專利名稱：激光二極管裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種激光二極管裝置，該激光二極管裝置尤其適合于脊型激光二極管。
背景技術(shù)：
過去，人們已知這樣的脊型激光二極管，其中通過在對應于有源層的電流注入?yún)^(qū) 域的P-側(cè)接觸層和P-型覆層中形成條狀突起(脊)而進行電流限制(例如，見日本未審 查專利申請公開No. 2007-300016)。
發(fā)明內(nèi)容
在這樣現(xiàn)有的脊型激光二極管中，為了實現(xiàn)低電壓，必須增加突起的寬度(條寬 度)，減少覆層的膜厚度，或者降低覆層的電阻。然而，在增加突起的寬度時，降低了扭結(jié)水 平(kink level)。在降低覆層的膜厚度時，引起光損耗增加。此外，難于降低覆層的電阻， 這是因為尤其是在氮化物半導體的情況下，幾乎不能增加P-型載流子的濃度。考慮到前述缺點，在本發(fā)明中，所希望的是提供能實現(xiàn)低電壓的激光二極管裝置。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所提供的激光二極管裝置包括基板；半導體層疊結(jié)構(gòu)，包 括在該基板的一個表面?zhèn)壬系牡谝粚щ姼矊?、有源層和第二導電覆層，并且具有作為最?層的接觸層，其中在接觸層和第二導電覆層中形成突起；以及電極，設置在接觸層上。接觸 層具有在電極側(cè)的表面上的凹凸結(jié)構(gòu)，并且電極在凹凸結(jié)構(gòu)的頂面、側(cè)面和底面的接觸點 與接觸層接觸。在該激光二極管裝置中，因為凹凸結(jié)構(gòu)形成在接觸層的電極側(cè)的表面上，所以增 加了接觸層的表面面積。此外，因為電極在凹凸結(jié)構(gòu)的頂面、側(cè)面和底面的接觸點與接觸層 接觸，所以增加了電極和接觸層之間的接觸面積。從而，能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓驅(qū)動。根據(jù)本發(fā)明實施例的激光二極管裝置，因為凹凸結(jié)構(gòu)形成在接觸層的電極側(cè)的表 面上，并且電極在凹凸結(jié)構(gòu)的頂面、側(cè)面和底面的接觸點與接觸層接觸，所以能夠?qū)崿F(xiàn)低電 壓。本發(fā)明的其他和進一步的目標、特征和優(yōu)點將通過下面的描述更加明顯易懂。
圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明實施例的激光二極管裝置結(jié)構(gòu)的截面圖；圖2是圖1所示激光二極管裝置的總體結(jié)構(gòu)的透視圖；圖3是圖解圖1所示激光二極管裝置的修改示例的截面圖；圖4是圖解圖3所示激光二極管裝置總體結(jié)構(gòu)示例的透視圖；圖5是圖解圖3所示激光二極管裝置另一個總體結(jié)構(gòu)示例的透視圖；圖6是圖解在不包括凹凸結(jié)構(gòu)的情況下，在第一 ρ-側(cè)接觸層和第二 ρ-側(cè)接觸層 中，垂直方向上能帶結(jié)構(gòu)的示意圖7是圖解在圖5中增加第二 ρ-側(cè)接觸層的載流子濃度的情況下，垂直方向上能帶結(jié)構(gòu)的示意圖；圖8是圖解在凹凸結(jié)構(gòu)具有跨越第一 P-側(cè)接觸層和第二 P-側(cè)接觸層的高度，并 且P-側(cè)電極在凹凸結(jié)構(gòu)的側(cè)面接觸點與P-側(cè)接觸層接觸的情況下，垂直方向上能帶結(jié)構(gòu) 的示意圖；圖9是圖解圖1所示激光二極管裝置制造方法依步驟次序的截面圖；圖10是圖解圖9的后續(xù)步驟的截面圖；圖11是圖解圖10的后續(xù)步驟的截面圖；圖12是圖解圖11的后續(xù)步驟的截面圖；以及圖13是圖解圖1所示激光二極管裝置的另一個修改示例的截面圖。
具體實施例方式在下文，將參考附圖詳細描述本發(fā)明的實施例。圖1和圖2圖解了根據(jù)本發(fā)明實施例的激光二極管裝置的結(jié)構(gòu)。該激光二極管裝 置是藍/藍_紫激光二極管裝置，其振蕩波長約為500nm以下，例如，約400nm，例如用作個 人電腦和家用游戲機等的BD記錄/再現(xiàn)激光器。例如，激光二極管裝置具有這樣的結(jié)構(gòu)， 其中η-型覆層12、η-側(cè)引導層13、有源層14、ρ-側(cè)引導層15、電子勢壘層16、ρ-型覆層 17和ρ-側(cè)接觸層18依次層疊在由GaN構(gòu)成的基板11的一個表面?zhèn)壬稀Ｔ讦?側(cè)接觸層 18和ρ-型覆層17中，形成用于電流限制的條形突起19。有源層14對應于突起19的區(qū)域 是發(fā)光區(qū)域。在突起19的兩側(cè)，形成埋入層20，形成由以SiO2* Si為代表的材料制作的 埋入層20，該埋入層20具有層疊結(jié)構(gòu)或單一層結(jié)構(gòu)。在ρ-側(cè)接觸層18上，形成ρ-側(cè)電極 21。同時，在基板11的后面上，形成η-側(cè)電極22。ρ-側(cè)接觸層18對應于本發(fā)明中"接觸 層"的具體示例，并且P-側(cè)電極21對應于本發(fā)明中"電極"的具體示例。基板11例如由摻雜有硅(Si)作為η-型雜質(zhì)的η_型GaN構(gòu)成。η_型覆層12在 層疊方向上的厚度(在下文，簡稱為厚度)例如為2. 5 μ m至2. 6 μ m(包括端值)，并且由摻 雜有硅(Si)作為η-型雜質(zhì)的η-型AlGaN混合晶體構(gòu)成。η-側(cè)引導層13的厚度例如為0.21 μ m，并且由摻雜有硅(Si)作為n_型雜質(zhì)的 η-型GaN或η-型InGaN混合晶體、或未摻雜GaN或未摻雜InGaN混合晶體構(gòu)成。有源層 14的厚度例如為0. 056 μ m,并且具有由阱層和勢壘層構(gòu)成的量子阱結(jié)構(gòu)，阱層和勢壘層分 別由彼此具有不同成分的IrixGai_xN(χ ^ 0)混合晶體構(gòu)成。ρ-側(cè)引導層15的厚度例如為 0. 19 μ m,并且由GaN或InGaN混合晶體構(gòu)成。電子勢壘層16的厚度例如為0.02 μ m，并且由摻雜有鎂(Mg)作為p_型雜質(zhì)的 P-型AlGaN混合晶體構(gòu)成。P-型覆層17的厚度例如為0. 38 μ m,并且具有超晶格結(jié)構(gòu)，該 超晶格結(jié)構(gòu)由摻雜有鎂(Mg)作為P-型雜質(zhì)的P-型AlGaN混合晶體層和ρ-型或未摻雜 GaN層構(gòu)成。ρ-側(cè)接觸層18在ρ-側(cè)電極21側(cè)的表面上具有凹凸結(jié)構(gòu)30。ρ-側(cè)電極21在凹 凸結(jié)構(gòu)30的頂面、側(cè)面和底面的接觸點與ρ-側(cè)接觸層18接觸。因此，在該激光二極管裝 置中，能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓。例如，如圖1和圖2所示，凹凸結(jié)構(gòu)30具有條形凹入部分31和條形凸起部分32，條形凸起部分32在與突起19的長度方向相同的方向上以窄于突起19的寬度的間隔設置。例如，在突起19的寬度約為1 μ m至2 μ m(包括端值)的情況下，可以設置兩個或三個周期 的凹入部分31和凸起部分32。盡管凹入部分31和凸起部分32的寬度、距離和位置沒有特 別限定，但是其方向希望為<1-100>。盡管如公式1所示<1-100>原本通過對數(shù)字附加上橫 線表示，但是為了方便起見，在本說明書中在數(shù)字前附加"表示。公式1< 1 T O O >此外，如圖3和圖4所示，凹凸結(jié)構(gòu)30可以具有設置在交叉(垂直于)突起19的 長度方向的方向上的條形凹入部分31和條形凸起部分32。此外，如圖3和圖5所示，凹凸 結(jié)構(gòu)30可以具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中存在多個島狀凹入部分31，并且凹入部分31之外的區(qū)域 可以是凸起部分32。因此，凹入部分31和凸起部分32的數(shù)量變得較大，并且可以進一步降 低電壓。ρ-側(cè)接觸層18由諸如BAlInGaN系的包含Ga的二元(或多元)組分 (composition)構(gòu)成。此外，ρ-側(cè)接觸層18具有由多層(例如，兩層)構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)。 因為該多層的每一個都由彼此成分不同的IrixGai_xN(χ ^ 0)混合晶體或鋁(Al)成分低于 P-型覆層17的AlGaN混合晶體構(gòu)成，所以該多層具有應變差。具體地講，在ρ-側(cè)接觸層18中，由摻雜有鎂(Mg)作為ρ-型雜質(zhì)的Inatl5^ OjGatlH9tlN混合晶體構(gòu)成的第一 ρ-側(cè)接觸層18Α和由摻雜有鎂(Mg)作為ρ-型雜質(zhì)的 In0.20Ga0.80N混合晶體構(gòu)成的第二 ρ-側(cè)接觸層18Β從ρ-型覆層17側(cè)依次層疊。此外，ρ-側(cè)接觸層18可以具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中由摻雜有鎂(Mg)作為ρ-型雜質(zhì) 的GaN構(gòu)成的第一 ρ-側(cè)接觸層18Α和由摻雜有鎂(Mg)作為ρ-型雜質(zhì)的Ina2tlGaa8tlN混合 晶體構(gòu)成的第二 P-側(cè)接觸層18Β從ρ-型覆層17側(cè)依次層疊。此外，ρ-側(cè)接觸層18可以具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中由摻雜有鎂(Mg)作為ρ-型雜質(zhì) 且鋁成分比低于P-型覆層17的AlGaN混合晶體構(gòu)成的第一 ρ-側(cè)接觸層18Α和由摻雜有 鎂(Mg)作為P-型雜質(zhì)的Ina2tlGaa8tlN混合晶體或GaN構(gòu)成的第二 ρ-側(cè)接觸層18Β從ρ-型 覆層17側(cè)依次層疊。作為第一 ρ-側(cè)接觸層18Α的厚度和第二 ρ-側(cè)接觸層18Β的厚度的總和，ρ-側(cè)接 觸層18的厚度例如為0. 10 μ m。凹凸結(jié)構(gòu)30優(yōu)選具有跨越ρ-側(cè)接觸層18的第一 ρ-側(cè)接觸層18A和第二 ρ-側(cè) 接觸層18Β的高度。這是因為ρ-側(cè)電極21在具有這樣高度的凹凸結(jié)構(gòu)30的頂面、側(cè)面和 底面的接觸點與P-側(cè)接觸層18接觸，降低了接觸電阻，并且減少了電阻。圖6圖解了在不包括凹凸結(jié)構(gòu)的情況下，第一 ρ-側(cè)接觸層18Α和第二 ρ-側(cè)接觸 層18Β中垂直方向上的能帶結(jié)構(gòu)。由于第一 ρ-側(cè)接觸層18Α和第二 ρ-側(cè)接觸層18Β之 間的應變差，P-側(cè)接觸層18具有壓電場效應。因此，在第一 ρ-側(cè)接觸層18Α和第二 ρ-側(cè) 接觸層18Β之間，形成累積空穴h的載流子累積層18C，費密能級(fermi IeveDEf簡并 (degenerate)到價帶。然而，在P-側(cè)電極21 (金屬)和第二 ρ-側(cè)接觸層18Β之間，存在肖 特基勢壘(Schottky barrie)，并且耗盡層被擴展。在具有這樣的肖特基勢壘的材料系統(tǒng)中，如圖7所示，通過增加第二 ρ-側(cè)接觸層 18B的載流子濃度，可以使耗盡層的寬度變窄，并且由隧道電流t可以獲得歐姆接觸。然而，在氮化物半導體層中，受主的激活能高，并且固有地難于增加第二P-側(cè)接觸層18B的空穴h的濃度。此外，氮化物半導體在真空能級和價帶之間具有大的能量差。為了獲得歐姆接觸， 具有大功函數(shù)的金屬選擇為P-側(cè)電極21的材料，這并沒有充分地起到作用。圖8圖解了在凹凸結(jié)構(gòu)30具有跨越第一 ρ-側(cè)接觸層18A和第二 ρ-側(cè)接觸層18B 的高度，并且P-側(cè)電極21 (金屬)在凹凸結(jié)構(gòu)30的側(cè)面的接觸點與ρ-側(cè)接觸層18接觸的 情況下，垂直方向上的能帶結(jié)構(gòu)。在此情況下，在凹凸結(jié)構(gòu)30的側(cè)面中，ρ-側(cè)電極21在載 流子累積層18C的接觸點與ρ-側(cè)接觸層18接觸，該載流子累積層18C具有簡并的費密能 級Ef的高空穴濃度。因此，在載流子累積層18C中，能夠?qū)崿F(xiàn)沒有肖特基勢壘的理想歐姆 接觸。實際上，由于P-側(cè)電極21和ρ-側(cè)接觸層18之間界面的缺陷，形成了肖特基勢壘。 然而，因為載流子累積層18C中存在高濃度載流子，所以將耗盡層的寬度充分變窄，隧道電 流易于流動，并且降低接觸電阻。圖1和圖2所示的ρ-側(cè)電極21的結(jié)構(gòu)例如為從ρ-側(cè)接觸層18側(cè)依次層疊鈀 (Pd)、鉬(Pt)和金(Au)，并且電連接到P-側(cè)接觸層18。η-側(cè)電極22的結(jié)構(gòu)例如為依次 層疊的鈦(Ti)、鉬(Pt)和金(Au)。η-側(cè)電極22電連接到η_型覆層12且其間有基板11。 P-側(cè)電極21和η-側(cè)電極22的材料不限于前述金屬材料的組合，而是可以為其他金屬材料 的組合。在該激光二極管裝置中，例如，在突起19的長度方向上彼此相對的一對側(cè)面是諧 振器端面(主發(fā)射側(cè)端面IOF和后端面10R)。在該對諧振器端面(主發(fā)射側(cè)端面IOF和后 端面10R)上，分別形成一對反射鏡膜(未示出)。在該對反射鏡膜中，一個反射鏡膜調(diào)整為 具有較低的反射率，而另一個反射鏡膜調(diào)整為具有較高的反射率。因此，有源層14中產(chǎn)生 的光往返于該對反射鏡膜之間并被放大，并且從該一個反射鏡膜發(fā)射以作為激光束。該激光二極管例如可以制造如下。首先，例如，如圖9所示，準備由GaN構(gòu)成的基板11。在基板11的表面上，例如，通 過MOCVD (金屬有機化學氣相沉積)法，生長由前述材料構(gòu)成的η-型覆層12、η-側(cè)引導層 13、有源層14、ρ-側(cè)引導層15、電子勢壘層16、ρ-型覆層17、第一 ρ-側(cè)接觸層18Α和第二 P-側(cè)接觸層18Β。接下來，如圖9所示，在第二 ρ-側(cè)接觸層18Β上形成由抗蝕劑制作的掩模41。隨后，如圖10所示，通過采用掩模41，例如通過RIE(反應離子蝕刻)法選擇性蝕 刻第二 P-側(cè)接觸層18Β和第一 ρ-側(cè)接觸層18Α的一部分，以形成凹入部分31。因此，在 P-側(cè)接觸層18中，形成凹入部分31和凸起部分32交替布置的凹凸結(jié)構(gòu)30。此時，根據(jù) RIE蝕刻方式的選擇，可以任意形成凹凸結(jié)構(gòu)30的側(cè)面的傾斜角度。之后，如圖11所示，通過采用丙酮分開掩模41。在分開掩模41后，在突起19上形成掩模(未示出)。通過采用該掩模，例如通過 RIE法選擇性蝕刻ρ-側(cè)接觸層18和ρ-型覆層17的一部分。因此，如圖12所示，ρ-型覆 層17的上部和ρ-側(cè)接觸層18形成窄條形突起19。此時，所希望的是，在RIE后通過采用 諸如HF、HCl和王水的酸溶液，執(zhí)行干法蝕刻的表面的表面處理(表面清洗)。隨后，在ρ-型覆層18和ρ-側(cè)接觸層17上，形成由前述材料制作的埋入層20。在 埋入層20中，對應于ρ-側(cè)接觸層18設置開孔，以形成ρ-側(cè)電極21。此外，例如研磨或拋 光基板11的后表面?zhèn)?，使基?1的厚度例如變?yōu)榧s100 μ m。之后，η-側(cè)電極22形成在基板11的后表面上。之后，基板11形成給定的尺寸，并且反射鏡膜(未示出)形成在該對相
對的諧振器端面IOF和IOR上。從而，完成圖1所示的激光二極管裝置。 在該激光二極管中，在η-側(cè)電極22和ρ-側(cè)電極21之間施加給定的電壓時，電流
注入有源層14中，通過電子空穴復合而發(fā)光。該光被該對反射鏡膜反射并往返于其間，產(chǎn)
生激光振蕩，并且作為激光束向外發(fā)射。在該實施例中，凹凸結(jié)構(gòu)30形成在ρ-側(cè)接觸層18
的P-側(cè)電極21側(cè)的表面上。因此，增加了 ρ-側(cè)接觸層18的表面面積。此外，ρ-側(cè)電極
21在凹凸結(jié)構(gòu)30的頂面、側(cè)面和底面的接觸點與ρ-側(cè)接觸層18接觸。因此，增加了 ρ-側(cè)
電極21和ρ-側(cè)接觸層18之間的接觸面積。從而，能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓驅(qū)動。 此外，凹凸結(jié)構(gòu)30具有跨越第一 ρ-側(cè)接觸層18Α和第二 ρ-側(cè)接觸層18Β的高度。
因此，在凹凸結(jié)構(gòu)30的側(cè)面中，如圖8所示，ρ-側(cè)電極21在具有簡并費密能級Ef的高空
穴濃度的載流子累積層18C的接觸點與ρ-側(cè)接觸層18接觸。從而，降低了接觸電阻。如上所述，在該實施例中，凹凸結(jié)構(gòu)30形成在ρ-側(cè)接觸層18的ρ-側(cè)電極21側(cè) 的表面上。此外，P-側(cè)電極21在凹凸結(jié)構(gòu)30的頂面、側(cè)面和底面的接觸點與P-側(cè)接觸層 18接觸。從而，能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓。此外，凹凸結(jié)構(gòu)30具有跨越第一 ρ-側(cè)接觸層18Α和第二 ρ-側(cè)接觸層18Β的高度。 因此，由于凹凸結(jié)構(gòu)30，能夠?qū)崿F(xiàn)減低電阻和低電壓。前面已經(jīng)參考實施例給出了本發(fā)明的描述。然而，本發(fā)明不限于前述實施例，而是可以進行各種修改。例如，在前述實施例中，對P-側(cè)接觸層18具有由第一 ρ-側(cè)接觸層18Α 和第二 P-側(cè)接觸層18Β構(gòu)成的兩層結(jié)構(gòu)的情況給出了描述。然而，ρ-側(cè)接觸層18可以具 有包括三層以上的層疊結(jié)構(gòu)。在此情況下，凹凸結(jié)構(gòu)30優(yōu)選具有跨越該三層或更多層中的 兩層以上的高度。此外，在前述實施例中，對ρ-側(cè)接觸層18具有由多個有應變差的層構(gòu)成的層疊結(jié) 構(gòu)的情況給出了描述。然而，如圖13所示，ρ-側(cè)接觸層18可以是單層，其厚度為0. IOym, 并且由摻雜有鎂(Mg)作為ρ-型雜質(zhì)的ρ-型GaN構(gòu)成。在此情況下，通過設置凹凸結(jié)構(gòu) 30，增加了 ρ-側(cè)接觸層18的表面面積，并且能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓。此外，例如，前述實施例中所述的各層的材料、厚度、膜形成方法和膜形成條件等 沒有限制，而是可以使用其他的材料、其他的厚度、其他的膜形成方法和其他的膜形成條 件。例如，在前述實施例中，對通過MOCVD法形成η-型覆層12和ρ-側(cè)接觸層18的情況給 出了描述。然而，可以采用MBE(分子束外延)法等。另外，例如，在前述實施例中，已經(jīng)參考具體示例描述激光二極管裝置的結(jié)構(gòu)。然 而，不必設置所有的層，或者還可以提供其他的層。而且，本發(fā)明不限于如上所述的由氮化物III-V族化合物半導體構(gòu)成的藍/ 藍-紫激光二極管，該氮化物III-V族化合物半導體至少包含III族元素中的鎵(Ga)和至 少包含V族元素中的氮(N)，而是也應用于更高輸出的激光二極管、具有其他振蕩波長的激 光二極管或者由其他材料體系制作的激光二極管。例如，至少包含II族元素中的鋅(Zn) 和至少包含VI族元素中的氧(0)的II-VI族氧化物半導體是寬帶隙半導體，其中像氮化物 半導體一樣，載流子濃度固有地幾乎不增加。因此，在本發(fā)明應用于這樣氧化物半導體的情 況下，可獲得與前述實施例中描述的氮化物激光二極管類似的良好效果。在此情況下，P-側(cè) 接觸層由諸如BeCdZnMgO系的包含Zn的二元(或多元)組分構(gòu)成。
本發(fā)明包含2009年3月5日提交日本專利局的日本優(yōu)先權(quán)專利申請 JP2009-051959中公幵的相關(guān)主題，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應當理解的是，在權(quán)利要求或其等同特征的范圍內(nèi)，根據(jù)設計需要和其他因素，可以進行各種修改、結(jié)合、部分結(jié)合和替換。
權(quán)利要求
一種激光二極管裝置，包括基板；半導體層疊結(jié)構(gòu)，包括在該基板的一個表面?zhèn)壬系牡谝粚щ姼矊?、有源層和第二導電覆層，并且具有作為最上層的接觸層，其中在該接觸層和該第二導電覆層中形成突起；以及電極，設置在該接觸層上，其中該接觸層在該電極側(cè)的表面上具有凹凸結(jié)構(gòu)，并且該電極在該凹凸結(jié)構(gòu)的頂面、側(cè)面和底面的接觸點與該接觸層接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光二極管裝置，其中該接觸層具有包括有應變差的多個層 的層疊結(jié)構(gòu)，并且該凹凸結(jié)構(gòu)具有跨越該多個層中的兩層以上的高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光二極管裝置，其中該接觸層具有壓電場效應。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光二極管裝置，其中該凹凸結(jié)構(gòu)具有在與該突起的長度方 向相同的方向上設置的寬度比該突起的寬度窄的條形凹入部分和條形凸起部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光二極管裝置，其中該凹凸結(jié)構(gòu)具有在與該突起的長度方 向交叉的方向上設置的條形凹入部分和條形凸起部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光二極管裝置，其中該凹凸結(jié)構(gòu)具有多個島狀凹入部分和 該凹入部分之外的凸起部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光二極管裝置，其中該半導體層疊結(jié)構(gòu)由至少包含III族 元素中的鎵和至少包含V族元素中的氮的氮化物III-V族化合物半導體構(gòu)成，并且該接觸層由BAlInGaN系的包含Ga的二元以上的組分構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光二極管裝置，其中該半導體層疊結(jié)構(gòu)由至少包含II族元 素中的鋅和至少包含VI族元素中的氧的II-VI族氧化物半導體構(gòu)成，并且該接觸層由BeCdZnMgO系的包含Zn的二元以上的組分構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種激光二極管裝置。該激光二極管裝置包括基板；半導體層疊結(jié)構(gòu)，包括在該基板的一個表面?zhèn)壬系牡谝粚щ姼矊?、有源層和第二導電覆層，并且具有作為最頂層的接觸層，其中突起形成在接觸層和第二導電覆層中；以及電極，設置在接觸層上。接觸層具有在電極側(cè)的表面上的凹凸結(jié)構(gòu)，并且電極在凹凸結(jié)構(gòu)的頂面、側(cè)面和底面的接觸點與接觸層接觸。該激光二極管能實現(xiàn)低電壓。
文檔編號H01S5/223GK101826698SQ20101012945
公開日2010年9月8日 申請日期2010年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月5日
發(fā)明者小幡俊之 申請人:索尼公司