專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)設(shè)備，并且更具體地，涉及一種防止由 于彎曲和凸起而導(dǎo)致劣化的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。
背景技術(shù)：
在平板顯示器(FPD)中，因?yàn)橛袡C(jī)ELD設(shè)備具有高亮度和低驅(qū)動(dòng)電壓，所以在科研 中被特別關(guān)注。例如，因?yàn)橛袡C(jī)ELD設(shè)備由DC 5V和DC 15V之間的低電壓驅(qū)動(dòng)，所以可以 容易地設(shè)計(jì)和制造驅(qū)動(dòng)電路。另外，因?yàn)橛袡C(jī)ELD設(shè)備屬于發(fā)光型，所以有機(jī)ELD設(shè)備具有 高對(duì)比度和纖薄的外形。此外，有機(jī)ELD設(shè)備能夠沒有視角限制地顯示圖像。再者，因?yàn)橛?機(jī)ELD設(shè)備具有幾微秒(μ s)的短響應(yīng)時(shí)間，所以有機(jī)ELD設(shè)備在低溫下具有穩(wěn)定的運(yùn)行 性能，并在顯示移動(dòng)圖像時(shí)具有優(yōu)勢(shì)。有機(jī)ELD設(shè)備根據(jù)開關(guān)元件的存在與否可分為無源矩陣型和有源矩陣型。在無源 矩陣型有機(jī)ELD設(shè)備中，彼此交叉以限定像素區(qū)域的掃描線和信號(hào)線設(shè)置在矩陣中，其中 沒有開關(guān)元件，并且由于僅僅在選擇對(duì)應(yīng)的掃描線時(shí)每個(gè)像素區(qū)域才發(fā)光，所以每個(gè)像素 區(qū)域的光可以具有通過將所需要的平均亮度和掃描線的數(shù)量相乘而獲得的瞬時(shí)亮度。在有源矩陣型有機(jī)ELD設(shè)備中，彼此交叉以限定像素區(qū)域的掃描線和信號(hào)線設(shè)置 在矩陣中，并且作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)和存儲(chǔ)電容器設(shè)置在每個(gè)像素區(qū)域中， 因?yàn)槭┘拥矫總€(gè)像素區(qū)域的電壓由于TFT和存儲(chǔ)電容器而在一幀期間被保持，所以每個(gè)像 素區(qū)域的光可以具有對(duì)應(yīng)于所需要的平均亮度的瞬時(shí)亮度。結(jié)果，有源矩陣有機(jī)ELD設(shè)備 相比無源矩陣有機(jī)ELD設(shè)備甚至可以在相對(duì)更低的電壓下具有所需要的平均亮度。因此， 有源矩陣有機(jī)ELD設(shè)備由于低功耗、高分辨率和大尺寸的優(yōu)點(diǎn)而被廣泛使用。圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣型有機(jī)ELD設(shè)備的電路圖。在圖1中，有源 矩陣型有機(jī)ELD設(shè)備的像素區(qū)域P包括開關(guān)薄膜晶體管(STr)、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DTr)、存 儲(chǔ)電容器StgC以及有機(jī)電致發(fā)光二極管Ε。柵極線GL沿著第一方向設(shè)置，而數(shù)據(jù)線DL沿 著與第一方向交叉的第二方向設(shè)置。柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL彼此交叉以限定像素區(qū)域P。 電源線PL與柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL中的一條相平行并間隔開。開關(guān)TFT STr連接到柵極 線GL和數(shù)據(jù)線DL，并且驅(qū)動(dòng)TFT DTr電連接到開關(guān)TFT STr0另外，驅(qū)動(dòng)TFT DTr電連接 到有機(jī)電致發(fā)光二極管E和電源線PL。例如，有機(jī)電致發(fā)光二極管E的第一電極可以連接 到驅(qū)動(dòng)TFT DTr的漏極，電源線PL的源極電壓通過驅(qū)動(dòng)TFT DTr傳送到有機(jī)電致發(fā)光二極 管E。存儲(chǔ)電容器StgC形成在驅(qū)動(dòng)TFT DTr的柵極和源極之間。當(dāng)柵極信號(hào)施加到柵極線GL時(shí)，開關(guān)TFT STr導(dǎo)通，并且數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號(hào)施 加到驅(qū)動(dòng)TFT DTr的柵極。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)TFT DTr導(dǎo)通，并且有機(jī)電致發(fā)光二極管E發(fā)光。從 有機(jī)電致發(fā)光二極管E中發(fā)出的光的灰度由通過驅(qū)動(dòng)TFT DTr從電源線PL流到有機(jī)電致發(fā)光二極管E的電流的強(qiáng)度決定。因?yàn)楫?dāng)開關(guān)TFT STr截止時(shí)，存儲(chǔ)電容器StgC保持驅(qū)動(dòng) TFT DTr的柵極的電壓恒定，所以即使在開關(guān)TFT STr截止時(shí)，恒定電流也在一幀期間流過 有機(jī)電致發(fā)光二極管E。圖2是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的截面圖。在圖2中，有機(jī)ELD 設(shè)備包括彼此面對(duì)的第一基板3和第二基板31。第一基板3包括玻璃，而第二基板31用 于封裝。第一基板3和第二基板31的邊界部分用密封圖案40密封。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr 和第一電極12形成在第一基板3上的每個(gè)像素區(qū)域P內(nèi)，并且第一電極12連接到驅(qū)動(dòng)TFT DTr0有機(jī)發(fā)光層14形成在第一電極12上，第二電極16形成在有機(jī)發(fā)光層14上。有機(jī)發(fā) 光層14包括分別發(fā)射紅色、綠色和藍(lán)色光的紅色發(fā)光材料圖案14a、綠色發(fā)光材料圖案14b 和藍(lán)色發(fā)光材料圖案14c，第二電極16形成在紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)光材料圖案14a、14b和 14c上。在第一電極12和第二電極16之間產(chǎn)生的電場(chǎng)施加到有機(jī)發(fā)光層14，并且第一電 極12和第二電極16構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光二極管E。第一基板3和第二基板31通過密封圖案40彼此附接，第一基板3上方的第二電 極16與第二基板31間隔開。第二基板31包括在其內(nèi)表面上的溝槽GR，諸如氧化鋇(BaO) 或氧化鈣(CaO)的吸收材料32形成在溝槽GR中，以防止?jié)駳鈴耐饨鐫B透。因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光 層14會(huì)由于暴露到氧氣或濕氣中而劣化，所以利用包括吸收材料32的第二基板31對(duì)包括 有機(jī)發(fā)光層14的第一基板3進(jìn)行封裝，以便能夠防止氧氣或濕氣的滲透。吸收材料32具有大約150 μ m到大約250 μ m范圍內(nèi)的厚度t，并且第一基板3和 第二基板31利用玻璃纖維(未示出)或間隔物(未示出)而具有大約6 μ m到大約12 μ m 范圍的間隙距離。為了保持大約6μπι到大約12μπι范圍的間隙距離，在第二基板31中形 成溝槽深度比吸收材料32的厚度大的溝槽GR，并且在溝槽GR中形成吸收材料32。當(dāng)利用粗玻璃纖維或厚間隔物形成彼此間隔開大于大約150μπι間隙距離的第一 基板3和第二基板31時(shí)，材料浪費(fèi)增加，并且有機(jī)ELD設(shè)備的厚度增加。另外，因?yàn)榇植Ａ?纖維或厚間隔物易受外部沖擊影響，所以有機(jī)ELD設(shè)備的穩(wěn)定性降低。此外，因?yàn)槊芊鈭D案 40的厚度增加，所以暴露給外界的面積增加，而且氧氣或濕氣的滲透增多。因此，在第二基 板31中形成溝槽GR并且在溝槽GR中形成吸收材料32。然而，因?yàn)樵诘诙?1中形成溝槽GR，所以第二基板31的對(duì)應(yīng)于溝槽GR的厚 度減小，并且厚度減小的第二基板31易受外部沖擊影響。例如，在在溝槽GR中形成吸收材 料32、附接第一基板3和第二基板31、或轉(zhuǎn)移第二基板31的步驟中的一個(gè)步驟期間，第二 基板31可能會(huì)損壞或者破裂。另外，溝槽GR形成為對(duì)應(yīng)于第二基板31的顯示區(qū)，并且吸 收材料32形成在溝槽GR中。結(jié)果，有機(jī)電致發(fā)光二極管E的光不能透過第二基板31，從而 有機(jī)ELD設(shè)備不能應(yīng)用于上部發(fā)射型。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，其基本上消除 了因?yàn)楝F(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題。本發(fā)明的一目的在于提供一種包括封裝基板的有機(jī)ELD設(shè)備及制造該有機(jī)ELD設(shè) 備的方法。本發(fā)明的另一目的在于提供一種可應(yīng)用于上部發(fā)射型的有機(jī)ELD設(shè)備及制造該有機(jī)ELD設(shè)備的方法。在下面的描述中將列出本發(fā)明的其它的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)，這些特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)的一部分從 所述描述將顯而易見，或者可從本發(fā)明的實(shí)踐中領(lǐng)會(huì)到。通過書面說明書、權(quán)利要求書以及 附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些目的和其他優(yōu)點(diǎn)。為了獲得這些和其他優(yōu)點(diǎn)，并根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里具體表示和概括描述的， 本發(fā)明提供一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括以下步驟制備第一基 板和第二基板；在所述第一基板上形成有機(jī)電致發(fā)光顯示器；在所述第二基板的上表面上 形成第一蝕刻掩模；在所述第二基板的下表面上形成第二蝕刻掩模；在所述第二基板的上 表面上執(zhí)行第一蝕刻工藝；在所述第二基板的上表面的被蝕刻部分上形成第三蝕刻掩模； 在所述第二基板的上表面上執(zhí)行第二蝕刻工藝，以在所述第二基板的上表面上形成多個(gè)溝 槽；去除所述第一蝕刻掩模和所述第二蝕刻掩模，并使得所述第二蝕刻掩模保留在所述第 二基板的上表面的被蝕刻部分上；以及將所述有機(jī)電致發(fā)光顯示器封裝在所述第一基板和 所述第二基板之間。在另一方面，本發(fā)明提供一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括 以下步驟制備第一基板和第二基板；在所述第一基板上形成有機(jī)電致發(fā)光顯示器；在所 述第二基板的上表面上形成第一蝕刻掩模；在所述第二基板的下表面上形成第二蝕刻掩 模；在所述第二基板的上表面上執(zhí)行第一蝕刻工藝；在所述第二基板的上表面的被蝕刻部 分上形成第三蝕刻掩模；在所述第二基板的上表面上執(zhí)行第二蝕刻工藝，以在所述第二基 板的上表面上形成多個(gè)溝槽；去除所述第一蝕刻掩模、第二蝕刻掩模和第三蝕刻掩模；在 所述第二基板的整個(gè)上表面上形成第一絕緣材料層；去除第一絕緣材料層的端部，并使得 所述第一絕緣材料層保留在所述第二基板的上表面的被蝕刻部分上；以及將所述有機(jī)電致 發(fā)光顯示器封裝在所述第一基板和所述第二基板之間。在再一方面，本發(fā)明提供一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括 以下步驟在包括顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)的第一基板上形成有機(jī)電致發(fā)光二 極管；在包括對(duì)應(yīng)于所述非顯示區(qū)的第一區(qū)域、對(duì)應(yīng)于所述顯示區(qū)的第二區(qū)域和所述第一 區(qū)域和所述第二區(qū)域之間的第三區(qū)域的第二基板的第一表面和第二表面上形成第一蝕刻 掩模，所述第一蝕刻掩模設(shè)置在所述第一表面的第一區(qū)域中以及在所述第二表面的第一區(qū) 域、第二區(qū)域和第三區(qū)域中；使用所述第一蝕刻掩模作為蝕刻掩模來蝕刻所述第二基板，以 使所述第一區(qū)域的第二基板具有第一厚度，并且所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域的第二基板 具有比所述第一厚度小的第二厚度；在所述第一表面上形成第二蝕刻掩模，所述第二蝕刻 掩模設(shè)置在所述第一表面的第二區(qū)域中以及在所述第一表面的部分第三區(qū)域中，并且所述 第一表面的第三區(qū)域的其他部分通過所述第二蝕刻掩模暴露出；利用所述第一蝕刻掩模 和所述第二蝕刻掩模蝕刻所述第二基板，以形成對(duì)應(yīng)于所述第三區(qū)域的其他部分的多個(gè)溝 槽，其中對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)溝槽的第二基板具有比所述第二厚度小的第三厚度；去除所述第 一表面和所述第二表面上的第一蝕刻掩模；在所述多個(gè)溝槽中形成吸收材料；以及附接所 述第一基板和所述第二基板，以使所述有機(jī)電致發(fā)光二極管面對(duì)所述第一表面。再又一方面，本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括包括顯 示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)的第一基板；在所述第一基板上的顯示區(qū)內(nèi)的有機(jī)電致 發(fā)光二極管；面對(duì)所述第一基板并與所述第一基板間隔開的第二基板，所述第二基板包括
7對(duì)應(yīng)于所述非顯示區(qū)的第一區(qū)域、對(duì)應(yīng)于所述顯示區(qū)的第二區(qū)域以及在所述第一區(qū)域和所 述第二區(qū)域之間的第三區(qū)域，其中，所述第二基板包括在所述第三區(qū)域內(nèi)的多個(gè)溝槽，以及 其中，所述第二基板在所述第一區(qū)域內(nèi)具有第一厚度、在所述第二區(qū)域內(nèi)具有比所述第一 厚度小的第二厚度、以及在所述第三區(qū)域的形成有所述多個(gè)溝槽的部分內(nèi)具有比所述第二 厚度小的第三厚度；在所述第二基板上的第二區(qū)域內(nèi)的保護(hù)層；以及在所述第一基板和所 述第二基板之間的第一區(qū)域內(nèi)的密封圖案。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明前面的概括性描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性的和解釋性 的，意在對(duì)要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步解釋。


所包含的附圖用于提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，其并入本申請(qǐng)中組成本申請(qǐng)的一 部分，附示了本發(fā)明的實(shí)施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣型有機(jī)ELD設(shè)備的電路圖；圖2是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)ELD設(shè)備的截面圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)ELD設(shè)備的平面圖；圖4是沿著圖3的IV - IV線截取的截面圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)ELD設(shè)備的第二基板的彎曲的 截面圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)ELD設(shè)備的平面圖；圖7A是沿著圖6的ΥΠ _ ΥΠ線截取的截面圖；圖7Β是示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)ELD設(shè)備的第二基板的彎曲 的截面圖；圖8Α是示出根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式的有機(jī)ELD設(shè)備的截面圖；圖8Β是示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施方式的有機(jī)ELD設(shè)備的第二基板的彎曲 的截面圖；圖9Α到9F是示出根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施方式的制造有機(jī)ELD設(shè)備的方法的 截面圖；以及圖IOA到IOE是示出根據(jù)本發(fā)明第五示例性實(shí)施方式的制造有機(jī)ELD設(shè)備的方法 的截面圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參照優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，其中的一些實(shí)例在所附附圖中 示出。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的平面 圖，而圖4是沿著圖3的IV - IV線截取的截面圖。在圖3和4中，有機(jī)ELD設(shè)備100包括第一基板110和面對(duì)第一基板110的第二 基板170，第一基板110具有開關(guān)TFT(未示出)、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)DTr和有機(jī)電致發(fā) 光二極管E。第二基板170用來封裝第一基板110。第一基板110包括顯示區(qū)DA和圍繞顯 示區(qū)DA的非顯示區(qū)NA。多條柵極線(未示出)、多條數(shù)據(jù)線和多條電源線(未示出)形成在第一基板110上的顯示區(qū)DA中。多條柵極線與多條數(shù)據(jù)線交叉以限定多個(gè)像素區(qū)域P， 并且多條電源線與多條柵極線或多條數(shù)據(jù)線間隔開。另外，連接到柵極線和數(shù)據(jù)線的開關(guān) TFT，連接到開關(guān)TFT STr的驅(qū)動(dòng)TFT DTr，以及電源線形成在每個(gè)像素區(qū)域P中。具有平坦 頂面的鈍化層130形成在開關(guān)TFT STr和驅(qū)動(dòng)TFT DTr上，而第一電極150形成在每個(gè)像 素區(qū)域P中的鈍化層130上。鈍化層130包括使驅(qū)動(dòng)TFT DTr的電極暴露的接觸孔132，并 且第一電極150通過接觸孔132連接到驅(qū)動(dòng)TFT DTr的電極。此外，緩沖圖案152形成在每個(gè)像素區(qū)域P的邊界部分處的第一電極150上。緩 沖圖案152覆蓋并重疊第一電極150的邊緣部分。有機(jī)發(fā)光層155形成在緩沖圖案152外 的第一電極150上，第二電極160形成在有機(jī)發(fā)光層155上。第二電極160可以作為一個(gè) 整體形成在整個(gè)顯示區(qū)DA內(nèi)。第一電極150、有機(jī)發(fā)光層155和第二電極160構(gòu)成有機(jī)電
致發(fā)光二極管E。諸如連接到外部驅(qū)動(dòng)電路(未示出)的連接線(未示出)和焊盤之類的元件形成 在第一基板110的非顯示區(qū)NA中。雖然在圖3和4中，為了提高接觸性能，在非顯示區(qū)NA 中去除了鈍化層130，但是鈍化層130也可以保留在非顯示區(qū)NA中，以保護(hù)諸如連接線的元 件。第二基板170包括對(duì)應(yīng)于非顯示區(qū)NA的第一區(qū)域Al、被第一區(qū)域Al圍繞的第二 區(qū)域A2以及第一區(qū)域Al和第二區(qū)域A2之間的第三區(qū)域A3。第二基板170可以包括透明 玻璃。第二基板170的未被蝕刻的第一區(qū)域Al可以具有第一厚度tl，第二基板170的被 蝕刻了一次的第二區(qū)域A2可以具有比第一厚度tl小的第二厚度t2。多個(gè)溝槽GR形成在 第二基板170的第三區(qū)域A3中。另外，第二基板170的對(duì)應(yīng)于多個(gè)溝槽GR的第三區(qū)域A3 可以具有比第二厚度t2小的第三厚度t3，并且第三區(qū)域A3的其他部分可以具有第二厚度 t2。多個(gè)溝槽GR可以彼此以預(yù)定距離均勻地間隔開。諸如氧化鋇(BaO)或氧化鈣(CaO) 的吸收材料180形成在第二基板170的第三區(qū)域A3的多個(gè)溝槽GR的每個(gè)中。第一基板110和第二基板170通過密封圖案190附接在一起，以使第一基板110 的顯示區(qū)DA面對(duì)第二基板170的第二區(qū)域A2。密封圖案190形成在第一區(qū)域Al內(nèi)的第一 基板110和第二基板170之間。在根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備100中，因?yàn)榈诙?基板170在對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)DA的第二區(qū)域A2中具有比第三厚度t3大的第二厚度t2，所以防 止了由于外部沖擊而導(dǎo)致的諸如損壞或破裂的劣化。此外，第二基板170在第三區(qū)域A3的 多個(gè)溝槽GR中具有第三厚度t3。因?yàn)槎鄠€(gè)溝槽GR被設(shè)置成彼此間隔開，并且具有第一厚 度tl或第二厚度t2的部分圍繞多個(gè)溝槽GR中的每個(gè)，所以降低了由于外部沖擊而導(dǎo)致的 劣化。當(dāng)有機(jī)ELD設(shè)備的尺寸增加時(shí)，有機(jī)ELD設(shè)備的顯示區(qū)增大。另外，當(dāng)有機(jī)ELD設(shè) 備的顯示區(qū)增大時(shí)，由于第二基板的彎曲而導(dǎo)致的劣化可能增加。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)ELD設(shè)備的第二基板的彎曲的 截面圖。在圖5中，即使相對(duì)小的外力也能使具有相對(duì)大尺寸的第二基板170彎曲。雖然 顯示區(qū)DA中的第一基板110和第二區(qū)域A2中的第二基板170之間的間隙距離是幾微米， 但是由于第二基板170彎曲，第二基板170接觸第一基板110的第二電極160。當(dāng)?shù)诙?70具有平坦的內(nèi)表面時(shí)，因?yàn)榈诙姌O160是由金屬材料制成的，所以有機(jī)ELD設(shè)備100 不會(huì)因?yàn)榈诙?70的彎曲而劣化。然而，因?yàn)橛弥T如氫氟酸(HF)的蝕刻溶液對(duì)第二區(qū) 域A2和第三區(qū)域A3的第二基板170進(jìn)行蝕刻，以使其分別具有第二厚度t2和第三厚度 t3，所以在第二區(qū)域A2的第二基板170的內(nèi)表面上可以形成具有大約Iym到大約3μπι高 度的凸起。當(dāng)?shù)诙^(qū)域Α2的第二基板170彎曲到與第一基板110的第二電極160接觸時(shí)， 第二電極160可能會(huì)被凸起損壞，或者凸起可能會(huì)使第一電極150和第二電極160電連接。 結(jié)果，有機(jī)ELD設(shè)備100的顯示質(zhì)量劣化。雖然可以通過進(jìn)一步蝕刻第二區(qū)域Α2的第二基 板170來防止由于凸起的接觸而導(dǎo)致的劣化，但是第二區(qū)域Α2的第二基板170可能由于厚 度減小而輕易地破裂或損壞。圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)ELD設(shè)備的平面圖。圖7Α 是沿著圖6的Vn-Vn線截取的截面圖，而圖7Β是示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施方式的有 機(jī)ELD設(shè)備的第二基板的彎曲的截面圖。在圖6、7Α和7Β中，有機(jī)ELD設(shè)備200包括第一基板210和面對(duì)第一基板210的 第二基板270，第一基板210具有開關(guān)TFT(未示出)、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)DTr和有機(jī)電 致發(fā)光二極管E。第二基板270用來封裝第一基板210。第一基板210包括顯示區(qū)DA和圍 繞顯示區(qū)DA的非顯示區(qū)NA。多條柵極線(未示出)、多條數(shù)據(jù)線和多條電源線(未示出) 形成在第一基板210上的顯示區(qū)DA中。多條柵極線與多條數(shù)據(jù)線交叉以限定多個(gè)像素區(qū) 域P，并且多條電源線與多條柵極線或多條數(shù)據(jù)線間隔開。另外，連接到柵極線和數(shù)據(jù)線的 開關(guān)TFT，連接到開關(guān)TFT STr的驅(qū)動(dòng)TFT DTr，以及電源線形成在每個(gè)像素區(qū)域P中。具有 平坦頂面的鈍化層230形成在開關(guān)TFT STr和驅(qū)動(dòng)TFTDTr上，而第一電極250形成在每個(gè) 像素區(qū)域P中的鈍化層230上。鈍化層230包括使驅(qū)動(dòng)TFT DTr的電極暴露的接觸孔232， 并且第一電極250通過接觸孔232連接到驅(qū)動(dòng)TFT DTr的電極。此外，緩沖圖案252形成在每個(gè)像素區(qū)域P的邊界部分處的第一電極250上。緩 沖圖案252覆蓋并重疊第一電極250的邊緣部分。有機(jī)發(fā)光層255形成在緩沖圖案252外 的第一電極250上，第二電極260形成在有機(jī)發(fā)光層255上。第二電極260可以作為一個(gè) 整體形成在整個(gè)顯示區(qū)DA內(nèi)。第一電極250、有機(jī)發(fā)光層255和第二電極260構(gòu)成有機(jī)電
致發(fā)光二極管E。諸如連接到外部驅(qū)動(dòng)電路(未示出)的連接線(未示出)和焊盤之類的元件形成 在第一基板210的非顯示區(qū)NA中。雖然在圖6、7A和7B中，為了提高接觸性能，在非顯示 區(qū)NA中去除了鈍化層230，但是鈍化層230也可以保留在非顯示區(qū)NA中，以保護(hù)諸如連接 線的元件。第二基板270包括對(duì)應(yīng)于非顯示區(qū)NA的第一區(qū)域Al、被第一區(qū)域Al圍繞的第二 區(qū)域A2以及第一區(qū)域Al和第二區(qū)域A2之間的第三區(qū)域A3。第二基板270可以包括透明 玻璃。第二基板270的未被蝕刻的第一區(qū)域Al可以具有第一厚度tl，第二基板270的被 蝕刻了一次的第二區(qū)域A2可以具有比第一厚度tl小的第二厚度t2。多個(gè)溝槽GR形成在 第二基板270的第三區(qū)域A3中。另外，第二基板270的對(duì)應(yīng)于多個(gè)溝槽GR的第三區(qū)域A3 可以具有比第二厚度t2小的第三厚度t3，并且第三區(qū)域A3的其他部分可以具有第二厚度 t2。多個(gè)溝槽GR可以彼此以預(yù)定距離均勻地間隔開。諸如氧化鋇(BaO)或氧化鈣(CaO) 的吸收材料280形成在第二基板270的第三區(qū)域A3的多個(gè)溝槽GR的每個(gè)中。
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第一基板210和第二基板270通過密封圖案290附接在一起，以使第一基板210 的顯示區(qū)DA面對(duì)第二基板270的第二區(qū)域A2。密封圖案290形成在第一區(qū)域Al內(nèi)的第一 基板210和第二基板270之間。在根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)ELD設(shè)備200中，保護(hù)層273形成在 第二基板270的內(nèi)表面上的第二區(qū)域A2內(nèi)。在對(duì)第三區(qū)域A3的第二基板270進(jìn)行蝕刻以 形成多個(gè)溝槽GR時(shí)，保護(hù)層273用作第二區(qū)域A2的蝕刻掩模。因?yàn)閷⒃诘诙?70中 形成多個(gè)溝槽GR的蝕刻掩模用作保護(hù)層273，所以無需包括沉積或涂覆的額外光刻工藝， 就形成了保護(hù)層273。保護(hù)層273包括具有良好的彈性和良好的表面粗糙度的透明材料。例如，保護(hù)層 273可以包括丙烯、聚碳酸酯和聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)中的一種。雖然未在圖7A中示 出，但是可以在第二區(qū)域A2的第二基板270和保護(hù)層273之間形成粘合層。因?yàn)楸Ｗo(hù)層273形成在第二區(qū)域A2內(nèi)的第二基板270的內(nèi)表面上，所以保護(hù)層 273覆蓋由第二區(qū)域A2的蝕刻步驟而形成的凸起，并且保護(hù)層273使第二區(qū)域A2內(nèi)的第 二基板270的內(nèi)表面平坦化。結(jié)果，即使在外力使第二基板270彎曲時(shí)，也能防止由于凸起 而導(dǎo)致的第二電極260的劣化。另外，因?yàn)楸Ｗo(hù)層273具有良好的彈性，所以即使在保護(hù)層 273接觸第二電極260時(shí)，也能降低第二電極260的劣化。圖8A是示出根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式的有機(jī)ELD設(shè)備的截面圖，而圖8B 是示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施方式的有機(jī)ELD設(shè)備的第二基板的彎曲的截面圖。在圖8A和8B中，有機(jī)ELD設(shè)備300包括第一基板310和面對(duì)第一基板310的第 二基板370，第一基板310具有開關(guān)TFT(未示出)、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)DTr和有機(jī)電致 發(fā)光二極管E。第二基板370用來封裝第一基板310。第一基板310包括顯示區(qū)DA和圍繞 顯示區(qū)DA的非顯示區(qū)NA。多條柵極線(未示出)、多條數(shù)據(jù)線和多條電源線(未示出)形 成在第一基板310上的顯示區(qū)DA中。多條柵極線與多條數(shù)據(jù)線交叉以限定多個(gè)像素區(qū)域 P，并且多條電源線與多條柵極線或多條數(shù)據(jù)線間隔開。另外，連接到柵極線和數(shù)據(jù)線的開 關(guān)TFT，連接到開關(guān)TFT STr的驅(qū)動(dòng)TFT DTr，以及電源線形成在每個(gè)像素區(qū)域P中。具有 平坦頂面的鈍化層330形成在開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT DTr上，而第一電極350形成在每個(gè)像 素區(qū)域P中的鈍化層330上。鈍化層330包括使驅(qū)動(dòng)TFT DTr的電極暴露的接觸孔332，并 且第一電極350通過接觸孔332連接到驅(qū)動(dòng)TFT DTr的電極。此外，緩沖圖案352形成在每個(gè)像素區(qū)域P的邊界部分處的第一電極350上。緩 沖圖案352覆蓋并重疊第一電極350的邊緣部分。有機(jī)發(fā)光層355形成在緩沖圖案352外 的第一電極350上，第二電極360形成在有機(jī)發(fā)光層355上。第二電極360可以作為一個(gè) 整體形成在整個(gè)顯示區(qū)DA內(nèi)。第一電極350、有機(jī)發(fā)光層355和第二電極360構(gòu)成有機(jī)電
致發(fā)光二極管E?？梢酝ㄟ^噴嘴涂覆方法或噴墨(inkjet)方法形成有機(jī)發(fā)光層355?？蛇x地，可以 通過使用蔭罩板(shadow mask)的熱蒸發(fā)方法形成有機(jī)發(fā)光層355。雖然在圖8A和8B中 未示出，但是在利用蔭罩板形成有機(jī)發(fā)光層355時(shí)，可以在緩沖圖案352上形成多個(gè)間隔 物，其中多個(gè)間隔物的每個(gè)都具有條形。在通過熱蒸發(fā)方法形成有機(jī)發(fā)光層355時(shí)，多個(gè)間 隔物支撐蔭罩板以防止蔭罩板的熱變形。諸如連接到外部驅(qū)動(dòng)電路(未示出)的連接線(未示出)和焊盤之類的元件形成在第一基板310的非顯示區(qū)NA中。雖然在圖8A和8B中，為了提高接觸性能，在非顯示區(qū) NA中去除了鈍化層330，但是鈍化層330也可以保留在非顯示區(qū)NA中，以保護(hù)諸如連接線 的元件。第二基板370包括對(duì)應(yīng)于非顯示區(qū)NA的第一區(qū)域Al、被第一區(qū)域Al圍繞的第二 區(qū)域A2以及第一區(qū)域Al和第二區(qū)域A2之間的第三區(qū)域A3。第二基板370可以包括透明 玻璃。第二基板370的未被蝕刻的第一區(qū)域Al可以具有第一厚度tl，第二基板370的被 蝕刻了一次的第二區(qū)域A2可以具有比第一厚度tl小的第二厚度t2。多個(gè)溝槽GR形成在 第二基板370的第三區(qū)域A3中。另外，第二基板370的對(duì)應(yīng)于多個(gè)溝槽GR的第三區(qū)域A3 可以具有比第二厚度t2小的第三厚度t3，并且第三區(qū)域A3的其他部分可以具有第二厚度 t2。多個(gè)溝槽GR可以彼此以預(yù)定距離均勻地間隔開。諸如氧化鋇(BaO)或氧化鈣(CaO) 的吸收材料380形成在第二基板370的第三區(qū)域A3的多個(gè)溝槽GR的每個(gè)中。第一基板310和第二基板370通過密封圖案390附接在一起，以使第一基板310 的顯示區(qū)DA面對(duì)第二基板370的第二區(qū)域A2。密封圖案390形成在第一區(qū)域Al內(nèi)的第一 基板310和第二基板370之間。在根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式的有機(jī)ELD設(shè)備300中，保護(hù)層373形成在 第二基板370的內(nèi)表面上的第二區(qū)域A2內(nèi)，并且每個(gè)都具有條形的多個(gè)保護(hù)圖案375形成 在保護(hù)層373上。保護(hù)層373和多個(gè)保護(hù)圖案375的其中之一可以包括諸如光丙烯和苯并 環(huán)丁烯(BCB)的有機(jī)絕緣材料和諸如氮化硅(SiNx)和二氧化硅(SiO2)的無機(jī)絕緣材料中 的一種。保護(hù)層373可以具有大約2μπι到大約3μπι的厚度，而多個(gè)保護(hù)圖案375中的每 個(gè)可以具有大約1 μ m到大約2 μ m的高度。另外，多個(gè)保護(hù)圖案375可以相互平行并且彼 此間隔開。當(dāng)在第一基板310上方的緩沖圖案352上形成多個(gè)間隔物時(shí)，可以將多個(gè)保護(hù) 圖案375形成為垂直于多個(gè)間隔物。或者，在第二基板370的內(nèi)表面上形成包括有機(jī)絕緣 材料或無機(jī)絕緣材料中的一種的保護(hù)層373，并且可以省略多個(gè)保護(hù)圖案375。因?yàn)楸Ｗo(hù)層373形成在第二區(qū)域A2內(nèi)的第二基板370的內(nèi)表面上，所以保護(hù)層 373覆蓋由第二區(qū)域A2的蝕刻步驟而形成的凸起，并且保護(hù)層373使第二區(qū)域A2內(nèi)的第 二基板370的內(nèi)表面平坦化。結(jié)果，即使在外力使第二基板370彎曲時(shí)，也能防止由于凸起 而導(dǎo)致的第二電極360的劣化。另外，因?yàn)楸Ｗo(hù)層373具有良好的彈性，所以即使在保護(hù)層 373接觸第二電極360時(shí)，也能降低第二電極360的劣化。此外，當(dāng)在保護(hù)層373上形成多個(gè)保護(hù)圖案375時(shí)，多個(gè)保護(hù)圖案375防止由于具 有大約4 μ m到大約5 μ m的高度的凸起而導(dǎo)致的劣化。因?yàn)橥蛊鹪O(shè)置在兩個(gè)相鄰的保護(hù)圖 案375之間或者被多個(gè)保護(hù)圖案375的其中之一所覆蓋，所以當(dāng)外力使第二基板370彎曲 時(shí)，多個(gè)保護(hù)圖案375接觸第二電極360。結(jié)果，防止了第二電極360的破損和第一電極310 與第二電極360的電短路。另外，在其中多個(gè)間隔物形成在第一基板310上方的緩沖圖案352上、并且垂直于 多個(gè)間隔物的多個(gè)保護(hù)圖案375形成在第二基板360上的有機(jī)ELD設(shè)備中，當(dāng)外力使第二 基板370彎曲時(shí)，多個(gè)保護(hù)圖案375接觸多個(gè)間隔物。結(jié)果，接觸面積最小化，并且每個(gè)間 隔物的高度更加穩(wěn)定地防止了由于凸起而導(dǎo)致的劣化。圖9A到9F是示出根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施方式的制造有機(jī)ELD設(shè)備的方法的 截面圖。
在圖9A中，在具有第一區(qū)域Al、第二區(qū)域A2和第三區(qū)域A3的第二基板270的第 一表面和第二表面的每個(gè)表面上形成第一蝕刻掩模271之后，將第一蝕刻掩模271的對(duì)應(yīng) 于第二區(qū)域A2和第三區(qū)域A3的部分從第二基板270的第一表面中去除。結(jié)果，在第二基 板270的對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域Al的第一表面上形成第一蝕刻掩模271，并且通過第一蝕刻掩模 271使第二基板270的對(duì)應(yīng)于第二區(qū)域A2和第三區(qū)域A3的第一表面暴露。另外，在第二基 板270的整個(gè)第二表面上形成第一蝕刻掩模271。第二基板可以由透明玻璃制成并且可以具有第一厚度tl。此外，可以通過轉(zhuǎn)錄方 法(transcribing method)用諸如丙烯、聚碳酸酯和聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)的透明材 料制成第一蝕刻掩模271，并且可以在第一蝕刻掩模271和第二基板270之間形成粘合層 (未示出)。第一區(qū)域Al和第二區(qū)域A2分別對(duì)應(yīng)于第二基板270的中心部分和邊界部分， 并且第三區(qū)域A3設(shè)置在第一區(qū)域Al和第二區(qū)域A2之間。在圖9B中，對(duì)第二基板270執(zhí)行使用第一蝕刻掩模271作為蝕刻掩模的第一蝕刻 步驟。例如，可以通過噴射方法或浸漬方法用諸如氫氟酸(HF)的蝕刻溶液蝕刻第二基板 270。結(jié)果，經(jīng)由第一蝕刻掩模271暴露的第二基板270被蝕刻，并且對(duì)應(yīng)于第二區(qū)域A2和 第三區(qū)域A3的第二基板270具有比第一厚度tl小的第二厚度t2。在第一蝕刻步驟之后， 由于局部蝕刻差異，可以在第二基板270的第一表面上形成多個(gè)凸起。在圖9C中，在第二基板270的與第二區(qū)域A2和在隨后工藝中并未形成(圖9D的) 多個(gè)溝槽GR的部分第三區(qū)域A3對(duì)應(yīng)的第一表面上形成第二蝕刻掩模272。例如，可以利用 粘合劑將第二蝕刻掩模272附接到第一表面。結(jié)果，在第二基板270的對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域Al 的第一表面上形成第一蝕刻掩模271。在第二基板270的整個(gè)第二表面上形成第一蝕刻掩 模271。此外，在第二基板270的與第二區(qū)域A2和在隨后工藝中并未形成多個(gè)溝槽GR的部 分第三區(qū)域A3對(duì)應(yīng)的第一表面上形成第二蝕刻掩模272。同時(shí)，通過第一蝕刻掩模271和 第二蝕刻掩模272使第二基板270的與在隨后工藝中形成有多個(gè)溝槽GR的部分第三區(qū)域 A3對(duì)應(yīng)的第一表面暴露?？蛇x地，可以在第一蝕刻步驟之后，去除第二基板270的對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域Al的第 一表面上的第一蝕刻掩模271，并且可以在第二基板270的對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域Al的第一表面 上形成第二蝕刻掩模272。在圖9D中，對(duì)第二基板270執(zhí)行使用第一蝕刻掩模271和第二蝕刻掩模272作為 蝕刻掩模的第二蝕刻步驟。例如，可以通過噴射方法或浸漬方法用諸如氫氟酸(HF)的蝕刻 溶液蝕刻第二基板270。結(jié)果，經(jīng)由第一蝕刻掩模271和第二蝕刻掩模272暴露的第二基板 270被蝕刻，以在第三區(qū)域A3中形成多個(gè)溝槽GR，并且對(duì)應(yīng)于第三區(qū)域A3中的多個(gè)溝槽GR 的第二基板270具有比第二厚度t2小的第三厚度t3。在圖9E中，從第二基板270的對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域Al的第一表面和第二基板270的 第二表面中去除第一蝕刻掩模271，并且把第二蝕刻掩模272保留在第二基板270的與第二 區(qū)域A2和未形成多個(gè)溝槽GR的部分第三區(qū)域A3對(duì)應(yīng)的第一表面上。因此，第二基板270 在第一區(qū)域Al處具有第一厚度tl，在第二區(qū)域A2和未形成多個(gè)溝槽GR的部分第三區(qū)域 A3處具有第二厚度t2，并且在第三區(qū)域A3的多個(gè)溝槽GR處具有第三厚度t3。另外，第二 區(qū)域A2中的第二蝕刻掩模272保留，變成覆蓋多個(gè)凸起并防止由于多個(gè)凸起而導(dǎo)致的劣化 的保護(hù)層273(圖6、7A和7B)。
在圖9F中，在多個(gè)溝槽GR中形成吸收材料280。參照根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí) 施方式的有機(jī)ELD設(shè)備100 (圖3和4)，在通過圖9A到9E的步驟制造第二基板170 (圖3 和4)之后，可以去除第二蝕刻掩模，并且可以在多個(gè)溝槽中形成吸收材料。圖IOA到IOE是示出根據(jù)本發(fā)明第五示例性實(shí)施方式的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè) 備的方法的截面圖。在圖IOA中，通過與圖9A到9E所示的步驟相似的步驟制造具有第一厚度tl、第二 厚度t2和第三厚度t3的第二基板370。第一厚度tl對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域Al，而第二厚度t2 對(duì)應(yīng)于第二區(qū)域A2和未形成有多個(gè)溝槽GR的部分第三區(qū)域A3。另外，第三厚度t3對(duì)應(yīng)于 多個(gè)溝槽GR。在第一區(qū)域Al內(nèi)的第二基板370的第一表面上和第二基板370的整個(gè)第二 表面上形成第一蝕刻掩模371，并且在第二區(qū)域A2內(nèi)的第二基板370的第一表面上形成第 二蝕刻掩模372。用第二蝕刻掩模372覆蓋第二區(qū)域A2內(nèi)的第二基板370第一表面上的多 個(gè)凸起。在圖IOB中，從第二基板370中去除第一蝕刻掩模371和第二蝕刻掩模372。結(jié) 果，包括第二基板370的多個(gè)凸起的第一表面和第二表面被暴露。在圖IOC中，通過涂覆有機(jī)絕緣材料或沉積無機(jī)絕緣材料在第二基板370的整個(gè) 第一表面上形成第一絕緣材料層377。在圖IOD中，對(duì)第一絕緣材料層377進(jìn)行圖案化，以在第二區(qū)域A2內(nèi)的第二基板 370的第一表面上形成保護(hù)層373。例如，可以去除對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域Al和第三區(qū)域A3的第 一絕緣材料層377，并且可以保留對(duì)應(yīng)于第二區(qū)域A2的第一絕緣材料層377。結(jié)果，保護(hù)層 373覆蓋第二基板370的多個(gè)凸起。在圖IOE中，在保護(hù)層373上形成第二絕緣材料層(未示出)之后，對(duì)第二絕緣材 料層進(jìn)行圖案化，以在保護(hù)層373上形成多個(gè)保護(hù)圖案375。例如，可以通過涂覆有機(jī)絕緣 材料或沉積無機(jī)絕緣材料形成第二絕緣材料層。另外，多個(gè)保護(hù)圖案375中的每個(gè)可以具 有條形，并且多個(gè)保護(hù)圖案375可以互相平行并且彼此間隔開。在形成多個(gè)保護(hù)圖案375 之后，在第三區(qū)域A3內(nèi)的多個(gè)溝槽GR中形成吸收材料380?？蛇x地，可以省略多個(gè)保護(hù)圖案375。在另一選擇中，可以通過單個(gè)掩模工藝形成 保護(hù)層373和多個(gè)保護(hù)圖案375，該單個(gè)掩模工藝包括絕緣材料的涂覆步驟、利用具有阻擋 區(qū)、半透射區(qū)和透射區(qū)的光掩模的曝光步驟和圖案化步驟。此外，可以通過相同的方法制造根據(jù)本發(fā)明的第一到第五實(shí)施方式的有機(jī)ELD設(shè) 備的第一基板。例如，在第一基板110(圖4)上形成其間插入有絕緣層的柵極線和數(shù)據(jù)線。 在第一基板110上形成與柵極線和數(shù)據(jù)線中的一條相平行并間隔開的電源線。另外，在第 一基板110上形成連接到柵極線和數(shù)據(jù)線的開關(guān)薄膜晶體管(TFT)和連接到開關(guān)TFT和電 源線的驅(qū)動(dòng)TFT DTr (圖4)。接著，在開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT DTr上形成鈍化層130。鈍化層 130包括使驅(qū)動(dòng)TFT DTr的電極暴露的接觸孔132 (圖4)。然后，在鈍化層130上形成第一電極150。第一電極150通過接觸孔132連接到驅(qū) 動(dòng)TFT DTr的電極并設(shè)置在每個(gè)像素區(qū)域P (圖4)內(nèi)。接著，在第一電極150上形成緩沖 圖案152。緩沖圖案152設(shè)置在像素區(qū)域P的邊界部分處，以覆蓋和重疊第一電極150的邊 緣部分。然后，基于隨后的形成有機(jī)發(fā)光層155的步驟，在緩沖圖案152上形成每個(gè)都具有 條形的多個(gè)間隔物。接著，在像素區(qū)域P內(nèi)的第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層155?？梢酝ㄟ^噴
14嘴涂覆方法、噴墨方法和使用蔭罩板的熱蒸發(fā)方法中的一種形成有機(jī)發(fā)光層155。接著，在 有機(jī)發(fā)光層155上形成第二電極160。第二電極160可以作為一個(gè)整體設(shè)置在整個(gè)顯示區(qū) DA (圖4)中。在制造第一基板110和第二基板170之后，將第一基板110和第二基板170設(shè)置 成彼此面對(duì)。然后，在第一基板Iio和第二基板170之間對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域Al形成密封圖 案190，并且附接第一基板110和第二基板170，以使第一基板110的有機(jī)電致發(fā)光二極管 E(圖4)面對(duì)第二基板170的第一表面，從而完成有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。例如，可以在諸 如惰性氣體氣氛和真空之類的環(huán)境中附接第一基板和第二基板。在有機(jī)ELD設(shè)備中，因?yàn)槲詹牧显O(shè)置在非顯示區(qū)處，所以光可以向上發(fā)射，并且 有機(jī)ELD設(shè)備可以具有頂部發(fā)射型。另外，因?yàn)樵谟糜诜庋b的基板的邊界部分中形成了具 有吸收材料的多個(gè)溝槽，并且用于封裝的基板的中心部分比邊界部分厚，所以防止了用于 封裝的基板的劣化，例如用于封裝的基板的損壞或破裂。此外，因?yàn)樵谟糜诜庋b的基板上形 成了保護(hù)層，所以防止了由于用于封裝的基板的彎曲導(dǎo)致的有機(jī)ELD設(shè)備的劣化，例如有 機(jī)電致發(fā)光二極管的第二電極的破損和有機(jī)電致發(fā)光二極管的第一電極和第二電極的電 短路。顯而易見，對(duì)于所屬領(lǐng)域技術(shù)人員而言，在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下， 可以對(duì)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法進(jìn)行各種修改和變化。因此，本發(fā)明 旨在覆蓋對(duì)落入所附權(quán)利要求范圍及其等效范圍內(nèi)的對(duì)本發(fā)明的所有修改和變型。
權(quán)利要求
一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包括以下步驟制備第一基板和第二基板；在所述第一基板上形成有機(jī)電致發(fā)光顯示器；在所述第二基板的上表面上形成第一蝕刻掩模；在所述第二基板的下表面上形成第二蝕刻掩模；在所述第二基板的上表面上執(zhí)行第一蝕刻工藝；在所述第二基板的上表面的被蝕刻部分上形成第三蝕刻掩模；在所述第二基板的上表面上執(zhí)行第二蝕刻工藝，以在所述第二基板的上表面上形成多個(gè)溝槽；去除所述第一蝕刻掩模和所述第二蝕刻掩模，并使得所述第二蝕刻掩模保留在所述第二基板的上表面的被蝕刻部分上；以及將所述有機(jī)電致發(fā)光顯示器封裝在所述第一基板和所述第二基板之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，還包括在所述多個(gè)溝槽 的每個(gè)中形成吸收材料的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中，所述第二蝕刻掩 模形成在所述第二基板的整個(gè)下表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中，所述第二蝕刻膜 覆蓋在所述第二基板的上表面上形成的任何凸起。
5.一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包括以下步驟 制備第一基板和第二基板；在所述第一基板上形成有機(jī)電致發(fā)光顯示器； 在所述第二基板的上表面上形成第一蝕刻掩模； 在所述第二基板的下表面上形成第二蝕刻掩模； 在所述第二基板的上表面上執(zhí)行第一蝕刻工藝； 在所述第二基板的上表面的被蝕刻部分上形成第三蝕刻掩模； 在所述第二基板的上表面上執(zhí)行第二蝕刻工藝，以在所述第二基板的上表面上形成多 個(gè)溝槽；去除所述第一蝕刻掩模、第二蝕刻掩模和第三蝕刻掩模； 在所述第二基板的整個(gè)上表面上形成第一絕緣材料層；去除第一絕緣材料層的端部，并使得所述第一絕緣材料層保留在所述第二基板的上表 面的被蝕刻部分上；以及將所述有機(jī)電致發(fā)光顯示器封裝在所述第一基板和所述第二基板之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，還包括在所述多個(gè)溝槽 的每個(gè)中形成吸收材料的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中，所述第二蝕刻掩 模形成在所述第二基板的整個(gè)下表面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中，所述第一絕緣材 料層覆蓋在所述第二基板的上表面上形成的任何凸起。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，還包括在所述第一絕緣材料層上形成保護(hù)圖案的步驟。
10. 一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包括以下步驟在包括顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)的第一基板上形成有機(jī)電致發(fā)光二極管；在包括對(duì)應(yīng)于所述非顯示區(qū)的第一區(qū)域、對(duì)應(yīng)于所述顯示區(qū)的第二區(qū)域和所述第一 區(qū)域和所述第二區(qū)域之間的第三區(qū)域的第二基板的第一表面和第二表面上形成第一蝕刻 掩模，所述第一蝕刻掩模設(shè)置在所述第一表面的第一區(qū)域中以及在所述第二表面的第一區(qū) 域、第二區(qū)域和第三區(qū)域中；使用所述第一蝕刻掩模作為蝕刻掩模來蝕刻所述第二基板，以使所述第一區(qū)域的第二 基板具有第一厚度，并且所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域的第二基板具有比所述第一厚度小 的第二厚度；在所述第一表面上形成第二蝕刻掩模，所述第二蝕刻掩模設(shè)置在所述第一表面的第二 區(qū)域中以及在所述第一表面的部分第三區(qū)域中，并且所述第一表面的第三區(qū)域的其他部分 通過所述第二蝕刻掩模暴露出；利用所述第一蝕刻掩模和所述第二蝕刻掩模蝕刻所述第二基板，以形成對(duì)應(yīng)于所述第 三區(qū)域的其他部分的多個(gè)溝槽，其中對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)溝槽的第二基板具有比所述第二厚度 小的第三厚度；去除所述第一表面和所述第二表面上的第一蝕刻掩模； 在所述多個(gè)溝槽中形成吸收材料；以及附接所述第一基板和所述第二基板，以使所述有機(jī)電致發(fā)光二極管面對(duì)所述第一表
11.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，包括包括顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)的第一基板；在所述第一基板上的顯示區(qū)內(nèi)的有機(jī)電致發(fā)光二極管；面對(duì)所述第一基板并與所述第一基板間隔開的第二基板，所述第二基板包括對(duì)應(yīng)于所 述非顯示區(qū)的第一區(qū)域、對(duì)應(yīng)于所述顯示區(qū)的第二區(qū)域以及在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū) 域之間的第三區(qū)域，其中，所述第二基板包括在所述第三區(qū)域內(nèi)的多個(gè)溝槽，以及其中，所 述第二基板在所述第一區(qū)域內(nèi)具有第一厚度、在所述第二區(qū)域內(nèi)具有比所述第一厚度小的 第二厚度、以及在所述第三區(qū)域的形成有所述多個(gè)溝槽的部分內(nèi)具有比所述第二厚度小的 第三厚度；在所述第二基板上的第二區(qū)域內(nèi)的保護(hù)層；以及在所述第一基板和所述第二基板之間的第一區(qū)域內(nèi)的密封圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管，還包括在所述多個(gè)溝槽的每個(gè)中的 吸收材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，還包括多個(gè)保護(hù)圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述保護(hù)層在所述第二基 板的內(nèi)表面上。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述保護(hù)層具有在2μ m和 3 μ m之間的厚度。3
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述多個(gè)保護(hù)圖案中的每 個(gè)具有在Iym和2 μ m之間的厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述保護(hù)層包括丙烯、聚碳酸酯和聚對(duì)苯二甲酸乙二酯中的一種。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，該方法包括以下步驟制備第一基板和第二基板；在第一基板上形成有機(jī)電致發(fā)光顯示器；在第二基板的上表面上形成第一蝕刻掩模；在第二基板的下表面上形成第二蝕刻掩模；在第二基板的上表面上執(zhí)行第一蝕刻工藝；在第二基板的上表面的被蝕刻部分上形成第三蝕刻掩模；在第二基板的上表面上執(zhí)行第二蝕刻工藝，以在第二基板的上表面上形成多個(gè)溝槽；去除第一蝕刻掩模和第二蝕刻掩模，并使得第二蝕刻膜保留在第二基板的上表面的被蝕刻部分上；以及將有機(jī)電致發(fā)光顯示器封裝在第一基板和第二基板之間。
文檔編號(hào)H01L21/77GK101958280SQ20101018886
公開日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2010年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月17日
發(fā)明者吳慶鐸, 徐昌基, 曹大植, 樸鍾佑, 楊美淵 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司