專利名稱：太陽能電池表面三層減反鈍化膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種太陽能電池表面三層減反鈍化膜。
背景技術(shù)：
太陽能電池工藝中，表面減反膜的工藝是很重要的一步，它直接決定了太陽能電 池能吸收了多少太陽光。傳統(tǒng)的太陽能電池表面減反膜是采用氮化硅薄膜，氮化硅作為表面減反膜的特點(diǎn) 是，工藝簡(jiǎn)單，易于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，成本較低，但缺點(diǎn)也很明顯是氮化硅作為減反膜在電池和 組件上，氮化硅薄膜的折射率與厚度無法同時(shí)匹配到最佳值，導(dǎo)致組件端在封裝后存在一 定的封裝損失；同時(shí)由于主要考慮氮化硅薄膜的光學(xué)性能，因此在鈍化效果上也無法達(dá)到 最佳，造成電池效率一定程度上的損失；而且傳統(tǒng)的氮化硅減反膜在折射率與厚度的設(shè)計(jì) 上，從電池角度與組件角度分別考慮存在較大的差異，所以需要一種新的減反膜設(shè)計(jì)來減 少這種差異造成的損失
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是為了降低太陽電池表面的反射率，提高鈍化效果，并 使之能與組件相匹配，減少組件封裝損失，本發(fā)明提供一種太陽能電池表面三層減反鈍化膜。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種太陽能電池表面三層減反鈍化 膜，該減反膜是在硅片襯底表面上沉積一層第一氮化硅薄膜，在第一氮化硅薄膜表面上再 沉積一層第二氮化硅薄膜，再在第二氮化硅薄膜表面上沉積一層二氧化硅薄膜，為了使太 陽能電池表面的鈍化效果提高，第一氮化硅薄膜的厚度為10 50納米，折射率為2. 5 3. 0。為了匹配折射率，增加電池表面的光吸收，所述的第二氮化硅薄膜的厚度為30 100納米，折射率為1. 8 2. 2。為了使得封裝后不因折射率不匹配而造成光學(xué)損失，二氧化硅薄膜的厚度為5 200納米，折射率為1. 1 2. 0。本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明采用了多層增透膜設(shè)計(jì)，可以提高太陽能電池表面 鈍化效果，降低太陽能電池表面反射率。二氧化硅薄膜的折射率與組件封裝材料EVA及玻 璃的折射率基本相同，所以封裝后不會(huì)因折射率不匹配而造成的光學(xué)損失，二氧化硅薄膜 與EVA材料性質(zhì)相同，在組件層壓時(shí)，界面處會(huì)有更好的接合，由于第二氮化硅薄膜及二氧 化硅薄膜的存在，使得第一氮化硅薄膜在工藝設(shè)計(jì)時(shí)可以充分考慮鈍化效果，使太陽電池 的表面鈍化效果提高，從而提升電池效率。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。
圖1是本發(fā)明太陽能電池表面三層減反鈍化膜的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1.硅片襯底，2.第一氮化硅薄膜，3.第二氮化硅薄膜，4. 二氧化硅薄膜。
具體實(shí)施例方式如圖1所示的本發(fā)明太陽能電池表面三層減反鈍化膜的實(shí)施例，太陽能電池表面 三層減反鈍化膜，是在硅片襯底1表面上沉積一層第一氮化硅薄膜2，在第一氮化硅薄膜2 表面上再沉積一層第二氮化硅薄膜3，再在第二氮化硅薄膜3表面上沉積一層二氧化硅薄 膜4，形成三層減反膜。其制作的方法如下第一步，在制絨后的硅片襯底1表面上用等離子體化學(xué)氣相沉積法(PECVD)沉積 一層第一氮化硅薄膜2，該層的厚度為20納米，折射率為2. 5，是作為太陽電池表面的鈍化 層，同時(shí)再配合上面的其他兩層薄膜結(jié)構(gòu)形成高效減反結(jié)構(gòu)；第二步，在第一氮化硅薄膜2表面上用等離子體化學(xué)氣相沉積法(PECVD)再沉積 一層第二 氮化硅薄膜3，該層的厚度為40納米，折射率為1. 9，主要作用是匹配折射率，增加 電池表面的光吸收；第三步，將前面制作好的表面清洗、制絨、擴(kuò)散，再在第二氮化硅薄膜3表面上用 等離子體化學(xué)氣相沉積法(PECVD)沉積一層二氧化硅薄膜4，該層的厚度為50納米，折射率 為1. 46，主要作用是形成表面減反結(jié)構(gòu)，使三層膜配合形成一套完整的表面減反結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
一種太陽能電池表面三層減反鈍化膜，其特征在于所述減反膜是在硅片襯底(1)表面上沉積一層第一氮化硅薄膜(2)，在第一氮化硅薄膜(2)表面上再沉積一層第二氮化硅薄膜(3)，再在第二氮化硅薄膜(3)表面上沉積一層二氧化硅薄膜(4)，所述的第一氮化硅薄膜(2)的厚度為10～50納米，折射率為2.5～3.0。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池表面三層減反鈍化膜，其特征在于所述的第二氮 化硅薄膜(3)的厚度為30 100納米，折射率為1. 8 2. 2。
3.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池表面三層減反鈍化膜，其特征在于所述的二氧化 硅薄膜(4)的厚度為5 200納米，折射率為1. 1 2. 0。
全文摘要
本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種太陽能電池表面三層減反鈍化膜，該減反膜是在硅片襯底表面上沉積一層第一氮化硅薄膜，在第一氮化硅薄膜表面上再沉積一層第二氮化硅薄膜，再在第二氮化硅薄膜表面上沉積一層二氧化硅薄膜，第一氮化硅薄膜的厚度為10～50納米，折射率為2.5～3.0。本發(fā)明提高了太陽能電池表面的鈍化效果，降低了太陽電池表面的反射率，并使之能與組件相匹配，減少組件封裝損失，提高電池電性能。
文檔編號(hào)H01L31/052GK101958353SQ201010152139
公開日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2010年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月20日
發(fā)明者陳亮 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司