專(zhuān)利名稱(chēng)：基于ftir光譜監(jiān)測(cè)的等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài)維護(hù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài)的監(jiān)測(cè)、維護(hù)方法。
背景技術(shù)：
大面積高密度等離子體刻蝕機(jī)，如ICP (電感耦合等離子體)和TCP (變壓器耦合 等離子體)等離子體等目前已被運(yùn)用于深亞微米超大規(guī)模集成電路的圖形形成工藝。為了 得到最佳的產(chǎn)品良率和器件性能，就必須使得刻蝕機(jī)始終處于穩(wěn)定的最佳工藝窗口。而最 佳工藝窗口取決于許多參數(shù)如等離子體密度，電子溫度，自由基密度，氣體流量及晶片溫 度等。由于這些參數(shù)經(jīng)常發(fā)生漂移，因此需要對(duì)設(shè)備硬件參數(shù)以及工藝參數(shù)進(jìn)行控制，以 尋求最佳的工藝條件。隨著器件幾何尺寸持續(xù)縮小，對(duì)工藝過(guò)程的控制提出了更為嚴(yán)格的 要求。使得對(duì)工藝過(guò)程進(jìn)行魯棒性表征、可靠性預(yù)測(cè)以及這些因素對(duì)最終產(chǎn)品的影響的控 制等成為一種基本的技術(shù)。并且反應(yīng)腔室在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間運(yùn)行后，其內(nèi)部的狀態(tài)會(huì)發(fā)生改 變，從而導(dǎo)致工作點(diǎn)的漂移。因此需要對(duì)設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)視，盡量延長(zhǎng)刻蝕機(jī)的 MTBF(mean time between failure，平均無(wú)故障時(shí)間)時(shí)間，減少刻蝕機(jī)的MTTR(mean time to r印aire，平均修復(fù)時(shí)間)時(shí)間，進(jìn)而保證刻蝕機(jī)能夠長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定可靠運(yùn)行，提高設(shè)備的 運(yùn)行效率。高密度等離子體刻蝕機(jī)是利用反應(yīng)腔室上部的射頻源來(lái)產(chǎn)生高密度等離子體的 密度，利用下部的射頻源來(lái)控制等離子體中粒子對(duì)晶片的轟擊能量，以達(dá)到各項(xiàng)異性刻蝕 的目的。由于工藝窗口的變化會(huì)對(duì)元件的性能造成很?chē)?yán)重的影響。而工藝窗口的漂移則與 反應(yīng)腔室內(nèi)壁所附著的聚合物的狀態(tài)有很密切的聯(lián)系，刻蝕工藝歷史及反應(yīng)腔室內(nèi)的刻蝕 污染物均會(huì)對(duì)刻蝕速率造成影響，因而反應(yīng)腔室內(nèi)壁聚合物狀態(tài)直接影響到工藝窗口。所 以要定期對(duì)刻蝕機(jī)進(jìn)行預(yù)防維護(hù)工藝(PM)后，對(duì)等離子體參數(shù)進(jìn)行測(cè)量分析，以確定能恢 復(fù)到最佳工藝狀態(tài)。最簡(jiǎn)單的方法是定期打開(kāi)反應(yīng)腔室，采用人工目測(cè)來(lái)確定何時(shí)進(jìn)行反 應(yīng)腔室的清洗，如申請(qǐng)?zhí)枮?00680041101. 7中國(guó)專(zhuān)利所公開(kāi)的等離子體診斷設(shè)備及方法， 以及申請(qǐng)?zhí)枮?00410054223. 2的中國(guó)專(zhuān)利所公開(kāi)的等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)在預(yù)防維護(hù)工藝后 的監(jiān)控方法。而目前通常所采用的方法是觀(guān)察等離子體所發(fā)射出來(lái)的特征OES光譜的強(qiáng)度 的變化，如果反應(yīng)腔室內(nèi)壁沉積的聚合物過(guò)厚過(guò)多，就會(huì)導(dǎo)致OES光譜上有較為明顯的特 征峰出現(xiàn)，且峰的強(qiáng)度有較大的變化，OES是檢測(cè)等離子體中各種離子的濃度，其中包括反 應(yīng)物離子的濃度，反應(yīng)產(chǎn)物離子的濃度，以及中間過(guò)程產(chǎn)物的濃度，通過(guò)觀(guān)察在等離子體中 某個(gè)離子濃度變化與OES光譜強(qiáng)度變化間的關(guān)系，來(lái)間接判斷反應(yīng)腔室內(nèi)壁沉積的聚合物 對(duì)等離子體的影響大小，由于聚合物所產(chǎn)生的等離子體的濃度很低，且等離子體與反應(yīng)腔 室內(nèi)壁間的化學(xué)作用非常復(fù)雜。當(dāng)可觀(guān)察到其對(duì)應(yīng)的OES特征峰時(shí)，聚合物的厚度已經(jīng)超 過(guò)了工藝窗口所能容忍的值，因而這種檢測(cè)方法過(guò)于粗糙，不能實(shí)時(shí)檢測(cè)等離子體與反應(yīng) 腔室內(nèi)壁之間的相互作用。這兩種方法都不能及時(shí)、準(zhǔn)確地判斷設(shè)備是否需要進(jìn)行維護(hù)，因 而就不能有效提高等離子體刻蝕機(jī)的設(shè)備利用效率。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，為了解決上述問(wèn)題，為此，本發(fā)明提出了一種基于FTIR光譜監(jiān)測(cè)的等 離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài)維護(hù)方法，能及時(shí)、準(zhǔn)確地在等離子體刻蝕機(jī)需要維護(hù)時(shí)進(jìn)行維護(hù)， 提高等離子體刻蝕機(jī)的設(shè)備利用效率。本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的基于FTIR光譜監(jiān)測(cè)的等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài)維 護(hù)方法，包括如下步驟1)安裝傅里葉變換紅外光譜探針系統(tǒng)在等離子體刻蝕機(jī)的反應(yīng)腔室外壁開(kāi)一 個(gè)窗口，窗口材料采用透明的內(nèi)反射晶體，在窗口的一端安裝衰減全反射傅里葉變換紅外 光譜探針，另一端安裝紅外探測(cè)器，使傅里葉變換紅外光譜探針發(fā)射的光線(xiàn)在內(nèi)反射晶體 內(nèi)多次反射后，從內(nèi)反射晶體另一端射出，聚焦到碲鎘汞探測(cè)器，所述碲鎘汞探測(cè)器與圖譜 處理系統(tǒng)連接；2)利用傅里葉變換紅外光譜探針系統(tǒng)對(duì)處于最佳工作狀態(tài)的等離子體刻蝕機(jī)的 反應(yīng)腔室內(nèi)壁的薄膜組分進(jìn)行測(cè)量，獲得標(biāo)準(zhǔn)的傅里葉變換紅外光譜圖譜；3)利用傅里葉變換紅外光譜探針系統(tǒng)對(duì)等離子體刻蝕機(jī)的反應(yīng)腔室內(nèi)壁的薄膜 組分進(jìn)行測(cè)量，得到相應(yīng)的傅里葉變換紅外光譜圖譜，通過(guò)與標(biāo)準(zhǔn)傅里葉變換紅外光譜圖 譜進(jìn)行比較，確定是否需要對(duì)反應(yīng)腔室進(jìn)行清洗，以及所附著的聚合物的組分，如是，則執(zhí) 行步驟4)；4)對(duì)等離子體刻蝕機(jī)反應(yīng)腔室進(jìn)行清洗；5)當(dāng)?shù)入x子體刻蝕機(jī)經(jīng)過(guò)清洗后，再執(zhí)行步驟3)。進(jìn)一步，傅里葉變換紅外光譜探針的譜線(xiàn)入射方向與內(nèi)反射晶體成90度，與腔室 內(nèi)壁表面的法線(xiàn)成θ度，0° < θ <90° ；進(jìn)一步，步驟3)中，當(dāng)獲得的傅里葉變換紅外光譜圖譜與標(biāo)準(zhǔn)傅里葉變換紅外光 譜圖譜相比，若聚合物沉積造成的特征峰大于閾值，，則說(shuō)明反應(yīng)腔室需要進(jìn)行清洗，并根 據(jù)特征峰的位置確定沉積的聚合物的組分；進(jìn)一步，步驟4)中，當(dāng)內(nèi)反射晶體表面被覆蓋的薄膜組分是以a-Si:H鍵為主時(shí)， 采用O2等離子體進(jìn)行腔室內(nèi)壁的清洗；進(jìn)一步，步驟4)中當(dāng)內(nèi)反射晶體表面被覆蓋的聚合物薄膜層的組成為SiO2/ a-Si:H時(shí)，采用SF6等離子體對(duì)反應(yīng)腔室內(nèi)壁進(jìn)行清洗；進(jìn)一步，所述傅里葉變換紅外光譜探針為衰減全反射傅里葉變換紅外光譜探針；進(jìn)一步，所述紅外線(xiàn)探測(cè)器為碲鎘汞紅外線(xiàn)探測(cè)器；進(jìn)一步，所述步驟3)實(shí)時(shí)運(yùn)行，對(duì)等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控；進(jìn)一步，所述步驟3)定期運(yùn)行，對(duì)等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài)進(jìn)行定期維護(hù)。本發(fā)明通過(guò)獲取工作中的等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)壁反應(yīng)腔室內(nèi)壁上的固態(tài)薄膜或吸 附物的傅里葉變換紅外光譜，與其最佳工作狀態(tài)下的傅里葉變換紅外光譜進(jìn)行比較，分析 固態(tài)薄膜或吸附物中化學(xué)鍵的特征振動(dòng)吸收峰來(lái)確定固態(tài)物質(zhì)的化學(xué)成分，以判斷是否需 要等離子體刻蝕機(jī)反應(yīng)腔室內(nèi)壁進(jìn)行清洗，能及時(shí)、準(zhǔn)確地在等離子體刻蝕機(jī)需要維護(hù)時(shí) 進(jìn)行維護(hù)，提高等離子體刻蝕機(jī)的設(shè)備利用效率，利用譜線(xiàn)在薄膜與IRC晶體界面處的多 次反射，可增強(qiáng)譜線(xiàn)的強(qiáng)度。本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)，和特征在某種程度上將在隨后的說(shuō)明書(shū)中進(jìn)行闡述，并且在某種程度上，基于對(duì)下文的考察研究對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見(jiàn)的，或者可 以從本發(fā)明的實(shí)踐中得到教導(dǎo)。本發(fā)明的目標(biāo)和其他優(yōu)點(diǎn)可以通過(guò)下面的說(shuō)明書(shū)，權(quán)利要 求書(shū)，以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。


為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn) 一步的詳細(xì)描述圖1示出了本發(fā)明的ATR-FTIR檢測(cè)裝置示意圖；圖2示出了采用O2等離子體對(duì)刻蝕機(jī)腔室清洗過(guò)后得到的FTIR特征光譜；圖3示出了采用SF6等離子體對(duì)刻蝕機(jī)腔室清洗過(guò)后得到的FTIR特征光譜；圖4示出了清洗前后組分的FTIR圖譜變化；圖5示出了采用有無(wú)沉淀的FTIR圖譜對(duì)比土 ；圖6示出了本發(fā)明所述方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式以下將參照附圖，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述。下面結(jié)合附圖，本發(fā)明的基于FTIR光譜監(jiān)測(cè)的等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài)維護(hù)方 法包括如下步驟1)安裝傅里葉變換紅外光譜探針系統(tǒng)參見(jiàn)圖1，在等離子體刻蝕機(jī)的反應(yīng)腔室 外壁開(kāi)一個(gè)窗口，窗口材料采用透明的IRC內(nèi)反射晶體，在窗口的一端安裝ATR-FTIR衰減 全反射傅里葉變換紅外光譜探針，另一端安裝紅外探測(cè)器，優(yōu)選碲鎘汞探測(cè)器，光線(xiàn)從透明 的IRC晶體(內(nèi)反射晶體)入射后，會(huì)在上部的IRC晶體與反應(yīng)腔室內(nèi)壁薄膜的界面處以 及IRC晶體的下表面處來(lái)回發(fā)生多次全反射，最終從IRC晶體的另一端射出，被MCT(碲鎘 汞)探測(cè)器接收后經(jīng)過(guò)處理得到FTIR(傅里葉變換紅外光譜)圖譜，所述碲鎘汞探測(cè)器與 圖譜處理系統(tǒng)連接；IRC晶體可以選擇KBr或是ZnS晶體。FTIR(傅里葉變換紅外光譜)可 通過(guò)檢測(cè)固態(tài)薄膜或者吸附物中中化學(xué)鍵的特征振動(dòng)吸收峰來(lái)確定固態(tài)物質(zhì)的化學(xué)成分， 因此非常適合于檢測(cè)沉積在腔室內(nèi)壁上的薄膜或吸附物，ATR-FTIR(衰減全反射傅里葉變 換紅外光譜)則是利用譜線(xiàn)在薄膜與IRC晶體界面處的多次反射以增強(qiáng)譜線(xiàn)的強(qiáng)度。2)利用傅里葉變換紅外光譜探針系統(tǒng)對(duì)處于最佳工作狀態(tài)的等離子體刻蝕機(jī)的 反應(yīng)腔室內(nèi)壁的薄膜組分進(jìn)行測(cè)量，獲得標(biāo)準(zhǔn)的傅里葉變換紅外光譜圖譜；3)定期或?qū)崟r(shí)利用傅里葉變換紅外光譜探針系統(tǒng)對(duì)等離子體刻蝕機(jī)的反應(yīng)腔室 內(nèi)壁的薄膜組分進(jìn)行測(cè)量，得到相應(yīng)的傅里葉變換紅外光譜圖譜，通過(guò)與標(biāo)準(zhǔn)傅里葉變換 紅外光譜圖譜進(jìn)行比較，確定是否需要對(duì)反應(yīng)腔室進(jìn)行清洗，以及所附著的聚合物的組分， 如是，則執(zhí)行步驟4)；4)對(duì)等離子體刻蝕機(jī)反應(yīng)腔室進(jìn)行清洗；5)當(dāng)?shù)入x子體刻蝕機(jī)經(jīng)過(guò)清洗后，再執(zhí)行步驟3)。運(yùn)用ATR-FTIR光譜探針對(duì)反應(yīng)腔室內(nèi)壁進(jìn)行測(cè)量。當(dāng)IRC晶體表面被覆蓋的聚 合物薄膜層的組分是以α-Si:H鍵為主時(shí)，如圖2所示，則可采用O2等離子體進(jìn)行腔室內(nèi)壁 的清洗，在清洗前后分別測(cè)量后得到不同階段的FTIR圖譜。隨著刻蝕時(shí)間的增加，a-Si:H中的H原子逐漸被0原子所替換，因而處于1700CHT1，2100cm"1和ΖδΟΟΙΟΟΟαιΓ1波數(shù)處的C =0，Si-Η, C-H鍵的伸縮振動(dòng)的吸收峰強(qiáng)度降低，而Si-O-Si鍵的吸收峰強(qiáng)度顯著增加。當(dāng)聚合物的組成為Si02/a-Si:H時(shí)，可采用SF6等離子體對(duì)反應(yīng)腔室內(nèi)壁進(jìn)行清 洗，相關(guān)的FTIR圖譜如圖3所示，隨著清洗時(shí)間的增加，Si-O-Si鍵和Si-H健的吸收峰強(qiáng) 度降低。表明這些附著物與F離子發(fā)生了化學(xué)反應(yīng)，最終生成了氣相生成物被抽出反應(yīng)腔 室。從上面可以看出，對(duì)于沉積有組分不同的聚合物的刻蝕機(jī)反應(yīng)腔室內(nèi)壁，需要采 用不同的清洗氣體進(jìn)行干法清洗，清洗過(guò)程中所得到的FTIR圖譜的變化有所不同，根據(jù)清 洗過(guò)后的圖譜與刻蝕機(jī)處于最佳工作狀態(tài)時(shí)的FTIR圖譜的比較，就可以判斷刻蝕機(jī)是否 清洗干凈。反應(yīng)腔室內(nèi)壁聚合物在清洗前后組分的FTIR圖譜變化(側(cè)壁A和側(cè)壁B)如圖 4所示，可以重點(diǎn)觀(guān)察Si-O鍵的伸縮振動(dòng)峰(llOOcnTlSi-O鍵的彎曲振動(dòng)峰(SlOcnT1)以 及Si-O鍵的面內(nèi)搖擺振動(dòng)峰(450CHT1)強(qiáng)度的變化。Redep effect圖譜定義為側(cè)壁A和側(cè) 壁B圖譜強(qiáng)度之差。如果假定側(cè)壁B的狀態(tài)(清洗完成后的狀態(tài)，或是刻蝕機(jī)可以正常穩(wěn)定 工作的狀態(tài))為參考狀態(tài)，而側(cè)壁A的狀態(tài)則是刻蝕機(jī)在運(yùn)行一段時(shí)間之后，側(cè)壁形成了刻 蝕副產(chǎn)物附著形成的薄膜層所對(duì)應(yīng)的FTIR圖譜。在設(shè)定好需要進(jìn)行清洗的Red印effect 圖譜中各個(gè)峰的強(qiáng)度之后，便可以很方便地判斷何時(shí)對(duì)反應(yīng)腔室進(jìn)行清洗及其他的預(yù)防維 護(hù)，以保證刻蝕機(jī)可以工作在最佳的工藝窗口，如用02/Cl2刻蝕Si時(shí)，會(huì)形成SiClxOy聚合 物，這些聚合物會(huì)與SiO2混合在一起形成堅(jiān)固的很難清除的膜，這些薄膜可采用SF6等離子 體進(jìn)行清洗。由圖5可知，當(dāng)沒(méi)有聚合物沉積在反應(yīng)腔室內(nèi)壁的時(shí)候，ATR-FTIR圖譜上基本 上檢測(cè)不到任何的特征峰，如圖中虛線(xiàn)所示的圖譜；當(dāng)有一定的聚合物沉積的時(shí)候，就可檢 測(cè)到明顯的特征峰，如SiClxOy在TOO-SOOcnT1處的特征振動(dòng)峰，在ΘΟΟ-ΙΟΟΟαιΓ1處的Si-F 吸收峰和1 lOOcnT1處的SiO2吸收峰。當(dāng)這些吸收峰的強(qiáng)度達(dá)到一定的程度，例如可以設(shè)定 當(dāng)SiClxOy特征振動(dòng)峰強(qiáng)度高于0. 02時(shí)，就啟動(dòng)清洗工藝。而當(dāng)這些與聚合物相關(guān)的吸收 峰強(qiáng)度下降到觀(guān)察不到時(shí)，即可停止清洗工藝過(guò)程。判斷刻蝕機(jī)是否需要進(jìn)行清洗的流程 如圖6所示。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明，顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人 員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的 這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些 改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
基于FTIR光譜監(jiān)測(cè)的等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài)維護(hù)方法，其特征在于包括如下步驟1)安裝傅里葉變換紅外光譜探針系統(tǒng)在等離子體刻蝕機(jī)的反應(yīng)腔室外壁開(kāi)一個(gè)窗口，窗口材料采用透明的內(nèi)反射晶體，在窗口的一端安裝衰減全反射傅里葉變換紅外光譜探針，另一端安裝紅外探測(cè)器，使傅里葉變換紅外光譜探針發(fā)射的光線(xiàn)在內(nèi)反射晶體內(nèi)多次反射后，從內(nèi)反射晶體另一端射出，聚焦到碲鎘汞探測(cè)器，所述碲鎘汞探測(cè)器與圖譜處理系統(tǒng)連接；2)利用傅里葉變換紅外光譜探針系統(tǒng)對(duì)處于最佳工作狀態(tài)的等離子體刻蝕機(jī)的反應(yīng)腔室內(nèi)壁的薄膜組分進(jìn)行測(cè)量，獲得標(biāo)準(zhǔn)的傅里葉變換紅外光譜圖譜；3)利用傅里葉變換紅外光譜探針系統(tǒng)對(duì)等離子體刻蝕機(jī)的反應(yīng)腔室內(nèi)壁的薄膜組分進(jìn)行測(cè)量，得到相應(yīng)的傅里葉變換紅外光譜圖譜，通過(guò)與標(biāo)準(zhǔn)傅里葉變換紅外光譜圖譜進(jìn)行比較，確定是否需要對(duì)反應(yīng)腔室進(jìn)行清洗，以及所附著的聚合物的組分，如是，則執(zhí)行步驟4)；4)對(duì)等離子體刻蝕機(jī)反應(yīng)腔室進(jìn)行清洗；5)當(dāng)?shù)入x子體刻蝕機(jī)經(jīng)過(guò)清洗后，再執(zhí)行步驟3)。
2.如權(quán)利要求1所述的基于FTIR光譜監(jiān)測(cè)的等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài)維護(hù)方法，其特 征在于傅里葉變換紅外光譜探針的譜線(xiàn)入射方向與內(nèi)反射晶體成90度，與腔室內(nèi)壁表面 的法線(xiàn)成θ度，0° < θ < 90°。
3.如權(quán)利要求1所述的基于FTIR光譜監(jiān)測(cè)的等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài)維護(hù)方法，其特 征在于步驟3)中，當(dāng)獲得的傅里葉變換紅外光譜圖譜與標(biāo)準(zhǔn)傅里葉變換紅外光譜圖譜相 比，若聚合物沉積造成的特征峰大于閾值，則說(shuō)明反應(yīng)腔室需要進(jìn)行清洗，并根據(jù)特征峰的 位置確定沉積的聚合物的組分。
4.如權(quán)利要求1所述的基于FTIR光譜監(jiān)測(cè)的等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài)維護(hù)方法，其 特征在于步驟4)中，當(dāng)內(nèi)反射晶體表面被覆蓋的薄膜組分是以a-Si:H鍵為主時(shí)，采用O2 等離子體進(jìn)行腔室內(nèi)壁的清洗。
5.如權(quán)利要求1所述的基于FTIR光譜監(jiān)測(cè)的等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài)維護(hù)方法，其特 征在于步驟4)中當(dāng)內(nèi)反射晶體表面被覆蓋的聚合物薄膜層的組成為Si02/a-Si:H時(shí)，采 用SF6等離子體對(duì)反應(yīng)腔室內(nèi)壁進(jìn)行清洗。
6.如權(quán)利要求1所述的基于FTIR光譜監(jiān)測(cè)的等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài)維護(hù)方法，其特 征在于所述傅里葉變換紅外光譜探針為衰減全反射傅里葉變換紅外光譜探針。
7.如權(quán)利要求1所述的基于FTIR光譜監(jiān)測(cè)的等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài)維護(hù)方法，其特 征在于所述紅外線(xiàn)探測(cè)器為碲鎘汞紅外線(xiàn)探測(cè)器。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的基于FTIR光譜監(jiān)測(cè)的等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài) 維護(hù)方法，其特征在于所述步驟3)實(shí)時(shí)運(yùn)行，對(duì)等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。
9.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的基于FTIR光譜監(jiān)測(cè)的等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài) 維護(hù)方法，其特征在于所述步驟3)定期運(yùn)行，對(duì)等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài)進(jìn)行定期維護(hù)。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種基于FTIR光譜監(jiān)測(cè)的等離子體刻蝕機(jī)內(nèi)部狀態(tài)維護(hù)方法，在等離子體刻蝕機(jī)的反應(yīng)腔室外壁開(kāi)一個(gè)窗口，安裝內(nèi)反射晶體，在窗口的一端安裝ATR-FTIR光譜探針，另一端安裝紅外探測(cè)器，使傅里葉變換紅外光譜探針發(fā)射的光線(xiàn)在內(nèi)反射晶體內(nèi)多次反射后，從內(nèi)反射晶體另一端射出，聚焦到紅外探測(cè)器，所述碲鎘汞探測(cè)器與圖譜處理系統(tǒng)連接；定期或?qū)崟r(shí)取得等離子體刻蝕機(jī)反應(yīng)腔室內(nèi)壁的傅里葉變換紅外光譜圖譜，用于測(cè)量所附著的聚合物的組分，通過(guò)與標(biāo)準(zhǔn)傅里葉變換紅外光譜圖譜進(jìn)行比較，確定是否需要對(duì)反應(yīng)腔室進(jìn)行清洗，如是，則對(duì)等離子體刻蝕機(jī)反應(yīng)腔室進(jìn)行清洗。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101958232SQ20101018628
公開(kāi)日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2010年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月28日
發(fā)明者徐華, 李博, 李壘, 王巍, 羅元, 賈培發(fā) 申請(qǐng)人:重慶郵電大學(xué)