專利名稱:四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件及制法及該制造用金屬板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其制法,尤其涉及一種四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件(Quad Flat Non Leaded Package, QFN)及其制法。
背景技術(shù):
現(xiàn)有芯片是以導(dǎo)線架(Lead Frame)作為芯片承載件以形成一半導(dǎo)體封裝件,而該導(dǎo)線架主要包括一芯片座及形成于該芯片座周圍的多個(gè)導(dǎo)腳,于該芯片座上黏接芯片,并以焊線電性連接該芯片與導(dǎo)腳后,再將封裝樹脂包覆該芯片、芯片座、焊線以及導(dǎo)腳的內(nèi)段而形成該具導(dǎo)線架的半導(dǎo)體封裝件。就集成電路技術(shù)發(fā)展而言,在半導(dǎo)體工藝上不斷朝向積集度更高的工藝演進(jìn), 且高密度的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)是為業(yè)者追求的目標(biāo)。而芯片尺寸構(gòu)裝所采用的承載器(carrier) 包括導(dǎo)線架(lead frame)、軟質(zhì)基板(flexible substrate)或硬質(zhì)基板(rigid substrate)等,由于導(dǎo)線架具有成本低,加工容易等特性,為電子產(chǎn)品常用的芯片尺寸構(gòu)裝類型;其中的四方扁平無接腳構(gòu)裝(QFN)為以導(dǎo)線架為構(gòu)裝基材的芯片尺寸構(gòu)裝(lead frame based CSP),其特征在于未設(shè)置有外導(dǎo)腳,即未形成有用以與外界電性連接的外導(dǎo)腳,而能縮小整體尺寸。請(qǐng)參閱圖4A,是為美國專利第6,143, 981,6, 130,115、及6,198,171號(hào)所揭示的以
導(dǎo)線架作為芯片承載件的四方扁平無導(dǎo)腳構(gòu)裝(QFN)的剖視圖;如圖所示,是于具有引腳 41的導(dǎo)線架40上固設(shè)芯片42,且該芯片42并借由焊線43電性連接至該引腳41,形成封裝材44以包覆該導(dǎo)線架40、芯片42、及焊線43,并使該導(dǎo)線架40的引腳41的底面外露于該封裝材44表面,使該QFN半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)得借由該外露的引腳41外露表面以直接通過焊錫材料(未以圖式表示)而與外界裝置如印刷電路板(printed circuit board)的外部裝置電性連接。上述的現(xiàn)有導(dǎo)線架式結(jié)構(gòu),所能提供的輸入/輸出數(shù)量較少,無法滿足高階產(chǎn)品, 且在切單工藝后,該引腳有脫落的風(fēng)險(xiǎn)。再者,由于該外露的引腳41與封裝材44表面齊平, 當(dāng)該外露的引腳41上形成焊球46以與外部裝置的印刷電路板電性連接時(shí),如圖4B所示, 該焊球46容易產(chǎn)生橋接(solder bridge),而導(dǎo)致該引腳41之間產(chǎn)生橋接或短路,而造成電性連接不良的情況。為獲得更多的輸入/輸出數(shù)量,亦有在銅箔基板上借由蝕刻方式形成導(dǎo)線架,以得到更多引腳,然而,蝕刻工藝步驟繁多且耗時(shí),且不論是前述圖4A的封裝件或以蝕刻方式得到的導(dǎo)線架,在填入封裝膠體時(shí)都存在溢膠的問題,導(dǎo)致無法布植焊球及影響焊球與引腳的電性連接。此外,蝕刻方式形成的導(dǎo)線架,其結(jié)構(gòu)分離而不完整,于超音波焊接時(shí)常有脫焊的狀況。因此,鑒于上述的問題,如何以簡(jiǎn)化的工藝提供更多的輸入/輸出數(shù)量,且避免現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝件的引腳脫落及封裝膠體溢膠等問題,實(shí)已成為目前亟欲解決的課題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失,本發(fā)明的目的在于,提供一種四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件及其制法及用于制造半導(dǎo)體封裝件的金屬板,以簡(jiǎn)化的制造工藝提供更多的輸入/輸出數(shù)量,且避免現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝件的引腳脫落及封裝膠體溢膠等問題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件,包括置芯片墊,其中,在該置芯片墊的厚度范圍內(nèi),該置芯片墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積;多個(gè)凸焊墊,設(shè)于該置芯片墊周圍,其中,在該凸焊墊的厚度范圍內(nèi),該凸焊墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積,且該凸焊墊的頂面高于置芯片墊的頂面;設(shè)置于該置芯片墊上的芯片;焊線,電性連接該芯片及各該凸焊墊;以及封裝膠體,包覆該置芯片墊、凸焊墊、芯片及焊線,使該置芯片墊及凸焊墊嵌卡于該封裝膠體中并外露出該些凸焊墊及置芯片墊的底面。為得到本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件,本發(fā)明還提供一種四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件的制法,包括準(zhǔn)備一定義有多個(gè)置芯片區(qū)的金屬板;以模具沖壓該金屬板,以于金屬板上的各該置芯片區(qū)形成置芯片墊,并于該置芯片區(qū)外圍形成多個(gè)凸焊墊,其中,在該置芯片墊及凸焊墊的厚度范圍內(nèi),該凸焊墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積,以及該置芯片墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積,且該凸焊墊的底面高于置芯片墊的底面;于各該置芯片墊上接置芯片;以焊線電性連接該芯片與凸焊墊;于該金屬板、芯片及焊在線覆蓋封裝膠體,使該凸焊墊嵌卡于該封裝膠體中;移除該金屬板底部,使該置芯片墊及各該凸焊墊彼此間隔分布;以及切割該封裝膠體,以形成多個(gè)半導(dǎo)體封裝件。于前述的制法中,該模具可包括公模、母模及多個(gè)插入件,且該母模具有多個(gè)陣列式排列的凹穴以及溝槽,用以連通位于同一列上的凹穴,其中,該溝槽供插入件滑設(shè)其中, 使該凹穴開口面積小于凹穴底面積。于另一實(shí)施方式中,該沖壓形成該置芯片墊及凸焊墊的步驟包括以模具沖壓該金屬板以形成多個(gè)置芯片墊及凸焊墊;以及壓制該置芯片墊及凸焊墊頂面,以使在該置芯片墊及凸焊墊的厚度范圍內(nèi),該凸焊墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積,以及該置芯片墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積。另一方面,本發(fā)明還提供一種用于制造四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件的金屬板,包括多個(gè)凸焊墊,為一體成形于該金屬板上,且該些凸焊墊圍設(shè)出置芯片區(qū),其中,在該凸焊墊的厚度范圍內(nèi),該凸焊墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積;置芯片墊,位于置芯片區(qū),其中,在該置芯片墊的厚度范圍內(nèi),該置芯片墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積;以及多個(gè)孔穴,對(duì)應(yīng)形成于各該凸焊墊底面。由上可知,本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制法,是先于金屬板上沖壓出凸焊墊,接置放并電性連接芯片以及形成封裝膠體,之后才進(jìn)行切單作業(yè),可避免現(xiàn)有技術(shù)灌注封裝膠體時(shí)的溢膠問題,此外,本發(fā)明金屬板上的凸焊墊具有嵌卡的功能,可避免于形成封裝膠體后,凸焊墊自封裝膠體內(nèi)脫落。又,凸焊墊的頂面高于置芯片墊的頂面,可降低打線的高度, 縮小整體封裝件的體積。本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及制法,不僅防止溢膠及凸焊墊脫落,更具有簡(jiǎn)化工藝,提供更多的輸入/輸出數(shù)量的優(yōu)點(diǎn)。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述,但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。
圖IA至圖1E”為本發(fā)明四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件的制法示意圖,其中,圖 IB'為圖IB的母模的俯視圖;圖1D’為具有孔穴的半導(dǎo)體封裝件示意圖,圖IE為凸焊墊與封裝膠體側(cè)邊齊平的半導(dǎo)體封裝件示意圖;以及圖1E’為具有防焊層的半導(dǎo)體封裝件示意圖;圖2A至圖2C為本發(fā)明形成凸焊墊的另一制法示意圖;圖3A至圖3C為本發(fā)明另一沖壓形成置芯片墊的制法示意圖,其中,圖3C為具有置芯片墊的半導(dǎo)體封裝件示意圖;以及圖4A及圖4B現(xiàn)有以導(dǎo)線架作為芯片承載件的四方扁平無接腳構(gòu)裝(QFN)的剖視圖。其中,附圖標(biāo)記1、3半導(dǎo)體封裝件10、20、30金屬板11、31 置芯片區(qū) 12、22、32 模具121公模 122母模123插入件1221凹穴1222 溝槽 13、23、33 凸焊墊131 孔穴 14、34、42 芯片15、35、43 焊線 16、36 封裝膠體17、37、46 焊球 18 防焊層181 開孔 221、221,上模222下模 19、29、38置芯片墊381凸墊 40導(dǎo)線架41引腳 44封裝材
具體實(shí)施例方式以下借由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式,本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。并須說明的是,本說明書中所敘述的“頂面”與“底面”并非絕對(duì)的空間概念,而是隨構(gòu)成要件的空間關(guān)系而變化,亦即,倒置本案圖式中所示的半導(dǎo)體封裝件時(shí),“頂面” 即成“底面”而“底面”即成“頂面”。故該些“頂面”、“底面”名詞的使用,是用以說明本發(fā)明所揭示的半導(dǎo)體封裝件中構(gòu)成要件間的連結(jié)關(guān)系,使本發(fā)明所揭示的半導(dǎo)體封裝件在等效的范圍內(nèi)具有合理的變化與替換,而非用以限定本發(fā)明的可實(shí)施范圍于一特定的態(tài)樣 (Embodiment)。第一實(shí)施例請(qǐng)參閱圖IA至圖1E”,是說明本發(fā)明四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件的制法。如圖IA所示,準(zhǔn)備一定義有多個(gè)置芯片區(qū)11的金屬板10,該金屬板可為銅,此外, 該金屬板10上下表面可借由電鍍形成有金屬層,其可包括選自金、鈀、銀、銅及鎳所組成群組的一種或多種材質(zhì),例如,金/鈀/鎳/鈀層依序組成或金/鎳/銅/鎳/銀、金/鎳/ 銅/銀、鈀/鎳/鈀、金/鎳/金或鈀/鎳/金的多層金屬其中之一所構(gòu)成。
如圖IB及圖1B’所示,以模具12沖壓該金屬板10,以于金屬板10上的各該置芯片區(qū)11形成置芯片墊19,并于該置芯片區(qū)11外圍形成多個(gè)凸焊墊13,其中,在該置芯片墊 19及凸焊墊13的厚度h、h’范圍內(nèi),該凸焊墊13的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積,以及該置芯片墊19的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積,且該凸焊墊13的底面高于置芯片墊19的底面。該凸焊墊13可為鳩尾形或半鳩尾形,如圖IB所示, 該凸焊墊13為鳩尾形,在該凸焊墊13的厚度h范圍內(nèi)的任意兩個(gè)橫截面,上方橫截面的面積大于下方另一橫截面的面積。又,還可包括于沖壓該金屬板之后,形成金屬層于該金屬板上下表面(未圖示)。在實(shí)施上,該模具12包括公模121、母模122及多個(gè)插入件123,且如圖1B’所示的母模122俯視圖,該母模122具有多個(gè)陣列式排列的凹穴1221以及溝槽1222,是用以連通位于同一列上的凹穴1221,其中,該溝槽1222是供插入件123滑設(shè)其中,使該凹穴1221 開口面積小于凹穴1221底面積,從而于沖壓后得到鳩尾形的凸焊墊13。如圖IC所示,于各該置芯片墊19上接置芯片14,接著以焊線15電性連接該芯片 14與凸焊墊13 ;之后再于該金屬板10、芯片14及焊線15上覆蓋封裝膠體16,由于鳩尾形凸焊墊13的任一橫截面的面積皆大于下方另一橫截面的面積(在本發(fā)明中,凸焊墊13內(nèi)的孔穴131橫截面亦計(jì)算于凸焊墊13的橫截面),例如頂面面積大于底面面積,以使該凸焊墊13嵌卡于該封裝膠體16中,此外,因該凸焊墊13的底面高于置芯片墊19的底面,以及凸焊墊13的頂面高于置芯片墊19的頂面,可降低打線的高度,縮小整體封裝件的體積,再者,因金屬板為連續(xù)結(jié)構(gòu),可減少超音波焊接時(shí)脫焊的缺陷。又因?yàn)樾纬煞庋b膠體時(shí),該金屬板仍為連續(xù)結(jié)構(gòu),更可防止溢膠的問題。如圖ID所示,以銑刀或蝕刻等方式移除該金屬板10底部,使各該該置芯片墊19 及凸焊墊13彼此間隔分布。再參閱圖1D’,不同于第圖ID中該置芯片墊19及凸焊墊13 底部與封裝膠體底部齊平,在移除該金屬板10底部時(shí),由于沖壓時(shí)可設(shè)定沖壓深度,得以于移除金屬板10視需要令得到的置芯片墊及凸焊墊13底面對(duì)應(yīng)形成孔穴131,如圖IE所示,該孔穴可供焊球17布設(shè)其中,在焊球17與凸焊墊之間提供較佳的接合強(qiáng)度,最后切割該封裝膠體16,以形成多個(gè)半導(dǎo)體封裝件1。另一方面,當(dāng)相鄰兩封裝單元具有共享的凸焊墊時(shí),于執(zhí)行切割步驟,可如圖1E’所示,切割封裝膠體16及相鄰兩半導(dǎo)體封裝件共享的凸焊墊13,以令所得的半導(dǎo)體封裝件的最外圍凸焊墊13側(cè)邊外露,并與封裝膠體16側(cè)邊齊平。當(dāng)然亦可如圖IE所示,相鄰兩封裝單元不具有共享的凸焊墊13,封裝膠體16則包覆住凸焊墊13側(cè)邊。此外,如圖1E”所示,還可包括于移除該金屬板10后,于該封裝膠體16底面上形成防焊層18,且令該防焊層18具有多個(gè)供對(duì)應(yīng)露出各該置芯片墊19及凸焊墊13的防焊層開孔181。本實(shí)例中,雖以具有孔穴131的凸焊墊13做說明,但不以此態(tài)樣為限。第二實(shí)施例本實(shí)施例與前述制法大致相同,其差異在于不同的沖壓方式。如圖2A至圖2C所示的沖壓形成該置芯片墊及凸焊墊的步驟,包括先以包括上模221及下模222的模具22沖壓該金屬板20以形成多個(gè)置芯片墊四及凸焊墊23 ;以及再次,壓制該置芯片墊四及凸焊墊 23頂面,以使在該置芯片墊四及凸焊墊23的厚度范圍內(nèi),即便凸焊墊23頂面并非最大的面積,仍存在至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積的關(guān)系,以于形成封裝膠體后,令凸焊墊23嵌卡于于封裝膠體中,同樣地,使該置芯片墊四的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積。具體而言,如圖2B所示,可利用另一上模221’再次壓制該置芯片墊四及凸焊墊23頂面,最后脫模即可得到具有凸焊墊23的金屬板20。第三實(shí)施例本實(shí)施例與前述制法大致相同,其差異在于置芯片墊外形。如圖3A所示,沖壓該金屬板30的步驟還包含以模具32沖壓置芯片區(qū)31形成置芯片墊38,該置芯片墊38由多個(gè)凸墊381所構(gòu)成,其外形可與凸焊墊33相同。同樣地,在該置芯片墊38的厚度范圍內(nèi), 該置芯片墊38的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積。根據(jù)前述的制法,本發(fā)明提供一種四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件1、3,如圖IE 及圖3C所示,該半導(dǎo)體封裝件1、3包括置芯片墊19、38,其中,在該置芯片墊19、38的厚度范圍內(nèi),該置芯片墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積;多個(gè)凸焊墊13、 33,為設(shè)于該置芯片墊19、38周圍,其中,在該凸焊墊13、33的厚度范圍內(nèi),該凸焊墊13、33 的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積,且該凸焊墊13、33的頂面高于置芯片墊 19,38的頂面;芯片14、34,設(shè)置于該置芯片墊19、38上;焊線15、35,電性連接該芯片14、;34 及各該凸焊墊13、33 ;以及封裝膠體16、36,包覆該置芯片墊19、38、凸焊墊13、33、芯片14、 34及焊線15、35,使該置芯片墊19、38及凸焊墊13、33嵌卡于該封裝膠體16、36中并外露出該些凸焊墊13、33及置芯片墊19、38的底面。此外,該凸焊墊13、33及置芯片墊19、38 底面可接置有焊球17、37。在本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件中,該凸焊墊13及置芯片墊19可為如圖IE所示的鳩尾形,或者可為半鳩尾形或其它形狀。如圖1E’所示,該半導(dǎo)體封裝件還可包括防焊層18,為形成于該封裝膠體16底面上,且該防焊層18具有多個(gè)供對(duì)應(yīng)露出各該置芯片墊19及凸焊墊13的防焊層開孔181。另一方面,根據(jù)前述的制法,本發(fā)明提供一種用于制造四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件的金屬板,如圖IC所示,該金屬板10包括多個(gè)凸焊墊13,為一體成形于該金屬板 10上,且該些凸焊墊13圍設(shè)出置芯片區(qū)11,其中,在該凸焊墊13的厚度范圍內(nèi),該凸焊墊 13的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積;置芯片墊19,位于置芯片區(qū)11,其中, 在該置芯片墊19的厚度范圍內(nèi),該置芯片墊19的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積;以及多個(gè)孔穴131,為對(duì)應(yīng)形成于各該凸焊墊13底面。本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制法,是先于金屬板上沖壓出凸焊墊,接置放并電性連接芯片以及形成封裝膠體,之后才進(jìn)行切單作業(yè),可避免現(xiàn)有技術(shù)灌注封裝膠體時(shí)的溢膠問題,此外,本發(fā)明金屬板上的置芯片墊及凸焊墊具有嵌卡的功能,可避免于形成封裝膠體后,凸焊墊自封裝膠體內(nèi)脫落,而提升可靠度。又較佳地,沖壓的方式亦可使該置芯片墊高度低于凸焊墊,有利于降低封裝件的高度,縮小體積提升導(dǎo)熱性能,本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及制法,不僅防止溢膠及凸焊墊脫落,更具有簡(jiǎn)化制造工藝,提供更多的輸入/輸出數(shù)量的優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)然,本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例,在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下,熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形,但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
8
權(quán)利要求
1.一種四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件,其特征在于,包括置芯片墊,其中,在該置芯片墊的厚度范圍內(nèi),該置芯片墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積;多個(gè)凸焊墊,設(shè)于該置芯片墊周圍,其中,在該凸焊墊的厚度范圍內(nèi),該凸焊墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積,且該凸焊墊的頂面高于置芯片墊的頂面; 芯片,設(shè)置于該置芯片墊上; 焊線,電性連接該芯片及各該凸焊墊;以及封裝膠體,包覆該置芯片墊、凸焊墊、芯片及焊線,使該置芯片墊及凸焊墊嵌卡于該封裝膠體中并外露出該些凸焊墊及置芯片墊的底面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件,其特征在于,該凸焊墊為鳩尾形或半鳩尾形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件,其特征在于,該置芯片墊為鳩尾形或半鳩尾形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件,其特征在于,還包括防焊層,形成于該封裝膠體底面上,且該防焊層具有多個(gè)供對(duì)應(yīng)露出各該置芯片墊及凸焊墊的防焊層開孔。
5.一種四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件的制法,其特征在于,包括 準(zhǔn)備一定義有多個(gè)置芯片區(qū)的金屬板;以模具沖壓該金屬板,以于金屬板上的各該置芯片區(qū)形成置芯片墊,并于該置芯片區(qū)外圍形成多個(gè)凸焊墊,其中,在該置芯片墊及凸焊墊的厚度范圍內(nèi),該凸焊墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積,以及該置芯片墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積,且該凸焊墊的底面高于置芯片墊的底面; 于各該置芯片墊上接置芯片; 以焊線電性連接該芯片與凸焊墊;于該金屬板、芯片及焊線覆蓋封裝膠體,使該凸焊墊嵌卡于該封裝膠體中; 移除該金屬板底部,使該置芯片墊及各該凸焊墊彼此間隔分布;以及切割該封裝膠體,以形成多個(gè)半導(dǎo)體封裝件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件的制法,其特征在于,該模具包括公模、母模及多個(gè)插入件,且該母模具有多個(gè)陣列式排列的凹穴以及溝槽,用以連通位于同一列上的凹穴,其中,該溝槽供插入件滑設(shè)其中,使該凹穴開口面積小于凹穴底面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件的制法,其特征在于,沖壓形成該置芯片墊及凸焊墊的步驟包括以模具沖壓該金屬板以形成多個(gè)置芯片墊及凸焊墊; 以及壓制該置芯片墊及凸焊墊頂面,以使在該置芯片墊及凸焊墊的厚度范圍內(nèi),該凸焊墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積,以及該置芯片墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件的制法,其特征在于,該凸焊墊的頂面高于置芯片墊的頂面。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件的制法,其特征在于,還包括于沖壓該金屬板之前或之后,形成金屬層于該金屬板上下表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件的制法,其特征在于,該凸焊墊為鳩尾形或半鳩尾形。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件的制法,其特征在于,還包括于移除該金屬板后,于該封裝膠體底面上形成防焊層,且令該防焊層具有多個(gè)供對(duì)應(yīng)露出各該置芯片墊及凸焊墊的防焊層開孔。
12.一種用于制造四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件的金屬板,其特征在于,包括 多個(gè)凸焊墊,為一體成形于該金屬板上,且該些凸焊墊圍設(shè)出置芯片區(qū),其中,在該凸焊墊的厚度范圍內(nèi),該凸焊墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積;置芯片墊,位于置芯片區(qū),其中,在該置芯片墊的厚度范圍內(nèi),該置芯片墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積;以及多個(gè)孔穴,對(duì)應(yīng)形成于各該凸焊墊底面。
全文摘要
一種四方扁平無導(dǎo)腳的半導(dǎo)體封裝件及制法及該制造用金屬板,包括沖壓金屬板以得到置芯片墊及多個(gè)凸焊墊,且令該凸焊墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面的面積以及置芯片墊的至少一橫截面面積大于其下方另一橫截面面積,以使該置芯片墊及凸焊墊嵌卡于封裝膠體內(nèi),此外,本發(fā)明是在形成封裝膠體后才移除金屬板,更可避免溢膠至凸焊墊底面。
文檔編號(hào)H01L21/60GK102244058SQ201010178610
公開日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2010年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月13日
發(fā)明者卓恩民 申請(qǐng)人:群豐科技股份有限公司