專利名稱：粘接帶的擴(kuò)展方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使粘貼有晶片的粘接帶向環(huán)狀框架的半徑方向擴(kuò)展的粘接帶的擴(kuò)展 方法。
背景技術(shù)：
關(guān)于 ICdntegrated Circuit 集成電路)、LSI (Large-scale Integration 大規(guī) 模集成電路)等多個(gè)器件被形成為格子狀的分割預(yù)定線所劃分而形成的晶片，通過切割裝 置或激光加工裝置將所述晶片分割成一個(gè)個(gè)器件，分割后的器件被廣泛應(yīng)用于移動(dòng)電話、 個(gè)人計(jì)算機(jī)等各種電子設(shè)備。切割裝置是利用具有非常薄的切削刃的切削刀具沿分割預(yù)定線切削晶片從而將 其分割成一個(gè)個(gè)器件的裝置，該切割裝置能夠?qū)⒕煽康胤指畛梢粋€(gè)個(gè)器件。此外，激光加工裝置照射相對(duì)于晶片具有透射性的波長的激光束，從而沿著分割 預(yù)定線在晶片的內(nèi)部形成變質(zhì)層，然后通過使支承有晶片的粘接帶擴(kuò)展來對(duì)晶片施加外 力，使晶片沿著變質(zhì)層斷裂從而分割成一個(gè)個(gè)器件(例如，參照日本特開2004-349623號(hào)公 報(bào))。另一方面，近年來，移動(dòng)電話和個(gè)人計(jì)算機(jī)等電氣設(shè)備追求更加輕量化和小型化， 需要更薄的器件。作為將晶片分割成更薄的器件的技術(shù)，開發(fā)出了所謂預(yù)切割法的分割技 術(shù)，并且該技術(shù)正被實(shí)用化(例如，參照日本特開平11-40520號(hào)公報(bào))。該預(yù)切割法是這樣的技術(shù)從半導(dǎo)體晶片的表面沿分割預(yù)定線形成預(yù)定深度(與 器件的完成厚度相當(dāng)?shù)纳疃?的分割槽，然后對(duì)在表面形成有分割槽的半導(dǎo)體晶片的背面 進(jìn)行磨削，使分割槽露出于該背面，從而將該半導(dǎo)體晶片分割成一個(gè)個(gè)器件，該預(yù)切割法能 夠?qū)⑵骷暮穸燃庸ぶ?00 μ m以下。專利文獻(xiàn)1 日本特開2004-349623號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開平11-40520號(hào)公報(bào)但是，當(dāng)使用激光加工裝置在晶片的內(nèi)部沿分割預(yù)定線形成變質(zhì)層，并擴(kuò)展粘接 帶從而將晶片沿變質(zhì)層分割成一個(gè)個(gè)器件時(shí)，存在這樣的問題擴(kuò)展后的粘接帶產(chǎn)生松弛， 從而在搬送晶片時(shí)器件相互接觸而損傷。此外，在粘接帶的中央部下垂的狀態(tài)下，存在無法 將經(jīng)粘接帶支承于環(huán)狀框架的晶片收納到盒中的問題。在將被稱為DAF(Die Attach Film 芯片貼膜)的芯片接合用膜粘貼于通過預(yù)切 割法而分割成了一個(gè)個(gè)器件的晶片的背面、進(jìn)而將DAF粘貼于粘接帶、并通過粘接帶的擴(kuò) 展來與一個(gè)個(gè)器件對(duì)應(yīng)地分割DAF的情況下，也會(huì)產(chǎn)生上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這樣的問題而完成的，其目的在于提供一種能夠擴(kuò)展粘貼有晶片的 粘接帶從而使晶片沿變質(zhì)層斷裂的粘接帶的擴(kuò)展方法。本發(fā)明的另一目的在于提供一種能夠通過擴(kuò)展粘接帶來與一個(gè)個(gè)器件對(duì)應(yīng)地分割芯片貼膜的粘接帶的擴(kuò)展方法，其中所述芯片貼膜粘貼在通過預(yù)切割法而分割成了一個(gè) 個(gè)器件的晶片的背面。根據(jù)方案1所記載的發(fā)明，提供一種粘接帶的擴(kuò)展方法，該粘接帶的擴(kuò)展方法是 通過粘接帶擴(kuò)展裝置來對(duì)粘貼有晶片的粘接帶進(jìn)行擴(kuò)展、從而使晶片沿著變質(zhì)層斷裂的粘 接帶的擴(kuò)展方法，所述粘接帶擴(kuò)展裝置包括框架保持構(gòu)件，其對(duì)配設(shè)于粘接帶外周的環(huán)狀 框架進(jìn)行保持，所述粘接帶上粘貼有具有變質(zhì)層的晶片，所述變質(zhì)層沿著形成為格子狀的 分割預(yù)定線形成于晶片內(nèi)部；晶片保持工作臺(tái)，其對(duì)粘貼于所述粘接帶的晶片進(jìn)行保持； 以及移動(dòng)構(gòu)件，其使所述框架保持構(gòu)件和所述晶片保持工作臺(tái)在待機(jī)位置和擴(kuò)展位置之間 相對(duì)移動(dòng)，所述粘接帶的擴(kuò)展方法的特征在于，該粘接帶的擴(kuò)展方法包括以下工序晶片載 置工序，在該晶片載置工序中，將經(jīng)所述粘接帶而支承于所述環(huán)狀框架的晶片載置于所述 晶片保持工作臺(tái)上，并利用所述框架保持構(gòu)件來保持所述環(huán)狀框架；粘接帶第一柔軟化工 序，在該粘接帶第一柔軟化工序中，對(duì)所述晶片保持工作臺(tái)進(jìn)行加熱，從而使所述粘接帶的 粘貼有晶片的部分變?nèi)彳?；粘接帶擴(kuò)展工序，在該粘接帶擴(kuò)展工序中，使所述移動(dòng)構(gòu)件工 作，使所述框架保持構(gòu)件和所述晶片保持工作臺(tái)相對(duì)移動(dòng)而定位于所述擴(kuò)展位置，使所述 粘接帶擴(kuò)展，從而使晶片沿著所述變質(zhì)層斷裂；粘接帶保持工序，在該粘接帶保持工序中， 使所述晶片保持工作臺(tái)產(chǎn)生吸引力，從而對(duì)所述粘接帶進(jìn)行吸引保持；粘接帶第二柔軟化 工序，在該粘接帶第二柔軟化工序中，使所述移動(dòng)構(gòu)件工作，使所述框架保持構(gòu)件和所述晶 片保持工作臺(tái)相對(duì)移動(dòng)而定位于所述待機(jī)位置，并且對(duì)晶片的外周和所述環(huán)狀框架之間的 所述粘接帶進(jìn)行加熱使其變?nèi)彳?；松弛除去工序，在?shí)施了所述粘接帶第二柔軟化工序后， 實(shí)施該松弛除去工序，在該松弛除去工序中，對(duì)晶片的外周和所述環(huán)狀框架之間的所述粘 接帶進(jìn)行冷卻，從而將松弛除去；以及搬出工序，在該搬出工序中，解除所述框架保持構(gòu)件， 并且解除所述晶片保持工作臺(tái)的吸引力，將粘貼于所述粘接帶的晶片與所述環(huán)狀框架一起 從所述粘接帶擴(kuò)展裝置搬出。根據(jù)方案2所記載的發(fā)明，提供一種粘接帶的擴(kuò)展方法，該粘接帶的擴(kuò)展方法是 通過粘接帶擴(kuò)展裝置來對(duì)經(jīng)芯片貼膜而粘貼有晶片的粘接帶進(jìn)行擴(kuò)展、從而使分割槽的寬 度增大并且使所述芯片貼膜沿著所述分割槽斷裂的粘接帶的擴(kuò)展方法，所述粘接帶擴(kuò)展裝 置包括框架保持構(gòu)件，其對(duì)配設(shè)于粘接帶外周的環(huán)狀框架進(jìn)行保持，所述粘接帶上經(jīng)所述 芯片貼膜粘貼有晶片，所述晶片具有形成為格子狀的分割槽；晶片保持工作臺(tái)，其對(duì)粘貼于 所述粘接帶的晶片進(jìn)行保持；以及移動(dòng)構(gòu)件，其使所述框架保持構(gòu)件和所述晶片保持工作 臺(tái)在待機(jī)位置和擴(kuò)展位置之間相對(duì)移動(dòng)，所述粘接帶的擴(kuò)展方法的特征在于，該粘接帶的 擴(kuò)展方法包括以下工序晶片載置工序，在該晶片載置工序中，將經(jīng)所述芯片貼膜和所述粘 接帶而支承于所述環(huán)狀框架的晶片載置于所述晶片保持工作臺(tái)上，并利用所述框架保持構(gòu) 件來保持所述環(huán)狀框架；粘接帶第一柔軟化工序，在該粘接帶第一柔軟化工序中，對(duì)所述晶 片保持工作臺(tái)進(jìn)行加熱，從而使所述粘接帶的粘貼有晶片的部分變?nèi)彳?；粘接帶擴(kuò)展工序， 在該粘接帶擴(kuò)展工序中，使所述移動(dòng)構(gòu)件工作，使所述框架保持構(gòu)件和所述晶片保持工作 臺(tái)相對(duì)移動(dòng)而定位于所述擴(kuò)展位置，使所述粘接帶擴(kuò)展，從而使所述分割槽的寬度增大并 且使所述芯片貼膜沿著所述分割槽斷裂；粘接帶保持工序，在該粘接帶保持工序中，使所述 晶片保持工作臺(tái)產(chǎn)生吸引力，從而對(duì)所述粘接帶進(jìn)行吸引保持；粘接帶第二柔軟化工序，在 該粘接帶第二柔軟化工序中，使所述移動(dòng)構(gòu)件工作，使所述框架保持構(gòu)件和所述晶片保持
5工作臺(tái)相對(duì)移動(dòng)而定位于所述待機(jī)位置，并且對(duì)晶片的外周和所述環(huán)狀框架之間的所述粘 接帶進(jìn)行加熱使其變?nèi)彳?；松弛除去工序，在?shí)施了所述粘接帶第二柔軟化工序后，實(shí)施該 松弛除去工序，在該松弛除去工序中，對(duì)晶片的外周和所述環(huán)狀框架之間的所述粘接帶進(jìn) 行冷卻，從而將松弛除去；以及搬出工序，在該搬出工序中，解除所述框架保持構(gòu)件，并且解 除所述晶片保持工作臺(tái)的吸引力，將粘貼于所述粘接帶的晶片與所述環(huán)狀框架一起從所述 粘接帶擴(kuò)展裝置搬出。優(yōu)選的是粘接帶由聚氯乙烯或聚烯烴構(gòu)成，粘接帶第一柔軟化工序中的加熱溫 度為40°C 100°C，粘接帶第二柔軟化工序中的加熱溫度為80°C 300°C。根據(jù)方案1所記載的發(fā)明，在對(duì)粘接帶的粘貼有晶片的部分進(jìn)行加熱而使其變?nèi)?軟之后，對(duì)粘接帶進(jìn)行擴(kuò)展，從而將晶片分割成一個(gè)個(gè)器件，然后對(duì)粘接帶的粘貼有晶片的 部分進(jìn)行吸引保持，以維持分割后的狀態(tài)，在返回至待機(jī)位置時(shí)，對(duì)被晶片和環(huán)狀框架所夾 的區(qū)域內(nèi)的松弛的粘接帶進(jìn)行加熱，使粘接帶的彈力恢復(fù)，通過與欲使粘接帶返回至原來 狀態(tài)的力相輔相成地進(jìn)行冷卻，來使粘接帶進(jìn)一步收縮，從而粘接帶形成為像鼓那樣繃緊 的狀態(tài)。其結(jié)果為，維持了相鄰的器件與器件之間的間隔，能夠消除器件相互接觸而損傷的 問題。根據(jù)方案2所記載的發(fā)明，在對(duì)粘接帶的粘貼有晶片的部分進(jìn)行加熱而使其變?nèi)?軟之后，對(duì)粘接帶進(jìn)行擴(kuò)展，從而與一個(gè)個(gè)器件對(duì)應(yīng)地分割芯片貼膜，然后對(duì)粘接帶的粘貼 有芯片貼膜的部分進(jìn)行吸引保持，以維持分割后的狀態(tài)，在返回至待機(jī)位置時(shí)，對(duì)被晶片和 環(huán)狀框架所夾的區(qū)域內(nèi)的松弛的粘接帶進(jìn)行加熱，使粘接帶的彈力恢復(fù)，通過與欲使粘接 帶返回至原來狀態(tài)的力相輔相成地進(jìn)行冷卻，來使粘接帶進(jìn)一步收縮，從而粘接帶形成為 像鼓那樣繃緊的狀態(tài)。其結(jié)果為，維持了相鄰的器件與器件之間的間隔，能夠消除器件相互 接觸而損傷的問題。另外，根據(jù)本發(fā)明，由于粘接帶的中央部不下垂，所以能夠?qū)⒔?jīng)粘接帶支承于環(huán)狀 框架的晶片容易地收納到盒內(nèi)。


圖1是激光加工裝置的概略立體圖。圖2是激光束照射單元的方框圖。圖3是經(jīng)切割帶支承于環(huán)狀框架的晶片的立體圖。圖4是變質(zhì)層形成方法的說明圖。圖5是粘接帶擴(kuò)展裝置的縱剖視圖。圖6是粘接帶擴(kuò)展工序的說明圖。圖7是粘接帶第二柔軟化工序的說明圖。圖8是松弛除去工序的說明圖。圖9與圖5類似，其是在粘接帶上經(jīng)DAF粘貼有被分割成一個(gè)個(gè)器件后的晶片的 狀態(tài)下的粘接帶擴(kuò)展裝置的縱剖視圖。圖10是粘接帶擴(kuò)展工序的說明圖。標(biāo)號(hào)說明W 晶片；T 粘接帶(切割帶)；F 環(huán)狀框架；2 激光加工裝置；20 卡盤工作臺(tái)；46 激光束照射單元；50 聚光器(激光頭)；60 粘接帶擴(kuò)展裝置；62 晶片保持工作臺(tái)； 74 外筒；76 夾緊器；84 :DAF (芯片貼膜)。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。圖1表示激光加工裝置2的 概略立體圖。激光加工裝置2包含有一對(duì)導(dǎo)軌6，這一對(duì)導(dǎo)軌6安裝在靜止基座4上并且沿 X軸方向伸長。X軸移動(dòng)塊8通過X軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)(X軸進(jìn)給構(gòu)件)14而在加工進(jìn)給方向、即X軸方 向移動(dòng)，該X軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)14由滾珠絲杠10和脈沖電動(dòng)機(jī)12構(gòu)成。在X軸移動(dòng)塊8上經(jīng)圓 筒狀支承部件22安裝有卡盤工作臺(tái)20?？ūP工作臺(tái)20具有由多孔質(zhì)陶瓷等形成的吸附部(吸附卡盤)24。在卡盤工作臺(tái) 20配設(shè)有用于夾緊圖3所示的環(huán)狀框架F的多個(gè)(在本實(shí)施方式中為4個(gè))夾緊器26。X軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)包括刻度尺16，其沿導(dǎo)軌6配設(shè)在靜止基座4上；以及讀取頭18， 其配設(shè)于X軸移動(dòng)塊8的下表面，用于讀取刻度尺16的X坐標(biāo)值。讀取頭18與激光加工 裝置2的控制器連接。在靜止基座4上還固定有沿Y軸方向伸長的一對(duì)導(dǎo)軌28。Y軸移動(dòng)塊30通過Y 軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)(分度進(jìn)給機(jī)構(gòu))36而在Y軸方向移動(dòng)，該Y軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)36由滾珠絲杠32和 脈沖電動(dòng)機(jī)34構(gòu)成。在Y軸移動(dòng)塊30形成有沿Z軸方向伸長的一對(duì)(圖中僅示出一條)導(dǎo)軌38。Z 軸移動(dòng)塊40通過Z軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)44而在Z軸方向移動(dòng)，該Z軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)44由未圖示的滾珠 絲杠和脈沖電動(dòng)機(jī)42構(gòu)成。標(biāo)號(hào)46是激光束照射單元，在激光束照射單元46的殼體48中收納有將在后面詳 細(xì)說明的激光束振蕩構(gòu)件等，在殼體48的末端安裝有聚光器(激光頭)50，該聚光器50使 激光束會(huì)聚在應(yīng)加工的晶片上。在激光束照射單元46的殼體48內(nèi)，如圖2的方框圖所示地配設(shè)有激光束振蕩構(gòu) 件51和激光束調(diào)制構(gòu)件53。作為激光束振蕩構(gòu)件51，可以使用YAG激光振蕩器或YV04激光振蕩器。激光束調(diào) 制構(gòu)件53包括重復(fù)頻率設(shè)定構(gòu)件55、激光束脈沖寬度設(shè)定構(gòu)件57以及激光束波長設(shè)定構(gòu) 件59。構(gòu)成激光束調(diào)制構(gòu)件53的重復(fù)頻率設(shè)定構(gòu)件55、激光束脈沖寬度設(shè)定構(gòu)件57以 及激光束波長設(shè)定構(gòu)件59是公知形態(tài)的構(gòu)件，在本說明書中省略其詳細(xì)的說明。校準(zhǔn)單元(校準(zhǔn)構(gòu)件)52安裝于殼體48。校準(zhǔn)單元52具有對(duì)保持于卡盤工作臺(tái) 20的晶片W進(jìn)行攝像的攝像單元(攝像構(gòu)件)54。聚光器50和攝像單元54配置成在X軸 方向排成一列。如圖3所示，在作為激光加工裝置2的加工對(duì)象的半導(dǎo)體晶片W的表面，正交地形 成有第一間隔道Sl和第二間隔道S2，在被第一間隔道Sl和第二間隔道S2劃分出的區(qū)域形 成有大量的器件D。晶片W粘貼于作為粘接帶的切割帶T，切割帶T的外周部粘貼于環(huán)狀框架F。由此， 晶片W成為經(jīng)切割帶T支承于環(huán)狀框架F的狀態(tài)，通過利用圖1所示的夾緊器26夾緊環(huán)狀框架F，該晶片W被支承固定在卡盤工作臺(tái)20上。當(dāng)晶片W吸引保持在卡盤工作臺(tái)20上、并且環(huán)狀框架F被夾緊器26夾緊時(shí)，實(shí)施 用于檢測(cè)應(yīng)利用激光頭50進(jìn)行加工的區(qū)域的校準(zhǔn)。關(guān)于該校準(zhǔn)，利用攝像單元54對(duì)應(yīng)進(jìn)行激光加工的區(qū)域進(jìn)行攝像，根據(jù)由攝像得 到的圖像，通過圖案匹配等圖像處理來檢測(cè)應(yīng)進(jìn)行激光加工的間隔道，由此完成該校準(zhǔn)。在校準(zhǔn)結(jié)束后，如圖4的(A)所示，使卡盤工作臺(tái)20向照射激光束的激光束照射 單元46的聚光器50所在的激光束照射區(qū)域移動(dòng)，將校準(zhǔn)后的間隔道Sl的一端定位于激光 束照射單元46的聚光器50的正下方。然后，使卡盤工作臺(tái)20向X軸方向移動(dòng)，如圖4的(B)所示，當(dāng)激光束照射單元46 的聚光器50的照射位置到達(dá)間隔道Sl的另一端后，使脈沖激光束的照射停止，并且使卡盤 工作臺(tái)20的移動(dòng)停止。在進(jìn)行該激光加工時(shí)，將脈沖激光束的聚光點(diǎn)P如圖4的(A)所示地定位于晶片 W的厚度方向中間部。其結(jié)果為，如圖4的⑶所示，在晶片W的內(nèi)部形成有沿著間隔道Sl 的變質(zhì)層58。在晶片W的內(nèi)部形成變質(zhì)層58的激光加工條件例如設(shè)定如下。光源LD激發(fā)Q開關(guān)Nd:YV04激光波長1064nm平均輸出1W脈沖寬度40ns重復(fù)頻率100kHz聚光點(diǎn)直徑Φ 1 μ m加工進(jìn)給速度IOOmm/秒如上所述，在沿著晶片W的所有間隔道Sl實(shí)施了變質(zhì)層形成工序后，將卡盤工作 臺(tái)20旋轉(zhuǎn)90度，沿著與第一間隔道Sl正交的第二間隔道S2實(shí)施變質(zhì)層形成工序。由此， 在晶片W的內(nèi)部沿著所有的間隔道Si、S2形成了變質(zhì)層。關(guān)于通過粘接帶擴(kuò)展裝置來使這樣沿著間隔道Si、S2形成有變質(zhì)層58的晶片W 斷裂而分割成一個(gè)個(gè)器件的本發(fā)明第一實(shí)施方式的粘接帶的擴(kuò)展方法，參照?qǐng)D5至圖8進(jìn) 行說明。參照?qǐng)D5，示出了在晶片保持工作臺(tái)62上搭載有晶片W的狀態(tài)下的粘接帶擴(kuò)展裝 置60的縱剖視圖，所述晶片W形成有沿著間隔道Si、S2的變質(zhì)層。晶片保持工作臺(tái)62具有由多孔質(zhì)陶瓷等形成的吸附部(吸附卡盤)64。在吸附 部64的下方配設(shè)有對(duì)吸附部64進(jìn)行加熱的加熱器66，在加熱器66的下側(cè)配設(shè)有隔熱部件 68。晶片保持工作臺(tái)62的中心孔70與真空吸引源72連接。圍繞著晶片保持工作臺(tái)62配設(shè)有外筒74。通過未圖示的移動(dòng)構(gòu)件，外筒74在圖 5所示的待機(jī)位置和圖6所示的擴(kuò)展位置之間沿上下方向移動(dòng)。在外筒74安裝有作為保持環(huán)狀框架F的框架保持構(gòu)件的多個(gè)夾緊器76。晶片保 持工作臺(tái)62和外筒74之間的空間78構(gòu)成為有選擇地與加熱源80和冷卻源82連接。下面，對(duì)本發(fā)明第一實(shí)施方式的粘接帶的擴(kuò)展方法進(jìn)行詳細(xì)說明。首先，如圖5所 示，將經(jīng)粘接帶T支承于環(huán)狀框架F的晶片W載置在晶片保持工作臺(tái)62上，通過作為框架
8保持構(gòu)件的夾緊器76夾緊環(huán)狀框架F。此時(shí)，吸引源72不動(dòng)作，從而不使吸附部64產(chǎn)生吸 引力。接著，實(shí)施粘接帶第一柔軟化工序，在該粘接帶第一柔軟化工序中，通過加熱器66 對(duì)晶片保持工作臺(tái)62的吸附部64進(jìn)行加熱，從而使粘接帶T的粘貼有晶片W的部分變?nèi)?軟。此時(shí)的加熱溫度優(yōu)選在40°C 100°C的范圍內(nèi)。接著，實(shí)施粘接帶擴(kuò)展工序，在該粘接帶擴(kuò)展工序中，使外筒74的移動(dòng)構(gòu)件工作， 如圖6所示，將外筒74相對(duì)于晶片保持工作臺(tái)62向箭頭A方向拉低而定位于擴(kuò)展位置，從 而使粘接帶T向半徑方向擴(kuò)展。由此，由于對(duì)晶片W施加了外力，所以晶片W沿著變質(zhì)層58 斷裂而分割成一個(gè)個(gè)器件D。在實(shí)施粘接帶擴(kuò)展工序、從而將晶片W分割成一個(gè)個(gè)器件D后，使吸引源72工作， 使晶片保持工作臺(tái)62的吸附部64產(chǎn)生吸引力，從而利用吸附部64來吸引保持向半徑方向 擴(kuò)展了的狀態(tài)下的粘接帶T。接著，使外筒74的移動(dòng)構(gòu)件工作，如圖7所示，使外筒74向箭頭B方向上升從而定 位于待機(jī)位置。當(dāng)如圖6所示地在擴(kuò)展位置被暫時(shí)擴(kuò)展后的粘接帶T返回至待機(jī)位置時(shí)， 如圖7所示，在粘接帶T產(chǎn)生松弛。因此，實(shí)施粘接帶第二柔軟化工序，在該粘接帶第二柔軟化工序中，通過加熱源80 對(duì)晶片W的外周和環(huán)狀框架F之間的粘接帶T如箭頭C所示地進(jìn)行加熱，使其變?nèi)彳?。?此，粘接帶T的彈力恢復(fù)，從而產(chǎn)生欲使粘接帶T返回原來狀態(tài)的力。粘接帶第二柔軟化工 序中的加熱溫度優(yōu)選在80°C 300°C的范圍內(nèi)。在實(shí)施了粘接帶第二柔軟化工序后，如圖8所示，將加熱源80切換為冷卻源82，對(duì) 晶片W的外周和環(huán)狀框架F之間的粘接帶T如箭頭D所示地進(jìn)行冷卻。由此，粘接帶T進(jìn) 一步收縮而形成為像鼓那樣繃緊的狀態(tài)，從而松弛被除去。此外，該冷卻是在常溫下進(jìn)行的 冷卻或者在_5V 20°C之間積極地進(jìn)行冷卻。在本實(shí)施方式中，利用吸附部64吸引保持粘接帶T，從而維持了粘接帶T的粘貼 有晶片W的部分的擴(kuò)展?fàn)顟B(tài)，同時(shí)除去了粘接帶T的松弛，因此維持了相鄰的器件D之間的 間隔增大后的狀態(tài)，消除了器件相互接觸而損傷的問題。而且，由于粘接帶T的中央部不下 垂，所以能夠?qū)⒔?jīng)粘接帶T支承于環(huán)狀框架F的晶片W容易地收納到盒中。在實(shí)施了粘接帶T的松弛除去工序后，解除夾緊器76的夾緊，并且解除晶片保持 工作臺(tái)62的吸引力，將粘貼于粘接帶T的晶片W與環(huán)狀框架F —起從粘接帶擴(kuò)展裝置60 搬出。接下來，參照?qǐng)D9和圖10，對(duì)本發(fā)明第二實(shí)施方式的粘接帶的擴(kuò)展方法進(jìn)行說明。 該第二實(shí)施方式是在利用預(yù)切割法分割成了一個(gè)個(gè)器件的晶片W的背面粘貼DAF(芯片貼 膜)、并通過粘接帶的擴(kuò)展來與一個(gè)個(gè)器件對(duì)應(yīng)地分割DAF的實(shí)施方式。眾所周知，該預(yù)切割法是這樣的技術(shù)從晶片W的表面沿著分割預(yù)定線(間隔道) S1、S2形成預(yù)定深度(與器件D的完成厚度相當(dāng)?shù)纳疃?的分割槽，然后，在晶片W的表面 粘貼保護(hù)帶，將保護(hù)帶側(cè)吸引保持于磨削裝置的卡盤工作臺(tái)，對(duì)晶片W的背面進(jìn)行磨削，使 分割槽露出于背面，從而將晶片W分割成一個(gè)個(gè)器件D。在本實(shí)施方式的粘接帶的擴(kuò)展方法中，首先，作為其前一工序，在利用預(yù)切割法分 割成了一個(gè)個(gè)器件的晶片W的背面粘貼DAF，將DAF粘貼到支承于環(huán)狀框架F的粘接帶T。
9接著，將粘貼于晶片W的表面的保護(hù)帶剝離。在圖9中示出了該狀態(tài)。在本發(fā)明的第二實(shí)施方式中，如圖9所示，將經(jīng)DAF84和粘接帶T支承于環(huán)狀框架 F的晶片W載置在晶片保持工作臺(tái)62上，通過作為框架保持構(gòu)件的夾緊器76夾緊環(huán)狀框架 F。另外，此時(shí)與第一實(shí)施方式相同，不使晶片保持工作臺(tái)62的吸附部64產(chǎn)生吸引力。接著，實(shí)施粘接帶第一柔軟化工序，在該粘接帶第一柔軟化工序中，通過加熱器66 對(duì)晶片保持工作臺(tái)62的吸附部64進(jìn)行加熱，從而使粘接帶T的粘貼有晶片W的部分變?nèi)?軟。與第一實(shí)施方式相同，該情況下的加熱溫度優(yōu)選在40 100°C的范圍內(nèi)。接著，實(shí)施粘接帶擴(kuò)展工序，在該粘接帶擴(kuò)展工序中，如圖10所不，使外筒74的移 動(dòng)構(gòu)件工作，將外筒74相對(duì)于晶片保持工作臺(tái)62向下方拉低而定位于擴(kuò)展位置，從而使粘 接帶T向半徑方向擴(kuò)展。由此，由于對(duì)DAF84施加了外力，所以晶片W的分割槽的寬度增大， 并且DAF84與一個(gè)個(gè)器件D對(duì)應(yīng)地?cái)嗔选＝又?，?shí)施粘接帶保持工序，在該粘接帶保持工序中，通過使晶片保持工作臺(tái)62 產(chǎn)生吸引力，來對(duì)粘接帶T的粘貼有DAF84的部分作用吸引力，從而對(duì)擴(kuò)展?fàn)顟B(tài)下的粘接帶 T進(jìn)行吸引保持。本實(shí)施方式的以下工序與參照?qǐng)D7和圖8進(jìn)行了說明的第一實(shí)施方式的粘接帶第 二柔軟化工序、松弛除去工序以及搬出工序相同，因此，為了避免重復(fù)而省略其說明。此外，第一實(shí)施方式的粘接帶的擴(kuò)展方法也可以應(yīng)用于這樣的變形例在晶片W 的背面粘貼DAFJf DAF粘貼在粘接帶T上，在粘接帶擴(kuò)展工序中，在晶片W沿著變質(zhì)層58 斷裂的同時(shí)，DAF也沿著變質(zhì)層58斷裂。
權(quán)利要求
一種粘接帶的擴(kuò)展方法，該粘接帶的擴(kuò)展方法是通過粘接帶擴(kuò)展裝置來對(duì)粘貼有晶片的粘接帶進(jìn)行擴(kuò)展、從而使晶片沿著變質(zhì)層斷裂的粘接帶的擴(kuò)展方法，所述粘接帶擴(kuò)展裝置包括框架保持構(gòu)件，其對(duì)配設(shè)于粘接帶外周的環(huán)狀框架進(jìn)行保持，所述粘接帶上粘貼有具有變質(zhì)層的晶片，所述變質(zhì)層沿著形成為格子狀的分割預(yù)定線形成于晶片內(nèi)部；晶片保持工作臺(tái)，其對(duì)粘貼于所述粘接帶的晶片進(jìn)行保持；以及移動(dòng)構(gòu)件，其使所述框架保持構(gòu)件和所述晶片保持工作臺(tái)在待機(jī)位置和擴(kuò)展位置之間相對(duì)移動(dòng)，所述粘接帶的擴(kuò)展方法的特征在于，該粘接帶的擴(kuò)展方法包括以下工序晶片載置工序，在該晶片載置工序中，將經(jīng)所述粘接帶而支承于所述環(huán)狀框架的晶片載置于所述晶片保持工作臺(tái)上，并利用所述框架保持構(gòu)件來保持所述環(huán)狀框架；粘接帶第一柔軟化工序，在該粘接帶第一柔軟化工序中，對(duì)所述晶片保持工作臺(tái)進(jìn)行加熱，從而使所述粘接帶的粘貼有晶片的部分變?nèi)彳?；粘接帶擴(kuò)展工序，在該粘接帶擴(kuò)展工序中，使所述移動(dòng)構(gòu)件工作，使所述框架保持構(gòu)件和所述晶片保持工作臺(tái)相對(duì)移動(dòng)而定位于所述擴(kuò)展位置，使所述粘接帶擴(kuò)展，從而使晶片沿著所述變質(zhì)層斷裂；粘接帶保持工序，在該粘接帶保持工序中，使所述晶片保持工作臺(tái)產(chǎn)生吸引力，從而對(duì)所述粘接帶進(jìn)行吸引保持；粘接帶第二柔軟化工序，在該粘接帶第二柔軟化工序中，使所述移動(dòng)構(gòu)件工作，使所述框架保持構(gòu)件和所述晶片保持工作臺(tái)相對(duì)移動(dòng)而定位于所述待機(jī)位置，并且對(duì)晶片的外周和所述環(huán)狀框架之間的所述粘接帶進(jìn)行加熱使其變?nèi)彳?；松弛除去工序，在?shí)施了所述粘接帶第二柔軟化工序后，實(shí)施該松弛除去工序，在該松弛除去工序中，對(duì)晶片的外周和所述環(huán)狀框架之間的所述粘接帶進(jìn)行冷卻，從而將松弛除去；以及搬出工序，在該搬出工序中，解除所述框架保持構(gòu)件，并且解除所述晶片保持工作臺(tái)的吸引力，將粘貼于所述粘接帶的晶片與所述環(huán)狀框架一起從所述粘接帶擴(kuò)展裝置搬出。
2.一種粘接帶的擴(kuò)展方法，該粘接帶的擴(kuò)展方法是通過粘接帶擴(kuò)展裝置來對(duì)經(jīng)芯片貼 膜粘貼有晶片的粘接帶進(jìn)行擴(kuò)展、從而使分割槽的寬度增大并且使所述芯片貼膜沿著所述 分割槽斷裂的粘接帶的擴(kuò)展方法，所述粘接帶擴(kuò)展裝置包括框架保持構(gòu)件，其對(duì)配設(shè)于粘 接帶外周的環(huán)狀框架進(jìn)行保持，所述粘接帶上經(jīng)所述芯片貼膜粘貼有晶片，所述晶片具有 形成為格子狀的分割槽；晶片保持工作臺(tái)，其對(duì)粘貼于所述粘接帶的晶片進(jìn)行保持；以及 移動(dòng)構(gòu)件，其使所述框架保持構(gòu)件和所述晶片保持工作臺(tái)在待機(jī)位置和擴(kuò)展位置之間相對(duì) 移動(dòng)，所述粘接帶的擴(kuò)展方法的特征在于，該粘接帶的擴(kuò)展方法包括以下工序晶片載置工序，在該晶片載置工序中，將經(jīng)所述芯片貼膜和所述粘接帶而支承于所述 環(huán)狀框架的晶片載置于所述晶片保持工作臺(tái)上，并利用所述框架保持構(gòu)件來保持所述環(huán)狀 框架；粘接帶第一柔軟化工序，在該粘接帶第一柔軟化工序中，對(duì)所述晶片保持工作臺(tái)進(jìn)行 加熱，從而使所述粘接帶的粘貼有晶片的部分變?nèi)彳?；粘接帶擴(kuò)展工序，在該粘接帶擴(kuò)展工序中，使所述移動(dòng)構(gòu)件工作，使所述框架保持構(gòu)件和所述晶片保持工作臺(tái)相對(duì)移動(dòng)而定位于所述擴(kuò)展位置，使所述粘接帶擴(kuò)展，從而使所述分割槽的寬度增大并且使所述芯片貼膜沿著所述分割槽斷裂；粘接帶保持工序，在該粘接帶保持工序中，使所述晶片保持工作臺(tái)產(chǎn)生吸引力，從而對(duì) 所述粘接帶進(jìn)行吸引保持；粘接帶第二柔軟化工序，在該粘接帶第二柔軟化工序中，使所述移動(dòng)構(gòu)件工作，使所述 框架保持構(gòu)件和所述晶片保持工作臺(tái)相對(duì)移動(dòng)而定位于所述待機(jī)位置，并且對(duì)晶片的外周 和所述環(huán)狀框架之間的所述粘接帶進(jìn)行加熱使其變?nèi)彳?；松弛除去工序，在?shí)施了所述粘接帶第二柔軟化工序后，實(shí)施該松弛除去工序，在該松 弛除去工序中，對(duì)晶片的外周和所述環(huán)狀框架之間的所述粘接帶進(jìn)行冷卻，從而將松弛除 去；以及搬出工序，在該搬出工序中，解除所述框架保持構(gòu)件，并且解除所述晶片保持工作臺(tái)的 吸引力，將粘貼于所述粘接帶的晶片與所述環(huán)狀框架一起從所述粘接帶擴(kuò)展裝置搬出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的粘接帶的擴(kuò)展方法，其特征在于， 所述粘接帶由聚氯乙烯或聚烯烴構(gòu)成，所述粘接帶第一柔軟化工序中的加熱溫度為40°C 100°C，所述粘接帶第二柔軟化工 序中的加熱溫度為80°C 300°C。
全文摘要
本發(fā)明提供一種粘接帶的擴(kuò)展方法，其能夠使晶片可靠地沿變質(zhì)層斷裂成一個(gè)個(gè)器件。所述粘接帶的擴(kuò)展方法包括粘接帶第一柔軟化工序，對(duì)晶片保持工作臺(tái)進(jìn)行加熱，從而使粘接帶的粘貼有晶片的部分變?nèi)彳?；粘接帶擴(kuò)展工序，將外筒拉低而定位于擴(kuò)展位置，使粘接帶擴(kuò)展，從而使晶片沿著變質(zhì)層斷裂；粘接帶保持工序，使晶片保持工作臺(tái)產(chǎn)生吸引力，從而對(duì)粘接帶進(jìn)行吸引保持；粘接帶第二柔軟化工序，使外筒上升而定位于待機(jī)位置，然后對(duì)晶片的外周和環(huán)狀框架之間的粘接帶進(jìn)行加熱使其變?nèi)彳洠灰约八沙诔スば?，?duì)晶片的外周和環(huán)狀框架之間的粘接帶進(jìn)行冷卻，從而將松弛除去。
文檔編號(hào)H01L21/68GK101887841SQ201010170598
公開日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2010年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月11日
發(fā)明者中村勝 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科