專利名稱：?jiǎn)蔚秵螖S真空繼電器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種繼電器，尤其是一種僅設(shè)兩個(gè)接觸點(diǎn)桿的單刀單擲真空繼電器。
背景技術(shù)：
目前，市場(chǎng)上現(xiàn)有的圓形單刀雙擲(三觸點(diǎn))繼電器是成熟的真空繼電器，其典型的觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)如圖1，在保持基本相同的技術(shù)條件與安裝外形的前提下，設(shè)計(jì)單刀單擲繼電器 (兩觸點(diǎn)繼電器)，為避免多余觸點(diǎn)引起的干擾，一般采用將多余觸點(diǎn)縮短或去除的方法， 其設(shè)計(jì)或者不能完全避免多余觸點(diǎn)的電場(chǎng)干擾或者必須采用其它的控制銜鐵運(yùn)動(dòng)的機(jī)構(gòu)， 從而帶來(lái)其他的負(fù)面影響。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述缺陷，本發(fā)明提供了一種單刀單擲真空繼電器，可實(shí)現(xiàn)快速將單刀雙擲繼電器改進(jìn)為單刀單擲繼電器的目的。本發(fā)明為了解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種單刀單擲真空繼電器，包括陶瓷真空室和密封穿設(shè)在真空室的側(cè)壁上的若干接觸點(diǎn)桿，其中一個(gè)接觸點(diǎn)桿朝向真空室內(nèi)的一端上定位有接觸片，其余接觸點(diǎn)桿朝向真空室內(nèi)的一端上設(shè)有接觸點(diǎn)，陶瓷真空室呈開(kāi)口圓桶狀，所述穿設(shè)在真空室的側(cè)壁上的接觸點(diǎn)桿為兩個(gè)，一個(gè)接觸點(diǎn)桿上設(shè)有開(kāi)槽接觸點(diǎn)，該開(kāi)槽接觸點(diǎn)定位接觸所述接觸片一端， 另一個(gè)接觸點(diǎn)桿上設(shè)有接觸點(diǎn)，該真空室的內(nèi)壁上向形成有一對(duì)應(yīng)所述接觸點(diǎn)的陶瓷點(diǎn)， 所述接觸片另一端位于所述接觸點(diǎn)和陶瓷點(diǎn)之間，即所述接觸片、接觸點(diǎn)與陶瓷點(diǎn)之間形成傳統(tǒng)單刀雙擲真空繼電器布局。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述陶瓷點(diǎn)為陶瓷真空室的側(cè)壁向內(nèi)延伸形成。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述陶瓷點(diǎn)為陶瓷真空室底面朝向開(kāi)口處延伸形成。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明采用兩接觸點(diǎn)桿結(jié)構(gòu)，基本保持了同等級(jí)單刀雙擲陶瓷真空繼電器的外形，重新設(shè)計(jì)陶瓷件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了快速將單刀雙擲繼電器改進(jìn)為單刀單擲繼電器的目的。


圖1為本發(fā)明一種結(jié)構(gòu)的剖面示意圖之一；圖2為本發(fā)明一種結(jié)構(gòu)的剖面示意圖之二 ；圖3為本發(fā)明另一種結(jié)構(gòu)的剖面示意圖之一；圖4為本發(fā)明另一種結(jié)構(gòu)的剖面示意圖之二 ；圖5為本發(fā)明所對(duì)比的現(xiàn)有技術(shù)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例一種單刀單擲真空繼電器，包括陶瓷真空室1和密封穿設(shè)在真空室1的側(cè)壁上的若干接觸點(diǎn)桿2，其中一個(gè)接觸點(diǎn)桿2朝向真空室內(nèi)的一端上定位有接觸片3，其余接觸點(diǎn)桿2朝向真空室內(nèi)的一端上設(shè)有接觸點(diǎn)4，陶瓷真空室1呈開(kāi)口圓桶狀，所述穿設(shè)在真空室1的側(cè)壁上的接觸點(diǎn)桿2為兩個(gè)，一個(gè)接觸點(diǎn)桿2上設(shè)有開(kāi)槽接觸點(diǎn)31，該開(kāi)槽接觸點(diǎn)定位接觸所述接觸片3 —端，另一個(gè)接觸點(diǎn)桿2上設(shè)有接觸點(diǎn)4，該真空室1的內(nèi)壁上向形成有一對(duì)應(yīng)所述接觸點(diǎn)4的陶瓷點(diǎn)5，所述接觸片3另一端位于所述接觸點(diǎn)4和陶瓷點(diǎn)5 之間，即所述接觸片3、接觸點(diǎn)4與陶瓷點(diǎn)5之間形成傳統(tǒng)單刀雙擲真空繼電器布局。所述陶瓷點(diǎn)5為陶瓷真空室1的側(cè)壁向內(nèi)延伸形成。所述陶瓷點(diǎn)5為陶瓷真空室1底面朝向開(kāi)口處延伸形成。
權(quán)利要求
1.一種單刀單擲真空繼電器，包括陶瓷真空室(1)和密封穿設(shè)在真空室(1)的側(cè)壁上的若干接觸點(diǎn)桿O)，其中一個(gè)接觸點(diǎn)桿( 朝向真空室內(nèi)的一端上定位有接觸片(3)，其余接觸點(diǎn)桿(2)朝向真空室內(nèi)的一端上設(shè)有接觸點(diǎn)G)，陶瓷真空室(1)呈開(kāi)口圓桶狀，其特征在于所述穿設(shè)在真空室⑴的側(cè)壁上的接觸點(diǎn)桿⑵為兩個(gè)，一個(gè)接觸點(diǎn)桿⑵上設(shè)有開(kāi)槽接觸點(diǎn)(31)，該開(kāi)槽接觸點(diǎn)定位接觸所述接觸片C3) —端，另一個(gè)接觸點(diǎn)桿( 上設(shè)有接觸點(diǎn)0)，該真空室(1)的內(nèi)壁上向形成有一對(duì)應(yīng)所述接觸點(diǎn)(4)的陶瓷點(diǎn)(5)，所述接觸片⑶另一端位于所述接觸點(diǎn)⑷和陶瓷點(diǎn)(5)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單刀單擲真空繼電器，其特征在于所述陶瓷點(diǎn)(5)為陶瓷真空室(1)的側(cè)壁向內(nèi)延伸形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單刀單擲真空繼電器，其特征在于所述陶瓷點(diǎn)(5)為陶瓷真空室(1)底面朝向開(kāi)口處延伸形成。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種單刀單擲真空繼電器，包括陶瓷真空室和密封穿設(shè)在真空室的側(cè)壁上的若干接觸點(diǎn)桿，其中一個(gè)接觸點(diǎn)桿朝向真空室內(nèi)的一端上定位有接觸片，其余接觸點(diǎn)桿朝向真空室內(nèi)的一端上設(shè)有接觸點(diǎn)，陶瓷真空室呈開(kāi)口圓桶狀，穿設(shè)在真空室的側(cè)壁上的接觸點(diǎn)桿為兩個(gè)，一個(gè)接觸點(diǎn)桿上設(shè)有開(kāi)槽接觸點(diǎn)，開(kāi)槽接觸點(diǎn)定位接觸接觸片一端，另一個(gè)接觸點(diǎn)桿上設(shè)有接觸點(diǎn)，真空室的內(nèi)壁上向形成有一對(duì)應(yīng)接觸點(diǎn)的陶瓷點(diǎn)，接觸片另一端位于接觸點(diǎn)和陶瓷點(diǎn)之間，即接觸片、接觸點(diǎn)與陶瓷點(diǎn)之間形成傳統(tǒng)單刀雙擲真空繼電器布局。此結(jié)構(gòu)基本保持了同等級(jí)單刀雙擲陶瓷真空繼電器外形，重新設(shè)計(jì)陶瓷件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，可快速將單刀雙擲繼電器改進(jìn)為單刀單擲繼電器。
文檔編號(hào)H01H50/00GK102237223SQ20101016688
公開(kāi)日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2010年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月30日
發(fā)明者覃奀垚 申請(qǐng)人:昆山國(guó)力真空電器有限公司