專(zhuān)利名稱(chēng)：基板保持部件、基板搬送臂和基板搬送裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在涂敷膜形成裝置等中搬送基板的基板搬送裝置，在該基板搬送裝置 中所具 備的基板搬送臂，和安裝在該基板搬送臂的基板保持部件。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造工藝中的光刻工序中，進(jìn)行例如在半導(dǎo)體晶片等的基板(以 下稱(chēng)作“晶片”。)上涂敷抗蝕劑液形成抗蝕劑膜的抗蝕劑涂敷處理、將抗蝕劑膜曝光為規(guī) 定的圖案的曝光處理、對(duì)曝光后的抗蝕劑膜進(jìn)行顯影的顯影處理，在晶片上形成規(guī)定的抗 蝕劑圖案。作為能夠自動(dòng)化地進(jìn)行這樣的一系列的處理的裝置，存在組合有通過(guò)接口部交接 晶片的處理部和曝光裝置的涂敷膜形成裝置。處理部例如將涂敷單元、顯影單元、清洗單 元、加熱/冷卻系統(tǒng)單元層積為架狀，在各單元之間交接晶片，以規(guī)定的順序進(jìn)行一系列的 處理。為了在這樣的各單元之間交接晶片，處理部具備搬送晶片的基板搬送裝置。基板搬送裝置具備自由伸縮的且在各單元內(nèi)部自由進(jìn)退的基板搬送臂，通過(guò)基板 搬送臂，在各單元之間進(jìn)行晶片的交接。在基板搬送臂安裝有基板保持部件，該基板保持部 件包括當(dāng)保持晶片時(shí)與晶片的端面抵接而限制晶片的偏移的限制部和傾斜部，該傾斜部 具有相比于限制部與晶片的端面抵接的面向水平方向傾斜的傾斜面，并且當(dāng)保持晶片時(shí)用 該傾斜面與晶片的端面抵接(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。另外，在包括傾斜部的基板保持部件中設(shè)置有傾斜部，該傾斜部在具有從水平面 起的傾斜角較大的面的限制部的上方側(cè)，具有從水平面起的傾斜角更小的傾斜面，將晶片 的端面與傾斜部的傾斜面抵接的同時(shí)將晶片引導(dǎo)至下方側(cè)的限制部，能夠在將晶片的端面 與限制部抵接的狀態(tài)下進(jìn)行對(duì)位(例如參照專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2003-282670號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)2004-273847號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
但是，在安裝有上述這樣的基板保持部件的基板搬送臂和具備基板搬送臂的基板 搬送裝置中，存在如下所述的問(wèn)題。首先，由于搬送晶片時(shí)的碰撞，基板保持部件有磨損的問(wèn)題?，F(xiàn)今，晶片大口徑化， 晶片的搬送速度高速化。由于晶片的慣性大，因此在進(jìn)行基板搬送臂的伸縮動(dòng)作時(shí)，存在晶 片以較大的力擠壓基板保持部件，基板保持部件受到晶片的碰撞的情況。這樣，每當(dāng)進(jìn)行伸 縮動(dòng)作時(shí)，基板保持部件受到晶片的碰撞，因此在晶片與基板保持部件抵接的地方，存在基 板保持部件的磨損量較大的問(wèn)題。另外，存在附著于所搬送的晶片的藥液與基板保持部件接觸，從而使基板保持部 件和此后搬送的晶片受到污染的問(wèn)題。在晶片的上表面涂敷有抗蝕劑等的藥液的狀態(tài)下， 端面的上表面?zhèn)纫踩菀赘街刮g劑等的藥液。于是，在端面的上表面?zhèn)雀街锌刮g劑等的藥液的狀態(tài)下搬送晶片時(shí)，抗蝕劑等的藥液容易附著于基板保持部件。當(dāng)藥液附著于基板 保持部件時(shí)，以藥液的狀態(tài)、或以藥液干燥而形成微粒的狀態(tài)，附著于此后搬送的晶片的端 面的上表面?zhèn)龋虼舜撕蟮木艿轿廴?。由于晶片受到污染，成為曝光或顯影工序中各種 不良狀況等的原因，存在制造成品率降低的問(wèn)題。另外，使限制部和傾斜部與晶片的端面抵接的面成為與水平面大致垂直時(shí)，在交接時(shí)晶片容易脫離基板搬送臂，存在晶片交接時(shí)不能夠高精度地對(duì)準(zhǔn)的問(wèn)題。另一方面，在使傾斜部與晶片的端面抵接的傾斜面相對(duì)于水平面的傾斜角較小 的情況下，在晶片搭載在傾斜部時(shí)，存在晶片可能從基板保持部件凸出的問(wèn)題。如上述那 樣，晶片的慣性較大，基板搬送臂的伸縮動(dòng)作的速度也較大，因此通過(guò)基板搬送臂的伸縮動(dòng) 作使得晶片脫離規(guī)定的位置而搭載在傾斜部上的情況下，在此后的基板搬送臂的伸縮動(dòng)作 時(shí)，晶片有可能進(jìn)一步向基板搬送臂的外側(cè)方向移動(dòng)而凸出。本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題而完成，其目的在于，提供具備減低磨損量、防止污染、提高 對(duì)準(zhǔn)精度、防止凸出的功能的基板保持部件、基板搬送臂和基板搬送裝置。為了解決上述課題，本發(fā)明的特征在于采用了下面記述的各種方案。本發(fā)明的第一方面為一種基板保持部件，其安裝于基板搬送裝置的基板搬送臂， 用于載置基板的周邊而保持該基板，該基板保持部件的特征在于包括與基板的背面抵接 而保持該基板的背面保持部；和與基板的端面抵接的端面抵接部，其中，上述端面抵接部包 括具有R形狀(倒圓形狀)，與上述基板的端面抵接而限制該基板的偏移的R形狀(倒圓 形狀)部；和設(shè)置在上述R形狀(倒圓形狀)部的上方側(cè)的、形成為檐狀的懸突部。本發(fā)明的第二方面是在本發(fā)明的第一方面的基板保持部件中，上述R形狀(倒圓 形狀)部的與上述基板的端面抵接的面為傾斜面。本發(fā)明的第三方面是一種基板保持部件，其安裝于基板搬送裝置的基板搬送臂， 用于載置基板的周邊而保持該基板，基板保持部件的特征在于包括與基板的背面抵接而 保持該基板的背面保持部；與基板的端面抵接的端面抵接部；和安裝有上述背面保持部和 上述端面保持部，并能夠一體地安裝于上述基板搬送臂的基板保持部件主體部，上述端面 抵接部，在所載置的基板的半徑方向上能夠變形地被安裝于上述基板保持部件主體部。本發(fā)明的第四方面是在本發(fā)明的第三方面的基板保持部件中，上述端面抵接部的 水平截面形成為薄壁形狀。本發(fā)明的第五方面是在本發(fā)明的第三方面的基板保持部件中，上述端面抵接部的 水平截面形成為曲折狀。本發(fā)明第六方面是一種基板保持部件，其安裝于基板搬送裝置的基板搬送臂，用 于載置基板的周邊而保持該基板，該基板保持部件的特征在于包括與基板的背面抵接而 保持該基板的背面保持部；和與基板的端面抵接的端面抵接部，其中，上述背面保持部，具 有沿所載置的基板的半徑方向的縱截面形狀為凸形的抵接部。本發(fā)明的第七方面是在本發(fā)明的第六方面的基板保持部件中，上述背面保持部， 具有多個(gè)沿所載置的基板的半徑方向的縱截面形狀為凸形的抵接部。本發(fā)明的第八方面是一種基板搬送臂，其安裝有本發(fā)明第一方面至第七方面的任 一項(xiàng)所述的基板保持部件。本發(fā)明第九方面是一種基板搬送裝置，其具備本發(fā)明第八方面所述的基板搬送臂。發(fā)明的效果 根據(jù)本發(fā)明，在基板保持部件、基板搬送臂和基板搬送裝置中，能夠具備減低磨損 量、防止污染、提高對(duì)準(zhǔn)精度、防止凸出的功能。


圖1為表示具備本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板搬送裝置的涂敷膜形成裝置的全 體結(jié)構(gòu)的平面圖。圖2為表示具備本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板搬送裝置的涂敷膜形成裝置的全 體結(jié)構(gòu)的概略立體圖。圖3為表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板搬送裝置的全體結(jié)構(gòu)的立體圖。圖4為表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板搬送裝置中具備的基板搬送臂的立體 圖。圖5為表示安裝于本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板搬送臂的基板保持部件的立體 圖。圖6為表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板保持部件的側(cè)面圖。圖7為表示基板的端面搭載在本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板保持部件的R形狀部 的傾斜部的狀態(tài)、和基板的端面與R形狀部的限制部抵接的狀態(tài)的側(cè)面圖。圖8為表示基板的端面搭載在現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件的傾斜部的狀態(tài)的側(cè)面 圖。圖9為表示涂敷有藥液的基板被保持在本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板保持部件 的狀態(tài)的側(cè)面圖。圖10為表示涂敷有藥液的基板被保持在現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件的狀態(tài)的側(cè)面 圖。圖11為表示藥液、微粒附著于本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板保持部件的狀態(tài)的 側(cè)面圖。圖12為表示藥液、微粒附著于現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件的狀態(tài)的側(cè)面圖。圖13為表示在本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板保持部件中，通過(guò)懸突部防止基板 凸出的狀態(tài)的側(cè)面圖。圖14為表示在現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件中，基板從基板保持部件凸出的狀態(tài)的 側(cè)面圖。圖15為表示涂敷有藥液的基板被保持在本發(fā)明的第一實(shí)施方式的變形例的基板 保持部件的狀態(tài)的側(cè)面圖。圖16為表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的安裝于基板搬送臂的基板保持部件立體 圖。圖17為本發(fā)明的第二實(shí)施方式的基板保持部件的端面抵接部附近的擴(kuò)大立體 圖。圖18為現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件的端面抵接部附近的擴(kuò)大立體圖。圖19為從下方側(cè)觀察本發(fā)明的第二實(shí)施方式的變形例的基板保持部件的端面抵接部附近的擴(kuò)大立體圖。圖20為表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的安裝于基板搬送臂的基板保持部件的立體 圖。圖21為本發(fā)明的第三實(shí)施方式的基板保持部件的背面保持部的抵接部附近的擴(kuò) 大立體圖。圖22是現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件的背面保持部的抵接部附近的擴(kuò)大立體圖。圖23為本發(fā)明的第三實(shí)施方式的第一變形例的基板保持部件的背面保持部的抵 接部附近的擴(kuò)大立體圖。圖24為本發(fā)明的第三實(shí)施方式的第二變形例的基板保持部件的背面保持部的抵 接部附近的平面圖。符號(hào)說(shuō)明21載體載置部22交接單元23涂敷單元24顯影單元25清洗單元26加熱單元27冷卻單元28交接單元29交接單元3基板搬送裝置30內(nèi)邊緣31基板搬送臂32 基臺(tái)3加引導(dǎo)槽33、34 導(dǎo)軌3δ、36連接部件37旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部38旋轉(zhuǎn)軸部4、4a 4d基板保持部件 5、5d 5f背面保持部51背面保持部主體部52、52d 52f 抵接部6、6a 6d端面抵接部61、61a 61d 限制部62、62a 62d 傾斜部7基板保持部件主體部71上表面部72側(cè)面部
73貫通孔8R形狀部(倒圓形狀部)
81懸突部A附著物Bl載體塊B2處理部B3 接口部B4曝光裝置C 載體Dl、D2水平距離H1、H2 高度PF0、PF1、PF2 平面PR 藥液U1、U2 架單元W 晶片θ 1、θ 2、θ 3、θ 4 傾斜角
具體實(shí)施例方式接著，針對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式參照附圖一并進(jìn)行說(shuō)明。(第一實(shí)施方式)首先，參照?qǐng)D1至圖14，針對(duì)第一實(shí)施方式的基板搬送裝置、基板搬送臂和基板保 持部件進(jìn)行說(shuō)明。首先，針對(duì)具備本實(shí)施方式的基板搬送裝置的涂敷膜形成裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖1是 表示具備本實(shí)施方式的基板搬送裝置的涂敷膜形成裝置的全體結(jié)構(gòu)的平面圖，圖2是其概 略立體圖。涂敷膜形成裝置具有載體塊(block)Bl、處理部Β2、接口部Β3、曝光裝置Β4、架單 元 U1、U2。載體塊Bl為用于將例如收納有25片晶片W的載體C搬入搬出的載體塊。載體塊 Bl具備載置載體C的載體載置部21和交接單元22。交接單元22被形成為能夠左右、前后地自由移動(dòng)、自由升降、繞垂直軸自由轉(zhuǎn)動(dòng)， 從而能夠?qū)⒕琖從載體C取出，并將所取出的晶片W向設(shè)置在載體塊Bl的里側(cè)的處理部 B2交接。在處理部B2的中央設(shè)置有基板搬送裝置3，例如在從載體塊Bl向里側(cè)觀察的情況 下，以包圍基板搬送裝置3的方式，例如在右側(cè)配置涂敷單元23和顯影單元24，在左側(cè)配置 清洗單元25，在跟前側(cè)、里側(cè)分別配置有架單元Ul、U2，該架單元Ul、U2多段地層積有加熱 /冷卻系統(tǒng)的單元等。涂敷單元23為向晶片W涂敷抗蝕劑液的單元。顯影單元24是使顯 影液在曝光后的晶片W上浸滿(mǎn)(液盛>9、puddle)并在規(guī)定的時(shí)間保持該狀態(tài)而進(jìn)行顯影 處理的單元。清洗單元25是在涂敷抗蝕劑液前用于清洗晶片W的單元。架單元U1、U2由多個(gè)單元堆積而構(gòu)成，例如圖2所示那樣，加熱單元26、冷卻單元27以及晶片W的交接單元28等被上下分配?；灏崴脱b置3構(gòu)成為能夠自由升降、自由進(jìn)退和繞鉛直軸自由旋轉(zhuǎn)，具有在架單元Ul、U2和涂敷單元23，顯影單元24和清洗單元25之 間搬送晶片W的作用。但是，在圖2中，為了方便，未表示交接單元22和基板搬送裝置3。處理部B2通過(guò)接口部B3與曝光裝置B4連接。接口部B3具備交接單元29，交接 單元29例如構(gòu)成為能夠自由升降、向左右、前后自由地移動(dòng)且繞鉛直軸自由地旋轉(zhuǎn)，在處 理塊B2與曝光裝置B4之間進(jìn)行晶片W的交接。接著，對(duì)涂敷膜形成裝置中晶片W的流向進(jìn)行說(shuō)明。首先載體C從外部被搬入至 載體載置部21，由交接單元22從載體C內(nèi)取出晶片W。晶片W從交接單元22通過(guò)架單元 Ul的交接單元28被交接至基板搬送裝置3，并依次向規(guī)定的單元搬送。例如，在清洗單元 25中進(jìn)行規(guī)定的清洗處理，在加熱單元26之一中進(jìn)行加熱干燥之后，在冷卻單元27中被調(diào) 整至規(guī)定的溫度，在涂敷單元23中進(jìn)行在溶劑中溶解有涂敷膜的成分的抗蝕劑液的涂敷 處理。晶片W在加熱單元26之一中進(jìn)行預(yù)烘焙處理后，在冷卻單元27之一中被調(diào)整至 規(guī)定的溫度。接著由基板搬送裝置3經(jīng)由架單元U2的交接單元28被交接至接口部B3的交 接單元29，通過(guò)交接單元29搬送至曝光裝置B4，進(jìn)行規(guī)定的曝光處理。此后晶片W經(jīng)由接 口部B3被搬送至處理部B2，在加熱單元26之一中進(jìn)行曝光后烘焙(post-exposure bake) 處理。接著，在冷卻單元27中進(jìn)行冷卻和溫度調(diào)整至規(guī)定的溫度后，在顯影單元24中被浸 滿(mǎn)顯影液，進(jìn)行規(guī)定的顯影處理。這樣一來(lái)，形成有規(guī)定的圖案的晶片W，通過(guò)基板搬送裝置 3、載體塊Bl的交接單元22，例如返回到原來(lái)的載體C內(nèi)。接著，參照?qǐng)D3，針對(duì)基板搬送裝置3進(jìn)行說(shuō)明。圖3是表示本實(shí)施方式的基板搬 送裝置的全體結(jié)構(gòu)的立體圖?；灏崴脱b置3具備保持晶片W的基板保持臂31 ；支撐基板保持臂31使其能夠 自由進(jìn)退的基臺(tái)32 ；支撐基臺(tái)32使其能夠自由升降的一對(duì)導(dǎo)軌33、34 ；將導(dǎo)軌33、34的上 端和下端分別連接的連接部件35、36，為了驅(qū)動(dòng)由導(dǎo)軌33、34和連接部件35、36構(gòu)成的框體 使其能夠繞鉛直軸自由地旋轉(zhuǎn)而一體地安裝于導(dǎo)軌33、34下端的連接部件36的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng) 部37 ；和設(shè)置在導(dǎo)軌33、34上端的連接部件35的旋轉(zhuǎn)軸部38?；灏崴捅?1，以能夠分別保持基板W的方式構(gòu)成為3段，基板搬送臂31的基端 部構(gòu)成為能夠沿著設(shè)置在基臺(tái)32的長(zhǎng)邊方向上的引導(dǎo)槽32a滑動(dòng)。該滑動(dòng)的臂31導(dǎo)致的 進(jìn)退移動(dòng)、基臺(tái)32的升降移動(dòng)，分別通過(guò)另外的未圖示的驅(qū)動(dòng)部驅(qū)動(dòng)。于是這些未圖示的 2個(gè)驅(qū)動(dòng)部、引導(dǎo)槽32a、導(dǎo)軌33、34和旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部37構(gòu)成能夠大致繞鉛直軸自由旋轉(zhuǎn)地、 自由升降地、并且自由進(jìn)退地驅(qū)動(dòng)臂31的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)由未圖示的控制部根據(jù)搬送 程序被驅(qū)動(dòng)控制。接著，參照?qǐng)D4，對(duì)基板保持臂31進(jìn)行說(shuō)明。圖4是表示本實(shí)施方式的基板搬送裝 置中具備的基板搬送臂的立體圖。例如圖4所示，基板保持臂31的內(nèi)邊緣30，由直徑300mm的圓的圓弧的一部分構(gòu) 成，在基板搬送臂31的內(nèi)邊緣30的4個(gè)位置，設(shè)置有用于保持晶片W的周邊的4個(gè)基板保 持部件4。在圖4所示的例子中，在基板搬送臂31的內(nèi)邊緣30的圓弧的中心位置與晶片W 的中心位置一致的狀態(tài)下，在晶片W被保持在基板搬送臂31上的位置，安裝有4個(gè)基板保 持部件4。
此外，在本實(shí)施方式中，表示了在基板搬送臂31的4個(gè)位置安裝有4個(gè)基板保持 部件4的例子，但只要基板保持部件4被安裝在能夠保持晶片W的范圍內(nèi)即可，也可以安裝 在3處或5處以上的位置。另外，在基板保持部件4被安裝在基板搬送臂31的內(nèi)邊緣30的任意位置的情況下，優(yōu)選被保持的晶片W的中心位于將所安裝的全部基板保持部件4連結(jié)而形成的多邊形 的內(nèi)側(cè)。接著，參照?qǐng)D5和圖6，對(duì)基板保持部件進(jìn)行說(shuō)明。圖5是表示本實(shí)施方式的在基 板搬送臂安裝有基板保持部件的立體圖。圖6是本實(shí)施方式的基板保持部件的側(cè)面圖?；灞３植考?，例如按照如圖5所示那樣構(gòu)成?；灞３植考?是用于通過(guò)載置 晶片(基板)的周邊而保持晶片(基板)的部件，具有與晶片(基板)的背面抵接而保持 晶片(基板)的背面保持部5 ；與晶片(基板)的端面抵接的端面抵接部6 ；和安裝在背面 保持部5和端面抵接部6的、能夠與背面保持部5和端面抵接部6 —體地安裝于基板搬送 臂31的基板保持部件主體部7?；灞３植考黧w部7安裝于基板搬送臂31的具有圓弧形狀的內(nèi)邊緣30，因此為 具有與基板搬送臂31的內(nèi)邊緣30的曲率大致相等的圓弧形狀的部件?；灞３植考黧w 部7由上表面部71和側(cè)面部72形成，其中上述上表面部71具有圓弧形狀并且與基板搬送 臂31的內(nèi)邊緣30的上表面相接觸，上述側(cè)面部72與上表面部71 —體地設(shè)置為圓弧形狀 并且按照覆蓋基板搬送臂31的內(nèi)邊緣30的側(cè)面的方式設(shè)置。如圖5所示，在上表面部71 設(shè)置有多個(gè)貫通孔73，例如用螺釘與設(shè)置在基板搬送臂31的上表面的螺紋進(jìn)行螺釘固定。背面保持部5具有背面保持部主體部51和抵接部52，上述背面保持部主體部51 在具有圓弧形狀的基板保持部件主體部7的側(cè)面部72，按照向所載置的晶片(基板)的半 徑方向中心側(cè)(基板搬送臂31的中心側(cè))伸出的方式設(shè)置，上述抵接部52安裝在背面保 持部主體部51的上表面，并且與晶片(基板)的背面抵接。另外，背面保持部主體部51和 抵接部52也可以與基板保持部件主體部7 —體地形成。抵接部52按照從背面保持部主體 部51向上方突出的方式設(shè)置。圖5所示的一例中，背面保持部5設(shè)置在基板保持部件主體 部7的沿基板搬送臂31的內(nèi)邊緣30的方向的大致中心的1處。如圖6所示，端面抵接部6包括具有R形狀(倒圓形狀)，并且與晶片(基板)的 端面抵接而限制晶片(基板)的偏移的R形狀部8 ；和設(shè)置在R形狀部8的上方側(cè)的、形成 為檐狀的懸突部81。在圖5所示的一例中，R形狀部8和懸突部81，設(shè)置在基板保持部件 主體部7的沿基板搬送臂31的內(nèi)邊緣30方向的兩端的2處。R形狀部8具有下方側(cè)部分，即傾斜角較大具有與晶片抵接的面的限制部61 ；和 上方側(cè)部分，即傾斜角較小具有傾斜面的傾斜部62。從限制部61的與晶片抵接的面至傾斜 部62的傾斜面，從下方側(cè)沿向上方側(cè)的方向與水平面的傾斜角連續(xù)減小。另外，限制部61 的與晶片抵接的面和傾斜部62的傾斜面都為大致平坦的面，傾斜部62的傾斜面的與水平 面的傾斜角比限制部61的與晶片抵接的面的與水平面的傾斜角小，在限制部61和傾斜部 62的邊界附近，按照無(wú)角而具有平滑的形狀的方式連續(xù)地形成也可以。令限制部61下端的與晶片抵接的面的與水平面的傾斜角為θ 1，令傾斜部62上端 的傾斜面的與水平面的傾斜角為02。此時(shí)，使θ 1、θ 2形成為90°以下并且使θ 1 > θ 2。 另外，更加優(yōu)選為能夠使θ 1為80°以90°以下，使Θ2為40°以上80°以下，并且使Θ1> θ 2。 另外，R形狀部8也可以為從下方側(cè)至上方側(cè)具有規(guī)定的曲率的曲面?；蛘撸琑形 狀部8，也可以為曲率從下方側(cè)至上方側(cè)不為固定，而是沿從下方側(cè)向上方側(cè)的方向曲率減 少的曲面?；蛘?，R形狀部8也可以為，在限制部61從下方側(cè)向上方側(cè)曲率暫且增大，在限制 部61和傾斜部62的邊界附近曲率達(dá)到最大之后，在傾斜部62曲率隨著向上方側(cè)而減少?；蛘撸部梢允荝形狀部8的沿著所載置的晶片的半徑方向的截面形狀，包括近似 地以二次曲線表達(dá)的形狀。例如，也可以使R形狀部8的沿載置的晶片的半徑方向的截面 中的水平方向?yàn)棣州S、垂直方向?yàn)閥軸，使朝向載置的晶片的半徑方向外周側(cè)(基板搬送臂 31的外周側(cè))的方向?yàn)棣州S的正方向，使垂直方向上方側(cè)為y軸的正方向。此時(shí)，在R形狀 部8的截面形狀的一部分包括近似以χ = ay2+b(a、b為常數(shù))表達(dá)的形狀。另外，也可以 包括以擺線曲線、最速降線(brachistochrone)曲線表達(dá)的形狀。懸突部81設(shè)置在R形狀部8的上方側(cè)，為形成為檐狀的部分。作為R形狀部8的 上方側(cè)的傾斜部62的上方側(cè)的部分，被形成為從位于所載置的晶片的半徑方向外周側(cè)(基 板搬送臂31的外周側(cè))的部分，朝向所載置的晶片的半徑方向中心側(cè)(基板搬送臂31的 中心側(cè))伸出為檐狀。在此，如圖6所示，在截面中，使限制部61的下端與傾斜部62的上端之間的、沿所 載置的晶片的半徑方向的水平距離為D1，另外使傾斜部62的上端與懸突部81的最長(zhǎng)伸出 部分之間的、沿所載置的晶片的半徑方向的水平距離為D2。在本實(shí)施方式中，例如能夠使 Dl 為 3mm 10mm，D2 為 0. 3mm 2mm。另外，使R形狀部8的高度為H1，使懸突部81的高度為H2時(shí)，例如能夠使Hl為 5mm 15mm，使 H2 為 Imm 4mm。此外，作為安裝于基板搬送臂31的4個(gè)基板保持部件4，可以使用4個(gè)均為相同形 狀的部件。另外，對(duì)于4個(gè)之中的一部分，在其他的實(shí)施方式和變形例的任意一個(gè)中，也可 以混合使用如后文敘述的具有不同形狀的部件。另外，作為基板保持部件4的材質(zhì)，能夠使用PBI (聚苯并咪唑)、PEEK(聚醚醚 酮)、含有碳的PEEK(聚醚醚酮)、AURUM(才一，△，商品名三井化學(xué)公司制作)等。另外，如圖4所示，4個(gè)基板保持部件4能夠安裝在基板搬送臂31的內(nèi)邊緣30的 相互大致等間距分離的4處?；蛘撸灰够灏崴捅?1的內(nèi)邊緣30的中心被包括在將4 個(gè)基板保持部件4的各自的背面保持部5連接而形成的四邊形的內(nèi)部，則能夠設(shè)置在基板 搬送臂31的內(nèi)邊緣30的任意位置。接著，參照?qǐng)D7至圖12，針對(duì)本實(shí)施方式的基板保持部件的減低磨損量、防止污 染、提高對(duì)準(zhǔn)精度、防止凸出的功能進(jìn)行說(shuō)明。首先，參照?qǐng)D7和圖8，對(duì)本實(shí)施方式的基板保持部件的提高對(duì)準(zhǔn)精度的作用效果 進(jìn)行說(shuō)明。圖7(a)是表示基板的端面搭載在本實(shí)施方式的基板保持部件的R形狀部的傾 斜部上的狀態(tài)的側(cè)面圖。圖7(b)表示基板的端面與本實(shí)施方式的基板保持部件的R形狀 部的限制部抵接的狀態(tài)。圖8是表示基板的端面搭載在現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件的傾斜部 的狀態(tài)的側(cè)面圖。以使用本實(shí)施方式的安裝有基板保持部件4的基板搬送臂31，將晶片W保持在處理部B2的各處理單元時(shí)，從規(guī)定的處理單元的例如升降銷(xiāo)等的交接單元接受晶片W的情況 為例進(jìn)行說(shuō)明。在該情況下，使基板搬送臂31位于由多個(gè)例如4個(gè)升降銷(xiāo)保持的晶片W的 下方側(cè)的規(guī)定位置，通過(guò)使升降銷(xiāo)下降，從升降銷(xiāo)向基板搬送臂31交接晶片W，使晶片W的 周邊分別位于4個(gè)基板保持部件4。另外，在下文中，針對(duì)在基板搬送臂31的內(nèi)邊緣30大 致均勻地設(shè)置有4個(gè)基板保持部件4的情況進(jìn)行說(shuō)明。也就是說(shuō)，4個(gè)基板保持部件4，按 照相互之間與隔1個(gè)的基板保持部件4以所載置的晶片的中心(基板搬送臂31的中心) 為中心相對(duì)的方式設(shè)置。如圖7(a)所示，存在如下情況晶片W的中心從基板搬送臂31的中心偏心，在某 個(gè)基板保持部件4，在晶片W的一端與端面抵接部6的R形狀部8的傾斜部62抵接的狀態(tài) 下被交接的情況。在這樣的狀態(tài)下，該晶片W的一端，不與基板保持部件4的端面抵接部6 的R形狀部8的限制部61、和背面保持部5的抵接部52抵接。另外，在與該基板保持部件 4夾著晶片中心相對(duì)的基板保持部件4，晶片W的另一端與端面抵接部6的R形狀部8的傾 斜部62、限制部61均不抵接，而與背面保持部5的抵接部52抵接。晶片W在這樣的狀態(tài)下 被交接時(shí)，晶片W的一端由于自重而沿傾斜部62的傾斜面向基板保持臂31的中心側(cè)滑落 的同時(shí)進(jìn)行移動(dòng)。此后，如圖7(b)所示，晶片W的中心移動(dòng)至與基板搬送臂31的中心大致 一致的位置，晶片W的背面被保持在各基板保持部件4的背面保持部5，晶片W的端面與各 基板保持部件4的端面抵接部6的R形狀部8的限制部61抵接，晶片W以水平方向的位置 被限制的狀態(tài)被保持。像這樣被定位的狀態(tài)下，晶片W被搬送到下一個(gè)單元或下一個(gè)工序。在本實(shí)施方式中，R形狀部8的與晶片抵接的面，與水平面的傾斜角沿著從下方側(cè)向上方側(cè)的方向連續(xù)地減少。因此，如圖7(a)和圖7(b)所示，一旦在傾斜部62的傾斜面 開(kāi)始滑落的晶片W，在途中不停止，而能夠漸漸地在傾斜部62的傾斜面滑落并準(zhǔn)確地移動(dòng) 至與限制部61抵接的位置。另一方面，在現(xiàn)有技術(shù)下的基板保持部件104中，不能夠?qū)⒕瑴?zhǔn)確地引導(dǎo)移動(dòng) 至與限制部抵接的位置。如圖8所示，對(duì)不具有R形狀部的現(xiàn)有技術(shù)下的基板保持部件104 進(jìn)行說(shuō)明。現(xiàn)有的基板保持部件104具有由背面保持部主體部151與抵接部152形成的 背面保持部105 ；和由下方側(cè)的限制部161與上方側(cè)的傾斜部162形成的端面抵接部106。 但是，現(xiàn)有的基板保持部件104，在限制部161和傾斜部162之間具有角部E。因此，在晶片 W從限制部161脫離而搭載在傾斜部162上之后，再被引導(dǎo)移動(dòng)至與限制部161抵接的位置 時(shí)，晶片W有可能停留在角部E。像這樣，本實(shí)施方式的基板保持部件，與現(xiàn)有技術(shù)的基板保 持部件相比，能夠提高交接所保持的晶片W時(shí)的對(duì)準(zhǔn)精度。接著，參照?qǐng)D9和圖10，對(duì)于在本實(shí)施方式的基板保持部件中，能夠防止由于附著 于晶片的藥液造成的污染的作用效果進(jìn)行說(shuō)明。圖9是表示涂敷有藥液的基板被保持在本 實(shí)施方式的基板保持部件的狀態(tài)的側(cè)面圖。圖10是表示涂敷有藥液的基板被保持在現(xiàn)有 技術(shù)下的基板保持部件的狀態(tài)的側(cè)面圖。此外，在圖9中未表示出懸突部81。如圖9所示，在本實(shí)施方式的基板保持部件4，R形狀部8的下方側(cè)的限制部61與 晶片W的端面抵接的面為相對(duì)于與水平面垂直的面(從水平面起的傾斜角為90°的面)傾 斜的傾斜面。因此幾乎不存在附著于晶片W的上表面的藥液I3R附著于限制部61的可能性。另一方面，在現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件104中，涂敷在晶片W的上表面的藥液ra 有可能附著于限制部61。在現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件104中，如圖10所示，下方側(cè)的限制部161的與晶片W的端面抵接的面大致垂直于水平面，因此涂敷在晶片W的上表面的藥液 PR附著于限制部161。像這樣，本實(shí)施方式的基板保持部件與現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件相 比，能夠防止來(lái)自晶片的藥液的附著。接著，參照?qǐng)D11和圖12，對(duì)于在本實(shí)施方式的基板保 持部件中，所搬送的晶片不 被污染的作用效果進(jìn)行說(shuō)明。圖11是表示藥液、微粒附著于本實(shí)施方式的基板保持部件的 狀態(tài)的側(cè)面圖。圖12是表示藥液、微粒附著于現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件的狀態(tài)的側(cè)面圖。 此外，在圖11中未表示出懸突部81。如圖11所示，本實(shí)施方式的基板保持部件4，按照在R形狀部8的下方側(cè)的限制 部61與上方側(cè)的傾斜部62之間斜率連續(xù)地變化的方式形成，在限制部61和限制部62之 間不存在角部。因此，在晶片W搭載在傾斜部62上時(shí)等，藥液即使附著于傾斜部62的傾斜 面，藥液或藥液干燥生成的微粒等的附著物A容易滑落至限制部61的下端，在傾斜部62的 傾斜面，藥液或藥液干燥生成的微粒等的附著物A難以殘留。因此，幾乎不存在附著物A附 著于此后所搬送的晶片的可能性。另一方面，在現(xiàn)有的基板保持部件104中，附著物有可能附著于此后所搬送的晶 片。如圖12所示，在現(xiàn)有的基板保持部件104中，在限制部161與傾斜部162之間存在角部 E，因此附著于傾斜部162的傾斜面的藥液或藥液干燥生成的微粒等的附著物A容易殘留在 角部E。如果附著物A殘留在角部E，在接下來(lái)所搬送的晶片被從傾斜部162向限制部161 引導(dǎo)移動(dòng)時(shí)，附著物A很可能附著于晶片。像這樣，本實(shí)施方式的基板保持部件，與現(xiàn)有技 術(shù)的基板保持部件相比，幾乎不存在所搬送的晶片被污染的可能性。接著，參照?qǐng)D13和圖14，對(duì)于在本實(shí)施方式的基板保持部件中，能夠防止晶片W從 基板保持部件凸出的作用效果進(jìn)行說(shuō)明。圖13為表示在本實(shí)施方式的基板保持部件中，通 過(guò)懸突部防止基板凸出的狀態(tài)的側(cè)面圖。圖14為表示在現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件中，基板 從基板保持部件凸出的狀態(tài)的側(cè)面圖。在本實(shí)施方式中，如圖13所示，在R形狀部8的上方側(cè)設(shè)置有懸突部81。因此，例 如在晶片交接時(shí)搭載在傾斜部62上的晶片W，即使進(jìn)一步通過(guò)基板搬送臂31的伸縮動(dòng)作而 在基板搬送臂31的外周側(cè)方向上受到力，晶片W的端面也被懸突部81卡止，不會(huì)繼續(xù)向基 板搬送臂31的外周側(cè)移動(dòng)。另一方面，在現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件104中，搭載在傾斜部162上的晶片的端面 未被卡止。如圖14所示，在現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件104中，在傾斜部162的上方側(cè)沒(méi)有 設(shè)置懸突部。因此例如在晶片的交接時(shí)搭載在傾斜部162上的晶片W，進(jìn)一步在基板搬送臂 31的外周側(cè)方向上受到力的情況下，容易從基板搬送臂31脫離。因此，本實(shí)施方式的基板保持部件，與現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件相比，能夠防止晶 片從基板保持部件凸出。此外，在本實(shí)施方式中，R形狀部8的限制部61與晶片W的端面抵接的面為相對(duì)于 與水平面垂直的面傾斜的傾斜面。但是，只要從下方側(cè)至上方側(cè)限制部61和傾斜部62平 滑地連續(xù)形成，傾斜部62的傾斜面與水平面的傾斜角沿著從下方側(cè)向上方側(cè)的方向減少， 則限制部61與晶片W的端面抵接的面也可以為相對(duì)于水平面垂直的面。限制部61與晶片 W的端面抵接的面為相對(duì)于水平面垂直的面的情況，相比于限制部61與晶片W的端面抵接 的面為相對(duì)于與水平面垂直的面而傾斜的傾斜面的情況相比，藥液附著的可能性提高。但是，由于限制部61和傾斜部62平滑地連續(xù)形成，因此從搭載在傾斜部62上的晶片W附著 的藥液或藥液干燥生成的微粒等的附著物A容易滑落至R形狀部8的下端。因此，能夠減 少藥液、微粒向接下來(lái)搬送的晶片附著的量。另外，在本實(shí)施方式中，表示了設(shè)置有R形狀部8和懸突部81這兩方的例子。但 是，也可以不設(shè)置R形狀部8和懸突部81這兩方，而僅設(shè)置其中任意一方。在僅設(shè)置有R 形狀部8的情況下，具有減低磨損量、防止污染、提高對(duì)準(zhǔn)精度的功能。另外，在僅設(shè)置懸突 部81的情況下，具有防止凸出的功能。
(第一實(shí)施方式的變形例)接著，參照?qǐng)D15，對(duì)第一實(shí)施方式的基板保持部件的變形例進(jìn)行說(shuō)明。圖15是表示在本變形例的基板保持部件中保持有涂敷有藥液的基板的狀態(tài)的側(cè) 面圖。此外，在圖15中未表示出懸突部81。本變形例的基板保持部件，在基板抵接部，下方側(cè)的限制部的與晶片抵接的面、和 上方側(cè)的傾斜部的傾斜面，均為相對(duì)于水平面以不同的傾斜角傾斜的平面，并非一體地形 成R形狀部，這一點(diǎn)與第一實(shí)施方式的基板保持部件不同。如圖15所示，本變形例的基板保持部件4a，限制部61a相對(duì)于與水平面垂直的面 傾斜。也就是說(shuō)，限制部61a的相對(duì)于水平面的傾斜角比90°小。因此，附著于晶片W的上 表面的藥液I3R幾乎不存在附著于限制部61a的可能性，在此之后附著于被保持在基板保持 部件4a的晶片的可能性也幾乎不存在。使限制部61a的相對(duì)于水平面的傾斜角為θ 3時(shí)， θ 3優(yōu)選為90°以下，更為優(yōu)選的是80°以上90°以下。另外，使傾斜部62a的相對(duì)于水 平面的傾斜角為Θ4時(shí)，Θ4優(yōu)選為80°以下，更為優(yōu)選的是40°以上80°以下。另一方面，使用圖10進(jìn)行說(shuō)明，在現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件104中，在限制部161 的與晶片W的端面抵接的面垂直于水平面的情況下，附著在晶片W的上表面的藥液附著于 限制部161。因此，本變形例的基板保持部件，與現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件相比，能夠防止來(lái)自 晶片的藥液附著。此外，即使在本變形例的基板保持部件中，也與第一實(shí)施方式的基板保持部件同 樣地，可以在傾斜部的上方側(cè)設(shè)置懸突部。(第二實(shí)施方式)接著，參照?qǐng)D16至圖18，對(duì)第二實(shí)施方式的基板搬送裝置、基板搬送臂和基板保 持部件進(jìn)行說(shuō)明。圖16為表示本實(shí)施方式的安裝于基板搬送臂的基板保持部件的立體圖。圖17為 放大表示本實(shí)施方式的基板保持部件的端面抵接部附近的立體圖。圖18為現(xiàn)有技術(shù)的基 板保持部件的端面抵接部附近的擴(kuò)大立體圖。本實(shí)施方式的基板搬送裝置，安裝于基板搬送臂的基板保持部件與晶片(基板) 的端面抵接的端面抵接部，可在所載置的晶片(基板)的半徑方向上變形地被安裝于基板 保持部件主體部，這一點(diǎn)與第一實(shí)施方式的基板搬送裝置不同。對(duì)于本實(shí)施方式的基板搬送裝置和基板搬送臂，基板保持部件以外的部分與使用 圖1至圖4所說(shuō)明的第一實(shí)施方式的基板搬送裝置和基板搬送臂相同，在此省略說(shuō)明。另 夕卜，在以下的文中，存在對(duì)先前已說(shuō)明過(guò)的部分標(biāo)注相同的符號(hào)而省略說(shuō)明的情況(關(guān)于以下的變形例、實(shí)施方式也同樣)。 設(shè)置在基板搬送臂的4個(gè)基板保持部件4b，例如按照?qǐng)D16所示那樣構(gòu)成?；灞?持部件4b與第一實(shí)施方式同樣地，載置晶片(基板)的周邊而保持晶片(基板)，具有與 晶片(基板)的背面抵接而保持晶片(基板)的背面保持部5;與晶片(基板)的端面抵 接的端面抵接部6b ；安裝有背面保持部5和端面抵接部6b的、能夠與背面保持部5和端面 抵接部6b —體地安裝在基板搬送臂31的基板保持部件主體部7?；灞３植考黧w部7與第一實(shí)施方式同樣地，由上表面部71和側(cè)面部72形成， 其中上述上表面部71具有圓弧形狀、并與基板搬送臂31的內(nèi)邊緣30的上表面相接觸，上 述側(cè)面部72與上表面部71 一體地設(shè)置為圓弧形狀，并按照覆蓋基板搬送臂31的內(nèi)邊緣30 的側(cè)面的方式設(shè)置。在本實(shí)施方式中，如圖16所示，上表面部71設(shè)置有多個(gè)貫通孔73，例 如使用螺釘與設(shè)置在基板搬送臂31的上表面的螺紋進(jìn)行螺釘固定。背面保持部5具備在具有圓弧形狀的基板保持部件主體部7的側(cè)面部72，按照 向所載置的晶片的半徑方向中心側(cè)(基板搬送臂31的中心側(cè))伸出的方式設(shè)置的背面保 持部主體部51 ；和安裝在背面保持部主體部51的上表面的、與晶片(基板)的背面抵接的 抵接部52。另外，抵接部52設(shè)置為從背面保持部主體部51向上方突出。如圖17所示，端面抵接部6b與第一實(shí)施方式不同，具有限制部61b和傾斜部62b， 其中，上述限制部61b為下方側(cè)的部分、即包括與水平面的傾斜角較大并與晶片抵接的接 觸部63b的部分，上述傾斜部62b為上方側(cè)的部分、即包括與水平面的傾斜角較小的傾斜面 的部分。與第一實(shí)施方式不同，在限制部61b與傾斜部62b的邊界附近，也可以設(shè)置有角部 E。在如圖16所示的一例中，端面抵接部6b在基板保持部件主體部7的兩端設(shè)置有2處。在本實(shí)施方式中，端面抵接部6b，能夠在所載置的晶片W的半徑方向上變形，被安 裝于基板保持部件主體部7。具體而言，如圖17所表示的一個(gè)例子，其特征在于端面抵接部 6b的水平截面形成為薄壁形狀。在圖17所示的例子中，端面抵接部6b的限制部61b也形 成為薄壁形狀，設(shè)置在限制部61b的上方的傾斜部62b也形成為薄壁形狀。使限制部61b 和傾斜部62b的壁厚為T(mén)l，例如能夠使Tl為0. 5mm 1. 5mm。在本實(shí)施方式的基板保持部件4b的情況下，如圖17所示，由于限制部61b和傾斜 部62b的水平截面形成為薄壁形狀，因此剛性較小，能夠在所載置的晶片的半徑方向上變 形。因此，晶片被保持，即使通過(guò)基板搬送臂31的伸縮動(dòng)作等從晶片的端面在水平方向上 向限制部61b施力，由于限制部61b和傾斜部62b發(fā)生變形，因此使晶片的端面與限制部 61b的接觸部63b抵接的力較小。另一方面，在如圖18所示的具有限制部161和傾斜部162的現(xiàn)有技術(shù)的基板保持 部件104的情況下，限制部161和傾斜部162的水平截面為厚壁形狀。因此，晶片被保持 時(shí)，通過(guò)基板搬送臂31的伸縮動(dòng)作等從晶片W的端面向限制部161的接觸部163施加水平 方向的力時(shí)，限制部161幾乎不變形，使晶片的端面與限制部161的接觸部163抵接的力較大。因此，依據(jù)本實(shí)施方式的基板保持部件，與現(xiàn)有技術(shù)的基板 保持部件相比，能夠減 低限制部的磨損量。此外，在本實(shí)施方式的基板保持部件中，也可以設(shè)置第一實(shí)施方式的基板保持部 件的懸突部。
(第二實(shí)施方式的變形例)接著，參照?qǐng)D19，對(duì)第二實(shí)施方式的基板保持部件的變形例進(jìn)行說(shuō)明。圖19表示從下方側(cè)觀察本變形例的基板保持部件的端面抵接部附近的擴(kuò)大立體圖。本變形例的基板保持部件4c，端面抵接部6c的水平截面形成為曲折狀，這一點(diǎn)與 第二實(shí)施方式的基板保持部件4b不同。如圖19所示，在本變形例的基板保持部件4c的情況下，由于限制部61c和傾斜部 62c的水平截面形成為曲折狀，因此剛性較小，能夠在所載置的晶片的半徑方向上發(fā)生變 形。因此，晶片被保持，即使通過(guò)基板搬送臂31的伸縮動(dòng)作等從晶片的端面在水平方向上 向限制部61c施力，限制部61c和傾斜部62c發(fā)生變形，因此使晶片的端面與限制部61c的 接觸部抵接的力較小。另一方面，如使用圖18所說(shuō)明的那樣，在現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件104的情況下， 限制部161和傾斜部162的水平截面沒(méi)有形成為曲折狀而是形成為厚壁形狀。因此，通過(guò) 基板搬送臂31的伸縮動(dòng)作等從晶片的端面向限制部161的接觸部163施加水平方向的力 時(shí)，限制部161幾乎不變形，使晶片的端面與限制部161的接觸部163抵接的力較大。因此，根據(jù)本變形例的基板保持部件，與現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件相比，能夠減低 限制部的磨損量。(第三實(shí)施方式)接著，參照?qǐng)D20至圖22，對(duì)第三實(shí)施方式的基板搬送裝置、基板搬送臂和基板保 持部件進(jìn)行說(shuō)明。圖20為表示本實(shí)施方式的安裝于基板搬送臂的基板保持部件的立體圖。圖21 (a) 為本實(shí)施方式的基板保持部件的背面保持部的抵接部附近的擴(kuò)大立體圖。圖21(b)為本實(shí) 施方式的基板保持部件的背面保持部磨損的情況下的、背面保持部的抵接部附近的擴(kuò)大立 體圖。圖22(a)是現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件的背面保持部的抵接部附近的擴(kuò)大立體圖。圖 22(b)是現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件的背面保持部磨損的情況下的、背面保持部的抵接部附 近的擴(kuò)大立體圖。本實(shí)施方式的基板搬送裝置，在安裝于基板搬送臂的基板保持部件中，與晶片 (基板)的背面抵接保持基板的背面保持部，具有沿所載置的晶片(基板)的半徑方向的縱 截面形狀為凸形的抵接部這一點(diǎn)，和基板抵接部不具有R形狀部這一點(diǎn)，與第一實(shí)施方式 的基板搬送裝置不同。對(duì)于本實(shí)施方式的基板搬送裝置和基板搬送臂，基板保持部件以外的部分與使用 圖1至圖4已說(shuō)明的第一實(shí)施方式的基板搬送裝置和基板搬送臂相同，在此省略說(shuō)明。設(shè)置在基板搬送臂的4個(gè)基板保持部件4d，例如按照?qǐng)D20所示那樣構(gòu)成?；?保持部件4d，與第一實(shí)施方式同樣地載置晶片(基板)的周邊而保持晶片(基板)，基板保 持部件4d具有與晶片(基板)的背面抵接而保持晶片(基板)的背面保持部5d;與晶片 (基板)的端面抵接的端面抵接部6d ；和安裝有背面保持部5d和端面抵接部6d的、能夠與 背面保持部5d和端面抵接部6d —體地安裝于基板搬送臂31的基板保持部件主體部7?；灞３植考黧w部7，與第一實(shí)施方式同樣地由上表面部71和側(cè)面部72形成， 其中上述上表面部71具有圓弧形狀、并與基板搬送臂31的內(nèi)邊緣30的上表面相接觸，上述側(cè)面部72與上表面部71 —體地設(shè)置為圓弧形狀、并按照覆蓋基板搬送臂31的內(nèi)邊緣30的側(cè)面的方式設(shè)置。在本實(shí)施方式中，如圖20所示，在上表面部71也設(shè)置有多個(gè)貫通孔 73，例如使用螺釘與設(shè)置在基板搬送臂31的上表面的螺紋進(jìn)行螺釘固定。與第一實(shí)施方式不同，端面抵接部6d具有限制部61d和傾斜部62d，其中，上述限 制部61d為下方側(cè)的部分、即包括與水平面的傾斜角較大的與晶片抵接的面的部分，該傾 斜部62d為上方側(cè)的部分、即包括與水平面的傾斜角較小的傾斜面的部分。與第一實(shí)施方 式不同，在限制部61d與傾斜部62d的邊界附近也可以設(shè)置有角部E。在如圖20所示的一 例中，端面抵接部6d在基板保持部件主體部7的兩端設(shè)置有2處。背面保持部5d具備在具有圓弧形狀的基板保持部件主體部7的側(cè)面部72，按照 向所載置的晶片的半徑方向中心側(cè)(基板搬送臂31的中心側(cè))伸出的方式設(shè)置的背面保 持部主體部51 ；和安裝在背面保持部主體部51的上表面的、與晶片(基板)的背面抵接的 抵接部52d。另外，抵接部52d以從背面保持部主體部51向上方突出的方式設(shè)置。如圖21(a)所示，在本實(shí)施方式的基板保持部件4d的情況下，具有沿所載置的晶 片的半徑方向的縱截面形狀為凸形的抵接部52d。另外，如圖21(b)所示，在所載置的晶片 通過(guò)基板搬送臂31的伸縮動(dòng)作等發(fā)生位置偏移、從水平面傾斜而與背面保持部5d抵接時(shí)， 因磨損而在抵接部52d形成平面PFl。在本實(shí)施方式中，抵接部52d的沿所載置的晶片的半 徑方向的縱截面形狀為凸形，抵接部52d的沿與所載置的晶片的半徑方向正交的方向的寬 度較小，因此平面PFl的面積較小。如果因磨損而在抵接部52d所形成的平面PFl的面積 小，則當(dāng)再次引導(dǎo)移動(dòng)已發(fā)生位置偏移的晶片時(shí)，晶片從平面PFl受到的摩擦阻力也較小， 因此能夠容易地將晶片引導(dǎo)移動(dòng)至與限制部61d抵接的位置。另一方面，如圖22(a)所示，在現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件的情況下，對(duì)于在背面保 持部105的背面保持部主體部151上形成的、與晶片抵接的抵接部152，沿所載置的晶片的 半徑方向的縱截面形狀不是凸形而是長(zhǎng)方形。因此，當(dāng)所載置的晶片通過(guò)基板搬送臂31的 伸縮動(dòng)作等而發(fā)生位置偏移，從水平面傾斜與背面保持部105抵接時(shí)，因磨損而在抵接部 152形成的平面PFO的面積較大。抵接部152具有如圖22 (a)所示的半圓錐體形狀時(shí)，因磨 損而在抵接部152形成如圖22(b)所示那樣的較廣闊的平面PF0。如果因磨損而形成較廣 闊的平面PF0，則再度引導(dǎo)移動(dòng)已發(fā)生位置偏移的晶片時(shí)，晶片從平面PFO受到的摩擦阻力 較大，因此晶片難以被引導(dǎo)移動(dòng)至與限制部抵接的位置。因此，根據(jù)本實(shí)施方式的基板保持部件，與現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件相比，能夠減 低基板保持部件的磨損量，能夠容易地從搭載在傾斜部的狀態(tài)引導(dǎo)移動(dòng)至與限制部抵接的 狀態(tài)。(第三實(shí)施方式的第一變形例)接著，參照?qǐng)D23，對(duì)第三實(shí)施方式的基板保持部件的第一變形例進(jìn)行說(shuō)明。圖23(a)為本變形例的基板保持部件的背面保持部的抵接部附近的放大立體圖。 圖23(b)為本變形例的基板保持部件的背面保持部發(fā)生磨損的情況下的背面保持部的抵 接部附近的放大立體圖。本變形例的基板保持部件，背面保持部5e具有多個(gè)抵接部，該抵接部沿所載置的 晶片(基板)的半徑方向的縱截面形狀為凸形，這一點(diǎn)與第三實(shí)施方式的基板保持部件不 同。
在本變形例的基板保持部件的情況下，如圖23(a)所示，背面保持部5e具有多個(gè) 抵接部52e，該抵接部52e沿所載置的晶片(基板)的半徑方向的縱截面形狀為凸形。也就 是說(shuō)，將載置晶片時(shí)的負(fù)重分散在多個(gè)抵接部52e，因此施加在各抵接部52e的力較小。因 此，如圖23(b)所示，即使所載置的晶片通過(guò)基板搬送臂31的伸縮動(dòng)作等而發(fā)生位置偏移， 相對(duì)于水平面傾斜而與背面保持部5e抵接，但是由于磨損而形成的平面PF2的面積也較 小。由于磨損而形成的平面PF2的面積較小時(shí)，已發(fā)生位置錯(cuò)位的晶片被再次引導(dǎo)移動(dòng)時(shí)， 由于晶片受到的來(lái)自平面PF2的摩擦阻力也較小，因此晶片能夠容易地被引導(dǎo)移動(dòng)至與限 制部抵接的位置。
另一方面，在現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件的情況下，如使用圖22(a)和圖22(b)所說(shuō) 明的那樣，抵接部152沿所載置的晶片W的半徑方向的縱截面形狀不為凸形而為長(zhǎng)方形。因 此，當(dāng)所載置的晶片發(fā)生位置偏移時(shí)，因磨損而在抵接部152形成的平面PFO的面積較大。 當(dāng)平面PFO的面積較大時(shí)，已發(fā)生位置偏移的晶片被再次引導(dǎo)移動(dòng)時(shí)晶片從平面PFO受到 的摩擦阻力較大，因此晶片難以被引導(dǎo)移動(dòng)至與限制部抵接的位置。因此，根據(jù)本變形例的基板保持部件，與現(xiàn)有技術(shù)的基板保持部件相比，能夠減低 基板保持部件的磨損量，能夠容易地從搭載在傾斜部上的狀態(tài)引導(dǎo)移動(dòng)至與限制部抵接的 狀態(tài)。另外，在本變形例的基板保持部件的情況下，由于具有多個(gè)抵接部，因此能夠?qū)⑤d 置晶片時(shí)的負(fù)重分散，能夠比第三實(shí)施方式的基板保持部件的情況更加減少基板保持部件 的磨損量。或者，根據(jù)晶片被載置的狀態(tài)，在沒(méi)有與多個(gè)抵接部的全部抵接時(shí)，能夠減少未 抵接的抵接部的磨損量。(第三實(shí)施方式的第二變形例)接著，參照?qǐng)D24，對(duì)第三實(shí)施方式的基板保持部件的第二變形例進(jìn)行說(shuō)明。圖24為本變形例的基板保持部件的背面保持部的抵接部附近的平面圖。本變形例的基板保持部件，背面保持部進(jìn)一步具有多個(gè)抵接部列，該抵接部列由 將多個(gè)沿所載置的晶片(基板)的半徑方向的其他縱截面形狀為凸形的抵接部排列而形 成，這一點(diǎn)與第三實(shí)施方式的第一變形例不同。如圖24所示，本變形例的基板保持部件的背面保持部5f，在具有多個(gè)沿所載置的 晶片的半徑方向的一個(gè)縱截面形狀為凸形的抵接部52f的基礎(chǔ)上，還具有作為與將這些多 個(gè)抵接部52f排列而形成的抵接部列53f獨(dú)立的抵接部列，將多個(gè)沿所載置的晶片的半徑 方向的其他縱截面形狀為凸形的抵接部52f排列而形成的抵接部列54f。圖24的平面圖所 示的各抵接部52f，例如具有半球狀的形狀，具有凸曲面作為上表面。在本變形例的基板保持部件的情況下，在背面保持部5f具有多個(gè)抵接部52f，因 此能夠分散載置晶片時(shí)的負(fù)重，能夠減低基板保持部件的背面保持部5f的磨損量?；蛘?， 在晶片未與多個(gè)抵接部52f的全部相抵接時(shí)，能夠減低未抵接的抵接部52f的磨損量。但是，本變形例的基板保持部件，具有比第三實(shí)施方式的第一變形例更多的抵接 部52f。由于具有多個(gè)抵接部52f，能夠進(jìn)一步分散載置晶片時(shí)的負(fù)重，或者能夠使未與晶 片抵接的抵接部52f的數(shù)量增多，因此能夠進(jìn)一步減低抵接部52f的磨損量。此外，在本變形例中，抵接部52f在所載置的晶片的半徑方向和所載置的晶片的 周方向上排列為格子狀，但并非必須排列，只要分別散布在所載置的晶片的半徑方向和所載置的晶片的周方向上即可。以上，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行了敘述，但本發(fā)明并非限定于上述特定的實(shí) 施方式，而是能夠在權(quán)利要求的范圍內(nèi)所記載的本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行多種變形、變更。另外，本發(fā)明不僅適用于涂敷膜形成裝置或抗蝕劑涂敷裝置，也能夠適用于顯影裝置、基板清洗裝置、成膜裝置、蝕刻裝置等其他的各種裝置。另外，本發(fā)明能夠適用于包括 搬送半導(dǎo)體基板、玻璃基板等其他的各種基板的工序的裝置。
權(quán)利要求
一種基板保持部件，其安裝于基板搬送裝置的基板搬送臂，用于載置基板的周邊而保持該基板，所述基板保持部件的特征在于，包括與基板的背面抵接而保持該基板的背面保持部；和與基板的端面抵接的端面抵接部，其中，所述端面抵接部包括具有倒圓形狀，與所述基板的端面抵接而限制該基板的偏移的倒圓形狀部；和設(shè)置在所述倒圓形狀部的上方側(cè)的、形成為檐狀的懸突部。
2.如權(quán)利要求1所述的基板保持部件，其特征在于所述倒圓形狀部的與所述基板的端面抵接的面為傾斜面。
3.一種基板保持部件，其安裝于基板搬送裝置的基板搬送臂，用于載置基板的周邊而 保持該基板，所述基板保持部件的特征在于，包括與基板的背面抵接而保持該基板的背面保持部； 與基板的端面抵接的端面抵接部；和安裝有所述背面保持部和所述端面保持部，并能夠一體地安裝于所述基板搬送臂的基 板保持部件主體部，所述端面抵接部，在所載置的基板的半徑方向上能夠變形地被安裝于所述基板保持部 件主體部。
4.如權(quán)利要求3所述的基板保持部件，其特征在于 所述端面抵接部的水平截面形成為薄壁形狀。
5.如權(quán)利要求3所述的基板保持部件，其特征在于 所述端面抵接部的水平截面形成為曲折狀。
6.一種基板保持部件，其安裝于基板搬送裝置的基板搬送臂，用于載置基板的周邊而 保持該基板，所述基板保持部件的特征在于，包括與基板的背面抵接而保持該基板的背面保持部；和 與基板的端面抵接的端面抵接部，其中所述背面保持部，具有沿所載置的基板的半徑方向的縱截面形狀為凸形的抵接部。
7.如權(quán)利要求6所述的基板保持部件，其特征在于所述背面保持部，具有多個(gè)沿所載置的基板的半徑方向的縱截面形狀為凸形的抵接部。
8.一種基板搬送臂，其特征在于安裝有如權(quán)利要求1至權(quán)利要求6中任一項(xiàng)所述的基板保持部件。
9.一種基板搬送裝置，其特征在于 具備如權(quán)利要求8所述的基板搬送臂。
全文摘要
本發(fā)明提供基板保持部件、基板搬送臂和基板搬送裝置，其具備減低磨損量、防止污染、提高對(duì)準(zhǔn)精度、防止凸出的功能。作為安裝于基板搬送裝置的基板搬送臂的、載置基板的周邊而保持該基板的基板保持部件(4)，其具有與基板的背面抵接而保持該基板的背面保持部(5)、和與基板的端面抵接的端面抵接部(6)。端面抵接部(6)包括具有R形狀，與基板的端面抵接而限制基板的偏移的R形狀部(8)；和設(shè)置在R形狀部(8)的上方側(cè)的、形成為檐狀的懸突(overhang)部(81)。
文檔編號(hào)H01L21/68GK101872732SQ201010167338
公開(kāi)日2010年10月27日 申請(qǐng)日期2010年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月23日
發(fā)明者中野征二, 松下道明, 森川勝洋, 榎木田卓, 飯?zhí)锍烧?申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社