專(zhuān)利名稱(chēng)：天線(xiàn)以及無(wú)線(xiàn)通信裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種便攜電話(huà)終端等的無(wú)線(xiàn)通信裝置中使用的天線(xiàn)以及具有該天線(xiàn) 的無(wú)線(xiàn)通信裝置。
背景技術(shù)：
專(zhuān)利文獻(xiàn)1、2中公開(kāi)了如下的天線(xiàn)，該天線(xiàn)以在電介質(zhì)塊形成輻射電極從而進(jìn)行 電容供電的方式構(gòu)成。圖1表示專(zhuān)利文獻(xiàn)1中所示的天線(xiàn)的剖面結(jié)構(gòu)。在圖1中，天線(xiàn)部2中在電介質(zhì) 基體4的內(nèi)部形成供電輻射電極5的一端部分5 α。該電介質(zhì)基體4內(nèi)部的供電輻射電極 端部5α與形成于基板3的表面的供電用電極焊墊(pad) (11)相對(duì)，從而在與供電用電極 焊墊11之間形成電容。來(lái)自信號(hào)供給源7的信號(hào)經(jīng)由供電用電極焊墊11與供電輻射電極 端部5 α之間的電容對(duì)供電輻射電極5供電。該天線(xiàn)是供電輻射電極5的兩端斷開(kāi)的λ/2 型天線(xiàn)。天線(xiàn)的輻射電極僅在電介質(zhì)塊上形成。另外，在天線(xiàn)背面配置地線(xiàn)電極。專(zhuān)利文獻(xiàn)2中公開(kāi)的天線(xiàn)是在電介質(zhì)塊形成電極的天線(xiàn)，天線(xiàn)的輻射電極的一端 接地，另一端與地線(xiàn)電極相對(duì)從而形成電容耦合。該天線(xiàn)是從對(duì)地線(xiàn)的接地部的近旁進(jìn)行 電容供電的λ/4型天線(xiàn)。該天線(xiàn)的輻射電極僅在電介質(zhì)塊上形成。另外，在安裝天線(xiàn)的區(qū) 域沒(méi)有配置地線(xiàn)。[專(zhuān)利文獻(xiàn)1]JP特開(kāi)2003-347835號(hào)公報(bào)[專(zhuān)利文獻(xiàn)1]JP特開(kāi)平11-251815號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)1、2的天線(xiàn)是在電介質(zhì)塊形成電極的天線(xiàn)，該天線(xiàn)存在對(duì)于得到必需的 諧振頻率而需要的電介質(zhì)塊的尺寸較大的問(wèn)題。雖然能夠在基板形成輻射電極，但由于一 般情況下基板(電路基板)的介電損失較大因此天線(xiàn)效率下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種天線(xiàn)效率高的天線(xiàn)以及具有該天線(xiàn)的無(wú)線(xiàn)通信裝置。為了解決所述課題本發(fā)明的天線(xiàn)構(gòu)成為具有輻射電極，該輻射電極的第1端部 是電容耦合部，第2端部接地，所述電容耦合部設(shè)置在電介質(zhì)塊上，所述第2端部設(shè)置在設(shè) 置了所述電介質(zhì)塊的基板上，在所述基板上對(duì)所述輻射電極串聯(lián)插入電容器。通過(guò)該結(jié)構(gòu)縮小基板內(nèi)部的電磁場(chǎng)強(qiáng)的區(qū)域，從而由基板帶來(lái)的介電損失降低， 天線(xiàn)效率得到提高。與所述電容耦合部導(dǎo)通的供電電極設(shè)置在所述基板上，所述供電電極的一端處于 接地狀態(tài)。通過(guò)該結(jié)構(gòu)，與使一端處于非接地狀態(tài)相比，由于具有天線(xiàn)的諧振頻率下降的效 果，因此形成對(duì)于使天線(xiàn)小型化有利的電極結(jié)構(gòu)。所述電容器配置在從所述輻射電極的第2端部到所述輻射電極的中央之間。通過(guò)該結(jié)構(gòu)縮小基板內(nèi)部的電磁場(chǎng)強(qiáng)的區(qū)域的效果提高，從而天線(xiàn)效率進(jìn)一步提聞。另外，本發(fā)明的無(wú)線(xiàn)通信裝置構(gòu)成為在殼體內(nèi)設(shè)置本發(fā)明中具有特有的結(jié)構(gòu)的 天線(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明，縮小基板內(nèi)部的電磁場(chǎng)強(qiáng)的區(qū)域，從而由基板帶來(lái)的介電損失降低， 天線(xiàn)效率得到提高。


圖1是專(zhuān)利文獻(xiàn)1中所示的天線(xiàn)的剖面圖。圖2是表示第1實(shí)施方式中的天線(xiàn)主要部分的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖3是圖2所示的3個(gè)天線(xiàn)100、101、102的等效電路圖。圖4是涉及圖2(A)以及圖3㈧所示的天線(xiàn)100的圖，圖4㈧是天線(xiàn)100的平面 圖，圖4(B)是表示基板10內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng)度的分布的圖，圖4(C)是表示諧振頻率下的各種 Q值的分析結(jié)果的圖。圖5是涉及圖2(B)以及圖3(B)所示的天線(xiàn)101的圖，圖5(A)是天線(xiàn)101的平面 圖，圖5(B)是表示基板10內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng)度的分布的圖，圖5(C)是表示諧振頻率下的各種 Q值的分析結(jié)果的圖。圖6是涉及圖2(C)以及圖3(C)所示的天線(xiàn)102的圖，圖6㈧是天線(xiàn)102的平面 圖，圖6(B)是表示基板10內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng)度的分布的圖，圖6(C)是表示諧振頻率下的各種 Q值的分析結(jié)果的圖。圖7是表示在電介質(zhì)塊20的近旁配置了電容器31時(shí)的基板10內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng)度 的分布的圖。圖8是表示改變電容器31的電容時(shí)的基板10表面的電場(chǎng)強(qiáng)度的分布的圖。圖9是表示第2實(shí)施方式中的天線(xiàn)主要部分的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖10是圖9所示的3個(gè)天線(xiàn)200、201、202的等效電路圖。符號(hào)說(shuō)明CC-電容耦合部ET-接地端FL-供電線(xiàn)路FT-供電端子GC-地線(xiàn)連接部GND-地線(xiàn)電極Ll-電感器NGA-非地線(xiàn)區(qū)域NGC-地線(xiàn)非連接部ZE-低電場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)域10-基板12-基板側(cè)輻射電極20-電介質(zhì)塊21-電介質(zhì)塊側(cè)輻射電極
22-電容形成電極31-電容器100、101、102-天線(xiàn)200、201、202-天線(xiàn)
具體實(shí)施例方式第1實(shí)施方式參照?qǐng)D2 圖8對(duì)第1實(shí)施方式中的天線(xiàn)以及具有該天線(xiàn)的無(wú)線(xiàn)通信裝置進(jìn)行說(shuō) 明。圖2是表示天線(xiàn)的主要部分的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖2(A)是不存在對(duì)輻射電極串聯(lián) 連接的電容器的天線(xiàn)100的立體圖，圖2(B)以及圖2(C)是具有所述電容器的天線(xiàn)101、102 的立體圖。圖2(A)是用于準(zhǔn)備說(shuō)明第1實(shí)施方式中的天線(xiàn)的結(jié)構(gòu)的圖。如圖2(A)所示，在基板10的上下面分別形成地線(xiàn)電極GND。沿著基板10的一邊 的一部分在上下面分別形成非地線(xiàn)區(qū)域NGA。另外，在基板10的上面形成供電線(xiàn)路FL，該 供電線(xiàn)路FL的一個(gè)端部作為供電端子FT而形成，另一端由地線(xiàn)連接部GC連接于地線(xiàn)電極 GND。在供電線(xiàn)路FL與地線(xiàn)電極GND之間設(shè)有電極非形成部，由所述供電線(xiàn)路FL、電極非形 成部、以及地線(xiàn)電極GND構(gòu)成共面線(xiàn)路(coplanar line)。另外，在基板10的上面的非地線(xiàn)區(qū)域NGA沿著基板10的邊緣形成基板側(cè)輻射電 極12，該基板側(cè)輻射電極12 —個(gè)端部作為接地端ET與地線(xiàn)電極GND導(dǎo)通(接地)。另一方面，在六面體形狀的電介質(zhì)塊20形成電介質(zhì)塊側(cè)輻射電極21以及電容形 成電極22。在所述電介質(zhì)塊側(cè)輻射電極21的端部以及電容形成電極22的端部之間由電極 間縫隙(gap)形成電容耦合部CC。具有這些電極的電介質(zhì)塊20安裝在基板10的非地線(xiàn)區(qū) 域NGA。由此，電介質(zhì)塊側(cè)輻射電極21的端部與所述基板側(cè)輻射電極12的端部導(dǎo)通，電容 形成電極22的端部與所述供電線(xiàn)路FL的地線(xiàn)連接部GC附近導(dǎo)通。圖2(B)所示的例子中，在靠近所述基板側(cè)輻射電極12的接地端ET的位置以串聯(lián) 連接電容器31的方式安裝電容器31。另外，圖2(C)的例子中，在所述基板側(cè)輻射電極12的中途(電介質(zhì)塊20與電介 質(zhì)塊側(cè)輻射電極21的連接部(第2端部)與接地端ET的大致中間位置)安裝電容器31。圖3是圖2所示的3個(gè)天線(xiàn)100、101、102的等效電路圖。在圖3中，基板側(cè)輻射 電極12以及電介質(zhì)塊側(cè)輻射電極21作為1個(gè)輻射電極發(fā)揮作用，由基板側(cè)輻射電極12以 及電介質(zhì)塊側(cè)輻射電極21構(gòu)成的輻射電極的第1端部由電容耦合部CC進(jìn)行電容供電。圖 中的電感器Ll作為元件符號(hào)來(lái)表示供電線(xiàn)路FL的地線(xiàn)連接部GC附近產(chǎn)生的電感。如圖2⑶所示，通過(guò)在基板側(cè)輻射電極12的接地端ET附近設(shè)置電容器31，如圖 3(B)所示那樣成為輻射電極的第2端部(與電容耦合部即第1端部相反側(cè)的端部)通過(guò)電 容器31而開(kāi)路的結(jié)構(gòu)。另外，如圖2(C)所示，通過(guò)在基板側(cè)輻射電極12的中途設(shè)置電容器31，如圖3(C) 所示那樣成為在輻射電極的中途插入電容器的結(jié)構(gòu)。圖4是涉及圖2(A)以及圖3㈧所示的天線(xiàn)100的圖，圖4㈧是天線(xiàn)100的平面 圖，圖4(B)是表示基板10內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng)度的分布的圖，圖4(C)是表示諧振頻率中的各種Q值的分析結(jié)果的圖。圖5是涉及圖2(B)以及圖3(B)所示的天線(xiàn)101的圖，圖5㈧是天線(xiàn)101的平面 圖，圖5(B)是表示基板10內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng)度的分布的圖，圖5(C)是表示諧振頻率中的各種 Q值的分析結(jié)果的圖。圖6是涉及圖2(C)以及圖3(C)所示的天線(xiàn)102的圖，圖6㈧是天線(xiàn)102的平面 圖，圖6(B)是表示基板10內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng)度的分布的圖，圖6(C)是表示諧振頻率中的各種 Q值的分析結(jié)果的圖。圖7是表示在電介質(zhì)塊20的近旁配置了所述電容器31時(shí)的基板內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng)度 的分布的圖。在這些例子中，使電介質(zhì)塊20上的電容值為與所述電容器31的電容值相同的值。如圖2(A)所示，在基板側(cè)輻射電極12中沒(méi)有插入電容器時(shí)，天線(xiàn)進(jìn)行λ/4動(dòng)作 (輻射電極進(jìn)行1/4波長(zhǎng)諧振)。(在此λ為諧振頻率中的1波長(zhǎng)。)圖4(B)中以深淺表 示從與圖4(A)相同方向觀察的基板內(nèi)部(距基板的上面0.2mm的內(nèi)部)的電場(chǎng)強(qiáng)度。該 計(jì)算是使用電磁場(chǎng)模擬裝置進(jìn)行的。這樣可知，電場(chǎng)在基板側(cè)輻射電極12的接地端ET處大致為0，在電容耦合部CC處 為最大值，在基本10的內(nèi)部電磁場(chǎng)廣泛分布。另一方面，若如圖2(B)、圖2(C)所示那樣在基板10的基板側(cè)輻射電極12串聯(lián)地 插入電容器31，則因?yàn)橛苫鍌?cè)輻射電極12以及電介質(zhì)塊側(cè)輻射電極21形成的輻射電極 的兩端為開(kāi)路端，因此進(jìn)行λ/2動(dòng)作(輻射電極進(jìn)行半波長(zhǎng)諧振)。但是，對(duì)于得到與圖2 所示的天線(xiàn)100相同的諧振頻率，要使電容耦合部CC中產(chǎn)生的電容值比圖2(A)的天線(xiàn)100大。如圖5(B)、圖6(B)所示，插入電容器31的部分與電容耦合部CC分別出現(xiàn)電場(chǎng)強(qiáng) 度分布的山，在山與山之間能夠形成電場(chǎng)強(qiáng)度大致為0的低電場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)域ΖΕ。可知，與圖4⑶相比圖5 (B)、圖6⑶中基板10內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度高的區(qū)域變窄，低電 場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)域ZE變寬。此外，在電介質(zhì)塊20的近旁將電容器31串聯(lián)在基板側(cè)輻射電極12時(shí)，如圖7所 示雖然在從接地端ET至電容器31的基板上的線(xiàn)路進(jìn)行λ/4動(dòng)作，也能夠在輻射電極的中 部形成電場(chǎng)強(qiáng)度大致為0的低電場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)域，但是由于該區(qū)域非常窄，因此難以抑制基板 內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度，天線(xiàn)效率的改善效果較差。若在電介質(zhì)即基板10的內(nèi)部產(chǎn)生電場(chǎng)，則產(chǎn)生基板的介電損失。由于基板的電介 質(zhì)Q —般情況下較低，玻璃環(huán)氧基板中大約為40左右，因此在圖2 (A)所示的天線(xiàn)100中基 板10內(nèi)部的電場(chǎng)較強(qiáng)從而產(chǎn)生大的介電損失。若由Qr表示輻射Q，由Qc表示導(dǎo)體Q，由Qd表示電介質(zhì)Q，則各自的倒數(shù)是輻射 損耗、導(dǎo)體損耗、介電損失。另外，在電介質(zhì)塊20中產(chǎn)生導(dǎo)體損耗l/Qc(ANT)以及介電損失 1/Qd (ANT)，在基板10中產(chǎn)生導(dǎo)體損耗1/Qc (PWB)以及介電損失1/Qd (PWB)。因此，天線(xiàn)的 Qo由下式定義。1/Qo = 1/Qr+l/Qc (ANT)+1/Qd(ANT)+1/Qc(PffB)+1/Qd(PffB)若對(duì)圖5(C)、圖6(C)與圖4(C)進(jìn)行對(duì)比可知，通過(guò)插入電容器31，基板的介電損 失(1/Qd(PWB))減少為約1/3。通過(guò)減少由基板10帶來(lái)的介電損失，與天線(xiàn)100相比天線(xiàn)101或者天線(xiàn)102其天線(xiàn)效率改善約0. 5dB左右。為了抑制基板10內(nèi)部的電磁場(chǎng)強(qiáng)度，在基板側(cè)輻射電極12部分使電場(chǎng)大致為0
是很重要的。插入所述電容器31的位置優(yōu)選配置在從接地端ET(輻射電極的第2端部)到基 板側(cè)輻射電極12的中央之間。這是因?yàn)槿艨拷娊橘|(zhì)塊20配置電容器31，則沿著基板側(cè) 輻射電極12從電容器31到接地端ET的長(zhǎng)度變長(zhǎng)，在該部分進(jìn)行λ/4諧振。也就是說(shuō)，若 進(jìn)行λ /4諧振，則由于基板內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度大致為0的低電場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)域ZE變窄，因此難以抑 制基板內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度，天線(xiàn)效率的改善效果較差。因此，插入基板側(cè)輻射電極12的電容器31的位置優(yōu)選與電介質(zhì)塊20側(cè)相比靠近 于接地端ET側(cè)。這是因?yàn)槿羲鲭娙萜?1遠(yuǎn)離電容耦合部CC，則能夠在基板側(cè)輻射電極 12上形成低電場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)域ΖΕ，基板的介電損失降低。圖8是表示改變電容器31的電容時(shí)的諧振頻率處的基板10表面的電場(chǎng)強(qiáng)度分布 的圖。在此，電容器31按照?qǐng)D2(B)所示安裝于接地側(cè)ΕΤ。使電介質(zhì)塊20上的電容值為 IpF時(shí)的圖8中的(a) (f)與電容器31的電容之間的關(guān)系如下所示。(a)0. 3pF(b)0. 5pF(c) 1. OpF(d) 3. OpF(e)IOpF(f)15pF所述低電場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)域ZE的位置由所述電容器31與電介質(zhì)塊20上的電容耦合部 的電容值之間的對(duì)比決定，若兩者的值靠近，則在基板側(cè)輻射電極12上產(chǎn)生的低電場(chǎng)強(qiáng)度 區(qū)域ZE的范圍變寬，那些由基板10帶來(lái)的介電損失降低。如圖8所示，電容器31的電容在0. 5pF 3pF的范圍內(nèi)低電場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)域明顯展寬。 因此所述電容器31的電容值設(shè)定為與電介質(zhì)塊20上的電容耦合部的電容值實(shí)質(zhì)上相同等 級(jí)的值(0.5 3.0倍的范圍內(nèi)的關(guān)系)即可。另外，不改變電介質(zhì)塊20上產(chǎn)生的電容耦合部CC的電容值的情況下(不改變電 介質(zhì)塊20的介電常數(shù)或電極的尺寸)，若減小所述電容31的電容值則天線(xiàn)的諧振頻率提 高。若進(jìn)一步減小所述電容31的電容值，則頻率漂移的靈敏度提高。相反，若增大電容 31的電容值則天線(xiàn)的諧振頻率下降，接近于沒(méi)有插入電容31時(shí)的諧振頻率。這樣，由于改 變串聯(lián)插入的電容器的電容值則天線(xiàn)的諧振頻率變化，因此為了頻率調(diào)整能夠使用這種現(xiàn) 象。該情況下，由于減小電容值則靈敏度提高(頻率漂移加劇)，因此作為頻率調(diào)整用并不 優(yōu)選電容值小的電容器。如果以頻率調(diào)整為目的，串聯(lián)插入輻射電極的電容器的電容值優(yōu) 選使用與電介質(zhì)塊上的電容耦合部的電容值相比等級(jí)不同的(例如10倍以上的)大的值。另一方面，由于本發(fā)明是為了抑制設(shè)置了基板側(cè)輻射電極的基板內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng) 度，因此插入基板側(cè)輻射電極的電容器31的電容值如所述那樣設(shè)定為接近于電介質(zhì)塊20 上的電容耦合部的電容值的值。由此，能夠在基板側(cè)輻射電極12上形成低電場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)域 ZE，基板的介電損失降低從而獲得天線(xiàn)效率高的天線(xiàn)。第2實(shí)施方式
參照?qǐng)D9、圖10對(duì)第2實(shí)施方式中的天線(xiàn)以及具有該天線(xiàn)的無(wú)線(xiàn)通信裝置進(jìn)行說(shuō) 明。圖9表示天線(xiàn)的主要部分的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖9(A)是不存在對(duì)輻射電極串聯(lián)連 接的電容器的天線(xiàn)200的立體圖，圖9(B)以及圖9(C)是具有所述電容器的天線(xiàn)201、202 的立體圖。圖9(A)是用于準(zhǔn)備說(shuō)明第2實(shí)施方式中的天線(xiàn)的結(jié)構(gòu)的圖。與第1實(shí)施方式中圖2所示的天線(xiàn)100、101、102不同的是供電線(xiàn)路FL的結(jié)構(gòu)。供 電線(xiàn)路FL的一個(gè)端部作為供電端子FT而形成，另一端并不連接于地線(xiàn)。(設(shè)置有地線(xiàn)非連 接部NGC)其他結(jié)構(gòu)與圖2所示的天線(xiàn)100、101、102相同。圖10是圖9所示的3個(gè)天線(xiàn)200、201、202的等效電路圖。在圖10中，基板側(cè)輻 射電極12以及電介質(zhì)塊側(cè)輻射電極21作為1個(gè)輻射電極發(fā)揮作用，由基板側(cè)輻射電極12 以及電介質(zhì)塊側(cè)輻射電極21構(gòu)成的輻射電極的第1端部由電容耦合部CC進(jìn)行電容供電。如圖9㈧所示，在基板側(cè)輻射電極12沒(méi)有串聯(lián)地設(shè)置電容器31狀態(tài)下，電場(chǎng)在 基板側(cè)輻射電極12的接地端ET處大致為0，在電容耦合部CC處為最大值，在基本10的內(nèi) 部電磁場(chǎng)廣泛分布。另一方面，如圖9(B)、圖9(C)所示，若在基板10的基板側(cè)輻射電極12串聯(lián)地插 入電容器31，則因?yàn)橛苫鍌?cè)輻射電極12以及電介質(zhì)塊側(cè)輻射電極21形成的輻射電極的 兩端為開(kāi)路端，因此進(jìn)行λ/2動(dòng)作(輻射電極進(jìn)行半波長(zhǎng)諧振)。其結(jié)果是插入電容器31 的部分與電容耦合部CC分別出現(xiàn)電場(chǎng)強(qiáng)度分布的山，在該山與山之間能夠形成電場(chǎng)強(qiáng)度 大致為0的低電場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)域ΖΕ，基板的介電損失降低從而獲得天線(xiàn)效率高的天線(xiàn)。
權(quán)利要求
一種天線(xiàn)，其特征在于，具有輻射電極，該輻射電極的第1端部是電容耦合部，第2端部接地，所述電容耦合部設(shè)置在電介質(zhì)塊上，所述第2端部設(shè)置在設(shè)置了所述電介質(zhì)塊的基板上，在所述基板上對(duì)所述輻射電極串聯(lián)插入電容器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線(xiàn)，其特征在于，與所述電容耦合部導(dǎo)通的供電電極設(shè)置在所述基板上，所述供電電極的一端處于接地 狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線(xiàn)，其特征在于，所述電容器配置在從所述輻射電極的第2端部到所述輻射電極的中央之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線(xiàn)，其特征在于，所述電容器配置在從所述輻射電極的第2端部到所述輻射電極的中央之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任意一項(xiàng)所述的天線(xiàn)，其特征在于，所述電容器的電容值相對(duì)于所述電容耦合部產(chǎn)生的電容值是0. 5 3. 0倍的范圍內(nèi)的關(guān)系。
6.一種無(wú)線(xiàn)通信裝置，其特征在于，在殼體內(nèi)設(shè)置有權(quán)利要求1 5中的任意一項(xiàng)所述的天線(xiàn)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種天線(xiàn)效率高的天線(xiàn)以及具有該天線(xiàn)的無(wú)線(xiàn)通信裝置。在基板(10)的上下面形成地線(xiàn)電極(GND)。沿著基板(10)的一邊的一部分在上下面形成非地線(xiàn)區(qū)域(NGA)。在基板(10)的上面的非地線(xiàn)區(qū)域(NGA)沿著基板(10)的邊緣形成基板側(cè)輻射電極(12)，該基板側(cè)輻射電極(12)一個(gè)端部作為接地端(ET)與地線(xiàn)電極(GND)導(dǎo)通(接地)。在電介質(zhì)塊(20)形成電介質(zhì)塊側(cè)輻射電極(21)以及電容形成電極(22)。在電介質(zhì)塊側(cè)輻射電極(21)的端部與電容形成電極(22)的端部之間構(gòu)成由電極間縫隙形成的電容耦合部(CC)。并且，在基板側(cè)輻射電極(12)的中途串聯(lián)連接電容器(31)。
文檔編號(hào)H01Q1/38GK101888015SQ20101017830
公開(kāi)日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2010年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月14日
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