專利名稱：發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如作為照明光源或背光光源使用，能取得所希望的色彩的光源的發(fā)
光裝置。
背景技術(shù)：
因?yàn)榈厍蜃兣?、環(huán)境對策，家電制品的節(jié)能化正在進(jìn)展。例如，照明設(shè)備等從發(fā)光 效率更良好的白熾燈向熒光管切換。為了更節(jié)能，把LED(發(fā)光二極管)作為光源的裝置正 在制品化，但是為了提高作為光源全體的全光束，使用具有非常多的LED芯片或者大型的 LED芯片的裝置，成本上升，即使算上與熒光管相比能半永久使用的優(yōu)點(diǎn)，還是變成非常昂 貴的，妨礙普及。LED的現(xiàn)狀下的發(fā)光效率提高到100 1501m/W，但是如上所述，在成本方面，單位 價(jià)格的全光束不足，發(fā)光效率的進(jìn)一步提高是必要的。而且，為了提高發(fā)光效率，光損失的 降低是重要的。作為以往的發(fā)光裝置的LED例如如特開2004-356116號公報(bào)所示，在表面形成有 陽極、陰極布線圖案的絕緣基板上搭載LED芯片，形成在LED芯片的表面上的P、N側(cè)電極和 陽極、陰極布線由金線電連接。LED芯片由透明的環(huán)氧樹脂等進(jìn)行模片結(jié)合(夕'4 # > K )。LED芯片是發(fā)出在450nm具有峰值波長的藍(lán)色光的LED芯片，層疊藍(lán)寶石基板上的 GaN系的半導(dǎo)體層，在芯片的表面一側(cè)相面對地形成P側(cè)電極、N側(cè)電極。LED芯片的周圍受到LED芯片的光，由發(fā)出在長波長例如525nm具有峰值波長的黃 色光的熒光體的透明樹脂密封?？墒?，在所述以往的發(fā)光裝置中，從LED芯片發(fā)出的光在所述的芯片構(gòu)造中，藍(lán)寶 石基板是透明的，所以不僅從芯片的上表面，從側(cè)面或背面一側(cè)，LED芯片的發(fā)出光泄漏。向背面一側(cè)的光的一部分雖然也根據(jù)材料，但是其一部分會(huì)由布線圖案吸收，其 一部分反射，并回到LED芯片內(nèi)，再吸收，或者從上表面或側(cè)面取出。向側(cè)面一側(cè)的光由密封樹脂中的熒光體變換，變?yōu)闊晒?，或者不由熒光體變換，成 為散射光。熒光和散射光向四面八方放射，所以向密封樹脂外部取出。此外，向絕緣基板表 面的光因?yàn)樵摻^緣基板不是100%的反射率，所以多少會(huì)產(chǎn)生因透過引起的光損失。此外， 再度回到LED芯片內(nèi)，并根據(jù)情況由活性層再吸收。向絕緣基板或布線圖案表面的光，通過在絕緣基板或布線圖案的材料變更等中， 使用反射率高的材料，能降低光損失。例如在布線圖案使用銀(對于可見光，98%的反射 率)，或者對絕緣基板，使用A1N基板(對于可見光，93%的反射率)。關(guān)于由LED芯片再吸收的光，波長影響，從LED芯片放出，吸收不變換為熒光的散 射光。此外，LED芯片如上所述，使用環(huán)氧樹脂進(jìn)行模片結(jié)合，但是有時(shí)該環(huán)氧樹脂蔓延 到LED芯片的側(cè)面，包含熒光體的密封樹脂不直接覆蓋芯片側(cè)面。因?yàn)槟ＦY(jié)合粘接劑(例如不含熒光體的環(huán)氧樹脂)和密封LED芯片的包含熒光體的密封樹脂之間存在的折射率差等，所以在模片結(jié)合粘接劑和密封樹脂的界面，從LED 芯片側(cè)面放出的光被反射，不向熒光變換，并作為散射光，返回到LED芯片，由LED芯片再吸 收。此外，從LED芯片側(cè)面放出的光是向基板方向的光的情況下，在LED芯片側(cè)面的模片結(jié) 合粘接劑(例如，不包含熒光體的環(huán)氧樹脂)中，不散射，原封不動(dòng)向基板大量反射，但是， 如上所述，基板不是100%的反射率，所以從實(shí)驗(yàn)等就知道多少存在因透過引起的光損失。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的課題在于，提供一種能夠增加未由發(fā)光元件吸收的熒光的比例，減 少由發(fā)光元件再吸收的散射光的比例，減少光損傷，從而提高亮度的發(fā)光裝置。為了解決所述課題，本發(fā)明的發(fā)光裝置的特征在于，包括基板；配置在該基板上的發(fā)光元件；把該發(fā)光元件固定在所述基板上的具有透光性的粘接構(gòu)件；密封所述發(fā)光元件和所述粘接構(gòu)件，并且具有透光性，包含熒光體的密封構(gòu)件；按照與構(gòu)成所述發(fā)光元件的外表面的各面中除了所述基板側(cè)的下表面的面接觸、 并且與所述發(fā)光元件的基板側(cè)的下表面或者接觸或者隔開間隔的方式，配置包含熒光體的 熒光體含有區(qū)域；所述熒光體由所述發(fā)光元件的出射光激勵(lì)，放出比該出射光波長更長的熒光。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置，按照與構(gòu)成所述發(fā)光元件的外表面的各面中除了所述基 板側(cè)的下表面的面接觸、并且與所述發(fā)光元件的基板側(cè)的下表面或者接觸或者隔開間隔的 方式配置熒光體含有區(qū)域，所以從發(fā)光元件的各面出射的出射光立刻由熒光體含有區(qū)域的 熒光體變換為熒光。因此，能增加來自發(fā)光元件的出射光中，由熒光體變換為熒光的比例， 能減少從出射光不變換為熒光的散射光的比例。因此，能夠增加未由發(fā)光元件再吸收的熒光的比例，減少由發(fā)光元件再吸收的散 射光的比例，減少光損失，并能夠提高亮度。此外，在一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置中，所述粘接構(gòu)件包含所述熒光體，相當(dāng)于所述熒 光體含有區(qū)域的一部分，所述粘接構(gòu)件與所述發(fā)光元件的所述基板側(cè)的下表面和所述發(fā)光 元件的側(cè)面接觸。根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光裝置，所述粘接構(gòu)件包含熒光體，相當(dāng)于所述熒光體含有區(qū) 域的一部分，所述粘接構(gòu)件與所述發(fā)光元件的所述基板側(cè)的下表面和所述發(fā)光元件的側(cè)面 接觸，所以所述粘接構(gòu)件能在粘接發(fā)光元件的任務(wù)和把發(fā)光元件的出射光變換為熒光的任 務(wù)中同時(shí)使用。因此，能增大來自發(fā)光元件的出射光中成為熒光的光的比例，減少散射光的 比例，減少光損失，提高亮度。此外，在一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置中，所述發(fā)光元件有多個(gè)；多個(gè)發(fā)光元件配置在單一的所述基板上；并且由單一的所述密封構(gòu)件密封。根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光裝置，所述多個(gè)發(fā)光元件配置在所述單一的基板上，所以能 夠與所述多個(gè)發(fā)光元件相對應(yīng)提高亮度，并且由所述單一的密封構(gòu)件密封，所以與由多個(gè) 密封構(gòu)件密封，存在這些界面的折射、反射的情況相比，不存在由折射、反射引起的損失，能 夠提高亮度。
此外，在一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置中，相鄰的所述發(fā)光元件之間的距離是100 ym 200 iim。根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光裝置，所述相鄰的發(fā)光元件之間的距離是100 ii m 200 u m, 所以能謀求小型化和亮度提高。與此相對，如果低于100 u m,則所述相鄰的發(fā)光元件之間的 包含所述熒光體的粘接構(gòu)件的體積減少，熒光的比例下降，亮度下降，而如果超過200 u m, 在單一的基板上配置的發(fā)光元件的數(shù)量減少，亮度下降。此外，在一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置中，在所述基板上設(shè)置與所述發(fā)光元件電連接的 金電極。根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光裝置，在所述基板上設(shè)置反射率高的金電極，所以來自所述 發(fā)光元件的出射光由反射率高的金電極反射，能提高亮度。此外，在一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置中，所述基板在與所述發(fā)光元件相面對的面具有 溝槽，該溝槽的縱向的長度比所述發(fā)光元件的底面的所述溝槽的縱向長度更長，所述溝槽 的一部分不由所述發(fā)光元件的底面覆蓋。根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光裝置，所述基板在與所述發(fā)光元件相對的面具有溝槽，所以 能從所述發(fā)光元件的所述基板側(cè)的下表面，經(jīng)由溝槽，取出所述發(fā)光元件的出射光，能提高亮度。此外，在一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置中，在所述溝槽內(nèi)配置所述粘接構(gòu)件。根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光裝置，在所述溝槽內(nèi)配置所述粘接構(gòu)件，所以能把所述發(fā)光 元件牢固地固定在所述基板上。此外，所述粘接構(gòu)件包含熒光體的情況下，通過該溝槽內(nèi)的 包含熒光體的粘接構(gòu)件，把出射光變換為熒光，能夠增大熒光的比例，提高亮度。此外，在一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置中，所述基板在所述發(fā)光元件一側(cè)的面具有與所 述發(fā)光元件一致而重疊的重疊部分，在該重疊部分的至少一對相面對的邊的外側(cè)設(shè)置溝 槽；在該溝槽內(nèi)配置所述粘接構(gòu)件，該粘接構(gòu)件不包含所述熒光體。根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光裝置，在所述基板的溝槽內(nèi)配置不包含所述熒光體的粘接構(gòu) 件，所以用溝槽能吸收粘接構(gòu)件的體積，能防止粘接構(gòu)件向發(fā)光元件的側(cè)面的爬上。因此， 能增加不由發(fā)光元件再吸收的熒光的比例，減少由發(fā)光元件再吸收的散射光的比例。因此， 該發(fā)光裝置的亮度高。此外，在一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置中，所述基板的所述重疊部分包含所述熒光體，相 當(dāng)于所述熒光體含有區(qū)域的一部分。根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光裝置，所述基板的所述重疊部分包含所述熒光體，相當(dāng)于所 述熒光體含有區(qū)域的一部分，所以能夠把所述基板兼用作支撐發(fā)光元件的任務(wù)和把發(fā)光元 件的出射光變換為熒光的任務(wù)。因此，該發(fā)光裝置的亮度高。此外，在一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置中，所述粘接構(gòu)件的構(gòu)成要素的樹脂的折射率和 所述密封構(gòu)件的構(gòu)成要素的樹脂的折射率相同。根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光裝置，所述粘接構(gòu)件的所述樹脂的折射率和所述密封構(gòu)件的 樹脂的折射率相同，所以沒有在所述粘接構(gòu)件和所述密封構(gòu)件的界面的折射、反射，能降低 光的損失。因此，該發(fā)光裝置的亮度高。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置，按照與構(gòu)成所述發(fā)光元件的外表面的各面中除了所述基板側(cè)的下表面的面接觸并且與所述發(fā)光元件的基板側(cè)的下表面接觸，或者隔開間隔的方式，配置熒光體含有區(qū)域，所以能增加不由發(fā)光元件再吸收的熒光的比例，減少由發(fā)光元件 再吸收的散射光的比例，能減少光損失，提高亮度。


從以下的詳細(xì)的說明和附圖，能更充分地理解本發(fā)明。附圖只是用于說明，不限制 本發(fā)明。在附圖中，圖IA是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的第1實(shí)施方式的剖面圖。圖IB是發(fā)光裝置的俯視圖。圖2是圖IA的A部的放大圖。圖3是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的第2實(shí)施方式的剖面圖。圖4A是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的第3實(shí)施方式的俯視圖。圖4B是圖4A的A-A剖面圖。圖4C是圖4A的B-B剖面圖。圖5是圖4C的B部的放大圖。圖6是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的第4實(shí)施方式的剖面圖。圖7是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的第5實(shí)施方式的剖面圖。圖8A是表示基板的制作方法的第一步驟的剖面圖。圖8B是表示基板的制作方法的第二步驟的剖面圖。圖8C是表示基板的制作方法的第三步驟的剖面圖。圖9是圖8B的第一基板部的俯視圖。圖中1、1A、1B-基板；2-發(fā)光元件；3、3A_粘接構(gòu)件；4_密封構(gòu)件；5_熒光體；6_金電 極；7-引線；8-樹脂部；10-溝槽；20-溝槽；21-第一基板部；21a-孔部；22-第二基板部； 25-重疊部分；LO-出射光；Ll-熒光；d-相鄰的發(fā)光元件之間的距離。
具體實(shí)施例方式下面，根據(jù)圖示的實(shí)施例，詳細(xì)說明本發(fā)明。(第1實(shí)施方式)圖IA是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的第1實(shí)施方式的剖面圖。圖IB是表示發(fā)光裝置 的俯視圖。另外，在圖IB中，省略圖IA的金電極6而描述。如圖IA和圖IB所示，該發(fā)光裝置作為照明光源或背光光源使用，能取得所希望的 色彩的光源。該發(fā)光裝置具有基板1、配置在該基板1上的發(fā)光元件2、把該發(fā)光元件2固定在 所述基板1上的粘接構(gòu)件3、密封所述發(fā)光元件2和所述粘接構(gòu)件3的密封構(gòu)件4。所述基板1例如由包含玻璃纖維的環(huán)氧樹脂構(gòu)成。所述發(fā)光元件2例如是藍(lán)色 LED元件。所述粘接構(gòu)件3具有透光性，例如由包含熒光體的環(huán)氧樹脂構(gòu)成。所述密封構(gòu)件4 具有透光性，例如由包含熒光體的環(huán)氧樹脂構(gòu)成。所述粘接構(gòu)件3的環(huán)氧樹脂的折射率和所述密封構(gòu)件4的環(huán)氧樹脂的折射率相同。因此，沒有在所述粘接構(gòu)件3的環(huán)氧樹脂和所 述密封構(gòu)件4的環(huán)氧樹脂的界面的反射、折射，光損失減少。在所述基板1設(shè)置與所述發(fā)光元件2電連接的金電極6。設(shè)置在發(fā)光元件2的上 表面的電極通過引線7連接在金電極6上。該金電極6相對于可見光，具有超過98%的反 射率，反射率極高。所述粘接構(gòu)件3與所述發(fā)光元件2的所述基板1 一側(cè)的下表面(也稱作背面，或 者底面)的全體和所述發(fā)光元件2的各側(cè)面的一部分接觸。另外，粘接構(gòu)件3也可以覆蓋 發(fā)光元件2的各側(cè)面的全體。此外，粘接構(gòu)件3也可以覆蓋發(fā)光元件2的各側(cè)面的全體，并 且覆蓋到發(fā)光元件2的上表面的周圍，但是也可以避開設(shè)置在發(fā)光元件2的上表面的P側(cè) 電極、N側(cè)電極的引線接合區(qū)。所述粘接構(gòu)件3的環(huán)氧樹脂理想的是觸變、”、·η性高的、用分配器
> 寸一)在所述基板1上涂敷時(shí)，形成為半球狀。成為以發(fā)光元件2的自重，發(fā)光元件2 掩埋在粘接構(gòu)件3中的狀態(tài)，能容易地用環(huán)氧樹脂覆蓋到發(fā)光元件2的側(cè)面。所述粘接構(gòu)件3的熒光體的添加量以給定的上限添加，從而粘接強(qiáng)度不下降。所述密封構(gòu)件4與所述發(fā)光元件2的所述基板1 一側(cè)的上表面的全體和所述發(fā)光 元件2的各側(cè)面的一部分接觸。即密封構(gòu)件4與發(fā)光元件2的、未與粘接構(gòu)件3接觸的面 接觸。作為所述密封構(gòu)件4的構(gòu)成要素的樹脂層的折射率如上所述，與作為粘接構(gòu)件3 的構(gòu)成要素的樹脂層的折射率相等，在彼此的樹脂層的界面不反射。密封構(gòu)件4包含熒光 體，該熒光體與粘接構(gòu)件3的熒光體相同。所述發(fā)光元件2例如是俯視圖為正方形的六面體，構(gòu)成發(fā)光元件2的外表面的各 面，在各面的至少一部分，與包含熒光體的熒光體含有區(qū)域接觸。即所述粘接構(gòu)件3相當(dāng)于 所述熒光體含有區(qū)域的一部分，所述密封構(gòu)件4相當(dāng)于所述熒光體含有區(qū)域的一部分。熒 光體含有區(qū)域以包圍發(fā)光元件2的周圍的方式與發(fā)光元件2的各面接觸。另外，所述發(fā)光 元件2的平面形狀也可以代替正方形，為長方形、圓形、橢圓形等其他形狀。所述熒光體例如是YAG系黃色熒光體、BOS系黃色熒光體、紅色熒光體或者綠色熒 光體。該熒光體由所述發(fā)光元件2的出射光激勵(lì)，放出比出射光波長更長的熒光。而且，如圖2所示，從所述發(fā)光元件2的各面出射的(虛線的箭頭所示的)出射光 LO由所述熒光體5變換為(實(shí)線的箭頭所示的)熒光Li。所述發(fā)光元件2的各面的大部 分分別與包含熒光體5的粘接構(gòu)件3以及密封構(gòu)件4接觸，所以能增加熒光Ll的比例，能 減少未從出射光LO變換為熒光Ll的散射光的比例。因此，能夠增加不由發(fā)光元件2再吸收的熒光Ll的比例，減少由發(fā)光元件2再吸 收的散射光的比例，減少光損失，提高亮度。此外，所述粘接構(gòu)件3相當(dāng)于所述熒光體含有區(qū)域的一部分，所述粘接構(gòu)件3與發(fā) 光元件2的下表面以及側(cè)面接觸，所以能夠把所述粘接構(gòu)件3兼用作粘接發(fā)光元件2的任 務(wù)以及把發(fā)光元件2的出射光LO變換為熒光Ll的任務(wù)。因此，能提高亮度。此外，金電極6設(shè)置在所 述基板1上，所以能用金電極6把來自發(fā)光元件2的出射 光LO反射，能提高亮度。(第2實(shí)施方式)
圖3表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的第2實(shí)施方式。如果說明與所述第1實(shí)施方式的不同點(diǎn)，則在第2實(shí)施方式中，發(fā)光元件2有多個(gè)。另外，在表示第2實(shí)施方式的圖3中，關(guān)于 與圖IA以及IB所示的第1實(shí)施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，付與和圖IA以及IB所 示的構(gòu)成要素相同的參照編號，省略詳細(xì)的說明。如圖3所示，多個(gè)發(fā)光元件2，2配置在單一的基板1上，并且由單一的密封構(gòu)件4 密封。相鄰的發(fā)光元件2之間的距離d是100 μ m 200 μ m。因此，由于所述多個(gè)發(fā)光元件2，2配置在所述單一的基板1上，所以能夠與所述多 個(gè)發(fā)光元件2相對應(yīng)提高亮度。此外，所述多個(gè)發(fā)光元件2，2由所述單一的密封構(gòu)件4所密 封，所以與用多個(gè)密封構(gòu)件多層密封的情況相比，沒有層間的界面的反射、折射，光損傷少， 因此，能提高亮度。因此，將所述多個(gè)發(fā)光元件2，2在所述單一的基板1上配置，而能夠?qū)?應(yīng)于多個(gè)發(fā)光元件2，2，提高亮度的事實(shí)，與用單一的密封構(gòu)件4密封多個(gè)發(fā)光元件2，2，沒 有層間的折射、反射的事實(shí)相輔相承，能極大提高亮度。此外，相鄰的發(fā)光元件2之間的距離d是100 μ m 200 μ m,所以能謀求小型化和 亮度提高。而如果低于ΙΟΟμπι，所述相鄰的發(fā)光元件2之間的所述粘接構(gòu)件3的體積(厚 度)減少，由粘接構(gòu)件3中的熒光體把從發(fā)光元件2放出的光變換為熒光光的比例下降，發(fā) 光元件2的再吸收的損失增加，亮度下降，而如果超過200 μ m,在單一的基板1上配置的發(fā) 光元件2的數(shù)量必須減少，或者發(fā)光裝置全體的尺寸大型化。(第3實(shí)施方式)圖4A和圖4B和圖4C表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的第3實(shí)施方式。如果說明與所述 第1實(shí)施方式的不同點(diǎn)，則在第3實(shí)施方式中，基板的結(jié)構(gòu)不同。另外，在第3實(shí)施方式的 圖4A、圖4B和圖4C中，關(guān)于與圖IA以及IB所示的第1實(shí)施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要 素，付與和圖IA以及IB所示的構(gòu)成要素相同的參照編號，省略詳細(xì)的說明。如圖4A和圖4B和圖4C所示，基板IA在與發(fā)光元件2相面對的面具有截面為矩 形的溝槽10。在該溝槽10內(nèi)配置粘接構(gòu)件3。另外，在圖4A中，省略金電極6。另外，所述 溝槽10的截面形狀也可以代替矩形，是半圓形、V字形狀、U字形狀等。所述溝槽10的縱向(長手方向)的長度，比所述發(fā)光元件2的底面的、所述溝槽 10的縱向的長度更長，所述溝槽10的兩端部不由所述發(fā)光元件的底面覆蓋而露出。即溝槽 10是細(xì)長的形狀，溝槽10的縱向的長度比在俯視圖中是正方形的發(fā)光元件2的長度更長， 并且溝槽10的橫向(短手方向)的長度比發(fā)光元件2的長度更短。即從發(fā)光元件2的上 表面方向觀察的情況下，在溝槽10的橫向，發(fā)光元件2跨溝槽10，在溝槽10的縱向，溝槽 10從發(fā)光元件2露出。另外，溝槽10的數(shù)量可以是1個(gè)，或者可以是多個(gè)。此外，在圖4A 中，所述溝槽10的兩端部從發(fā)光元件2露出，但是也可以只是溝槽(不圖示)的一方的端 部從發(fā)光元件2露出。所述粘接構(gòu)件3填充在溝槽10內(nèi)，并且在溝槽10的周圍附近的所述基板IA上的 部分也涂敷。所述基板IA例如使用對于可見光，反射性高的材料。該材料例如是AlN等。而且，如圖5所示，從發(fā)光元件2的下表面出射的出射光LO的一部分由填充在溝 槽10中的粘接構(gòu)件3的熒光體5變換為熒光Li。該熒光Ll在溝槽10的內(nèi)表面反射，反射 光的一部分回到發(fā)光元件2，反射光的其他部分從溝槽10取出到外部?；氐桨l(fā)光元件2的 熒光Ll不由發(fā)光元件2吸收而被反射，取出到外部。此外，由熒光體5變換的熒光Ll由基板IA的表面反射，取出到外部。因此，熒光Ll都取出到外部。因此，所述基板IA在與所述發(fā)光元件2相面對的面具有溝槽10，所以能經(jīng)由溝槽 10，從所述發(fā)光元件2的所述基板IA側(cè)的下表面取出所述發(fā)光元件2的出射光L0，能提高亮度。此外，在所述溝槽10內(nèi)配置有所述粘接構(gòu)件3，所以能牢固地在所述基板IA上固 定所述發(fā)光元件2。(第4實(shí)施方式)圖6表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的第4實(shí)施方式。如果說明與所述第3實(shí)施方式的不 同點(diǎn)，則在第4實(shí)施方式中，填充在基板的溝槽中的樹脂不同。另外，在第4實(shí)施方式的圖 6中，關(guān)于與圖4A、圖4B和圖4C所示的第3實(shí)施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，付與和 圖4A、圖4B和圖4C所示的構(gòu)成要素相同的參照編號，省略詳細(xì)的說明。如圖6所示，在基板IA的溝槽10內(nèi)，不是填充粘接構(gòu)件3，而是填充樹脂部8。該 樹脂部8不包含熒光體，例如由透明的環(huán)氧樹脂構(gòu)成。因此，在溝槽10內(nèi)不容易填充粘接構(gòu)件3的情況下，能在溝槽10內(nèi)預(yù)先填充樹脂 部8。此外，通過填充樹脂部8，能防止向粘接構(gòu)件3的熱變形引起的粘接強(qiáng)度的下降。(第5實(shí)施方式)圖7表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的第5實(shí)施方式。如果說明與所述第1實(shí)施方式的不 同點(diǎn)，則在第5實(shí)施方式中，基板的結(jié)構(gòu)不同。另外，在表示第5實(shí)施方式的圖7中，關(guān)于與 圖IA以及IB所示的第1實(shí)施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，付與和圖IA以及IB所示 的構(gòu)成要素相同的參照編號，省略詳細(xì)的說明。如圖7所示，基板IB在發(fā)光元件2 —側(cè)的面具有與發(fā)光元件2 —致而重疊的重疊 部分25。重疊部分25在俯視圖中是矩形。在重疊部分25的一對相面對的邊的外側(cè)設(shè)置有 溝槽20。另外，溝槽20也可以設(shè)置在重疊部分25的至少一對的相面對的邊的外側(cè)。在溝槽20內(nèi)配置有粘接構(gòu)件3A。該粘接構(gòu)件3A不包含熒光體5，由環(huán)氧樹脂構(gòu) 成。所述粘接構(gòu)件3的觸變性低。因此，在重疊部分25涂敷粘接構(gòu)件3A，搭載發(fā)光元 件2的時(shí)候，從發(fā)光元件2的下表面伸出的多余的粘接構(gòu)件3A不覆蓋發(fā)光元件2的側(cè)面， 溢出到溝槽20。另外，粘接構(gòu)件3A能夠不覆蓋發(fā)光元件2的側(cè)面地溢出到溝槽20，另外，如果能穩(wěn) 定進(jìn)行模片結(jié)合，重疊部分25就沒必要是與發(fā)光元件2完全相同的尺寸，可以稍微小，也可 以稍微大。所述發(fā)光元件2的側(cè)面由包含熒光體5的密封構(gòu)件4覆蓋。從發(fā)光元件2的側(cè)面 出射的出射光的一部分迅速由熒光體5變換為熒光。另外，所述粘接構(gòu)件3A的樹脂(環(huán)氧 樹脂)和密封構(gòu)件4的樹脂(環(huán)氧樹脂)對于可見光，具有相同的折射率，消除在界面的反 射、折射，減少光損失。也能夠使所述粘接構(gòu)件3A的樹脂和密封構(gòu)件4的樹脂的關(guān)于可見 光的折射率不同。所述重疊部分25的表面?zhèn)鹊牟?分21包含熒光體5，相當(dāng)于熒光體含有區(qū)域的一部 分。在除了溝槽20外的基板IB的表面?zhèn)?，熒光體5被分散而達(dá)到一定的厚度。另外，也可 以在基板IB的全體分散熒光體5。
熒光體含有區(qū)域的一部分(重疊部分25和密封構(gòu)件4的一部分)以包圍發(fā)光元 件2的周圍的方式與發(fā)光元件2的各面接觸，并且熒光體含有區(qū)域的其他部分(密封構(gòu)件 4的其他部分)以包圍發(fā)光元件2的周圍的方式與發(fā)光元件2的各面隔開間隔配置。如果說明所述基板IB的制作方法，就如圖8A所示，生成包含熒光體5的第一基板 部21。該第一基板部21成為上述的表面一側(cè)的部分21。然后，如圖8和圖9所示，在第一基板部21，通過模具(金型)的沖壓(打^拔 爸)，在所述重疊部分25的一對相對邊的外側(cè)形成孔部21a，21a。然后，如圖8C所示，在不包含熒光體5的第二基板部22接合所述第一基板部21， 燒結(jié)，生成所述基板1B。這時(shí)，由所述孔部21a形成所述溝槽20。因此，在所述基板IB的溝槽20內(nèi)配置有不包含所述熒光體5的粘接構(gòu)件3A，所以 能用溝槽20吸收粘接構(gòu)件3A的體積，能防止粘接構(gòu)件3A向發(fā)光元件2的側(cè)面的上爬(言 0上(f 3 )。因此，能夠增加不由發(fā)光元件2再吸收的熒光Ll的比例，減少由發(fā)光元件2再 吸收的散射光的比例。所述基板IB的所述重疊部分25包含所述熒光體5，相當(dāng)于所述熒光體含有區(qū)域 的一部分，所以能夠使所述基板IB兼用作支撐發(fā)光元件2的任務(wù)和把發(fā)光元件2的出射光 LO變換為熒光Ll的任務(wù)中。因此，該發(fā)光裝置能提高亮度。另外，本發(fā)明并不局限于上述的實(shí)施例。例如，也可以組合所述第1實(shí)施方式 第 5實(shí)施方式的特征。此外，雖然熒光體含有區(qū)域與構(gòu)成發(fā)光元件的外表面的各面接觸，但是 也可以按照與構(gòu)成發(fā)光元件的外表面的各面中除了基板側(cè)的下表面(基板搭載面)的面接 觸、并且與發(fā)光元件的基板側(cè)的下表面(基板搭載面)隔開間隔的方式，配置熒光體含有區(qū) 域。以上說明了本發(fā)明 的實(shí)施例，但是顯然它可以進(jìn)行各種變更。這樣的變更不應(yīng)該 視為是脫離本發(fā)明的精神和范圍，對于業(yè)內(nèi)人士，自然清楚的變更全部包含在接著描述的 權(quán)利要求書的范圍中。
權(quán)利要求
一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括基板；配置在該基板上的發(fā)光元件；把該發(fā)光元件固定在所述基板上的具有透光性的粘接構(gòu)件；以及密封所述發(fā)光元件和所述粘接構(gòu)件，并具有透光性，且包含熒光體的密封構(gòu)件，以與構(gòu)成所述發(fā)光元件的外表面的各面中除了所述基板側(cè)的下表面外的面相接觸、并且與所述發(fā)光元件的基板側(cè)的下表面或者接觸或者隔開間隔的方式，配置包含熒光體的熒光體含有區(qū)域；所述熒光體由所述發(fā)光元件的出射光激勵(lì)，放出比該出射光波長更長的熒光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述粘接構(gòu)件包含所述熒光體，相當(dāng)于所述熒光體含有區(qū)域的一部分；所述粘接構(gòu)件與所述發(fā)光元件的所述基板側(cè)的下表面和所述發(fā)光元件的側(cè)面接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述發(fā)光元件有多個(gè)；該多個(gè)發(fā)光元件配置在單一的所述基板上，并且由單一的所述密封構(gòu)件密封。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 相鄰的所述發(fā)光元件之間的距離是100 y m 200 u m。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 在所述基板上設(shè)置與所述發(fā)光元件電連接的金電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中的任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述基板在與所述發(fā)光元件相對的面具有溝槽，該溝槽的縱向的長度比所述發(fā)光元件 的底面的所述溝槽的縱向長度更長，所述溝槽的一部分不由所述發(fā)光元件的底面所覆蓋。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 在所述溝槽內(nèi)配置所述粘接構(gòu)件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述基板在所述發(fā)光元件一側(cè)的面具有與所述發(fā)光元件一致而重疊的重疊部分，在該 重疊部分的至少一對相面對的邊的外側(cè)設(shè)置溝槽；在該溝槽內(nèi)配置所述粘接構(gòu)件，該粘接構(gòu)件不包含所述熒光體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述基板的所述重疊部分包含所述熒光體，相當(dāng)于所述熒光體含有區(qū)域的一部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求1 8中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，作為所述粘接構(gòu)件的構(gòu)成要素的樹脂的折射率和作為所述密封構(gòu)件的構(gòu)成要素的樹 脂的折射率相同。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能增加不由發(fā)光元件再吸收的熒光的比例，減少由發(fā)光元件再吸收的散射光的比例，從而提高亮度的發(fā)光裝置。構(gòu)成發(fā)光元件(2)的外表面的各面與粘接構(gòu)件(3)或密封構(gòu)件4接觸。粘接構(gòu)件(3)和密封構(gòu)件(4)包含熒光體。從發(fā)光元件(2)的各面出射的出射光由熒光體變換為熒光。因此，能增加熒光的比例，并能夠減少不從出射光變換為熒光的散射光的比例。
文檔編號H01L33/48GK101859862SQ20101016278
公開日2010年10月13日 申請日期2010年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月10日
發(fā)明者太田將之, 小西正宏, 木村公士, 松尾孝信 申請人:夏普株式會(huì)社