專利名稱：固體攝像器件和攝像裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括布線部的固體攝像器件和攝像裝置，所述布線部形成在布置有多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元的光接收單元中。
背景技術(shù)：
JP-A-2003-273342 (專利文件 1)和 JP-A-2003-264281 (專利文件 2)公開了固體
攝像器件。在固體攝像器件中，多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元二維地布置在半導(dǎo)體基板的光接收單元 中。多個(gè)布線部形成在半導(dǎo)體基板的光接收單元上，沿光電轉(zhuǎn)換單元的預(yù)定布置方向 延伸。布線部包括層疊的多層布線體。通過光學(xué)單元聚集的拍攝物等的光聚集到固體攝像器件的光接收單元上。因此，在專利文件1中，在光接收單元周邊部的布線部中，多個(gè)布線體重疊并向光 接收單元的中心偏移。這樣，從傾斜方向入射到光接收單元的周邊部中的光電轉(zhuǎn)換單元上的光不易被多 個(gè)布線體擋住。在專利文件2中，多個(gè)布線體重疊并且彼此偏移，在一個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元的兩側(cè)上 的兩組布線體形成的輪廓邊緣形成為倒錐形狀。因此，聚集在光電轉(zhuǎn)換單元上的光不易被多個(gè)布線體擋住。然而，當(dāng)多個(gè)布線體形成一個(gè)布線部時(shí)，將用于形成過孔接觸部的連接導(dǎo)體連接 到各布線體上，并且必須通過過孔接觸部電連接上下重疊的連接導(dǎo)體。為了得到如專利文件1或?qū)＠募?所述的預(yù)定重疊位置，逐漸偏移多個(gè)布線體 時(shí)，對(duì)于連接導(dǎo)體，需要確保對(duì)應(yīng)于多個(gè)連接導(dǎo)體各自偏移量的偏移裕度。因此，在專利文件1或?qū)＠募?中，與多個(gè)布線體連接的多個(gè)連接導(dǎo)體具有包括 擴(kuò)展區(qū)域的較大尺寸。結(jié)果，由布線體和連接導(dǎo)體形成的各布線圖形的寬度較大。在專利文件1或?qū)＠募?中，由于各布線圖形的寬度較大，因而靠近一個(gè)光電轉(zhuǎn) 換單元兩側(cè)的兩個(gè)布線圖形之間的開口的寬度很窄。結(jié)果，如專利文件1或?qū)＠募?所述，當(dāng)層疊的多個(gè)布線體逐漸偏移時(shí)，穿過兩 個(gè)布線圖形之間的光量減少，從而引起光電轉(zhuǎn)換單元的實(shí)際靈敏度劣化。由于各布線圖形的較大寬度使開口的寬度很窄時(shí)，入射光對(duì)角度的依賴性增大。
因此，當(dāng)光的入射角僅略微偏移時(shí)，光電轉(zhuǎn)換單元的實(shí)際靈敏度卻顯著變化。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，在固體攝像器件和攝像裝置中需要提高光電轉(zhuǎn)換單元的實(shí)際靈敏度。本發(fā)明第一實(shí)施例提供了一種固體攝像器件，所述固體攝像器件包括半導(dǎo)體基 板；多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元，所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元以陣列形式形成在所述半導(dǎo)體基板上并且 在所述半導(dǎo)體基板上形成光接收單元；以及多個(gè)布線部，所述多個(gè)布線部形成在所述光接 收單元上的多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元之間的位置。所述多個(gè)布線部的每一個(gè)包括多個(gè)布線體，所 述多個(gè)布線體分別通過在所述半導(dǎo)體基板的所述光接收單元上疊加所述多個(gè)布線層形成， 并且包括在所述半導(dǎo)體基板側(cè)的下布線體、在最上側(cè)的上布線體以及在所述下布線體和所 述上布線體之間的中間布線體；和多個(gè)接觸部，所述多個(gè)接觸部按照垂直重疊的次序連接 所述多個(gè)布線體。在所述多個(gè)布線部的至少一個(gè)中，除了所述下布線體之外的所述布線體 疊加并且偏離所述下布線體的正上方的位置。所述中間布線體的偏移量和連接到所述中間 布線體的所述多個(gè)接觸部的偏移量是相同的。本發(fā)明的第二實(shí)施例提供一種攝像裝置，所述攝像裝置包括光學(xué)單元，所述光學(xué) 單元聚集光；以及固體攝像器件，所述固體攝像器件接收由所述光學(xué)單元聚集的光。所述固 體攝像器件包括半導(dǎo)體基板；多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元，所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元以陣列形式形 成在所述半導(dǎo)體基板上并且在所述半導(dǎo)體基板上形成光接收單元；以及多個(gè)布線部，所述 多個(gè)布線部形成在所述光接收單元上的多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元之間的位置。所述多個(gè)布線部的 每一個(gè)包括多個(gè)布線體，所述多個(gè)布線體分別通過在所述半導(dǎo)體基板的所述光接收單元上 疊加所述多個(gè)布線層形成，并且包括在所述半導(dǎo)體基板側(cè)的下布線體、在最上側(cè)的上布線 體以及在所述下布線體和所述上布線體之間的中間布線體；和多個(gè)接觸部，所述多個(gè)接觸 部按照垂直重疊的次序連接所述多個(gè)布線體。在所述多個(gè)布線部的至少一個(gè)中，除了所述 下布線體之外的所述布線體疊加并且偏離所述下布線體的正上方的位置。所述中間布線體 的偏移量和連接到所述中間布線體的所述多個(gè)接觸部的偏移量是相同的。在第一實(shí)施例中，所述中間布線體的偏移量和所述多個(gè)接觸部的偏移量是相同 的。因此，在第一實(shí)施例中，在設(shè)計(jì)上，與偏離所述接觸部的所述中間布線體的寬度相 比，可以減小用于連接所述接觸部與所述中間布線體所需要的所述中間布線體的寬度。所 述中間布線體不容易從所述上布線體和所述下布線體的間隔向所述光電轉(zhuǎn)換單元側(cè)突出。結(jié)果，在第一實(shí)施例中，穿過上布線體形成的開口的光不容易被中間布線體擋住， 因此可以提高所述光電轉(zhuǎn)換單元的實(shí)際靈敏度。根據(jù)本發(fā)明的各實(shí)施例，可以提高所述光電轉(zhuǎn)換單元的實(shí)際靈敏度。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例的攝像裝置的方框圖。圖2是用于說明圖1所示的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。圖3是圖1所示的固體攝像器件的示例的方框布局圖。
圖4是圖3所示的像素電路和周邊電路的詳細(xì)方框圖。圖5A 圖5C是圖3所示的像素單元的示意性局部截面圖，其中圖5A是像素單元 的中心部的示意性局部截面圖；圖5B是像素單元的中間部的示意性局部截面圖；以及圖5C 是像素單元的周邊部的示意性局部截面圖。
圖6是在圖2所示的光接收單元中心部中的布線部截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖7是在圖2所示的光接收單元周邊部中的布線部截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖8是用于說明多個(gè)布線體的偏移量的圖(不偏移)。圖9是用于說明多個(gè)布線體的偏移量的圖(在垂直方向上偏移)。圖10是用于說明多個(gè)布線體的偏移量的圖(在水平方向上偏移)。圖11是用于說明多個(gè)布線體的偏移量的圖(在垂直方向和水平方向上偏移)。圖12A 圖12C是圖7所示的多個(gè)布線層的布線圖形的示例的圖，其中圖12A是 上布線層的布線圖形的圖；圖12B是中間布線層的布線圖形的圖；以及圖12C是下布線層 的布線圖形的圖。圖13是用于說明連接導(dǎo)體的尺寸的圖。圖14A和圖14B是用于說明中間布線體所形成的開口的寬度的圖，其中圖14A是 用于說明比較例的圖；圖14B是用于說明實(shí)施例的圖。圖15是用于說明圖14A所示的比較例中開口寬度的圖。圖16是用于說明圖14B所示的實(shí)施例中開口寬度的圖。
具體實(shí)施例方式下面參照

本發(fā)明的實(shí)施例。按照以下順序進(jìn)行說明1.攝像裝置的結(jié)構(gòu)；2.固體攝像器件的結(jié)構(gòu)；3.光接收單元中的各種布線和光電轉(zhuǎn)換單元的布局；4.布線部的截面；5.布線部的布線體形狀；以及6.攝像裝置的操作攝像裝置1的結(jié)構(gòu)圖1是本發(fā)明實(shí)施例的攝像裝置1的方框圖。攝像裝置1包括光學(xué)單元10、固體攝像器件(CMOS) 11、信號(hào)處理電路(DSP) 12、 操作單元(按鍵)13和顯示單元(DISP) 14。此外，攝像裝置1包括中央處理器(Central Processing Unit, CPU) 15、存儲(chǔ)器(MEM) 17、串行接口單元(S_IF) 18和連接這些單元的系 統(tǒng)總線19。這種攝像裝置1例如用作便攜式終端裝置、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼單鏡頭反光相機(jī)以及 數(shù)碼攝像機(jī)。圖2是用于說明光學(xué)單元10和固體攝像器件11的大體光學(xué)布置的示意圖。光學(xué)單元10包括聚光透鏡10A。光學(xué)單元10聚集拍攝物的光。固體攝像器件11是CMOS傳感器。
固體攝像器件11包括接收拍攝物的光的光接收單元21。如稍后所述，多個(gè)像素電路22 二維地布置在光接收單元21中。拍攝物的光通過光學(xué)單元10聚集在光接收單元21上。如圖2所示，光學(xué)單元10的光軸設(shè)定在光接收單元21的中心。因此，通過光學(xué)單元10聚集的光從正上方入射到光接收單元21的中心上以及從 傾斜方向入射到光接收單元21的周邊部上。固體攝像器件11將包括多個(gè)像素電路22所接收到的光量的值的輸出信號(hào)輸出。信號(hào)處理電路12連接到固體攝像器件11。信號(hào)處理電路12從固體攝像器件11輸入的固體攝像器件11的輸出信號(hào)獲得例如三顏色R、G和B的全色圖像。因此，信號(hào)處理電路12產(chǎn)生包括全色圖像數(shù)據(jù)的圖像信號(hào)。信號(hào)處理電路12將產(chǎn)生的圖像信號(hào)輸出到系統(tǒng)總線19。操作單元13包括多個(gè)操作鍵。操作鍵包括電源鍵和攝像鍵等等。操作單元13產(chǎn)生包括對(duì)應(yīng)于操作鍵的值的信號(hào)。操作單元13通過系統(tǒng)總線19將產(chǎn)生的圖像信號(hào)輸出到CPU 15。顯示單元14顯示圖像。例如，當(dāng)從系統(tǒng)總線19輸入圖像信號(hào)時(shí)，顯示單元14基于輸入的圖像信號(hào)中所包 含的圖像數(shù)據(jù)顯示圖像。半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡(M_CARD) 20可拆裝地連接到串行接口單元18。半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡20例如可以是閃存。串行接口單元18在插入到串行接口單元18的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡20上存取數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)從串行總線19輸入圖像信號(hào)時(shí)，串行接口單元18將輸入圖像信號(hào)中所包 含的圖像數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡20中。存儲(chǔ)器17存儲(chǔ)例如CPU 15可以執(zhí)行的計(jì)算機(jī)程序以及CPU 15所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)等。當(dāng)從系統(tǒng)總線19輸入圖像信號(hào)時(shí)，存儲(chǔ)器17存儲(chǔ)輸入的圖像信號(hào)中所包含的圖 像數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器17中的計(jì)算機(jī)程序可以在攝像裝置1出廠前預(yù)先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器17 中，也可以在攝像裝置1出廠后存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器17中。出廠后存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器17中的計(jì)算機(jī)程序例如可以通過安裝存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀的 記錄媒體中的計(jì)算機(jī)程序獲得。出廠后存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器17中的計(jì)算機(jī)程序還可以通過安裝從諸如因特網(wǎng)等傳輸介 質(zhì)下載的計(jì)算機(jī)程序獲得。CPU 15執(zhí)行存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器17中的計(jì)算機(jī)程序。因此，控制單元(CTRL 控制器)16在CPU 15中實(shí)現(xiàn)。控制單元16控制攝像裝置1的操作。例如，當(dāng)從操作單元13輸入操作攝像鍵所產(chǎn)生的信號(hào)時(shí)，控制單元16指示固體攝 像器件11開始攝像。固體攝像器件的結(jié)構(gòu)
圖3是圖1所示的固體攝像器件11的框圖布局示例的布局圖。圖3所示的固體 攝像器件11是CMOS圖像傳感器的示例。固體攝像器件11可以按行單元從多個(gè)像素電路22讀出信號(hào)。在圖3中，為便于說明，放大或者縮小各模塊的尺寸并且根據(jù)需要而說明。固體攝像器件11包括半導(dǎo)體基板110。在半導(dǎo)體基板110上，形成有像素單元(SNS)lll、行選擇電路(VSCN)112、快門行 選擇電路(SHT) 113、相關(guān)雙采樣電路(⑶S) 114和列選擇電路(HSCN)115等。此外，在半導(dǎo)體基板110上，形成有AGC電路(AGC) 117、模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器 (ADC) 118、數(shù)字放大電路(DAMP) 119和時(shí)序發(fā)生器(TG)116。這些電路通過例如形成在半導(dǎo)體基板110上的布線彼此連接。像素單元111包括多個(gè)像素電路22。多個(gè)像素電路22 二維地布置在半導(dǎo)體基板 110的一個(gè)表面上。多個(gè)像素電路22布置的范圍是半導(dǎo)體基板110的光接收單元21。在下面的說明中，圖3的方框圖中像素單元111的左右方向稱為水平方向。圖3的方框圖中像素單元111的上下方向稱為垂直方向。圖3所示的光接收單元21是水平方向的邊大于垂直方向的邊的矩形區(qū)域。圖4是像素電路22的詳細(xì)方框圖。在圖4中，示出了 2行X3列的多個(gè)像素電路22和各種周邊電路。各種信號(hào)線和電源線連接到多個(gè)像素電路22。各種信號(hào)線連接到周邊電路。作為這些各種信號(hào)線和電源線，例如有接地線41、電源線42、傳輸信號(hào)線43、選擇 信號(hào)線44、復(fù)位信號(hào)線45和像素輸出線46。在圖4中，正方形虛線圍繞的區(qū)域是一個(gè)像素電路22。多個(gè)像素電路22 二維地布置在半導(dǎo)體基板110的光接收單元21上。多個(gè)像素電路22的每一個(gè)包括光電轉(zhuǎn)換單元31、傳輸晶體管32、放大晶體管33、 選擇晶體管34和復(fù)位晶體管35。光電轉(zhuǎn)換單元31是形成在半導(dǎo)體基板110上的光電二極管。光電二極管累積相應(yīng)于接收光的量的電荷。光電二極管的陽極連接到接地線41。光電二極管的陰極連接到傳輸晶體管32的源極電極。傳輸晶體管32是形成在半導(dǎo)體基板110上的M0S晶體管。傳輸晶體管32的漏極電極連接到放大晶體管33的柵極電極。傳輸晶體管32的 源極電極連接到傳輸信號(hào)線43。連接傳輸晶體管32的漏極電極和放大晶體管33的柵極電極的信號(hào)線稱為浮動(dòng)擴(kuò) 散器36。當(dāng)傳輸信號(hào)線43處于高電平時(shí)，傳輸晶體管32在源極電極和漏極電極之間形成 溝道。因此，浮動(dòng)擴(kuò)散器36連接到光電轉(zhuǎn)換單元31。放大晶體管33是形成在半導(dǎo)體基板110上的M0S晶體管。
放大晶體管33的源極電極連接到電源線42。放大晶體管33的漏極電極連接到選 擇晶體管34的源極電極。選擇晶體管34是形成在半導(dǎo)體基板110上的MOS晶體管。選擇晶體管34的柵極電極連接到選擇信號(hào)線44。選擇晶體管34的漏極電極連接 到像素輸出線46。當(dāng)選擇信號(hào)線44處于高電平時(shí)，選擇晶體管34被控制為處于導(dǎo)通并且放大晶體 管33連接到像素輸出線46。當(dāng)光電轉(zhuǎn)換單元31連接到放大晶體管33的柵極電極時(shí)，像素輸出線46設(shè)成相應(yīng) 于累積在光電轉(zhuǎn)換單元31中的電荷量的電壓電平。復(fù)位晶體管35是形成在半導(dǎo)體基板110上的MOS晶體管。復(fù)位晶體管35的柵極電極連接到復(fù)位信號(hào)線45。復(fù)位晶體管35的源極電極連接到電源線42。復(fù)位晶體管的漏極電極35連接到浮動(dòng)擴(kuò)散器36。當(dāng)復(fù)位信號(hào)線45處于高電平時(shí)，復(fù)位晶體管35將浮動(dòng)擴(kuò)散器36連接到電源線 42。因此，浮動(dòng)擴(kuò)散器36復(fù)位到電源電壓電平。如上所述，像素電路22連接到接地線41、電源線42、傳輸信號(hào)線43、選擇信號(hào)線 44、復(fù)位信號(hào)線45和像素輸出線46。二維布置的多個(gè)像素電路22連接到多個(gè)接地線41、多個(gè)電源線42、多個(gè)傳輸信號(hào) 線43、多個(gè)選擇信號(hào)線44、多個(gè)復(fù)位信號(hào)線45和多個(gè)像素輸出線46。例如，二維布置的多個(gè)像素電路22的每一行連接到公共傳輸信號(hào)線43、選擇信號(hào) 線44和復(fù)位信號(hào)線45。二維布置的多個(gè)像素電路22的每一列連接到公共像素輸出線46。多個(gè)電源線和多個(gè)信號(hào)線連接到形成在多個(gè)像素電路22周圍的解碼器 (DEC) 120、相關(guān)雙采樣電路114等。解碼器120連接到行選擇電路112和快門行選擇電路 113。例如，多個(gè)傳輸信號(hào)線43、多個(gè)選擇信號(hào)線44和多個(gè)復(fù)位信號(hào)線45通過預(yù)定的邏 輯電路連接到行選擇電路112和快門行選擇電路113。行選擇電路112和快門行選擇電路113布置在水平方向長的矩形光接收單元21 的水平方向的一側(cè)。因此，多個(gè)傳輸信號(hào)線43、多個(gè)選擇信號(hào)線44和多個(gè)復(fù)位信號(hào)線45在光接收單元 21的整個(gè)寬度上橫向貫穿矩形光接收單元21。多個(gè)像素輸出線46連接到相關(guān)雙采樣電路114。相關(guān)雙采樣電路114布置在光接 收單元21的垂直方向上的一側(cè)。因此，多個(gè)像素輸出線46在光接收單元21的整個(gè)寬度上縱向貫穿矩形光接收單 元21。類似地，多個(gè)接地線41和多個(gè)電源線42連接到多個(gè)像素電路22。因此，如稍后所 述，多個(gè)接地線41和多個(gè)電源線42在光接收單元的整個(gè)寬度上沿水平方向橫向貫穿矩形 光接收單元21。光接收單元21中的各種布線和光電轉(zhuǎn)換單元31的布局
下面說明光接收單元21中形成的各種布線和光電轉(zhuǎn)換單元31的布局。圖5A 圖5C是圖3所示的固體攝像器件的像素單元111的示意性局部截面圖。圖5A是像素單元111的中心部的局部截面圖。圖5B是在像素111的中心部和周邊部之間的中間部的局部截面圖。圖5C是像素單元111的周邊部的局部截面圖。如圖5A 圖5C所示，多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元31和多個(gè)MOS晶體管37形成在固體攝 像器件11的半導(dǎo)體基板110上。在圖5A 圖5C中，多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元31以等間距排列。像素電路22的各種MOS晶體管32 35形成在多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元31之間。在圖5A 圖5C中，圖中所示的每一組光電轉(zhuǎn)換單元31和MOS晶體管37對(duì)應(yīng)于 每一個(gè)像素電路22。圖5A 圖5C所示的MOS晶體管37例如是傳輸晶體管32。在光接收單元21中，絕緣膜71、濾色器陣列72和透鏡陣列73依次形成在半導(dǎo)體 基板110上。絕緣膜71由透明或者半透明的絕緣樹脂材料形成。在絕緣膜71上側(cè)的表面層部被鈍化膜平坦化。濾色器陣列72包括多個(gè)濾色器單元72A。多個(gè)濾色器單元72A涂成從三顏色R、G和B中選擇的一個(gè)顏色。在光接收單元21中濾色器單元72A 二維地布置，以一對(duì)一的關(guān)系對(duì)應(yīng)于像素電路 22。透鏡陣列73包括多個(gè)透鏡單元73A。透鏡單元73A具有凸透鏡的形狀。在光接收單元21中透鏡單元73A 二維地布置，以一對(duì)一的關(guān)系對(duì)應(yīng)于像素電路 22。因此，透鏡單元73A分別與濾色器單元72A重疊。每一組濾色器單元72A和透鏡單元73A基本上位于每個(gè)像素電路22的上方。 具體地，如圖5A所示，在光接收單元21的中心部，光從正上方入射到像素電路22 上。因此，濾色器單元72A和透鏡單元73A形成在像素電路22的正上方。另一方面，如圖5C所示，在光接收單元21的周邊部，光從傾斜方向入射到像素電 路22上。因此，濾色器單元72A和透鏡單元73A形成為沿像素電路22的斜向上方向偏移。如圖5A 圖5C所示，多個(gè)布線體51 布線體53在絕緣膜71中形成為三層。
垂直地和水平地貫穿光接收單元21的各種信號(hào)線和電源線由多個(gè)布線體51 布 線體53形成。在圖5A 圖5C中，三個(gè)布線層沿垂直于圖的紙面的方向延伸。三個(gè)布線層經(jīng)由稍后說明的過孔接觸部59和60彼此電連接。一個(gè)布線部50由布線體51 布線體53按三層形成。因此，布線部50例如用作接地線41、電源線42、傳輸信號(hào)線43、選擇信號(hào)線44、復(fù) 位信號(hào)線45和像素輸出線46。圖5A 圖5C所示的多個(gè)布線部50沿著光電轉(zhuǎn)換單元31的布置方向的一個(gè)方向 (垂直于紙面的方向)延伸。如稍后所述，在圖5A 圖5C所示的多個(gè)布線部50中，各自的中間布線體52相對(duì)于各自的下布線體51的偏移量在上述的一個(gè)布置方向上是相同的(兩個(gè)偏移量都是零)。多個(gè)中間布線體52在二維布置方向的另一個(gè)布置方向(圖5A 圖5C的紙面的 方向)的偏移量是彼此不同的。這也適用于多個(gè)上布線體53。例如，如圖5A所示，布線部50形成在相鄰的兩個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元31之間，避開從濾 色器單元72A和透鏡單元73A延伸到像素電路22的光電轉(zhuǎn)換單元31的光入射路徑。具體地，例如，在圖5A所示的光接收單元21的中心部，布線部50的三層布線體 51 布線體53中，第二層中間布線體52形成為重疊在半導(dǎo)體基板110側(cè)的第一層下布線 體51的正上方的位置。第三層上布線體53形成為重疊在第二層中間布線體52的正上方的位置。例如，在圖5B所示的光接收單元21的中間部，布線部50的三層布線體51 布線 體53中，第二層中間布線體52形成為從半導(dǎo)體基板110側(cè)的第一層下布線體51的正上方 位置向中心略微偏移。第三層上布線體53形成為從第二層中間布線體52的正上方位置向中心略微偏 移。例如，在圖5C所示的光接收單元21的周邊部，布線部50的三層布線體51 布線 體53中，第二層中間布線體52形成為比圖5B所示的程度更大地從半導(dǎo)體基板110側(cè)的第 一層下布線體51的正上方位置向中心偏移。第三層上布線體53形成為比圖5B所示的程度更大地從第二層中間布線體52的 正上方位置向中心偏移。布線部50的截面圖6是光接收單元21的中心部的布線部50的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖7是光接收單元21的周邊部的布線部50的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。在圖7中，圖6的中心部的布線部50的位置由虛線表示。在圖6和圖7中，沿垂直于紙面的方向延伸的三層布線體51 53是例如在矩形 光接收單元21的橫方向(水平方向)延伸的布線部50。三層布線體51 53分別形成在下布線層61、中間布線層62和上布線層63中。不同于圖6所示的中心部中的布線部50，在圖7所示的周邊部中的布線部50中， 三個(gè)層中的布線體51 布線體53重疊同時(shí)又彼此偏移。具體地，三個(gè)層中的布線體51 布線體53向光接收單元21的中心方向(圖7中 的左側(cè)方向)偏移。在圖7左側(cè)的布線部50中的中間布線層62以及過孔接觸部59和60的偏移量是 “A”，該偏移量不同于圖7右側(cè)的布線部50中的中間布線層62以及過孔接觸部59和60的 偏移量“B”。下面說明多個(gè)布線層61 布線層63的偏移。圖8 圖11是從光入射方向看的形成在某個(gè)半導(dǎo)體基板110上的一個(gè)像素電路 22的俯視圖。如圖8中的矩形虛線所示，像素電路22的光電轉(zhuǎn)換單元31形成在半導(dǎo)體基 板110上。在圖8 圖11中，左側(cè)下布線層61-1、右側(cè)下布線層61-2和下側(cè)下布線層61-3形成為多個(gè)下布線層61。左側(cè)下布線層61-1形成在光電轉(zhuǎn)換單元31的左側(cè)，不與光電轉(zhuǎn)換單元31的形成
區(qū)域重疊。 右側(cè)下布線層62-2形成在光電轉(zhuǎn)換單元32的右側(cè)，不與光電轉(zhuǎn)換單元32的形成
區(qū)域重疊。下側(cè)下布線層61-3形成在半導(dǎo)體基板110的光接收單元21上，與多晶硅柵極電
極重疊。在圖8 圖11中，左側(cè)中間布線層62-1、右側(cè)中間布線層62-2和下側(cè)中間布線層 62-3形成為多個(gè)中間部布線層62。在圖8中，左側(cè)中間布線層62-1形成為與左側(cè)下布線層61-1重疊。在這種情況 下，左側(cè)中間布線層62-1的布線寬度的中心與左側(cè)下布線層61-1的布線寬度的中心重疊。在圖8中，右側(cè)中間布線層62-2形成為與右側(cè)下布線層61_2重疊。在這種情況 下，右側(cè)中間布線層62-2的布線寬度的中心與右側(cè)下布線層61-2的布線寬度的中心重疊。在圖8中，下側(cè)中間布線層62-3形成為與下側(cè)下布線層61_3重疊。按照這種方式，在圖8中，中間布線層62的布線寬度的中心與下布線層61的布線 寬度的中心重疊。中間布線層62不偏離下布線層61。另一方面，在圖9中，中間布線層62在垂直方向(圖9中上下方向)上向上側(cè)偏 移。在這種情況下，中間布線層62的布線寬度的中心與下布線層61的布線寬度的中
心不重疊。下側(cè)中間布線層62-3與光電轉(zhuǎn)換單元31的形成區(qū)域重疊。在圖10中，中間布線層62在水平方向(圖10中的左右方向)上向左側(cè)偏移。在這種情況下，中間布線層62的布線寬度的中心與下布線層61的布線寬度的中
心不重疊。右側(cè)中間布線層62-2與光電轉(zhuǎn)換單元31的形成區(qū)域的重疊區(qū)域較大。在圖11中，中間布線層62在垂直方向上向上側(cè)偏移并且在水平方向上向左側(cè)偏 移。在這種情況下，中間布線層62的布線寬度的中心與下布線層61的布線寬度的中
心不重疊。下側(cè)中間布線層62-3與光電轉(zhuǎn)換單元31的形成區(qū)域重疊。右側(cè)中間布線層62_2 與光電轉(zhuǎn)換單元31的形成區(qū)域的重疊區(qū)域較大。按照這種方式，當(dāng)多個(gè)布線層61 63重疊并且彼此偏移時(shí)，從上方看，在光接收 單元21中，中間布線層62和上布線層63與光電轉(zhuǎn)換單元31的形成區(qū)域具有較大的重疊 區(qū)域。近年來，隨著像素?cái)?shù)量越來越多，固體攝像器件11中的像素單元越來越微型化。 因此，如何保證單個(gè)像素電路22的靈敏度及防止靈敏度的劣化成為問題。在使用鏡頭可拆裝型的數(shù)碼單鏡頭反光照相機(jī)中，多個(gè)像素電路22以陣列方式 布置。于是，假設(shè)光束從光接收單元21的法線方向以各種角度入射。因此，在可替換鏡頭的照相機(jī)中，引導(dǎo)光束以各種角度入射到光電轉(zhuǎn)換單元31 (光電二極管)上并抑制光損耗是很重要的。在一些情況下，多個(gè)布線層61 63和光電轉(zhuǎn)換單元31的形成區(qū)域之間的重疊加 劇了這些問題。特別地，在以二維矩陣形狀布置的像素單元中，對(duì)于離光接收單元21的中心更遠(yuǎn) 的像素單元來說，上述問題的惡化更加明顯。這種惡化引起了鏡頭特性之外的圖像質(zhì)量的劣化。參照前述圖6和圖7，多個(gè)布線體51 53形成為彼此重疊，并且通過過孔接觸部59和60電連接。具體地，下布線體51通過兩個(gè)過孔接觸部58連接到半導(dǎo)體基板110。中間布線體52通過兩個(gè)過孔接觸部59電連接到下布線體51。上布線體53通過一個(gè)過孔接觸部60電連接到中間布線體52。因此，下布線體51、中間布線體52和上布線體53彼此電連接，并且用作一個(gè)布線 部50。布線體51 53的形狀圖12A 圖12C是圖7所示的下布線層61、中間布線層62和上布線層63的布線 圖形示例的圖。圖12A是上布線層63的布線圖形示例的圖。圖12B是中間布線層62的布線圖形示例的圖。圖12C是下布線層61的布線圖形示例的圖。如圖12A所示，上布線層63包括上布線體53和上連接導(dǎo)體57。如圖12B所示，中間布線層62包括中間布線體52、第一中間連接導(dǎo)體56和第二中 間連接導(dǎo)體55。如圖12C所示，下布線層61包括下布線體51和下連接導(dǎo)體54。在圖12A 圖12C所示的示例中，上布線體53、中間布線體52和下布線體51形成 為相同的布線寬度。上連接導(dǎo)體57、第一中間連接導(dǎo)體56、第二中間連接導(dǎo)體55和下連接導(dǎo)體54形 成為大體正方形的形狀。上連接導(dǎo)體57的一側(cè)連接到上布線體53。中間連接導(dǎo)體55和中間連接導(dǎo)體56各自的一側(cè)連接到中間布線體52。下連接導(dǎo)體54的一側(cè)連接到下布線體51。根據(jù)設(shè)計(jì)，上連接導(dǎo)體57形成在第一中間連接導(dǎo)體56的正上方。如圖6和圖7所示，上連接導(dǎo)體57通過過孔接觸部60連接到第一中間連接導(dǎo)體 56。根據(jù)設(shè)計(jì)，第二中間連接導(dǎo)體55形成在下連接導(dǎo)體54的正上方。第二中間連接導(dǎo)體55通過過孔接觸部59連接到下連接導(dǎo)體54。下面說明上連接導(dǎo)體57、第一中間連接導(dǎo)體56、第二中間連接導(dǎo)體55和下連接導(dǎo) 體54的尺寸。圖13是用于說明連接導(dǎo)體80的尺寸的圖。通過過孔接觸部連接到另一連接導(dǎo)體的連接導(dǎo)體80必須電連接到過孔接觸部。因此，連接導(dǎo)體80必須形成為尺寸與過孔接觸部的尺寸基本相同。在這種情況下，連接導(dǎo)體80具有圖13中最里面的正方形81的尺寸。用單獨(dú)步驟制造連接導(dǎo)體80 和過孔接觸部。因此，連接導(dǎo)體80的形成位置和過 孔接觸部的形成位置在制造上彼此偏離。這樣，即使由于制造出現(xiàn)這種位置偏差時(shí)，連接導(dǎo)體80必須準(zhǔn)確地連接到過孔接 觸部。在這種情況下，連接導(dǎo)體80具有圖13中次內(nèi)側(cè)的正方形82的尺寸。當(dāng)多個(gè)布線體重疊并且彼此偏移時(shí)，在多個(gè)布線體彼此偏移的狀態(tài)下連接導(dǎo)體80 必須準(zhǔn)確地連接到過孔接觸部。在這種情況下，連接導(dǎo)體80具有圖13中外側(cè)的正方形83的尺寸。圖13中外側(cè)的正方形83與次內(nèi)側(cè)的正方形82之間的區(qū)域稱為擴(kuò)展區(qū)域84。擴(kuò) 展區(qū)域84是這樣的區(qū)域在多個(gè)布線體重疊并彼此偏移時(shí)為必要的區(qū)域，并且在連接導(dǎo)體 80和過孔接觸部彼此不偏離時(shí)為不必要的區(qū)域。當(dāng)圖7所示的三個(gè)層中的布線體51 53重疊并且彼此偏移時(shí)，各種連接導(dǎo)體 54 57基本上需要形成為具有包括擴(kuò)展區(qū)域84的圖13中外側(cè)的正方形83的尺寸。然而，在本實(shí)施例中，上連接導(dǎo)體57、第一中間連接導(dǎo)體56、第二中間連接導(dǎo)體55 和下連接導(dǎo)體54的形成為下面說明的尺寸。具體地，上連接導(dǎo)體57形成為不包括擴(kuò)展區(qū)域84的圖13中次內(nèi)側(cè)的正方形82 的尺寸。因此，上連接導(dǎo)體57可以吸收制造所引起的過孔接觸部59和60相對(duì)于上連接導(dǎo) 體57的位置偏差。第一中間連接導(dǎo)體56和第二中間連接導(dǎo)體55形成為包括中間布線體52的線寬 但不包括擴(kuò)展區(qū)域84的圖13中次內(nèi)側(cè)的正方形82的尺寸。因此，第一中間連接導(dǎo)體56和第二中間連接導(dǎo)體55可以吸收制造所引起的過孔 接觸部59和60相對(duì)于中間連接導(dǎo)體55和中間連接導(dǎo)體56的位置偏差。第一中間連接導(dǎo)體56和第二中間連接導(dǎo)體55形成為包括中間布線體52的線寬 的圖13中次內(nèi)側(cè)的正方形82的尺寸。因此，連接到第一中間連接導(dǎo)體56的過孔接觸部59和過孔接觸部60以及連接到 第二中間連接導(dǎo)體55的過孔接觸部59和過孔接觸部60直接連接到中間布線體52。下連接導(dǎo)體54形成為包括擴(kuò)展區(qū)域84的圖13中外側(cè)的正方形83的尺寸。因此，當(dāng)中間布線體52形成為偏離下布線體51時(shí)，下布線體51可以吸收制造所 引起的過孔接觸部59和60相對(duì)于下連接導(dǎo)體54的位置偏差。當(dāng)上連接導(dǎo)體57、第一中間連接導(dǎo)體56、第二中間連接導(dǎo)體55和下連接導(dǎo)體54 形成為這些尺寸的組合時(shí)，連接到中間布線層62的過孔接觸部59和60相對(duì)于中間布線層 62不會(huì)偏移。因此，如圖7所示，中間布線層62的偏移量、連接中間布線層62與上布線層63的 過孔接觸部59和60的偏移量以及連接中間布線層62與下布線層61的過孔接觸部59和 60的偏移量是相同的。圖14A和圖14B是用于說明在一個(gè)光電轉(zhuǎn)換31兩側(cè)的兩個(gè)中間布線體52形成的開口的寬度的圖。圖14A是比較例中的兩個(gè)中間布線體52的間距的圖。在圖14A的比較例中，具有圖13中外側(cè)的正方形83的尺寸的中間連接導(dǎo)體56A 連接到中間布線體52。圖14B是本實(shí)施例中的兩個(gè)中間布線體52的間距的圖。在本實(shí)施例中，如上所述，具有圖13中次內(nèi)側(cè)的正方形82的尺寸的中間連接導(dǎo)體 56連接到中間布線體52。在本實(shí)施例中，如圖14B所示，中間連接導(dǎo)體56自中間布線體52的突出寬度(尺 寸)很小。因此，各布線圖形的寬度比圖14A的比較例中的布線圖形的寬度小。由于布線圖形的寬度較小，因而可以增大一個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元31兩側(cè)的兩個(gè)中間 布線體52的間距(開口的寬度)。圖15是用于說明圖14A所示的比較例中開口寬度的圖。圖16是用于說明圖14B所示的本實(shí)施例中開口寬度的圖。在本實(shí)施例中，如圖14B所示，中間布線層62的布線開口的寬度增大了。因此，如圖16所示，中間布線層62恰好布置在上布線層63與下布線層61之間的 空間內(nèi)。具體地，中間布線體52偏移方向的前端側(cè)的端部位于比表面更靠近偏移方向的 內(nèi)側(cè)，該表面包括上布線體53偏移方向的前端側(cè)的端部和偏移方向側(cè)的下布線體51的端部。例如，在圖16右側(cè)的中間布線體52中，中間布線體52的左端位于比包括上布線 體53的左端和下布線體51的左端的表面更靠近右方內(nèi)側(cè)。因此，在本實(shí)施例中，穿過相鄰兩個(gè)上布線層63之間的光在中間布線體52的端部 不會(huì)被反射。由于光在中間布線體52的端部不會(huì)被反射，因而沒有該反射光入射到相鄰光電 轉(zhuǎn)換單元31的問題。因此，能夠降低像素之間的光學(xué)串?dāng)_。攝像裝置1的操作下面說明圖1所示的攝像裝置1的操作。從操作單元13輸入通過攝像鍵的操作所產(chǎn)生的信號(hào)時(shí)，控制單元16指示固體攝 像器件11開始攝像。固體攝像器件11根據(jù)該指令開始讀出處理。在讀出處理中，固體攝像器件11例如利用行選擇電路112和快門行選擇電路113 使像素電路22逐行地操作。行選擇電路112和快門行選擇電路113例如控制多個(gè)行的傳輸信號(hào)線43和選擇 信號(hào)線44，使其逐行地依次從低電平變化到高電平。因此，通過所控制行中的像素電路22，多個(gè)像素輸出線46被控制成轉(zhuǎn)變?yōu)橄鄳?yīng)于 該控制行的光電轉(zhuǎn)換單元31的接收光量的電平。相關(guān)雙采樣電路114基于復(fù)位期間預(yù)先測(cè)量的像素電路22的輸出電平和攝像期間讀出的像素電路22的輸出電平之間的相關(guān)性，逐行地依次產(chǎn)生相應(yīng)于像素電路22的接 收光量的信號(hào)。相關(guān)雙采樣電路114與來自行選擇電路112的同步信號(hào)同步地逐行將多個(gè)像素電 路22的接收光量的信號(hào)輸出。AGC電路117將接收光量的信號(hào)放大。 模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器118對(duì)接收到的光量的信號(hào)進(jìn)行采樣并且獲得多個(gè)像素電路22 的接收光量的數(shù)據(jù)。數(shù)字放大電路119按讀出行的順序產(chǎn)生包括像素電路22接收光量的數(shù)據(jù)的輸出信號(hào)。這些電路的一系列操作與來自時(shí)序發(fā)生器116的同步信號(hào)同步執(zhí)行。固體攝像器件11根據(jù)以上讀出處理將輸出信號(hào)輸出到信號(hào)處理電路12，該輸出 信號(hào)包括在光接收單元21中二維地布置的多個(gè)像素電路22 (光電轉(zhuǎn)換單元31)的接收光
量的值。信號(hào)處理電路12根據(jù)固體攝像器件11的輸出信號(hào)產(chǎn)生R、G和B的全色圖像數(shù) 據(jù)。信號(hào)處理電路12例如將包括全色圖像數(shù)據(jù)的圖像信號(hào)輸出到系統(tǒng)總線19。當(dāng)圖像信號(hào)輸出到系統(tǒng)總線19時(shí)，存儲(chǔ)器17捕獲圖像信號(hào)并且存儲(chǔ)該圖像信號(hào) 所包含的圖像數(shù)據(jù)。串行接口單元18捕獲輸出到系統(tǒng)總線19的圖像信號(hào)并且將該圖像信號(hào)中所包含 的圖像數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡20中。顯示裝置14捕獲輸出到系統(tǒng)總線19的圖像信號(hào)并且顯示出該圖像信號(hào)中所包含 的圖像數(shù)據(jù)的圖像。因此，攝像裝置1所拍攝的圖像保存在半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡20等內(nèi)。用戶可以根據(jù)顯示 裝置14上的顯示檢查攝像裝置1所拍攝的圖像。如上所述，在本實(shí)施例的固體攝像器件11中，為了進(jìn)行光學(xué)校正，上布線層63和 中間布線層62偏離下布線層61的頂部的位置。在本實(shí)施例中，中間布線層62 (中間布線體52)和連接到中間布線層62的過孔接 觸部59和60的偏移量被設(shè)為同一個(gè)值。因此，在本實(shí)施例中，得到了光學(xué)校正的效果，由于中間布線層62未設(shè)有擴(kuò)展區(qū) 域84，因而可以增大中間布線層62中的開口。在本實(shí)施例中，擴(kuò)展區(qū)域84僅設(shè)在下布線層61而未設(shè)在上布線層63和中間布線 層62。因此，在光接收單元21長度方向的周邊部的像素中，上布線層63和中間布線層62 的偏移量可能不夠。然而，在本實(shí)施例中，增大了上布線層63的開口的寬度和中間布線層62的開口的寬度。因此，在本實(shí)施例中，能夠抑制上布線層63和中間布線層62的偏移量不足所引起 的上布線層63或中間布線層62對(duì)光的掩蔽。因此，在本實(shí)施例中，可以抑制布線引起的入射光的掩蔽所導(dǎo)致的靈敏度劣化。在本實(shí)施例中，可以抑制反射光引起的相鄰像素之間的串?dāng)_。
在本實(shí)施例中，通過減小連接導(dǎo)體的尺寸增大了布線間的開口。因此，在本實(shí)施例中，即使當(dāng)固體攝像器件11的光接收單元21例如在水平方向上 較長時(shí)，在入射至垂直方向上遠(yuǎn)離光接收單元21的中心的像素電路22的光中，可以獲得相 當(dāng)于布線偏移時(shí)獲得的抑制掩蔽的效果。在本實(shí)施例中，在水平方向上，即使各布線部50的偏移量比之前減少了，仍可以 解決在遠(yuǎn)離光接收單元21中心的像素電路22單元中靈敏度劣化和串?dāng)_的問題。
上述的實(shí)施例是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明不限于此。在不脫離本發(fā)明 的精神的情況下，可以對(duì)本實(shí)施例進(jìn)行各種變形或更改。在本實(shí)施例中，上連接導(dǎo)體57形成為不包括擴(kuò)展區(qū)域84的圖13中次內(nèi)側(cè)的正方 形82的尺寸。此外，例如，下連接導(dǎo)體57可以形成為包括擴(kuò)展區(qū)域84的圖13中外側(cè)的正方形 83的尺寸。在本實(shí)施例中，第一中間連接導(dǎo)體56和第二中間連接導(dǎo)體55形成為包括中間布 線體52的線寬但不包括擴(kuò)展區(qū)域84的圖13中次內(nèi)側(cè)的正方形82的尺寸。此夕卜，例如，第一中間連接導(dǎo)體56和第二中間連接導(dǎo)體55可以形成為與中間布線 體52的線寬無關(guān)，不包括擴(kuò)展區(qū)域84的圖13中次內(nèi)側(cè)的正方形82的尺寸。在本實(shí)施例中，在圖5A 圖5C所示的多個(gè)布線部50中，在垂直于圖5A 圖5C 的紙面的方向上，各中間布線體52相對(duì)于各下布線體51的所有偏移量為零。 此外，例如，在多個(gè)布線部50中，在垂直于圖5A 圖5C的紙面的方向上，各中間 布線體52相對(duì)于各下布線體51的所有偏移量可以是除了零之外的量。另外，例如，在多個(gè)布線部50中，在垂直于圖5A 圖5C的紙面的方向上，各中間 布線體52相對(duì)于各下布線體51的偏移量可以是彼此不同的量。在本實(shí)施例中，在光接收單元21中，布線部50設(shè)在相鄰的兩個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元31 之間。此外，例如，布線部50可以設(shè)置為對(duì)應(yīng)每三個(gè)以上的光電轉(zhuǎn)換單元31。在本實(shí)施例中，多個(gè)像素電路22形成為彼此獨(dú)立的電路。此外，例如，多個(gè)像素電路22可以在相鄰的兩個(gè)像素電路22中共用浮動(dòng)擴(kuò)散器 36、放大晶體管33、選擇晶體管34和復(fù)位晶體管35。在本實(shí)施例中，布線部50形成為下布線體51、下布線體51和上布線體53三層。此外，例如，布線部50可具有多層中間布線體52，也可以由四層以上的布線體構(gòu) 成。在本實(shí)施例中，布線部50形成在包括CMOS傳感器的固體攝像器件11中。此外，例如，布線部50可以形成在包括電荷耦合器件(Charge CoupledDevice, (XD)的固體攝像器件11中。在本實(shí)施例中，接地電位和電源電位VDD分別通過接地線41和電源線42供給至 像素電路22。此外，例如，接地電位和基板電位VSS可以供給至像素電路22。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依據(jù)設(shè)計(jì)要求和其它因素，可以在本發(fā)明所附的權(quán)利 要求及其等同物的范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改、組合、次組合及改變。
權(quán)利要求
一種固體攝像器件，其包括半導(dǎo)體基板；多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元，所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元以陣列形式形成在所述半導(dǎo)體基板上并且在所述半導(dǎo)體基板上形成光接收單元；以及多個(gè)布線部，所述多個(gè)布線部形成在所述光接收單元上的多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元之間的位置，其中，所述多個(gè)布線部的每一個(gè)包括多個(gè)布線體，所述多個(gè)布線體分別通過在所述半導(dǎo)體基板的所述光接收單元上疊加多個(gè)布線層形成，并且包括在所述半導(dǎo)體基板側(cè)的下布線體、在最上側(cè)的上布線體以及在所述下布線體和所述上布線體之間的中間布線體；和多個(gè)接觸部，所述多個(gè)接觸部按照垂直重疊的次序連接所述多個(gè)布線體，并且在所述多個(gè)布線部的至少一個(gè)中，除了所述下布線體之外的所述布線體疊加并且偏離所述下布線體的正上方的位置，所述中間布線體的偏移量和連接到所述中間布線體的所述多個(gè)接觸部的偏移量是相同的。
2.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其中，在所述至少一個(gè)布線部中，連接到所述中 間布線體的所述接觸部與所述中間布線體直接連接。
3.如權(quán)利要求1或2所述的固體攝像器件，其中，在所述至少一個(gè)布線部中， 包括所述中間布線體的導(dǎo)電層具有連接到所述中間布線體并且配置成用于連接所述接觸部與所述中間布線體的中間連接導(dǎo)體，并且所述中間連接導(dǎo)體形成為能夠吸收制造所引起的所述接觸部相對(duì)于所述中間布線體 的位置偏差的最小尺寸。
4.如權(quán)利要求3所述的固體攝像器件，其中，在所述至少一個(gè)布線部中， 所述中間布線體形成為預(yù)定的線寬，并且所述中間連接導(dǎo)體形成為所述中間布線體的線寬，并且形成為能夠吸收制造所引起的 所述接觸部相對(duì)于所述中間布線體的位置偏差的最小尺寸。
5.如權(quán)利要求3或4所述的固體攝像器件，其中，在所述至少一個(gè)布線部中，包括所述下布線體的導(dǎo)電層具有與所述下布線體連接的下連接導(dǎo)體，并且所述下連接 導(dǎo)體配置成在所述中間布線體相對(duì)于所述下布線體偏離的狀態(tài)下用于吸收制造所引起的 所述接觸部相對(duì)于所述下布線體的位置偏差，還將連接到所述中間布線體的所述接觸部連 接到所述下布線體，并且所述中間連接導(dǎo)體的尺寸小于所述下連接導(dǎo)體的尺寸。
6.如權(quán)利要求5所述的固體攝像器件，其中，所述中間布線體和所述上布線體形成為沿相同方向偏離所述下布線體的正上方的位置，所述中間布線體的偏移方向前端側(cè)的端部位于比包括所述上布線體的偏移方向的前 端側(cè)的端部和偏移方向側(cè)的所述下布線體的端部的表面更靠近偏移方向的內(nèi)側(cè)。
7.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其中，在除了所述多個(gè)布線部中的至少一個(gè)布 線部之外的一個(gè)布線部中，除所述下布線體之外的布線體重疊在所述下布線體的正上方的位置。
8.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其中，所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元二維地布置在所述光接收單元中， 所述多個(gè)布線部沿二維布置的一個(gè)方向延伸，所述多個(gè)布線部的至少一個(gè)是多個(gè)布線部，并且在所述多個(gè)布線部中，除了多個(gè)下布 線體之外的所述布線體相對(duì)于所述下布線體的偏移量在所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元的一個(gè)布 置方向是相同的、但在所述二維布置的另一個(gè)方向是彼此不同的。
9.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其中，所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元二維地布置在所述光接收單元中， 所述多個(gè)布線部沿二維布置的一個(gè)方向延伸， 所述多個(gè)布線部的至少一個(gè)是多個(gè)布線部，并且在所述多個(gè)布線部中，除了多個(gè)所述下布線體之外的所述布線體相對(duì)于所述下布線體 的偏移量在所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元的一個(gè)布置方向?yàn)榱恪⒌谒龆S布置的另一個(gè)方向 是彼此不同的。
10.如權(quán)利要求8或9所述的固體攝像器件，其中， 所述多個(gè)布線部向所述光接收單元的中心偏移，并且所述光接收單元的中心側(cè)的布線部的偏移量小于外側(cè)的布線部的偏移量。
11.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其中，所述多個(gè)布線部用作電源線或信號(hào)線。
12.—種攝像裝置，其包括光學(xué)單元，所述光學(xué)單元聚集光；以及固體攝像器件，所述固體攝像器件接收由所述光學(xué)單元聚集的光，其中， 所述固體攝像器件包括 半導(dǎo)體基板；多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元，所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元以陣列形式形成在所述半導(dǎo)體基板上并且 在所述半導(dǎo)體基板上形成光接收單元；以及多個(gè)布線部，所述多個(gè)布線部形成在所述光接收單元上的多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元之間的位 置，并且所述多個(gè)布線部的每一個(gè)包括多個(gè)布線體，所述多個(gè)布線體分別通過在所述半導(dǎo)體基板的所述光接收單元上疊加多 個(gè)布線層形成，并且包括在所述半導(dǎo)體基板側(cè)下布線體、在最上側(cè)的上布線體以及在所述 下布線體和所述上布線體之間的中間布線體；和多個(gè)接觸部，所述多個(gè)接觸按照垂直重疊的次序連接所述多個(gè)布線體，以及 在所述多個(gè)布線部的至少一個(gè)中，除了所述下布線體之外的所述布線體疊加并且偏離 所述下布線體的正上方的位置，所述中間布線體的偏移量和連接到所述中間布線體的所述 多個(gè)接觸部的偏移量是相同的。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種固體攝像器件。所述固體攝像器件包括半導(dǎo)體基板；以陣列形式形成在所述半導(dǎo)體基板上并形成光接收單元的光電轉(zhuǎn)換單元；以及形成在所述光電轉(zhuǎn)換單元之間的布線部，所述布線部包括通過在所述光接收單元上疊加布線層而形成的布線體，該布線體包括下布線體、上布線體、中間布線體和依次垂直重疊連接所述布線體的接觸部，并且在所述多個(gè)布線部的至少一個(gè)中，除了所述下布線體之外的所述布線體疊加并偏離所述下布線體的正上方的位置，所述中間布線體的偏移量和連接到所述中間布線體的所述多個(gè)接觸部的偏移量是相同的。因此，穿過上布線體形成的開口的光不容易被中間布線體擋住，并且可以提高所述光電轉(zhuǎn)換單元的實(shí)際靈敏度。
文檔編號(hào)H01L23/522GK101872774SQ20101014552
公開日2010年10月27日 申請(qǐng)日期2010年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月21日
發(fā)明者佐藤公彥 申請(qǐng)人:索尼公司