專利名稱：封裝載板、封裝結(jié)構(gòu)以及封裝載板工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種芯片封裝，且特別是涉及一種封裝載板、封裝結(jié)構(gòu)以及封裝載板工藝。
背景技術(shù)：
芯片封裝的目的在于保護(hù)裸露的芯片、降低芯片接點(diǎn)的密度及提供芯片良好的散 熱。一種常見(jiàn)的封裝方式是將芯片安裝至封裝載板，并將芯片的接點(diǎn)電性連接至封裝載板。 因此，芯片的接點(diǎn)分布可通過(guò)封裝載板重新配置，以符合下一層級(jí)的外部元件的接點(diǎn)分布。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種封裝載板，用以承載芯片。本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)，用以封裝芯片。本發(fā)明提供一種封裝載板工藝，用以制作封裝載板。本發(fā)明提出一種封裝載板，包括介電層，具有第一表面與相背對(duì)于該第一表面的 第二表面；第一導(dǎo)電金屬圖案，嵌入于該介電層的該第一表面，并具有多個(gè)第一接墊；多個(gè) 第一導(dǎo)電柱，貫穿該介電層，其中每個(gè)第一導(dǎo)電柱具有連接該第一接墊的第一導(dǎo)電柱截段 及連接該第一導(dǎo)電柱截段的第二導(dǎo)電柱截段，其中該第一導(dǎo)電柱截段與第二導(dǎo)電柱截段的 外徑不同；第二導(dǎo)電金屬圖案，配置在該介電層的該第二表面，并具有多個(gè)分別連接該些第 二導(dǎo)電柱截段的第二接墊；第一防焊層，配置于該介電層的該第一表面上，且暴露出該些第 一接墊；以及第二防焊層，配置于該介電層的該第二表面上，且暴露出該些第二接墊。本發(fā)明提出一種封裝結(jié)構(gòu)，其包括上述封裝載板；多個(gè)第一焊球，分別配置該些第 二接墊上；芯片，配置于該封裝載板上，且位于該介電層的該第一表面，該芯片電性連接于 該些第一接墊；以及封裝膠體，包覆該芯片及部分該封裝載板。本發(fā)明提出一種封裝載板工藝，包括提供承載器、導(dǎo)電初始層、第一導(dǎo)電金屬圖 案及多個(gè)第一導(dǎo)電柱截段，其中該導(dǎo)電初始層配置在該承載器上，該第一導(dǎo)電金屬圖案配 置在該導(dǎo)電初始層上，該第一導(dǎo)電金屬圖案具有多個(gè)第一接墊，該些第一導(dǎo)電柱截段分別 配置在該些第一接墊上；提供介電層，其中該介電層具有多個(gè)第一開口，且該些第一開口的 位置分別對(duì)應(yīng)于該些第一導(dǎo)電柱截段的位置；壓合該介電層以及金屬層至該導(dǎo)電初始層、 該第一導(dǎo)電金屬圖案及該些第一導(dǎo)電柱截段上，使得該介電層夾設(shè)于該金屬層與該導(dǎo)電初 始層、該第一導(dǎo)電金屬圖案及該些第一導(dǎo)電柱截段之間，并且該第一導(dǎo)電金屬圖案及該些 第一導(dǎo)電柱截段嵌入該介電層；形成多個(gè)共型開口在該金屬層上，而該些共型開口分別暴 露出該些第一導(dǎo)電柱截段上的該介電層；移除暴露于該金屬層的該些共型開口的該介電 層，以形成多個(gè)第二開口，使得該些第一導(dǎo)電柱截段分別暴露于該些第二開口 ；形成第二導(dǎo) 電柱截段在每個(gè)第二開口內(nèi)以及第二導(dǎo)電金屬圖案在該些第二導(dǎo)電柱截段及該介電層上， 其中每個(gè)第二導(dǎo)電柱截段與其所連接的該第一導(dǎo)電柱截段構(gòu)成導(dǎo)電柱，且該第二導(dǎo)電金屬 圖案具有多個(gè)第二接墊，且該些第二接墊分別連接該些第二導(dǎo)電柱截段；移除該承載器及該導(dǎo)電初始層；形成第一防焊層于該介電層上，其中該第一防焊層覆蓋該第一導(dǎo)電金屬圖 案，但暴露出該些第一接墊；以及形成第二防焊層于該介電層上，其中該第二防焊層覆蓋該 第二導(dǎo)電金屬圖案，但暴露出該些第二接墊。本發(fā)明提出一種封裝載板工藝，包括配置導(dǎo)電初始層于承載器上，該導(dǎo)電初始層 具有相對(duì)的第一表面與第二表面；以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形 成第一導(dǎo)電金屬圖案于該導(dǎo)電初始層的該第一表面上；以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路 徑，利用半加成工藝形成第一導(dǎo)電柱于該第一導(dǎo)電金屬圖案上，其中該第一導(dǎo)電柱直接連 接于該第一導(dǎo)電金屬圖案；在該第一導(dǎo)電柱以及該第一導(dǎo)電金屬層形成之后，移除該承載 器而暴露出該導(dǎo)電初始層的該第二表面；以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，利用半加成 工藝形成第二導(dǎo)電柱于該導(dǎo)電初始層的該第二表面上，其中該第二導(dǎo)電柱直接連接于該導(dǎo) 電初始層的該第二表面；移除該導(dǎo)電初始層未被該第二導(dǎo)電柱覆蓋的部分而暴露出該第一 導(dǎo)電金屬圖案；形成第一介電層以及第一金屬層于該第一導(dǎo)電金屬圖案的上表面，使得該 第一介電層夾設(shè)于該第一金屬層與該第一導(dǎo)電金屬圖案及該第一導(dǎo)電柱之間，并且該第一 導(dǎo)電金屬圖案及該第一導(dǎo)電柱嵌入該第一介電層；形成第二介電層以及第二金屬層于該第 一導(dǎo)電金屬圖案的下表面，使得該第二介電層夾設(shè)于該第二金屬層與該第一導(dǎo)電金屬圖案 及該第二導(dǎo)電柱之間，并且該第二導(dǎo)電柱嵌入該第二介電層；形成多個(gè)開口在該第一與第 二金屬層上，而該些開口分別暴露出該第一與第二導(dǎo)電柱上的介電層；移除暴露于該第一 與第二金屬層的該些開口的介電層，使得該第一與第二導(dǎo)電柱分別暴露于該些開口 ；在該 第一導(dǎo)電金屬層及該第一導(dǎo)電柱上形成第二導(dǎo)電金屬層；在該第二導(dǎo)電金屬層及該第二導(dǎo) 電柱上形成第三導(dǎo)電金屬層；以該第二及第三導(dǎo)電金屬層作為電鍍電流路徑，利用半加成 工藝分別形成第二導(dǎo)電金屬圖案及第三導(dǎo)電金屬圖案；以及移除未被第二及第三導(dǎo)電金屬 圖案覆蓋的該第二及第三導(dǎo)電金屬層的部分及其底下的該第一及第二金屬層的部分。本發(fā)明提出一種封裝載板工藝，包括配置導(dǎo)電初始層于承載器上，該導(dǎo)電初始層 具有相對(duì)的第一表面與第二表面；以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形 成第一導(dǎo)電金屬圖案于該導(dǎo)電初始層的該第一表面上；以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路 徑，利用半加成工藝形成第一導(dǎo)電柱于該第一導(dǎo)電金屬圖案上，其中該第一導(dǎo)電柱直接連 接于該第一導(dǎo)電金屬圖案；形成第一介電層于該導(dǎo)電初始層的該第一表面上，使得該第一 介電層覆蓋該第一導(dǎo)電金屬圖案，且暴露出該第一導(dǎo)電柱；在該第一介電層及該第一導(dǎo)電 柱上形成第一導(dǎo)電金屬層，其中該第一導(dǎo)電柱直接連接于該第一導(dǎo)電金屬層；以該第一導(dǎo) 電金屬層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第二導(dǎo)電金屬圖案；以該第一導(dǎo)電金屬 層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第二導(dǎo)電柱于該第二導(dǎo)電金屬圖案上，其中該 第二導(dǎo)電柱直接連接于該第二導(dǎo)電金屬圖案；移除該第一導(dǎo)電金屬層未被該第二導(dǎo)電金屬 圖案所覆蓋的部分；在該第二導(dǎo)電柱以及該第二導(dǎo)電金屬圖案形成之后，移除該承載器而 暴露出該導(dǎo)電初始層的該第二表面；以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝 形成第三導(dǎo)電柱于該導(dǎo)電初始層的該第二表面上，其中該第三導(dǎo)電柱直接連接于該導(dǎo)電初 始層的該第二表面；移除該導(dǎo)電初始層未被該第三導(dǎo)電柱覆蓋的部分而暴露出該第一導(dǎo)電 金屬圖案；形成第二介電層以及第一金屬層于該第二導(dǎo)電金屬圖案的表面，使得該第二介 電層夾設(shè)于該第一金屬層與該第二導(dǎo)電金屬圖案及該第二導(dǎo)電柱之間，并且該第二導(dǎo)電金 屬圖案及該第二導(dǎo)電柱嵌入該第二介電層；形成第三介電層以及第二金屬層于該第一導(dǎo)電金屬圖案的表面，使得該第三介電層夾設(shè)于該第二金屬層與該第一導(dǎo)電金屬圖案及該第三 導(dǎo)電柱之間，并且該第三導(dǎo)電金屬圖案與該第三導(dǎo)電柱嵌入該第三介電層；形成多個(gè)開口 在該第一與第二金屬層上，而該些開口分別暴露出該第二與第三導(dǎo)電柱上的介電材料；移 除暴露于該第一與第二金屬層的該些開口的介電材料，使得該第二與第三導(dǎo)電柱分別暴露 于該些開口 ；在該第二導(dǎo)電金屬層及該第二導(dǎo)電柱上形成第四導(dǎo)電金屬層；在該第三導(dǎo)電 金屬層及該第三導(dǎo)電柱上形成第五導(dǎo)電金屬層；以該第四及第五導(dǎo)電金屬層作為電鍍電流 路徑，利用半加成工藝分別形成第三導(dǎo)電金屬圖案及第四導(dǎo)電金屬圖案；以及移除未被該 第三及第四導(dǎo)電金屬圖案所覆蓋的該第四及第五導(dǎo)電金屬層的部分及其底下的該第一與 第二金屬層的部分。 本發(fā)明提出一種封裝載板工藝，包括配置導(dǎo)電初始層于承載器上，該導(dǎo)電初始層 具有相對(duì)的第一表面與第二表面；以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形 成第一導(dǎo)電金屬圖案于該導(dǎo)電初始層的該第一表面上；以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路 徑，利用半加成工藝形成第一導(dǎo)電柱于該第一導(dǎo)電金屬圖案上，其中該第一導(dǎo)電柱直接連 接于該第一導(dǎo)電金屬圖案；形成第一介電層于該導(dǎo)電初始層的該第一表面上，使得該第一 介電層覆蓋該第一導(dǎo)電金屬圖案，且暴露出該第一導(dǎo)電柱；在該第一介電層及該第一導(dǎo)電 柱上形成第一導(dǎo)電金屬層，其中該第一導(dǎo)電柱直接連接于該第一導(dǎo)電金屬層；以該第一導(dǎo) 電金屬層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第二導(dǎo)電金屬圖案；以該第一導(dǎo)電金屬 層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第二導(dǎo)電柱于該第二導(dǎo)電金屬圖案上，其中該 第二導(dǎo)電柱直接連接于該第二導(dǎo)電金屬圖案；移除該第一導(dǎo)電金屬層未被該第二導(dǎo)電金屬 圖案所覆蓋的部分；在該第二導(dǎo)電柱以及該第二導(dǎo)電金屬圖案形成之后，移除該承載器而 暴露出該導(dǎo)電初始層的該第二表面；以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝 形成第三導(dǎo)電柱于該導(dǎo)電初始層的該第二表面上，其中該第三導(dǎo)電柱直接連接于該導(dǎo)電初 始層的該第二表面；移除該導(dǎo)電初始層未被該第三導(dǎo)電柱覆蓋的部分而暴露出該第一導(dǎo)電 金屬圖案；形成第二介電層以及第一金屬層于該第二導(dǎo)電金屬圖案的表面，使得該第二介 電層夾設(shè)于該第一金屬層與該第二導(dǎo)電金屬圖案及該第二導(dǎo)電柱之間，并且該第二導(dǎo)電金 屬圖案及該第二導(dǎo)電柱嵌入該第二介電層；形成第三介電層于該第一導(dǎo)電金屬圖案的表 面，使得該第三介電層覆蓋該第一導(dǎo)電金屬圖案，且暴露出該第三導(dǎo)電柱；在該第三介電 層及該第三導(dǎo)電柱上形成第二導(dǎo)電金屬層，其中該第三導(dǎo)電柱直接連接于該第二導(dǎo)電金屬 層；以該第二導(dǎo)電金屬層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第三導(dǎo)電金屬圖案；以 該第二導(dǎo)電金屬層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第四導(dǎo)電柱于該第三導(dǎo)電金屬 圖案上，其中該第四導(dǎo)電柱直接連接于該第三導(dǎo)電金屬圖案；形成第四介電層以及第二金 屬層于該第三導(dǎo)電金屬圖案的表面，使得該第四介電層夾設(shè)于該第二金屬層與該第三導(dǎo)電 金屬圖案及該第四導(dǎo)電柱之間，并且該第三導(dǎo)電金屬圖案及該第四導(dǎo)電柱嵌入該第四介電 層；形成多個(gè)開口在該第一與第二金屬層上，而該些開口分別暴露出該第三與第四導(dǎo)電柱 上的介電材料；移除暴露于該第一與第二金屬層的該些開口的介電材料，使得該第二與第 三導(dǎo)電柱分別暴露于該些開口 ；在該第一金屬層及該第三導(dǎo)電柱上形成第三導(dǎo)電金屬層； 在該第二金屬層及該第四導(dǎo)電柱上形成第四導(dǎo)電金屬層；以該第三及第四導(dǎo)電金屬層作為 電鍍電流路徑，利用半加成工藝分別形成第四導(dǎo)電金屬圖案及第五導(dǎo)電金屬圖案；以及移 除未被該第四及第五導(dǎo)電金屬圖案所覆蓋的該第三及第四導(dǎo)電金屬層的部分及其底下的該第一與第二金屬層的部分?；谏鲜觯景l(fā)明是先形成多個(gè)與導(dǎo)電金屬層(或?qū)щ娊饘賵D案)電性連接的導(dǎo) 電柱后，再壓合介電層于導(dǎo)電金屬層(或?qū)щ娊饘賵D案)上，并使介電層暴露出這些導(dǎo)電柱 的部分。相較于已知先提供介電層，再以貫穿介電層的導(dǎo)通孔或?qū)щ娍讈?lái)電性連接介電層 上的導(dǎo)電金屬圖案而言，本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)在與已知的芯片封裝結(jié)構(gòu)具有相同信號(hào)線路的 布局下，可具有較小的封裝面積。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳 細(xì)說(shuō)明如下。


圖IA至圖IH分別為本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2-1至圖2-10繪示本發(fā)明的實(shí)施例的一種封裝載板工藝的剖面示意圖。圖3-1至圖3-10繪示本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種封裝載板工藝的剖面示意圖。圖4-1至圖4- 繪示本發(fā)明的又一實(shí)施例的一種封裝載板工藝的剖面示意圖。圖5-1至圖5-10繪示本發(fā)明的再一實(shí)施例的一種封裝載板工藝的剖面示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明IOa IOh 封裝結(jié)構(gòu)IOOa IOOh 封裝載板102 焊球104 芯片106 焊線108 封裝膠體109 粘著層110:介電層112:第一表面114:第二表面120:第一導(dǎo)電金屬圖案122:第一接墊130、130a 第一導(dǎo)電柱132,132a 第一導(dǎo)電柱截段134、134a 第二導(dǎo)電柱截段140:第二導(dǎo)電金屬圖案142 第二接墊144:第四接墊150 第一防焊層160 第二防焊層170、170a 第二導(dǎo)電柱172、172a:第三導(dǎo)電柱截段174、174a:第四導(dǎo)電柱截段
202、302 承載器204、304:導(dǎo)電初始層206、306 第一導(dǎo)電金屬圖案206a、306a 第一接墊208、308:導(dǎo)電柱208a、308a 第一導(dǎo)電柱截段208b、3(M3 第二導(dǎo)電柱截段210、310:介電層210a、310a 第一開口210b、310b 第二開口212、312 第二導(dǎo)電金屬圖案212a、312a 第二接墊214,314 第一防焊層216,316 第二防焊層202、302 承載器204、304:導(dǎo)電初始層206、306 第一導(dǎo)電金屬圖案206a、306a 第一接墊208、308:導(dǎo)電柱208a、308a 第一導(dǎo)電柱截段208b、3(M3 第二導(dǎo)電柱截段210、310:介電層210a、310a 第一開口210b、310b 第二開口212、312 第二導(dǎo)電金屬圖案212a、312a 第二接墊214,314 第一防焊層216,316 第二防焊層402 承載器404:導(dǎo)電初始層404a 第一表面404b 第二表面406:第一導(dǎo)電金屬圖案408:第一導(dǎo)電柱410:第一介電層410a:第一開口412:第二導(dǎo)電金屬圖案414:第二導(dǎo)電柱416:第三導(dǎo)電柱
418A-Ap — 弟一介電層419第—-金屬層418a 第:二開口420第三介電層420aι 第:三開口421A-Ap — 弟一金屬層422第三導(dǎo)電金屬圖案424第四導(dǎo)電金屬圖案426第—-防焊層428A-Ap — 弟一防焊層502承載器504導(dǎo)電初始層504aι 第-一表面504tA-A-- 丨弟—二表面506第—-導(dǎo)電金屬圖案508第—-導(dǎo)電柱510第—-介電層512A-Ap — 弟一導(dǎo)電金屬圖案514A-Ap — 弟一導(dǎo)電柱516第三導(dǎo)電柱518A-Ap — 弟一介電層519A-Ap — 弟一金屬層520第三介電層522第三導(dǎo)電金屬圖案524第四導(dǎo)電柱526第四介電層527A-Ap — 弟一金屬層528第四導(dǎo)電金屬圖案530第五導(dǎo)電金屬圖案532第—-防焊層534Α-Λ;— 弟一防焊層Ml -Μ8掩模Sl -S3導(dǎo)電金屬層
具體實(shí)施例方式圖IA為本發(fā)明的實(shí)施例的一種封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖1A，在本實(shí)施例 中，封裝結(jié)構(gòu)IOa包括封裝載板100a、多個(gè)第一焊球102、芯片104、多條焊線106以及封裝 膠體108。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，封裝載板IOOa包括介電層110、第一導(dǎo)電金屬圖案120、多個(gè)第一導(dǎo)電柱130、第二導(dǎo)電金屬圖案140、第一防焊層150及第二防焊層160。介電層110具有第一 表面112與相背對(duì)于第一表面112的第二表面114。第一導(dǎo)電金屬圖案120嵌入于介電 層110的第一表面112，并具有多個(gè)第一接墊122。在這里，第一導(dǎo)電金屬圖案120可視為 一種內(nèi)埋式線路。介電層110可包含樹脂材料，例如二氟化銨樹脂(Ammonium Bifluoride Ajinomotobuild-up film，ABF)、雙馬來(lái)酰亞胺樹脂(Bismaleimide Triazine，BT)、聚亞酰 胺樹脂(Polyimide，PI)、液晶聚合樹脂物(LCP)、環(huán)氧樹脂(Epoxy)。這些樹脂材料可混以 玻璃纖維例如纖維棉墊或填充特殊纖維，以加強(qiáng)介電層110的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。這些第一導(dǎo)電柱130貫穿介電層110，而每個(gè)第一導(dǎo)電柱130具有連接第一接墊 122的第一導(dǎo)電柱截段132及連接第一導(dǎo)電柱截段132的第二導(dǎo)電柱截段134。在本實(shí)施 例中，第一導(dǎo)電柱截段132的外徑大于第二導(dǎo)電柱截段134的外徑。第一導(dǎo)電柱截段132 及第二導(dǎo)電柱截段134的外徑差異使得第一導(dǎo)電柱130具有一個(gè)頸部。第二導(dǎo)電金屬圖案140配置在介電層110的第二表面114，并具有多個(gè)分別連接這 些第二導(dǎo)電柱截段134的第二接墊142。第一防焊層150配置于介電層110的第一表面112 上，且暴露出這些第一接墊122。第二防焊層160配置于介電層110的第二表面114上，且 暴露出這些第二接墊142。這些第一焊球102分別配置這些第二接墊142上。芯片104配置于封裝載板IOOa 上，且位于介電層Iio的第一表面112。這些焊線106連接于芯片104與這些第一接墊122。 封裝膠體108包覆芯片104、這些焊線106以及部分封裝載板100a。在本實(shí)施例中，封裝結(jié)構(gòu)IOa還包括粘著層109，其中粘著層109配置于芯片104 與第一防焊層150之間，用以將芯片104粘著至封裝載板100a。圖IB為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖IA與 圖1B，圖IB的封裝結(jié)構(gòu)IOb與圖IA的封裝結(jié)構(gòu)IOa相似，惟二者主要差異之處在于圖IB 的封裝結(jié)構(gòu)IOb的粘著層109是配置于封裝載板IOOb的第一防焊層150所暴露出的第一 導(dǎo)電金屬圖案120與芯片104之間。圖IC為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖IA與 圖1C，請(qǐng)同時(shí)參考圖IA與圖1C，圖IC的封裝結(jié)構(gòu)IOc與圖IA的封裝結(jié)構(gòu)IOa相似，惟二 者主要差異之處在于圖IC的封裝載板IOOc的第一導(dǎo)電柱130a的第一導(dǎo)電柱截段13 的外徑小于第二導(dǎo)電柱截段13 的外徑。圖ID為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖IC與 圖1D，圖ID的封裝結(jié)構(gòu)IOd與圖IC的封裝結(jié)構(gòu)IOc相似，惟二者主要差異之處在于圖ID 的封裝結(jié)構(gòu)IOd的粘著層109是配置于封裝載板IOOd的第一防焊層150所暴露出的第一 導(dǎo)電金屬圖案120與芯片104之間。圖IE為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖IA與 圖1E，圖IE的封裝結(jié)構(gòu)IOe與圖IA的封裝結(jié)構(gòu)IOa相似，惟二者主要差異之處在于圖IE 的封裝結(jié)構(gòu)IOe的封裝載板IOOe還包括第二導(dǎo)電柱170。第二導(dǎo)電柱170貫穿介電層110， 其中第一導(dǎo)電金屬圖案120具有第三接墊124，其作為芯片承墊，芯片104配置于第三接墊 124上，第二導(dǎo)電柱170具有連接第三接墊IM的第三導(dǎo)電柱截段172及連接第一導(dǎo)電柱截 段172的第四導(dǎo)電柱截段174，且第二導(dǎo)電金屬圖案140具有連接第四導(dǎo)電柱截段174的第 四接墊144。
在本實(shí)施例中，第三導(dǎo)電柱截段172的外徑大于第四導(dǎo)電柱截段174的外徑。此 外，第三導(dǎo)電柱截段172的外徑大于這些第一導(dǎo)電柱截段132的外徑，且第四導(dǎo)電柱截段 174的外徑大于這些第二導(dǎo)電柱截段134的外徑。另外，圖IE的封裝結(jié)構(gòu)IOe還包括多個(gè) 第二焊球103，同時(shí)配置于第四接墊144上。圖IF為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖IF與 圖1F，圖IF的封裝結(jié)構(gòu)IOf與圖IE的封裝結(jié)構(gòu)IOe相似，惟二者主要差異之處在于圖IF 的封裝結(jié)構(gòu)IOf的粘著層109是配置于封裝載板IOOf的第一防焊層150所暴露出的第一 導(dǎo)電金屬圖案120與芯片104之間，其中粘著層109直接連接第一導(dǎo)電金屬圖案120的第 三接墊1M。圖IG為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖IE與 圖1G，圖IG的封裝結(jié)構(gòu)IOg與圖IE的封裝結(jié)構(gòu)IOe相似，惟二者主要差異之處在于圖IG 的封裝載板IOOg的第二導(dǎo)電柱170a的的第三導(dǎo)電柱截段17 的外徑小于第四導(dǎo)電柱截 段174a的外徑。圖IH為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖IG與 圖1H，圖IH的封裝結(jié)構(gòu)IOh與圖IG的封裝結(jié)構(gòu)IOg相似，惟二者主要差異之處在于圖IH 的封裝結(jié)構(gòu)IOh的粘著層109是配置于封裝載板IOOh的第一防焊層150所暴露出的第一 導(dǎo)電金屬圖案120與芯片104之間，其中粘著層109直接連接第一導(dǎo)電金屬圖案120的第三接墊1M。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電金屬圖案用以與焊線接合的暴露表面上可設(shè)有保護(hù)層(未 示于圖中)，例如是鎳/金、鎳/鎘/金、鎳/銀、金、錫及其合金(如錫鉛合金)、銀或化鎳 把浸金(Electroless Nickel Electroless PalladiumImmersion Gold，ENEPIG)。雖然前述的實(shí)施例中，芯片皆例示以引線接合的方式與導(dǎo)電金屬圖案電性連接， 然而只要將導(dǎo)電金屬圖案的暴露部分設(shè)計(jì)在芯片正下方的區(qū)域，則芯片亦可以倒裝接合的 方式與導(dǎo)電金屬圖案電性連接。詳細(xì)言之，芯片可通過(guò)導(dǎo)電凸塊連接至導(dǎo)電金屬圖案的暴 露部分，導(dǎo)電凸塊例如為焊錫凸塊(solder bump)、銅柱(copper pillar)、銅凸塊(copper stud bump)或金凸塊(golden stud bump)。此外，可在芯片與封裝載板之間配置底膠，以 包覆導(dǎo)電凸塊。上述披露了有關(guān)于封裝結(jié)構(gòu)及封裝載板的多個(gè)實(shí)施例。下文將披露涉及封裝載板 工藝的多個(gè)實(shí)施例。圖2-1至圖2-10繪示本發(fā)明的實(shí)施例的一種封裝載板工藝的剖面示意圖。請(qǐng)參考 圖2-1，首先，提供承載器202、導(dǎo)電初始層204、第一導(dǎo)電金屬圖案206及多個(gè)第一導(dǎo)電柱截 段208a，其中導(dǎo)電初始層204配置在承載器202上，第一導(dǎo)電金屬圖案206配置在導(dǎo)電初始 層204上，第一導(dǎo)電金屬圖案206具有多個(gè)第一接墊206a，這些第一導(dǎo)電柱截段208a分別 配置在這些第一接墊206a上。在本實(shí)施例中，可通過(guò)半加成法(semi-additive process) 在導(dǎo)電初始層204上依序形成第一導(dǎo)電金屬圖案206及這些第一導(dǎo)電柱截段208a。具體而言，將介電、光致抗蝕劑或其他適當(dāng)材料的暫時(shí)掩模配置在導(dǎo)電初始層204 上。接著圖案化此掩模以在導(dǎo)電金屬圖案206所需的位置形成開口。利用導(dǎo)電初始層204 作為電鍍電流路徑(plating current path)，以在這些開口內(nèi)電鍍形成導(dǎo)電金屬圖案206。 然后移除此電鍍用的掩模。
接著，將介電、光致抗蝕劑或其他適當(dāng)材料的暫時(shí)掩模配置在導(dǎo)電金屬圖案206 及導(dǎo)電初始層204上。接著圖案化此掩模以在導(dǎo)電柱截段208a所需的位置形成開口。利 用導(dǎo)電金屬圖案206及導(dǎo)電初始層204作為電鍍電流路徑，以在這些開口內(nèi)電鍍形成這些 導(dǎo)電柱截段208a。然后移除此電鍍用的掩模。接著，請(qǐng)參考圖2-2，提供介電層210，其中介電層210已預(yù)先形成多個(gè)第一開口 210a，且這些第一開口 210a的位置分別對(duì)應(yīng)于這些第一導(dǎo)電柱截段208a的位置。在本實(shí) 施例中，介電層210可為纖維預(yù)浸材料(pr印reg)。接著，請(qǐng)參考圖2-3，壓合介電層210至導(dǎo)電初始層204，使得第一導(dǎo)電金屬圖案 206及這些第一導(dǎo)電柱截段208a嵌入介電層210。接著，請(qǐng)參考圖2-4，壓合金屬層211至介電層210，使得介電層211夾設(shè)于金屬層 211與導(dǎo)電初始層204之間。在一些實(shí)施例中，介電層210與金屬層211可同時(shí)在工藝步驟 中壓合至導(dǎo)電初始層204上。接著，請(qǐng)參考圖2-5，形成多個(gè)共型開口 211a在金屬層211上，而這些共型開口 211a分別暴露出位于這些第一導(dǎo)電柱截段208a上的介電層210。在本實(shí)施例中，這些共型 開口 211a的內(nèi)徑小于第一導(dǎo)電柱截段208a。接著，請(qǐng)參考圖2-6，移除暴露于金屬層211的這些共型開口 211a的介電層210， 以形成多個(gè)第二開口 210b，使得這些第一導(dǎo)電柱截段208a分別暴露于這些第二開口 210b。在本實(shí)施例中，可通過(guò)等離子體蝕刻(plasmaetching)以金屬層211作為共型掩模 (conformal mask)來(lái)選擇性地移除暴露于共型開口 211a的介電層210以形成這些第二開 口 210b。此外，亦可通過(guò)激光移除暴露于共型開口 211a的介電層210。這些第二開口 210b 的內(nèi)徑小于第一導(dǎo)電柱截段208a。接著，請(qǐng)參考圖2-7，移除圖2-6的金屬層211，因而暴露出介電層210。接著，請(qǐng)參考圖2-8，形成第二導(dǎo)電柱截段208b在每個(gè)第二開口 210b內(nèi)，其中每 個(gè)第二導(dǎo)電柱截段208b與其所連接的第一導(dǎo)電柱截段208a構(gòu)成導(dǎo)電柱208。在本實(shí)施例 中，可通過(guò)電鍍形成這些第二導(dǎo)電柱截段208b。值得注意的是，這些第二開口 210b的內(nèi)徑 小于這些第一導(dǎo)電柱截段208a的外徑，使得這些第二導(dǎo)電柱截段208b的外徑小于這些第 一導(dǎo)電柱截段208a的外徑。接著，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D2-8，形成第二導(dǎo)電金屬圖案212在這些第二導(dǎo)電柱截段208b及 介電層210上，其中第二導(dǎo)電金屬圖案212具有多個(gè)第二接墊212a，且這些第二接墊21 分別連接這些第二導(dǎo)電柱截段208b。在本實(shí)施例中，可通過(guò)電鍍?cè)诮殡妼?10及第二導(dǎo)電 柱截段208b上形成未圖案化的導(dǎo)電金屬層(未繪示)，之后圖案化此未圖案化的導(dǎo)電金屬 層以形成第二導(dǎo)電金屬圖案212。此外，在通過(guò)電鍍形成上述未圖案化的導(dǎo)電金屬層時(shí)，同 時(shí)通過(guò)電鍍形成這些第二導(dǎo)電柱截段208b。接著，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D2-9，移除圖2-8的承載器202及導(dǎo)電初始層204。在本實(shí)施例 中，承載器202及導(dǎo)電初始層204之間可存在離形介面，使得承載器202可從導(dǎo)電初始層 204掀離。此外，導(dǎo)電初始層204可通過(guò)蝕刻方式來(lái)移除，在移除導(dǎo)電初始層204時(shí)需要保 護(hù)第二導(dǎo)電金屬圖案212不受蝕刻。接著，請(qǐng)參考圖2-10，形成第一防焊層214于第一導(dǎo)電金屬圖案206上，其中第一 防焊層214暴露出這些第一接墊206a。并且，形成第二防焊層216于第二導(dǎo)電金屬圖案212上，其中第二防焊層216暴露出這些第二接墊21加。在一些實(shí)施例中，可形成表面保護(hù)層 (未示于圖中)于這些第一接墊206a及/或第二接墊21加。表面保護(hù)層例如是鎳/金、鎳 /鎘/金、鎳/銀、金、錫及其合金(如錫鉛合金)、銀或化鎳鈀浸金(Electroless Nickel ElectrolessPalladium Immersion Gold, ENEPIG)。圖3-1至圖3-10繪示本發(fā)明的實(shí)施例的一種封裝載板工藝的剖面示意圖。請(qǐng)參 考圖3-1，首先，提供承載器302、導(dǎo)電初始層304、第一導(dǎo)電金屬圖案306及多個(gè)第一導(dǎo)電柱 截段308a，其中導(dǎo)電初始層304配置在承載器302上，第一導(dǎo)電金屬圖案306配置在導(dǎo)電初 始層304上，第一導(dǎo)電金屬圖案306具有多個(gè)第一接墊306a，這些第一導(dǎo)電柱截段308a分 別配置在這些第一接墊306a上。在本實(shí)施例中，可通過(guò)半加成法在導(dǎo)電初始層304上依序 形成第一導(dǎo)電金屬圖案306及這些第一導(dǎo)電柱截段308a。具體而言，將介電、光致抗蝕劑或其他適當(dāng)材料的暫時(shí)掩模配置在導(dǎo)電初始層304 上。接著圖案化此掩模以在導(dǎo)電金屬圖案306所需的位置形成開口。利用導(dǎo)電初始層304 作為電鍍電流路徑，以在這些開口內(nèi)電鍍形成導(dǎo)電金屬圖案306。然后移除此電鍍用的掩 模。接著，將介電、光致抗蝕劑或其他適當(dāng)材料的暫時(shí)掩模配置在導(dǎo)電金屬圖案306 及導(dǎo)電初始層304上。接著圖案化此掩模以在導(dǎo)電柱截段308a所需的位置形成開口。利 用導(dǎo)電金屬圖案306及導(dǎo)電初始層304作為電鍍電流路徑，以在這些開口內(nèi)電鍍形成這些 導(dǎo)電柱截段308a。然后移除此電鍍用的掩模。接著，請(qǐng)參考圖3-2，提供介電層310，其中介電層310已預(yù)先形成多個(gè)第一開口 310a，且這些第一開口 310a的位置分別對(duì)應(yīng)于這些第一導(dǎo)電柱截段308a的位置。在本實(shí) 施例中，介電層310可為纖維預(yù)浸材料。接著，請(qǐng)參考圖3-3，壓合介電層310至導(dǎo)電初始層304，使得第一導(dǎo)電金屬圖案 306及這些第一導(dǎo)電柱截段308a嵌入介電層310。接著，請(qǐng)參考圖3-4，壓合金屬層311至介電層310，使得介電層311夾設(shè)于金屬層 311與導(dǎo)電初始層304之間。在一些實(shí)施例中，介電層310與金屬層311可同時(shí)在工藝步驟 中壓合至導(dǎo)電初始層204上。接著，請(qǐng)參考圖3-5，形成多個(gè)共型開口 311a在金屬層311上，而這些共型開口 311a分別暴露出位于這些第一導(dǎo)電柱截段308a上的介電層310。在本實(shí)施例中，這些共型 開口 311a的內(nèi)徑大于第一導(dǎo)電柱截段308a。接著，請(qǐng)參考圖3-6，移除暴露于金屬層311的這些共型開口 311a的介電層310， 以形成多個(gè)第二開口 310b，使得這些第一導(dǎo)電柱截段308a分別暴露于這些第二開口 310b。在本實(shí)施例中，可通過(guò)等離子體蝕刻(plasmaetching)以金屬層311作為共型掩模 (conformal mask)來(lái)選擇性地移除暴露于共型開口 311a的介電層310以形成這些第二開 口 310b。此外，亦可通過(guò)激光移除暴露于共型開口 311a的介電層310。這些第二開口 310b 的內(nèi)徑大于第一導(dǎo)電柱截段308a。接著，請(qǐng)參考圖3-7，移除圖3-6的金屬層311，因而暴露出介電層310。接著，請(qǐng)參考圖3-8，形成第二導(dǎo)電柱截段308b在每個(gè)第二開口 310b內(nèi)，其中每 個(gè)第二導(dǎo)電柱截段308b與其所連接的第一導(dǎo)電柱截段308a構(gòu)成導(dǎo)電柱308。在本實(shí)施例 中，可通過(guò)電鍍形成這些第二導(dǎo)電柱截段308b。值得注意的是，這些第二開口 310b的內(nèi)徑大于這些第一導(dǎo)電柱截段308a的外徑，使得這些第二導(dǎo)電柱截段308b的外徑大于這些第 一導(dǎo)電柱截段308a的外徑。接著，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D3-8，形成第二導(dǎo)電金屬圖案312在這些第二導(dǎo)電柱截段308b及 介電層310上，其中第二導(dǎo)電金屬圖案312具有多個(gè)第二接墊312a，且這些第二接墊31 分別連接這些第二導(dǎo)電柱截段308b。在本實(shí)施例中，通過(guò)電鍍可在介電層310及第二導(dǎo)電 柱截段308b上形成未圖案化的導(dǎo)電金屬層(未繪示)，之后圖案化此未圖案化的導(dǎo)電金屬 層以形成第二導(dǎo)電金屬圖案312。此外，在通過(guò)電鍍形成上述未圖案化的導(dǎo)電金屬層時(shí)，同 時(shí)通過(guò)電鍍形成這些第二導(dǎo)電柱截段308b。接著，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D3-9，移除圖3-8的承載器302及導(dǎo)電初始層304。在本實(shí)施例 中，承載器302及導(dǎo)電初始層304之間可存在離形介面，使得承載器302可從導(dǎo)電初始層 304掀離。此外，導(dǎo)電初始層304可通過(guò)蝕刻方式來(lái)移除，在移除導(dǎo)電初始層304時(shí)需要保 護(hù)第二導(dǎo)電金屬圖案312不受蝕刻。接著，請(qǐng)參考圖3-10，形成第一防焊層314于介電層310上，其中第一防焊層314 覆蓋第一導(dǎo)電金屬圖案306，但暴露出這些第一接墊306a。此外，形成第二防焊層316于 介電層310上，其中第二防焊層316覆蓋第二導(dǎo)電金屬圖案312，但暴露出這些第二接墊 312a0上文披露了兩個(gè)本發(fā)明的兩層線路的封裝載板工藝。此外，通過(guò)將介電層壓合至 已完成的導(dǎo)電金屬圖案及導(dǎo)電柱的技術(shù)特征，下文還披露了四層及五層的封裝載板工藝。圖4-1至圖4- 繪示本發(fā)明的又一實(shí)施例的一種封裝載板工藝的剖面示意圖。首先，請(qǐng)參考圖4-1，提供承載器402，在承載器402的兩面分別配置導(dǎo)電初始層 404(例如銅箔)。詳細(xì)言之，承載器402與導(dǎo)電初始層404之間可以設(shè)置有機(jī)或無(wú)機(jī)的離 MM (organic or inorganic release layer) ( 于圖中)。接著，以導(dǎo)電初始層404作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第一導(dǎo)電金屬 圖案406(參見(jiàn)圖4- 于導(dǎo)電初始層404的第一表面40 上。詳細(xì)言之，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D4-1，在每個(gè)導(dǎo)電初始層404的第一表面40 上形成第一掩 模Ml。在本實(shí)施例中，每個(gè)第一掩模Ml可通過(guò)預(yù)先在對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電初始層404上形成光致抗 蝕劑(例如干膜光致抗蝕劑(dry filmphotoresist))后，接著圖案化此光致抗蝕劑來(lái)加以 形成。在另一應(yīng)用例中，也可利用涂布光致抗蝕劑液(photoresist solution)于導(dǎo)電初始 層404上，之后干燥光致抗蝕劑液以形成光致抗蝕劑層。接著，請(qǐng)參考圖4-2，以這些第一掩模Ml為電鍍掩模，并以這些導(dǎo)電初始層404作 為電鍍電流路徑，在每個(gè)導(dǎo)電初始層404被暴露的部分上電鍍形成第一導(dǎo)電金屬圖案406。接著，以導(dǎo)電初始層404作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第一導(dǎo)電柱 408(參見(jiàn)圖4-4)于第一導(dǎo)電金屬圖案406上。詳細(xì)言之，請(qǐng)參考圖4-3，在去除圖4-2的這些第一掩模Ml后，形成兩第二掩模 M2，以分別覆蓋這些第一導(dǎo)電金屬圖案406，其中這些第一導(dǎo)電金屬圖案406欲形成圖4_4 的第一導(dǎo)電柱408的部分暴露于第二掩模M2。接著，請(qǐng)參考圖4-4，以這些第二掩模M2為電鍍掩模，并以這些導(dǎo)電初始層404作 為電鍍電流路徑，在每個(gè)第一導(dǎo)電金屬圖案406被暴露的部分上電鍍形成多個(gè)第一導(dǎo)電柱 408(圖僅繪示其一)。
接著，請(qǐng)參考圖4-5，移除圖4-4的這些第二掩模M2，以暴露出這些導(dǎo)電初始層404 及這些第一導(dǎo)電金屬圖案406。接著，形成第一介電層410于導(dǎo)電初始層404的第一表面40 上，使得第一介電 層410覆蓋對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電金屬圖案406，且暴露出對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電柱408。詳細(xì)言之，請(qǐng)參考圖4-6，提供一對(duì)第一介電層410，其中每個(gè)第一介電層410具有 多個(gè)第一開口 410a (圖僅繪示其一)，而這些第一開口 410a的位置分別對(duì)應(yīng)于這些第一導(dǎo) 電柱408的位置。接著，請(qǐng)參考圖4-7，將這些第一介電層410分別壓合至位于承載器402兩側(cè)的這 些導(dǎo)電初始層404，使得這些第一導(dǎo)電金屬圖案406及這些第一導(dǎo)電柱408嵌入對(duì)應(yīng)的第一 介電層410中。接著，請(qǐng)參考圖4-8，去除第一導(dǎo)電柱408表面的介電材料，例如通過(guò)平坦化這 些第一導(dǎo)電柱408與這些第一介電層410。在本實(shí)施例中，上述的平坦化例如是拋光 (buffing) ο接著，請(qǐng)參考圖4-9，在每個(gè)第一介電層410及所對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電柱408上形成第 一導(dǎo)電金屬層Si。在本實(shí)施例中，形成第一導(dǎo)電金屬層Sl的步驟例如是濺鍍。接著，請(qǐng)參考圖4-10，在每個(gè)第一導(dǎo)電金屬層Sl上形成第三掩模M3。在本實(shí)施例 中，可通過(guò)預(yù)先在對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電金屬層Sl上形成光致抗蝕劑后，接著圖案化此光致抗蝕 劑來(lái)加以形成。接著，請(qǐng)參考圖4-11，以這些第三掩模M3為電鍍掩模，并以這些第一導(dǎo)電金屬層 Sl作為電鍍電流路徑，在每個(gè)第一導(dǎo)電金屬層Sl上電鍍第二導(dǎo)電金屬圖案412。接著，請(qǐng)參考圖4-12，在去除圖4-11的這些第三掩模M3后，形成兩第四掩模M4， 以分別覆蓋局部的這些第二導(dǎo)電金屬圖案412，其中這些第二導(dǎo)電金屬圖案412欲形成圖 4-13的第二導(dǎo)電柱414的部分暴露于第三掩模M3。接著，請(qǐng)參考圖4-13，以這些第四掩模M4為電鍍掩模，并以這些第一導(dǎo)電金屬層 Sl作為電鍍電流路徑，在每個(gè)第二導(dǎo)電金屬圖案412上電鍍形成多個(gè)第二導(dǎo)電柱414。接著，請(qǐng)參考圖4-14，移除圖4-13的這些第四掩模M4，而暴露出這些第一導(dǎo)電金 屬層Sl及這些第二導(dǎo)電金屬圖案412。接著，請(qǐng)參考圖4-15，移除圖4-14的這些第一導(dǎo)電金屬層Sl被這些第二導(dǎo)電金屬 圖案412所暴露出的部分。在本實(shí)施例中，可通過(guò)快速蝕刻來(lái)移除這些第一導(dǎo)電金屬層Sl 的部分，而這些第一導(dǎo)電金屬層Sl的殘留部分亦構(gòu)成這些第二導(dǎo)電金屬圖案412的局部。接著，請(qǐng)參考圖4-16，移除圖4-15的承載器402，以取用位于承載器402 —側(cè)的 結(jié)構(gòu)，其包括導(dǎo)電初始層404、第一介電層410、第一導(dǎo)電金屬圖案406、第二導(dǎo)電金屬圖案 412、這些第一導(dǎo)電柱408及這些第二導(dǎo)電柱414。在移除承載器402以后，暴露出導(dǎo)電初始 層404的第二表面404b。接著，請(qǐng)參考圖4-17，形成第五掩模M5于第一介電層410的一側(cè)，并覆蓋第二導(dǎo)電 金屬圖案412及這些第二導(dǎo)電柱414。此外，形成第六掩模M6在導(dǎo)電初始層404的第二表 面404b上，并暴露出部分的導(dǎo)電初始層404。接著，請(qǐng)參考圖4-18，以第六掩模M6為電鍍掩模，并以導(dǎo)電初始層404作為電鍍電 流路徑，在導(dǎo)電初始層404上電鍍形成第三導(dǎo)電柱416。
接著，請(qǐng)參考圖4-19，移除圖4-18的第五掩模M5及第六掩模M6，而暴露出第一介 電層410、第二導(dǎo)電金屬圖案412、這些第二導(dǎo)電柱414及導(dǎo)電初始層404。接著，請(qǐng)參考圖4-20，移除圖4-19的導(dǎo)電初始層404被這些第三導(dǎo)電柱416所暴 露出的部分。在本實(shí)施例中，可通過(guò)快速蝕刻來(lái)移除導(dǎo)電初始層404的部分，而導(dǎo)電初始層 404的殘留部分亦構(gòu)成這些第三導(dǎo)電柱416的局部。接著，請(qǐng)參考圖4-21，提供第二介電層418、第一金屬層419、第三介電層420及第 二金屬層421，其中第二介電層418具有多個(gè)第二開口 418a(圖僅繪示其一)，而這些第二 開口 418a的位置分別對(duì)應(yīng)于這些第二導(dǎo)電柱414的位置，并且第三介電層420具有多個(gè) 第三開口 420a (圖僅繪示其一)，而這些第三開口 420a的位置分別對(duì)應(yīng)于這些第三導(dǎo)電柱 416的位置。接著，請(qǐng)參考圖4-22，將第二介電層418、第一金屬層419、第三介電層420及第二 金屬層421分別壓合至第一介電層410的兩面，使得第二介電層418位于第一介電層410 與第一金屬層419之間，第三介電層420位于第一介電層410與第二金屬層421之間，這些 第二導(dǎo)電金屬圖案412及這些第二導(dǎo)電柱414嵌入對(duì)應(yīng)的第二介電層418中，這些第三導(dǎo) 電柱416嵌入對(duì)應(yīng)的第三介電層420中，且第一導(dǎo)電金屬圖案406被第三介電層420所覆至ΓΤΠ ο接著，請(qǐng)參考圖4-23，移除第二導(dǎo)電柱414上的部分第一金屬層419以暴露出第二 導(dǎo)電柱414，并移除第三導(dǎo)電柱416上的部分第二金屬層421以暴露出第三導(dǎo)電柱416。在 本實(shí)施例中，可通過(guò)激光或選擇性蝕刻來(lái)移除部分第一金屬層419及部分第二金屬層421。此外，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D4-23，在暴露出第二導(dǎo)電柱414及第三導(dǎo)電柱416以后，還可 去除第二導(dǎo)電柱414及第三導(dǎo)電柱416的表面污垢或殘留的介電層材料，以利于后續(xù)工 藝。在本實(shí)施例中，去除表面污垢或殘留的介電層材料的步驟包括等離子體清除(plasma cleaning)0接著，請(qǐng)參考圖4-24，在第一金屬層419及第二導(dǎo)電柱414上形成第二導(dǎo)電金屬層 S2。此外，在第二金屬層421及第三導(dǎo)電柱416上形成第三導(dǎo)電金屬層S3。接著，請(qǐng)參考圖4-25，在第二導(dǎo)電金屬層S2上形成第七掩模M7。此外，在第三導(dǎo) 電金屬層S3上形成第八掩模M8。接著，請(qǐng)參考圖4-26，以第七掩模M7及第八掩模M8為電鍍掩模，通過(guò)第二導(dǎo)電金 屬層S2及第三導(dǎo)電金屬層S3作為電鍍電流路徑，在第二導(dǎo)電金屬層S2及第三導(dǎo)電金屬層 S3上分別電鍍形成第三導(dǎo)電金屬圖案422及第四導(dǎo)電金屬圖案424。接著，請(qǐng)參考圖4-27，移除圖446的第七掩模M7及第八掩模M8，而暴露出第二導(dǎo) 電金屬層S2及第三導(dǎo)電金屬層S3。接著，請(qǐng)參考圖4- ，移除圖4-27的第二導(dǎo)電金屬層S2被第三導(dǎo)電金屬圖案422 所暴露出的部分及其底下的部分第一金屬層419。并且，移除圖4-27的第三導(dǎo)電金屬層S3 被第四導(dǎo)電金屬圖案4M所暴露出的部分及其底下的部分第二金屬層421。在本實(shí)施例中， 可通過(guò)快速蝕刻來(lái)移除第二導(dǎo)電金屬層S2的部分及其底下的部分第一金屬層419，且移除 第三導(dǎo)電金屬層S3的部分及其底下的部分第二金屬層421，使得第二導(dǎo)電金屬層S2的殘留 部分及其底下的部分第一金屬層419亦構(gòu)成第三導(dǎo)電金屬圖案422的部分，第三導(dǎo)電金屬 層S3的殘留部分及其底下的部分第二金屬層421亦構(gòu)成第四導(dǎo)電金屬圖案424的部分。
接著，請(qǐng)參考圖4- ，在第二介電層418及第三介電層420上分別形成第一防焊 層似6及第二防焊層428，其中第一防焊層似6覆蓋部分的第三導(dǎo)電金屬圖案422，并且第 二防焊層4 覆蓋部分的第四導(dǎo)電金屬圖案424。可以理解的是，雖然圖4-1至圖4- 繪示的實(shí)施例有關(guān)于四層電路板工藝，然而 該實(shí)施例亦可應(yīng)用于制造三層電路板、五層(或以上)電路板。當(dāng)用圖4-1至圖4- 繪示的實(shí)施例制造三層電路板時(shí)，會(huì)略過(guò)圖4-6至圖4_16 關(guān)于導(dǎo)電金屬圖案412及導(dǎo)電柱414的工藝，而直接移除圖4-5的承載器402，以取用位于 承載器402—側(cè)的結(jié)構(gòu)，其包括導(dǎo)電初始層404、第一介電層410、第一導(dǎo)電金屬圖案406及 這些第一導(dǎo)電柱408。接著，利用與圖4-17至4-20相似的工藝形成導(dǎo)電柱416，并且利用 與圖4-21至4- 相似的工藝形成導(dǎo)電金屬圖案422、424。由于省略導(dǎo)電金屬圖案412及 導(dǎo)電柱414，在制得的三層電路板中，導(dǎo)電金屬圖案422、似4將分別利用導(dǎo)電柱408、416直 接與導(dǎo)電金屬圖案406連接。當(dāng)用圖4-1至圖4- 繪示的實(shí)施例制造五層(或以上)電路板時(shí)，會(huì)在承載器 402移除之前，利用與圖4-6至4-15相似的工藝形成額外的內(nèi)層介電層、內(nèi)層導(dǎo)電金屬圖案 及對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電柱(其數(shù)目視所需而定)于圖4-15的結(jié)構(gòu)上。然后，利用與圖4-16至4- 相似的工藝形成外層導(dǎo)電金屬圖案及對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電柱。圖5-1至圖5-10繪示本發(fā)明的再一實(shí)施例的一種封裝載板工藝的剖面示意圖。首先，請(qǐng)參考圖5-1，提供承載器502，在承載器502的兩面分別配置導(dǎo)電初始層 504、第一導(dǎo)電金屬圖案506及多個(gè)第一導(dǎo)電柱508(圖僅繪示其一)，其中每個(gè)第一導(dǎo)電金 屬圖案506配置在對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電初始層504的第一表面50 上。在本實(shí)施例中，這些第一導(dǎo) 電金屬圖案506及這些第一導(dǎo)電柱508可通過(guò)兩次的半加成法來(lái)形成，即類似圖4-1至圖 4-5的這些步驟。接著，請(qǐng)參考圖5-2，形成第一介電層510于每個(gè)導(dǎo)電初始層504的第一表面50 上，使得這些第一介電層510覆蓋這些第一導(dǎo)電金屬圖案506，且暴露出這些第一導(dǎo)電柱 508。在本實(shí)施例中，可通過(guò)類似圖4-6至圖4-8的這些步驟來(lái)形成這些第一介電層510。接著，請(qǐng)參考圖5-3，在每個(gè)第一介電層510上依序形成第二導(dǎo)電金屬圖案512及 多個(gè)第二導(dǎo)電柱514(圖僅繪示其一)，其中這些第二導(dǎo)電柱514直接連接于對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo) 電金屬圖案512。在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)電金屬圖案512及這些第二導(dǎo)電柱514可通過(guò)兩次 的半加成法來(lái)形成，即類似圖4-9至圖4-15的這些步驟。接著，請(qǐng)參考圖5-4，移除圖5-3的承載器502，以取用位于承載器502 —側(cè)的結(jié) 構(gòu)，其包括導(dǎo)電初始層504、第一介電層510、第一導(dǎo)電金屬圖案506、第二導(dǎo)電金屬圖案 512、這些第一導(dǎo)電柱508及這些第二導(dǎo)電柱514。在移除承載器502以后，暴露出導(dǎo)電初始 層504的第二表面504b。接著，請(qǐng)參考圖5-5，形成第三導(dǎo)電柱516在第一導(dǎo)電金屬圖案506上。在本實(shí)施 例中，這些第三導(dǎo)電柱516可通過(guò)半加成法來(lái)形成，即類似圖4-16至圖4-20的這些步驟， 其中導(dǎo)電初始層504作為電鍍電流路徑，并在第三導(dǎo)電柱516完成以后，移除圖5-4的導(dǎo)電 初始層504未被第三導(dǎo)電柱516覆蓋的部分而暴露出第一導(dǎo)電金屬圖案506，而導(dǎo)電初始層 504的殘留部分亦構(gòu)成這些第三導(dǎo)電柱516的局部。接著，請(qǐng)參考圖5-6，形成第二介電層518及第一金屬層519于第二導(dǎo)電金屬圖案22512的表面，使得第二介電層518夾設(shè)于第一金屬層519與第二導(dǎo)電金屬圖案512及第二導(dǎo) 電柱514之間，并且第二導(dǎo)電金屬圖案512及第二導(dǎo)電柱514嵌入第二介電層518。在本 實(shí)施例中，可通過(guò)類似圖4-21至圖4-22的這些步驟來(lái)形成第二介電層518及第一金屬層 519。接著，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D5-6，形成第三介電層520于第一導(dǎo)電金屬圖案506的表面，使得 第三介電層520覆蓋第一導(dǎo)電金屬圖案506，且暴露出第三導(dǎo)電柱516。在本實(shí)施例中，可 通過(guò)類似圖4-6至圖4-8的這些步驟來(lái)形成第三介電層520。接著，請(qǐng)參考圖5-7，在第三介電層520上依序形成第三導(dǎo)電金屬圖案522及多個(gè) 第四導(dǎo)電柱524(圖僅繪示其一)，其中這些第四導(dǎo)電柱5M直接連接于對(duì)應(yīng)的第三導(dǎo)電金 屬圖案522。在本實(shí)施例中，第三導(dǎo)電金屬圖案522及這些第四導(dǎo)電柱5M可通過(guò)兩次的半 加成法來(lái)形成，即類似圖4-9至圖4-15的這些步驟。接著，請(qǐng)參考圖5-8，形成第四介電層5 及第二金屬層527于第三導(dǎo)電金屬圖案 522的表面，使得第四介電層5 夾設(shè)于第二金屬層527與第三導(dǎo)電金屬圖案522及該第 四導(dǎo)電柱5M之間，并且該第三導(dǎo)電金屬圖案522及該第四導(dǎo)電柱5M嵌入該第四介電層 526。在本實(shí)施例中，可通過(guò)類似圖4-21至圖4-22的步驟來(lái)形成第四介電層5 及第二金 屬層527。接著，請(qǐng)參考圖5-9，在第二介電層518及第四介電層5 上分別形成第四導(dǎo)電金 屬圖案5 及第五導(dǎo)電金屬圖案530。在本實(shí)施例中，第四導(dǎo)電金屬圖案5 及第五導(dǎo)電金 屬圖案530可通過(guò)半加成法來(lái)形成，即類似圖4- 至圖4- 的這些步驟。接著，請(qǐng)參考圖5-10，在第二介電層518及第四介電層5 上分別形成第一防焊 層532及第二防焊層534，其中第一防焊層532覆蓋部分的第四導(dǎo)電金屬圖案528，并且第 二防焊層534覆蓋部分的第五導(dǎo)電金屬圖案530。綜上所述，本發(fā)明的封裝載板透過(guò)導(dǎo)電柱來(lái)取代已知的導(dǎo)通孔或?qū)щ娍?，可有?減少封裝面積，而使用本發(fā)明的封裝載板的封裝結(jié)構(gòu)，在與已知的芯片封裝結(jié)構(gòu)具有相同 信號(hào)線路的布局下，可具有較小的封裝面積。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域 中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的 保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種封裝載板，包括介電層，具有第一表面與相背對(duì)于該第一表面的第二表面； 第一導(dǎo)電金屬圖案，嵌入于該介電層的該第一表面，并具有多個(gè)第一接墊； 多個(gè)第一導(dǎo)電柱，貫穿該介電層，其中每個(gè)第一導(dǎo)電柱具有連接該第一接墊的第一導(dǎo) 電柱截段及連接該第一導(dǎo)電柱截段的第二導(dǎo)電柱截段，其中該第一導(dǎo)電柱截段與第二導(dǎo)電 柱截段的外徑不同；第二導(dǎo)電金屬圖案，配置在該介電層的該第二表面，并具有多個(gè)分別連接該多個(gè)第二 導(dǎo)電柱截段的第二接墊；第一防焊層，配置于該介電層的該第一表面上，且暴露出該多個(gè)第一接墊；以及 第二防焊層，配置于該介電層的該第二表面上，且暴露出該多個(gè)第二接墊。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝載板，其中該第一導(dǎo)電柱截段的外徑大于該第二導(dǎo)電柱截 段的外徑。
3.如權(quán)利要求1所述的封裝載板，其中該第一導(dǎo)電柱截段的外徑小于該第二導(dǎo)電柱截 段的外徑。
4.如權(quán)利要求1所述的封裝載板，還包括 第二導(dǎo)電柱，貫穿該介電層，其中該第一導(dǎo)電金屬圖案具有第三接墊，以作為芯片承墊，該第二導(dǎo)電柱具有連接該 芯片承墊的第三導(dǎo)電柱截段及連接該第一導(dǎo)電柱截段的第四導(dǎo)電柱截段，該第二導(dǎo)電金屬 圖案具有連接該第四導(dǎo)電柱截段的第四接墊，該第三導(dǎo)電柱截段的外徑大于該多個(gè)第一導(dǎo) 電柱截段的外徑，且該第四導(dǎo)電柱截段的外徑大于該多個(gè)第二導(dǎo)電柱截段的外徑。
5.如權(quán)利要求4所述的封裝載板，其中該第三導(dǎo)電柱截段的外徑大于該第四導(dǎo)電柱截 段的外徑。
6.如權(quán)利要求4所述的封裝載板，其中該第三導(dǎo)電柱截段的外徑小于該第四導(dǎo)電柱截 段的外徑。
7.一種封裝結(jié)構(gòu)，包括 封裝載板，包括介電層，具有第一表面與相背對(duì)于該第一表面的第二表面； 第一導(dǎo)電金屬圖案，嵌入于該介電層的該第一表面，并具有多個(gè)第一接墊； 多個(gè)第一導(dǎo)電柱，貫穿該介電層，其中每個(gè)第一導(dǎo)電柱具有連接該第一接墊的第一導(dǎo) 電柱截段及連接該第一導(dǎo)電柱截段的第二導(dǎo)電柱截段；第二導(dǎo)電金屬圖案，配置在該介電層的該第二表面，并具有多個(gè)分別連接該多個(gè)第二 導(dǎo)電柱截段的第二接墊；第一防焊層，配置于該介電層的該第一表面上，且暴露出該多個(gè)第一接墊；以及 第二防焊層，配置于該介電層的該第二表面上，且暴露出該多個(gè)第二接墊； 多個(gè)第一焊球，分別配置該多個(gè)第二接墊上；芯片，配置于該封裝載板上，且位于該介電層的該第一表面，該芯片電性連接于該多個(gè) 第一接墊；以及封裝膠體，包覆該芯片及部分該封裝載板。
8.如權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一導(dǎo)電柱截段的外徑大于該第二導(dǎo)電柱截段的外徑。
9.如權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一導(dǎo)電柱截段的外徑小于該第二導(dǎo)電柱截 段的外徑。
10.如權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該封裝載板還包括第二導(dǎo)電柱，貫穿該介電層，其中該第一導(dǎo)電金屬圖案具有第三接墊，以作為芯片承 墊，該芯片配置于該第三接墊上，該第二導(dǎo)電柱具有連接該第三接墊的第三導(dǎo)電柱截段及 連接該第一導(dǎo)電柱截段的第四導(dǎo)電柱截段，該第二導(dǎo)電金屬圖案具有連接該第四導(dǎo)電柱截 段的第四接墊，該第三導(dǎo)電柱截段的外徑大于該多個(gè)第一導(dǎo)電柱截段的外徑，且該第四導(dǎo) 電柱截段的外徑大于該多個(gè)第二導(dǎo)電柱截段的外徑。
11.如權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第三導(dǎo)電柱截段的外徑大于該第四導(dǎo)電柱 截段的外徑。
12.如權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第三導(dǎo)電柱截段的外徑小于該第四導(dǎo)電柱 截段的外徑。
13.如權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)，還包括 至少一第二焊球，配置于該第四接墊上。
14.一種封裝載板工藝，包括提供承載器、導(dǎo)電初始層、第一導(dǎo)電金屬圖案及多個(gè)第一導(dǎo)電柱截段，其中該導(dǎo)電初始 層配置在該承載器上，該第一導(dǎo)電金屬圖案配置在該導(dǎo)電初始層上，該第一導(dǎo)電金屬圖案 具有多個(gè)第一接墊，該多個(gè)第一導(dǎo)電柱截段分別配置在該多個(gè)第一接墊上；提供介電層，其中該介電層具有多個(gè)第一開口，且該多個(gè)第一開口的位置分別對(duì)應(yīng)于 該多個(gè)第一導(dǎo)電柱截段的位置；壓合該介電層以及金屬層至該導(dǎo)電初始層、該第一導(dǎo)電金屬圖案及該多個(gè)第一導(dǎo)電柱 截段上，使得該介電層夾設(shè)于該金屬層與該導(dǎo)電初始層、該第一導(dǎo)電金屬圖案及該多個(gè)第 一導(dǎo)電柱截段之間，并且該第一導(dǎo)電金屬圖案及該多個(gè)第一導(dǎo)電柱截段嵌入該介電層；形成多個(gè)共型開口在該金屬層上，而該多個(gè)共型開口分別暴露出該多個(gè)第一導(dǎo)電柱截 段上的該介電層；移除暴露于該金屬層的該多個(gè)共型開口的該介電層，以形成多個(gè)第二開口，使得該多 個(gè)第一導(dǎo)電柱截段分別暴露于該多個(gè)第二開口 ；形成第二導(dǎo)電柱截段在每個(gè)第二開口內(nèi)以及第二導(dǎo)電金屬圖案在該多個(gè)第二導(dǎo)電柱 截段及該介電層上，其中每個(gè)第二導(dǎo)電柱截段與其所連接的該第一導(dǎo)電柱截段構(gòu)成導(dǎo)電 柱，且該第二導(dǎo)電金屬圖案具有多個(gè)第二接墊，且該多個(gè)第二接墊分別連接該多個(gè)第二導(dǎo) 電柱截段；移除該承載器及該導(dǎo)電初始層；形成第一防焊層于該介電層上，其中該第一防焊層覆蓋該第一導(dǎo)電金屬圖案，但暴露 出該多個(gè)第一接墊；以及形成第二防焊層于該介電層上，其中該第二防焊層覆蓋該第二導(dǎo)電金屬圖案，但暴露 出該多個(gè)第二接墊。
15.如權(quán)利要求14所述的封裝載板工藝，其中該多個(gè)第二開口的內(nèi)徑小于該多個(gè)第 一導(dǎo)電柱截段的外徑，使得該多個(gè)第二導(dǎo)電柱截段的外徑小于該多個(gè)第一導(dǎo)電柱截段的外徑。
16.如權(quán)利要求14所述的封裝載板工藝，其中該多個(gè)第二開口的內(nèi)徑大于該多個(gè)第 一導(dǎo)電柱截段的外徑，使得該多個(gè)第二導(dǎo)電柱截段的外徑大于該多個(gè)第一導(dǎo)電柱截段的外徑。
17.一種封裝載板工藝，包括配置導(dǎo)電初始層于承載器上，該導(dǎo)電初始層具有相對(duì)的第一表面與第二表面； 以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第一導(dǎo)電金屬圖案于該導(dǎo)電 初始層的該第一表面上；以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第一導(dǎo)電柱于該第一導(dǎo)電金 屬圖案上，其中該第一導(dǎo)電柱直接連接于該第一導(dǎo)電金屬圖案；在該第一導(dǎo)電柱以及該第一導(dǎo)電金屬層形成之后，移除該承載器而暴露出該導(dǎo)電初始 層的該第二表面；以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第二導(dǎo)電柱于該導(dǎo)電初始層 的該第二表面上，其中該第二導(dǎo)電柱直接連接于該導(dǎo)電初始層的該第二表面；移除該導(dǎo)電初始層未被該第二導(dǎo)電柱覆蓋的部分而暴露出該第一導(dǎo)電金屬圖案； 形成第一介電層以及第一金屬層于該第一導(dǎo)電金屬圖案的上表面，使得該第一介電層 夾設(shè)于該第一金屬層與該第一導(dǎo)電金屬圖案及該第一導(dǎo)電柱之間，并且該第一導(dǎo)電金屬圖 案及該第一導(dǎo)電柱嵌入該第一介電層；形成第二介電層以及第二金屬層于該第一導(dǎo)電金屬圖案的下表面，使得該第二介電層 夾設(shè)于該第二金屬層與該第一導(dǎo)電金屬圖案及該第二導(dǎo)電柱之間，并且該第二導(dǎo)電柱嵌入 該第二介電層；形成多個(gè)開口在該第一與第二金屬層上，而該多個(gè)開口分別暴露出該第一與第二導(dǎo)電 柱上的介電層；移除暴露于該第一與第二金屬層的該多個(gè)開口的介電層，使得該第一與第二導(dǎo)電柱分 別暴露于該多個(gè)開口；在該第一導(dǎo)電金屬層及該第一導(dǎo)電柱上形成第二導(dǎo)電金屬層； 在該第二導(dǎo)電金屬層及該第二導(dǎo)電柱上形成第三導(dǎo)電金屬層； 以該第二及第三導(dǎo)電金屬層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝分別形成第二導(dǎo)電金 屬圖案及第三導(dǎo)電金屬圖案；以及移除未被第二及第三導(dǎo)電金屬圖案覆蓋的該第二及第三導(dǎo)電金屬層的部分及其底下 的該第一及第二金屬層的部分。
18.一種封裝載板工藝，包括配置導(dǎo)電初始層于承載器上，該導(dǎo)電初始層具有相對(duì)的第一表面與第二表面； 以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第一導(dǎo)電金屬圖案于該導(dǎo)電 初始層的該第一表面上；以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第一導(dǎo)電柱于該第一導(dǎo)電金 屬圖案上，其中該第一導(dǎo)電柱直接連接于該第一導(dǎo)電金屬圖案；形成第一介電層于該導(dǎo)電初始層的該第一表面上，使得該第一介電層覆蓋該第一導(dǎo)電 金屬圖案，且暴露出該第一導(dǎo)電柱；在該第一介電層及該第一導(dǎo)電柱上形成第一導(dǎo)電金屬層，其中該第一導(dǎo)電柱直接連接 于該第一導(dǎo)電金屬層；以該第一導(dǎo)電金屬層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第二導(dǎo)電金屬圖案； 以該第一導(dǎo)電金屬層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第二導(dǎo)電柱于該第二導(dǎo) 電金屬圖案上，其中該第二導(dǎo)電柱直接連接于該第二導(dǎo)電金屬圖案；移除該第一導(dǎo)電金屬層未被該第二導(dǎo)電金屬圖案所覆蓋的部分；在該第二導(dǎo)電柱以及 該第二導(dǎo)電金屬圖案形成之后，移除該承載器而暴露出該導(dǎo)電初始層的該第二表面；以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第三導(dǎo)電柱于該導(dǎo)電初始層 的該第二表面上，其中該第三導(dǎo)電柱直接連接于該導(dǎo)電初始層的該第二表面；移除該導(dǎo)電初始層未被該第三導(dǎo)電柱覆蓋的部分而暴露出該第一導(dǎo)電金屬圖案； 形成第二介電層以及第一金屬層于該第二導(dǎo)電金屬圖案的表面，使得該第二介電層夾 設(shè)于該第一金屬層與該第二導(dǎo)電金屬圖案及該第二導(dǎo)電柱之間，并且該第二導(dǎo)電金屬圖案 及該第二導(dǎo)電柱嵌入該第二介電層；形成第三介電層以及第二金屬層于該第一導(dǎo)電金屬圖案的表面，使得該第三介電層夾 設(shè)于該第二金屬層與該第一導(dǎo)電金屬圖案及該第三導(dǎo)電柱之間，并且該第三導(dǎo)電金屬圖案 與該第三導(dǎo)電柱嵌入該第三介電層；形成多個(gè)開口在該第一與第二金屬層上，而該多個(gè)開口分別暴露出該第二與第三導(dǎo)電 柱上的介電材料；移除暴露于該第一與第二金屬層的該多個(gè)開口的介電材料，使得該第二與第三導(dǎo)電柱 分別暴露于該多個(gè)開口；在該第二導(dǎo)電金屬層及該第二導(dǎo)電柱上形成第四導(dǎo)電金屬層； 在該第三導(dǎo)電金屬層及該第三導(dǎo)電柱上形成第五導(dǎo)電金屬層； 以該第四及第五導(dǎo)電金屬層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝分別形成第三導(dǎo)電金 屬圖案及第四導(dǎo)電金屬圖案；以及移除未被該第三及第四導(dǎo)電金屬圖案所覆蓋的該第四及第五導(dǎo)電金屬層的部分及其 底下的該第一與第二金屬層的部分。
19.如權(quán)利要求18所述的封裝載板工藝，其中形成該第一導(dǎo)電金屬圖案的步驟包括 在該導(dǎo)電初始層上形成第一掩模；以該第一掩模為電鍍掩模，并以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，在該導(dǎo)電初始層上 電鍍形成第一導(dǎo)電金屬圖案；以及 移除該第一掩模。
20.如權(quán)利要求18所述的封裝載板工藝，其中形成該第一導(dǎo)電柱的步驟包括 形成第二掩模，以覆蓋局部的該第一導(dǎo)電金屬圖案；以及以該第二掩模為電鍍掩模，并以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，在該第一導(dǎo)電金屬 圖案上特定位置電鍍形成該第一導(dǎo)電柱；以及 移除該第二掩模。
21.如權(quán)利要求18所述的封裝載板工藝，其中形成該第一介電層的步驟包括提供第一介電層具有第一開口，而該第一開口的位置分別對(duì)應(yīng)于該第一導(dǎo)電柱的位置；將該第一介電層壓合至該導(dǎo)電初始層的該第一表面，使得該多個(gè)第一導(dǎo)電金屬圖案及 該多個(gè)第一導(dǎo)電柱嵌入該第一介電層中；以及 去除該第一導(dǎo)電柱表面的介電材料。
22.如權(quán)利要求18所述的封裝載板工藝，其中形成該第二導(dǎo)電金屬圖案的步驟包括 在該第一導(dǎo)電金屬層上形成第三掩模；以及以該多個(gè)第三掩模為電鍍掩模，并以該第一導(dǎo)電金屬層作為電鍍電流路徑，在該第一 導(dǎo)電金屬層上電鍍?cè)摰诙?dǎo)電金屬圖案。
23.如權(quán)利要求18所述的封裝載板工藝，其中形成該第二導(dǎo)電柱的步驟包括 形成第四掩模，以覆蓋局部的該第一導(dǎo)電金屬圖案；以及以該第四掩模為電鍍掩模，并以該第一導(dǎo)電金屬層作為電鍍電流路徑，在該第二導(dǎo)電 金屬圖案上特定位置電鍍形成該第二導(dǎo)電柱；以及 移除該第四掩模。
24.如權(quán)利要求18所述的封裝載板工藝，其中形成該第三導(dǎo)電柱的步驟包括形成第五掩模，以覆蓋局部的該第一介電層、該第二導(dǎo)電金屬圖案及該第二導(dǎo)電柱；以及形成第六掩模，以覆蓋局部的該導(dǎo)電初始層的該第二表面；以及 以該第六掩模為電鍍掩模，并以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，在該導(dǎo)電初始層的 該第二表面的特定位置電鍍形成該第三導(dǎo)電柱；以及 移除該第五及第六掩模。
25.如權(quán)利要求18所述的封裝載板工藝，其中形成該第二介電層以及該第二導(dǎo)電金屬 層的步驟包括提供第二介電層及第二導(dǎo)電金屬層，其中該第二介電層具有第二開口，而該第二開口 的位置對(duì)應(yīng)于該第二導(dǎo)電柱的位置；以及將該第二介電層及該第二導(dǎo)電金屬層壓合至該第一介電層。
26.如權(quán)利要求18所述的封裝載板工藝，其中形成該第二介電層以及該第二導(dǎo)電金屬 層的步驟包括提供第三介電層及第三導(dǎo)電金屬層，其中該第三介電層具有第三開口，而該第三開口 的位置對(duì)應(yīng)于該第三導(dǎo)電柱的位置；以及將該第三介電層及該第三導(dǎo)電金屬層壓合至該第一介電層。
27.如權(quán)利要求18所述的封裝載板工藝，其中形成該第三導(dǎo)電金屬圖案的步驟包括 在該第三導(dǎo)電金屬層上形成第七掩模；以該第七掩模為電鍍掩模，并以該第四導(dǎo)電金屬層作為電鍍電流路徑，在該第四導(dǎo)電 金屬層上電鍍?cè)摰谌龑?dǎo)電金屬圖案；以及 移除該第七掩模。
28.如權(quán)利要求18所述的封裝載板工藝，其中形成該第四導(dǎo)電金屬圖案的步驟包括 在該第四導(dǎo)電金屬層上形成第八掩模；以該第八掩模為電鍍掩模，并以該第五導(dǎo)電金屬層作為電鍍電流路徑，在該第四五導(dǎo) 電金屬層上電鍍?cè)摰谒膶?dǎo)電金屬圖案；以及 移除該第八掩模。
29.如權(quán)利要求18所述的封裝載板工藝，還包括在該第二介電層上形成第一防焊層，其中該第一防焊層覆蓋該第三導(dǎo)電金屬圖案的部 分；以及在該第三介電層上形成第二防焊層，其中該第二防焊層覆蓋該第四導(dǎo)電金屬圖案的部分。
30.一種封裝載板工藝，包括配置導(dǎo)電初始層于承載器上，該導(dǎo)電初始層具有相對(duì)的第一表面與第二表面； 以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第一導(dǎo)電金屬圖案于該導(dǎo)電 初始層的該第一表面上；以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第一導(dǎo)電柱于該第一導(dǎo)電金 屬圖案上，其中該第一導(dǎo)電柱直接連接于該第一導(dǎo)電金屬圖案；形成第一介電層于該導(dǎo)電初始層的該第一表面上，使得該第一介電層覆蓋該第一導(dǎo)電 金屬圖案，且暴露出該第一導(dǎo)電柱；在該第一介電層及該第一導(dǎo)電柱上形成第一導(dǎo)電金屬層，其中該第一導(dǎo)電柱直接連接 于該第一導(dǎo)電金屬層；以該第一導(dǎo)電金屬層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第二導(dǎo)電金屬圖案； 以該第一導(dǎo)電金屬層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第二導(dǎo)電柱于該第二導(dǎo) 電金屬圖案上，其中該第二導(dǎo)電柱直接連接于該第二導(dǎo)電金屬圖案； 移除該第一導(dǎo)電金屬層未被該第二導(dǎo)電金屬圖案所覆蓋的部分； 在該第二導(dǎo)電柱以及該第二導(dǎo)電金屬圖案形成之后，移除該承載器而暴露出該導(dǎo)電初 始層的該第二表面；以該導(dǎo)電初始層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第三導(dǎo)電柱于該導(dǎo)電初始層 的該第二表面上，其中該第三導(dǎo)電柱直接連接于該導(dǎo)電初始層的該第二表面；移除該導(dǎo)電初始層未被該第三導(dǎo)電柱覆蓋的部分而暴露出該第一導(dǎo)電金屬圖案； 形成第二介電層以及第一金屬層于該第二導(dǎo)電金屬圖案的表面，使得該第二介電層夾 設(shè)于該第一金屬層與該第二導(dǎo)電金屬圖案及該第二導(dǎo)電柱之間，并且該第二導(dǎo)電金屬圖案 及該第二導(dǎo)電柱嵌入該第二介電層；形成第三介電層于該第一導(dǎo)電金屬圖案的表面，使得該第三介電層覆蓋該第一導(dǎo)電金 屬圖案，且暴露出該第三導(dǎo)電柱；在該第三介電層及該第三導(dǎo)電柱上形成第二導(dǎo)電金屬層，其中該第三導(dǎo)電柱直接連接 于該第二導(dǎo)電金屬層；以該第二導(dǎo)電金屬層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第三導(dǎo)電金屬圖案； 以該第二導(dǎo)電金屬層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝形成第四導(dǎo)電柱于該第三導(dǎo) 電金屬圖案上，其中該第四導(dǎo)電柱直接連接于該第三導(dǎo)電金屬圖案；形成第四介電層以及第二金屬層于該第三導(dǎo)電金屬圖案的表面，使得該第四介電層夾 設(shè)于該第二金屬層與該第三導(dǎo)電金屬圖案及該第四導(dǎo)電柱之間，并且該第三導(dǎo)電金屬圖案 及該第四導(dǎo)電柱嵌入該第四介電層；形成多個(gè)開口在該第一與第二金屬層上，而該多個(gè)開口分別暴露出該第三與第四導(dǎo)電 柱上的介電材料；移除暴露于該第一與第二金屬層的該多個(gè)開口的介電材料，使得該第二與第三導(dǎo)電柱 分別暴露于該多個(gè)開口；在該第一金屬層及該第三導(dǎo)電柱上形成第三導(dǎo)電金屬層； 在該第二金屬層及該第四導(dǎo)電柱上形成第四導(dǎo)電金屬層；以該第三及第四導(dǎo)電金屬層作為電鍍電流路徑，利用半加成工藝分別形成第四導(dǎo)電金 屬圖案及第五導(dǎo)電金屬圖案；以及移除未被該第四及第五導(dǎo)電金屬圖案所覆蓋的該第三及第四導(dǎo)電金屬層的部分及其 底下的該第一與第二金屬層的部分。
31.如權(quán)利要求30所述的封裝載板工藝，還包括在該第二介電層上形成第一防焊層，其中該第一防焊層覆蓋該第四導(dǎo)電金屬圖案的部 分；以及在該第四介電層上形成第二防焊層，其中該第二防焊層覆蓋該第五導(dǎo)電金屬圖案的部分。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種封裝載板、一種封裝結(jié)構(gòu)以及一種封裝載板工藝，該封裝載板包括介電層，具有第一表面與相背對(duì)于第一表面的第二表面。第一導(dǎo)電金屬圖案嵌入于介電層的第一表面，并具有多個(gè)第一接墊。多個(gè)導(dǎo)電柱貫穿介電層，而每個(gè)導(dǎo)電柱具有連接對(duì)應(yīng)的第一接墊的導(dǎo)電柱截段及連接對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電柱截段的第二導(dǎo)電柱截段。第二導(dǎo)電金屬圖案配置在介電層的第二表面，并具有多個(gè)分別連接這些第二導(dǎo)電柱截段的第二接墊。第一防焊層配置于介電層的第一表面上，且暴露出這些第一接墊。第二防焊層配置于介電層的第二表面上，且暴露出這些第二接墊。
文檔編號(hào)H01L23/485GK102044515SQ20101016736
公開日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2010年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月14日
發(fā)明者蘇洹漳, 陳嘉成, 黃士輔 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司