專利名稱：用于安裝電子元件的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及安裝電子器件，尤其涉及表面安裝裝置。背景最近數(shù)十年來(lái)使用電路板實(shí)現(xiàn)的器件的數(shù)量和類型都急劇增加。器件和/或芯片 安裝到電路板上的頻率也同樣增加了。改善器件的安裝可改善納入所安裝器件的最終產(chǎn)品 并顯著減少產(chǎn)品的成本和復(fù)雜度。可通過(guò)焊接、接合以及其它類似方法實(shí)現(xiàn)器件的安裝。此外，可按照許多不同的配 置和/或取向來(lái)安裝器件。一些器件被配置為允許一個(gè)或多個(gè)安裝取向。安裝部分這些器 件很困難，此外隨著時(shí)間的流逝部分這些器件的安裝會(huì)失效。因此，納入這些安裝器件的產(chǎn) 品的工作精度會(huì)降級(jí)和/或無(wú)法工作。實(shí)施例概述本實(shí)施例通過(guò)提供系統(tǒng)、裝置、制造方法和諸如將器件安裝到電路板上之類的安 裝器件的方法有利地解決上述需求以及其它需求。一些實(shí)施例提供包括具有芯片座部分的 第一電極、接近芯片座部分設(shè)置并通過(guò)絕緣間隙與芯片座部分分隔開(kāi)的第二電極、以及封 裝第一電極的一部分和第二電極的一部分的外殼的表面安裝裝置，其中該外殼包括從該外 殼的第一表面延伸到該外殼中的凹部以使得芯片座部分的至少一部分通過(guò)該凹部暴露。第 一電極可從芯片座部分向外殼的周邊延伸并突出外殼外，而第二電極可背離芯片座部分延 伸并突出外殼外。此外，第一電極從芯片座部分向外殼周邊延伸，當(dāng)?shù)谝浑姌O在從芯片座部 分向外殼周邊延伸時(shí)分成第一多根被孔分開(kāi)的引線，在第一電極突出外殼外之前第一多根 引線結(jié)合成具有第一寬度的第一結(jié)合引線部，且第一電極在突出外殼時(shí)在外殼外保持第一 寬度，而第二電極背離芯片座部分延伸，在突出外殼外之前達(dá)到第二寬度并在突出外殼時(shí) 在外殼外保持第二寬度。一些實(shí)施例提供表面安裝裝置，包括具有芯片座部分和背離該芯片座部分延伸 的多根引線的第一電極，其中第一和第二引線一般沿背離該芯片座部分的方向平行延伸而 第三引線沿與第一方向基本相反的第二方向背離芯片座部分延伸；貼近芯片座部分放置并 背離芯片座部分延伸的第二電極；將第二電極與第一電極分隔開(kāi)的絕緣間隙；以及封裝第 一和第二電極的一部分的外殼，其中第一電極和第二電極的多根引線穿過(guò)該外殼的表面突 出且該外殼包括在外殼中形成的凹部以使芯片座部分的一部分通過(guò)該凹部暴露。其它實(shí)施例提供表面安裝裝置，包括具有芯片座部分的第一電極、在離開(kāi)芯片 座部分一段距離處設(shè)置的第二電極、以及封裝第一電極的一部分和第二電極的一部分的外 殼，且該外殼具有從該外殼表面延伸到外殼中的凹部以使得芯片座部分的至少一部分通過(guò) 該凹部暴露；第一電極從芯片座部分向該外殼周邊延伸并突出該外殼之外，且其中第二電極突出該外殼外；在芯片座部分處第一電極一般是梯形狀的，在第一電極從芯片座部分向外殼周邊延伸時(shí)第一電極包括多根引線，在該多根引線突出外殼外之前該多根引線具有預(yù) 定寬度并在外殼外保持預(yù)定寬度，且在突出該外殼前第二引線達(dá)到另外的預(yù)定寬度并在外 殼外保持該另外預(yù)定寬度。通過(guò)參考陳述了其中使用本發(fā)明原理的說(shuō)明性實(shí)施例的本發(fā)明和附圖的以下詳 細(xì)說(shuō)明可實(shí)現(xiàn)對(duì)本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)的更好理解。附圖簡(jiǎn)述從連同以下附圖呈現(xiàn)的以下更具體的描述中本實(shí)施例的以上和其它方面、特征和 優(yōu)點(diǎn)將更加顯而易見(jiàn)，其中

圖1描繪根據(jù)一些實(shí)施例的表面安裝裝置的透視圖；圖2描繪圖1的表面安裝裝置的部分透明透視圖，示出外殼內(nèi)的電極；圖3描繪在沒(méi)有外殼的情況下圖2中所示的電極的放大透視圖；圖4描繪圖1的表面安裝裝置的部分透明俯視圖；圖5描繪根據(jù)一些實(shí)施例的表面安裝裝置的透視圖；圖6描繪圖5的表面安裝裝置的部分透明透視圖，示出外殼內(nèi)的電極；圖7描繪在沒(méi)有外殼的情況下圖6中所示的電極的放大透視圖；以及圖8描繪圖5的表面安裝裝置的透明俯視圖，示出電極和外殼。貫穿附圖的各個(gè)視圖相應(yīng)的附圖標(biāo)記指示相應(yīng)的部件。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以 理解為了簡(jiǎn)化和清楚地示出圖中的元件并且沒(méi)有必要按比例繪制。例如，相對(duì)于其它元件 圖中一些元件的尺寸可被夸大來(lái)幫助改善對(duì)本發(fā)明各實(shí)施例的理解。此外，通常不描述在 商業(yè)可行的實(shí)施例中有用或必要的普通但公知的元件，以便于更少阻礙地查看本發(fā)明的各 個(gè)實(shí)施例。詳細(xì)描述本實(shí)施例提供裝置、系統(tǒng)、制造方法和用于諸如將電子元件安裝到電路板上之類 的安裝電子器件或元件的方法。例如，一些實(shí)施例尤其適用于用來(lái)安裝諸如接收、發(fā)射、散 射和/或折射光的光電器件或元件之類的電子元件以及其它這類電子元件的表面安裝裝 置。光電元件可包括，例如，一個(gè)或多個(gè)發(fā)光二極管(LED)、太陽(yáng)能電池、光電二極管、激光二 極管、以及其它這類光電元件或光電元件的組合。該表面安裝裝置的一些實(shí)施例被設(shè)計(jì)成 至少部分地穩(wěn)定該電子元件和/或從該電子元件散熱。圖1描繪根據(jù)一些實(shí)施例的可用來(lái)安裝例如光電器件或元件的表面安裝裝置100 的透視圖。該表面安裝裝置100包括外殼105、第一電極110和第二電極115。該外殼通常 由非導(dǎo)電材料和/或?qū)岵牧蠘?gòu)成。在一些實(shí)施例中，該外殼可由塑料、陶瓷、以及實(shí)質(zhì)上 任意其它相關(guān)材料和材料的組合構(gòu)成。第一和第二電極110、115由外殼105部分封裝并穿 過(guò)外殼105延伸到外殼105外。在一些實(shí)施例中，在第一和第二電極110、115處于外殼105 外之后，第一和第二電極110、115與第一和第二電極110、115的被封裝部分大致垂直地彎 曲，并再次大致垂直地彎曲以沿著外殼105的第一表面135延伸。第一電極110包括其中 一個(gè)或多個(gè)光電元件或其它電子元件可電耦合到第一電極110的芯片座部分120。在一些實(shí)施例中，凹部125被形成或限定在外殼105中，并從外殼105的第二表面 130延伸進(jìn)外殼105并延伸到第一和第二電極110、115。凹部125可延伸到外殼105中，從而使第一電極110和/或第二電極115的一部分暴露。圖2描繪圖1的表面安裝裝置100的部分透明透視圖，還示出第一和第二電極 110、115的封裝在外殼105內(nèi)的部分。在一些實(shí)施例中，第一電極110背離芯片座部分或區(qū) 域120延伸并穿過(guò)外殼105的第三表面140。第二引線115可類似地背離芯片座部分向外 殼周邊延伸并穿過(guò)外殼105的第四表面145。圖3描繪在沒(méi)有外殼105的情況下第一和第二電極110、115的放大透視圖，其中 第一和第二電極被絕緣間隙370分隔開(kāi)。在一些實(shí)施例中，第一電極110包括芯片座部 分120，其可進(jìn)一步包括突出部或延伸部335、340、由孔345分隔開(kāi)的第一和第二引線部分 320、325、以及在一些實(shí)施例中還在第一彎曲部305和第二彎曲部310處彎曲的結(jié)合引線部 分330。第二電極115可包括第一和第二引線部分322、327以及在一些實(shí)施例中也在第一 和第二彎曲部307、312處彎曲的結(jié)合引線部分332。第一和第二引線部分322、327可包括 分別與芯片座部分120并置的頭端337和342。第二電極115還可包括分別從第一和第二 頭端337、342延伸的第一和第二延伸部分322、327。參考圖1-3，第一電極110從芯片座部分120向外殼105周邊延伸。第一電極110 可在第三表面140處的第一彎曲部305處大致垂直彎曲，并在第二彎曲部310處大致垂直 彎曲，從而使得第一電極110沿著外殼105的第一表面135的一部分延伸而建立一個(gè)或更 多外部電氣連接?？扇Q于期望用途和/或?qū)崿F(xiàn)將第一和第二電極110和115安排成其它 配置。例如，第一和第二引線可分別穿過(guò)第三和第四表面140、145，并接著背離外殼105延 伸同時(shí)逐漸傾斜或向由外殼的第一表面135或其它相關(guān)配置限定的平面彎曲。在一些實(shí)施例中，芯片座部分120 —般是三角形的。芯片座部分120的大小和形 狀可取決于放置于其上的電子元件的大小和/或類型，并基于芯片座部分120和/或第一 電極110上要求的散熱和/或其它這些因素?？赏ㄟ^(guò)其它配置和/或形狀來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片座部 分。作為例子，芯片座部分120可以諸如梯形、正方形、矩形、圓形或其它這類形狀之類的不 同方式成形。根據(jù)一些實(shí)現(xiàn)，第一電極110包括限定在第一和第二引線部分320、325之間的孔 345。這樣，第一和第二引線部分320、325背離芯片座部分120延伸并由/與孔345分隔 開(kāi)。此外，第一和第二引線部分結(jié)合以形成結(jié)合引線部分330，從而在第一電極110延伸或 突出穿過(guò)第三表面140并在外殼105外之前形成單引線部分。芯片座部分120可由在向外 殼105周邊和引線部分延伸時(shí)展寬的單引線部分315構(gòu)成。在一些實(shí)施例中，芯片座部分 展寬以形成延伸部335、340。在一些實(shí)現(xiàn)中，芯片座部分120被配置成背離中軸343從芯片 座部分的離外殼105的第三表面140最遠(yuǎn)的端部起楔化，然后背離延伸部335、340處的中 軸延伸，這在一些實(shí)施例中取決于預(yù)期實(shí)現(xiàn)和/或要使用的電子器件，芯片座部分120從離 第三表面140最遠(yuǎn)的端部可大于約0. 4mm，且通常大于約0. 5mm，例如約0. 65mm。第一和第二延伸部335、340向第一電極110的中軸343楔化以使得第一電極110在分裂成兩個(gè)引線部分320、325時(shí)變窄?？?45在第一電極110中形成以分隔第一和第二 引線部分320、325。此外，孔345限定芯片座部分120的邊界。在一些實(shí)現(xiàn)中，取決于期望 實(shí)現(xiàn)和/或要安裝到芯片座部分的電子器件的類型，孔345距離芯片座部分的離外殼105 的第三表面140最遠(yuǎn)的端部可大于約0. 6mm，通常大于約0. 8mm，例如，約0. 1mm?？?45 — 般可例如為正方形、矩形、梯形、其它多邊形、圓形、橢圓形或?qū)嵸|(zhì)上任意其它相關(guān)形狀。此外，在一些實(shí)施例中取決于期望實(shí)現(xiàn)和/或要使用的電子器件，孔345的寬度可以大于約 0.4mm，且通常大于約0.5mm，例如，約0.7mm。在第一電極110突出穿過(guò)第三表面140并處 于外殼105外之前，第一和第二引線部分320、325結(jié)合形成結(jié)合引線部分330。在一些實(shí) 現(xiàn)中，第一和第二引線部分320、325進(jìn)一步展寬，背離中軸343楔化并結(jié)合到具有寬度331 的單結(jié)合引線部分330中。第一電極110在外殼105外將寬度331保持為恒定寬度同時(shí)引 線在外殼105周邊彎曲。從延伸部335和340向中軸343的楔化以及引線部分320、325的 背離中軸的楔化可分別沿第一電極110的第一和第二側(cè)或邊緣350、355形成第一和第二凹 槽。在一些實(shí)施例中，沿第一和/或第二邊緣350、355限定的第一和/或第二凹槽360、365 一般可為梯形并在引線部分320、325中形成。第一和第二凹槽360、365可形成為諸如正方 形、矩形或其它相關(guān)形狀之類的其它相關(guān)形狀。仍參考圖1-3，第二電極115 —般從貼近芯片座部分120背離或以與第一電極110 向著外殼105周邊相反的方向延伸。第二電極115在第一彎曲部307處大致垂直地彎曲， 在第二彎曲部312處大致垂直地彎曲，以使得第二電極115圍繞外殼105以沿著外殼105 的第一表面135延伸來(lái)建立一個(gè)或多個(gè)可能的外部電氣連接。在一些實(shí)施例中，第二電極 115可彎曲和/或相對(duì)于表面安裝裝置100安排成諸如上述關(guān)于第一電極110的備用配置 或其它相關(guān)配置之類的用于建立外部電氣連接的其它配置。第二電極115包括背離芯片座部分320向外殼105的第四表面145延伸的多個(gè)引 線部分322、327。在第四表面145處離開(kāi)外殼之前，第一和第二引線部分322、327結(jié)合成單 個(gè)結(jié)合引線部分332。結(jié)合引線部分332在離開(kāi)外殼105之前具有寬度333。在一些實(shí)施 例中，在第二電極115突出穿過(guò)第四表面145到外殼105外時(shí)寬度333保持為恒定寬度。第二電極115的第一和第二引線部分322和327分別包括第一和第二頭端337和 342。頭端337、342貼近和/或鄰近芯片座部分320安置并通過(guò)絕緣間隙370與第一電極 110分隔開(kāi)。通常，絕緣間隙370使第一和第二電極110、115電絕緣和/或?qū)⑺鼈兎指糸_(kāi)。 在一些實(shí)現(xiàn)中，絕緣間隙370具有約0. Imm至0. 3mm之間的寬度，例如約0. 2mm+/"0. 05mm。在一些實(shí)施例中，第一和第二頭端337、342成形為使頭端的邊緣與芯片座部分 320的邊緣平行或相仿。作為例子，第二電極115的第一和第二頭端337、342 —般為梯形形 狀以使得頭端平行于延伸部分335、340，而芯片座部分320 —般為三角形。在一些實(shí)現(xiàn)中， 在頭端背離第一電極向中軸343楔化時(shí)芯片座部分的一部分在頭端337、342之間延伸。在 引線部分322、327背離芯片座部分120向外殼105的第四表面145延伸時(shí)第一和第二頭端 進(jìn)一步變窄。在引線部分322、327從頭端337、342延伸時(shí)它們保持大于0. 35mm的寬度，通 常大于0. 4mm，例如大于約0. 41mm。在第二電極115中限定或形成隔離物、進(jìn)口、空隙區(qū)、孔 或其它隔離347來(lái)分隔頭端337和342以及第二電極115的第一和第二延伸引線部分322、 327。進(jìn)口 347 —般可以是例如正方形、矩形、梯形、其它多邊形、圓形、橢圓形或其它相關(guān)形 狀。在一些實(shí)施例中取決于期望實(shí)現(xiàn)和/或要使用的電子器件，進(jìn)口 347可具有和孔345 相似的尺寸，并具有例如大于約0. 4mm、通常大于約0. 5mm、諸如約0. 7mm的寬度。在第二引 線延伸或突出穿過(guò)第四表面145到外殼105外之前，在進(jìn)口 347的端接處，第二電極115的 第一和第二引線部分322、327合并或結(jié)合到一起，從而形成結(jié)合引線部分332。在一些實(shí)施例中，第二電極115的第一和第二引線部分322、327變窄來(lái)限定第一 和第二頭端337和342。內(nèi)部變窄使進(jìn)口 347變寬，而在一些實(shí)現(xiàn)中外部變窄向中軸343楔化。第一和第二引線部分322、327背離第二電極115的中軸進(jìn)一步展寬(例如，楔化)并 結(jié)合到結(jié)合引線部分中，其中結(jié)合引線部分332限定進(jìn)口 347的端接。此外，結(jié)合引線部分 332在離開(kāi)外殼的第四表面145之前被配置成具有寬度333，且在一些實(shí)例中在第二電極沿 著外殼105的第三表面145和第一表面135延伸時(shí)保持該寬度332為恒定寬度。向中軸343內(nèi)楔化和背離中軸343沿著第二電極115的第一邊緣向外楔化限定第 一凹槽362，而在一些實(shí)例中可具有一般梯形形狀。類似地，第二凹槽367沿著第二電極115 的第二邊緣357形成，在一些實(shí)現(xiàn)中其具有一般梯形形狀。第二電極115的第一和第二凹 槽362、367可形成為諸如正方形、矩形或其它相關(guān)形狀之類的其它相關(guān)形狀。絕緣間隙370限定在第一電極110和第二電極115之間。通常，第一電極110被 絕緣間隙電絕緣和/或與第二電極115分隔開(kāi)。絕緣間隙370將芯片座部分320與第一和 第二引線部分322、327的頭端337、342分隔開(kāi)。間隙370的寬度實(shí)際可為任意寬度，且通 常取決于要與芯片座部分320耦合的電子器件或元件、表面安裝裝置100的工作電壓、電流 和/或功率水平、表面安裝裝置100的期望實(shí)現(xiàn)、第一和第二電極的材料、以及其它相關(guān)因 素或其組合。圖4描繪根據(jù)一些實(shí)施例的表面安裝裝置100的部分透明俯視圖，透明地示出外 殼105以使得第一和第二電極110、115透過(guò)外殼105可見(jiàn)。在一些實(shí)現(xiàn)中凹部125 —般 為錐形，且包括從在外殼105的第二表面130處的凹部的外部周邊到在約第一和第二電極 110、115處的凹部410的內(nèi)部周邊楔化的側(cè)壁402。這樣，第一和第二電極110、115的至少 一部分通過(guò)該凹部暴露。此外，該外殼的包圍該電極暴露部分的一部分和在凹部125的內(nèi) 部周邊410內(nèi)的一部分也通過(guò)凹部126暴露。圖4的實(shí)施例描繪第一和第二電極110、115 的各部分、絕緣間隙370的各部分、孔345的第一部分、以及延伸并通過(guò)凹部125暴露的進(jìn) 口 347的第一部分。絕緣間隙370、孔345、進(jìn)口 347和凹槽360、365、362、367以及在一些其它實(shí)施例 中的孔是空的或沒(méi)有引線材料。凹部125和/或第一和/或第二電極110、115可不同地設(shè) 計(jì)或配置成暴露該電極和/或外殼的不同區(qū)域。在一些實(shí)施例中，將填充材料納入凹部125 以使其至少填充外殼105中凹部125的一部分，而且通常覆蓋第一和第二電極110、115的 延伸到該凹部的內(nèi)部周邊410并穿過(guò)該凹部暴露的那些部分。該填充材料還可以至少部分 地覆蓋和/或填充也延伸到該凹部的內(nèi)部周邊410并穿過(guò)該凹部暴露的絕緣間隙370的那 些部分、孔345的第一部分、以及進(jìn)口 347的第一部分。電子元件(例如，光電元件)通常與芯片座部分120處的第一電極110耦合或被 其支撐。電子元件還通過(guò)連接(例如，接合線或其它這類連接)與第二電極115耦合。此 夕卜，該電子元件通常至少部分地通過(guò)凹部125暴露。一些實(shí)現(xiàn)包括在外殼105中至少填充 凹部125的一部分并通常包圍和/或覆蓋該電子元件、第一和第二電極110、115的暴露部 分、以及該電子元件和這些電極之間的電連接的填充材料。該填充材料還可以至少部分地 覆蓋和/或填充絕緣間隙370、孔345、以及進(jìn)口 347的延伸到凹部125中并通過(guò)凹部125 暴露的部分。第一和第二電極110、115通常由導(dǎo)電材料制成。在一些實(shí)施例中，該電極材料也 導(dǎo)熱的以便至少部分幫助將熱從電子和/或光電元件帶走。第一電極110的芯片座部分 120可被配置成部分地支撐該光電元件和與其電耦合。該光電元件通過(guò)諸如用粘合劑、涂層、膜、密封材料、焊料、漿料、油脂和/或其它這類方法之類的許多方法耦合到芯片座部分 或區(qū)域120。這些耦合機(jī)制可以是導(dǎo)熱的也可以是導(dǎo)電的。相似地，該光電元件通過(guò)一種或多種類似方法耦合到第二電極115。例如，在一些 實(shí)施例中該光電元件通過(guò)引線連接電耦合到第二電極115。另外或或者，該光電元件可以部 分地由第一電極110支撐并與其耦合，并在絕緣間隙370上延伸以與第二電極115的第一 和/或第二頭端337、342耦合。在一些實(shí)施例中，第一電極110耦合到光電元件的陰極部分并被限定為表面安裝 裝置100的陰極引線。此外，第二電極115耦合到光電元件的陽(yáng)極部分并被限定為表面安 裝裝置100的陽(yáng)極。因此，第一電極110和第二電極115之間的絕緣間隙370提供例如表 面安裝裝置100的陽(yáng)極和陰極之間的電隔離和/或絕緣。表面安裝裝置100的外殼105封裝第一和第二電極110、115的一部分。在一些實(shí) 施例中，外殼105 —般是立方形。然而，外殼105實(shí)質(zhì)上可以具有任何相關(guān)形狀，包括具有 其中第一部分包括一對(duì)支撐或支腳的多個(gè)部分。外殼105還可以包括指示裝置類型、取向、 和/或引腳編號(hào)的標(biāo)記。在一些制造方法中，在構(gòu)造外殼105之前，光電元件被耦合到第一和第二電極 110、115。或者，在第一和第二電極110、115被部分封裝在外殼105內(nèi)之后，光電元件可以 耦合到電極。因此，在一些實(shí)施例中，外殼105可配置有凹部125，其延伸到該外殼中以至少 暴露芯片座部分120的足夠面積以便在凹部125內(nèi)容納、安裝和緊固光電元件。將凹部125部分地成形為至少暴露光電元件的一部分，以使得在一些實(shí)現(xiàn)中當(dāng)耦 合到電極時(shí)該光電元件可以發(fā)射和/或接收光。凹部125例如成形、形成、切割、模制、或構(gòu) 造成與表面安裝裝置100的應(yīng)用相關(guān)的實(shí)質(zhì)上任意形狀。在一些實(shí)施例中，凹部125 —般 為圓錐形狀。或者，可以對(duì)凹部125實(shí)現(xiàn)諸如一般圓柱形、立方形、半球形、八邊形、金字塔 形、拋物線形、以及其它相關(guān)形狀之類的其它形狀或部分形狀。凹部125可以至少部分地便 于從光電元件發(fā)射的光的分布和/或由光電元件接收的光的吸收。在一些實(shí)施例中，凹部 125的形狀連同沉積在凹部125中的填充材料一起起作用。在一些實(shí)施例中，實(shí)現(xiàn)填充材料以至少提供對(duì)暴露的光電元件的保護(hù)。此外，該填 充材料可以部分地為該光電元件增強(qiáng)光的分布/吸收。該填充材料可由樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、熱 塑性縮聚物(例如聚鄰苯二甲酰胺(PPA))、塑料、玻璃、尼龍和/或其它這類相關(guān)材料和/ 或材料的組合形成。在一些實(shí)施例中，將另外的材料添加到該填充材料中以增強(qiáng)去往和/ 或來(lái)自光電元件的光的發(fā)射、吸收和/或散射。仍參考圖1-4，第一和第二電極110、115被外殼部分地封裝。在一些實(shí)施例中，第 一電極110和/或第二電極115的厚度基本一致并沿著封裝在外殼中的電極的長(zhǎng)度至少一 部分平坦。第一和第二電極110、115的被封裝部分一般沿同一平面放置。為了簡(jiǎn)便起見(jiàn)， 下文中外殼105的沿由對(duì)著或面向凹部的第一和第二電極110、115的表面限定的平面的部 分稱為在引線元件“下面”，而外殼105的在由第一和第二電極110、115建立的平面“之上” 的部分稱為在引線元件“上面”。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝材料、填充材料和/或其它材料(例 如，環(huán)氧樹(shù)脂、樹(shù)脂、粘合劑、以及其它這類相關(guān)材料)部分地延伸到和/或穿過(guò)包括但不限 于孔345、進(jìn)口 347、絕緣間隙370、通孔、凹槽360、365、362、367、有斜面的彎角和/或其它 凹部或無(wú)電極材料的區(qū)域的一個(gè)或多個(gè)空區(qū)。例如，被外殼封裝的這些空區(qū)域可以至少部分地由外殼材料填充，來(lái)自外殼的一個(gè)或多個(gè)樁延伸穿過(guò)空區(qū)域和其它這類配置。
孔345、進(jìn)口 347和絕緣間隙370 ( —般稱為空區(qū)域)部分地由外殼105封裝而且 進(jìn)一步延伸到內(nèi)部周邊410和通過(guò)凹部125暴露。例如，空區(qū)域的被封裝部分將空區(qū)域下 面的外殼暴露給空區(qū)域之上的封裝材料，并且封裝材料或其它連接或材料穿過(guò)至少部分空 區(qū)延伸。另外，外殼105的在空區(qū)域的暴露或未封裝部分下面的部分通過(guò)凹部125暴露，而 且在一些實(shí)現(xiàn)中，空區(qū)域的未封裝部分進(jìn)一步由填充材料覆蓋或填充。使第一和第二電極 110,115配置有孔345、進(jìn)口 347和絕緣間隙370部分地增大了電極附近的表面接合面積， 包括由空區(qū)域暴露以便與填充材料接合的電極下面的外殼、和/或電極上的和/或延伸穿 過(guò)空區(qū)域的外殼材料。穿過(guò)和環(huán)繞第一和第二電極110、115設(shè)置的增強(qiáng)接合至少部分地增強(qiáng)第一和第 二電極110、115相對(duì)于外殼105的穩(wěn)定性以及表面安裝裝置100的結(jié)構(gòu)完整性。通過(guò)將電 極110、115粘附到外殼105、填充材料、和/或光電元件至少部分地進(jìn)一步保持結(jié)構(gòu)完整性。 然而，在一些實(shí)施例中，封裝材料之間、和/或封裝材料和填充材料之間的接合和粘附強(qiáng)于 外殼和電極之間以及電極和填充材料之間建立的接合或粘附。此外，在一些實(shí)現(xiàn)中的使用期間，電極溫度會(huì)升高，而該溫度的升高會(huì)引起電極和 外殼之間、和/或電極和填充材料之間的粘附或接合的惡化。表面安裝裝置100的組件之間 糟糕的粘附會(huì)引起該裝置的損壞。例如，電極110、115和外殼105之間糟糕的粘附會(huì)使電 極110、115可在表面安裝裝置100之間移動(dòng)。電極110、115的移動(dòng)會(huì)導(dǎo)致光電元件的錯(cuò)誤 定位、裝置100的損壞、和/或最終會(huì)導(dǎo)致失效。一些實(shí)施例增大了電極上下與外殼之間、 以及填充材料和外殼105之間的粘附面積，從而進(jìn)一步有助于保持表面安裝裝置100的配 置和結(jié)構(gòu)完整性。孔345、進(jìn)口 347、絕緣間隙370、和/或凹槽360、362、365、367增大電極110、115周 圍的粘附面積，而且部分地便于緊固第一和第二電極110、115與光電元件相對(duì)于外殼105 和/或凹部125的安置。此外，通過(guò)將外殼材料和/或填充材料納入到孔345、進(jìn)口 347和 絕緣間隙370，芯片座部分120和/或光電元件的相對(duì)安置得以更精確地保持。再次，楔化 的相對(duì)角度，孔345、進(jìn)口 347和凹槽360、362、365、367、延伸部分335、342和/或頭端337、 342的形狀允許外殼和/或填充材料置于電極附近來(lái)加強(qiáng)電極相對(duì)于外殼和/或凹部125 的定位的穩(wěn)定性。光電元件增強(qiáng)的穩(wěn)定性進(jìn)一步改善表面安裝裝置100的性能并改善表面 安裝裝置100的可靠性。在一些實(shí)施例中，表面安裝裝置100的組件之間的粘附能力通過(guò) 增加外殼的通過(guò)凹部125暴露的表面積進(jìn)一步加強(qiáng)。例如，可以增大凹部125在芯片座部 分120的表面處的直徑來(lái)在芯片座部分120外暴露外殼105。然而，對(duì)凹部125可用的外殼 不變部分是受限的，而且凹部125的變化會(huì)影響光從/由光電元件的發(fā)射/吸收。而且，在一些實(shí)施例中安裝裝置100可能遭受相對(duì)高熱和/或振動(dòng)的環(huán)境。相應(yīng) 地，在一些實(shí)施例中第一和/或第二電極110、115和/或凹部125的形狀被設(shè)計(jì)成至少部分 地增大圍繞和/或穿過(guò)表面安裝裝置100的電極110、115的粘附面積。另外，至少孔345、 進(jìn)口 347和絕緣間隙370 (空區(qū)域)進(jìn)一步保持芯片座部分120相對(duì)于外殼105的定位，且 因此加強(qiáng)電子元件和/或光電元件的穩(wěn)定性。外殼的粘附面積的增大至少部分地加強(qiáng)組件 的穩(wěn)定性而且確保定位以使得該裝置可以在包括相對(duì)高熱的惡劣條件下精確地和可靠地 使用和/或承受相對(duì)大量的振動(dòng)。
根據(jù)一些實(shí)施例可以在電極中包括額外的空區(qū)域來(lái)至少部分地進(jìn)一步增大穿過(guò) 和/或圍繞電極110、115的粘附面積來(lái)保持電極110、115在外殼內(nèi)部的定位。額外的空區(qū) 域通孔或鏜孔可穿過(guò)第一或第二電極110、115延伸。這些通孔可以是圓形、正方形、矩形、 三角形、不規(guī)則形狀或其它相關(guān)形狀或形狀的組合?？梢酝ㄟ^(guò)諸如模制、鏜、鉆孔、刻蝕、沖 孔、切割、銼削、或其它這類方法和/或方法的組合之類許多不同的方法形成空區(qū)域或使其 成形。如上所述，第一和第二電極110、115可具有對(duì)外殼材料和/或填充材料較差的粘 附能力。外殼材料通過(guò)空區(qū)域直接耦合到電極110、115的空區(qū)域之上和之下的外殼105至 少能部分地進(jìn)一步確保電極110、115在表面安裝裝置100內(nèi)的定位。另外或或者，可以使用 粘合材料來(lái)至少部分地填充孔345、進(jìn)口 347和絕緣間隙370、或另外的空區(qū)域來(lái)將第一和 第二電極110、115之上的外殼105和/或填充材料粘附到電極之下的外殼105。該粘合材 料實(shí)質(zhì)上可以是粘附到外殼和/或填充材料的任意相關(guān)材料，諸如膠水、環(huán)氧樹(shù)脂、樹(shù)脂、 以及其它類型的相關(guān)粘合材料。可以通過(guò)一種或多種方法形成或組裝外殼105。在一些實(shí)施例中，在電極110、115 周邊形成或模制外殼105。另外或或者，可以分部分地模制外殼，例如頂部和底部。每個(gè)部 分可結(jié)合部分地有助于將電極與外殼的各部分緊固在一起的模制。將上下部分緊固到一 起，從而將第一和第二電極110、115的部分夾置其中。例如用粘合材料、樁和插槽、搭扣、彈 簧加載、杠桿臂、摩擦裝配、和或其它相關(guān)方法將上下部分緊固到一起。在其它實(shí)施例中，可 以預(yù)先模制底座部分，來(lái)為要緊固到外殼105的底座上的電極110、115分配空間，并且形 成 模制或澆鑄在電極110、115上的外殼105的上部。例如，可以通過(guò)在耦合到底座部分的電極的上部上澆鑄外殼材料形成外殼的上 部。在這個(gè)示例中，由外殼材料覆蓋和/或至少部分地填充沒(méi)有被凹部125暴露的空區(qū)域。 也可以由該外殼材料至少部分地填充未通過(guò)凹部125暴露的絕緣間隙370的部分和有斜面 的彎角。在其它實(shí)施例中，模制外殼105的底部以使電極之下的外殼材料延伸穿過(guò)空區(qū)域 (例如，孔345、進(jìn)口 347、絕緣間隙370、和/或有斜面的彎角)以便與外殼105的電極之 上的上部緊密配合或合作。在一些實(shí)現(xiàn)中，底部可包括延伸穿過(guò)空區(qū)域來(lái)和外殼中的與之 相對(duì)的插槽耦合的樁。在其它實(shí)施例中，空區(qū)域包含將外殼105的部分在第一和第二電極 110、115附近緊固到一起的粘合材料。此外，凹槽360、365、362、367提供電極110、115之上 和之下的外殼材料的附加接合。在一些制造實(shí)施例中，填充材料是液體或半液體并灌入外殼105的凹部125中。該 填充材料通過(guò)空區(qū)域的暴露部分粘附到第一和第二電極110、115之下的外殼105。由填充 材料覆蓋和/或至少部分地填充空區(qū)域的暴露部分。填充材料粘附到電極110、115之下的 通過(guò)凹部125的內(nèi)部周邊410內(nèi)的空區(qū)域暴露的外殼105。圖5描繪根據(jù)一些實(shí)施例的可 用來(lái)安裝例如一個(gè)或更多電子元件的表面安裝裝置500的透視圖。表面安裝裝置500包括 外殼505、第一電極510和第二電極515。該外殼包括在第一表面530中形成的凹部525。 在一些實(shí)施例中，該外殼類似于如上參考圖1-4所述的外殼。第一和第二電極510、515部分 地由外殼505封裝，并且延伸穿過(guò)該外殼的第二和第三表面535、540且延伸到外殼505外。 第一和第二電極510、515通常由導(dǎo)電材料構(gòu)成，而且在一些實(shí)現(xiàn)中它們還是導(dǎo)熱的。第一 電極510包括其中諸如光電元件之類的一個(gè)或多個(gè)電子元件或器件能定位且電耦合到第一電極510的芯片座部分520。凹部525形成或限定在外殼505中，從外殼505的第一表面530延伸到外殼505 中且延伸到第一和第二電極510、515。在一些實(shí)施例中，凹部525延伸到外殼505中來(lái)暴露 第一電極510和/或第二電極515的至少一個(gè)的一部分。圖6描繪表面安裝裝置500的部分透明透視圖，其中第一和第二電極510、515在 外殼505內(nèi)可見(jiàn)。在一些實(shí)施例中，在第一和第二電極510、515延伸穿過(guò)第二和第三表面 并且處于外殼505外之后，第一和第二電極510、515向第一和第二電極510、515的被封裝 部分大致垂直地彎曲以大致平行于第二和第三表面延伸，并且再次大致垂直地彎曲以便沿 著外殼505的第四表面545的一部分延伸。圖7描繪被絕緣間隙770分隔開(kāi)的第一和第二電極510、515的放大透視圖。第一 電極510包括芯片座部分520、和分別從芯片座部分延伸出的第一、第二以及第三引線720、 725和726。第二電極515包括頭端742和從頭端延伸出的引線部分727。在一些實(shí)施例 中，第一電極510配置有多根引線720、725、726來(lái)增強(qiáng)從芯片座部分520的散熱。此外，在 一些其它表面安裝裝置上芯片座部分520可以具有增大的面積來(lái)進(jìn)一步輔助與第一電極 協(xié)同工作的電子元件的散熱。這樣，可以更多地將表面安裝裝置500和在一些其它表面安 裝裝置中采用的高功率電子器件或元件一起使用。在一些實(shí)施例中，第一和第二電極510、515、第一電極510的第一、第二、第三引線 720、725和726分別包括其中引線大致垂直地彎曲的彎曲部705、706和708，而且還分別包 括其中引線大致垂直地彎曲的彎曲部710、711和713。同樣，第二電極515的引線部分727 可以包括使得第二電極大致垂直地彎曲的第一彎曲部707和使電極大致垂直彎曲的第二 彎曲部712。使引線720、725、726和727彎曲可建立一個(gè)或多個(gè)外部電氣連接。在一些實(shí) 施例中，如本領(lǐng)域所公知，第一和/或第二電極510、515可彎曲和/或相對(duì)于表面安裝裝置 500安排成其它配置用于建立外部電氣連接。參考圖5-7，在一些實(shí)現(xiàn)中芯片座部分520是一般梯形形狀。然而，該芯片座部分 實(shí)質(zhì)上可以配置成任意相關(guān)形狀。作為例子，芯片座部分520可以各種方式成形，諸如梯 形、正方形、矩形、圓形或其它這類形狀之類的不同形狀。芯片座部分520的大小和形狀可 取決于放置于其上的電子元件的大小和/或類型，并取決于芯片座部分520和/或第一電 極510上要求的散熱和/或其它這些因素。第一電極510可以配置為形成芯片座部分520、并在第一電極510背離芯片座部分 520向著外殼505周邊擴(kuò)展或延伸時(shí)和在第一電極510突出外殼505外之前分裂成第一、第 二和第三引線720、725、726的單個(gè)連續(xù)件715。在一些實(shí)施例中，第一電極的多根引線720、 725和726 —般是“h”形狀或倒“h”形狀。另外在一些實(shí)施例中，第一和第二電極510、515 配置成大致“H”形陣型，設(shè)置有例如從芯片座部分520 —般沿第一方向延伸的第一和第二 引線720、725兩根引線，以及第三引線726和一般沿大致與第一方向相反的第二方向延伸 的第二電極515的引線部分727。在一些實(shí)例中，第一電極510的第一引線720和第三引 線726軸向排列并從芯片座部分彼此成約180度向外延伸，而第一和第二引線720、725在 它們從芯片座部分延伸時(shí)一般是平行的。當(dāng)芯片座部分向第一和第二引線720、725延伸并延伸到其中之時(shí)芯片座部分520 展寬。在一些實(shí)施例中，當(dāng)芯片座部分520處的單個(gè)連續(xù)件715從芯片座部分520向外殼505周邊延伸時(shí)它會(huì)展寬。該展寬可以包括延伸部分或翼部734和740。延伸部分734、740 的寬度和/或長(zhǎng)度可以取決于芯片座部分520的大小、與芯片座部分配合的電子元件、第一 電極510的散熱能力、第一電極的材料和/或其它這類因素。在一些實(shí)現(xiàn)中，延伸凹槽746 將第一延伸部分734分成第一和第二延伸區(qū)部分735和737。第一延伸部分734的第一和 第二延伸部分735、737之間的延伸凹槽746沒(méi)有電極材料并具有寬度784。第一延伸部分 的寬度784可以取決于諸如上述那些因素之類的許多因素。此外，在一些實(shí)現(xiàn)中，如下文所 述延伸凹槽746還輔助保持第一電極510的相對(duì)定位和/或保持表面安裝裝置500的結(jié)構(gòu) 完整性。延伸凹槽746—般可以是正方形、多邊形、圓形、三角形、或其它相關(guān)形狀和形狀的 組合。在一些實(shí)施例中取決于期望實(shí)現(xiàn)延伸凹槽746的寬度784大于約0. 3mm，在一些實(shí)例 中大于約0. 4mm，例如0. 5mm。在一些實(shí)施例中，第一延伸部分735的第一延伸部分735在沿著向和/或往第一 引線720延伸的第一邊緣750向中軸738 (由標(biāo)記為參考數(shù)字738的虛線標(biāo)示)楔化時(shí)變 窄。同樣，第一延伸部分735的第二延伸部分737在沿著向第三引線726延伸的第二邊緣 750向中軸738楔化時(shí)變窄。此外，在芯片座部分向和/或往第二引線725延伸時(shí)第二延伸 部分740可以變窄，從而沿第三邊緣755向第一電極510的中軸楔化。這樣，第一電極510 在分裂成第一、第二和第三引線720、725、726時(shí)一般會(huì)變窄。第一和第二引線720、725從芯片座部分520延伸并被引線間隙、凹槽、空區(qū)域或開(kāi) 口 745分隔開(kāi)。引線間隙745 —般可以是例如正方形、矩形、梯形、其它多邊形、圓形、橢圓形 或其它相關(guān)形狀。引線間隙745具有在一些實(shí)現(xiàn)中與第一和第二引線720、725、芯片座部分 520區(qū)域、期望和表面安裝裝置500 —起使用的電子元件的寬度和/或其它因素成比例的寬 度748。在一些實(shí)施例中，引線間隙745具有大于約0. 5mm的寬度，例如約0. 7mm+/"0. 05mm。在一些實(shí)施例中，在突出穿過(guò)第二表面535并突出到外殼505外之前，第一電極 510的第一引線720和/或第二引線725的寬度分別增大到第一和第二寬度781和782。在 引線離開(kāi)外殼并沿著外殼的第二和第四表面延伸之時(shí)可以將第一和第二寬度保持為恒定 寬度。通常，第一寬度781大約等于第二寬度782。第一和第二寬度781、782是基于諸如與 芯片座部分520配合的電子元件、外殼505的大小、引線間隙745和/或其它這類因素之類 的一個(gè)或多個(gè)因素預(yù)先限定的寬度。在一些實(shí)施例中，第一和第二引線720、725保持大于 約0. 35mm的寬度，通常大于約0. 4mm，例如大于約0. 41mm。在一些實(shí)現(xiàn)中，在延伸穿過(guò)外殼 505的第二表面535之前，第一和第二引線720、725分別沿著第一邊緣750和第三邊緣755 背離第一電極510的中軸738楔化，展寬為第一和第二寬度781、782。第一和第二寬度781、 782可取決于如上所述的許多因素，并且在一些實(shí)現(xiàn)中大于約0. 5mm，例如大于約0. 7mm。在一些實(shí)現(xiàn)中，在第三引線延伸穿過(guò)第三表面540并延伸到外殼505外之前，以與 第一引線720大致相反的方向背離芯片座部分520延伸的第一電極510的第三引線726也 可以沿第二邊緣752背離中軸738楔化，使引線726展寬為第三預(yù)定寬度783即展寬為第 三寬度783。當(dāng)?shù)谌€沿外殼505的第三和第四表面540、545延伸之時(shí)第三引線可以保 持寬度783。該寬度可以取決于諸如與芯片座部分520配合的電子元件、外殼505的大小、 第一電極的材料和/或其它這類因素之類的一個(gè)或多個(gè)因素。在一些實(shí)例中，寬度781-783 基本相等。在一些實(shí)施例中，第三引線726配置成保持大于約0. 35mm的寬度，通常大于約 0. 4mm，例如大于0. 41mm ；并展寬為大于約0. 5mm的寬度783，例如大于約0. 7mm。
沿著第一邊緣750向第一延伸部分735的中軸738的楔化和背離第一引線720的 中軸的楔化限定第一電極510的第一引線凹槽760。同樣，由于向第二延伸部分737的中軸 738的楔化和背離第三引線726的中軸的楔化，第二引線凹槽762可以沿著第二邊緣752被 限定，而由于向第二延伸部分740的中軸738的楔化和背離第二引線725的中軸的楔化，第 三引線凹槽765可以沿著第三邊緣755被限定。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一、第二和/或第三引線 凹槽760、762、765 —般為梯形。然而，可以使用諸如但不限于正方形、矩形或其它相關(guān)形狀 之類的其它形狀。第二電極515包括與第一電極510的芯片座520并置并通過(guò)絕緣間隙與第一電極 分隔開(kāi)的頭端742。第二電極515的引線727從靠近芯片座部分520的頭端742向外殼505 的第三表面540延伸并穿過(guò)該表面。在一些實(shí)現(xiàn)中，引線727在第一彎曲部707處大致垂 直地彎曲并在第二彎曲部712處再次大致垂直地彎曲，以使第二電極515沿著外殼505的 第三和第四表面540、545延伸來(lái)建立一個(gè)或多個(gè)外部電氣連接。第二電極515可彎曲和/ 或相對(duì)于表面安裝裝置500安排成如本領(lǐng)域公知的其它配置用于建立外部電氣連接。
在一些實(shí)施例中，第二電極515的頭端742的一部分與第一電極510的芯片座部 分520的相鄰部分平行或相仿。例如，頭端的邊緣可以與第二延伸部分740的邊緣的至少 一部分平行，并平行于芯片座部分520的邊緣的一部分向中軸738楔化。當(dāng)?shù)诙姌O515 背離芯片座部分520向外殼505的第三表面540延伸之時(shí)頭端742變窄。頭端742可以沿 著第一邊緣757大致向中軸738楔化，從而延伸進(jìn)入第二電極515的引線部分727。第二電 極可以沿著第二邊緣758背離中軸738進(jìn)一步變窄。在一些實(shí)現(xiàn)中，沿著第二邊緣758的 變窄基本上是垂直變窄。在第二電極的引線部分727延伸穿過(guò)外殼505的第三表面145之 前，第二電極515展寬為寬度785。通過(guò)使電極沿第一邊緣757背離中軸738楔化可以實(shí)現(xiàn) 第二電極的展寬。通過(guò)在頭端742處的變窄和引線727沿第一邊緣757的展寬形成引線凹 槽767。在一些實(shí)施例中，凹槽767 —般為圓錐形和/或梯形。在一些實(shí)現(xiàn)中，將第二電極 515的引線727的寬度保持為大于約0. 35mm，通常大于約0. 4mm，例如大于0. 41mm ；而在一 些實(shí)現(xiàn)中寬度785大于約0. 5mm，例如大于約0. 7mm。還將第二電極515相對(duì)于第一電極510定位成使得第二電極的引線727通過(guò)引線 間隙、進(jìn)口或空區(qū)域747與第一電極的第三引線726分隔開(kāi)。引線間隙747 一般可以是例 如正方形、矩形、梯形、其它多邊形、圓形、橢圓形或其它相關(guān)形狀。在一些實(shí)施例中，在第二 電極515和第一電極510的第三引線726穿過(guò)外殼的第三表面540并沿其延伸時(shí)保持引線 間隙747以使得第二電極和第一電極的第三引線大致平行。在一些實(shí)現(xiàn)中，引線間隙747 可以具有與具有大于約0. 5mm例如約0. 7mm+/_0. 05mm的寬度的引線間隙745同樣的尺寸。 此外，引線間隙745、747之間的距離可以限定芯片座部分的長(zhǎng)度，在一些實(shí)施例中取決于 期望實(shí)現(xiàn)和/或要包含的電子器件該長(zhǎng)度可以大于約0. 8mm,且在一些實(shí)例中可以大于約 1. Omm,例如約 1. 2mmο絕緣間隙770將第一電極510的芯片座部分520與第二電極515的頭端742分隔 開(kāi)。絕緣間隙770通常使第一電極510與第二電極515電絕緣。絕緣間隙770的寬度和/ 或大小實(shí)質(zhì)上可以是任意相關(guān)尺寸，而且通常取決于要與芯片座部分520耦合的電氣和/ 或光電元件、表面安裝裝置500的工作電壓、電流和/或功率水平、表面安裝裝置500的期 望實(shí)現(xiàn)、第一和第二電極的材料、其它相關(guān)因素或因素的組合。在一些實(shí)施例中，絕緣間隙770具有約0. Imm至0. 3mm之間的寬度，例如約0. 2mm+/_0. 05mm。圖8描繪根據(jù)一些實(shí)施例的表面安裝裝置500的透明俯視圖，示出相對(duì)外殼505 放置的第一和第二電極510、515。根據(jù)一些實(shí)施例例示了凹部525，示出通過(guò)凹部暴露的第 一電極510的那些部分，包括芯片座部分520的那些部分、和第二電極515。凹部520的外 部周邊805由外殼505的第一表面530和凹部525的相交線來(lái)限定。凹部的內(nèi)部周邊810 由第一和第二電極510、515和凹部525的相交線來(lái)限定。通常，外殼505、第一電極510和 第二電極在內(nèi)部周邊810內(nèi)的那些部分通過(guò)凹部525暴露。圖8的實(shí)施例描繪被凹部525 暴露的第一和第二電極510、515的部分、絕緣間隙770的部分、引線間隙745、747的部分以 及延伸凹槽746的部分。在一些實(shí)施例中，將填充材料(未示出)添加到凹部525中來(lái)至少部分地覆蓋和/或填充第一電極510、第二電極515、絕緣間隙770、引線間隙745、747和延伸凹槽746的 一個(gè)或多個(gè)。引線間隙745、747的延伸部分和延伸凹槽746進(jìn)一步增大了外殼505通過(guò)凹 部525暴露以及暴露給包含到凹部中的填充材料的表面積。該增大的表面積可以加強(qiáng)填充 材料與外殼以及第一和第二電極510、515周邊的接合。允許填充材料和/或外殼材料穿過(guò) 引線間隙745、747、延伸凹槽746和/或絕緣間隙770延伸，可以加強(qiáng)第一和第二電極510、 515安置的穩(wěn)定性。例如，引線間隙745、747的各部分可以允許封裝材料在第一和第二電 極之間和周邊延伸以進(jìn)一步固定電極相對(duì)于外殼的定位，而且填充材料還可以通過(guò)延伸到 凹部中并通過(guò)凹部暴露來(lái)再進(jìn)一步地至少固定第一電極510的芯片座部分520和第二電極 515的頭端742至少相對(duì)于凹部525的定位的引線間隙745、747、延伸凹槽746和絕緣間隙 770的各部分穿過(guò)和/或在第一和第二電極周邊延伸。由表面安裝裝置500提供的其它好 處和優(yōu)點(diǎn)包括上述有關(guān)封裝材料和填充材料的接合、通過(guò)至少暴露空區(qū)域的一部分獲得的 表面安裝裝置的穩(wěn)定性和可操作性、如上所述的制造方法以及其它好處的部分或全部。通 過(guò)凹部525暴露空區(qū)域的部分(例如，絕緣間隙770、引線間隙745、747以及延伸凹槽746 的部分)可以有助于表面安裝裝置500的穩(wěn)定性和可操作性。此外，至少部分因?yàn)榉庋b材 料、填充材料和/或粘附材料延伸穿過(guò)電極周邊的空部位和區(qū)域的至少部分而穩(wěn)定了電極 相對(duì)外殼和/或凹部的定位，由外殼505封裝的電極周邊的空部位和區(qū)域還可以提供增強(qiáng) 的穩(wěn)定性。雖然通過(guò)本發(fā)明的特定實(shí)施例和應(yīng)用在本文中已經(jīng)描述了本發(fā)明，但在不背離在 所附權(quán)利要求書(shū)中陳述的本發(fā)明范圍的情況下本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可對(duì)其作出許多修改 和變更。
權(quán)利要求
一種表面安裝裝置，包括外殼，包括第一表面；凹部，形成于所述第一表面中，并且至少部分地延伸到所述外殼中；多個(gè)電極，至少部分地被所述外殼封裝，其中一個(gè)所述電極包括具有芯片座部分的第一電極，所述芯片座部分至少部分地通過(guò)所述凹部暴露；當(dāng)所述第一電極從所述芯片座部分向所述外殼周邊延伸時(shí)分成第一多根引線，在所述第一電極部分突出所述外殼外之前所述第一多根引線結(jié)合到第一結(jié)合引線部分。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一電極在從所述芯片座部分向所述 外殼周邊延伸時(shí)展寬，在分裂成第一多根引線時(shí)變窄，并且在所述第一電極突出所述外殼 外之前所述第一多根引線結(jié)合到所述第一結(jié)合引線部分時(shí)展寬。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，還包括沿著所述第一電極的第一邊緣的第一凹槽，由所述芯片座部分的所述展寬，所述多根 引線的所述變窄，以及所述第一結(jié)合引線部分的所述展寬所限定；沿著所述第一電極的第二邊緣的第二凹槽，由所述芯片座部分的所述展寬，所述多根 引線的所述變窄，以及所述第一結(jié)合引線部分的所述展寬所限定。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括 第二電極，包括第二多根引線，各自具有與所述芯片座部分并列安置的頭端，其中所述第二多根引線 的每個(gè)所述頭端的邊緣與所述芯片座部分的邊緣平行，并且所述芯片座部分的一部分在所 述第二多根引線的所述頭端之間延伸。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述第二多根引線結(jié)合成第二結(jié)合引線部 分，在所述第二多根引線結(jié)合成所述第二結(jié)合引線部分時(shí)所述第二電極突出到所述外殼外 之前，所述第二電極展寬成使得所述第二結(jié)合弓I線部分延伸穿過(guò)所述外殼的第二表面。
6.如權(quán)利要求4所述的裝置，還包括在所述第一電極和所述第二電極的相鄰部分之 間的絕緣間隙，所述絕緣間隙通過(guò)所述第二電極的邊緣平行于所述第一電極的芯片座部分 的邊緣來(lái)形成。
7.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極一起大致呈H 形狀。
8.一種表面安裝裝置，包括 外殼，包括第一表面；凹部，形成于所述第一表面中，并且至少部分地延伸到所述外殼中； 多個(gè)電極，至少部分地被所述外殼封裝，其中一個(gè)所述電極包括具有芯片座部分的第 一電極，所述芯片座部分至少部分地通過(guò)所述凹部暴露；所述第一電極包括背離所述芯片座部分延伸的多根引線，其中第一和第二所述引線一 般在第一方向上背離所述芯片座部分延伸，第三引線在第二方向上背離所述芯片座部分延 伸。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述第一電極在它延伸到所述第一和第二 引線中時(shí)變窄，在所述第一和第二引線突出到所述外殼外之前所述第一和第二引線分別展 寬為所述預(yù)定寬度的第一和第二寬度，而且在所述外殼外所述第一和第二引線分別保持所述第一和第二寬度。
10.如權(quán)利要求9所述的裝置，還包括沿所述第一電極的第一邊緣的第一凹槽，由延伸到所述第一引線中的所述第一電極的 所述變窄和所述第一引線在突出到所述外殼外之前展寬為所述第一寬度所限定；沿所述第一電極的第二邊緣的第二凹槽，由延伸到所述第二引線中的所述第一電極的 所述變窄和所述第二引線在突出到所述外殼外之前展寬為所述第二寬度所限定。
11.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述多根電極還包括第二電極，所述第二 電極在它背離所述芯片座部分延伸時(shí)變窄而在所述第二電極突出到所述外殼外之前展寬 為另外的預(yù)定寬度，從而限定出沿所述第二電極的第一邊緣的凹槽。
12.—種表面安裝裝置，包括外殼，包括第一表面；凹部，形成于所述第一表面中，并且至少部分地延伸到所述外殼中；多個(gè)電極，至少部分地被所述外殼封裝，其中至少一個(gè)所述電極分成多根引線；一個(gè)或多個(gè)所述電極和所述引線包括它們之間的一個(gè)或多個(gè)間隙，其中至少一個(gè)所述 間隙的至少一部分通過(guò)所述凹槽暴露。
13.—種表面安裝裝置，包括外殼，包括至少部分地延伸到所述外殼的凹槽；多個(gè)電極，至少部分地被所述外殼封裝，其中至少一個(gè)所述電極包括通過(guò)所述凹槽暴 露的部分，至少一個(gè)所述電極包括一個(gè)或多個(gè)穩(wěn)定部件以保證所述電極相對(duì)于所述外殼的 定位。
全文摘要
提供了表面安裝裝置(100，500)，其包括具有芯片座部分(120，505)的第一電極(110，510)、靠近該芯片座部分設(shè)置的第二電極(115，515)、以及封裝該第一和第二電極的一部分的外殼(105，505)。第一電極(110，510)可以從芯片座部分向外殼的周邊延伸，而第二電極(115，515)可背離芯片座部分(120，520)延伸并突出到外殼(105，505)外。在背離芯片座部分延伸的過(guò)程中第一電極(110，510)分成由孔徑(345)分隔開(kāi)的多根引線(320，325，720，725，726)，在突出到外殼外之前結(jié)合成具有第一寬度的單個(gè)第一結(jié)合引線部分(330)并在外殼外保持該第一寬度。在突出到外殼外之前第二電極(115，515)可以達(dá)到第二寬度并在外殼外保持該第二寬度。
文檔編號(hào)H01L33/48GK101834265SQ20101016734
公開(kāi)日2010年9月15日 申請(qǐng)日期2007年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月26日
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