專利名稱：等離子體處理裝置,異常檢測(cè)裝置以及異常檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到等離子體處理裝置，異常檢測(cè)裝置以及異常檢測(cè)方法，其能夠檢測(cè) 質(zhì)量流量控制器(mass flow controller)中的異常。
背景技術(shù)：
等離子體處理裝置是用于將處理氣體引入到處理室中并通過對(duì)處理氣體施加高 頻以產(chǎn)生等離子體來實(shí)施處理的裝置。等離子體處理裝置的處理?xiàng)l件由處理室內(nèi)的壓力和 處理氣體的流量(flow rate)構(gòu)成。處理氣體的流量能夠通過質(zhì)量流量控制器來調(diào)整(例 如見日本特開專利公開N0. 2000-077394, 2004-062897, 2007-027661和日本公開專利申請(qǐng) A-H08-288222)。本發(fā)明人已經(jīng)有如下認(rèn)識(shí)。例如可通過調(diào)節(jié)提供在排氣管處的壓力調(diào)解閥門的開 口程度，來控制處理室內(nèi)的壓力。

發(fā)明內(nèi)容
當(dāng)質(zhì)量流量控制器處發(fā)生異常時(shí)，由于引入到處理室內(nèi)的處理氣體的流量偏離了 所需量，因此處理中等離子體處理室處發(fā)生異常。這意味著因此在質(zhì)量流量控制器中檢測(cè) 異常很重要。因此能夠考慮在質(zhì)量流量控制器所在的管道中提供單獨(dú)的氣體流量計(jì)作為檢測(cè) 質(zhì)量流量控制器中的異常的方法。但是，由于該方法中需要設(shè)置氣體流量計(jì)的空間，因此存 在由于沒有任何多余空間導(dǎo)致不適用的情況。由管道內(nèi)的生成物質(zhì)引起質(zhì)量流量控制器中 的異常的情況很常見。因此可以想象當(dāng)質(zhì)量流量控制器處發(fā)生異常時(shí)在氣體流量計(jì)中也會(huì) 發(fā)生異常。因此必要的是，即使在質(zhì)量流量控制器所在的管道中沒有提供氣體流量計(jì)，也檢 測(cè)質(zhì)量流量控制器中的異常。在一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種等離子體處理裝置，其包括處理室；電極，位于處理室內(nèi)，高頻被施加于所述電極；氣體引入管道，將用于在等離子體產(chǎn)生中使用的處理氣體引入到處理室中；質(zhì)量流量控制器，位于氣體引入管道中，調(diào)整處理氣體的氣體流量；壓力計(jì)，檢測(cè)處理室內(nèi)的壓力；控制單元，基于由壓力計(jì)檢測(cè)的值控制處理室內(nèi)的壓力；和異常檢測(cè)單元，其從質(zhì)量流量控制器接收指示處理氣體的流量的流量數(shù)據(jù)，并基 于流量數(shù)據(jù)和當(dāng)將高頻輸入到電極時(shí)由壓力計(jì)檢測(cè)的值的波動(dòng)量確定質(zhì)量流量控制器處 存在還是不存在異常。
根據(jù)該實(shí)施例，通過控制單元控制處理室內(nèi)的壓力。在這種情況下，當(dāng)將高頻施加 到電極時(shí)，處理氣體被離子化以便產(chǎn)生等離子體。當(dāng)形成等離子體時(shí)，由于處理氣體被部分 分解，導(dǎo)致在處理室內(nèi)的諸如分子、離子和基團(tuán)的顆粒的數(shù)目增加，以便產(chǎn)生與處理氣體增 加相同的狀態(tài)。通過控制單元控制壓力調(diào)整閥門不能快速跟隨處理氣體的增加。因此當(dāng)將 高頻輸入到電極時(shí)由壓力計(jì)檢測(cè)的值瞬間升高。對(duì)于更大流量的處理氣體，該增加的程度 更大。因此基于由壓力計(jì)檢測(cè)的值的波動(dòng)量，可以確定處理氣體的流量是否為規(guī)定值，即， 確定質(zhì)量流量控制器處存在還是不存在異常。在另一實(shí)施例中，也提供一種檢測(cè)裝配到等離子體處理裝置的質(zhì)量流量控制器中 的異常的異常檢測(cè)裝置，該等離子體處理裝置包括處理室；電極，設(shè)置在處理室內(nèi)，高頻被施加于所述電極；氣體引入管道，將在等離子體產(chǎn)生中使用的處理氣體引入到處理室中；質(zhì)量流量控制器，位于氣體引入管道中，調(diào)整處理氣體的氣體流量；壓力計(jì)，檢測(cè)處理室內(nèi)的壓力；控制單元，其基于由壓力計(jì)檢測(cè)的值控制處理室內(nèi)的壓力；和異常檢測(cè)單元，其從質(zhì)量流量控制器接收指示處理氣體的流量的流量數(shù)據(jù)，并基 于流量數(shù)據(jù)和當(dāng)將高頻輸入到電極時(shí)由壓力計(jì)檢測(cè)的值的波動(dòng)量確定質(zhì)量流量控制器處 存在或不存在異常，其中從質(zhì)量流量控制器接收指示處理氣體流量的流量數(shù)據(jù)，并且基于流量數(shù)據(jù)和 當(dāng)將高頻輸入到電極時(shí)由壓力計(jì)檢測(cè)的值的波動(dòng)量確定質(zhì)量流量控制器處存在或不存在 異常。在另一實(shí)施例中，也提供一種檢測(cè)裝配到等離子體處理裝置的質(zhì)量流量控制器處 的異常的異常檢測(cè)方法，該等離子體處理裝置包括處理室；電極，位于處理室內(nèi)，高頻被施加到該電極；氣體引入管道，將在等離子體產(chǎn)生中使用的處理氣體引入到處理室中；質(zhì)量流量控制器，位于氣體引入管道中，調(diào)整處理氣體的氣體流量；壓力計(jì)，檢測(cè)處理室內(nèi)的壓力；控制單元，基于由壓力計(jì)檢測(cè)的值控制處理室內(nèi)的壓力；和異常檢測(cè)單元，其從質(zhì)量流量控制器接收指示處理氣體的流量的流量數(shù)據(jù)，并基 于該流量數(shù)據(jù)和當(dāng)將高頻提供到電極時(shí)由壓力計(jì)檢測(cè)的值的波動(dòng)量確定質(zhì)量流量控制器 處存在或不存在異常，和該方法包括基于流量數(shù)據(jù)和當(dāng)將高頻輸入到電極時(shí)由壓力計(jì)檢測(cè)的值的波動(dòng)量判斷質(zhì)量流 量控制器處存在還是不存在異常。根據(jù)該實(shí)施例，即使不在質(zhì)量流量控制器所在的管道中提供氣體流量計(jì)也可以檢 測(cè)質(zhì)量流量控制器中的異常。


根據(jù)以下結(jié)合附圖對(duì)某些優(yōu)選實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述和其他目的，優(yōu)點(diǎn)和 特征將更加顯而易見，附圖中圖1是示出優(yōu)選實(shí)施例的等離子體處理裝置的構(gòu)造的圖；圖2是示出控制單元的確定邏輯合理的圖；圖3是示出控制單元確定邏輯合理的另一圖；圖4是示出用于使用圖1中所示的等離子體處理裝置的實(shí)施處理的方法的流程 圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將在這里參考示意性實(shí)施例描述本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員將了解使用本發(fā)明 的教導(dǎo)可實(shí)現(xiàn)很多替換實(shí)施例并且本發(fā)明不限于為說明目的示出的實(shí)施例。下文中使用

本發(fā)明的示例性實(shí)施例。所有圖示中構(gòu)造相同的元件被給予 相同數(shù)字且適當(dāng)省略其描述。圖1是示出用于優(yōu)選實(shí)施例的等離子體處理裝置的構(gòu)造的圖。等離子體處理裝置 裝配有處理室3，電極11，氣體引入管道20，排氣管5，壓力調(diào)整閥門50，質(zhì)量流量控制器2， 壓力計(jì)4以及控制單元6?？刂茊卧?兼做異常檢測(cè)單元。等離子體處理裝置是例如等離 子體CVD裝置，濺射裝置或蝕刻裝置。電極11位于處理室3內(nèi)并通過高頻電源被施與高頻。氣體引入管道20將用于等 離子體產(chǎn)生的處理氣體引入到處理室3中。排氣管5連接到排氣泵(未示出)并對(duì)處理室 3進(jìn)行排氣。壓力調(diào)整閥門50提供在排氣管5處。質(zhì)量流量控制器2提供在氣體引入管道 20處并且調(diào)整處理氣體的流量。壓力計(jì)4檢測(cè)處理室3的壓力。控制單元6通過基于由 壓力計(jì)4檢測(cè)的值控制壓力調(diào)整閥門50的開口程度來控制處理室3內(nèi)的壓力?？刂茊卧?6從質(zhì)量流量控制器2接收指示處理氣體的流量的流量數(shù)據(jù)并基于流量數(shù)據(jù)和當(dāng)將高頻輸 入到電極時(shí)由壓力計(jì)4檢測(cè)的值的波動(dòng)量確定質(zhì)量流量控制器2處存在還是不存在異常?？刂茊卧?還控制高頻電源1和質(zhì)量流量控制器2。電極12也提供在處理室3的 內(nèi)部。電極12面對(duì)電極11且接地。該實(shí)施例中，等離子體處理裝置裝配有測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元8和計(jì)算單元9。測(cè)量數(shù) 據(jù)存儲(chǔ)單元8能存儲(chǔ)固定時(shí)間段內(nèi)由壓力計(jì)4檢測(cè)的值。測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元8基于例如來 自計(jì)算單元9的指令開始和結(jié)束由壓力計(jì)4檢測(cè)的值的存儲(chǔ)。當(dāng)指示通過高頻電源1的到 電極11的輸入的信號(hào)開始時(shí)，計(jì)算單元9讀出存儲(chǔ)在測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元8中的數(shù)據(jù)并計(jì)算 當(dāng)將高頻輸入到電極11時(shí)由壓力計(jì)4檢測(cè)的值的波動(dòng)量。計(jì)算單元9然后將計(jì)算的波動(dòng) 量輸出到控制單元6。等離子體處理裝置裝配有參考數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元60。參考數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元60存儲(chǔ)參考 數(shù)據(jù)。參考數(shù)據(jù)是指示當(dāng)將高頻輸入到電極11時(shí)由壓力計(jì)4檢測(cè)的值的參考值和處理氣 體的流量之間關(guān)系的數(shù)據(jù)。參考數(shù)據(jù)可以是指示參考值和處理氣體的流量之間關(guān)系的數(shù)據(jù) 或者可以是其中用于處理氣體的流量的獨(dú)立參考值以表格形式指示的數(shù)據(jù)。當(dāng)由參考數(shù)據(jù) 指示的參考值和由壓力計(jì)4檢測(cè)的值的波動(dòng)量之間的差值等于或者大于基準(zhǔn)時(shí)控制單元6確定質(zhì)量流量控制器2處的異常。 控制單元6、測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元8和計(jì)算單元9用作檢測(cè)質(zhì)量流量控制器2的異常 的異常檢測(cè)裝置。圖2和3是示出控制單元6的確定邏輯電路的合理的圖。當(dāng)將高頻施加到電極11 時(shí)，處理室3內(nèi)的處理氣體被離子化并形成等離子體。當(dāng)形成等離子體時(shí)，由于處理氣體被 部分分解，因此處理室內(nèi)的諸如分子、原子和基團(tuán)的顆粒的數(shù)目增加，以產(chǎn)生與處理氣體增 加相同的狀態(tài)。通過控制單元6控制壓力調(diào)整閥門50不能快速跟隨該處理氣體的增加。因 此當(dāng)將高頻輸入到電極11時(shí)由壓力計(jì)4檢測(cè)的值瞬間上升。當(dāng)處理室3內(nèi)的壓力穩(wěn)定時(shí)開始產(chǎn)生等離子體并且由產(chǎn)生等離子體引起的由壓 力計(jì)4檢測(cè)的值的上升能夠很容易被檢測(cè)到。該上升根據(jù)處理氣體的流量波動(dòng)，如圖2和3 中所示。具體地，該上升隨著處理氣體的流量增加而增加。在質(zhì)量流量控制器2處發(fā)生異 常的地方處理氣體的流量波動(dòng)的情況下，該上升也波動(dòng)。因此控制單元6能檢測(cè)到在質(zhì)量 流量控制器2處發(fā)生異常。圖4是示出用于使用圖1中示出的等離子體處理裝置實(shí)施處理的方法的流程圖。 首先，控制單元6控制質(zhì)量流量控制器2并開始將處理氣體供應(yīng)到處理室3內(nèi)(步驟S1)。 控制單元6然后確保處理室3內(nèi)的壓力是穩(wěn)定的(步驟S2)，確保處理室3內(nèi)的壓力成為預(yù) 設(shè)值(P1)(步驟S3)，并開始使用高頻電源1將高頻輸入到電極11 (步驟S4)。當(dāng)高頻電源1開始將高頻輸入到電極11時(shí)，指示已經(jīng)開始高頻的輸入的高頻施加 信號(hào)被輸出到計(jì)算單元9。一旦接收到高頻施加信號(hào)(步驟S5)，計(jì)算單元9就采樣由壓力 計(jì)4檢測(cè)的值以存儲(chǔ)在測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元8中(步驟S6)。對(duì)于由壓力計(jì)4檢測(cè)的值的采 樣周期例如等于或少于一百毫秒。當(dāng)由壓力計(jì)4檢測(cè)的值穩(wěn)定在P1時(shí)，計(jì)算單元9就結(jié)束 對(duì)由壓力計(jì)4檢測(cè)的值的采樣以及在測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元8中的存儲(chǔ)(步驟S7)。計(jì)算單元9然后讀出由壓力計(jì)4檢測(cè)的存儲(chǔ)在測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元8中的值的最大 值P2 (步驟S8)，計(jì)算該值P2與P1之間的差值，并將該差值輸出到控制單元6，其中P1是 處理室3內(nèi)就在產(chǎn)生等離子體之前的壓力?！挠?jì)算單元9接收到P2和P1之間的差值，控制單元6使用由參考數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 單元60存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)識(shí)別與該處理氣體的流量相對(duì)應(yīng)的設(shè)定參考值。當(dāng)P2和P1之間的差 值大于參考值(即標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間下的壓力變化)時(shí)(步驟S9 否)，控制單元6確定質(zhì)量流量控 制器2處發(fā)生異常并強(qiáng)制結(jié)束通過等離子體處理裝置的處理(步驟S10)。當(dāng)P2和P1之間 的差值小于該參考值(即標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間下的壓力變化)時(shí)(步驟S9 是)，繼續(xù)通過等離子體處 理裝置的處理(步驟S11)。在步驟S9，當(dāng)P2和P1之間的差值與參考值(即參考時(shí)間下的壓力變化)的差值 在預(yù)設(shè)范圍之外時(shí)，控制單元6也能確定質(zhì)量流量控制器2處發(fā)生異常。根據(jù)上述實(shí)施例，控制單元6能基于當(dāng)將高頻施加到電極11時(shí)處理室3的壓力波 動(dòng)確定質(zhì)量流量控制器2處存在還是不存在異常。因此即使在質(zhì)量流量控制器2所在的管 道中沒有提供氣體流量計(jì)，也能檢測(cè)質(zhì)量流量控制器2中的異常。由于當(dāng)質(zhì)量流量控制器2 中檢測(cè)到異常時(shí)強(qiáng)制結(jié)束等離子體處理裝置的操作，因此抑制了存在發(fā)生異常的幾率的產(chǎn) 品進(jìn)行隨后的工藝流程。而且，當(dāng)接收到指示已經(jīng)開始將高頻施加到電極11的高頻施加信號(hào)時(shí)，測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元8就開始存儲(chǔ)由壓力計(jì)4檢測(cè)的值且當(dāng)由壓力計(jì)4檢測(cè)的值穩(wěn)定時(shí)結(jié)束存儲(chǔ)由壓 力計(jì)4檢測(cè)的值。因此可以減小測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元8所需的存儲(chǔ)容量。對(duì)于測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元8，也可以一直存儲(chǔ)由壓力計(jì)4檢測(cè)的值。測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單 元8也能在固定時(shí)間內(nèi)存儲(chǔ)由壓力計(jì)4檢測(cè)的值。由壓力計(jì)4檢測(cè)的值的采樣周期例如等 于或者少于一百毫秒。當(dāng)由壓力計(jì)4檢測(cè)的值穩(wěn)定時(shí)，由壓力計(jì)4檢測(cè)的存儲(chǔ)在測(cè)量數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)單元8中的值的最大值P2由控制單元6讀出。然后計(jì)算P2和P1之間的差值并將其 輸出到控制單元6，P1是就在產(chǎn)生等離子體之前處理室內(nèi)的壓力。參考附圖在本發(fā)明上述實(shí)施例中給出說明但是這些僅僅示出本發(fā)明且也可采用 除上述那些之外的各種構(gòu)造。顯然本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，而是不脫離本發(fā)明范圍和精神的情況下可進(jìn)行改 進(jìn)和變化。
權(quán)利要求
一種等離子體處理裝置，包括處理室；電極，所述電極位于所述處理室內(nèi)，高頻被施加到所述電極；氣體引入管道，所述氣體引入管道將在等離子體產(chǎn)生中使用的處理氣體引入到所述處理室中；質(zhì)量流量控制器，所述質(zhì)量流量控制器位于所述氣體引入管道中，調(diào)整所述處理氣體的流量；壓力計(jì)，所述壓力計(jì)檢測(cè)所述處理室內(nèi)的壓力；控制單元，所述控制單元基于由所述壓力計(jì)檢測(cè)的值控制所述處理室內(nèi)的壓力；和異常檢測(cè)單元，所述異常檢測(cè)單元從所述質(zhì)量流量控制器接收指示所述處理氣體的流量的流量數(shù)據(jù)，并基于所述流量數(shù)據(jù)和當(dāng)將高頻輸入到所述電極時(shí)由所述壓力計(jì)檢測(cè)的值的波動(dòng)量確定所述質(zhì)量流量控制器處存在還是不存在異常。
2.如權(quán)利要求1的等離子體處理裝置，還包括參考數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，所述參考數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)指示所述處理氣體的流量和當(dāng) 將所述高頻輸入到所述電極時(shí)由所述壓力計(jì)檢測(cè)的值的波動(dòng)量的參考值之間的關(guān)系的參 考數(shù)據(jù)；其中當(dāng)由所述參考數(shù)據(jù)指示的所述參考值和由所述壓力計(jì)檢測(cè)的所述值的所述波動(dòng) 量之間的差值等于或大于基準(zhǔn)時(shí)，所述異常檢測(cè)單元確定所述質(zhì)量流量控制器處存在異常o
3.如權(quán)利要求1的等離子體處理裝置，還包括測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，所述測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元當(dāng)接收到指示已經(jīng)開始將高頻施加 到所述電極的高頻施加信號(hào)時(shí)開始存儲(chǔ)由所述壓力計(jì)檢測(cè)的值，并且當(dāng)由所述壓力計(jì)檢測(cè) 的所述值穩(wěn)定時(shí)結(jié)束由所述壓力計(jì)檢測(cè)的所述值的存儲(chǔ)，其中所述異常檢測(cè)單元使用由所述測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的由所述壓力計(jì)檢測(cè)的所 述值的最大值計(jì)算由所述壓力計(jì)檢測(cè)的所述值的波動(dòng)量。
4.一種檢測(cè)裝配到等離子體處理裝置的質(zhì)量流量控制器中的異常的異常檢測(cè)裝置， 所述等離子體處理裝置包括等離子體處理裝置，包括處理室；電極，所述電極位于所述處理室內(nèi)，高頻被施加到所述電極；氣體引入管道，所述氣體引入管道將在等離子體產(chǎn)生中使用的處理氣體引入到所述處理室中；質(zhì)量流量控制器，所述質(zhì)量流量控制器位于所述氣體引入管道中，調(diào)整所述處理氣體 的氣體流量；壓力計(jì)，所述壓力計(jì)檢測(cè)所述處理室內(nèi)的壓力；控制單元，所述控制單元基于由所述壓力計(jì)檢測(cè)的值控制所述處理室內(nèi)的壓力；和 異常檢測(cè)單元，所述異常檢測(cè)單元從所述質(zhì)量流量控制器接收指示所述處理氣體的流 量的流量數(shù)據(jù)，并基于所述流量數(shù)據(jù)和當(dāng)將高頻輸入到所述電極時(shí)由所述壓力計(jì)檢測(cè)的值 的波動(dòng)量確定所述質(zhì)量流量控制器處存在還是不存在異常，其中從所述質(zhì)量流量控制器接收指示所述處理氣體的流量的流量數(shù)據(jù)，并且基于所述流量數(shù)據(jù)和當(dāng)將高頻輸入到所述電極時(shí)由所述壓力計(jì)檢測(cè)的值的波動(dòng)量確定所述質(zhì)量流 量控制器處存在還是不存在異常。
5. 一種異常檢測(cè)方法，所述異常檢測(cè)方法檢測(cè)裝配到等離子體處理裝置的質(zhì)量流量控 制器中的異常，所述等離子體處理裝置包括 處理室；電極，所述電極位于所述處理室內(nèi)，高頻被施加到所述電極；氣體引入管道，所述氣體引入管道將在等離子體產(chǎn)生中使用的處理氣體引入到所述處理室中；質(zhì)量流量控制器，所述質(zhì)量流量控制器位于所述氣體引入管道中，調(diào)整所述處理氣體 的氣體流量；壓力計(jì)，所述壓力計(jì)檢測(cè)所述處理室內(nèi)的壓力；控制單元，所述控制單元基于由所述壓力計(jì)檢測(cè)的值控制所述處理室內(nèi)的壓力；和 異常檢測(cè)單元，所述異常檢測(cè)單元從所述質(zhì)量流量控制器接收指示所述處理氣體的流 量的流量數(shù)據(jù)，并基于所述流量數(shù)據(jù)和當(dāng)將高頻輸入到所述電極時(shí)由所述壓力計(jì)檢測(cè)的值 的波動(dòng)量確定所述質(zhì)量流量控制器處存在還是不存在異常，和 所述方法包括基于由所述質(zhì)量流量控制器指示的指示所述處理氣體的流量的所述流量數(shù)據(jù)和當(dāng)將 高頻輸入到所述電極時(shí)由所述壓力計(jì)檢測(cè)的值的波動(dòng)量，判斷所述質(zhì)量流量控制器處存在 還是不存在異常。
全文摘要
本發(fā)明涉及到等離子體處理裝置，異常檢測(cè)裝置以及異常檢測(cè)方法。氣體引入管道將用于等離子體產(chǎn)生的處理氣體引入到處理室內(nèi)。壓力調(diào)整閥門提供在排氣管處。質(zhì)量流量控制器提供在氣體引入管道處且調(diào)整處理氣體的流量。壓力計(jì)檢測(cè)處理室的壓力?？刂茊卧ㄟ^基于由壓力計(jì)檢測(cè)的值控制壓力調(diào)整閥門的開口程度來控制處理室內(nèi)的壓力。控制單元從質(zhì)量流量控制器接收指示處理氣體的流量的流量數(shù)據(jù)并基于當(dāng)將高頻輸入到電極時(shí)由壓力計(jì)檢測(cè)的值的波動(dòng)量確定質(zhì)量流量控制器處存在還是不存在異常。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101859696SQ20101016369
公開日2010年10月13日 申請(qǐng)日期2010年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月13日
發(fā)明者山根崇 申請(qǐng)人:恩益禧電子股份有限公司