬層沉積絕緣膜保護(hù)層，所述絕緣膜保護(hù)層經(jīng)過光刻形 成絕緣膜保護(hù)層圖形；步驟105、濺射透明像素層，所述透明像素層經(jīng)過光刻形成像素電極；步驟106、在所述透明像素層之上濺射金屬反射層以及透射膜層保護(hù)層，在經(jīng)過光刻形成像素金屬反射層圖形之后，通過蝕刻去掉所述透射膜層保護(hù)層，完成所述半透射式 TFT陣列基板制造。本發(fā)明提供的技術(shù)方案通過在金屬反射層上增加透射膜層保護(hù)層，在對金屬反射 層進(jìn)行光刻以形成像素金屬反射層時(shí)，該透射膜層保護(hù)層能夠有效保護(hù)像素層(即透射膜 層)，防止發(fā)生現(xiàn)有半透射式液晶顯示器制作過程中透射膜層容易脫落的問題；并且，透射膜層保護(hù)層位于反射膜層之上，透射膜層保護(hù)層與反射膜層可以在同 一類型設(shè)備內(nèi)連續(xù)制作，因此，節(jié)省了制作時(shí)間，且不會對其下反射膜層造成反射率性能的 降低；且工藝簡單實(shí)用，不會對現(xiàn)有制造工藝中的光刻次數(shù)造成增加。此外，需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的透射膜層保護(hù)層在半透射式TFT陣列基 板制造的最后需要被蝕刻掉，該透射膜層保護(hù)層只是在半透射式TFT陣列基板的制作過程 中存在，因此，對于本行業(yè)現(xiàn)有的半透射式TFT陣列基板制作技術(shù)中透射膜層容易在顯影 的過程中脫落的缺點(diǎn)有很好的克服作用。為了便于對本發(fā)明進(jìn)一步的理解，下面結(jié)合本發(fā)明的具體實(shí)施方式
對本發(fā)明進(jìn)行 詳細(xì)描述。如圖2所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半透射式TFT陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖，圖 中示出了本發(fā)明實(shí)施例中的半透射式TFT陣列基板所包含的各個(gè)膜層。其中，1為柵極金屬層，通過濺射的方式形成于透明玻璃基板(圖1中未示出)之上，所述柵極金屬層 經(jīng)過光刻形成柵極圖形；2為柵極絕緣層，可以通過化學(xué)氣相沉積(CVD，Chemical Vapor Deposition)方法產(chǎn)生；3為半導(dǎo)體層，同樣可以通過化學(xué)氣相沉積方法產(chǎn)生，半導(dǎo)體層形 成之后，需經(jīng)過光刻形成半導(dǎo)體層圖形；4為源漏極金屬層，通過濺射的方式產(chǎn)生，源漏極 金屬層形成后，需經(jīng)過光刻形成源漏極金屬層圖形；5為絕緣膜保護(hù)層，可以通過化學(xué)氣相 沉積方法產(chǎn)生，經(jīng)過光刻形成緣膜保護(hù)層圖形，本發(fā)明實(shí)施例中，該絕緣膜保護(hù)層為氮化 硅，同時(shí)利用柵極金屬層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源漏極金屬層和絕緣膜保護(hù)層的圖形形 成反射層的區(qū)域，該反射層的區(qū)域呈現(xiàn)凹槽和凸點(diǎn)形狀，以便形成漫反射效果；6為像素 層，即透射膜層，通過濺射方式產(chǎn)生，并且，經(jīng)過光刻形成像素電極；7為金屬反射層，通過 濺射方式產(chǎn)生，并且，經(jīng)過光刻形成像素金屬反射層圖形；8為透射膜層保護(hù)層，通過濺射 方式產(chǎn)生。 需要說明的是，透射膜層保護(hù)層為單層，為透明導(dǎo)電氧化物薄膜(TC0， Transparent Conductive Oxide)，包括且不限于 ΙΤ0、ln203、SnO2, ZnO、CdO, AZO 或 IZO 等 透明導(dǎo)電膜材料。透射膜層保護(hù)層位于反射膜層之上，可以與反射膜層在同一類型設(shè)備內(nèi) 連續(xù)制作，節(jié)省了制作時(shí)間，且不會對其下反射膜層造成在反射率性能的降低。本發(fā)明實(shí)施例中，所述透射膜層保護(hù)層的形成過程如圖3所示，其步驟流程具體 包括步驟301、清洗所述金屬反射層表面；通過清洗金屬反射層表面，使其凈化；步驟302、依次利用金屬M(fèi)o和金屬Al或Al合金在所述金屬反射層表面濺射成膜， 其中，Mo為底層；本發(fā)明實(shí)施例中，可以利用Al同Mo在所述金屬反射層表面濺射成膜，也可以利用 添加了雜質(zhì)的Al合金，例如可以是添加了 0. 1 0. 5重量％ Cu的Al合金或者其他Al合 金，本發(fā)明對此并不做具體限定。此外，所述Mo濺射形成的膜厚為50納米，Al或Al合金濺射形成的膜厚為100納 米。步驟303、在利用Mo和Al或Al合金濺射形成的薄膜之上濺射所述TCO膜，形成所 述透射膜層保護(hù)層。如果在沒有透射膜層保護(hù)層的情況下，光刻反射層圖案時(shí)，沒有光刻膠保護(hù)的那 一部分金屬反射層的上層金屬Al或者Al合金，在顯影的工藝過程中會與顯影液四甲基氫 氧化銨(TMAH)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致這一部分的金屬反射層脫落，這部分金屬反射層脫落的 同時(shí)因?yàn)檎掣搅Φ拇嬖诎哑湎聦拥耐干淠覶CO膜一同帶落。如果有透射膜層保護(hù)層的存 在，則光刻反射層圖案時(shí)，沒有光刻膠保護(hù)的那一部分金屬反射層在顯影的工藝過程中，因 為透射膜層保護(hù)層TCO膜的存在，就會避免顯影液四甲基氫氧化銨直接接觸金屬反射膜層 的上層金屬Al或者Al合金，而直接接觸顯影液四甲基氫氧化銨的透射膜層保護(hù)層TCO膜 又不會和顯影液四甲基氫氧化銨發(fā)生反應(yīng)，從而避免了金屬反射層膜層Al或者Al合金與 顯影液發(fā)生反應(yīng)，也就避免了金屬反射膜層脫落的問題，最終也避免了透射膜層發(fā)生脫落 的問題。在經(jīng)過光刻形成像素金屬反射層圖形之后，需要將透射膜層保護(hù)層從金屬反射層表面去除，本發(fā)明實(shí)施例中，通過蝕刻去掉所述透射膜層保護(hù)層，該實(shí)現(xiàn)工藝流程可以參見 圖4所示，具體包括以下步驟步驟401、用比例3. 4%的草酸刻蝕沒有光刻膠保護(hù)的TCO膜；步驟402、用磷酸類混酸刻蝕沒有光刻膠保護(hù)的Mo和Al或者Al合金濺射形成的
薄膜；步驟403、用脫膜液對沒有顯影的光刻膠進(jìn)行脫膜處理；步驟404、用比例3. 4%草酸刻蝕剩余的TCO膜。當(dāng)透射膜層保護(hù)層被刻蝕掉之后，即完成半透射式TFT陣列基板的整體制造。本 領(lǐng)域技術(shù)人員可以進(jìn)行后續(xù)的液晶填充等液晶顯示器制造的必要步驟，本發(fā)明對此不再進(jìn) 行贅述?？梢?，本發(fā)明實(shí)施例提供的透射膜層保護(hù)層能夠有效保護(hù)像素層(即透射膜層)， 防止透射膜層在制作過程中脫落。并且，透射膜層保護(hù)層位于反射膜層之上，透射膜層保護(hù) 層與反射膜層可以在同一類型設(shè)備內(nèi)連續(xù)制作，因此，節(jié)省了制作時(shí)間，且不會對其下反射 膜層造成反射率性能的降低；且工藝簡單實(shí)用，無論透射膜層保護(hù)層的產(chǎn)生和去除，都不會 對現(xiàn)有制造工藝中的光刻次數(shù)造成增加。除此之外，本發(fā)明實(shí)施例中的柵極金屬為鉬、鋁、鉻等金屬；源漏極金屬可以為鉬、 鋁、鉻等金屬。以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，其中所述作為分離部件說明的單元可 以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單 元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其 中的部分或者全部模塊來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性 勞動的情況下，即可以理解并實(shí)施。對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的 一般原理可以在不脫離本發(fā)明實(shí)施例的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此， 本發(fā)明實(shí)施例將不會被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和 新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
一種半透射式TFT陣列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括在玻璃基板上濺射柵極金屬層，所述柵極金屬層經(jīng)過光刻形成柵極圖形；在所述柵極金屬層之上連續(xù)沉積柵極絕緣層、半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層經(jīng)光刻形成半導(dǎo)體層圖形；在所述半導(dǎo)體層圖形之上濺射源漏極金屬層，所述源漏極金屬層經(jīng)過光刻形成源漏極金屬層圖形；在所述源漏極金屬層沉積絕緣膜保護(hù)層，所述絕緣膜保護(hù)層經(jīng)過光刻形成絕緣膜保護(hù)層圖形；濺射透明像素層，所述透明像素層經(jīng)過光刻形成像素電極；在所述透明像素層之上濺射金屬反射層以及透射膜層保護(hù)層，在經(jīng)過光刻形成像素金屬反射層圖形之后，通過蝕刻去掉所述透射膜層保護(hù)層，完成所述半透射式TFT陣列基板制造。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半透射式TFT陣列基板制造方法，其特征在于，所述透射膜層 保護(hù)層為透明導(dǎo)電氧化物薄膜TCO。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半透射式TFT陣列基板制造方法，其特征在于，所述透射膜層 保護(hù)層的形成過程為清洗所述金屬反射層表面；依次利用金屬M(fèi)o和金屬Al或Al合金在所述金屬反射層表面濺射成膜，其中，Mo為底層；在利用Mo和Al或Al合金濺射形成的薄膜之上濺射所述TCO膜，形成所述透射膜層保 護(hù)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半透射式TFT陣列基板制造方法，其特征在于，所述通過蝕刻 去掉所述透射膜層保護(hù)層包括用比例3. 4%的草酸刻蝕沒有光刻膠保護(hù)的TCO膜；用磷酸類混酸刻蝕沒有光刻膠保護(hù)的Mo和Al或者Al合金濺射形成的薄膜；用脫膜液對沒有顯影的光刻膠進(jìn)行脫膜處理；用比例3. 4%草酸刻蝕剩余的TCO膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半透射式TFT陣列基板制造方法，其特征在于，所述Mo濺射 形成的膜厚為50納米，Al或Al合金濺射形成的膜厚為100納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半透射式TFT陣列基板制造方法，其特征在于，所述在所述柵 極金屬層之上連續(xù)沉積柵極絕緣層、半導(dǎo)體層包括利用化學(xué)氣相沉積方法在所述柵極金屬層之上連續(xù)沉積柵極絕緣層、半導(dǎo)體層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半透射式TFT陣列基板制造方法，其特征在于，所述在所述源 漏極金屬層沉積絕緣膜保護(hù)層包括利用化學(xué)氣相沉積方法在所述源漏極金屬層沉積絕緣膜保護(hù)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的半透射式TFT陣列基板制造方法，其特征在于，所 述 TCO 包括IT0、In203、SnO2, ZnO, CdO, AZO 或 ΙΖΟ。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的半透射式TFT陣列基板制造方法，其特征在于，所 述柵極絕緣層為氮化硅，半導(dǎo)體層為非晶硅或者重?fù)诫s的非晶硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的半透射式TFT陣列基板制造方法，其特征在于， 所述絕緣膜保護(hù)層為氮化硅。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的半透射式TFT陣列基板制造方法，其特征在于， 所述透明像素層為透明導(dǎo)電氧化物薄膜TCO。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半透射式TFT陣列基板制造方法，包括在玻璃基板上濺射柵極金屬層，柵極金屬層經(jīng)過光刻形成柵極圖形；在柵極金屬層之上連續(xù)沉積柵極絕緣層、半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層經(jīng)光刻形成半導(dǎo)體層圖形；在半導(dǎo)體層圖形之上濺射源漏極金屬層，源漏極金屬層經(jīng)過光刻形成源漏極金屬層圖形；在源漏極金屬層沉積絕緣膜保護(hù)層，絕緣膜保護(hù)層經(jīng)過光刻形成絕緣膜保護(hù)層圖形；濺射透明像素層，透明像素層經(jīng)過光刻形成像素電極；在透明像素層之上濺射金屬反射層以及透射膜層保護(hù)層，在經(jīng)過光刻形成像素金屬反射層圖形之后，通過蝕刻去掉透射膜層保護(hù)層。本發(fā)明能夠解決在半透射型液晶顯示器制程中TFT陣列基板上透射膜層易脫落的問題。
文檔編號H01L21/84GK101807552SQ20101012716
公開日2010年8月18日 申請日期2010年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月16日
發(fā)明者于春崎, 任思雨, 何基強(qiáng), 李建, 李林, 胡君文, 謝凡 申請人:信利半導(dǎo)體有限公司