專利名稱：一種具有顯示屏且高安全性的u盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種U盤，尤其涉及一種具有顯示屏且高安全性的U盤。
背景技術(shù)：
隨著電腦等電子產(chǎn)品的普及，U盤作為一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存及傳輸?shù)墓ぞ?，被廣泛使用。 在現(xiàn)有技術(shù)中，U盤一般是通過(guò)插接于電腦上或其它電子產(chǎn)品上，以獲得電源來(lái)使用，比如 通過(guò)在電腦上的操作進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸及存儲(chǔ)，通過(guò)電腦顯示其存儲(chǔ)的文件信息等。顯然，U盤 必須結(jié)合其它設(shè)備使用，這就給使用者在使用上帶來(lái)一定的局限性，尤其當(dāng)U盤持有者在 身邊不具有電腦卻很想獲得U盤內(nèi)信息內(nèi)容的時(shí)候。與此同時(shí)，信息的安全保密成為人們 的需要，尤其對(duì)于保密要求特高的信息存儲(chǔ)，如何使得所述U盤內(nèi)存儲(chǔ)的信息只有通過(guò)擁 有權(quán)限者才能顯示，而對(duì)于非權(quán)限者則不泄露，成為一個(gè)需要解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種安全性高的且能夠顯 示其中所存儲(chǔ)的信息的U盤。本發(fā)明的上述目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的根據(jù)本發(fā)明，提供一種具有顯示屏且高安全性的U盤，包括微處理器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 模塊，其中，還包括顯示屏、顯示模塊以及電源，所述顯示模塊的一端與所述微處理器相連接，用于接收來(lái)自所述微處理器的數(shù)據(jù) 并將其發(fā)送給顯示屏；所述顯示屏與所述顯示模塊相連接，用于接收所述顯示模塊所發(fā)送的數(shù)據(jù)，并將 其顯示出來(lái)；所述電源與所述微處理器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊以及所述顯示模塊的另一端相連接，用 于向所述顯示模塊、微處理器以及所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊供電；所述微處理器包括數(shù)據(jù)控制系統(tǒng)，其與所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊相連，用于鎖定或刪除 所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊中的數(shù)據(jù)。在所述U盤中，所述顯示屏包括有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏或液晶顯示屏。在所述U盤中，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏采用低溫多晶硅薄膜作為基板。在所述U盤中，所述低溫多晶硅薄膜從下而上包括襯底、第一阻擋層、金屬誘導(dǎo) 層、第二阻擋層和多晶硅層。在所述U盤中，所述低溫多晶硅薄膜從下而上包括襯底、具有凹槽結(jié)構(gòu)的第一阻 擋層、金屬誘導(dǎo)層、第二阻擋層和多晶硅層。在所述U盤中，所述低溫多晶硅薄膜自下而上地包括襯底、阻擋層和具有連續(xù)晶 疇的多晶硅層。在所述U盤中，所述電源包括太陽(yáng)能電池。所述太陽(yáng)能電池優(yōu)選為薄膜太陽(yáng)能電 池。所述薄膜太陽(yáng)能電池包括非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池或多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池。
在所述U盤中，所述薄膜太陽(yáng)能電池與所述低溫多晶硅薄膜制作于同一襯底的上 下表面上。在上述技術(shù)方案中，所述U盤還包括操作模塊及輸入裝置，所述操作模塊的一端 與輸入裝置相連接，用于接收所述輸入裝置的輸入信息，所述操作模塊的另一端與所述微 處理器相連接，用于向微處理器發(fā)送所接收的輸入信息。在上述技術(shù)方案中，所述U盤還包括感觸模塊及觸摸屏，所述感觸模塊的一端與 所述觸摸屏相連接，用于感知觸摸屏的輸入信息，其另一端與所述微處理器相連接，用于將 感知到的信息傳送給所述微處理器。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的U盤具有以下優(yōu)點(diǎn)1、在脫機(jī)狀態(tài)下能夠顯示U盤中的文件并進(jìn)行簡(jiǎn)單操作，使用更加方便；2、使用太陽(yáng)能電池供電避免對(duì)環(huán)境造成污染，節(jié)約能源；3、安全性更高。


下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明，其中圖1為本發(fā)明實(shí)施例的U盤的正面立體示意圖；圖2為圖1所示U盤的背面立體示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例的U盤的內(nèi)部電路框圖；圖4為具有觸摸屏的顯示屏部分的電路框圖；圖5a為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的U盤的低溫多晶硅薄膜制造過(guò)程中，于襯底上形成 第一阻擋層后的多層膜的橫截面示意圖；圖5b根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的U盤的低溫多晶硅薄膜制造過(guò)程中，在襯底上形成 第一阻擋層、金屬誘導(dǎo)層、第二阻擋層、非晶硅層及金屬吸收層之后的多層膜的橫截面示意 圖；圖5c為圖5a的多層膜的局部放大圖；圖5d為圖5b所示的多層膜在加熱晶化期間的橫截面示意圖；圖5e為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的U盤的低溫多晶硅薄膜在加熱晶化后并將金屬吸 附層去除后的多晶硅薄膜的橫截面示意圖；圖6為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的U盤的低溫多晶硅薄膜制備方法的流程圖；圖7a為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的U盤的低溫多晶硅薄膜在第一次退火過(guò)程后的 晶體薄膜表面沉積金屬吸收層后的截面圖。
具體實(shí)施例方式參照?qǐng)D1所示，為根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的U盤的正面立體示意圖。該U盤包 括殼體1、USB接口 4和設(shè)置在第一表面11上的顯示屏2，其用于使用戶能夠直接查看需要 顯示的信息，優(yōu)選地，殼體1上還設(shè)有諸如鍵盤5的輸入裝置，以便于用戶操作。圖2為根 據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的U盤的背面立體示意圖。如圖所示，在與第一表面11相對(duì)設(shè)置的 第二表面12上設(shè)置有太陽(yáng)能電池3，其用于將所接收到的太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能向U盤供電。 該U盤還包括設(shè)置在殼體1內(nèi)的電路板(未示出)。
圖3為圖1所示的U盤的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖。如圖所示，包括USB接口、微處理器、數(shù) 據(jù)存儲(chǔ)模塊、顯示及操作模塊和太陽(yáng)能電池。其中，在所述微處理器中設(shè)置有數(shù)據(jù)控制系 統(tǒng)，該系統(tǒng)與所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊相連，用于當(dāng)超過(guò)初始設(shè)定的密碼輸入錯(cuò)誤次數(shù)時(shí)，數(shù)據(jù)控 制系統(tǒng)將U盤內(nèi)的信息鎖定或刪除。顯示模塊的一端與微處理器相連接，用于接收來(lái)自微 處理器的數(shù)據(jù)，其另一端與顯示屏相連接，用于顯示所接收到的數(shù)據(jù)。操作模塊的一端與鍵 盤相連接，用于接收來(lái)自鍵盤的輸入信息，其另一端與微處理器相連接，用于將所接收到的 輸入信息轉(zhuǎn)發(fā)給微處理器。所述太陽(yáng)能電池與顯示模塊、操作模塊、微處理器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模 塊分別相連接，用于向它們供電。本發(fā)明工作原理為當(dāng)所述USB接口插接于電腦后，所述USB插頭禁用電腦所有網(wǎng) 卡驅(qū)動(dòng)，而所述顯示屏上顯示輸入密碼提示，使用者通過(guò)所述輸入鍵進(jìn)行密碼輸入。如果輸 入密碼正確，解除禁用，U盤可以進(jìn)行正常的讀寫；如果三次密碼都不正確(當(dāng)然該次數(shù)可 以根據(jù)使用者意愿而設(shè)置)，所述數(shù)據(jù)控制系統(tǒng)啟動(dòng)，并清除數(shù)據(jù)儲(chǔ)存芯片內(nèi)的信息。當(dāng)所 述U盤處于脫機(jī)狀態(tài)時(shí)，所述太陽(yáng)能電池通過(guò)將光能轉(zhuǎn)化為電能，以供電給所述U盤內(nèi)的系 統(tǒng)，所述顯示屏在此狀態(tài)下可以顯示所述U盤內(nèi)存儲(chǔ)的內(nèi)容，但要顯示所述U盤內(nèi)存儲(chǔ)的內(nèi) 容，仍然需要先通過(guò)上述的密碼確認(rèn)方可實(shí)現(xiàn)，若密碼輸入三次均不正確(初始設(shè)置的密 碼輸入錯(cuò)誤最多為三次)，所述U盤內(nèi)存儲(chǔ)的內(nèi)容將自動(dòng)清除。當(dāng)密碼輸入正確后，顯示屏 進(jìn)行內(nèi)容顯示，通過(guò)所述輸入鍵對(duì)所述U盤內(nèi)信息進(jìn)行查看或進(jìn)行其他簡(jiǎn)單操作，如對(duì)所 述U盤內(nèi)的文件進(jìn)行刪除等操作。如此，在保證所述U盤信息安全的情況下，避免了使用者 因身邊不具有電腦，無(wú)法及時(shí)查看U盤內(nèi)文件或?qū)盤內(nèi)容進(jìn)行刪除等操作，以大大方便了 使用者。在上述實(shí)施例中，操作模塊僅便于使用者更加方便的操作，因此如果沒(méi)有該操作 模塊，同樣能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明目的。作為另一種優(yōu)選的實(shí)現(xiàn)方式，上述U盤還包括感觸模塊和觸摸屏。在一個(gè)實(shí)施例 中，將感觸模塊設(shè)置在殼體內(nèi)，觸摸屏設(shè)置在顯示屏之上，使其成為具有觸摸功能的顯示 屏。用戶可以通過(guò)觸摸屏對(duì)U盤進(jìn)行操作，從而使輸入更加方便。該具有觸摸屏的顯示部 分的電路原理圖如圖4所示，包括與觸摸屏相連的感觸模塊、與顯示屏相連的顯示模塊，且 所述感觸模塊及所述顯示屏模塊均與上述微處理器相連。感觸模塊用來(lái)感知觸摸屏的輸 入，并將其轉(zhuǎn)化為對(duì)應(yīng)的信號(hào)而傳送給所述微處理器，所述微處理器控制所述顯示模塊，將 U盤中的內(nèi)容通過(guò)顯示屏顯示出來(lái)。在上述實(shí)施例中，太陽(yáng)能電池僅為一種優(yōu)選的實(shí)現(xiàn)方式，在本發(fā)明的其他實(shí)施例 中，還可以使用諸如干電池、鋰離子電池的其他類型電源來(lái)替代。當(dāng)采用太陽(yáng)能電池供電 時(shí)，殼體優(yōu)選由透明材料制成，使得光能透過(guò)殼體，被所述太陽(yáng)能電池所吸收。更優(yōu)選地，太陽(yáng)能電池可以采用薄膜太陽(yáng)能電池，包括單晶硅薄膜太陽(yáng)能電池、非 晶硅薄膜太陽(yáng)能電池或多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池。其中，當(dāng)所述太陽(yáng)能電池為非晶硅薄膜 太陽(yáng)能電池時(shí)，其與單晶硅太陽(yáng)能電池相比具有以下優(yōu)點(diǎn)⑴非晶硅的光吸收系數(shù)大，因 而作為太陽(yáng)能電池時(shí)，薄膜所需厚度相對(duì)其他材料如砷化鎵時(shí)，要小得多；(2)相對(duì)于單晶 硅，非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池制造工藝簡(jiǎn)單，制造過(guò)程能量消耗少；(3)可實(shí)現(xiàn)大面積化及連 續(xù)的生產(chǎn)；(4)可以采用玻璃或不銹鋼等材料作為襯底，因而容易降低成本；(5)可以做成 疊層結(jié)構(gòu)，提高效率。當(dāng)所述太陽(yáng)能電池為多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池時(shí)，其具有以下優(yōu)點(diǎn)(1)由于多晶硅(poly-Si)薄膜是由許多大小不等、具有不同晶面取向的小晶粒構(gòu)成的，它在 長(zhǎng)波段具有高光敏性，對(duì)可見(jiàn)光能有效吸收，且具有與晶體硅一樣的光照穩(wěn)定性，因此為高 效、低耗的最理想的光伏器件材料；(2)因多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池兼具單晶硅和多晶硅體 電池的高轉(zhuǎn)換效率和長(zhǎng)壽命等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)材料制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，具有單晶硅的高遷移率 及非晶硅材料成本低的優(yōu)點(diǎn)；(3)使用的硅材料遠(yuǎn)較單晶硅少，又無(wú)效率衰退問(wèn)題，且多晶 硅薄膜太陽(yáng)電池是將多晶硅薄膜生長(zhǎng)在低成本的襯底材料上，用相對(duì)薄的晶體硅層作為太 陽(yáng)電池的激活層，不僅保持了晶體硅太陽(yáng)電池的高性能和穩(wěn)定性，而且材料的用量大幅度 下降，明顯地降低了電池成本。因此采用非晶硅、多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池為優(yōu)選。在上述實(shí)施例中，所述顯示屏包括液晶顯示屏或有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，簡(jiǎn)稱0LED)顯示屏。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，優(yōu)選采用有機(jī)發(fā)光 二極管顯示屏(Organic Light-Emitting Diode，簡(jiǎn)稱OLED)，該顯示屏采用由低溫多晶硅 薄膜制成的薄膜晶體管(thin filmtransistor，簡(jiǎn)稱TFT)作為基板。更優(yōu)選地，該低溫多 晶硅薄膜包括以下三種A.第一種低溫多晶硅薄膜自下而上地包括襯底、第一阻擋層、金屬誘導(dǎo)層、第二阻 擋層和多晶硅層。其中，第一阻擋層也稱第一隔離層，其主要作用是為了防止襯底中的雜質(zhì)在后續(xù) 加熱過(guò)程中向涂布在第一阻擋層上的薄膜中擴(kuò)散，其還用于增加襯底的厚度及硬度，從而 便于對(duì)其進(jìn)行處理。一般地，所述第一阻擋層可以由具有阻擋性能的金屬、碳化硅、硅的氧 化物或硅的氮化物來(lái)替代，厚度可以在0. 1-1. 0微米之間，在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一阻擋 層是低溫氧化硅或氮氧化硅，厚度為1. 0微米；位于第一阻擋層上的金屬誘導(dǎo)層含有以下金屬材料中的任意一種或幾種Ni、Ai、 Ti、Ag、Au、Co、Sb、Pb和Cu，厚度在100-900納米之間，在一個(gè)實(shí)施例中，金屬誘導(dǎo)層是含有
0.01% -0. 的鎳或含鎳物質(zhì)；位于金屬誘導(dǎo)層上的第二阻擋層的材料及厚度與第一阻擋層的材料及厚度可以 相同；位于第二阻擋層上的多晶硅層是由非晶硅薄膜晶化而來(lái)，所述多晶硅層厚度一般 在1-100納米。B.第二種低溫多晶硅薄膜自下而上地包括襯底、具有凹槽結(jié)構(gòu)的第一阻擋層、金 屬誘導(dǎo)層、第二阻擋層和多晶硅層。該第二種低溫多晶硅薄膜與所述第一種低溫多晶硅薄膜的主要區(qū)別點(diǎn)在于，所述 第一阻擋層202設(shè)有凹槽結(jié)構(gòu)。具體如下在上述步驟1)基礎(chǔ)上將所述第一阻擋層202刻蝕成具有凹槽結(jié)構(gòu)。具體地，在所 述第一阻擋層202的與所述襯底201相對(duì)的表面上刻蝕出多個(gè)凹槽。圖5a為刻蝕第一阻擋 層202后的多層膜橫截面示意圖。如圖所示，包括襯底201和涂布在襯底201上的第一阻擋 層202，其中該第一阻擋層202包括多個(gè)凹槽2021和位于凹槽之間的凸起部分2022。在一 個(gè)實(shí)施例中，相鄰兩個(gè)凸起部分2022之間的間距可以為10-100微米，凸起部分2022的高 度為1-5納米。凸起部分2022的截面優(yōu)選為矩形或梯形形狀，當(dāng)截面為矩形時(shí)，優(yōu)選寬為
1.5-3. 0微米；當(dāng)截面為梯形時(shí)，該梯形的上底寬度為0. 5-3. 0微米，下底寬度為0. 5-6. 0 微米。
然后在所述第一阻擋層202基礎(chǔ)上形成金屬誘導(dǎo)層203、第二阻擋層204、非晶硅 層205以及金屬吸收層206，圖5b為在襯底201上形成第一阻擋層202、誘導(dǎo)金屬層203、 第二阻擋層204、非晶硅層205及金屬吸收層206之后的多層膜橫截面示意圖，其中，所述 金屬誘導(dǎo)層203的厚度應(yīng)低于5納米，以保證金屬誘導(dǎo)層203本身具有隨所述第一阻擋層 202起伏變化的凹凸結(jié)構(gòu)。應(yīng)該使涂布后的所述第二阻擋層204完全覆蓋所述金屬誘導(dǎo)層 203，優(yōu)選地，所述第二阻擋層204與所述非晶硅層205的接觸平面為平坦的。金屬誘導(dǎo)層 203的這種凹凸結(jié)構(gòu)有利于在金屬誘導(dǎo)層203和非晶硅層205之間形成不一致的距離，從而 更有助于控制金屬誘導(dǎo)層中金屬擴(kuò)散的方向及速率。如圖5c所示，將從金屬誘導(dǎo)層203的 凹槽2021到第二阻擋層204的上表面(即與非晶硅膜接觸的那個(gè)表面)的距離定義為a， 將從金屬誘導(dǎo)層203的凸起部分2022到第二阻擋層204的上表面的距離定義為b。在一個(gè) 實(shí)施例中，a大約為3. 0-4. 0微米，b大約為1. 0-2. 0微米。然后對(duì)上述多層膜進(jìn)行退火處理。圖5d為圖5b所示的多層膜在退火過(guò)程中的非 晶硅進(jìn)化為多晶硅的橫截面示意圖。從圖中可以看出，在退火過(guò)程中金屬誘導(dǎo)層203中諸 如鎳源的金屬不斷向非晶硅薄膜205中擴(kuò)散(如黑色向上箭頭所示)，如前面所述，由于在 金屬誘導(dǎo)層203和非晶硅層205之間存在不一致的間距，在第一阻擋層102凸起部分2022 的鎳首先到達(dá)非晶硅層205，形成多晶硅晶核并在該處形成誘導(dǎo)多晶硅區(qū)(即非晶硅層205 中的深色區(qū)域)，然后以該處為中心向與第一阻擋層凹處對(duì)應(yīng)的非晶硅橫向晶化(如黑色 橫向箭頭所示)形成橫向晶化區(qū)。最后鎳源層逐漸消耗，從阻擋層擴(kuò)散到非晶硅層中，從而 為多晶硅誘導(dǎo)源的鎳則不斷作為誘導(dǎo)前鋒推進(jìn)至諸如磷硅玻璃的金屬吸收層被吸附。由于 金屬吸附層在退火處理前即被涂布在非晶硅層上，所以僅僅需要一次退火處理即可完成晶 化及金屬吸附的過(guò)程，從而縮短了整個(gè)方法的操作時(shí)間。最終，去除金屬吸附層后的產(chǎn)物橫 截面示意圖如圖5e所示。C.第三種多晶硅薄膜材料自下而上地包括襯底、阻擋層和具有連續(xù)晶疇的多晶 硅層；其中，所述多晶硅層的厚度為10-500納米，所述多晶硅層中的晶粒均勻分布；其中， 所述多晶硅層是通過(guò)在非晶硅薄膜上的覆蓋層光刻誘導(dǎo)口、在所述誘導(dǎo)口使金屬誘導(dǎo)薄膜 和所述非晶硅薄膜接觸并經(jīng)過(guò)兩次退火晶化形成的多晶硅層。圖6示出所述第三種多晶硅薄膜材料的一實(shí)施例的制備方法的流程圖，該方法包 括在襯底211上沉積氧化硅或氮化硅阻擋層212，并沉積非晶硅薄膜213(步驟301)；在非 晶硅薄膜213上形成一層氧化硅或氮化硅覆蓋層214，并在覆蓋層214上刻蝕誘導(dǎo)口(步驟 302)；在覆蓋層214上形成一層金屬誘導(dǎo)薄膜215，使該金屬誘導(dǎo)薄膜在誘導(dǎo)口處與非晶硅 薄膜接觸(步驟303)；進(jìn)行第一步退火過(guò)程，在誘導(dǎo)口下方的非晶硅薄膜中得到多晶硅島 300 (步驟304)；在金屬誘導(dǎo)薄膜215上沉積金屬吸收層216，然后進(jìn)行第二次退火過(guò)程，形 成晶粒均勻分布的晶化的非晶硅薄膜(步驟305)；去除金屬吸收層和覆蓋層(步驟306)。 圖7a示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多晶硅薄膜在第一次退火過(guò)程后晶體薄膜表面沉積金屬 吸收層的結(jié)構(gòu)。綜上所述，第二種低溫多晶硅薄膜同所述第一種低溫多晶硅薄膜均能實(shí)現(xiàn)如下有 益效果由于所述金屬誘導(dǎo)層位于非晶硅層之下并位于兩層阻擋層間，這對(duì)于縮短熱處理 時(shí)間、提高晶粒尺寸、控制誘導(dǎo)金屬往非晶硅層擴(kuò)散啟到了關(guān)鍵作用，同時(shí)避免了金屬誘導(dǎo) 層暴露在空氣中被污染的可能，提高了多晶硅薄膜的質(zhì)量，進(jìn)而使得所述顯示屏的性能得
7到提高。此外，所述第二種多晶硅薄膜及其制備方法還能實(shí)現(xiàn)如下有益效果1)制備的晶 體晶粒尺寸取決于凸起間的距離且成正比關(guān)系(此根據(jù)大量的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可得)，完全可以 根據(jù)凸起間距的設(shè)計(jì)制備范圍內(nèi)任何尺寸的晶粒，這樣完全可以把薄膜晶體管制備在晶粒 中，相當(dāng)于單晶體的性能，極大的改善漏電流、載流子遷移率等性能。相比，可以解決現(xiàn)有方 法制備多晶硅材料的過(guò)程中，鎳源過(guò)于豐富，晶核比較密集，限制了晶體的長(zhǎng)大的缺陷；2) 完全晶化的時(shí)間取決于凸起的高度，因此能較好地控制晶化時(shí)間，解決了現(xiàn)有技術(shù)中誘導(dǎo) 金屬隨機(jī)分布，完全晶化時(shí)間無(wú)法控制的問(wèn)題；3)眾所周知，殘余金屬的存在會(huì)極大的增 加漏電流，特別是對(duì)于薄膜晶體管TFT來(lái)說(shuō)，其有源溝道不能存在大量的金屬殘余，否則會(huì) 嚴(yán)重影響器件的穩(wěn)定性。而第二種制備多晶硅過(guò)程中，只有在凸起處的鎳源最先擴(kuò)散形成 晶核，其它區(qū)域只在補(bǔ)充用，因此可以降低鎳量的使用，并且，隨著晶化過(guò)程的完成，鎳源都 隨誘導(dǎo)峰推移至對(duì)撞晶界處，避開(kāi)了器件材料區(qū)域鎳殘余的堆積。所述第三種多晶硅薄膜的制備中包括晶化與有針對(duì)性的吸除過(guò)程，其中(1)在 非晶硅表面形成微量鎳源，使用誘導(dǎo)口預(yù)先控制成核點(diǎn)的位置；(2)經(jīng)第一步退火，在誘導(dǎo) 口處形成多晶硅斑；(3)在上述薄膜表面，沉積磷硅玻璃(PSG)薄膜，并進(jìn)行第二次退火， 完成整個(gè)多晶硅薄膜的晶化過(guò)程。PSG薄膜邊吸收誘導(dǎo)口處的鎳晶體邊生長(zhǎng)，在誘導(dǎo)口周 圍晶化過(guò)程中需要消耗鎳的地方能很好地保護(hù)起來(lái)而不被PSG吸收。因此，這樣的晶化過(guò) 程，不存在如傳統(tǒng)金屬誘導(dǎo)橫向晶化法(MILC)中的誘導(dǎo)口的明顯高鎳含量的區(qū)間，在縮短 工藝時(shí)間的同時(shí)，給獲得具有連續(xù)晶疇的多晶硅薄膜。從而進(jìn)一步使得整個(gè)多晶硅薄膜的 任何區(qū)域都可以作為高質(zhì)量TFT的有源層，消除了晶化過(guò)程襯底收縮造成的對(duì)位板錯(cuò)位問(wèn) 題。另外，所述第三種多晶硅薄膜的制備，還對(duì)晶核定位的誘導(dǎo)口進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)形成諸如正 六角形的蜂巢晶體薄膜。由于誘導(dǎo)口的分布為規(guī)則重復(fù)分布，形成的晶疇形狀與尺寸相同， 可準(zhǔn)確控制晶化過(guò)程，具有晶化時(shí)間的高可控性和工藝過(guò)程的高穩(wěn)定性，適合于工業(yè)化生 產(chǎn)要求。優(yōu)選地，當(dāng)上述低溫多晶硅薄膜采用石英或玻璃的透明材料作為襯底時(shí)，顯示屏 發(fā)出的光可以到達(dá)所述太陽(yáng)能電池，以供所述太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)化為電能。優(yōu)選地，當(dāng)使用薄膜太陽(yáng)能電池作為電源供電時(shí)，將薄膜太陽(yáng)能電池與顯示屏制 作于同一襯底上，不僅可以節(jié)省材料，同時(shí)可以有效地減少薄膜太陽(yáng)能電池與顯示屏占用U 盤的體積，進(jìn)而利于U盤向小型化方向發(fā)展。因此，根據(jù)本發(fā)明，提供一種將所述薄膜太陽(yáng) 能電池3與所述顯示屏2制作于同一襯底上的制備方法的實(shí)施例，該方法包括如下步驟1)在透明襯底的上下兩表面先后制備出非晶硅薄膜；2)將透明襯底的上表面的非晶硅薄膜晶化為低溫多晶硅薄膜；3)在低溫多晶硅薄膜上制作有機(jī)發(fā)光二極管；4)在透明襯底的下表面的非晶硅薄膜上制備太陽(yáng)能薄膜電池或太陽(yáng)能薄膜疊層 電池；5)對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏和太陽(yáng)能薄膜電池采用雙玻璃或多層薄膜密封封裝。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述步驟1)可以采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD)工藝或者低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)或者液相外延法(LPE)或者濺射沉積法，在透 明襯底的兩面先后制備出非晶硅薄膜；
所述步驟2)優(yōu)選可以采用之前所述的三種低溫多晶硅薄膜的制備方法；所述步驟3)進(jìn)一步包括步驟3a)在低溫多晶硅薄膜上加工TFT有源島圖案，沉積柵氧化層，形成柵電 極；步驟3b) :N、P型摻雜源被離子注入到有源層中，并形成重?fù)诫s的源漏區(qū)；步驟3c):用激光，閃燈等快速退火方式活化摻雜層，沉積絕緣層，開(kāi)柵、源、漏電 極的接觸孔；步驟3d)采用真空濺射方法制備透明導(dǎo)電薄膜，透明導(dǎo)電薄膜通過(guò)接觸孔與源、 漏極相連接；并且采用光刻膠脫模方法光刻成像素圖像；步驟3e)用旋轉(zhuǎn)涂覆法制備絕緣層，光刻露出6)中所述的透明導(dǎo)電膜；步驟3f)以透明導(dǎo)電薄膜為陽(yáng)極，用真空蒸鍍方法制備有機(jī)發(fā)光二極管和它的 金屬陰極；優(yōu)選地，在所述步驟4)后，還包括以下步驟采用埋層電極、表面鈍化、密柵工藝、 優(yōu)化背電場(chǎng)或者接觸電極等來(lái)減少光生載流子的復(fù)合損失，提高載流子的收集效率，從而 提高太陽(yáng)電池的效率。本發(fā)明通過(guò)在殼體上設(shè)有顯示屏，同時(shí)通過(guò)太陽(yáng)能電池吸收光能給所述殼體及所 述顯示屏供電，使得使用者即使在身邊不具有電腦等顯示插接設(shè)備時(shí)，依然可以通過(guò)所述U 盤上的顯示屏看到其內(nèi)存儲(chǔ)的相關(guān)內(nèi)容，以方便使用者的使用，此外，通過(guò)太陽(yáng)能電池吸收 光能以供電，避免了普通電池只能使用一次，需要經(jīng)常置換的缺點(diǎn)，如此也避免了大量廢棄 的普通電池給環(huán)境造成的污染，有利于節(jié)省能源，同時(shí)可避免充電電池需要經(jīng)常充電帶來(lái) 的不便。盡管參照上述的實(shí)施例已對(duì)本發(fā)明作出具體描述，但是對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員來(lái)說(shuō)應(yīng)該理解，所述太陽(yáng)能電池、鍵盤、USB接口和顯示屏的大小、形狀及布局為示意性 的，可以在不脫離本發(fā)明的精神以及范圍之內(nèi)基于本發(fā)明公開(kāi)的內(nèi)容進(jìn)行修改或改進(jìn)，這 些修改和改進(jìn)都在本發(fā)明的精神以及范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種具有顯示屏且高安全性的U盤，包括微處理器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊，其特征在于，還包括顯示屏、顯示模塊以及電源，所述顯示模塊的一端與所述微處理器相連接，用于接收來(lái)自所述微處理器的數(shù)據(jù)并將其發(fā)送給顯示屏；所述顯示屏與所述顯示模塊相連接，用于接收所述顯示模塊所發(fā)送的數(shù)據(jù)，并將其顯示出來(lái)；所述電源與所述微處理器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊以及所述顯示模塊的另一端相連接，用于向所述顯示模塊、微處理器以及所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊供電；所述微處理器包括數(shù)據(jù)控制系統(tǒng)，其與所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊相連，用于鎖定或刪除所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊中的數(shù)據(jù)。
2.如權(quán)利要求1所述的U盤，其特征在于，所述顯示屏包括有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏或液 晶顯不屏。
3.如權(quán)利要求2所述的U盤，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏采用低溫多晶硅 薄膜作為基板。
4.如權(quán)利要求3所述的U盤，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜從下而上包括襯底、第 一阻擋層、金屬誘導(dǎo)層、第二阻擋層和多晶硅層。
5.如權(quán)利要求3所述的U盤，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜從下而上包括襯底、具 有凹槽結(jié)構(gòu)的第一阻擋層、金屬誘導(dǎo)層、第二阻擋層和多晶硅層。
6.如權(quán)利要求3所述的U盤，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜自下而上地包括襯 底、阻擋層和具有連續(xù)晶疇的多晶硅層。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的U盤，其特征在于，所述電源包括太陽(yáng)能電池。
8.如權(quán)利要求7所述的U盤，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池為薄膜太陽(yáng)能電池。
9.如權(quán)利要求8所述的U盤，其特征在于，所述薄膜太陽(yáng)能電池包括非晶硅薄膜太陽(yáng)能 電池或多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池。
10.如權(quán)利要求9所述的U盤，其特征在于，所述薄膜太陽(yáng)能電池與所述低溫多晶硅薄 膜制作于同一襯底的上下表面上。
11.如權(quán)利要求1所述的U盤，其特征在于，還包括操作模塊及輸入裝置，所述操作模塊 的一端與輸入裝置相連接，用于接收所述輸入裝置的輸入信息，所述操作模塊的另一端與 所述微處理器相連接，用于向微處理器發(fā)送所接收的輸入信息。
12.如權(quán)利要求1所述的U盤，其特征在于，還包括感觸模塊及觸摸屏，所述感觸模塊的 一端與所述觸摸屏相連接，用于感知觸摸屏的輸入信息，其另一端與所述微處理器相連接， 用于將感知到的信息傳送給所述微處理器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種U盤，包括微處理器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊，其中還包括顯示屏、顯示模塊以及電源，所述顯示模塊的一端與所述微處理器相連接，用于接收來(lái)自所述微處理器的數(shù)據(jù)并將其發(fā)送給顯示屏；所述顯示屏與所述顯示模塊相連接，用于接收所述顯示模塊所發(fā)送的數(shù)據(jù)，并將其顯示出來(lái)；所述電源與所述微處理器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊以及所述顯示模塊的另一端相連接，用于向所述顯示模塊、微處理器以及所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊供電；所述微處理器包括數(shù)據(jù)控制系統(tǒng)，其與所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊相連，用于鎖定或刪除所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊中的數(shù)據(jù)。本發(fā)明便于使用者在身邊不具有電腦等顯示設(shè)備時(shí)，較容易地查看到U盤內(nèi)存儲(chǔ)內(nèi)容，并且通過(guò)采用密碼提高了使用安全性。
文檔編號(hào)H01L31/04GK101859590SQ20101020995
公開(kāi)日2010年10月13日 申請(qǐng)日期2010年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月22日
發(fā)明者凌代年, 彭俊華, 趙文靜, 邱成峰, 郭海成, 黃宇華, 黃飚 申請(qǐng)人:廣東中顯科技有限公司