專利名稱：晶片雙流體清洗裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對半導(dǎo)體專用設(shè)備用的晶片清洗裝置技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體專用設(shè)備在對晶片進(jìn)行表面加工后，需要對晶片表面進(jìn)行清洗，以去除晶 片表面的雜質(zhì)。常見的清洗裝置是直接用固定噴嘴向晶片表面噴射去離子水，由于噴射面 積大，噴射力量不強(qiáng)，噴射水流不均勻，故清洗效果不理想。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種晶片雙流體清洗裝置，具有清洗質(zhì)量和效率高、結(jié)構(gòu)緊 湊、體積小、使用方便靈活等特點(diǎn)。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的一種晶片雙流體清洗裝置，其特征在于設(shè)有擺動豎桿，擺動 豎桿設(shè)有凈化空氣入口、去離子水入口和氣霧噴口 ；擺動豎桿和擺動裝置相連。所述的擺動豎桿較好結(jié)構(gòu)為去離子水入口和氣霧噴口設(shè)在噴嘴上，噴嘴通過管 螺紋與凈化空氣入口管連接。所述的擺動裝置的較好結(jié)構(gòu)為具有和豎噴水管相連的擺動橫桿，擺動橫桿和豎 轉(zhuǎn)軸相連，豎轉(zhuǎn)軸通過軸承和軸承座相連，豎轉(zhuǎn)軸的軸端通過聯(lián)軸節(jié)和動力擺動機(jī)構(gòu)相連。所述的動力擺動機(jī)構(gòu)為擺動氣缸或油缸。所述的擺動氣缸或油缸最好通過安裝板與軸承座相連。所述的豎轉(zhuǎn)軸可通過兩個角接觸球軸承安裝在在軸承座中。所述的擺動橫桿上設(shè)有豎噴水管上下位置可調(diào)結(jié)構(gòu)較佳。本發(fā)明的積極效果是能有效解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，具有清洗質(zhì)量和效率 高、結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、使用方便靈活等特點(diǎn)。噴嘴可左右擺動，均勻的清洗晶片表面。動作 靈活、旋轉(zhuǎn)精度高，壽命長，便于加工制造?？尚纬杉锤尚晕⑿×Ｗ哟嫠鬟M(jìn)行清洗；可 調(diào)整噴嘴旋轉(zhuǎn)的角度和起始位置；氣霧的大小和力量可通過調(diào)整水和氣的流量和壓力來調(diào) 節(jié)，可實(shí)現(xiàn)不同的清洗效果；可靠性和穩(wěn)定性好。


圖1是本發(fā)明裝置一個較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖1中1_擺動氣缸、2-安裝板、3-聯(lián)軸器、4-軸承座、5-軸承螺帽、6-角接觸球 軸承、7-軸承壓蓋、8-豎轉(zhuǎn)軸、9-細(xì)霧噴嘴、9-1-去離子水入口、9-2-氣霧出口、10-擺動豎 桿、10-1-凈化空氣入口、11-擺動橫桿。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明，但不作為對本發(fā)明的限定。參見圖1，該晶片雙流體清洗裝置，設(shè)有擺動豎桿10，擺動豎桿10設(shè)有凈化空氣入
3口 10-1、去離子水入口 9-1和氣霧噴口 9-2 ；擺動豎桿10和擺動裝置相連。擺動豎桿10結(jié) 構(gòu)為去離子水入口 91和氣霧噴口 92設(shè)在噴嘴9上，噴嘴9通過管螺紋與凈化空氣入口管 連接。擺動裝置的結(jié)構(gòu)為具有和擺動豎桿10相連的擺動橫桿11，擺動橫桿11和豎轉(zhuǎn)軸 8相連，豎轉(zhuǎn)軸8通過軸承和軸承座4相連，豎轉(zhuǎn)軸8的軸端通過聯(lián)軸節(jié)3和動力擺動機(jī)構(gòu) 相連。動力擺動機(jī)構(gòu)為擺動氣缸1。擺動氣缸1通過安裝板與軸承座4相連。豎轉(zhuǎn)軸8通 過下端的兩個角接觸球軸承6安裝在在軸承座4中。擺動橫桿11上設(shè)有豎噴水管10上下 位置可調(diào)結(jié)構(gòu)。擺動氣缸1通過螺釘固定在安裝板2圓孔中，聯(lián)軸器3通過兩端的圓孔連接擺動 氣缸1的上軸端與轉(zhuǎn)軸8的下軸端，轉(zhuǎn)軸8為階梯軸，通過下端的兩個角接觸球軸承6安裝 在在軸承座4中，軸承座4通過螺釘安裝在安裝板2上，軸承壓蓋7和螺釘壓緊一端軸承外 圈并與軸承座4固定連接，軸承螺帽5通過轉(zhuǎn)軸8上的螺紋壓緊另一端的軸承內(nèi)圈，擺動橫 桿11通過螺紋固定在轉(zhuǎn)軸8上端的徑向螺紋孔中，擺動豎桿10夾持在擺動橫桿11的圓孔 中，擺動豎桿10為中空管，細(xì)霧噴嘴9上端通過管螺紋與擺動豎桿10下端連接。松開擺動 橫桿11左端的螺釘，擺動豎桿10上下位置可調(diào)節(jié)。本例由擺動氣缸1提供動力，通過聯(lián)軸器3帶動細(xì)霧噴嘴9左右往復(fù)旋轉(zhuǎn)，凈化空 氣和去離子水通過細(xì)霧噴嘴9以一定的流量和壓力混合形成即干性的微小粒子，沿高速旋 轉(zhuǎn)的晶片表面往復(fù)噴射，以去除晶片表面的雜質(zhì)。細(xì)霧噴嘴9的上下位置可以調(diào)節(jié)，擺動氣 缸1安裝有磁性開關(guān)，調(diào)整磁性開關(guān)的位置，使噴嘴噴出的水霧從晶片的一端通過晶片中 心到達(dá)另一端實(shí)現(xiàn)晶片的均勻清洗。是一種動作靈活、使用方便的晶片雙清洗裝置。轉(zhuǎn)動 軸由一對角接觸軸承支撐，摩擦更小，旋轉(zhuǎn)精度更高，壽命更長；擺動豎桿可上下手動調(diào)節(jié)， 以調(diào)整細(xì)霧噴嘴與晶片表面的距離；擺動氣缸安裝有兩個磁性開關(guān)，可調(diào)整噴嘴旋轉(zhuǎn)的角 度和起始位置；氣霧的大小和力量可通過調(diào)整水和氣的流量和壓力來調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)不同的 清洗效果；轉(zhuǎn)動軸、擺動豎桿和擺動橫桿均采用不銹鋼材料，可有效防止水氣腐蝕。本發(fā)明 結(jié)構(gòu)簡單緊湊，體積小，動作靈活，壽命長，提高了整個裝置的可靠性和穩(wěn)定性。
權(quán)利要求
一種晶片雙流體清洗裝置，其特征在于設(shè)有擺動豎桿(10)，擺動豎桿(10)設(shè)有凈化空氣入口(10-1)、去離子水入口(9-1)和氣霧噴口(9-2)；擺動豎桿(10)和擺動裝置相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片雙流體清洗裝置，其特征在于所述的擺動豎桿(10)結(jié)構(gòu) 為去離子水入口(9-1)和氣霧噴口(9-2)設(shè)在噴嘴(9)上，噴嘴(9)通過管螺紋與凈化空 氣入口管連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片雙流體清洗裝置，其特征在于所述的擺動裝置的結(jié)構(gòu) 為具有和豎噴水管(10)相連的擺動橫桿(11)，擺動橫桿(11)和豎轉(zhuǎn)軸(8)相連，豎轉(zhuǎn)軸 (8)通過軸承和軸承座(4)相連，豎轉(zhuǎn)軸(8)的軸端通過聯(lián)軸節(jié)(3)和動力擺動機(jī)構(gòu)相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片雙流體清洗裝置，其特征在于所述的動力擺動機(jī)構(gòu)為擺 動氣缸(1)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片雙流體清洗裝置，其特征在于所述的擺動氣缸(1)通過 安裝板與軸承座(4)相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片雙流體清洗裝置，其特征在于所述的豎轉(zhuǎn)軸(8)為階梯 軸，通過下端的兩個角接觸球軸承(6)安裝在在軸承座(4)中.
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片雙流體清洗裝置，其特征在于所述的擺動橫桿(11)上設(shè) 有豎噴水管(10)上下位置可調(diào)結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片雙流體清洗裝置，涉及對半導(dǎo)體專用設(shè)備用的晶片清洗裝置技術(shù)領(lǐng)域。設(shè)有擺動豎桿，擺動豎桿設(shè)有凈化空氣入口、去離子水入口和氣霧噴口；擺動豎桿和擺動裝置相連。本發(fā)明能有效解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，具有清洗質(zhì)量和效率高、結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、使用方便靈活等特點(diǎn)；噴嘴可左右擺動，均勻的清洗晶片表面；旋轉(zhuǎn)精度高，壽命長，便于加工制造；可形成即干性微小粒子代替水流進(jìn)行清洗；可調(diào)整噴嘴旋轉(zhuǎn)的角度和起始位置；氣霧的大小和力量可通過調(diào)整水和氣的流量和壓力來調(diào)節(jié)，可實(shí)現(xiàn)不同的清洗效果；可靠性和穩(wěn)定性好。
文檔編號H01L21/304GK101850343SQ20101019594
公開日2010年10月6日 申請日期2010年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月10日
發(fā)明者楊生榮, 王仲康, 王欣, 袁立偉 申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所