專利名稱：雙斷口真空滅弧室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種真空滅弧室，尤指一種雙斷口真空滅弧室。
背景技術(shù)：
常用的真空滅弧室多為單斷口，真空滅弧室的絕緣性與斷口間隙的關(guān)系為Vb = a*dm，其中d為間隙，a和m為常數(shù)，m< 1，這就是說真空滅弧室的絕緣性能不是隨著真 空間隙長度增加而線性增長，存在飽和效應(yīng)，而利用多個真空間隙串聯(lián)形成的多間隙效應(yīng) (Multi-gap Effect)可以提高整體工作電壓。設(shè)一個長間隙被分成η部分，每個間隙的長 度為dn，則間隙總長度d = nXdn。對于多間隙系統(tǒng)，每個間隙上能過承受的最大電壓可能 不相等，總的擊穿電壓將由承受最大電場Emax的間隙決定，只要某一時刻η個斷口沒有同 時發(fā)生擊穿，真空間隙就會有可靠的耐壓性能。利用多間隙效應(yīng)可改善真空滅弧室內(nèi)部的 整體電場分布。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種雙斷口真空滅弧室，其可以提高真空滅弧室內(nèi)的靜態(tài) 擊穿電壓。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)解決方案為一種雙斷口真空滅弧室，包括絕緣 外殼、設(shè)置在絕緣外殼內(nèi)的靜組件和動組件，其中所述絕緣外殼內(nèi)腔上部的凸棱上設(shè)置有 中間隔離屏蔽罩，所述中間隔離屏蔽罩位于靜組件與動組件之間，所述中間隔離屏蔽罩為 圓環(huán)。本發(fā)明雙斷口真空滅弧室，其中所述中間隔離屏蔽罩設(shè)置于所述凸棱上部，且所 述中間隔離屏蔽罩與所述凸棱之間設(shè)有截面為弧形的上小下大的桶形支撐。采用上述方案后，本發(fā)明雙斷口真空滅弧室通過在絕緣外殼內(nèi)腔上部凸棱上設(shè)置 圓環(huán)形的中間隔離屏蔽罩，真空滅弧室內(nèi)腔由單斷口變?yōu)殡p斷口，其真空間隙由一個變?yōu)?兩個，設(shè)置雙斷口可以把最大場強(qiáng)由觸頭間隙轉(zhuǎn)移到中間隔離屏蔽罩與靜端隔離屏蔽罩或 接地隔離屏蔽罩之間的間隙上，改善了主隔離間隙的電場應(yīng)力，提高真空滅弧室的靜態(tài)擊 穿電壓。


圖1是本發(fā)明雙斷口真空滅弧室的結(jié)構(gòu)示意圖。下面結(jié)合附圖，通過實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明；
具體實施例方式請參閱圖1所示本發(fā)明雙斷口真空滅弧室的結(jié)構(gòu)示意圖，包括絕緣外殼1、設(shè)置在 絕緣外殼1內(nèi)的靜組件2和動組件3，絕緣外殼1內(nèi)腔上部的凸棱11上部設(shè)有截面為弧形 的上小下大的桶形支撐5，在桶形支撐5上設(shè)有圓環(huán)形的中間隔離屏蔽罩4，中間隔離屏蔽罩4位于靜組件2下方及動組件3上方。本發(fā)明雙斷口真空滅弧室通過在絕緣外殼1內(nèi)腔上部凸棱11上設(shè)置圓環(huán)形的中 間隔離屏蔽罩4，使得真空滅弧室內(nèi)腔由單斷口變?yōu)殡p斷口，其真空間隙由一個變?yōu)閮蓚€， 設(shè)置雙斷口可以把最大場強(qiáng)由觸頭間隙轉(zhuǎn)移到中間隔離屏蔽罩與靜端隔離屏蔽罩或接地 隔離屏蔽罩之間的間隙上，改善了主隔離間隙的電場應(yīng)力，提高真空滅弧室的靜態(tài)擊穿電 壓。以上所述的實施例僅僅是對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進(jìn)行描述，并非對本發(fā)明的范 圍進(jìn)行限定，在不脫離本發(fā)明設(shè)計精神的前提下，本領(lǐng)域普通工程技術(shù)人員對本發(fā)明的技 術(shù)方案作出的各種變形和改進(jìn)，均應(yīng)落入本發(fā)明的權(quán)利要求書確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種雙斷口真空滅弧室，包括絕緣外殼(1)、設(shè)置在絕緣外殼(1)內(nèi)的靜組件(2)和動組件(3)，其特征在于所述絕緣外殼(1)內(nèi)腔上部的凸棱(11)上設(shè)置有中間隔離屏蔽罩(4)，所述中間隔離屏蔽罩(4)位于靜組件(2)與動組件(3)之間，所述中間隔離屏蔽罩(4)為圓環(huán)。
2.如權(quán)利要求1所述的雙斷口真空滅弧室，其特征在于所述中間隔離屏蔽罩(4)設(shè) 置于所述凸棱(11)上部，且所述中間隔離屏蔽罩(4)與所述凸棱(11)之間設(shè)有截面為弧 形的上小下大的桶形支撐(5)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種雙斷口真空滅弧室，主要應(yīng)用于中壓電力開關(guān)設(shè)備中，包括絕緣外殼、設(shè)置在絕緣外殼內(nèi)的靜組件和動組件，其中所述絕緣外殼內(nèi)腔上部的凸棱上設(shè)置有中間隔離屏蔽罩，所述中間隔離屏蔽罩位于靜組件與動組件之間，所述中間隔離屏蔽罩為圓環(huán)。本發(fā)明雙斷口真空滅弧室通過在其絕緣外殼內(nèi)上部設(shè)置中間隔離屏蔽罩使得該真空滅弧室承受的靜態(tài)擊穿電壓變大。
文檔編號H01H33/664GK101894706SQ20101014746
公開日2010年11月24日 申請日期2010年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月15日
發(fā)明者劉志遠(yuǎn), 劉箭飛, 楊冬梅, 謝國良, 魏杰 申請人:北京雙杰電氣股份有限公司;西安交通大學(xué)