專利名稱：半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)及具有存儲功能的像素結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種半穿 透半反射式像素結(jié)構(gòu)及具有存儲功能的半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今社會多媒體技術(shù)相當發(fā)達，多半受惠于半導體元件或顯示裝置的進步。就顯 示器而言，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的液晶顯示器已 逐漸成為市場的主流。一般液晶顯示器可分為穿透式、反射式，以及半穿透半反射式三大 類。其中半穿透半反射式液晶顯示器可同時在光線充足與光線不足的情形下使用，因此可 應用的范圍較廣。就半穿透半反射式液晶顯示器而言，其可同時利用背光源以及外界光源進行顯 示。一般而言，半穿透半反射式液晶顯示器包括像素陣列基板、對向基板以及介于上述二基 板的液晶層。像素陣列基板上的像素結(jié)構(gòu)具有穿透區(qū)與反射區(qū)，且穿透區(qū)內(nèi)是設置透明像 素電極，而反射區(qū)內(nèi)則是設置反射像素電極。通常，透明像素電極會與反射像素電極電性連 接，且反射像素電極通過位于反射區(qū)的絕緣層中的接觸窗開口與漏極電性連接。然而，在現(xiàn) 有技術(shù)中，為了降低液晶顯示器在畫面靜止運作的功率消耗，通常會在每一像素結(jié)構(gòu)的反 射區(qū)內(nèi)嵌入諸如靜態(tài)隨機存取存儲器(Static Random Access Memory ；SRAM)等存儲元件。 此舉造成像素結(jié)構(gòu)的反射區(qū)的可利用空間縮小。因而部分半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)的元件 將必須移往穿透區(qū)。但如何能確保此種像素結(jié)構(gòu)能擁有足夠的穿透率以及良好的電特性是 必須予以重視的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)以及具有存儲功能的半穿透半反射式 像素結(jié)構(gòu)，其具有足夠的穿透率以及良好的電特性。本發(fā)明提出一種半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)，其具有一穿透區(qū)以及一反射區(qū)。像素 結(jié)構(gòu)包括一主動元件、一覆蓋層、一反射電極層、一反射電極圖案以及一穿透電極層。覆蓋 層位于穿透區(qū)以及反射區(qū)，且覆蓋主動元件，其中覆蓋層具有一接觸窗開口，接觸窗開口至 少位于穿透區(qū)。反射電極層位于反射區(qū)內(nèi)。反射電極圖案位于接觸窗開口內(nèi)并延伸至接觸 窗開口周圍的覆蓋層的一上表面上。穿透電極層位于穿透區(qū)的覆蓋層的表面上，其中穿透 電極層與反射電極層電性連接且穿透電極層經(jīng)接觸窗開口與主動元件電性連接。本發(fā)明另提出一種具有存儲功能的半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)，其具有一穿透區(qū)以 及一反射區(qū)。像素結(jié)構(gòu)包括主動元件、存儲元件、覆蓋層、反射電極層、反射電極圖案以及穿 透電極層。主動元件設置在反射區(qū)中。存儲元件設置在反射區(qū)中，并且與主動元件電性連 接。覆蓋層位于穿透區(qū)以及反射區(qū)，且覆蓋主動元件以及存儲元件，其中覆蓋層具有一接觸 窗開口，接觸窗開口至少位于穿透區(qū)。反射電極層位于反射區(qū)內(nèi)。反射電極圖案位于接觸 窗開口內(nèi)并延伸至接觸窗開口周圍的覆蓋層的一上表面上。穿透電極層位于穿透區(qū)的覆蓋層的表面上，其中穿透電極層與反射電極層電性連接且穿透電極層經(jīng)接觸窗開口與主動元 件電性連接。本發(fā)明還提出一種像素結(jié)構(gòu)，其具有一第一區(qū)以及一第二區(qū)，該像素結(jié)構(gòu)包括一 主動元件；一覆蓋層，位于該第一區(qū)以及該第二區(qū)，且覆蓋該主動元件，其中該覆蓋層具有 一接觸窗開口，該接觸窗開口至少位于該第二區(qū)；一第一電極層，位于該第一區(qū)內(nèi)；一第一 電極圖案，位于該接觸窗開口內(nèi)并延伸至該接觸窗開口周圍的該覆蓋層的一上表面上；以 及一第二電極層，位于該第二區(qū)的該覆蓋層的表面上，其中該第二電極層與該第一電極層 電性連接且該第二電極層經(jīng)該接觸窗開口與該主動元件電性連接。其中該第一電極圖案自接觸窗開口的邊緣延伸至該覆蓋層的上表面的距離為d， 且1.5微米< 2.0微米。其中該第二電極層更覆蓋位于該第一區(qū)的該第一電極層。其中該接觸窗開口位于該第一區(qū)以及該第二區(qū)的交界處。其中該主動元件具有一柵極、一源極以及一漏極，該漏極自該第一區(qū)延伸至該第 二區(qū)，且該接觸窗開口暴露出該漏極，其中該第一電極圖案的尺寸不超過該漏極在該第二 區(qū)的尺寸。其中該第二電極層覆蓋該第一電極圖案。其中該第一電極層以及該第一電極圖案的材料為一反射材料，且該第二電極層的 材料為一透明材料。本發(fā)明同時提出一種具有存儲功能的像素結(jié)構(gòu)，其具有一第一區(qū)以及一第二區(qū)， 該像素結(jié)構(gòu)包括一主動元件，設置在該第一區(qū)中；一存儲元件，設置在該第一區(qū)中，并且 與該主動元件電性連接；一覆蓋層，位于該第一區(qū)以及該第二區(qū)，且覆蓋該主動元件以及該 存儲元件，其中該覆蓋層具有一接觸窗開口，該接觸窗開口至少位于該第二區(qū)；一第一電極 層，位于該反射區(qū)內(nèi)；一第一電極圖案，位于該接觸窗開口內(nèi)并延伸至該接觸窗開口周圍的 該覆蓋層的一上表面上；以及一第二電極層，位于該第二區(qū)的該覆蓋層的表面上，其中該第 二電極層與該第一電極層電性連接且該第二電極層經(jīng)該接觸窗開口與該主動元件電性連 接。其中該第一電極圖案自接觸窗開口的邊緣延伸至該覆蓋層的上表面的距離為d， 且1.5微米< 2.0微米。其中該穿透電極層更覆蓋位于該第一區(qū)的該第一電極層。其中該接觸窗開口位于該第一區(qū)以及該第二區(qū)的交界處。其中該主動元件具有一柵極、一源極以及一漏極，該漏極自該第一區(qū)延伸至該第 二區(qū)，且該接觸窗開口暴露出該漏極，其中該反射電極圖案的尺寸不超過該漏極在該穿透 區(qū)的尺寸。其中該存儲元件包括多個薄膜晶體管。其中該第二電極層覆蓋該第一電極圖案。其中該第一電極層以及該第一電極圖案的材料為一反射材料，且該第二電極層的 材料為一透明材料?；谏鲜?，本發(fā)明將接觸窗開口設置于穿透區(qū)中，且通過在接觸窗開口內(nèi)配置延 伸至接觸窗開口周圍的覆蓋層上的反射電極圖案，使穿透電極層能經(jīng)接觸窗開口內(nèi)的反射電極圖案而與主動元件具有良好的電性連接。換言之，當像素結(jié)構(gòu)的反射區(qū)已經(jīng)無可利用 空間的情況下，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)是將接觸窗開口設置于穿透區(qū)中，且其仍具有足夠的穿 透率以及良好的電特性。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，所附附圖的說 明如下


圖IA是根據(jù)本發(fā)明一實施例的半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖IB是沿圖IA的1-1，的剖面示意圖；圖IC是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2A是根據(jù)本發(fā)明又一實施例的半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖2B是沿圖2A的1-1，的剖面示意圖；圖2C是根據(jù)本發(fā)明再一實施例的半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖4A是根據(jù)本發(fā)明一實施例的半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖4B是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。其中，附圖標記100、100，、100a、100a，、100b、200、200，半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)101,201 基板102、203 柵絕緣層104,204 覆蓋層104a、204a 表面105:凸起結(jié)構(gòu)106、206 反射電極層108、208 反射電極圖案110、210 穿透電極層120 主動元件122、224 柵極123 通道層124 源極126 漏極222:多晶硅層222a 源極區(qū)222b 漏極區(qū)222c:通道區(qū)223:導電圖案層202、226:介電層228 源極層230 漏極層d 距離DL:數(shù)據(jù)線H:接觸窗開口T:穿透區(qū)R:反射區(qū)S1、S2:尺寸SL:掃描線
具體實施例方式在半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)的制造過程中，會先在反射區(qū)與穿透區(qū)中形成絕緣 層，此絕緣層具有位于穿透區(qū)的接觸窗開口。接著，在位于反射區(qū)與穿透區(qū)的絕緣層上沉積 一層反射像素電極材料層，此時反射像素電極材料會填入接觸窗開口。然后，移除位于穿透 區(qū)的反射像素電極材料，包括移除位于接觸窗開口中的反射像素電極材料，再于穿透區(qū)的 絕緣層上形成透明像素電極材料層，使透明像素電極通過接觸窗開口與漏極電性連接。然而，在上述工藝中，由于絕緣層通常具有較大的厚度，即接觸窗開口具有較大的深度，使得移除接觸窗開口中的反射像素電極材料的步驟不易進行，造成反射像素電極材料殘留于接 觸窗開口中。這些殘留于接觸窗開口中的反射像素電極材料會導致而后填入接觸窗開口中 的透明像素電極材料有爬坡斷線的問題，使得透明像素電極與漏極之間的接觸阻抗偏高。 因此，以下實施例所提出的像素結(jié)構(gòu)，可以解決因反射像素電極材料殘留于接觸窗開口中 導致透明像素電極材料有爬坡斷線的問題，使得透明像素電極與漏極之間的接觸阻抗偏高 的問題。圖IA是根據(jù)本發(fā)明一實施例的半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，以及圖 IB是沿圖IA的1-1’的剖面示意圖。請同時參照圖IA及圖1B，本實施例的半穿透半反射式 像素結(jié)構(gòu)100包括基板101、主動元件120、覆蓋層104、反射電極層106、反射電極圖案108 以及穿透電極層110。其中，反射電極層106與穿透電極層110構(gòu)成像素結(jié)構(gòu)100的像素電 極。半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)100具有反射區(qū)R以及穿透區(qū)T。基板101可為玻璃基 板、塑膠基板、硅基板或是其他適用的基板?；迳?01包括設置有掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL以 及主動元件120。在本實施例中，主動元件120與掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL電性連接。主動 元件120例如是薄膜晶體管，其包括柵極122、通道層123、源極124以及漏極126。一般來 說，由于主動元件120為遮光元件，因此主動元件120較佳的是設置于反射區(qū)R中。然而，在 本實施例中，由于半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)100更包括設置于反射區(qū)R中的存儲元件130， 使得反射區(qū)R的可用空間有限。因此，本實施例的主動元件120的漏極126例如是自反射 區(qū)R延伸至穿透區(qū)T。特別說明的是，存儲元件130例如是與主動元件120電性連接，其可 以是基于靜態(tài)隨機存取存儲器(StaticRandom Access Memory ；SRAM)的復雜架構(gòu)而設計的 結(jié)構(gòu)，此可參照于2009年10月20日專利申請的中國臺灣專利申請?zhí)柕?8135396號名稱 為“具像素數(shù)據(jù)自我保持機能的液晶顯示裝置與其靜止模式運作方法”的申請案。再者，如 圖IB所示，基板101上更配置有一覆蓋柵極122的柵絕緣層102。覆蓋層104位于反射區(qū)R以及穿透區(qū)T的基板101上，并且覆蓋主動元件120、掃 描線SL、數(shù)據(jù)線DL以及柵絕緣層102。其中，覆蓋層104具有一接觸窗開口 H，接觸窗開口 H至少位于穿透區(qū)T，且暴露出漏極126。換言之，在本實施例中，接觸窗開口 H例如是位于 穿透區(qū)T，但在另一實施例，接觸窗開口 H也可以同時位于反射區(qū)R與穿透區(qū)T (將于另一 實施例中詳述)。其中，覆蓋層104的材質(zhì)例如是具有感光性質(zhì)的有機材料。此外，覆蓋層 104例如是在反射區(qū)R具有多個凸起結(jié)構(gòu)105，以增加像素結(jié)構(gòu)的反射區(qū)R的反射率。而凸 起結(jié)構(gòu)105可以利用刻蝕的方式來形成。特別一提的是，本發(fā)明未限制覆蓋層104的材質(zhì)、 凸起結(jié)構(gòu)105的形成方式、形狀、密度以及位置，本實施例的附圖所繪示的凸起結(jié)構(gòu)105只 是為了清楚說明。反射電極層106配置于反射區(qū)R的覆蓋層104上，因此反射電極層106會覆蓋凸 起結(jié)構(gòu)105。反射電極層106的材質(zhì)例如是金屬，且較佳是選用具有高反射率以及高導電性 的金屬材料。反射電極圖案108位于接觸窗開口 H內(nèi)并延伸至接觸窗開口 H周圍的覆蓋層104 的上表面104a上。在本實施例中，反射電極圖案108自接觸窗開口 H的邊緣延伸至覆蓋層 104的上表面104a的距離例如是d，且1. 5微米≤d≤2. 0微米。更進一步說明，為了避免反射電極圖案108影響半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)100的開口率，較佳是將反射電極圖案108 的尺寸Sl設計成不超過漏極126在穿透區(qū)T的尺寸S2。再者，在本實施例中，反射電極圖 案108通過接觸窗開口 H而與主動元件120的漏極126電性連接，且反射電極層106與反 射電極圖案108例如是不接觸。其中，反射電極圖案108的材質(zhì)例如是與反射電極層106 的材質(zhì)相同，且較佳是選用具有高反射率以及高導電性的金屬材料。穿透電極層110是位于穿透區(qū)T的覆蓋層104的上表面104a上，其中穿透電極層 110與反射電極層106電性連接且穿透電極層110經(jīng)接觸窗開口 H與主動元件120電性連 接。在本實施例中，穿透電極層Iio與反射電極層106例如是連接在一起。詳言之，穿透電 極層110與主動元件120電性連接，且穿透電極層110又與反射電極層106電性連接，因此 反射電極層106亦會與主動元件120電性連接。如此一來，當操作此像素結(jié)構(gòu)時，穿透電極 層110與反射電極層106是處于共電位的狀態(tài)。另外，穿透電極層110的材質(zhì)例如是透明 導電材料，例如是金屬氧化物，如銦錫氧化物、銦鋅氧化物或是其他金屬氧化物。再者，在另 一實施例中，如圖IC所示，穿透電極層110也可同時覆蓋位于反射區(qū)R的反射電極層106， 以避免反射電極層106材料有剝離的現(xiàn)象發(fā)生。此外，雖然在本實施例中是以反射電極層 106延伸至掃描線SL上方以及穿透電極層110延伸至數(shù)據(jù)線DL上方為例，但本發(fā)明未對反 射電極層106及穿透電極層110的配置方式加以限制，換言之，在其他實施例中，反射電極 層106及穿透電極層110可以有其他配置方式。
請同時參照圖1A、圖IB以及圖1C，一般來說，在覆蓋層104上形成一整層的反射 電極材料層后，通常會移除位于穿透區(qū)T的覆蓋層104上的反射電極材料，而僅留下位于反 射區(qū)R的覆蓋層104上的反射電極層106。然而，在本實施例的半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu) 100的制造工藝中，更留下位于接觸窗開口 H內(nèi)并延伸至覆蓋層104的上表面104a的反射 電極材料，以形成反射電極圖案108。換言之，接觸窗開口 H內(nèi)具有結(jié)構(gòu)連續(xù)且完整的反射 電極圖案108。如此一來，在位于穿透區(qū)T的覆蓋層104上形成穿透電極材料層時，穿透電 極材料層能完整地覆蓋在反射電極圖案108上，以形成穿透電極層110，而不會有前文所述 的爬坡斷線問題。因此，穿透電極層110不會有異常斷線的問題，且由于其與反射電極圖案 108之間具有良好的電性接觸，故穿透電極層110亦與主動元件120具有良好的電性連接。 特別注意的是，雖然在本實施例中是以半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)100包括設置于反射區(qū)R 中的存儲元件130為例，但上述的像素結(jié)構(gòu)設計也可以應用于不包括存儲元件的半穿透半 反射式像素結(jié)構(gòu)中。換言之，可以根據(jù)實際情況與需求而應用本發(fā)明的半穿透半反射式像 素結(jié)構(gòu)。再者，在上述的實施例中，是以接觸窗開口 H位于穿透區(qū)T為例，但在另一實施例， 如圖2A所示，接觸窗開口 H也可以同時位于反射區(qū)R與穿透區(qū)T。請同時參照圖2A與圖 2B，半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)IOOa的構(gòu)件及配置方式與圖IA及圖IB所示的半穿透半反射 式像素結(jié)構(gòu)100的構(gòu)件及配置方式大致相同，其主要不同處在于接觸窗開口 H的位置。詳 言之，在本實施例中，接觸窗開口 H位于反射區(qū)R以及穿透區(qū)T的交界處，因此，反射電極圖 案108例如是與反射電極層106連接而一體成形。穿透電極層110位于穿透區(qū)T的覆蓋層 104的上表面104a上，且穿透電極層110與反射電極層106電性連接且穿透電極層110經(jīng) 接觸窗開口 H與主動元件120電性連接。在本實施例中，反射電極圖案108自接觸窗開口 H 的邊緣延伸至覆蓋層104的上表面104a的距離例如是d，且1. 5微米彡d彡2. 0微米。更進一步說明，為了避免反射電極圖案108影響半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)100的開口率，較佳 是將反射電極圖案108的尺寸Sl設計成不超過漏極126在穿透區(qū)T的尺寸S2。此外，在本 實施例中，是以穿透電極層110位于穿透區(qū)T為例，但在另一實施例中，如圖2C所示，穿透 電極層110可以由穿透區(qū)T的覆蓋層104的上表面上延伸至反射區(qū)R的上表面上，以覆蓋 位于反射區(qū)R的位于反射區(qū)R的反射電極層106，進而避免反射電極層106材料有剝離的現(xiàn) 象發(fā)生。再者，在上述的半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)中都是以反射電極層106與穿透電極層 110分別占據(jù)像素區(qū)域的上半部與下半部為例，但在其他實施例中，反射電極層106與穿透 電極層110也可以有多種配置方式。舉例來說，如圖3所示，在一實施例的半穿透半反射式 像素結(jié)構(gòu)IOOb中，穿透電極層110例如是環(huán)繞反射電極層106，且穿透電極層110例如是覆 蓋或未覆蓋反射電極層106。換言之，半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)中的反射電極層與穿透電極 層可以具有多種配置方式，且反射電極層與穿透電極層在像素區(qū)域中所占的比例也可以根 據(jù)實際情況與需求而調(diào)整。
特別說明的是，雖然在上述的實施例中，都是以半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)具有底 柵極型態(tài)的非晶硅薄膜晶體管(bottom gate type a-Si TFT)為例來進行說明，但本發(fā)明 不限于此。換言之，本發(fā)明也可以應用于具有頂柵極型態(tài)的非晶硅薄膜晶體管(top gate type a-Si TFT)、頂柵極型態(tài)的低溫多晶硅薄膜晶體管(top gate type LTPS-TFT)、底柵極 型態(tài)的低溫多晶硅薄膜晶體管(bottom gatetype LTPS-TFT)等的半穿透半反射式像素結(jié) 構(gòu)中。接下來將以頂柵極型態(tài)的多晶硅薄膜晶體管為例進行說明。圖4A是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參 照圖4A，在本實施例中，半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)200包括基板201、主動元件、覆蓋層204、 反射電極層206、反射電極圖案208以及穿透電極層210。半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)200具 有反射區(qū)R以及穿透區(qū)T。基板201例如是玻璃基板。主動元件例如是低溫多晶硅薄膜晶 體管結(jié)構(gòu)，其包括依序配置于基板201上的介電層202、多晶硅層222、柵絕緣層203、柵極 224、介電層226、源極層228、漏極層230以及導電圖案層223。其中，多晶硅層222配置在 基板201上，且此多晶硅層222中包含有源極區(qū)222a、漏極區(qū)222b以及位于源極區(qū)222a與 漏極區(qū)222b之間的通道區(qū)222c。其中，源極層228與源極區(qū)222a連接，漏極層230及導電 圖案層223分別與漏極區(qū)222b連接，且導電圖案層223通過漏極區(qū)222b與漏極層230電 性連接。覆蓋層204位于反射區(qū)R以及穿透區(qū)T的基板201上，并且覆蓋主動元件、掃描線 (未繪示)、數(shù)據(jù)線(未繪示)以及介電層226。覆蓋層204具有一接觸窗開口 H，接觸窗開 口 H位于穿透區(qū)T，且暴露出導電圖案層223。覆蓋層204的材料、結(jié)構(gòu)以及形成方式可以 參照前文所述，于此不贅述。反射電極層206配置于反射區(qū)R的覆蓋層204上，反射電極圖 案208位于接觸窗開口 H內(nèi)并延伸至接觸窗開口 H周圍的覆蓋層204的上表面204a上。 在本實施例中，反射電極圖案208自接觸窗開口 H的邊緣延伸至覆蓋層204的上表面204a 的距離例如是d，且1. 5微米< d < 2. 0微米。更進一步說明，為了避免反射電極圖案208 影響半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)200的開口率，較佳是將反射電極圖案208的尺寸Sl設計成 不超過導電圖案層223在穿透區(qū)T的尺寸S2。穿透電極層210是位于穿透區(qū)T的覆蓋層 204的上表面204a上，其中穿透電極層210與反射電極層206電性連接且穿透電極層210經(jīng)接觸窗開口 H與導電圖案層223電性連接，進而與主動元件的漏極層230電性連接。在 本實施例中，源極層228、漏極層230以及導電圖案層223譬如是由同一導電材料層圖案化 形成，其材質(zhì)譬如為金屬或金屬氧化物等具導電性的材料。反射電極層206與反射電極圖 案208例如是不接觸，且反射電極層206與反射電極圖案208材質(zhì)例如是相同，較佳是選用 具有高反射率以及高導電性的金屬材料。穿透電極層210的材料例如是金屬氧化物，如銦 錫氧化物、銦鋅氧化物或是其他金屬氧化物。順帶一提的是，雖然在本實施例中是以反射電 極層206與反射電極圖案208不接觸為例，但在另一實施例中，根據(jù)設計需求，反射電極層 206也有可能與反射電極圖案208連接而一體成形。再者，在另一實施例中，如圖4B所示， 穿透電極層210也可同時覆蓋位于反射區(qū)R的反射電極層206，以避免反射電極層206材料 有剝離的現(xiàn)象發(fā)生。請同時參照圖4A與圖4B，一般來說，在覆蓋層204上形成一整層的反射電極材料 層后，通常會移除位于穿透區(qū)T的覆蓋層204上的反射電極材料，以形成位于反射區(qū)R的覆 蓋層204上的反射電極層206。然而，在本實施例的半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)200的制造 工藝中，更留下位于接觸窗開口 H內(nèi)并延伸至覆蓋層204的上表面204a的反射電極材料， 以形成反射電極圖案208。換言之，接觸窗開口 H內(nèi)具有結(jié)構(gòu)連續(xù)且完整的反射電極圖案 208。如此一來，在位于穿透區(qū)T的覆蓋層204上形成穿透電極材料層時，穿透電極材料層 能完整地覆蓋在反射電極圖案208上，以形成穿透電極層210，而不會有前文所述的爬坡斷 線問題。因此，穿透電極層210不會有異常斷線的問題，且由于其與反射電極圖案208之間 具有良好的電性接觸，故穿透電極層210亦與主動元件具有良好的電性連接。綜上所述，本發(fā)明通過在接觸窗開口內(nèi)配置延伸至接觸窗開口周圍的覆蓋層上的 反射電極圖案，使穿透電極層能經(jīng)接觸窗開口內(nèi)的反射電極圖案而與主動元件具有良好的 電性連接。特別是，由于反射電極圖案是連續(xù)且完整的結(jié)構(gòu)，而非移除不完全的殘留材料， 因此而后形成于接觸窗開口內(nèi)的穿透電極層能完整地覆蓋在反射電極圖案上，而不會有爬 坡斷線問題。因此，本發(fā)明能避免穿透電極層與主動元件之間產(chǎn)生接觸阻抗偏高的問題。此外，實務上，反射電極圖案與反射電極層是由同一反射電極材料層所形成，因此 僅須依照設計移除一部分的反射電極材料層即可形成反射電極圖案與反射電極層。換言 之，本發(fā)明的半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有工藝相容，且無需增加額外的步驟。再者，隨 著像素結(jié)構(gòu)的復雜化，在像素結(jié)構(gòu)的反射區(qū)內(nèi)所配置的元件漸增，當像素結(jié)構(gòu)的反射區(qū)已 經(jīng)無可利用空間的情況下，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)是將接觸窗開口設置于穿透區(qū)中，且其仍具 有足夠的穿透率以及良好的電特性。當然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領域的技術(shù)人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變 形都應屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其具有一第一區(qū)以及一第二區(qū)，該像素結(jié)構(gòu)包括一主動元件；一覆蓋層，位于該第一區(qū)以及該第二區(qū)，且覆蓋該主動元件，其中該覆蓋層具有一接觸窗開口，該接觸窗開口至少位于該第二區(qū)；一第一電極層，位于該第一區(qū)內(nèi)；一第一電極圖案，位于該接觸窗開口內(nèi)并延伸至該接觸窗開口周圍的該覆蓋層的一上表面上；以及一第二電極層，位于該第二區(qū)的該覆蓋層的表面上，其中該第二電極層與該第一電極層電性連接且該第二電極層經(jīng)該接觸窗開口與該主動元件電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電極圖案自接觸窗開口的邊 緣延伸至該覆蓋層的上表面的距離為d，且1. 5微米< d < 2. O微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二電極層更覆蓋位于該第一區(qū) 的該第一電極層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該接觸窗開口位于該第一區(qū)以及該 第二區(qū)的交界處。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該主動元件具有一柵極、一源極以及 一漏極，該漏極自該第一區(qū)延伸至該第二區(qū)，且該接觸窗開口暴露出該漏極，其中該第一電 極圖案的尺寸不超過該漏極在該第二區(qū)的尺寸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二電極層覆蓋該第一電極圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電極層以及該第一電極圖案 的材料為一反射材料，且該第二電極層的材料為一透明材料。
8.一種具有存儲功能的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其具有一第一區(qū)以及一第二區(qū)，該像素 結(jié)構(gòu)包括一主動元件，設置在該第一區(qū)中；一存儲元件，設置在該第一區(qū)中，并且與該主動元件電性連接；一覆蓋層，位于該第一區(qū)以及該第二區(qū)，且覆蓋該主動元件以及該存儲元件，其中該覆 蓋層具有一接觸窗開口，該接觸窗開口至少位于該第二區(qū)；一第一電極層，位于該反射區(qū)內(nèi)；一第一電極圖案，位于該接觸窗開口內(nèi)并延伸至該接觸窗開口周圍的該覆蓋層的一上 表面上；以及一第二電極層，位于該第二區(qū)的該覆蓋層的表面上，其中該第二電極層與該第一電極 層電性連接且該第二電極層經(jīng)該接觸窗開口與該主動元件電性連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有存儲功能的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電極圖案自 接觸窗開口的邊緣延伸至該覆蓋層的上表面的距離為d，且1. 5微米< d < 2. O微米。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有存儲功能的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該穿透電極層更覆 蓋位于該第一區(qū)的該第一電極層。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有存儲功能的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該接觸窗開口位于 該第一區(qū)以及該第二區(qū)的交界處。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有存儲功能的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該主動元件具有一柵極、一源極以及一漏極，該漏極自該第一區(qū)延伸至該第二區(qū)，且該接觸窗開口暴露出該漏 極，其中該反射電極圖案的尺寸不超過該漏極在該穿透區(qū)的尺寸。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有存儲功能的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該存儲元件包括多 個薄膜晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有存儲功能的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二電極層覆蓋 該第一電極圖案。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有存儲功能的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電極層以及 該第一電極圖案的材料為一反射材料，且該第二電極層的材料為一透明材料。
全文摘要
本發(fā)明公開一種半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)，其具有一穿透區(qū)以及一反射區(qū)。像素結(jié)構(gòu)包括一主動元件、一覆蓋層、一反射電極層、一反射電極圖案以及一穿透電極層。覆蓋層位于穿透區(qū)以及反射區(qū)，且覆蓋主動元件，其中覆蓋層具有一接觸窗開口，接觸窗開口至少位于穿透區(qū)。反射電極層位于反射區(qū)內(nèi)。反射電極圖案位于接觸窗開口內(nèi)并延伸至接觸窗開口周圍的覆蓋層的一上表面上。穿透電極層位于穿透區(qū)的覆蓋層的表面上，其中穿透電極層與反射電極層電性連接且穿透電極層經(jīng)接觸窗開口與主動元件電性連接。
文檔編號H01L27/12GK101819979SQ201010134180
公開日2010年9月1日 申請日期2010年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月12日
發(fā)明者徐文斌, 溫金瑞, 趙之堯, 陳育懋 申請人:友達光電股份有限公司