專利名稱：具有凸柱/基座的散熱座及基板的半導(dǎo)體晶片組體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶片組體，特別是涉及一種由半導(dǎo)體元件、基板、粘著層及 散熱座組成的半導(dǎo)體晶片組體及其制造方法。
背景技術(shù)：
諸如經(jīng)封裝與未經(jīng)封裝的半導(dǎo)體晶片等半導(dǎo)體元件可提供高電壓、高頻率及高效 能的應(yīng)用；該些應(yīng)用為執(zhí)行特定功能，所需消耗的功率甚高，然功率愈高則半導(dǎo)體元件生熱 愈多。此外，在封裝密度提高及尺寸縮減后，可供散熱的表面積縮小，更導(dǎo)致生熱加劇。半導(dǎo)體元件在高溫操作下易產(chǎn)生效能衰退及使用壽命縮短等問題，甚至可能立即 故障。高熱不只影響晶片效能，亦可能因熱膨脹不匹配而對晶片及其周遭元件產(chǎn)生熱應(yīng)力 作用。因此，必須使晶片迅速有效散熱方能確保其操作的效率與可靠度。一條高導(dǎo)熱性路 徑通常是將熱能傳導(dǎo)并發(fā)散至一表面積較晶片或晶片所在的晶粒座更大的區(qū)域。發(fā)光二極管(LED)近來已普遍成為白熾光源、螢光光源與鹵素光源的替代光源。 LED可為醫(yī)療、軍事、招牌、信號、航空、航海、車輛、可攜式設(shè)備、商用與住家照明等應(yīng)用領(lǐng)域 提供高能源效率及低成本的長時間照明。例如，LED可為燈具、手電筒、車頭燈、探照燈、交 通號志燈及顯示器等設(shè)備提供光源。LED中的高功率晶片在提供高亮度輸出的同時亦產(chǎn)生大量熱能。然而，在高溫操作 下，LED會發(fā)生色偏、亮度降低、使用壽命縮短及立即故障等問題。此外，LED在散熱方面有 其限制，進而影響其光輸出與可靠度。因此，LED格外突顯市場對于具有良好散熱效果的高 功率晶片的需求。LED封裝體通常包含一 LED晶片、一基座、電接點及一熱接點。所述基座是熱連結(jié) 至LED晶片并用以支撐該LED晶片。電接點則電性連結(jié)至LED晶片的陽極與陰極。熱接點 經(jīng)由該基座熱連結(jié)至LED晶片，其下方載具可充分散熱以預(yù)防LED晶片過熱。業(yè)界積極以各種設(shè)計及制造技術(shù)投入高功率晶片封裝體與導(dǎo)熱板的研發(fā)，以期在 此極度成本競爭的環(huán)境中滿足效能需求。塑膠球柵陣列(PBGA)封裝是將一晶片與一層壓基板包裹于一塑膠外殼中，然后 再以錫球黏附于一印刷電路板(PCB)之上。所述層壓基板包含一通常由玻璃纖維構(gòu)成的介 電層。晶片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由塑膠及介電層傳至錫球，進而傳至印刷電路板。然而，由于塑 膠與介電層的導(dǎo)熱性低，PBGA的散熱效果不佳。方形扁平無引腳(QFN)封裝是將晶片設(shè)置在一焊接于印刷電路板的銅質(zhì)晶粒座 上。晶片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由晶粒座傳至印刷電路板。然而，由于其導(dǎo)線架中介層的路由能 力有限，使得QFN封裝無法適用于高輸入/輸出(I/O)晶片或被動元件。導(dǎo)熱板為半導(dǎo)體元件提供電性路由、熱管理與機械性支撐等功能。導(dǎo)熱板通常包 含一用于信號路由的基板、一提供熱去除功能的散熱座或散熱裝置、一可供電性連結(jié)至半 導(dǎo)體元件的焊墊，以及一可供電性連結(jié)至下一層組體的端子。該基板可為一具有單層或多 層路由電路系統(tǒng)及一或多層介電層的層壓結(jié)構(gòu)。該散熱座可為一金屬基座、金屬塊或埋設(shè)金屬層。導(dǎo)熱板接合下一層組體。例如，下一層組體可為一具有印刷電路板及散熱裝置的 燈座。在此范例中，一 LED封裝體是安設(shè)于導(dǎo)熱板上，該導(dǎo)熱板則安設(shè)于散熱裝置上，導(dǎo)熱 板/散熱裝置次組體與印刷電路板又安設(shè)于燈座中。此外，導(dǎo)熱板經(jīng)由導(dǎo)線電性連結(jié)至該 印刷電路板。該基板將電信號自該印刷電路板導(dǎo)向LED封裝體，而該散熱座則將LED封裝 體的熱能發(fā)散并傳遞至該散熱裝置。因此，該導(dǎo)熱板可為LED晶片提供一重要的熱路徑。授予JUSKEY等人的第6，507，102號美國專利揭示一種組體，其中一由玻璃纖維與 固化的熱固性樹脂所構(gòu)成的復(fù)合基板包含一中央開口。一具有類似前述中央開口正方或長 方形狀的散熱塊是粘附于該中央開口側(cè)壁因而與該基板結(jié)合。上、下導(dǎo)電層分別粘附于該 基板的頂部及底部，并通過貫穿該基板的電鍍導(dǎo)孔互為電性連結(jié)。一晶片是設(shè)置于散熱塊 上并打線接合至上導(dǎo)電層，一封裝材料是模設(shè)成形于晶片上，而下導(dǎo)電層則設(shè)有錫球。制造時，該基板原為一置于下導(dǎo)電層上的乙階(B-STAGE)樹脂膠片。散熱塊是插 設(shè)于中央開口，因而位于下導(dǎo)電層上，并與該基板以一間隙相隔。上導(dǎo)電層則設(shè)于該基板 上。上、下導(dǎo)電層經(jīng)加熱及彼此壓合后，使樹脂熔化并流入前述間隙中固化。上、下導(dǎo)電層 形成圖案，因而在該基板上形成電路布線，并使樹脂溢料顯露于散熱塊上。然后去除樹脂溢 料，使散熱塊露出。最后再將晶片安置于散熱塊上并進行打線接合與封裝。因此，晶片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由散熱塊傳至印刷電路板。然而在量產(chǎn)時，以手工方式 將散熱塊放置于中央開口內(nèi)的作業(yè)極為費工，且成本高昂。再者，由于側(cè)向的安裝容差小， 散熱塊不易精確定位于中央開口中，導(dǎo)致基板與散熱塊之間易出現(xiàn)間隙以及打線不均的情 形。如此一來，該基板只部分黏附于散熱塊，無法自散熱塊獲得足夠支撐力，且容易脫層。此 外，用于去除部分導(dǎo)電層以顯露樹脂溢料的化學(xué)蝕刻液亦將去除部分未被樹脂溢料覆蓋的 散熱塊，使散熱塊不平且不易結(jié)合，最終導(dǎo)致組體的良率偏低、可靠度不足且成本過高。授予DING等人的第6，528，882號美國專利揭露一種高散熱球柵陣列封裝體，其基 板包含一金屬芯層，而晶片則安置于金屬芯層頂面的晶粒座區(qū)域。一絕緣層是形成于金屬 芯層的底面。盲孔貫穿絕緣層直通金屬芯層，且孔內(nèi)填有散熱錫球，另在該基板上設(shè)有與散 熱錫球相對應(yīng)的錫球。晶片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由金屬芯層流向散熱錫球，再流向印刷電路板。 然而，夾設(shè)于金屬芯層與印刷電路板間的絕緣層卻對流向印刷電路板的熱流造成限制。授予LEE等人的第6，670，219號美國專利教示一種凹槽向下球柵陣列(⑶BGA)封 裝體，其中一具有中央開口的接地板是設(shè)置于一散熱座上以構(gòu)成一散熱基板。一具有中央 開口的基板通過一具有中央開口的粘著層設(shè)置于該接地板上。一晶片是安裝于該散熱座上 由接地板中央開口所形成的一凹槽內(nèi)，且該基板上設(shè)有錫球。然而，由于錫球是位于基板 上，散熱座并無法接觸印刷電路板，導(dǎo)致該散熱座的散熱作用只限熱對流而非熱傳導(dǎo)，因而 大幅限縮其散熱效果。授予W00DALL等人的第7，038，311號美國專利提供一種高散熱BGA封裝體，其散 熱裝置為倒T形且包含一柱部與一寬基底。一設(shè)有窗型開口的基板是安置于寬基底上，一 粘著層則將柱部與寬基底黏附于該基板。一晶片是安置于柱部上并打線接合至該基板，一 封裝材料是模制成形于晶片上，該基板上則設(shè)有錫球。柱部延伸穿過該窗型開口，并由寬基 底支撐該基板，至于錫球則位于寬基底與基板周緣之間。晶片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由柱部傳至 寬基底，再傳至印刷電路板。然而，由于寬基底上必須留有容納錫球的空間，寬基底只在對應(yīng)于中央窗口與最內(nèi)部錫球之間的位置突伸于該基板下方。如此一來，該基板在制造過程 中便不平衡，且容易晃動及彎曲，進而導(dǎo)致晶片的安裝、打線接合以及封裝材料的模制成形 均十分困難。此外，該寬基底可能因封裝材料的模制成形而彎折，且一旦錫球崩塌，便可能 使該封裝體無法焊接至下一層組體。因此，此封裝體的良率偏低、可靠度不足且成本過高。ERCHAK等人的美國專利申請公開案第2007/(^67642號提出一種發(fā)光裝置組體， 其中一倒T形的基座包含一基板、一突出部及一具有通孔的絕緣層，絕緣層上并設(shè)有電接 點。一具有通孔與透明上蓋的封裝體是設(shè)置于電接點上。一 LED晶片是設(shè)置于突出部并 以打線連接該基板。該突出部是鄰接該基板并延伸穿過絕緣層與封裝體上的通孔，進入封 裝體內(nèi)。絕緣層是設(shè)置于該基板上，且絕緣層上設(shè)有電接點。封裝體是設(shè)置于所述電接點 上并與絕緣層保持間距。該晶片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由突出部傳至該基板，進而到達一散熱裝 置。然而，所述電接點不易設(shè)置于絕緣層上，難以與下一層組體電性連結(jié)，且無法提供多層 路由?，F(xiàn)有封裝體與導(dǎo)熱板具有重大缺點。舉例而言，諸如環(huán)氧樹脂等低導(dǎo)熱性的電絕 緣材料對散熱效果造成限制，然而，以陶瓷或碳化硅填充的環(huán)氧樹脂等具有較高導(dǎo)熱性的 電絕緣材料則具有粘著性低且量產(chǎn)成本過高的缺點。該電絕緣材料可能在制作過程中或在 操作初期即因受熱而脫層。該基板若為單層電路系統(tǒng)則路由能力有限，但若該基板為多層 電路系統(tǒng)，則其過厚的介電層將降低散熱效果。此外，前案技術(shù)還有散熱座效能不足、體積 過大或不易熱連結(jié)至下一層組體等問題。前案技術(shù)的制造工序亦不適于低成本的量產(chǎn)作 業(yè)。有鑒于現(xiàn)有高功率半導(dǎo)體元件封裝體及導(dǎo)熱板的種種發(fā)展情形及相關(guān)限制，業(yè)界 實需一種具成本效益、效能可靠、適于量產(chǎn)、多功能、可靈活調(diào)整信號路由且具有優(yōu)異散熱 性的半導(dǎo)體晶片組體。

發(fā)明內(nèi)容
相關(guān)申請案的相互參照本申請案為2009年9月11日提出申請的第12/557，540號美國專利申請案的 部分延續(xù)案，而該第12/557,540號美國專利申請案則為2009年3月18日提出申請的第 12/406，510號美國專利申請案的部分延續(xù)案。該第12/406，510號美國專利申請案主張 2008年5月7日提出申請的第61/071，589號美國臨時專利申請案、2008年5月7日提出 申請的第61/071，588號美國臨時專利申請案、2008年4月11日提出申請的第61/071，072 號美國臨時專利申請案及2008年3月25日提出申請的第61/064，748號美國臨時專利申 請案的優(yōu)先權(quán)，上述各案的內(nèi)容以引用的方式并入本文。前開第12/557，540號美國專利申 請案另主張2009年2月9日提出申請的第61/150，980號美國臨時專利申請案的優(yōu)先權(quán)， 其內(nèi)容以引用的方式并入本文。本申請案亦為2009年9月11日提出申請的第12/557，541號美國專利申請案的 部分延續(xù)案，而該第12/557，541號美國專利申請案則為2009年3月18日提出申請的第 12/406，510號美國專利申請案的部分延續(xù)案。該第12/406，510號美國專利申請案主張 2008年5月7日提出申請的第61/071，589號美國臨時專利申請案、2008年5月7日提出 申請的第61/071，588號美國臨時專利申請案、2008年4月11日提出申請的第61/071，072號美國臨時專利申請案及2008年3月25日提出申請的第61/064，748號美國臨時專利申 請案的優(yōu)先權(quán)，上述各案的內(nèi)容以引用的方式并入本文。前開第12/557，541號美國專利申 請案另主張2009年2月9日提出申請的第61/150，980號美國臨時專利申請案的優(yōu)先權(quán)， 其內(nèi)容以引用的方式并入本文。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體晶片組體，其至少包含一半導(dǎo)體元件、一散熱座、一基板與 一粘著層。該半導(dǎo)體元件是電性連結(jié)至該基板并熱連結(jié)至該散熱座。該散熱座至少包含一 凸柱與一基座。該凸柱自該基座向上延伸并進入該粘著層的一開口以及該基板的一通孔， 而該基座則自該凸柱側(cè)向延伸。該粘著層延伸于該凸柱與該基板之間以及該基座與該基板 之間。該組體可在一焊墊與一端子之間提供信號路由。根據(jù)本發(fā)明的一樣式，一半導(dǎo)體晶片組體至少包含一半導(dǎo)體元件、一粘著層、一散 熱座、一基板與一端子。該粘著層至少具有一開口。該散熱座至少包含一凸柱及一基座，其 中該凸柱是鄰接該基座并沿一向上方向延伸于該基座上方，該基座則沿一與該向上方向相 反的向下方向延伸于該凸柱下方，并沿垂直于該向上及向下方向的側(cè)面方向從該凸柱側(cè)向 延伸而出。該基板至少包含一焊墊與一介電層，且一通孔延伸貫穿該基板。該半導(dǎo)體元件是位于該凸柱上方并重疊于該凸柱。該半導(dǎo)體元件是電性連結(jié)至該 焊墊，從而電性連結(jié)至該端子；并且熱連結(jié)至該凸柱，從而熱連結(jié)至該基座。該粘著層是設(shè)置于該基座上，延伸于該基座上方，伸入該通孔內(nèi)一位于該凸柱與 該基板間的缺口，并在該缺口中延伸跨越該介電層。該粘著層自該凸柱側(cè)向延伸至該端子 或越過該端子，且是介于該凸柱與該介電層之間以及該基座與該基板之間。該基板是設(shè)置于該粘著層上并延伸于該基座上方。該凸柱延伸進入該開口及該通孔，該基座則延伸于該半導(dǎo)體元件、該粘著層與該 基板下方。該散熱座可包含一蓋體，該蓋體是位于該凸柱的頂部上方，鄰接該凸柱的頂部，同 時從上方覆蓋該凸柱的頂部，并沿所述側(cè)面方向從該凸柱的頂部側(cè)向延伸而出。例如，該蓋 體可為矩形或正方形，而該凸柱的頂部可為圓形。在此例中，該蓋體的尺寸及形狀可經(jīng)過設(shè) 計，以配合該半導(dǎo)體元件的熱接觸表面，至于該凸柱頂部的尺寸及形狀則未依該半導(dǎo)體元 件的熱接觸表面而設(shè)計。該蓋體亦可接觸并覆蓋該粘著層一鄰接該凸柱并與該凸柱共平面 的部分。該蓋體亦可在該介電層上方與該焊墊及/或該端子共平面。此外，該凸柱可熱連結(jié) 該基座與該蓋體。該散熱座可由該凸柱與該基座組成，或由該凸柱、該基座與該蓋體組成。 該散熱座亦可由銅、鋁或銅/鎳/鋁合金組成。無論采用任一組成方式，該散熱座皆可提供 散熱作用，將該半導(dǎo)體元件的熱能擴散至下一層組體。該半導(dǎo)體元件可設(shè)置于該散熱座上。例如，該半導(dǎo)體元件可設(shè)置于該散熱座及該 基板上，重疊于該凸柱與該焊墊，通過一第一焊錫電性連結(jié)至該焊墊，并通過一第二焊錫熱 連結(jié)至該散熱座?；蛘?，該半導(dǎo)體元件可設(shè)置于該散熱座而非該基板上，重疊于該凸柱而非 該基板，通過一打線電性連結(jié)至該焊墊，并通過一固晶材料熱連結(jié)至該散熱座。該半導(dǎo)體元件可為一經(jīng)封裝或未經(jīng)封裝的半導(dǎo)體晶片。例如，該半導(dǎo)體元件可為 一包含LED晶片的LED封裝體，其是設(shè)置于該散熱座及該基板上，重疊于該凸柱與該焊墊， 經(jīng)由一第一焊錫電性連結(jié)至該焊墊，且經(jīng)由一第二焊錫熱連結(jié)至該散熱座。或者，該半導(dǎo)體 元件可為一半導(dǎo)體晶片，其是設(shè)置于該散熱座而非該基板上，重疊于該凸柱而非該基板，經(jīng)
8由一打線電性連結(jié)至該焊墊，且經(jīng)由一固晶材料熱連結(jié)至該散熱座。該粘著層可在該缺口中接觸該凸柱與該介電層，并在該缺口之外接觸該基座與該 介電層。該粘著層亦可從下方覆蓋該基板，并在所述側(cè)面方向覆蓋并環(huán)繞該凸柱，同時從上 方覆蓋該基座位于該凸柱外的部分。該粘著層亦可同形被覆于該凸柱的側(cè)壁以及該基座位 于該凸柱外的一頂面。該粘著層還可與該凸柱的一頂部共平面。該粘著層亦可填滿該凸柱 與該介電層間的一空間，并填滿該基座與該基板間的一空間，且該粘著層被限制于該散熱 座與該基板間的一空間內(nèi)。該粘著層可自該凸柱側(cè)向延伸至該端子或越過該端子。例如，該粘著層與該端子 可延伸至該組體的外圍邊緣；在此例中，該粘著層是從該凸柱側(cè)向延伸至該端子?；蛘?，該 粘著層可延伸至該組體的外圍邊緣，而該端子則與該組體的外圍邊緣保持距離；在此情況 下，該粘著層是從該凸柱側(cè)向延伸且越過該端子。該粘著層可重疊于該端子或被該端子重疊。例如，該端子可延伸于該介電層與該 粘著層上方，重疊于該介電層與該粘著層，同時與該焊墊及該蓋體共平面；在此例中，該粘 著層是被該端子重疊，該組體則在該焊墊與該端子之間提供水平信號路由?；蛘?，該端子可 延伸于該介電層與該粘著層下方，并被該介電層與該粘著層重疊，同時與該基座共平面；在 此情況下，該粘著層是重疊于該端子，而該組體則在該焊墊與該端子之間提供垂直信號路該凸柱可與該基座一體成形。例如，該凸柱與該基座可為單一金屬體或于其介面 包含單一金屬體，其中該單一金屬體可為銅。該凸柱亦可延伸貫穿該通孔。該凸柱亦可在 該介電層上方與該粘著層共平面。該凸柱亦可為平頂錐柱形，其直徑是從該基座處朝其鄰 接該蓋體的平坦頂部向上遞減。該基座可從下方覆蓋該半導(dǎo)體元件、該凸柱、該蓋體、該粘著層及該基板，同時支 撐該基板，并延伸至該組體的外圍邊緣。該基板可與該凸柱及該基座保持距離。該基板亦可為一層壓結(jié)構(gòu)。該基板亦可包 含單一導(dǎo)電層或多數(shù)個導(dǎo)電層。例如，該基板可包含單一導(dǎo)電層，其接觸該介電層且延伸于 該介電層上方。在此例中，該導(dǎo)電層包含該焊墊與該端子。如此一來，該基板便包含該端子， 該粘著層是被該端子重疊，至于該焊墊與該端子間的信號路由則發(fā)生于該介電層上方且未 穿過該介電層。或者，該基板可包含一第一導(dǎo)電層，其接觸該介電層且延伸于該介電層上 方；一第二導(dǎo)電層，其接觸該介電層且延伸于該介電層下方；及一導(dǎo)電孔，其延伸貫穿該介 電層并電性連結(jié)所述導(dǎo)電層。在此情況下，該第一導(dǎo)電層包含該焊墊。此外，(1)該第一導(dǎo) 電層包含該端子，且該基板包含另一導(dǎo)電孔，其延伸貫穿該介電層并電性連結(jié)所述導(dǎo)電層； 在此情況下，該基板包含該端子，該粘著層是被該端子重疊，且該焊墊與該端子間的信號路 由是穿過該介電層但未穿過該粘著層；或者( 該端子是位于該粘著層與該基板下方，且 該組體包含另一導(dǎo)電孔，其延伸貫穿該粘著層并電性連結(jié)該端子與該第二導(dǎo)電層；在此情 況下，該基板不包含該端子，該粘著層是重疊于該端子，且該焊墊與該端子間的信號路由是 穿過該介電層與該粘著層。在上述任一情況下，該基板均包含該焊墊，且提供該焊墊與該端 子間的部分或全部信號路由。該焊墊可作為該半導(dǎo)體元件的一電接點，該端子可作為下一層組體的一電接點， 且該焊墊與該端子可在該半導(dǎo)體元件與該下一層組體之間提供信號路由。
該組體可為一第一級或第二級單晶或多晶裝置。例如，該組體可為一包含單一晶 片或多個晶片的第一級封裝體。或者，該組體可為一包含單一 LED封裝體或多個LED封裝 體的第二級模塊，其中各該LED封裝體可包含單一 LED晶片或多個LED晶片。本發(fā)明提供一種制作一半導(dǎo)體晶片組體的方法，其包含提供一凸柱及一基座； 設(shè)置一粘著層于該基座上，此步驟包含將該凸柱插入該粘著層的一開口 ；設(shè)置一基板于該 粘著層上，此步驟包含將該凸柱插入該基板的一通孔，因而在該通孔內(nèi)形成一介于該凸柱 與該基板間的缺口 ；使該粘著層向上流入該缺口 ；固化該粘著層；設(shè)置一半導(dǎo)體元件于一 散熱座上，其中該散熱座至少包含該凸柱及該基座；電性連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該基板；以 及熱連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該散熱座。根據(jù)本發(fā)明的一樣式，一種制作一半導(dǎo)體晶片組體的方法包含(1)提供一凸柱、 一基座、一粘著層及一基板，其中(A)該基板至少包含一導(dǎo)電層與一介電層，(B)該凸柱是 鄰接該基座，沿一向上方向延伸于該基座上方，延伸貫穿該粘著層的一開口，并延伸進入該 基板的一通孔，(C)該基座沿一與該向上方向相反的向下方向延伸于該凸柱下方，并沿垂直 于該向上及向下方向的側(cè)面方向自該凸柱側(cè)向延伸而出，(D)該粘著層是設(shè)置于該基座上， 延伸于該基座上方，并位于該基座與該基板之間，且未固化，(E)該基板是設(shè)置于該粘著層 上，且延伸于該粘著層上方，該導(dǎo)電層則延伸于該介電層上方，且(F) —缺口是位于該通孔 內(nèi)且介于該凸柱與該基板之間；( 使該粘著層向上流入該缺口 ； C3)固化該粘著層；(4) 設(shè)置一半導(dǎo)體元件于一至少包含該凸柱與該基座的散熱座上，其中該半導(dǎo)體元件重疊于該 凸柱，一導(dǎo)線包含一焊墊、一端子及該導(dǎo)電層的一選定部分，該焊墊是電性連結(jié)至該端子； (5)電性連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該焊墊，借此電性連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該端子；以及(6)熱連 結(jié)該半導(dǎo)體元件至該凸柱，借此熱連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該基座。根據(jù)本發(fā)明的另一樣式，一種制作一半導(dǎo)體晶片組體的方法包含(1)提供一凸 柱與一基座，其中該凸柱是鄰接且一體成形于該基座，并沿一向上方向延伸于該基座上方， 且該基座是沿一與該向上方向相反的向下方向延伸于該凸柱下方，并自該凸柱沿垂直于 該向上及向下方向的側(cè)面方向側(cè)向延伸而出；(2)提供一粘著層，其中一開口延伸貫穿該 粘著層；C3)提供一基板，該基板至少包含一導(dǎo)電層與一介電層，其中一通孔延伸貫穿該基 板；(4)設(shè)置該粘著層于該基座上，此步驟包含將該凸柱插入該開口，其中該粘著層是延伸 于該基座上方，且該凸柱延伸貫穿該開口 ；(5)設(shè)置該基板于該粘著層上，此步驟包含將該 凸柱插入該通孔，其中該基板是延伸于該粘著層上方，該導(dǎo)電層是延伸于該介電層上方，該 凸柱延伸貫穿該開口并進入該通孔，該粘著層是介于該基座與該基板之間且未固化，一缺 口是位于該通孔中且介于該凸柱與該基板之間；(6)加熱熔化該粘著層；(7)使該基座與該 基板彼此靠合，借此使該凸柱在該通孔內(nèi)向上移動，并對該基座與該基板間的熔化粘著層 施加壓力，該壓力迫使該熔化粘著層向上流入該缺口，而該凸柱與該熔化粘著層則延伸于 該介電層上方；(8)加熱固化該熔化粘著層，借此將該凸柱及該基座機械性黏附至該基板； (9)設(shè)置一半導(dǎo)體元件于一散熱座上，該散熱座至少包含該凸柱與該基座，其中該半導(dǎo)體元 件重疊于該凸柱，一導(dǎo)線包含一焊墊、一端子及該導(dǎo)電層的一選定部分，該焊墊是電性連結(jié) 至該端子；(10)電性連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該焊墊，借此電性連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該端子； 以及(11)熱連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該凸柱，借此熱連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該基座。提供該凸柱與該基座可包含提供一金屬板；在該金屬板上形成一圖案化的蝕刻阻層，其選擇性曝露該金屬板；蝕刻該金屬板，使其形成該圖案化的蝕刻阻層所定義的圖 案，借此在該金屬板上形成一凹槽，其延伸進入但未貫穿該金屬板；而后去除該圖案化的蝕 刻阻層，其中該凸柱包含該金屬板的一未受蝕刻部分，此未受蝕刻部分突出于該基座上方， 且被該凹槽側(cè)向環(huán)繞，該基座亦包含該金屬板的一未受蝕刻部分，此未受蝕刻部分位于該 凸柱與該凹槽下方。提供該粘著層可包含提供一未固化環(huán)氧樹脂的膠片。使該粘著層流動可包含 熔化該未固化環(huán)氧樹脂；并擠壓該基座與該基板間的該未固化環(huán)氧樹脂。固化該粘著層可 包含固化該熔化的未固化環(huán)氧樹脂。提供該散熱座可包含在固化該粘著層之后與設(shè)置該半導(dǎo)體元件之前，在該凸柱 上提供一蓋體，該蓋體位于該凸柱的一頂部上方，鄰接該凸柱的頂部，同時從上方覆蓋該凸 柱的頂部，且自該凸柱頂部沿所述側(cè)面方向側(cè)向延伸而出。提供該焊墊可包含在固化該粘著層之后，去除該導(dǎo)電層的選定部分。提供該焊墊亦可包含在固化該粘著層之后，研磨該凸柱、該粘著層及該導(dǎo)電層， 以使該凸柱、該粘著層及該導(dǎo)電層在一面向該向上方向的上側(cè)表面是彼此側(cè)向齊平；而后 去除該導(dǎo)電層的選定部分，以使該焊墊包含該導(dǎo)電層的選定部分。所述研磨可包含研磨該 粘著層而不研磨該凸柱；而后研磨該凸柱、該粘著層及該導(dǎo)電層。所述去除可包含利用一 可定義該焊墊的圖案化蝕刻阻層對該導(dǎo)電層進行濕式化學(xué)蝕刻。提供該焊墊亦可包含在研磨完成后，在該凸柱、該粘著層與該導(dǎo)電層上沉積導(dǎo)電 金屬以形成一第二導(dǎo)電層；然后去除該些導(dǎo)電層的選定部分，以使該焊墊包含該些導(dǎo)電層 的選定部分。沉積導(dǎo)電金屬以形成該第二導(dǎo)電層可包含將一第一被覆層以無電鍍被覆的 方式設(shè)于該凸柱、該粘著層與該導(dǎo)電層上；而后將一第二被覆層以電鍍方式設(shè)于該第一被 覆層上。所述去除可包含利用可定義該焊墊的圖案化蝕刻阻層對該些導(dǎo)電層進行濕式化 學(xué)蝕刻。提供該端子可包含在固化該粘著層之后，去除該導(dǎo)電層的選定部分。提供該端子 亦可包含先完成前述研磨，然后利用可定義該端子的圖案化蝕刻阻層去除該導(dǎo)電層的選 定部分，以使該端子包含該導(dǎo)電層的選定部分。提供該端子亦可包含先完成前述研磨，然 后利用可定義該端子的圖案化蝕刻阻層去除該些導(dǎo)電層的選定部分，以使該端子包含該些 導(dǎo)電層的選定部分。如此一束，該焊墊與該端子便可通過同一研磨工序，并在同一濕式化學(xué) 蝕刻步驟中利用同一圖案化蝕刻阻層同時形成。提供該蓋體可包含去除該第二導(dǎo)電層的選定部分。提供該蓋體亦可包含先完 成前述研磨，然后利用可定義該蓋體的圖案化蝕刻阻層去除該第二導(dǎo)電層的選定部分，以 使該蓋體包含該第二導(dǎo)電層的選定部分。如此一來，該焊墊與該蓋體便可通過同一研磨工 序，并在同一濕式化學(xué)蝕刻步驟中利用同一圖案化蝕刻阻層同時形成。同樣地，該焊墊、該 端子與該蓋體亦可通過同一研磨工序，并在同一濕式化學(xué)蝕刻步驟中利用同一圖案化蝕刻 阻層同時形成。使該粘著層流動可包含以該粘著層填滿該缺口。使該粘著層流動亦可包含擠 壓該粘著層，使其通過該缺口，到達該凸柱與該基板上方，并及于該凸柱頂面與該基板頂面 鄰接該缺口的部分。固化該粘著層可包含將該凸桂與該基座機械性結(jié)合于該基板。
設(shè)置該半導(dǎo)體元件可包含將該半導(dǎo)體元件設(shè)置于該蓋體上。設(shè)置該半導(dǎo)體元件 亦可包含將該半導(dǎo)體元件設(shè)置于該凸柱、該蓋體、該開口與該通孔上方，并使該半導(dǎo)體元 件重疊于該凸柱、該蓋體、該開口與該通孔。設(shè)置該半導(dǎo)體元件可包含提供一第一焊錫與一第二焊錫，其中該第一焊錫位于 一包含LED晶片的LED封裝體與該焊墊之間，該第二焊錫位于該LED封裝體與該蓋體之間。 電性連結(jié)該半導(dǎo)體元件可包含在該LED封裝體與該焊墊之間提供該第一焊錫。熱連結(jié)該 半導(dǎo)體元件可包含在該LED封裝體與該蓋體之間提供該第二焊錫。設(shè)置該半導(dǎo)體元件可包含在一半導(dǎo)體晶片與該蓋體之間提供一固晶材料。電性 連結(jié)該半導(dǎo)體元件可包含在該晶片與該焊墊之間提供一打線。熱連結(jié)該半導(dǎo)體元件可包 含在該晶片與該蓋體之間提供該固晶材料。該粘著層可接觸該凸柱、該基座、該蓋體及該介電層，從下方覆蓋該基板，在所述 側(cè)面方向覆蓋并環(huán)繞該凸柱，并延伸至該組體制造完成后與同批生產(chǎn)的其他組體分離所形 成的外圍邊緣。當(dāng)該組體制造完成且與同批生產(chǎn)的其他組體分離后，該基座可從下方覆蓋該半導(dǎo) 體元件、該凸柱、該蓋體、該基板與該粘著層，同時支撐該基板，并延伸至該組體的外圍邊緣。本發(fā)明具有多項優(yōu)點。該散熱座可提供優(yōu)異的散熱效果，并使熱能不流經(jīng)該粘著 層。因此，該粘著層可為低導(dǎo)熱性的低成本電介質(zhì)且不易脫層。該凸柱與該基座可一體成 形以提高可靠度。該蓋體可為該半導(dǎo)體元件量身訂做以提升熱連結(jié)的效果。該粘著層可介 于該凸柱與該基板之間以及該基座與該基板之間，借以在該散熱座與該基板之間提供堅固 的機械性連結(jié)。該基板可具有簡單的電路圖案以提供單層信號路由，或具有復(fù)雜的電路圖 案以實現(xiàn)具彈性的多層信號路由。該導(dǎo)線可在該介電層上方的該焊墊與該端子之間提供水 平信號路由，或者在該介電層上方的該焊墊與該粘著層下方的該端子之間提供垂直信號路 由。該基座可為該基板提供機械性支撐，防止其彎曲變形。該組體可利用低溫工序制造，不 只降低應(yīng)力，亦提高可靠度。該組體亦可利用電路板、導(dǎo)線架與卷帶式基板制造廠可輕易實 施的高控制工序加以制造。本發(fā)明的上述及其他特征與優(yōu)點將于下文中借由各種實施例進一步加以說明。


下面結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明的一個較佳實施例進行詳細說明圖1至圖4為剖視圖，說明本發(fā)明一實施例中用以制作一凸柱及一基座的方法。圖5及圖6分別為圖4的俯視圖及仰視圖。圖7及圖8為剖視圖，說明本發(fā)明一實施例中用以制作一粘著層的方法。圖9及圖10分別為圖8的俯視圖及仰視圖。圖11及圖12為剖視圖，說明本發(fā)明一實施例中用以制作一基板的方法。圖13及圖14分別為圖12的俯視圖及仰視圖。圖15至圖沈為剖視圖，說明本發(fā)明一實施例中用以制作一導(dǎo)熱板的方法，該導(dǎo)熱 板可提供水平信號路由。圖27及圖28分別為圖沈的俯視圖及仰視圖。
圖29、圖30及圖31分別為本發(fā)明一實施例中一導(dǎo)熱板的剖視圖、俯視圖及仰視
圖，該導(dǎo)熱板可提供垂直信號路由。圖32、圖33及圖34分別為本發(fā)明一實施例中一半導(dǎo)體晶片組體的剖視圖、俯視圖 及仰視圖，該半導(dǎo)體晶片組體包含該具有水平信號路由的導(dǎo)熱板及一具有背面接點的LED 封裝體。圖35、圖36及圖37分別為本發(fā)明一實施例中一半導(dǎo)體晶片組體的剖視圖、俯視圖 及仰視圖，該半導(dǎo)體晶片組體包含該具有水平信號路由的導(dǎo)熱板及一具有側(cè)引腳的LED封 裝體。圖38、圖39及圖40分別為本發(fā)明一實施例中一半導(dǎo)體晶片組體的剖視圖、俯視圖 及仰視圖，該半導(dǎo)體晶片組體包含該具有水平信號路由的導(dǎo)熱板及一半導(dǎo)體晶片。圖41、圖42及圖43分別為本發(fā)明一實施例中一半導(dǎo)體晶片組體的剖視圖、俯視圖 及仰視圖，該半導(dǎo)體晶片組體包含該具有垂直信號路由的導(dǎo)熱板及一半導(dǎo)體晶片。圖44、圖45及圖46分別為本發(fā)明一實施例中一光源次組體的剖視圖、俯視圖及仰 視圖，該光源次組體包含圖32至圖34所示的半導(dǎo)體晶片組體及一散熱裝置。
具體實施例方式為更進一步闡述本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合 附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的具有凸柱/基座的散熱座及基板的半導(dǎo)體晶片組 體其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。圖1至圖4為剖視圖，繪示本發(fā)明的一實施例中一種制作一凸柱與一基座的方法， 圖5及圖6分別為圖4的俯視圖及仰視圖。圖1為金屬板10的剖視圖，金屬板10包含相背的主要表面12及14。圖示的金屬 板10是一厚度為500微米的銅板。銅具有導(dǎo)熱性高、結(jié)合性良好與低成本等優(yōu)點。金屬板 10可由多種金屬制成，如銅、鋁、鐵鎳合金、鐵、鎳、銀、金、其混合物及其合金。圖2為一剖視圖，顯示金屬板10上形成有一圖案化的蝕刻阻層16以及一全面覆 蓋的蝕刻阻層18。圖示的圖案化的蝕刻阻層16與全面覆蓋的蝕刻阻層18是沉積于金屬板 10上的光阻層，其制作方式是利用壓模技術(shù)以熱滾輪同時將光阻層分別壓合于表面12及 14。濕性旋涂法及淋幕涂布法亦為適用的光阻形成技術(shù)。將一光罩(圖未示)靠合于光阻 層，然后依照現(xiàn)有技術(shù)，令光線選擇性通過光罩，使受光的光阻部分變?yōu)椴豢扇芙?；之后?以顯影液去除未受光且仍可溶解的光阻部分，使光阻層16形成圖案。因此，光阻層16具有 一可選擇性曝露表面12的圖案，而光阻層18則無圖案且覆蓋表面14。圖3為一剖視圖，顯示金屬板10形成有一掘入但未穿透金屬板10的凹槽20。凹 槽20是以蝕刻金屬板10的方式形成，以使金屬板10形成由圖案化的蝕刻阻層16所定義 的圖案。圖式的蝕刻方式為正面濕式化學(xué)蝕刻。例如，可將結(jié)構(gòu)體反轉(zhuǎn)，使圖案化的蝕刻阻 層16朝下，而全面覆蓋的蝕刻阻層18朝上，然后利用一朝上且面向圖案化蝕刻阻層16的 底部噴嘴(圖未示)將化學(xué)蝕刻液噴灑至金屬板10及圖案化的蝕刻阻層16，在此同時，一 面向全面覆蓋的蝕刻阻層18的頂部噴嘴(圖未示)則不予啟動，如此一來便可借助重力去 除蝕刻的副產(chǎn)物?；蛘撸萌娓采w的蝕刻阻層18提供背面保護，亦可將結(jié)構(gòu)體浸入化 學(xué)蝕刻液中以形成凹槽20。所述化學(xué)蝕刻液對銅具有高度針對性，且可刻入金屬板10達300微米。因此，凹槽20自表面12延伸進入但未穿透金屬板10，與表面14距離200微米， 深度則為300微米?；瘜W(xué)蝕刻液亦對圖案化的蝕刻阻層16下方的金屬板10造成側(cè)向蝕入。 適用的化學(xué)蝕刻液可為含堿氨的溶液或硝酸與鹽酸的稀釋混合物。換言之，所述化學(xué)蝕刻 液可為酸性或堿性。足以形成凹槽20而不致使金屬板10過度曝露于化學(xué)蝕刻液的理想蝕 刻時間可由試誤法決定。圖4、圖5及圖6分別為去除圖案化的蝕刻阻層16及全面覆蓋的蝕刻阻層18后的 金屬板10的剖視圖、俯視圖及仰視圖，其中所述光阻層已經(jīng)溶劑處理去除。例如，所用溶劑 可為PH為14的強堿性氫氧化鉀溶液。經(jīng)蝕刻的金屬板10因此包含凸柱22及基座M。凸柱22為金屬板10上一受圖案化的蝕刻阻層16保護而未被蝕刻的部分。凸柱 22是鄰接基座24，與基座M形成一體，且突伸于基座M上方，在側(cè)向則由凹槽20所包圍。 凸柱22高300微米(等于凹槽20的深度)，其頂面(表面12的圓形部分)的直徑為1000 微米，而底部(鄰接基座M的圓形部分)的直徑則為1100微米。因此，凸柱22呈平頂錐 柱形(類似一平截頭體)，其側(cè)壁漸縮，直徑則自基座M處朝其平坦圓形頂面向上遞減。該 漸縮側(cè)壁是因化學(xué)蝕刻液側(cè)向蝕入圖案化的蝕刻阻層16下方而形成。該頂面與該底部的 圓周同心(如圖5所示)?；鵐為金屬板10在凸柱22下方的一未受蝕刻部分，自凸柱22沿一側(cè)向平面 (如左、右等側(cè)面方向)側(cè)向延伸，厚度為200微米(即500-300)。凸柱22與基座M可經(jīng)處理以加強與環(huán)氧樹脂及焊料的結(jié)合度。例如，凸柱22與 基座M可經(jīng)化學(xué)氧化或微蝕刻以產(chǎn)生較粗糙的表面。凸柱22與基座M在圖式中為通過削減法形成的單一金屬(銅)體。此外，亦可 利用一具有凹槽或孔洞以定義凸柱22部位的接觸件沖壓金屬板10，使凸柱22與基座M成 為沖壓成型的單一金屬體。或者，可利用增添法形成凸柱22，其作法是通過電鍍、化學(xué)氣相 沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)等技術(shù)，將凸柱22沉積于基座M上。例如，可在銅質(zhì)基座 M上電鍍焊料凸柱22 ；在此情況下，凸柱22與基座M是以冶金介面相接，彼此鄰接但并非 一體成形。或者，可利用半增添法形成凸柱22，例如可在凸柱22其蝕刻形成的下部上方沉 積凸柱22的上部。此外，凸柱22與基座M亦可同時以半增添法形成，例如可在凸柱22與 基座M其蝕刻形成的下部上方沉積凸柱22與基座M的同形上部。凸柱22亦可燒結(jié)于基 座24。圖7及圖8為剖視圖，說明本發(fā)明的一實施例中一種制作粘著層的方法。圖9及 圖10分別為根據(jù)第8圖所繪制的俯視圖及仰視圖。圖7為粘著層沈的剖視圖，其中粘著層沈為乙階(B-STAGE)未固化環(huán)氧樹脂的 膠片，其為一未經(jīng)固化且無圖案的片體，厚180微米。粘著層沈可為多種有機或無機電性絕緣體制成的各種介電膜或膠片。例如，粘著 層26起初可為一膠片，其中樹脂型態(tài)的熱固性環(huán)氧樹脂浸入一加強材料后部分固化至中 期。所述環(huán)氧樹脂可為FR-4，但亦可使用諸如多官能與雙馬來酰亞胺-三氮雜苯(BT)樹 脂等其他環(huán)氧樹脂。在特定應(yīng)用中，氰酸酯、聚酰亞胺及聚四氟乙烯(PTFE)亦為可用的環(huán) 氧樹脂。所述加強材料可為電子級玻璃，亦可為其他加強材料，如高強度玻璃、低誘電率玻 璃、石英、克維拉纖維(KEVLAR ARAMID)及紙等。所述加強材料也可為織物、不織布或無方向性微纖維?？蓪⒅T如硅(研粉熔融石英)等填充物加入膠片中以提升導(dǎo)熱性、熱沖擊阻 抗力與熱膨脹匹配性。可利用市售預(yù)浸漬體，如美國威斯康辛州奧克萊W. L. GORE & ASSOCI ATES的SPEEDB0ARD C膠片即為一例。圖8、圖9及圖10分別為具有開口 28的粘著層沈的剖視圖、俯視圖及仰視圖。開 口觀為一穿透粘著層沈的中央窗口。開口觀因此機械方式鉆透該膠片而形成，其直徑為 1150微米。開口觀亦可利用其他技術(shù)制作，如沖制及沖壓等。圖11及圖12為剖視圖，說明本發(fā)明的一實施例中一種制作基板的方法，而圖13 及圖14則分別為根據(jù)圖12繪制的俯視圖及仰視圖。圖11是基板30的剖視圖，基板30包含導(dǎo)電層32及介電層34。導(dǎo)電層32為電性 導(dǎo)體，其接觸介電層34并延伸于其上方。介電層34則為電性絕緣體。例如，導(dǎo)電層32為 30微米厚且無圖案的銅板，介電層34為150微米厚的環(huán)氧樹脂。圖12、圖13及圖14分別為具有通孔36的基板30的剖視圖、俯視圖及仰視圖。通 孔36為一穿透基板30的中央窗口。通孔36的形成方式是將導(dǎo)電層32與介電層34以機 械方式鉆透。通孔36的直徑為1150微米。通孔36亦可以其他技術(shù)形成例如沖制及沖壓。 較佳者，開口觀與通孔36具有相同直徑，且是以相同的鉆頭在同一鉆臺上通過相同方式形 成?；?0在此繪示為一層壓結(jié)構(gòu)，但基板30亦可為其他電性相連體，如陶瓷板或印 刷電路板。同樣地，基板30可另包含多數(shù)個內(nèi)嵌電路的層體。圖15至圖沈為剖視圖，說明本發(fā)明的一實施例中一種制作具有水平信號路由的 導(dǎo)熱板的方法，該導(dǎo)熱板包含凸柱22、基座M、粘著層沈及基板30，而圖27及圖觀則分別 為圖26的俯視圖及仰視圖。圖23為粘著層沈設(shè)置于基座M上的剖視圖。粘著層沈是下降至基座M上，使 凸柱22向上插入并貫穿開口 28，而粘著層沈則接觸并定位于基座M。較佳者，凸柱22在 插入及貫穿開口觀后是對準(zhǔn)開口觀且位于開口觀內(nèi)的中央位置而不接觸粘著層26。在圖16所示結(jié)構(gòu)中，基板30是設(shè)置于粘著層沈上?；?0是下降至粘著層沈 上，使凸柱22向上插入通孔36，而基板30則接觸并定位于粘著層26。較佳者，凸柱22在 插入(但并未貫穿)通孔36后是對準(zhǔn)通孔36且位于通孔36內(nèi)的中央位置而不接觸基板 30。因此，缺口 38是位于通孔36內(nèi)且介于凸柱22與基板30之間。缺口 38側(cè)向環(huán)繞凸柱 22，同時被基板30側(cè)向包圍。此外，開口 28與通孔36是相互對齊且具有相同直徑。此時，基板30是安置于粘著層沈上并與之接觸，且延伸于粘著層沈上方。凸柱22 延伸通過開口觀，進入通孔36，并到達介電層34。凸柱22較導(dǎo)電層32的頂面低60微米，并 經(jīng)由通孔36朝一向上方向外露。粘著層沈接觸基座M與基板30且介于該兩者之間。粘 著層沈接觸介電層34但與導(dǎo)電層32保持距離。在此階段，粘著層沈仍為乙階(B-STAGE) 未固化環(huán)氧樹脂的膠片，而缺口 38中則為空氣。圖17繪示粘著層沈經(jīng)加熱加壓后流入缺口 38中。在此圖中，迫使粘著層沈流 入缺口 38的方法是對導(dǎo)電層32施以向下壓力及/或?qū)鵐施以向上壓力，亦即將基座 24與基板30相對壓合，借以對粘著層沈施壓；在此同時亦對粘著層沈加熱。受熱后的粘 著層沈可在壓力下任意成形。因此，位于基座M與基板30間的粘著層沈受到擠壓后，改 變其原始形狀并向上流入缺口 38?；鵐與基板30持續(xù)朝彼此壓合，直到粘著層沈填滿缺口 38為止。此外，在基座M與基板30間的間隙縮小后，粘著層沈仍舊填滿此一縮小的 間隙內(nèi)。例如，可將基座M及導(dǎo)電層32設(shè)置于一壓合機的上、下壓臺(圖未示)之間。此 外，可將一上擋板及上緩沖紙(圖未示)夾置于導(dǎo)電層32與上壓臺之間，并將一下?lián)醢寮?下緩沖紙(圖未示)夾置于基座M與下壓臺之間。以此構(gòu)成的疊合體由上到下依次為上 壓臺、上擋板、上緩沖紙、基板30、粘著層沈、基座M、下緩沖紙、下?lián)醢寮跋聣号_。此外，可 利用從下壓臺向上延伸并穿過基座M對位孔(圖未示)的工具接腳(圖未示)將此疊合 體定位于下壓臺上。而后將上、下壓臺加熱并相互推進，借此對粘著層沈加熱并施壓。擋板可將壓臺 的熱分散，使熱均勻施加于基座M與基板30乃至于粘著層26。緩沖紙則將壓臺的壓力分 散，使壓力均勻施加于基座M與基板30乃至于粘著層26。起初，介電層34接觸并壓合于 粘著層26。隨著壓臺持續(xù)動作與持續(xù)加熱，基座M與基板30間的粘著層沈受到擠壓并開 始熔化，因而向上流入缺口 38，通過介電層34，最后到達導(dǎo)電層32。例如，未固化環(huán)氧樹脂 遇熱熔化后，被壓力擠入缺口 38中，但加強材料及填充物仍留在基座M與基板30之間。粘 著層沈在通孔36內(nèi)上升的速度大于凸柱22，終至填滿缺口 38。粘著層沈亦上升至稍高 于缺口 38的位置，并在壓臺停止動作前，溢流至凸柱22頂面以及導(dǎo)電層32的頂面鄰接缺 口 38處。若膠片厚度略大于實際所需便可能發(fā)生此一情形。如此一來，粘著層沈便在凸 柱22頂面形成一覆蓋薄層。壓臺在觸及凸柱22后停止動作，但仍持續(xù)對粘著層沈加熱。粘著層沈在缺口 38中向上流動的方向如圖中向上粗箭號所示，凸柱22與基座M 相對于基板30的向上移動如向上細箭號所示，而基板30相對于凸柱22與基座M的向下 移動則如向下細箭號所示。圖18中的粘著層沈已經(jīng)固化。例如，壓臺停止移動后仍持續(xù)夾合凸柱22與基座M并供熱，借此將已熔化的乙階 (B-STAGE)環(huán)氧樹脂轉(zhuǎn)換為丙階(C-STAGE)固化或硬化的環(huán)氧樹脂。因此，環(huán)氧樹脂是以類 似現(xiàn)有多層壓合的方式固化。環(huán)氧樹脂固化后，壓臺分離，以便將結(jié)構(gòu)體從壓臺機中取出。固化的粘著層沈在凸柱22與基板30之間以及基座M與基板30之間提供牢固 的機械性連結(jié)。粘著層沈可承受一般操作壓力而不致變形損毀，遇過大壓力時則只暫時扭 曲。再者，粘著層26可吸收凸柱22與基板30之間以及基座M與基板30之間的熱膨脹不 匹配。在此階段，凸柱22與導(dǎo)電層32大致共平面，而粘著層沈與導(dǎo)電層32則延伸至一 面朝該向上方向的頂面。例如，基座M與介電層34間的粘著層沈厚120微米，較其初始 厚度180微米減少60微米；凸柱22在通孔36中升高60微米，而基板30則相對于凸柱22 下降60微米。凸柱22高度300微米基本上等同于導(dǎo)電層32 (30微米)、介電層34(150微 米)與下方粘著層26 (120微米)的結(jié)合高度。此外，凸柱22仍位于開口觀與通孔36內(nèi) 的中央位置并與基板30保持距離，粘著層沈則填滿基座M與基板30間的空間并填滿缺 口 38。例如，缺口 38(以及凸柱22與基板30間的粘著層26)在凸柱22頂面處寬75微米 ((1150-1000)/2)。粘著層沈在缺口 38中延伸跨越介電層34。換言之，缺口 38中的粘著 層26是沿該向上方向及一向下方向延伸并跨越缺口 38外側(cè)壁的介電層34厚度。粘著層 26亦包含缺口 38上方的薄頂部分，其接觸凸柱22與導(dǎo)電層32的頂面并在凸柱22上方延伸10微米。在圖19所示結(jié)構(gòu)中，凸柱22、粘著層沈及導(dǎo)電層32的頂部皆已去除。凸柱22、粘著層沈及導(dǎo)電層32的頂部是以研磨方式去除，例如以旋轉(zhuǎn)鉆石砂輪及 蒸餾水處理結(jié)構(gòu)體的頂部。起初，鉆石砂輪只磨去粘著層沈。持續(xù)研磨，則粘著層沈因受 磨表面下移而變薄。鉆石砂輪終將接觸凸柱22與導(dǎo)電層32(不必然同時)，因而開始研磨 凸柱22與導(dǎo)電層32。持續(xù)研磨后，凸柱22、粘著層沈及導(dǎo)電層32均因受磨表面下移而變 薄。研磨持續(xù)至去除所需厚度為止。之后，以蒸餾水沖洗結(jié)構(gòu)體去除污物。上述研磨步驟將粘著層沈的頂部磨去25微米，將凸柱22的頂部磨去15微米，并 將導(dǎo)電層32的頂部磨去15微米。厚度減少對凸柱22或粘著層沈的影響并不明顯，但卻 使導(dǎo)電層32的厚度從30微米大幅縮減至15微米。至此，凸柱22、粘著層沈及導(dǎo)電層32是共同位于介電層34上方一面朝該向上方 向的平滑拼接側(cè)頂面上。圖20所示的結(jié)構(gòu)體具有導(dǎo)電層40，其沉積于凸柱22、粘著層沈及導(dǎo)電層32上。導(dǎo)電層40接觸凸柱22、粘著層沈及導(dǎo)電層32，并從上方覆蓋此三者。例如，可將 結(jié)構(gòu)體浸入一活化劑溶液中，因而使粘著層26可與無電鍍銅產(chǎn)生觸媒反應(yīng)，接著將一第一 銅層以無電鍍被覆的方式設(shè)于凸柱22、粘著層沈及導(dǎo)電層32上，然后將一第二銅層以電鍍 方式設(shè)于該第一銅層上。第一銅層厚約2微米，第二銅層厚約13微米，故導(dǎo)電層40的總厚 度約為15微米。如此一束，導(dǎo)電層32的厚度便增為約30微米(15+15)。導(dǎo)電層40是作為 凸柱22的一覆蓋層及導(dǎo)電層32的一加厚層。為便于說明，凸柱22與導(dǎo)電層40以及導(dǎo)電 層32與40均以單層顯示。由于銅為同質(zhì)被覆，凸柱22與導(dǎo)電層40間的界線以及導(dǎo)電層 32與40間的界線(均以虛線繪示)可能不易察覺甚至無法察覺。然而，粘著層沈與導(dǎo)電 層40的界線則清楚可見。圖21所示結(jié)構(gòu)體的上、下表面分別設(shè)有圖案化的蝕刻阻層42與全面覆蓋的蝕刻 阻層44。圖示的圖案化蝕刻阻層42與全面覆蓋的蝕刻阻層44是分別類似于光阻層16與 18的光阻層。光阻層42設(shè)有可選擇性曝露導(dǎo)電層40的圖案，而光阻層44則無圖案且覆蓋 基座對。在圖22所示的結(jié)構(gòu)體中，導(dǎo)電層32與40已經(jīng)由蝕刻去除其選定部分以形成圖案 化的蝕刻阻層42所定義的圖案。所述蝕刻與施用于金屬板10的正面濕式化學(xué)蝕刻相仿。 化學(xué)蝕刻液蝕刻穿透導(dǎo)電層32及40以曝露粘著層沈及介電層34，因而將原本無圖案的導(dǎo) 電層32及40轉(zhuǎn)換為圖案層，至于基座M則未形成圖案。在圖23中，結(jié)構(gòu)體上的圖案化蝕刻阻層42與全面覆蓋的蝕刻阻層44均已去除。 去除光阻層42及44的方式可與去除光阻層16及18的方式相同。蝕刻后的導(dǎo)電層32及40包含焊墊46、路由線48與端子50，而蝕刻后的導(dǎo)電層40 則包含蓋體52。焊墊46、路由線48與端子50是導(dǎo)電層32與40受圖案化的蝕刻阻層42 保護而未被蝕刻的部分，蓋體52則為導(dǎo)電層40受圖案化的蝕刻阻層42保護而未被蝕刻的 部分。如此一來，導(dǎo)電層32與40便成為圖案層，其包含焊墊46、路由線48與端子50但不 包含蓋體52。此外，路由線48為一銅導(dǎo)線，其接觸介電層34并延伸于其上方，同時鄰接且 電性連結(jié)焊墊46與端子50。焊墊46、路由線48及端子50共同形成導(dǎo)線M。路由線48是焊墊46與端子50間的一導(dǎo)電路徑。導(dǎo)線M提供從焊墊46至端子50的水平(側(cè)向)路由。導(dǎo)線M并不限 于此一構(gòu)型，例如上述導(dǎo)電路徑可包含延伸穿過介電層34的導(dǎo)電孔、位于介電層34上方及 /或下方的其他路由線，以及被動元件，例如設(shè)置于其他焊墊上的電阻與電容。散熱座56包含凸柱22、基座M及蓋體52。凸柱22與基座M是一體成形。蓋體 52位于凸柱22的頂部上方，鄰接凸柱22的頂部，同時從上方覆蓋凸柱22的頂部，并由凸柱 22的頂部往側(cè)向延伸。設(shè)置蓋體52后，凸柱22是坐落于蓋體52圓周內(nèi)的中央?yún)^(qū)域。蓋 體52亦從上方接觸并覆蓋其下方粘著層沈的一部分，粘著層沈的該部分是與凸柱22共 平面，鄰接凸柱22，同時側(cè)向包圍凸柱22。散熱座56實質(zhì)上為一倒T形的散熱塊，其包含柱部(凸柱22)、翼部(基座M自 柱部側(cè)向延伸的部分)以及一導(dǎo)熱墊(蓋體52)。圖M的結(jié)構(gòu)體在介電層34、導(dǎo)電層40及蓋體52上設(shè)有防焊綠漆58。防焊綠漆58為一電性絕緣層，其可依吾人的選擇形成圖案以曝露焊墊46、端子 50與蓋體52，并從上方覆蓋粘著層沈與介電層34的外露部分及路由線48。防焊綠漆58 在焊墊46與端子50上方的厚度為25微米，且防焊綠漆58于介電層34上方延伸55微米 (30+25)。防焊綠漆58起初為涂布于結(jié)構(gòu)體上的一光顯像型液態(tài)樹脂。之后再在防焊綠漆 58上形成圖案，其作法是令光線選擇性通過光罩(圖未示)，使受光的部分防焊綠漆58變 為不可溶解，然后利用一顯影溶液去除未受光且仍可溶解的部分防焊綠漆58，最后再進行 硬烤，以上步驟乃現(xiàn)有技藝。圖25所示結(jié)構(gòu)體的基座對、焊墊46、端子50與蓋體52上設(shè)有被覆接點60。被覆接點60為一多層金屬鍍層，其從下方接觸及覆蓋基座M，并從上方接觸焊墊 46、端子50與蓋體52同時覆蓋其外露的部分。例如，一鎳層是以無電鍍被覆的方式設(shè)于基 座對、焊墊46、端子50與蓋體52上，而后再將一金層以無電鍍被覆的方式設(shè)于該鎳層上， 其中內(nèi)部鎳層厚約3微米，表面金層厚約0. 5微米，故被覆接點60的厚度約為3. 5微米。以被覆接點60作為基座對、焊墊46、端子50與蓋體52的表面處理具有凡項優(yōu)點。 內(nèi)部鎳層提供主要的機械性與電性連結(jié)及/或熱連結(jié)，而表面金層則提供一可濕性表面以 利焊料回焊。被覆接點60亦保護基座M、焊墊46、端子50與蓋體52不受腐蝕。被覆接點 60可包含各種金屬以符合外部連結(jié)媒介的需要。例如，一被覆在鎳層上的銀層可搭配焊錫 或打線。為便于說明，設(shè)有被覆接點60的基座對、焊墊46、端子50與蓋體52均以單一層 體方式顯示。被覆接點60與基座M、焊墊46、端子50及蓋體52間的界線(圖未示)為銅 /鎳介面。至此完成導(dǎo)熱板62的制作。圖26、圖27及圖觀分別為導(dǎo)熱板62的剖視圖、俯視圖及仰視圖，圖中導(dǎo)熱板62 的邊緣已沿切割線而與支撐架及/或同批生產(chǎn)的相鄰導(dǎo)熱板分離。導(dǎo)熱板62包含粘著層沈、基板30、散熱座56及防焊綠漆58?；?0包含介電 層34及導(dǎo)線M，其中導(dǎo)線M包含焊墊46、路由線48及端子50。散熱座56包含凸柱22、 基座M及蓋體52。凸柱22延伸貫穿開口觀并進入通孔36后，仍位于開口觀及通孔36內(nèi)的中央位置，并與粘著層26位于介電層34上方的一相鄰部分共平面。凸柱22保持平頂錐柱形，其 漸縮側(cè)壁使其直徑自基座M朝鄰接蓋體52的平坦圓頂向上遞減。基座M從下方覆蓋凸 柱22、粘著層沈、基板30、蓋體52、導(dǎo)線M及防焊綠漆58，并延伸至導(dǎo)熱板62的外圍邊緣。 蓋體52位于凸柱22上方，與之鄰接并為熱連結(jié)，蓋體52同時從上方覆蓋凸柱22的頂部， 并自凸柱22頂部沿側(cè)向延伸。蓋體52亦從上方接觸并覆蓋粘著層沈的一部分，粘著層沈 的該部分是鄰接凸柱22，與凸柱22共平面，且側(cè)向包圍凸柱22。蓋體52亦與焊墊46及端 子50共平面。粘著層沈是設(shè)置于基座M上并在其上方延伸。粘著層沈在缺口 38內(nèi)接觸且介 于凸柱22與介電層34之間，并填滿凸柱22與介電層34間的空間。粘著層沈在缺口 38外 則接觸且介于基座M與介電層34之間，并填滿基座M與介電層34間的空間。粘著層沈 是從凸柱22側(cè)向延伸并越過端子50，且被端子50重疊。此外，粘著層沈從上方覆蓋基座 24位于凸柱22周緣外的部分，并從下方覆蓋基板30，同時沿側(cè)面方向覆蓋并環(huán)繞凸柱22。 粘著層26被限制在基板30與散熱座56間的空間內(nèi)，并填滿此空間的絕大部分。此時粘著 層沈已固化?；?0是設(shè)置于粘著層沈上且與之接觸。此外，基板30亦延伸于下方粘著層沈 的上方以及基座M的上方。其中，導(dǎo)電層32 (以及焊墊46、路由線48與端子50)接觸介電 層34且延伸于其上方，而介電層34則接觸且介于粘著層沈與導(dǎo)電層32之間。凸柱22、基座M及蓋體52均與基板30保持距離。因此，基板30與散熱座56是 機械性連接且彼此電性隔離。同批制作的導(dǎo)熱板62經(jīng)裁切后，其基座M、粘著層沈、介電層34及防焊綠漆58 均延伸至裁切而成的垂直邊緣。焊墊46是一專為LED封裝體或半導(dǎo)體晶片等半導(dǎo)體元件量身訂做的電性介面，該 半導(dǎo)體元件將在后續(xù)工藝中設(shè)置于蓋體52上。端子50是一專為下一層組體(例如來自一 印刷電路板的可焊接線)量身訂做的電性介面。蓋體52是一專為該半導(dǎo)體元件量身訂做 的熱介面?；鵐是一專為下一層組體(例如一電子設(shè)備的散熱裝置)量身訂做的熱介 面。此外，蓋體52是經(jīng)由凸柱22而熱連結(jié)至基座對。焊墊46與端子50在側(cè)向上彼此錯位且均外露于導(dǎo)熱板62的頂面，借此提供該半 導(dǎo)體元件與下一層組體間的水平輸入/輸出路由。焊墊46、端子50與蓋體52位于介電層34上方的頂面是彼此共平面。為便于說明，導(dǎo)線M在剖視圖中是繪示為一連續(xù)電路跡線。然而，導(dǎo)線M通常同 時提供X與Y方向的水平信號路由，亦即焊墊46與端子50彼此在X與Y方向形成側(cè)向錯 位，而路由線48則構(gòu)成X與Y方向的路徑。散熱座56可將隨后設(shè)置于蓋體52上的半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的熱能擴散至散熱座56 所連接的下一層組體。該半導(dǎo)體元件產(chǎn)生的熱能流入蓋體52，自蓋體52進入凸柱22，并經(jīng) 由凸柱22進入基座M。熱能從基座M沿該向下方向散出，例如擴散至一下方散熱裝置。導(dǎo)熱板62的凸柱22與路由線48均未外露，其中凸柱22被蓋體52覆蓋，路由線 48是由防焊綠漆58覆蓋，至于粘著層沈的頂面則同時由蓋體52及防焊綠漆58覆蓋。為 便于說明，圖27以虛線繪示凸柱22、粘著層沈與路由線48。導(dǎo)熱板62亦包含其他導(dǎo)線M，該些導(dǎo)線M基本上是由焊墊46、路由線48與端子50所構(gòu)成。為便于說明，在此只說明并繪示單一導(dǎo)線M。在導(dǎo)線M中，焊墊46及端子50 通常具有相同的形狀及尺寸，而路由線48則通常采用不同的路由構(gòu)型。例如，部分導(dǎo)線M 設(shè)有間距，彼此分離，且為電性隔離，而部分導(dǎo)線M則彼此交錯或?qū)蛲缓笁|46、路由線 48或端子50且彼此電性連結(jié)。同樣地，部分焊墊46可用以接收獨立信號，而部分焊墊46 則共用一信號、電源或接地端。導(dǎo)熱板62可適用于具有藍、綠及紅色LED晶片的LED封裝體，其中各LED晶片包 含一陽極與一陰極，且各LED封裝體包含對應(yīng)的陽極端子與陰極端子。在此例中，導(dǎo)熱板62 可包含六個焊墊46與四個端子50，以便將每一陽極從一獨立焊墊46導(dǎo)向一獨立端子50， 并將每一陰極從一獨立焊墊46導(dǎo)向一共同的接地端子50。在各制造階段均可利用一簡易清潔步驟去除外露金屬上的氧化物與殘留物，例如 可對本案結(jié)構(gòu)體施行一短暫的氧電漿清潔步驟?；蛘?，可利用一過錳酸鉀溶液對本案結(jié)構(gòu) 體進行一短暫的濕式化學(xué)清潔步驟。同樣地，亦可利用蒸餾水淋洗本案結(jié)構(gòu)體以去除污物。 此清潔步驟可清潔所需表面而不對結(jié)構(gòu)體造成明顯的影響或破壞。本案的優(yōu)點在于導(dǎo)線M形成后不需從中分離或分割出匯流點或相關(guān)電路系統(tǒng)。 匯流點可在形成焊墊46、路由線48、端子50與蓋體52的濕式化學(xué)蝕刻步驟中分離。導(dǎo)熱板62可包含鉆透或切通基座對、粘著層沈、基板30與防焊綠漆58而形成的 對位孔(圖未示)。如此一來，當(dāng)導(dǎo)熱板62需在后續(xù)工藝中設(shè)置于一下方載體時，便可將工 具接腳插入對位孔中，借以將導(dǎo)熱板62置于定位。導(dǎo)熱板62可略去蓋體52。欲達此一目的，可調(diào)整圖案化的蝕刻阻層42，使整個通 孔36上方的導(dǎo)電層40均曝露于用以形成焊墊46、路由線48與端子50的化學(xué)蝕刻液中。 略去蓋體52的另一作法是不設(shè)導(dǎo)電層40。導(dǎo)熱板62可容納多個半導(dǎo)體元件而非只容納單一半導(dǎo)體元件。欲達此一目的，可 調(diào)整圖案化的蝕刻阻層16以定義更多凸柱22，調(diào)整粘著層沈以包含更多開口 28，調(diào)整基 板30以包含更多通孔36，調(diào)整圖案化的蝕刻阻層42以定義更多焊墊46、路由線48、端子 50與蓋體52，并調(diào)整防焊綠漆58以包含更多開口。端子50以外的元件可改變側(cè)向位置以 便為四個半導(dǎo)體元件提供一 2X2陣列。此外，部分但非所有元件的剖面形狀及高低(即側(cè) 面形狀)亦可有所調(diào)整。例如，焊墊46、端子50與蓋體52可保持相同的側(cè)面形狀，而路由 線48則具有不同的路由構(gòu)型。圖29、圖30及圖31分別為本發(fā)明一實施例中一具有垂直信號路由的導(dǎo)熱板的剖 視圖、俯視圖及仰視圖。在此實施例中，端子是位于導(dǎo)熱板的底部。為求行文簡潔，凡有美導(dǎo)熱板62的說 明適用于此實施例者均并入此處，相同的內(nèi)容不再贅述。同樣地，本實施例導(dǎo)熱板的元件與 導(dǎo)熱板62的元件類似者均使用對應(yīng)的參考標(biāo)號。導(dǎo)熱板64包含粘著層沈、基板30、導(dǎo)線M、散熱座56及防焊綠漆58與59?；?30包含介電層34。導(dǎo)線M包含焊墊46、路由線48、導(dǎo)電孔49及端子50。散熱座56包含 凸柱22、基座M及蓋體52。本實施例的基座M較上一實施例的基座M為薄，且是與導(dǎo)熱板64的外圍邊緣保 持距離?；鵐從下方覆蓋凸柱22與蓋體52但并未覆蓋粘著層沈、基板30、導(dǎo)線M或 防焊綠漆58與59?；鵐亦支撐基板30，并于粘著層沈下方與端子50共平面。
導(dǎo)電孔49是一電性導(dǎo)體，其自路由線48垂直延伸穿過介電層34與粘著層26，最 后到達端子50。此外，端子50接觸粘著層沈且延伸于其下方，端子50并與基板30保持距 離且延伸于其下方，端子50又與基座M及導(dǎo)熱板64的外圍邊緣保持距離且位于基座M 與導(dǎo)熱板64外圍邊緣之間。因此，粘著層沈是從凸柱22側(cè)向延伸并越過端子50，且重疊 于端子50。導(dǎo)電孔49鄰接且電性連結(jié)路由線48與端子50。導(dǎo)線M則提供從焊墊46至 端子50的垂直(從上至下)信號路由。防焊綠漆59為一類似防焊綠漆58的電性絕緣層，其可使基座M與端子50外露， 并從下方覆蓋粘著層沈的外露部分。導(dǎo)熱板64的制作方式與導(dǎo)電板62類似，但必須為基座24、導(dǎo)線M及防焊綠漆58 與59進行適當(dāng)調(diào)整。例如，金屬板10的厚度由500微米改為330微米，并將基座M的厚 度由200微米改為30微米。然后依前文所述的方式，將粘著層沈設(shè)置于基座M上，再將 基板30設(shè)置于粘著層沈上；對粘著層沈加熱及加壓，使粘著層沈流動并固化；接著以研 磨方式使結(jié)構(gòu)體的頂面成為平面，再將導(dǎo)電層40沉積于該平面上。然后向下鉆孔以形成一 孔洞，該孔洞是穿過導(dǎo)電層32與40、介電層34以及粘著層沈，并且伸入基座M但未貫穿 基座24。之后再利用電鍍、網(wǎng)版印刷或以噴嘴注射等技術(shù)，以步進重復(fù)的方式在該孔洞內(nèi)沉 積導(dǎo)電材料以形成導(dǎo)電孔49。然后蝕刻導(dǎo)電層32與40以形成焊墊46與路由線48，蝕刻 導(dǎo)電層40以形成蓋體52，蝕刻基座M以形成端子50?；鵐經(jīng)蝕刻后只剩其中央部分。 端子50則為基座M —未被蝕刻的部分，其接觸粘著層沈且延伸于其下方。此外，端子50 已與基座M分離且彼此隔開，故端子50已非基座M的一部分，且端子50鄰接導(dǎo)電孔49。 然后在結(jié)構(gòu)體頂面形成防焊綠漆58，借以選擇性曝露焊墊46與蓋體52 ；防焊綠漆59則形 成于結(jié)構(gòu)體的底面，借以選擇性曝露基座M與端子50。最后再以披覆接點60為基座24、 焊墊46、端子50與蓋體52進行表面處理。圖32、圖33及圖34分別為本發(fā)明一實施例中一半導(dǎo)體晶片組體的剖視圖、俯視圖 及仰視圖，該半導(dǎo)體晶片組體包含一具有水平信號路由的導(dǎo)熱板及一具有背面接點的LED 封裝體。半導(dǎo)體晶片組體100包含導(dǎo)熱板62、LED封裝體102及焊錫104與106。LED封裝 體102包含LED晶片108、基座110、打線112、電接點114、熱接點116與透明封裝材料118。 LED晶片108的一電極(圖未示)是經(jīng)由打線112電性連結(jié)至基座110中的一導(dǎo)電孔(圖 未示)，借以將LED晶片108電性連結(jié)至電接點114。LED晶片108是通過一固晶材料(圖 未示)設(shè)置于基座110上，使LED晶片108熱連結(jié)且機械性黏附于基座110，借此將LED晶 片108熱連結(jié)至熱接點116。基座110為一具有低導(dǎo)電性及高導(dǎo)熱性的陶瓷塊，接點114及 116是被覆于基座110背部并自基座110背部向下突伸。LED封裝體102是設(shè)置于基板30與散熱座56上，電性連結(jié)至基板30，并熱連結(jié)至 散熱座56。詳而言之，LED封裝體102是設(shè)置于焊墊46與蓋體52上，重疊于凸柱22，且經(jīng) 由焊錫104電性連結(jié)至基板30，并經(jīng)由焊錫106熱連結(jié)至散熱座56。例如，焊錫104接觸 且是位于焊墊46與電接點114之間，同時電性連結(jié)且機械性黏附焊墊46及電接點114，借 此將LED晶片108電性連結(jié)至端子50。同樣地，焊錫106接觸且是位于益體52與熱接點 116之間，同時熱連結(jié)且機械性黏附于蓋體52及熱接點116，借此將LED晶片108熱連結(jié)至 基座24。焊墊46上設(shè)有鎳/金的被覆金屬接墊以利與焊錫104穩(wěn)固結(jié)合，且焊墊46的形狀及尺寸均配合電接點114，借此改善自基板30至LED封裝體102的信號傳導(dǎo)。同樣地，蓋 體52上設(shè)有鎳/金的被覆金屬接墊以利與焊錫106穩(wěn)固結(jié)合，且蓋體52的形狀及尺寸均 配合熱接點116，借此改善自LED封裝體102至散熱座56的熱傳遞。至于凸柱22的形狀及 尺寸則并未且亦不需配合熱接點116而設(shè)計。透明封裝材料118為一固態(tài)電性絕緣保護性塑膠包覆體，其可為LED晶片108及 打線112提供諸如抗潮濕及防微粒等環(huán)境保護。晶片108與打線112是埋設(shè)于透明封裝材 料118中。若欲制造半導(dǎo)體晶片組體100，可將一焊料沉積于焊墊46及蓋體52上，然后將接 點114與116分別放置于焊墊46及蓋體52上方焊料之上，繼而使該焊料回焊以形成接著 的焊錫104及106。例如，先以網(wǎng)版印刷的方式將錫膏選擇性印刷于焊墊46及蓋體52上，而后利用一 抓取頭與一自動化圖案辨識系統(tǒng)以步進重復(fù)的方式將LED封裝體102放置于導(dǎo)熱板62上。 回焊機的抓取頭將接點114及116分別放置于焊墊46及蓋體52上方的錫膏上。接著加熱 錫膏，使其以相對較低的溫度(如190C)回焊，然后移除熱源，靜待錫膏冷卻并固化以形成 硬化焊錫104及106?；蛘?，可在焊墊46與蓋體52上放置錫球，然后將接點114及116分 別放置于焊墊46與蓋體52上方的錫球上，接著加熱錫球使其回焊以形成接著的焊錫104 及 106。焊料起初可經(jīng)由被覆或印刷或布置技術(shù)沉積于導(dǎo)熱板62或LED封裝體102上，使 其位于導(dǎo)熱板62與LED封裝體102之間，并使其回焊。焊料亦可置于端子50上以供下一 層組體使用。此外，還可利用一導(dǎo)電粘著劑(例如填充銀的環(huán)氧樹脂)或其他連結(jié)媒介取 代焊料，且焊墊46、端子50與蓋體52上的連接媒介不必相同。該半導(dǎo)體晶片組體100為一第二級單晶模塊。圖35、圖36及圖37分別為本發(fā)明一實施例中一半導(dǎo)體晶片組體的剖視圖、俯視 圖及仰視圖，其中該半導(dǎo)體晶片組體包含一具有水平信號路由的導(dǎo)熱板及一具有側(cè)引腳的 LED封裝體。在此實施例中，該LED封裝體具有側(cè)引腳而不具有背面接點。為求簡明，凡組體 100的相關(guān)說明適用于此實施例者均并入此處，相同的說明不予重復(fù)。同樣地，本實施例組 體的元件與組體100的元件相仿者，均采對應(yīng)的參考標(biāo)號，但其編碼的基數(shù)由100改為200。 例如，LED晶片208對應(yīng)于LED晶片108，而基座210則對應(yīng)于基座110，以此類推。半導(dǎo)體晶片組體200包含導(dǎo)熱板62、LED封裝體202與焊錫204及206。LED封裝 體202包含LED晶片208、基座210、打線212、引腳214與透明封裝材料218。LED晶片208 是經(jīng)由打線212電性連結(jié)至引腳214?；?10背面包含熱接觸表面216，此外，基座210 窄于基座110且與熱接點116具有相同的側(cè)向尺寸及形狀。LED晶片208是經(jīng)由一固晶材 料(圖未示)設(shè)置于基座210上，使LED晶片208熱連結(jié)且機械性黏附于基座210，借此將 LED晶片208熱連結(jié)至熱接觸表面216。引腳214自基座210側(cè)向延伸，且熱接觸表面216 是面朝下。LED封裝體202是設(shè)置于基板30與散熱座56上，電性連結(jié)至基板30，且熱連結(jié)至 散熱座56。詳而言之，LED封裝體202是設(shè)置于焊墊46與蓋體52上，重疊于凸柱22，且經(jīng) 由焊錫204電性連結(jié)至基板30，并經(jīng)由焊錫206熱連結(jié)至散熱座56。例如，焊錫204接觸且是位于焊墊46與引腳214之間，同時電性連結(jié)且機械性黏附于焊墊46與引腳214，借此 將LED晶片208電性連結(jié)至端子50。同樣地，焊錫206接觸且位于蓋體52與熱接觸表面 216之間，同時熱連結(jié)且機械性粘附于蓋體52與熱接觸表面216，借此將LED晶片208熱連
結(jié)至基座對。若欲制造半導(dǎo)體晶片組體200，可將一焊料置于焊墊46與蓋體52上，然后分別在 焊墊46與蓋體52上方的焊料上放置引腳214與熱接觸表面216，繼而使該焊料回焊以形成 接著的焊錫204及206。該半導(dǎo)體晶片組體200為一第二級單晶模塊。圖38、圖39及圖40分別為本發(fā)明一實施例中一半導(dǎo)體晶片組體的剖視圖、俯視圖 及仰視圖，其中該半導(dǎo)體晶片組體包含一具有水平信號路由的導(dǎo)熱板及一半導(dǎo)體晶片。在此實施例中，該半導(dǎo)體元件為一晶片而非一封裝體，且該晶片是設(shè)置于前述散 熱座而非前述基板上。此外，該晶片是重疊于前述凸柱而非前述基板，且該晶片是經(jīng)由一打 線電性連結(jié)至前述焊墊，并利用一固晶材料熱連結(jié)至前述蓋體。 半導(dǎo)體晶片組體300包含導(dǎo)熱板62、晶片302、打線304、固晶材料306及封裝材料 308。晶片302包含頂面310、底面312與打線接墊314。頂面310為活性表面且包含打線 接墊314，而底面312則為熱接觸表面。晶片302是設(shè)置于散熱座56上，電性連結(jié)至基板30，且熱連結(jié)至散熱座56。詳而 言之，晶片302是設(shè)置于蓋體52上，位于蓋體52的周緣內(nèi)，重疊于凸柱22但未重疊于基板 30。此外，晶片302是經(jīng)由打線304電性連結(jié)至基板30，同時經(jīng)由固晶材料306熱連結(jié)且機 械性黏附于散熱座56。例如，打線304是連接于并電性連結(jié)焊墊46及打線接墊314，借此 將晶片302電性連結(jié)至端子50。同樣地，固晶材料306接觸并位于蓋體52與熱接觸表面 312之間，同時熱連結(jié)且機械性黏附于蓋體52及熱接觸表面312，借此將晶片302熱連結(jié)至 基座24。焊墊46上設(shè)有鎳/銀的被覆金屬接墊以利與打線304穩(wěn)固接合，借此改善自基板 30至晶片302的信號傳送。此外，蓋體52的形狀及尺寸是與熱接觸表面312配適，借此改 善自晶片302至散熱座56的熱傳送。至于凸柱22的形狀及尺寸則并未且亦不需配合熱接 觸表面312而設(shè)計。封裝材料308為一固態(tài)電性絕緣保護性塑膠包覆體，其可為晶片302及打線304 提供抗潮濕及防微粒等環(huán)境保護。晶片302與打線304是埋設(shè)于封裝材料308中。此外， 若晶片302是一諸如LED的光學(xué)晶片，則封裝材料308可為透明狀。封裝材料308在圖39 中呈透明狀是為方便圖示說明。若欲制造半導(dǎo)體晶片組體300，可利用固晶材料306將晶片302設(shè)置于蓋體52上， 接著將焊墊46及打線接墊314以打線接合，而后形成封裝材料308。例如，固晶材料306原為一具有高導(dǎo)熱性的含銀環(huán)氧樹脂膏，并以網(wǎng)版印刷的方 式選擇性印刷于蓋體52上。然后利用一抓取頭及一自動化圖案辨識系統(tǒng)以步進重復(fù)的方 式將晶片302放置于該環(huán)氧樹脂銀膏上。繼而加熱該環(huán)氧樹脂銀膏，使其于相對低溫(如 1900C )下硬化以完成固晶。打線304為金線，其隨即以熱超音波連接焊墊46及打線接墊 314。最后再將封裝材料308轉(zhuǎn)移模制于結(jié)構(gòu)體上。晶片302可通過多種連結(jié)媒介電性連結(jié)至焊墊46，利用多種熱粘著劑熱連結(jié)或機 械性黏附于散熱座56，并以多種封裝材料封裝。
該半導(dǎo)體晶片組體300為一第一級單晶封裝體。圖41、圖42及圖43分別為本發(fā)明一實施例中一半導(dǎo)體晶片組體的剖視圖、俯視圖 及仰視圖，其中該半導(dǎo)體晶片組體包含一具有垂直信號路由的導(dǎo)熱板及一半導(dǎo)體晶片。在此實施例中，該半導(dǎo)體元件為一晶片而非一封裝體，且該晶片是設(shè)置于前述散 熱座而非前述基板上。再者，該晶片是重疊于前述凸柱而非前述基板，且該晶片是經(jīng)由一打 線電性連結(jié)至前述焊墊，并利用一固晶材料熱連結(jié)至前述蓋體。此外，前述端子是位于前述 導(dǎo)熱板的底部。為求簡明，凡組體300的相關(guān)說明適用于此實施例者均并入此處，相同的說明不 予重復(fù)。同樣地，本實施例組體的元件與組體300的元件相仿者，均采對應(yīng)的參考標(biāo)號，但 其編碼的基數(shù)由300改為400。例如，晶片402對應(yīng)于晶片302，而封裝材料408則對應(yīng)于 封裝材料308，以此類推。 半導(dǎo)體晶片組體400包含導(dǎo)熱板64、晶片402、打線404、固晶材料406及封裝材料 408。晶片402包含頂面410、底面412與打線接墊414。頂面410為活性表面且包含打線 接墊414，而底面412則為熱接觸表面。晶片402是設(shè)置于散熱座56上，電性連結(jié)至基板30，且熱連結(jié)至散熱座56。詳而 言之，晶片402是設(shè)置于蓋體52上，并經(jīng)由打線404電性連結(jié)至基板30，同時經(jīng)由固晶材料 406熱連結(jié)且機械性黏附于散熱座56。封裝材料408在圖42中呈透明狀以利圖示說明。若欲制造半導(dǎo)體晶片組體400，可利用固晶材料406將晶片402設(shè)置于蓋體52上， 接著將焊墊46及打線接墊414以打線接合，最后再將封裝材料408轉(zhuǎn)移模制于結(jié)構(gòu)體上。該半導(dǎo)體晶片組體400為一第一級單晶封裝體。圖44、圖45及圖46分別為本發(fā)明一實施例中一光源次組體的剖視圖、俯視圖及仰 視圖，其中該光源次組體包含一半導(dǎo)體晶片組體與一散熱裝置。光源次組體500包含半導(dǎo)體晶片組體100與散熱裝置502。散熱裝置502包含熱 接觸表面504、鰭片506與風(fēng)扇508。組體100是設(shè)置于散熱裝置502上且機械性結(jié)合于散 熱裝置502，例如以螺絲(圖未示)結(jié)合。因此，基座M是夾緊于熱接觸表面504且與之熱 連結(jié)，借此將散熱座56熱連結(jié)至散熱裝置502。散熱座56可擴散LED晶片108所產(chǎn)生的熱 能，并將此擴散的熱能傳遞至散熱裝置502，散熱裝置502隨即利用鰭片506與風(fēng)扇508將 此熱能散發(fā)至外圍環(huán)境。光源次組體500為一可換裝標(biāo)準(zhǔn)白熾燈泡的燈座(圖未示)而設(shè)計。該燈座包含 次組體500、一玻璃蓋、一螺紋基座、一控制板、線路及一外殼。次組體500、該控制板及該線 路是包覆于該外殼內(nèi)。該線路是延伸自該控制板并與端子50焊合。該玻璃蓋及該螺紋基 座分別突出于該外殼兩端。該玻璃蓋使LED晶片108顯露于外，該螺紋基座可螺鎖入一光 源插座，而該控制板則通過該線路電性連結(jié)至端子50。該外殼為一兩件式塑膠殼，分為上、 下兩部分。該玻璃蓋是粘附并突出于該外殼上半部分的上方，該螺紋基座是粘附并突出于 該外殼下半部分的下方。次組體500與該控制板是設(shè)置于該外殼的下半部分并伸入該外殼 的上半部分。操作時，該螺紋基座將來自該光源插座的交流電傳遞至該控制板，該控制板則將 此交流電轉(zhuǎn)換為整流后的直流電。該線路一方面將整流后的直流電傳送至端子50，一方面 將另一端子50接地。因此，LED晶片108可通過該玻璃蓋發(fā)光照明。由LED晶片108產(chǎn)生的強大局部熱能是流入散熱座56，并由散熱座56擴散至散熱裝置502。散熱裝置502中的 鰭片506將熱能傳至空氣，再由風(fēng)扇508將熱空氣通過該外殼上的長孔以放射狀吹出至外 圍環(huán)境中。上述的半導(dǎo)體晶片組體與導(dǎo)熱板只為說明范例，本發(fā)明還可通過其他多種實施例 實現(xiàn)。此外，上述實施例可依設(shè)計及可靠度的考量，彼此混合搭配使用或與其他實施例混合 搭配使用。例如，該半導(dǎo)體元件可為一 LED封裝體，而該導(dǎo)熱板則可提供垂直信號路由。該 基板可包含單層導(dǎo)線與多層導(dǎo)線。該導(dǎo)熱板可包含多個凸柱，且該些凸柱是排成一陣列以 供多個半導(dǎo)體元件使用，此外，該導(dǎo)熱板為配合額外的半導(dǎo)體元件，可包含更多導(dǎo)線。同樣 地，該半導(dǎo)體元件可為一具有多個LED晶片的LED封裝體，而該導(dǎo)熱板則可包含更多導(dǎo)線以 配合額外的LED晶片。該半導(dǎo)體元件與該蓋體可重疊于該基板并從上方覆蓋該凸柱、該通 孔與該開口。該半導(dǎo)體元件可獨自使用該散熱座或與其他半導(dǎo)體元件共用該散熱座。例如，可 將單一半導(dǎo)體元件設(shè)置于該散熱座上，或?qū)⒍鄠€半導(dǎo)體元件設(shè)置于該散熱座上。舉例而言， 可將四枚排列成2X2陣列的小型晶片黏附于該凸柱，而該基板則可包含額外的導(dǎo)線以配合 該些晶片的電性連接。此一作法遠較為每一晶片設(shè)置一微小凸柱更具經(jīng)濟效益。該半導(dǎo)體晶片可為光學(xué)性或非光學(xué)性。例如，該晶片可為一 LED、一太陽能電池、一 微處理器、一控制器或一射頻(RF)功率放大器。同樣地，該半導(dǎo)體封裝體可為一 LED封裝 體或一射頻模塊。因此，該半導(dǎo)體元件可為一經(jīng)封裝或未經(jīng)封裝的光學(xué)或非光學(xué)晶片。此 外，吾人可利用多種連結(jié)媒介將該半導(dǎo)體元件機械性連結(jié)、電性連結(jié)及熱連結(jié)至該導(dǎo)熱板， 包括利用焊接及使用導(dǎo)電及/或?qū)嵴持鴦┑确绞竭_成。該散熱座可將該半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的熱能迅速、有效且均勻散發(fā)至下一層組體而 不需使熱流通過該粘著層、該基板或該導(dǎo)熱板的他處。如此一來便可使用導(dǎo)熱性較低的粘 著層，因而大幅降低成本。該散熱座可包含一體成形的凸柱與基座，以及與該凸柱為冶金連 結(jié)及熱連結(jié)的一蓋體，借此提高可靠度并降低成本。該蓋體可與該焊墊共平面，以便與該半 導(dǎo)體無件形成電性、熱能及機械性連結(jié)。此外，該蓋體可依該半導(dǎo)體元件量身訂做，而該基 座則可依下一層組體量身訂做，借此加強自該半導(dǎo)體元件至下一層組體的熱連結(jié)。例如，該 凸柱在一側(cè)向平面上可呈圓形，該蓋體在一側(cè)向平面上可呈正方形或矩形，且該蓋體的側(cè) 面形狀與該半導(dǎo)體元件熱接點的側(cè)面形狀相同或相似。該散熱座可與該半導(dǎo)體元件及該基板為電性連結(jié)或電性隔離。例如，該位于研磨 后的表面上的第二導(dǎo)電層(前面實施例沒有提及)可包含一路由線，該路由線是于該基板 與該蓋體之間延伸通過該粘著層，借以將該半導(dǎo)體元件電性連結(jié)至該散熱座。而后，該散熱 座可電性接地，借以將該半導(dǎo)體元件電性接地。該散熱座可為銅質(zhì)、鋁質(zhì)、銅/鎳/鋁合金或其他導(dǎo)熱金屬結(jié)構(gòu)。該凸柱可沉積于該基座上或與該基座一體成形。該凸柱可與該基座一體成形，因 而成為單一金屬體(如銅或鋁)。該凸柱亦可與該基座一體成形，使該兩者的介面包含單一 金屬體(例如銅)，至于他處則包含其他金屬(例如凸柱的上部為焊料，凸柱的下部及基座 則為銅質(zhì))。該凸柱亦可與該基座一體成形，使該兩者的介面包含多層單一金屬體(例如在 一鋁核心外設(shè)有一鎳緩沖層，而該鎳緩沖層上則設(shè)有一銅層)。該凸柱可包含一平坦的頂面，且該頂面是與該粘著層共平面。例如，該凸柱可與該粘著層共平面，或者該凸柱可在該粘著層固化后接受蝕刻，因而在該凸柱上方的粘著層 形成一凹穴。吾人亦可選擇性蝕刻該凸柱，借以在該凸柱中形成一延伸至其頂面下方的凹 穴。在上述任一情況下，該半導(dǎo)體元件均可設(shè)置于該凸柱上并位于該凹穴中，而該打線則可 從該凹穴內(nèi)的該半導(dǎo)體元件延伸至該凹穴外的該焊墊。在此情況下，該半導(dǎo)體元件可為一 LED晶片，并由該凹穴將LED光線朝該向上方向聚焦。該基座可為該基板提供機械性支撐。例如，該基座可防止該基板在金屬研磨、晶片 設(shè)置、打線接合及模制封裝材料的過程中彎曲變形。當(dāng)該端子位于該介電層上方時，該基座 亦可從下方覆蓋該組體；或者，當(dāng)該端子位于該粘著層下方時，該基座可與該組體的外圍邊 緣保持距離。此外，該基座的背部可包含沿該向下方向突伸的鰭片。例如，可利用一鉆板機 切削該基座的底面以形成側(cè)向溝槽，而此等側(cè)向溝槽即為鰭片。在此例中，該基座的厚度可 為700微米，所述溝槽的深度可為500微米，亦即所述鰭片的高度可為500微米。所述鰭片 可增加該基座的表面積，若所述鰭片是曝露于空氣中而非設(shè)置于一散熱裝置上，則可提升 該基座經(jīng)由熱對流的導(dǎo)熱性。該蓋體可在該粘著層固化后，該焊墊及/或該端子形成之前、中或后，以多種沉積 技術(shù)制成，包括以電鍍、無電鍍被覆、蒸發(fā)及噴濺等技術(shù)形成單層或多層結(jié)構(gòu)。該蓋體可采 用與該凸柱相同的金屬材質(zhì)，或采用與鄰接該蓋體的凸柱預(yù)部相同的金屬材質(zhì)。此外，該蓋 體可延伸跨越該通孔并到達該基板，抑或維持在該通孔的圓周范圍內(nèi)。因此，該蓋體可接觸 該基板或與該基板保持距離。在上述任一情況下，該蓋體均是從該凸柱的頂部沿側(cè)面方向 側(cè)向延伸而出。該粘著層可在該散熱座與該基板之間提供堅固的機械性連結(jié)。例如，該粘著層可 自該凸柱側(cè)向延伸并越過該導(dǎo)線到達該組體的外圍邊緣，該粘著層可填滿該散熱座與該基 板間的空間，該粘著層可位于此空間內(nèi)，且該粘著層可為一具有均勻分布的結(jié)合線的無孔 洞結(jié)構(gòu)。該粘著層亦可吸收該散熱座與該基板間因熱膨脹所產(chǎn)生的不匹配現(xiàn)象。此外，該 粘著層可為一低成本電介質(zhì)，且不需具備高導(dǎo)熱性。再者，該粘著層不易脫層。吾人可調(diào)整該粘著層的厚度，使該粘著層實質(zhì)填滿該缺口，并使幾乎所有粘著劑 在固化及/或研磨后均位于結(jié)構(gòu)體內(nèi)。例如，理想的膠片厚度可由試誤法決定。同樣地，吾 人亦可調(diào)整該介電層的厚度以達此一效果。該基板可為一低成本的層壓結(jié)構(gòu)，且不需具有高導(dǎo)熱性。此外，該基板可包含單一 導(dǎo)電層或多數(shù)個導(dǎo)電層。再者，該基板可包含導(dǎo)電層或是由導(dǎo)電層組成。該導(dǎo)電層可單獨設(shè)置于該粘著層上。例如，可先在該導(dǎo)電層上形成該通孔，然后將 該導(dǎo)電層(不含其他層體)設(shè)置于該粘著層上，使該導(dǎo)電層接觸該粘著層，并朝該向上方向 外露。至于該凸柱則延伸進入該通孔，并通過該通孔朝該向上方向外露。在此情況下，該導(dǎo) 電層的厚度可為100至200微米，例如125微米，此厚度一方面夠厚，故搬運時不致彎曲晃 動，且可承受高驅(qū)動電流，一方面則夠薄，故不需過度蝕刻即可形成圖案。亦可將該導(dǎo)電層與該介電層同時設(shè)置于該粘著層上。例如，可先將該導(dǎo)電層壓合 于該介電層上，然后在該導(dǎo)電層與該介電層上形成該通孔，接著將該導(dǎo)電層與該介電層設(shè) 置于該粘著層上，使該導(dǎo)電層朝該向上方向外露，并使該介電層接觸且介于該導(dǎo)電層與該 粘著層之間，因而將該導(dǎo)電層與該粘著層隔開。至于該凸柱則延伸進入該通孔，并通過該通 孔朝該向上方向外露。在此情況下，該導(dǎo)電層的厚度可為10至50微米，例如30微米，此厚度一方面夠厚，可提供可靠的信號傳導(dǎo)，一方面則夠薄，有助于減低重量及成本。該介電層 恒為該導(dǎo)熱板的一部分。亦可將該導(dǎo)電層與一載體同時設(shè)置于該粘著層上。例如，可先利用一薄膜將該導(dǎo) 電層粘附于一諸如雙定向聚對苯二甲酸乙二酯膠膜(MYLAR)的載體，然后只在該導(dǎo)電層而 非該載體上形成該通孔，接著將該導(dǎo)電層及該載體設(shè)置于該粘著層上，使該載體覆蓋該導(dǎo) 電層，且朝該向上方向外露，并使該薄膜接觸且介于該載體與該導(dǎo)電層之間，至于該導(dǎo)電層 則接觸且介于該薄膜與該粘著層之間。該凸柱是對準(zhǔn)該通孔，并由該載體從上方覆蓋。在 該粘著層固化后，可利用紫外光分解該薄膜，以便將該載體從該導(dǎo)電層上剝除，從而使該導(dǎo) 電層朝該向上方向外露，然后便可研磨及圖案化該導(dǎo)電層以形成該導(dǎo)線。在此情況下，該導(dǎo) 電層的厚度可為10至50微米，例如30微米，此厚度一方面夠厚，可提供可靠的信號傳導(dǎo)， 一方面則夠薄，可降低重量及成本；至于該載體的厚度可為300至500微米，此厚度一方面 夠厚，故搬運時不致彎曲晃動，一方面又夠薄，有助于減少重量及成本。該載體只為一暫時 固定物，并非永久屬于該導(dǎo)熱板的一部分。該焊墊與該端子可視該半導(dǎo)體元件與下一層組體的需要而采用多種封裝形式。該焊墊與該蓋體的頂面可為共平面，如此一來便可借由控制錫球的崩塌程度，強 化該半導(dǎo)體元件與該導(dǎo)熱板間的焊接。該介電層上方的該焊墊、該端子與該路由線可在該基板還未或已然設(shè)置于該粘著 層上時，以多種沉積技術(shù)制成，包括以電鍍、無電鍍被覆、蒸發(fā)及噴濺等技術(shù)形成單層或多 層結(jié)構(gòu)。例如，可在該基板還未設(shè)置于該粘著層上時，便將該基板的該導(dǎo)電層圖案化，但此 一圖案化的工序亦可在該基板借由該粘著層粘附于該凸柱與該基座之后為之。以所述被覆接點進行表面處理的工序可在該焊墊及該端子形成之前或之后為之。 例如，該被覆層可沉積于該第二導(dǎo)電層上，然后利用圖案化的蝕刻阻層定義該焊墊與該端 子并進行蝕刻，以使該被覆層具有圖案。該導(dǎo)線可包含額外的焊墊、端子、導(dǎo)電孔與路由線以及被動元件，且可為不同構(gòu) 型。該導(dǎo)線可作為一信號層、一功率層或一接地層，端視其相應(yīng)半導(dǎo)體元件焊墊的目的而 定。該導(dǎo)線亦可包含各種導(dǎo)電金屬，例如銅、金、鎳、銀、鈀、錫、其混合物及其合金。理想的 組成既取決于外部連結(jié)媒介的性質(zhì)，亦取決于設(shè)計及可靠度方面的考量。此外，精于此技藝 的人士應(yīng)可了解，在該半導(dǎo)體晶片組體中所用的銅可為純銅，但通常是以銅為主的合金，如 銅-鋯(99. 9%銅)、銅-銀-磷-鎂(99. 7%銅)及銅-錫-鐵-磷(99. 7%銅)，借以提 高如抗張強度與延展性等機械性能。在一般情況下，最好在前述研磨后的表面上設(shè)有該蓋體、介電層、防焊綠漆、被覆 接點及第二導(dǎo)電層，但在某些實施例中則可省略之。例如，若該開口及該通孔是以沖孔而 非鉆孔的方式產(chǎn)生，因而使該凸柱頂部的形狀及尺寸均與該半導(dǎo)體元件的熱接觸表面相配 適，則可省略該蓋體與該第二導(dǎo)電層以降低成本。同樣地，若使用單層信號路由，可略去該 介電層以降低成本。該導(dǎo)熱板可包含一導(dǎo)熱孔，該導(dǎo)熱孔是與該凸柱保持距離，并在該開口及該通孔 外延伸穿過該介電層與該粘著層，同時鄰接且熱連結(jié)該基座與該蓋體，借此提升自該蓋體 至該基座的散熱效果，并促進熱能在該基座內(nèi)擴散。本案的組體可提供水平或垂直的單層或多層信號路由。王家忠等人于2009年9月11日提出申請的第12/557，540號美國專利申請案「具有凸柱/基座的散熱座及水平信 號路由的半導(dǎo)體晶片組體」即揭露一種具有水平多層信號路由的結(jié)構(gòu)，其中介電層上方的 焊墊與端子是利用穿過該介電層的第一及第二導(dǎo)電孔以及該介電層下方的路由線達成電 性連結(jié)，此一美國專利申請案的內(nèi)容在此以引用的方式并入本文。此外，王家忠等人于2009 年9月11日提出申請的第12/557，541號美國專利申請案「具有凸柱/基座的散熱座及垂 直信號路由的半導(dǎo)體晶片組體」則揭露一種具有垂直多層信號路由的結(jié)構(gòu)，其中介電層上 方的焊墊與粘著層下方的端子是利用穿過該介電層的第一導(dǎo)電孔、該介電層下方的路由線 以及穿過該粘著層的第二導(dǎo)電孔達成電性連結(jié)，此一美國專利申請案的內(nèi)容在此以引用的 方式并入本文。該導(dǎo)熱板的作業(yè)格式可為單一或多個導(dǎo)熱板，視制造設(shè)計而定。例如，可單獨制作 單一導(dǎo)熱板。或者，可利用單一金屬板、單一粘著層、單一基板及單一防焊綠漆同時批次制 造多個導(dǎo)熱板，而后再行分離。同樣地，針對同一批次中的各導(dǎo)熱板，吾人亦可利用單一金 屬板、單一粘著層、單一基板與單一防焊綠漆同時批次制造多組分別供單一半導(dǎo)體元件使 用的散熱座與導(dǎo)線。例如，可在一金屬板上蝕刻出多條凹槽以形成該基座及多個凸柱；而后將一具有 對應(yīng)所述凸柱的開口的未固化粘著層設(shè)置于該基座上，俾使每一凸柱均延伸貫穿一對應(yīng)開 口 ；然后將一所述基板(其具有單一導(dǎo)電層、單一介電層及多個分別對應(yīng)所述凸柱的通孔) 設(shè)置于該粘著層上，以使每一凸柱均延伸貫穿一對應(yīng)開口并進入一對應(yīng)通孔；而后利用壓 臺將該基座與該基板彼此靠合，迫使該粘著層進入所述通孔內(nèi)介于所述凸柱與該基板間的 缺口 ；然后使該粘著層固化，繼而研磨所述凸柱、該粘著層及該第一導(dǎo)電層以形成一頂面； 然后將該第二導(dǎo)電層被覆設(shè)置于所述凸柱、該粘著層及該第一導(dǎo)電層上；接著蝕刻該第一 及第二導(dǎo)電層以形成多個分別對應(yīng)所述凸柱的焊墊及端子，蝕刻該第二導(dǎo)電層以形成多個 分別對應(yīng)所述凸柱的蓋體；而后將該防焊綠漆置于結(jié)構(gòu)體上，使該防焊綠漆產(chǎn)生圖案，借以 曝露所述焊墊、所述端子及所述蓋體；而后以被覆接點對該基座、所述焊墊、所述端子及所 述蓋體進行表面處理；最后在所述導(dǎo)熱板外圍邊緣的適當(dāng)位置切割或劈裂該基座、該基板、 該粘著層及該防焊綠漆，俾使個別的導(dǎo)熱板彼此分離。該半導(dǎo)體晶片組體的作業(yè)格式可為單一組體或多個組體，取決于制造設(shè)計。例如， 可單獨制造單一組體。或者，可同時批次制造多個組體，之后再將各導(dǎo)熱板一一分離。同樣 地，亦可將多個半導(dǎo)體元件電性連結(jié)、熱連結(jié)及機械性連結(jié)至批次量產(chǎn)中的每一導(dǎo)熱板。例如，可將多個錫膏部分分別沉積于多個焊墊及蓋體上，而后的多個LED封裝體 分別置于所述錫膏部分上，接著同時加熱所述錫膏部分以使其回焊、硬化并形成多個焊接 點，之后再將各導(dǎo)熱板一一分離。在另一范例中是將多個固晶材料分別沉積于多個蓋體上，而后將多個晶片分別放 置于所述固晶材料上，之后再同時加熱所述固晶材料以使其硬化并形成多個固晶，而后將 所述晶片打線接合至對應(yīng)的焊墊，接著在所述晶片與打線上形成對應(yīng)的封裝材料，最后再 將各導(dǎo)熱板一一分離。吾人可通過單一步驟或多道步驟使各導(dǎo)熱板彼此分離。例如，可將多個導(dǎo)熱板批 次制成一平板，而后將多個半導(dǎo)體元件設(shè)置于該平板上，之后再將該平板所構(gòu)成的多個半 導(dǎo)體晶片組體一一分離?；蛘撸蓪⒍鄠€導(dǎo)熱板批次制成一平板，而后將該平板所構(gòu)成的多個導(dǎo)熱板分切為多個導(dǎo)熱板條，接著將多個半導(dǎo)體元件分別設(shè)置于所述導(dǎo)熱板條上，最后 再將各導(dǎo)熱板條所構(gòu)成的多個半導(dǎo)體晶片組體由條狀分離為個體。此外，在分割導(dǎo)熱板時 可利用機械切割、雷射切割、分劈或其他適用技術(shù)。在本文中，「鄰接」一語意指元件是一體成形(形成單一個體)或相互接觸(彼此 無間隔或未隔開)。例如，該凸柱是鄰接該基座，此與形成該凸柱時采用增添法或削減法無關(guān)?！钢丿B」一語意指位于上方并延伸于一下方元件的周緣內(nèi)?！钢丿B」包含延伸于該 周緣之內(nèi)、外或坐落于該周緣內(nèi)。例如，該半導(dǎo)體元件是重疊于該凸柱，乃因一假想垂直線 可同時貫穿該半導(dǎo)體元件與該凸柱，不論該半導(dǎo)體元件與該凸柱間是否存在有另一同為該 假想垂直線貫穿的元件(如該蓋體)，且亦不論是否有另一假想垂直線只貫穿該半導(dǎo)體元 件而未貫穿該凸柱(亦即位于該凸柱的周緣外)。同樣地，該粘著層是重疊于該基座并被該 焊墊重疊，而該基座則被該凸柱重疊。同樣地，該凸柱是重疊于該基座且位于其周緣內(nèi)。此 外，「重疊」與「位于上方」同義，「被重疊」則與「位于下方」同義?！附佑|」一語意指直接接觸。例如，該介電層接觸該焊墊但并未接觸該凸柱或該基 座?！父采w」一語意指從上方、從下方及/或從側(cè)面完全覆蓋。例如，該基座從下方覆蓋 該凸柱，但該凸柱并未從上方覆蓋該基座。「層」字包含設(shè)有圖案或未設(shè)圖案的層體。例如，當(dāng)該基板設(shè)置于該粘著層上時，該 導(dǎo)電層可為該介電層上一空白無圖案的平板；而當(dāng)該半導(dǎo)體元件設(shè)置于該散熱座上時，該 導(dǎo)電層可為該介電層上一具有間隔導(dǎo)線的電路圖案。此外，「層」可包含多數(shù)個疊合層。「焊墊」一語與該導(dǎo)線搭配使用時是指一用于連接及/或接合外部連接媒介(如焊 料或打線)的連結(jié)區(qū)域，而該外部連接媒介則可將該導(dǎo)線電性連結(jié)至該半導(dǎo)體無件?！付俗印挂徽Z與該導(dǎo)線搭配使用時是指一連結(jié)區(qū)域，其可接觸及/或接合外部連結(jié) 媒介(如焊料或打線)，而該外部連結(jié)媒介則可將該導(dǎo)線電性連結(jié)至與下一層組體相關(guān)的 一外部設(shè)備(例如一印刷電路板或與其連接的一導(dǎo)線)?！干w體」一語與該散熱座搭配使用時是指一用于連接及/或接合外部連接媒介(如 焊料或?qū)嵴持鴦?的接觸區(qū)域，而該外部連接媒介則可將該散熱座熱連結(jié)至該半導(dǎo)體元 件?！搁_口」與「通孔」等語同指貫穿孔洞。例如，當(dāng)該凸柱插入該粘著層的該開口時， 該凸柱是沿向上方向曝露于該粘著層。同樣地，當(dāng)該凸柱插入該基板的該通孔時，該凸柱是 沿向上方向曝露于該基板?！覆迦搿挂徽Z意指元件間的相對移動。例如，「將該凸柱插入該通孔中」包含該凸 柱固定不動而由該基板向該基座移動；該基板固定不動而由該凸柱向該基板移動；以及該 凸柱與該基板兩者彼此靠合。又例如，「將該凸柱插入(或延伸至)該通孔內(nèi)」包含該凸 柱貫穿(穿入并穿出)該通孔；以及該凸柱插入但未貫穿(穿入但未穿出)該通孔?！副舜丝亢稀挂徽Z亦指元件間的相對移動。例如，「該基座與該基板彼此靠合」包含 該基座固定不動而由該基板移往該基座；該基板固定不動而由該基座向該基板移動；以及 該基座與該基板相互靠近。「對準(zhǔn)」一語意指元件間的相對位置。例如，當(dāng)該粘著層已設(shè)置于該基座上、該基板已設(shè)置于該粘著層上、該凸柱已插入并對準(zhǔn)該開口，且該通孔已對準(zhǔn)該開口時，無論該凸柱 是插入該通孔或位于該通孔下方且與其保持距離，該凸柱均已對準(zhǔn)該通孔?！冈O(shè)置子」一語包含與單一或多個支撐元件間的接觸與非接觸。例如，該半導(dǎo)體元 件是設(shè)置于該散熱座上，不論該半導(dǎo)體元件是實際接觸該散熱座或是與該散熱座以一固晶 材料相隔。同樣地，該半導(dǎo)體元件是設(shè)置于該散熱座上，不論該半導(dǎo)體元件是只設(shè)置于該散 熱座上或是同時設(shè)置于該散熱座與該基板上?！刚持鴮印谠撊笨谥小挂徽Z意指位于該缺口中的該粘著層。例如，「粘著層在 該缺口中延伸跨越該介電層」意指該缺口內(nèi)的該粘著層延伸并跨越該介電層。同樣地，「粘 著層于該缺口之中接觸且介于該凸柱與該介電層之間」意指該缺口中的該粘著層接觸且介 于該缺口內(nèi)側(cè)壁的該凸柱與該缺口外側(cè)壁的該介電層之間?！干戏健挂徽Z意指向上延伸，且包含鄰接與非鄰接元件以及重疊與非重疊元件。例 如，該凸柱是延伸于該基座上方，同時鄰接、重疊于該基座并自該基座突伸而出。同樣地，該 凸柱是延伸至該介電層上方，即便該凸柱并未鄰接或重疊于該介電層?！赶路健挂徽Z意指向下延伸，且包含鄰接與非鄰接元件以及重疊與非重疊元件。例 如，該基座是延伸于該凸柱下方，鄰接該凸柱，被該凸柱重疊，并自該凸柱突伸而出。同樣 地，該凸柱是延伸于該介電層下方，即便該凸柱并未鄰接該介電層或被該介電層重疊。所謂「向上」及「向下」的垂直方向并非取決于該半導(dǎo)體晶片組體(或該導(dǎo)熱板) 的定向，凡熟悉此項技藝的人士可輕易了解其實際所指的方向。例如，該凸柱是沿向上方向 垂直延伸于該基座上方，而該粘著層則沿向下方向垂直延伸于該焊墊下方，此與該組體是 否倒置及/或是否是設(shè)置于一散熱裝置上無關(guān)。同樣地，該基座是沿一側(cè)向平面自該凸柱 「側(cè)向」延伸而出，此與該組體是否倒置、旋轉(zhuǎn)或傾斜無關(guān)。因此，該向上及向下方向是彼此 相對且垂直于側(cè)面方向，此外，側(cè)向?qū)R的元件是在一垂直于該向上與向下方向的側(cè)向平 面上彼此共平面。本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片組體具有多項優(yōu)點。該組體的可靠度高、價格平實且極適合 量產(chǎn)。該組體尤其適用于易產(chǎn)生高熱且需優(yōu)異散熱效果方可有效及可靠運作的高功率半導(dǎo) 體元件，例如LED封裝體、大型半導(dǎo)體晶片以及多個同時使用的小型半導(dǎo)體元件(例如以陣 列方式排列的多個小形半導(dǎo)體晶片)。本案的制造工序具有高度適用性，且是以獨特、進步的方式結(jié)合運用各種成熟的 電連結(jié)、熱連結(jié)及機械性連結(jié)技術(shù)。此外，本案的制造工序不需昂貴工具即可實施。因此， 此制造工序可大幅提升傳統(tǒng)封裝技術(shù)的產(chǎn)量、良率、效能與成本效益。再者，本案的組體極 適合于銅晶片及無鉛的環(huán)保要求。在此所述的實施例是為例示之用，其中所涉及的本技藝現(xiàn)有元件或步驟或經(jīng)簡化 或有所省略以免模糊本發(fā)明的特點。同樣地，為使圖式清晰，圖式中重復(fù)或非必要的元件及 參考標(biāo)號或有所省略。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖 然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾 為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì) 對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該半導(dǎo)體晶片組體，至少包含一半導(dǎo)體元件；一粘著層，其至少具有一開口 ；一散熱座，其至少包含一凸柱及一基座，其中該凸柱是鄰接該基座并沿一向上方向延 伸于該基座上方，且該基座是沿一與該向上方向相反的向下方向延伸于該凸柱下方，并沿 垂直于該向上及向下方向的側(cè)面方向從該凸柱側(cè)向延伸；一基板，其至少包含一焊墊及一介電層，其中一通孔延伸貫穿該基板；以及一端子；其中該半導(dǎo)體元件是位于該凸柱上方并重疊于該凸柱，該半導(dǎo)體元件是電性連結(jié)至該 焊墊，從而電性連結(jié)至該端子，且該半導(dǎo)體元件是熱連結(jié)至該凸柱，從而熱連結(jié)至該基座；其中該粘著層是設(shè)置于該基座上，延伸于該基座上方，延伸進入該通孔內(nèi)一位于該凸 柱與該基板間的缺口，并在該缺口中延伸跨越該介電層，同時自該凸柱側(cè)向延伸至該端子 或越過該端子，且是介于該凸柱與該介電層之間以及該基座與該基板之間；其中該基板是設(shè)置于該粘著層上并延伸于該基座上方；以及其中該凸柱延伸進入該開口及該通孔，該基座則延伸于該半導(dǎo)體元件、該粘著層及該 基板下方。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該半導(dǎo)體元件為一包含LED晶 片的LED封裝體，該基板包含該端子，該端子延伸于該介電層上方，該粘著層自該凸柱側(cè)向 延伸且越過該端子并被該端子重疊。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該LED封裝體是利用一第一焊 錫電性連結(jié)至該焊墊，并利用一第二焊錫熱連結(jié)至該散熱座。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該半導(dǎo)體元件為一半導(dǎo)體晶片， 該基板不包含該端子，該端子延伸于該粘著層下方，該粘著層自該凸柱側(cè)向延伸且越過該 端子并重疊于該端子。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該晶片是利用一打線電性連結(jié) 至該焊墊，并利用一固晶材料熱連結(jié)至該散熱座。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該粘著層在該缺口內(nèi)接觸該凸 柱與該介電層，并在該缺口之外接觸該基座與該介電層。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該粘著層在所述側(cè)面方向覆蓋 且環(huán)繞該凸柱。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該粘著層填滿該凸柱與該介電層間的一空間。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該粘著層填滿該基座與該基板 間的一空間。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該粘著層被限制于該散熱座與 該基板間的一空間內(nèi)。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該粘著層延伸至該組體的外圍 邊緣。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該凸柱與該基座一體成形。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該凸柱與該粘著層于該介電層 上方為共平面。
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該凸柱為平頂錐柱形，其直徑 自該基座至該凸柱的一平坦頂部是呈向上遞減。
15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該基座從下方覆蓋該半導(dǎo)體元 件、該凸柱、該基板與該粘著層，并延伸至該組體的外圍邊緣。
16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該基板是與該凸柱及該基座保 持距離，且為一層壓結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該散熱座至少包含一蓋體，該 蓋體位于該凸柱的一頂部上方，鄰接該凸柱的該頂部，并從上方覆蓋該凸柱的該頂部，同時 沿所述側(cè)面方向自該凸柱的該頂部側(cè)向延伸。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該蓋體與該焊墊于該介電層 上方為共平面。
19.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該蓋體為矩形或正方形，且該 凸柱的該頂部為圓形。
20.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該蓋體的尺寸及形狀是配合 該半導(dǎo)體元件的一熱接觸表面而設(shè)計，該凸柱的該頂部的尺寸及形狀則并非配合該半導(dǎo)體 元件的該熱接觸表面而設(shè)計。
21.一種半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該半導(dǎo)體晶片組體至少包含一半導(dǎo)體元件；一粘著層，其至少具有一開口 ；一散熱座，其至少包含一凸柱、一基座及一蓋體，其中該凸柱鄰接該基座并與該基座一 體成形，該凸柱沿一向上方向延伸于該基座上方，并使該基座與該蓋體形成熱連結(jié)，該基座 沿一與該向上方向相反的向下方向延伸于該凸柱下方，并沿垂直于該向上及向下方向的側(cè) 面方向自該凸柱側(cè)向延伸，該蓋體位于該凸柱的一頂部上方，鄰接該凸柱的該頂部，并從上 方覆蓋該凸柱的該頂部，同時沿所述側(cè)面方向自該凸柱的該頂部側(cè)向延伸；一基板，其至少包含一焊墊、一端子、一路由線及一介電層，其中該焊墊、該端子與該 路由線接觸該介電層并延伸于該介電層上方，該焊墊與該端子間的一導(dǎo)電路徑包含該路由 線，且一通孔延伸貫穿該基板；其中該半導(dǎo)體元件是設(shè)置于該蓋體上，重疊于該凸柱，并電性連結(jié)至該焊墊，從而電性 連結(jié)至該端子，且該半導(dǎo)體元件是熱連結(jié)至該蓋體，從而熱連結(jié)至該基座；其中該粘著層是設(shè)置于該基座上，延伸于該基座上方，延伸進入該通孔中一位于該凸 柱與該基板間的缺口，并在該缺口中延伸跨越該介電層，該粘著層在該缺口內(nèi)是介于該凸 柱與該介電層之間，在該缺口外則介于該基座與該基板之間，該粘著層于所述側(cè)面方向環(huán) 繞該凸柱，且該粘著層被該焊墊、該端子與該路由線重疊，同時延伸至該組體的外圍邊緣；其中該基板是設(shè)置于該粘著層上并延伸于該基座上方；以及其中該凸柱延伸進入該開口及該通孔以達該介電層上方，該基座延伸于該半導(dǎo)體元件、該粘著層及該基板下方，且從下方覆蓋該凸柱、該蓋體、該粘著層及該基板，同時延伸至 該組體的外圍邊緣。
22.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該半導(dǎo)體元件為一包含LED 晶片的LED封裝體，且是利用一第一焊錫設(shè)置于該焊墊上，并利用一第二焊錫設(shè)置于該蓋 體上，該半導(dǎo)體元件利用該第一焊錫電性連結(jié)至該焊墊，并利用該第二焊錫熱連結(jié)至該蓋 體。
23.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該基板是與該凸柱及該基座 保持距離，該粘著層在該缺口內(nèi)接觸該凸柱與該介電層，并在該缺口之外接觸該基座與該 介電層，且該蓋體與該凸柱的該頂部為銅質(zhì)。
24.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該凸柱為平頂錐柱形，其直徑 自該基座至該蓋體呈向上遞減，該凸柱的該頂部為圓形，且該蓋體為矩形或正方形。
25.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體晶片組體，其特征在于該凸柱與該粘著層于該介電 層上方為共平面，且該蓋體與該焊墊及該端子在該介電層上方為共平面。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種具有凸柱/基座的散熱座及基板的半導(dǎo)體晶片組體，該半導(dǎo)體晶片組體至少包含一半導(dǎo)體元件、一散熱座、一基板及一粘著層。該半導(dǎo)體元件是電性連結(jié)于該基板且熱連結(jié)于該散熱座。該散熱座至少包含一凸柱及一基座。該凸柱從該基座向上延伸進入該粘著層的一開口以及該基板的一通孔，而該基座則從該凸柱側(cè)向延伸。該粘著層延伸于該凸柱與該基板之間以及該基座與該基板之間。此組體可在一焊墊與一端子之間提供信號路由。
文檔編號H01L33/62GK102064265SQ20101014524
公開日2011年5月18日 申請日期2010年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月11日
發(fā)明者林文強, 王家忠 申請人:鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司