專利名稱：氮化鎵系發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氮化鎵(GaN)系發(fā)光二極管，特別是涉及一種具有低溫低鋁組分 P型鋁鎵氮插入層的氮化鎵系發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
目前III-V族半導(dǎo)體光電材料被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。而GaN系發(fā)光二極管， 由于可以通過(guò)控制材料的組成來(lái)制作出各種色光(尤其是需要高能隙的藍(lán)光或紫光)的發(fā) 光二極管(簡(jiǎn)稱為“LED” )，而成為業(yè)界研究的重點(diǎn)。以GaN為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體材料或器件的外延生長(zhǎng)目前主要采用M0CVD技術(shù)。在利用 M0CVD技術(shù)生長(zhǎng)氮化物半導(dǎo)體(GaN、A1N、InN及它們的合金氮化物)的工藝中，由于沒(méi)有 與GaN晶格匹配的襯底材料，故通常采用藍(lán)寶石作為襯底進(jìn)行異質(zhì)外延。然而，在藍(lán)寶石與 氮化物半導(dǎo)體之間存在較大的晶格失配(-13.8% )和熱膨脹系數(shù)的差異，于是生長(zhǎng)沒(méi)有龜 裂、表面平整的高質(zhì)量氮化物半導(dǎo)體非常困難。目前最有效的外延生長(zhǎng)方法通常采用兩步 外延生長(zhǎng)法(參見(jiàn)H. Amano,N. Sawaki和Y. Toyoda等，“使用A1N緩沖層的高質(zhì)量GaN薄膜 的金屬有機(jī)氣相外延生長(zhǎng)”，Appl. Phys. Lett. 48 (5)，353 (1986) ；S. Nakanura 等，“具有 GaN 緩沖層的高質(zhì)量的P型GaN:Mg薄膜的生長(zhǎng)”，Jpn. J. Appl. Phys. 30，L1708 (1991)；以及中國(guó) 專利No. CN1508284A)，該方法主要包括如下步驟先在低溫下(如500°C )生長(zhǎng)一層很薄的 成核層；然后升溫退火，在該成核層上直接生長(zhǎng)未摻雜的GaN緩沖層；接著在該緩沖層上， 生長(zhǎng)n型GaN歐姆接觸層；然后在700°C至850°C的溫度下生長(zhǎng)InGaN/GaN多量子阱(MQWs) 有源層；在GaN量子壘生長(zhǎng)結(jié)束后接著在1000°C左右的高溫下，生長(zhǎng)p型AlGaN電子阻擋 層；最后生長(zhǎng)P型GaN歐姆接觸層，制作p型歐姆接觸透明電極和n型歐姆接觸電極。然而，上述LED生長(zhǎng)技術(shù)(即在InGaN/GaN多量子阱有源層和p型GaN接觸層之 間直接生長(zhǎng)P型AlGaN電子阻擋層)存在正向工作電壓高以及發(fā)光強(qiáng)度沒(méi)有顯著增強(qiáng)的缺 陷。造成上述問(wèn)題的主要原因包括如下三個(gè)方面。首先，AlGaN的晶格常數(shù)與InGaN/GaN多 量子阱的晶格常數(shù)的差異較大，而它們之間的晶格失配會(huì)在InGaN/GaN多量子阱有源區(qū)內(nèi) 產(chǎn)生很大的壓應(yīng)力。晶格失配造成的壓應(yīng)力一方面會(huì)因具有較強(qiáng)壓電特性的III族氮化物 而在多量子阱有源區(qū)內(nèi)形成較大的壓應(yīng)變電場(chǎng)(即壓電場(chǎng)效應(yīng)(piezo-electrical field effect))，而壓電場(chǎng)效應(yīng)的存在將使得電子與空穴的波函數(shù)在空間上分離，從而引起輻射 復(fù)合強(qiáng)度的減弱。此外，上述壓應(yīng)變?cè)斐傻臋C(jī)械應(yīng)力還會(huì)進(jìn)一步劣化外延層的質(zhì)量，從而對(duì) 器件的發(fā)光強(qiáng)度產(chǎn)生影響。文獻(xiàn)Appl. Phys. Lett. 81 (22) ,4275(2002)分析指出將 p 型 AlGaN 電子阻擋層直 接生長(zhǎng)在InGaN/GaN多量子阱有源區(qū)之后，由于最后一個(gè)GaN量子壘與p型AlGaN電子阻 擋層之間極化矢量的不連續(xù)，會(huì)在界面處產(chǎn)生面密度很高的極化電荷，從而引入極化電場(chǎng)。 在該電場(chǎng)的作用下，GaN量子壘的能帶將發(fā)生彎曲，形成能帶凹角。由這些能帶凹角引入的 局域態(tài)都將成為束縛載流子的陷阱，降低輻射復(fù)合效率。理想的結(jié)構(gòu)是P型AlGaN電子阻 擋層直接位于最后一個(gè)InGaN量子阱之后，而不是GaN壘層之上。
然而ρ型AlGaN電子阻擋層須在IOOOOC以上生長(zhǎng)才能得到較好的晶體質(zhì)量，而InGaN/GaN多量子阱有源層的生長(zhǎng)溫度為700°C至850°C，因此當(dāng)InGaN/GaN多量子阱有源 層生長(zhǎng)結(jié)束后溫度升高到1000°C以上時(shí)，低溫生長(zhǎng)的InGaN/GaN多量子阱有源層的結(jié)構(gòu)會(huì) 受到破壞，從而影響發(fā)光二極管的發(fā)光效率。再次，由于P型AlGaN電子阻擋層的生長(zhǎng)溫度 較高，而P型摻雜劑(比如Mg)在高溫下的擴(kuò)散系數(shù)增加很快，因此在ρ型AlGaN電子阻擋 層高溫生長(zhǎng)的過(guò)程中，P型摻雜劑將不可避免地向位于其下的InGaN/GaN多量子阱有源區(qū) 中擴(kuò)散，這將對(duì)發(fā)光二極管產(chǎn)生嚴(yán)重的影響。因此，仍存在改進(jìn)的空間，以獲得具有高發(fā)光 強(qiáng)度的氮化鎵系發(fā)光二極管。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種氮化鎵系發(fā)光二極管，其可抑制ρ型摻雜劑(比如Mg) 向InGaN/GaN多量子阱層中擴(kuò)散、并減小多量子阱發(fā)光區(qū)中的壓電效應(yīng)的高亮度發(fā)光二極管。本發(fā)明提供一種氮化鎵系發(fā)光二極管，其包括一襯底；一氮化鎵成核層，該氮化鎵成核層制作在襯底上；一緩沖層，該緩沖層制作在成核層上；一 η型接觸層，該η型接觸層制作在緩沖層上，該η型接觸層由η型氮化鎵構(gòu)成；一活性發(fā)光層，該活性發(fā)光層制作在η型接觸層上并覆蓋所述η型接觸層的部分 表面，所述活性發(fā)光層是由銦鎵氮薄層和氮化鎵薄層交互層疊形成的多周期的量子阱結(jié)構(gòu) 構(gòu)成；一負(fù)電極，該負(fù)電極制作在η型接觸層未被所述活性發(fā)光層覆蓋的表面上；一 ρ型鋁鎵氮插入層，該ρ型鋁鎵氮插入層制作在活性發(fā)光層上；一 ρ型電子阻擋層，該ρ型電子阻擋層制作在P型鋁鎵氮插入層上，該P(yáng)型電子阻 擋層由鋁鎵氮構(gòu)成；一 ρ型接觸層，該ρ型接觸層制作在ρ型電子阻擋層上，該P(yáng)型接觸層由P型氮化 鎵構(gòu)成；一正電極，該正電極制作在ρ型接觸層上，完成氮化鎵系發(fā)光二極管的制作。其中ρ型鋁鎵氮插入層為低溫低鋁組分的ρ型AlxGai_xN，其中鋁組分0 < χ < 0. 1， 其生長(zhǎng)溫度為600°C -900°C。其中ρ型鋁鎵氮插入層的厚度為lOnm-lOOnm。其中ρ型鋁鎵氮插入層以二茂鎂為ρ型摻雜劑，并且二茂鎂的摻雜濃度為 1019-1021cm_3。其中活性發(fā)光層的周期數(shù)為4-15，該活性發(fā)光層的總厚度為30-200nm，其中每一 氮化鎵薄層的厚度為4-20nm ；每一銦鎵氮薄層的厚度為l-4nm，銦鎵氮薄層由InxGai_xN所 構(gòu)成，其中0. 1 < χ < 0. 3。其中ρ型電子阻擋層的生長(zhǎng)溫度為700°C -1000°C，厚度為10-50nm。其中ρ型電子阻擋層由ρ型AlxGai_xN構(gòu)成，其中0. 1背景技術(shù)χ < 0. 2。其中所述ρ型電子阻擋層以二茂鎂為ρ型摻雜劑，并且二茂鎂的摻雜濃度為1019-1021cm_3。其中襯底由C-面、R-面或A-面的氧化鋁單晶、6H-SiC、4H_SiC或晶格常數(shù)接近于 氮化物半導(dǎo)體的單晶氧化物所制成。


為進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更 詳細(xì)的說(shuō)明，其中
圖1是根據(jù)本發(fā)明的具有ρ型鋁鎵氮插入層的GaN系發(fā)光二極管。圖2是現(xiàn)有的以及根據(jù)本發(fā)明的氮化鎵系發(fā)光二極管的正向注入電流與發(fā)光強(qiáng) 度I-L曲線，其中方塊線條為本發(fā)明的具有ρ型鋁鎵氮插入層的氮化鎵系LED ；三角線條為 現(xiàn)有的沒(méi)有P型鋁鎵氮插入層的氮化鎵系LED。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖1所示，本發(fā)明提供一種氮化鎵系發(fā)光二極管，其包括一襯底11，以(0001)向藍(lán)寶石(Al2O3)為襯底11，其他可用于襯底11的材質(zhì)還包 括R-面或A-面的氧化鋁單晶、6H-SiC、4H-SiC、或晶格常數(shù)接近于氮化物半導(dǎo)體的單晶氧 化物。制備中采用高純NHJt N源，高純H2和N2的混合氣體作載氣；三甲基鎵或三乙基鎵 作Ga源，三甲基銦作In源，三甲基鋁作Al源；η型摻雜劑為硅烷，ρ型摻雜劑為二茂鎂。一氮化鎵成核層12，該氮化鎵成核層12制作在襯底11上。生長(zhǎng)參數(shù)包括反應(yīng) 溫度500°C至800°C，反應(yīng)腔壓力200至500Torr，載氣流量10-30升/分鐘，三甲基鎵流量 20-250微摩爾/分鐘，氨氣流量20-80摩爾/分鐘，生長(zhǎng)時(shí)間1_10分鐘；一緩沖層13，該緩沖層13制作在成核層12上。生長(zhǎng)參數(shù)包括反應(yīng)溫度 950-1180oC，反應(yīng)腔壓力76-250Torr，載氣流量5_20升/分鐘，三甲基鎵流量為80-400微 摩爾/分鐘，氨氣流量為200-800摩爾/分鐘，生長(zhǎng)時(shí)間20-60分鐘；一 η型接觸層14，該η型接觸層14制作在緩沖層13上，該η型接觸層14由η型 氮化鎵構(gòu)成。生長(zhǎng)參數(shù)包括反應(yīng)溫度950-1150°C，反應(yīng)腔壓力76-250Torr，載氣流量5-20 升/分鐘，三甲基鎵流量80-400微摩爾/分鐘，氨氣流量200-800摩爾/分鐘，硅烷流量 0. 2-2. 0納摩爾/分鐘，生長(zhǎng)時(shí)間10-40分鐘；一活性發(fā)光層15，該活性發(fā)光層15制作在η型接觸層14上并覆蓋所述η型接觸 層14的部分表面，所述活性發(fā)光層15是由銦鎵氮薄層151和氮化鎵薄層152交互層疊形成 的多周期的量子阱結(jié)構(gòu)構(gòu)成。生長(zhǎng)參數(shù)包括GaN薄層(即壘層152)反應(yīng)溫度700_900oC， 反應(yīng)腔壓力100-500Torr，載氣流量5_20升/分鐘，氨氣流量200-800摩爾/分鐘，三甲基 鎵流量0. 1-1. 0微摩爾/分鐘，硅烷流量0-2. 0納摩爾/分鐘，時(shí)間0. 1-5分鐘；InGaN薄 層(即阱層151)反應(yīng)溫度700-850oC，反應(yīng)腔壓力100-500Torr，載氣流量5_20升/分鐘， 氨氣流量200-800摩爾/分鐘，三甲基鎵流量0. 1-1. 0微摩爾/分鐘，三甲基銦流量10-50 微摩爾/分鐘，時(shí)間0. 1-5分鐘；多量子阱周期數(shù)為4至15 ；一負(fù)電極19，該負(fù)電極19制作在η型接觸層14未被所述活性發(fā)光層15覆蓋的表 面上，由鉻鉬金或鈦鋁鈦金組成?！?ρ型鋁鎵氮插入層16，該ρ型鋁鎵氮插入層16制作在活性發(fā)光層15上；所述ρ型鋁鎵氮插入層16為低溫低鋁組分的ρ型AlxGai_xN，其中鋁組分O < χ < 0. 1，其生長(zhǎng)溫度 為600°C -900°C。所述ρ型鋁鎵氮插入層16的厚度為lOnm-lOOnm，并且所述低溫低鋁組分 P型鋁鎵氮插入層的下表面與所述活性發(fā)光層中的銦鎵氮薄層接觸。所述P型鋁鎵氮插入 層16的具體生長(zhǎng)條件如下反應(yīng)溫度600-900°C，反應(yīng)腔壓力50-200Torr，載氣流量5_20 升/分鐘，氨氣流量100-400摩爾/分鐘，三甲基鋁流量5-20微摩爾/分鐘，三甲基鎵流量 50-100微摩爾/分鐘，二茂鎂流量為150-400納摩爾/分鐘，時(shí)間5_20分鐘。其中ρ型鋁鎵氮插入層16以二茂鎂為ρ型摻雜劑，并且二茂鎂的摻雜濃度為 1019-1021cm_3。本發(fā)明中的ρ型鋁鎵氮插入層16的生長(zhǎng)溫度優(yōu)選為600-900°C，低于ρ型鋁鎵氮 電子阻擋層的生長(zhǎng)溫度。本發(fā)明中的P型鋁鎵氮插入層(PAlxGai_xN) 16其鋁組分應(yīng)當(dāng)在O <χ<0. 1。若鋁組分過(guò)高，一方面由于生長(zhǎng)溫度低，鋁鎵氮外延層質(zhì)量劣化，影響其后的外 延層生長(zhǎng)；另一方面，更多的鋁組分將在InGaN/GaN多量子阱有源區(qū)中產(chǎn)生更大的壓應(yīng)變 電場(chǎng)，從而降低載流子的輻射復(fù)合效率。本發(fā)明中的ρ型鋁鎵氮插入層16的厚度優(yōu)選為10-100納米。當(dāng)ρ型鋁鎵氮插入 層16的厚度小于10納米時(shí)，其阻擋ρ型電子阻擋層17中的ρ型摻雜劑擴(kuò)散的效果不明顯， 從而影響發(fā)光二極管的發(fā)光效率。當(dāng)P型鋁鎵氮插入層16的厚度超過(guò)100納米時(shí)，會(huì)影響 P型電子阻擋層17對(duì)電子的阻擋作用，從而影響發(fā)光二極管的發(fā)光效率。本發(fā)明通過(guò)在InGaN/GaN多量子阱活性發(fā)光層15與ρ型電子阻擋層17之間生長(zhǎng) 具有一定厚度的低溫低鋁組分P型鋁鎵氮插入層16，獲得了發(fā)光強(qiáng)度和反向擊穿電壓得到 較大提高的GaN系發(fā)光二極管。主要原因在于如下兩個(gè)方面首先，在InGaN/GaN多量子阱活性發(fā)光層15與ρ型AlGaN電子阻擋層17之間生 長(zhǎng)一層具有一定厚度的低溫低鋁組分P型鋁鎵氮插入層16，可從界面上將InGaN/GaN多量 子阱活性發(fā)光層15與高鋁組分的ρ型AlGaN電子阻擋層17以物理方式分隔開(kāi)，從而降低了 InGaN/GaN多量子阱活性發(fā)光層15中的應(yīng)變電場(chǎng)。此外，壓應(yīng)變的減小也將降低對(duì)InGaN/ GaN多量子阱活性發(fā)光層15的損害。更為關(guān)鍵的是，由于ρ型AlGaN電子阻擋層17的生長(zhǎng)溫度較高，而ρ型摻雜劑(比 如Mg)在高溫下的擴(kuò)散效應(yīng)將大大增強(qiáng)。傳統(tǒng)的LED結(jié)構(gòu)由于壘層(即InGaN/GaN多量子 阱結(jié)構(gòu)中的GaN壘層152)很薄，無(wú)法避免ρ型摻雜劑向InGaN/GaN多量子阱層15中擴(kuò)散。 本發(fā)明通過(guò)在InGaN/GaN多量子阱層15與ρ型AlGaN電子阻擋層17之間插入一層具有一 定厚度的低溫低鋁組分P型鋁鎵氮插入層16，替代傳統(tǒng)的GaN壘層152，一方面可以抑制ρ 型摻雜劑向InGaN/GaN多量子阱層15中的擴(kuò)散；同時(shí)以低鋁組分的鋁鎵氮層16替代氮化 鎵壘層152，載流子將被更好地限制在InGaN量子阱151中，減少載流子的過(guò)沖，也就降低了 非輻射復(fù)合效率；而且由于P型鋁鎵氮插入層16的生長(zhǎng)溫度低，對(duì)InGaN/GaN多量子阱活 性層15的影響小。較低的鋁組分又保證了低溫下ρ型鋁鎵氮插入層16的外延質(zhì)量。另外 從能帶結(jié)構(gòu)考慮，雖然P型鋁鎵氮插入層16與其后的ρ型鋁鎵氮電子阻擋層17之間仍然 存在極化矢量的不連續(xù)，仍然會(huì)引起能帶的彎曲，但相對(duì)于GaN壘層152來(lái)講，其能帶變化 將會(huì)小的多，載流子的非輻射復(fù)合效率也將降低。一 ρ型電子阻擋層17，該ρ型電子阻擋層17制作在ρ型鋁鎵氮插入層16上， 該P(yáng)型電子阻擋層17由鋁鎵氮構(gòu)成。生長(zhǎng)參數(shù)包括反應(yīng)溫度700-100(TC，反應(yīng)腔壓力50-200Torr,載氣流量5_20升/分鐘，氨氣流量100-400摩爾/分鐘，三甲基鋁流量20-100 微摩爾/分鐘，三甲基鎵流量80-200微摩爾/分鐘，二茂鎂流量為150-400納摩爾/分鐘， 時(shí)間1-10分鐘·其中所述ρ型電子阻擋層17以二茂鎂為ρ型摻雜劑，并且二茂鎂的摻雜濃度為 1019-1021cm_3。— ρ型接觸層18，該ρ型接觸層18制作在ρ型電子阻擋層17上 ，該ρ型接觸層18 由P型氮化鎵構(gòu)成。生長(zhǎng)參數(shù)包括反應(yīng)溫度950-1100°C，反應(yīng)腔壓力200-500Torr，載氣 流量5-20升/分鐘，氨氣流量200-800摩爾/分鐘，三甲基鎵流量80-400微摩爾/分鐘， 二茂鎂流量為0. 5-5微摩爾/分鐘，時(shí)間10-50分鐘。一正電極20，該正電極20制作在ρ型接觸層18上，由鉻鉬金組成。完成氮化鎵系 發(fā)光二極管的制作。
圖2所示為根據(jù)本發(fā)明的具有ρ型鋁鎵氮插入層16的氮化鎵系發(fā)光二 極管與傳 統(tǒng)工藝沒(méi)有P型鋁鎵氮插入層16的氮化鎵系發(fā)光二極管的發(fā)光特性對(duì)比。其中方塊線條 為本發(fā)明的具有P型鋁鎵氮插入層16的氮化鎵系LED ；三角線條為現(xiàn)有的沒(méi)有P型鋁鎵氮 插入層的氮化鎵系LED。由圖2中可以看出，與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的LED相比，在同樣的注入電流條 件下，本發(fā)明的LED結(jié)構(gòu)具有發(fā)光強(qiáng)度大，飽和電流高等特點(diǎn)。在保證器件工藝相同的情況 下，發(fā)光強(qiáng)度的增強(qiáng)，說(shuō)明發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率得到了有效的提高。以上所述，僅為本發(fā)明中的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任 何熟悉該技術(shù)的人在本發(fā)明所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變換或替換，都應(yīng)涵蓋在 本發(fā)明的包含范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種氮化鎵系發(fā)光二極管，其包括一襯底；一氮化鎵成核層，該氮化鎵成核層制作在襯底上；一緩沖層，該緩沖層制作在成核層上；一n型接觸層，該n型接觸層制作在緩沖層上，該n型接觸層由n型氮化鎵構(gòu)成；一活性發(fā)光層，該活性發(fā)光層制作在n型接觸層上并覆蓋所述n型接觸層的部分表面，所述活性發(fā)光層是由銦鎵氮薄層和氮化鎵薄層交互層疊形成的多周期的量子阱結(jié)構(gòu)構(gòu)成；一負(fù)電極，該負(fù)電極制作在n型接觸層未被所述活性發(fā)光層覆蓋的表面上；一p型鋁鎵氮插入層，該p型鋁鎵氮插入層制作在活性發(fā)光層上；一p型電子阻擋層，該p型電子阻擋層制作在p型鋁鎵氮插入層上，該p型電子阻擋層由鋁鎵氮構(gòu)成；一p型接觸層，該p型接觸層制作在p型電子阻擋層上，該p型接觸層由p型氮化鎵構(gòu)成；一正電極，該正電極制作在p型接觸層上，完成氮化鎵系發(fā)光二極管的制作。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其中P型鋁鎵氮插入層為低溫低鋁組分 的P型AlxGai_xN，其中鋁組分0 < x < 0. 1，其生長(zhǎng)溫度為600°C _900°C。
3.如權(quán)利要求1或2所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其中p型鋁鎵氮插入層的厚度為 10nm-100nmo
4.如權(quán)利要求1或2所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其中p型鋁鎵氮插入層以二茂鎂為 P型摻雜劑，并且二茂鎂的摻雜濃度為1019-1021cm_3。
5.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其中活性發(fā)光層的周期數(shù)為4-15，該活 性發(fā)光層的總厚度為30-200nm，其中每一氮化鎵薄層的厚度為4-20nm ；每一銦鎵氮薄層的 厚度為l_4nm，銦鎵氮薄層由InxGai_xN所構(gòu)成，其中0. 1 < x < 0. 3。
6.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其中P型電子阻擋層的生長(zhǎng)溫度為 700V -1000°C，厚度為 10-50nm。
7.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其中P型電子阻擋層由p型AlxGai_xN構(gòu) 成，其中0. 1彡x < 0. 2。
8.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其中所述P型電子阻擋層以二茂鎂為P 型摻雜劑，并且二茂鎂的摻雜濃度為1019-1021cm3。
9.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其中襯底由C-面、R-面或A-面的氧化 鋁單晶、6H-SiC、4H-SiC或晶格常數(shù)接近于氮化物半導(dǎo)體的單晶氧化物所制成。
全文摘要
一種氮化鎵系發(fā)光二極管，包括一襯底；一氮化鎵成核層，該氮化鎵成核層制作在襯底上；一緩沖層制作在成核層上；一n型接觸層制作在緩沖層上，該n型接觸層由n型氮化鎵構(gòu)成；一活性發(fā)光層制作在n型接觸層上并覆蓋所述n型接觸層的部分表面，所述活性發(fā)光層是由銦鎵氮薄層和氮化鎵薄層交互層疊形成的多周期的量子阱結(jié)構(gòu)構(gòu)成；一負(fù)電極制作在n型接觸層未被所述活性發(fā)光層覆蓋的表面上；一p型鋁鎵氮插入層制作在活性發(fā)光層上；一p型電子阻擋層制作在p型鋁鎵氮插入層上，該p型電子阻擋層由鋁鎵氮構(gòu)成；一p型接觸層制作在p型電子阻擋層上，該p型接觸層由p型氮化鎵構(gòu)成；一正電極制作在p型接觸層上，完成氮化鎵系發(fā)光二極管的制作。
文檔編號(hào)H01L33/14GK101834248SQ20101015761
公開(kāi)日2010年9月15日 申請(qǐng)日期2010年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月21日
發(fā)明者曾一平, 李京波, 李晉閩, 王軍喜, 王國(guó)宏, 馬平 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所