專利名稱：電子元件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電子元件及其制造方法，更特定于涉及由內藏線圈的疊層體構成的電 子元件及其制造方法。
背景技術：
作為現(xiàn)有的電子元件，如圖10所示的電子元件500已為人所知。圖10是現(xiàn)有的電 子元件500的斷面結構圖。電子元件500具備疊層體502、線圈L和外部電極508a、508b。 疊層體502由長方形的磁性體層層疊而成。通路孔導體把線圈導體504a 504i連接起來 構成線圈L，線圈L內藏在疊層體502內。外部電極508a、508b設置在疊層體502的側面， 并且連接在線圈L的兩端。這里，在電子元件500中，為了提高直流重疊特性，而把非磁性體層506a 506c 設置在疊層體502內。圖11是從疊層方向看非磁性體層506a 506c的示圖。在線圈導 體504c與線圈導體504d之間，非磁性體層506a被設置在與線圈導體504c、504d重合的區(qū) 域和線圈L的外部的區(qū)域。在線圈導體504d與線圈導體504e之間，非磁性體層506b被設 置在與線圈導體504d、504e重合的區(qū)域和線圈L的外部的區(qū)域。在線圈導體504e與線圈 導體504ef之間，非磁性體層506c被設置在與線圈導體504e、504f重合的區(qū)域和線圈L的 外部的區(qū)域。在以上那樣的電子元件500中，用非磁性體層506a、506b、506c來防止磁通密 度在疊層體502內過高。結果，電子元件500中就抑制了磁飽和的發(fā)生，提高了直流重疊特 性。但是，如以下說明的那樣，現(xiàn)有的電子元件500存在制造工序復雜的問題。更詳細 地說，線圈導體504a 504i用通路孔導體連接起來，因此，在非磁性體層506a 506c中 必須有用來設置通路孔導體的通路孔hi h3。但是，如圖11所示，通路孔hi h3的位置 各異，所以在經(jīng)掩模把非磁性體層506a 506c印刷在線圈導體504d 504f和磁性體層 上的情況下，就必須有三種掩膜。結果，電子元件500的制造工序復雜。作為現(xiàn)有的電子元件，如專利文獻1中記載的疊層電感器已為人所知。雖然在專 利文獻1中記載著為了提高直流重疊特性而在疊層體中設置非磁性體層，但是專利文獻1 中并不存在簡化電子元件500的制造工序的記載。專利文獻1特開2006-318946號公報

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠簡化制造工序的電子元件及其制造方法。本發(fā)明的一種實施方式的電子元件具備具有第一導磁率的多層第一絕緣體層和 具有低于第一導磁率的第二導磁率的多層第二絕緣體層層疊起來構成的疊層體、在所述疊 層體內由多個通路孔導體連接多個線圈導體而構成的螺旋狀的線圈即從疊層方向俯視時 與所述第二絕緣體層重合的線圈；其中，全部所述第二絕緣體層設置在疊層方向上設有所 述線圈的區(qū)域內，并且從疊層方向俯視時具有相同的形狀，且不與所述通路孔導體重合。
從疊層方向俯視時，所述第二絕緣體層被設置在所述疊層體的一部分內。從疊層方向俯視時，所述線圈形成環(huán)狀軌道；從疊層方向俯視時，所述第二絕緣體 層與所述軌道重合并被設置在該軌道的外側。從疊層方向俯視時，所述線圈形成環(huán)狀軌道；從疊層方向俯視時，所述第二絕緣體 層與所述軌道重合并被設置在該軌道的內側。從疊層方向俯視時，所述線圈形成環(huán)狀軌道；所述第二絕緣體層僅設置在與所述 軌道重合的區(qū)域。本發(fā)明的一種實施方式的電子元件的制造方法包含如下工序形成設置通路孔且 具有第一導磁率的多層第一絕緣體層；在所述多層第一絕緣體層的其中一部分上形成形狀 完全相同而從層疊方向俯視時不與所述多個通路孔重合的第二絕緣體層，該第二絕緣體層 具有低于第一導磁率的第二導磁率；在所述通路孔中填充導電性材料形成通路孔導體；在 所述第一絕緣體層和所述第二絕緣體層上形成線圈導體；把所述第一絕緣體層和所述第二 絕緣體層層疊起來得到內藏有由所述線圈導體和所述通路孔導體構成的螺旋狀的線圈的 疊層體；其中，在得到所述疊層體的工序中，把所述第一絕緣體層和所述第二絕緣體層層疊 起來，使所述第二絕緣體層在疊層方向上位于設置有所述線圈的區(qū)域內。此外，在本發(fā)明的電子元件制作方法中，在形成所述第二絕緣體層的工序中，在所 述第一絕緣體層上涂覆漿液來制作所述第二絕緣體層。如果采用本發(fā)明，能夠簡化制造工序。


圖1是本發(fā)明的實施方式的電子元件的外觀立體圖。圖2是圖1的電子元件的疊層體的分解立體圖。圖3是圖1的電子元件的A-A剖面的斷面結構圖。圖4是比較例的電子元件的疊層體的分解立體圖。圖5是比較例的電子元件的斷面結構圖。圖6是表示實驗結果的曲線圖。圖7是第一變形例的絕緣體層的立體圖。圖8是第二變形例的絕緣體層的立體圖。圖9是第三變形例的絕緣體層的立體圖。圖10是現(xiàn)有的電子元件的斷面結構圖。圖11是從疊層方向俯視非磁性體層的示圖。符號的說明B,B'、B1 B8、B11 B18…空白部L…線圈R…軌道bl bl3…通路孔導體10…電子元件12…疊層體14a、14b···外部電極
16a 16t、18i 18k、58i 58k、68i 68k、78i 78k...絕緣體層20a 20η…線圈導體
具體實施例方式以下說明本發(fā)明的一種實施方式的電子元件及其制造方法。(電子元件的構成)圖1是本發(fā)明的實施方式的電子元件10的外觀立體圖，圖2是電子元件10的疊 層體12的分解立體圖。圖3是圖1的電子元件10的A-A剖面的斷面結構圖。以下把電子 元件10的疊層方向定義為ζ軸方向；把沿電子元件10的短邊的方向定義為χ軸方向；把沿 電子元件10的長邊的方向定義為y軸方向。如圖1所示，電子元件10具備疊層體12、外部電極(14a、14b)以及線圈L。疊層 體12呈長方體狀，內藏有線圈L。外部電極14形成在位于y軸方向的兩端的疊層體12的 側面(表面)。如圖2所示，把絕緣體層16(16a 16t)、18(18i 18k)層疊起來構成疊層體12。 絕緣體層16是由具有第一導磁率的磁性體材料(如Ni-Cu-Zn系鐵氧體)構成的長方形的 層。絕緣體層18是具有比第一導磁率低的導磁率的層，從ζ軸方向俯視時，絕緣體層18設 置在疊層體12的一部分內。在本實施方式中，絕緣體層18是由非磁性體材料(如Cu-Zn 系鐵氧體)構成的層。絕緣體層18i 18k分別設置在絕緣體層16i 16k上，覆蓋該絕 緣體層16i 16k的一部分。如上所述，將絕緣體層18i 18k設置在絕緣體層16i 16k 上且把絕緣體層16a 16t從ζ軸方向的正方向側開始按該順序層疊起來構成疊層體12。 后面將描述絕緣體層18的細節(jié)。如圖2所示，線圈L由線圈導體20 (20a 20η)及通路孔導體bl bl3構成。更 詳細地說，在疊層體12內，通路孔導體bl bl3把線圈導體20a 20η連接起來構成線圈 L，線圈L是具有平行于ζ軸方向的線圈軸的螺旋狀線圈。從ζ軸方向俯視時，線圈L形成 長方形的環(huán)狀的軌道R，在該軌道上，與絕緣體層18重合。線圈導體20a 20η被分別設置在絕緣體層16d 16h、18i 18k、161 16q的 ζ軸方向的正方向側的主面上。實際上，線圈導體20f 20h被設置在絕緣體層18i 18k 上，但是在圖2中，為了表示絕緣體層18i 18k的結構，線圈導體20f 20h從絕緣體層 18 18k上分離開。線圈導體20分別是具有7/8匝的匝數(shù)的線狀導體，分別構成軌道R 的一部分。即，線圈導體20呈切掉軌道R的1/8匝的形狀。其中，線圈導體20a的一端被 引出到絕緣體層16d的y軸方向的正方向側的短邊，并連接到外部電極14a上。同樣，線圈 導體20η的一端被引出到絕緣體層16q的y軸方向的負方向側的短邊，并連接到外部電極 14b上。線圈導體20的匝數(shù)不限于7/8匝。通路孔導體bl bl3沿ζ軸方向貫通絕緣體層16d 16p，把ζ軸方向上相鄰的 線圈導體20相互連接起來。具體地說，通路孔導體bl沿ζ軸方向貫通絕緣體層16d，連接 著線圈導體20a、20b ；通路孔導體b2沿ζ軸方向貫通絕緣體層16e，連接著線圈導體20b、 20c;通路孔導體b3沿ζ軸方向貫通絕緣體層16f，連接著線圈導體20c、20d;通路孔導體b4 沿ζ軸方向貫通絕緣體層16g，連接著線圈導體20d、20e ；通路孔導體b5沿ζ軸方向貫通絕 緣體層16h，連接著線圈導體20e、20f ；通路孔導體b6沿ζ軸方向貫通絕緣體層16i，連接著線圈導體20f、20g ；通路孔導體b7沿ζ軸方向貫通絕緣體層16j，連接著線圈導體20g、 20h;通路孔導體b8沿ζ軸方向貫通絕緣體層16k，連接著線圈導體20h、20i ；通路孔導體 b9沿ζ軸方向貫通絕緣體層161，連接著線圈導體20i、20j ；通路孔導體blO沿ζ軸方向貫 通絕緣體層16m，連接著線圈導體20j、20k;通路孔導體bll沿ζ軸方向貫通絕緣體層16η， 連接著線圈導體20k、201 ；通路孔導體bl2沿ζ軸方向貫通絕緣體層16ο，連接著線圈導體 201,20m ；通路孔導體bl3沿ζ軸方向貫通絕緣體層16ρ，連接著線圈導體20m、20n。如圖2所示，由于線圈導體20具有7/8匝的匝數(shù)，所以通路孔導體bl bl3分散 設置在軌道R的8個地方。具體地說，軌道R呈具有沿χ軸方向延伸的短邊和沿y軸方向 延伸的長邊的長方形形狀。通路孔導體bl bl3在軌道R上被設置在4個角、兩條長邊的 中點和兩條短邊的中點中的之某一處。以下說明絕緣體層18的細節(jié)。如圖2所示，全部絕緣體層18i 18k被設置在ζ 軸方向上設有線圈L的區(qū)域內。具體地說，如圖3所示，絕緣體層18i在ζ軸方向上被線圈 導體20f、20g挾??；絕緣體層18j在ζ軸方向上被線圈導體20g、20h挾??；絕緣體層18k在 ζ軸方向上被線圈導體20h、20i挾住。然后說明絕緣體層18的形狀。由于全部絕緣體層18i 18k從ζ軸方向俯視時 具有相同的形狀，所以下面以絕緣體層18i為例予以說明。如圖2和圖3所示，從ζ軸方向俯視時，絕緣體層18i設置在與軌道R重合的位置 及軌道R外側的位置。從ζ軸方向俯視時，絕緣體層18i未設置在軌道R內側的位置。艮口， 如圖2所示，從ζ軸方向俯視時，在絕緣體層18i上設有在軌道R的內側未形成絕緣體層 18 的長方形的空白部B。另外，從ζ軸方向俯視時，絕緣體層18i未與通路孔導體bl bl3重合，更詳細地 說，通路孔導體bl bl3設置在軌道R的4個角、兩條長邊的中點和兩條短邊的中點處。因 此，從ζ軸方向俯視時，絕緣體層18i未形成在4個角、兩條長邊的中點和兩條短邊的中點 處。即，如圖2所示，從ζ軸方向俯視時，在絕緣體層18i上，與軌道R上的4個角、兩條長 邊的中點和兩條短邊的中點重合的位置處設有未形成絕緣體層18i的空白部Bl B8?？?白部Bl B8從空白部B放射狀突出。(電子元件的制造方法)以下參照圖2說明電子元件10的制造方法。首先，準備要做成絕緣體層16的陶瓷坯片。具體地說，把以規(guī)定的配比稱量的氧 化鐵(Fe203)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎳(NiO)和氧化銅(CuO)作為原料投入球磨機中進行濕 式調和；將所得到的混合物干燥后粉碎，對所得到的粉末在800°C的溫度下煅燒1小時；把 所得到的煅燒粉末在球磨機內濕式粉碎后，干燥破碎，得到鐵氧體陶瓷粉末。對該鐵氧體陶瓷粉末加入結合劑(醋酸乙烯、水溶性丙烯)和可塑劑、濕潤料、分 散劑，并用球磨機進行混合，然后減壓脫泡；用定厚刮板法把所得到的瓷漿在載體片上形成 片狀，干燥制作要做成絕緣體層16的陶瓷坯片。接著，在要做成絕緣體層16d 16p的各陶瓷坯片上分別形成通路孔導體bl bl3。具體地說，對要做成絕緣體層16d 16p的陶瓷坯片照射激光束，形成通路孔。用以 上的工序設置通路孔導體bl bl3并形成要做成具有第一導磁率的絕緣體層16d 16p 的陶瓷坯片。然后用印刷涂覆等方法對通路孔填充由Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等導電性材料構成的導電膏，形成通路孔導體bl bl3。接著，在要做成絕緣體層16中的一部分即絕緣體層16i 16k的陶瓷坯片上形 成從ζ軸方向俯視時不與通路孔導體bl bl3重合而形狀完全相同的、具有比第一導磁 率低的第二導磁率的多層絕緣體層18i 18k。具體地說，把以規(guī)定的配比稱量的氧化鐵 (Fe203)、氧化鋅(ZnO)和氧化銅(CuO)作為原料投入球磨機中進行濕式調和；將所得到的 混合物干燥后粉碎，對所得到的粉末在800°C的溫度下煅燒1小時；把所得到的煅燒粉末在 球磨機內濕式粉碎后，干燥破碎，得到鐵氧體陶瓷粉末。對該鐵氧體陶瓷粉末加入結合劑(醋酸乙烯、水溶性丙烯)和可塑劑、濕潤料、分 散劑，并用球磨機進行混合，然后減壓脫泡；經(jīng)掩模把所得到的瓷漿涂覆到絕緣體層16i 16k上之后，進行干燥，來制作要做成絕緣體層18i 18k的陶瓷坯片。接下來，用絲網(wǎng)印刷法或光刻法等方法在要做成絕緣體層16d 16h、18i 18k、 161 16q的陶瓷坯片上涂覆由導電性材料構成的導電膏，由此形成線圈導體20a 20η。 該由導電性材料構成的導電膏是Ag添加清漆和溶劑得到的導電膏。也可以在同一個工序 中形成線圈導體20a 20η和對通路孔填充導電性材料構成的導電膏。然后，把要做成絕緣體層16的陶瓷坯片和要做成絕緣體層18的陶瓷坯片層層疊 起來，從而得到內藏由線圈導體20a 20η和通路孔導體bl bl3構成的螺旋狀線圈的未 燒結的母疊層體。把要做成絕緣體層16的陶瓷坯片和要做成絕緣體層18的陶瓷坯片層層 疊起來時，使要做成絕緣體層18的陶瓷坯片層在ζ軸方向上位于設置有線圈L的區(qū)域內。 具體地說，把要做成絕緣體層16a 16h的陶瓷坯片、形成了要做成絕緣體層18i 18k的 陶瓷坯片層的要做成絕緣體層16i 16k的陶瓷坯片、和要做成絕緣體層161 16t的陶 瓷坯片一片地層疊起來預壓緊，壓緊條件是100噸 120噸的壓力和大約3秒鐘到30秒鐘 的時間。此后，用水壓機對未燒結的母疊層體實施正式壓緊。然后用切刀把母疊層體切成規(guī)定尺寸(2. 5mmX 2. OmmX 1. 2mm)的疊層體12，由此 得到未燒結的疊層體12。對該未燒結的疊層體12進行脫粘合劑處理和燒結。脫結合劑處 理是在如低氧氣氛中按500°C溫度下2小時的條件進行。燒結是按870°C 900°C溫度下 2. 5小時的條件進行。用以上的工序得到燒結好的疊層體12，再對疊層體12施以輥磨加工進行倒棱。此 后，在疊層體12的表面上涂覆以Ag為主要成分的導電性材料構成的電極膏。按約800°C溫 度下1小時的條件燒結涂覆好的電極膏。由此形成要做成外部電極14的銀電極。最后，在銀電極的表面上實施鍍Ni/鍍Sn，由此形成外部電極14。經(jīng)以上的工序 之后，就完成了圖1所示的電子元件10。(效果)如下說明的那樣，按照電子元件10及其制造方法能夠簡化制造工序。更詳細地 說，如圖11所示，在現(xiàn)有的電子元件500中，通路孔hi h3的位置各不相同，因此，在用絲 網(wǎng)印刷把非磁性體層506a 506c形成在線圈導體504d 504f和磁性體層上的情況下， 必須要有三種掩模。結果，電子元件500的制造工序就復雜。另一方面，在電子元件10及其制造方法中，絕緣體層18i 18k形狀完全相同，同 時具有與通路孔導體bl bl3不重合的形狀。因此，如圖2所示，即使通路孔導體b6 b8 的位置各不相同，也不必在絕緣體層18i 18k的不同的位置上形成通路孔。結果，用一種掩模就能夠把要做成絕緣體層18i 18k的陶瓷坯片層形成在要做成絕緣體層16i 16k 的陶瓷坯片上。從而能夠簡化電子元件10的制造工序另外，如下說明的那樣，如果采用電子元件10及其制造方法，能夠得到優(yōu)良的直 流重疊特性。圖4是比較例的電子元件110的疊層體112的分解立體圖，圖5是比較例的 電子元件110的斷面結構圖。在電子元件110中，對應于電子元件10的構成，標注在電子 元件10使用的符號上加上100的參考符號。如圖4和圖5所示，電子元件110把絕緣體層1118i 118k僅設置在軌道R的外 側，不重合在軌道R上，這一點有別于電子元件10。電子元件110的其他構成與電子元件 10相同。如圖5所示，在電子元件110中，在線圈L中產(chǎn)生的磁通Φ ‘也通過非磁性體層 即絕緣體層118i 118k。因此，電子元件110抑制了在疊層體112內發(fā)生磁飽和，從而具 有優(yōu)良的直流重疊特性。但是，電子元件110由于制造誤差有可能使直流重疊特性惡化。更詳細地說，在電 子元件110中，線圈導體120的端部與絕緣體層118的端部從Z軸方向看時是一致的(參 照圖5的C)。這樣，在層疊絕緣體層116、118時，一旦發(fā)生層疊偏移，線圈導體120的端部 與絕緣體層118的端部之間就可能產(chǎn)生間隙。一旦線圈導體120的端部與絕緣體層118的 端部之間產(chǎn)生了間隙，磁通Φ ‘就集中在該間隙內。結果，在疊層體12中發(fā)生磁飽和，電子 元件110的直流重疊特性就會惡化。另一方面，如圖2和圖3所示，在電子元件10中，絕緣體層18與形成線圈L的軌 道R重合。因此，在電子元件10中，在層疊絕緣體層16、18時，即使發(fā)生了層疊偏移，與電 子元件110相比，在絕緣體層18的端部與線圈導體20的端部之間也難以產(chǎn)生間隙。結果， 與磁通Φ ‘相比，磁通Φ能確實地通過非磁性體層即絕緣體層18。因此，用電子元件10 及其制造方法，能夠抑制在疊層體12中產(chǎn)生磁飽和，而能夠得到優(yōu)良的直流重疊特性。為了更加明確電子元件10及其制造方法達到的效果，本申請的發(fā)明人進行了以 下說明的實驗。更詳細地說，制作相當于電子元件10的第一試樣和相當于電子元件110的 第二試樣，并測定了這些試樣的直流重疊特性。以下列舉出實驗條件。薄片尺寸2· 5mmX2. OmmXL 2mm線圈導體的大小1. 9mmXl. 5mm線圈導體的線寬0.3mm通路孔導體的直徑0. 15mm空白部Bl B8的寬度0. 2mm在以上那樣的條件下，使電流流入線圈L，測得了電感值變化率。所謂電感值變化 率是由(OmA時的電感值-流過電流時的電感值)/OmA時的電感值X 100得到的值。圖6 是表示實驗結果的曲線圖，縱軸表示電感值變化率，橫軸表示電流值。如圖6所示，在第二試樣中，電流值增大，電感值急劇減少。另一方面，第一試樣電 感值不像第二試樣減少得那么急劇。因此，由本實驗可知，電子元件10具有比電子元件110 優(yōu)良的直流重疊。(變形例)以下說明絕緣體層18的變形例。圖7是第一變形例的絕緣體層58i的立體圖。圖 7所示的絕緣體層58i的空白部Bll B18的形狀與絕緣體層18i有不同之處。更詳細地說，如圖2所示，在絕緣體層18i中，空白部Bl B8與空白部B連著。另一方面，在絕緣體 層58i中，空白部Bll B18呈與通路孔導體bl bl3大小大致相同的圓形。因此，非磁 性體層即絕緣體層58i的面積增大，所以就有效地抑制了在疊層體12中產(chǎn)生磁飽和。空白 部Bll B18最好稍稍大于通路孔導體bl bl3的直徑。這是為了防止因層疊偏移使通 路孔導體bl bl3的直徑變細。以上對絕緣體層58i進行了說明，而絕緣體層58j、58k具 有與絕緣體層58i相同的結構。圖8是第二變形例的絕緣體層68i的立體圖。從ζ軸方向俯視時，圖8所示的絕 緣體層68i與軌道R重合并被設置在軌道R的內側。從ζ軸方向俯視時，在絕緣體層68i 上，在與通路孔導體bl bl3重合的位置處設置有空白部Bll B18。在設置有具有以上 結構的絕緣體層68i的電子元件10中，與具有絕緣體層18i的電子元件10 —樣，也能夠簡 化制造工序，同時能夠得到優(yōu)良的直流重疊特性。以上對絕緣體層68i進行了說明，而絕緣 體層68j、68k也具有與絕緣體層68i同樣的結構。在圖8所示的絕緣體層68i上，絕緣體層68i的周圍的空白部B'與空白部Bll B18也可以連在一起。圖9是第三變形例的絕緣體層78i的立體圖。從ζ軸方向俯視時，圖9所示的絕 緣體層78i僅被設置在與軌道R重合的區(qū)域。從ζ軸方向俯視時，在絕緣體層78i上，在與 通路孔導體bl bl3重合的位置處設置有空白部Bll B18。在具有該絕緣體層78i的電 子元件10中，圖2所示的磁通Φ不通過非磁性體層即絕緣體層78i。但是，具有環(huán)繞線圈 導體20f 20h周圍的短的磁路的磁通則通過絕緣體層78i。因此，在具有該絕緣體層78i 的電子元件10中，也能夠得到優(yōu)良的直流重疊特性。以上對絕緣體層78i進行了說明，而 絕緣體層78j、78k也具有與絕緣體層78i同樣的結構。絕緣體層18、58、68、78都不設置在與通路孔導體bl bl3重合的位置處，因此 絕緣體層18、58、68、78分別具有8處空白部Bl B8或空白部Bll B18。但是，空白部 Bl B8或空白部Bll B18未必要設置8處。如圖2所示，在電子元件10中，通過絕緣體 層18、58、68、78的通路孔導體b6 b8是3條。因此，只要至少把空白部設置在與貫通設 有絕緣體層18的絕緣體層16的通路孔導體b6 b8重合的位置處就可以。本發(fā)明在電子元件及其制造方法中是有益的，其在簡化制造工序方面有突出優(yōu) 點ο
權利要求
一種電子元件，具備具有第一導磁率的多層第一絕緣體層和具有比第一導磁率低的第二導磁率的多層第二絕緣體層層疊起來構成的疊層體、在所述疊層體內由多個通路孔導體連接多個線圈導體而構成的螺旋狀的線圈即從疊層方向俯視時與所述第二絕緣體層重合的線圈；其中，全部所述第二絕緣體層設置在疊層方向上設有所述線圈的區(qū)域內，并且從疊層方向俯視時具有相同的形狀，且不與所述通路孔導體重合。
2.根據(jù)權利要求1所述的電子元件，其特征在于從疊層方向俯視時，所述第二絕緣體 層被設置在所述疊層體的一部分內。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的電子元件，其特征在于從疊層方向俯視時，所述線圈形成 環(huán)狀軌道；從疊層方向俯視時，所述第二絕緣體層與所述軌道重合并被設置在該軌道的外 側。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的電子元件，其特征在于從疊層方向俯視時，所述線圈形成 環(huán)狀軌道；從疊層方向俯視時，所述第二絕緣體層與所述軌道重合并被設置在該軌道的內 側。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的電子元件，其特征在于從疊層方向俯視時，所述線圈形成 環(huán)狀軌道；所述第二絕緣體層僅設置在與所述軌道重合的區(qū)域。
6.一種電子元件的制造方法，包含如下工序形成設置通路孔且具有第一導磁率的多 層第一絕緣體層；在所述多層第一絕緣體層的其中一部分上形成形狀完全相同而從層疊方 向俯視時不與所述多個通路孔重合的多層第二絕緣體層，該第二絕緣體層具有比第一導磁 率低的第二導磁率；在所述通路孔中填充導電性材料形成通路孔導體；在所述第一絕緣體 層和所述第二絕緣體層上形成線圈導體；把所述第一絕緣體層和所述第二絕緣體層層疊起 來，得到內藏有由所述線圈導體和所述通路孔導體構成的螺旋狀的線圈的疊層體；其中，在 得到所述疊層體的工序中，把所述第一絕緣體層和所述第二絕緣體層層疊起來時，使所述 第二絕緣體層在疊層方向上位于設置有所述線圈的區(qū)域內。
7.根據(jù)權利要求6記載的電子元件的制造方法，其特征在于在形成所述第二絕緣體層 的工序中，在所述第一絕緣體層上涂覆漿液來制作所述第二絕緣體層。
全文摘要
提供一種能夠簡化制造工序的電子元件及其制造方法。把磁性體構成的絕緣體層(16)和非磁性體構成的絕緣體層(18)層疊起來形成疊層體(12)。線圈(L)是在疊層體(12)內用多個通路孔導體(b1～b13)將多個線圈導體(20)連接起來構成的螺旋狀的線圈，從層疊方向俯視時，與絕緣體層(18)重合。全部絕緣體層(18)被設置在從層疊方向俯視時沿層疊方向形成線圈(L)的軌道(R)上和軌道(R)的外側，并且不與通路孔導體(b1～b13)重合。
文檔編號H01F37/00GK101950658SQ201010213528
公開日2011年1月19日 申請日期2010年6月17日 優(yōu)先權日2009年7月8日
發(fā)明者中辻陽一, 坂野好子 申請人:株式會社村田制作所