專利名稱：熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶圓測(cè)試，尤其涉及一種熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法。
背景技術(shù)：
使用專門設(shè)備測(cè)試晶圓上的模擬集成電路或者混合集成電路時(shí)，經(jīng)常需要對(duì)模擬 集成電路或者混合集成電路的模擬部分修調(diào)參數(shù)。修調(diào)參數(shù)是修整熔絲以選擇不同的內(nèi)部 電路，使參數(shù)達(dá)到目標(biāo)范圍，所以這類需要修調(diào)參數(shù)的晶圓稱為熔絲類晶圓?，F(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)熔絲類晶圓上的一個(gè)集成電路修調(diào)參數(shù)包括以下步驟步驟1，測(cè)量晶圓上的集成電路在修整熔絲前參數(shù)的初始值；步驟2，選定要修整的熔絲組合，由熔斷電路熔斷相應(yīng)的熔絲；根據(jù)參數(shù)的初始值與參數(shù)的目標(biāo)值之差的絕對(duì)值，選擇要修整的熔絲組合，被選 定的要修整的熔絲組合其修調(diào)理論值最接近參數(shù)的初始值與參數(shù)的目標(biāo)值之差的絕對(duì) 值；步驟3，測(cè)量該集成電路在修整熔絲后參數(shù)的修調(diào)值，并判斷該參數(shù)的修調(diào)值是否 符合要求；若該集成電路參數(shù)的修調(diào)值符合要求，表明該集成電路為合格產(chǎn)品；對(duì)于特定的集成電路，所述參數(shù)的目標(biāo)值、各熔絲組合的修調(diào)理論值是固定值，因 此，選擇要修整的熔絲組合由參數(shù)的初始值決定?，F(xiàn)有技術(shù)中，采用上述步驟對(duì)熔絲類晶圓上的每個(gè)集成電路修調(diào)參數(shù)，可見，合理 選擇要修整的熔絲組合對(duì)熔絲類晶圓的測(cè)試良率(一個(gè)熔絲類晶圓中，合格的集成電路數(shù) 與總集成電路數(shù)之比)非常關(guān)鍵，為提高熔絲類晶圓的測(cè)試良率，要不斷優(yōu)化選擇修整熔 絲組合的方法。在熔絲類晶圓的大規(guī)模生產(chǎn)測(cè)試中發(fā)現(xiàn)，由于參數(shù)的初始值分布曲線中心值的變 化和各組熔絲組合誤差的不同，現(xiàn)有技術(shù)存在同一批次不同晶圓之間的測(cè)試良率波動(dòng)偏 大，同一批次整體測(cè)試良率低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法，動(dòng)態(tài)調(diào)整要選擇的熔絲 組合，降低同一批次不同晶圓之間測(cè)試良率的波動(dòng)，提高同一批次整體測(cè)試良率。為了達(dá)到上述的目的，本發(fā)明提供一種熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法，包括以下步 驟初始化變量β和i，創(chuàng)建臨時(shí)數(shù)據(jù)文件所述變量i表示本批次熔絲類晶圓中的第i個(gè) 集成電路，i = 0,1,2,……，L，L為本批次熔絲類晶圓所包含的集成電路的總個(gè)數(shù)，所述臨 時(shí)數(shù)據(jù)文件用于保存集成電路修整熔絲后參數(shù)的修調(diào)值，所述變量β和i的初始化值都為 0;i = i+l ；判斷i是否小于等于L，如果為是，執(zhí)行下一步驟，如果為否，結(jié)束本批次熔絲類 晶圓的參數(shù)修調(diào)；測(cè)量第i個(gè)集成電路參數(shù)的初始值Vinit」；判斷所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中保存 的參數(shù)的修調(diào)值的個(gè)數(shù)是否等于N，N取大于等于100而小于L的整數(shù)，如果為是，計(jì)算差值Vtriffl^i' Vtriffl i = Vinitj-Vtarget+β，β = Vtarget-Vave i, Vave i 等于所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中 N 個(gè)參數(shù) 的修調(diào)值的平均值，如果為否，計(jì)算差值Vteim i, Vtrifflj = VinitJ-Vtawt，其中，Vinitj為第i個(gè) 集成電路參數(shù)的初始值，Vtarget為參數(shù)的目標(biāo)值；選擇修調(diào)理論值最接近差值Vteim」的熔絲 組合作為要修整的熔絲組合，由熔斷電路熔斷相應(yīng)的熔絲；測(cè)量第i個(gè)集成電路參數(shù)的修 調(diào)值，并判斷該參數(shù)的修調(diào)值是否符合要求；更新所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中的數(shù)據(jù)，返回上述i =i+1的步驟。上述熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法，其中，所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中保存的參數(shù)的修調(diào) 值的個(gè)數(shù)小于等于N。上述熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法，其中，所述參數(shù)的目標(biāo)值Vtmget為定值，N為定 值。上述熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法，其中，若第i個(gè)集成電路參數(shù)的修調(diào)值符合要 求，表明該集成電路為合格產(chǎn)品。上述熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法，其中，保存在所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中的參數(shù)的修 調(diào)值是按照集成電路修調(diào)次序依次保存至所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中的。上述熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法，其中，當(dāng)所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中保存的參數(shù)的修 調(diào)值的個(gè)數(shù)等于N時(shí)，被保存的N個(gè)參數(shù)的修調(diào)值是正在進(jìn)行參數(shù)修調(diào)的集成電路之前的 N個(gè)集成電路參數(shù)的修調(diào)值。上述熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法，其中，所述更新所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中的數(shù)據(jù)具 體包括以下步驟判斷所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中保存的參數(shù)的修調(diào)值的個(gè)數(shù)是否小于N，如果 為是，執(zhí)行下述步驟判斷測(cè)得的第i個(gè)集成電路參數(shù)的修調(diào)值是否有效，如果是，將該參 數(shù)的修調(diào)值保存至所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中，如果否，則不更新所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中的數(shù)據(jù)；如 果否，執(zhí)行下述步驟判斷測(cè)得的第i個(gè)集成電路參數(shù)的修調(diào)值是否有效，如果是，將該參 數(shù)的修調(diào)值保存至所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中，并從所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中刪除該參數(shù)的修調(diào)值之 前的第N個(gè)參數(shù)的修調(diào)值，如果否，則不更新所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中的數(shù)據(jù)。上述熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法，其中，判斷第i個(gè)集成電路參數(shù)的修調(diào)值是否 有效的依據(jù)是該參數(shù)的修調(diào)值是否完整和異常。本發(fā)明熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法在選擇熔絲組合時(shí)引入一個(gè)變量β，使熔絲 組合的選擇根據(jù)晶圓參數(shù)修調(diào)情況不斷變化，降低了同一批次不同晶圓之間測(cè)試良率的波 動(dòng)，提高了同一批次整體測(cè)試良率。


本發(fā)明的熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法由以下的實(shí)施例及附圖給出。圖1是本發(fā)明熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法的流程圖。圖2是本發(fā)明中更新臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中的數(shù)據(jù)的流程圖。
具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合圖1 圖2對(duì)本發(fā)明的熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法作進(jìn)一步的詳細(xì)描 述。實(shí)驗(yàn)研究表明，對(duì)同一批次熔絲類晶圓的各個(gè)集成電路修調(diào)參數(shù)時(shí)，各個(gè)集成電
4路修整熔絲之間存在一定的關(guān)聯(lián)性，本發(fā)明熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法就利用這種關(guān)聯(lián) 性，動(dòng)態(tài)調(diào)整要選擇的熔絲組合。本發(fā)明熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法適用于批量生產(chǎn)中，對(duì)同一批次熔絲類晶圓的 各個(gè)集成電路進(jìn)行修調(diào)參數(shù)。參見圖1，本發(fā)明熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法包括以下步驟步驟Si，初始化；所述初始化包括初始化變量β、i和創(chuàng)建臨時(shí)數(shù)據(jù)文件DataFile ；所述變量β用于選擇要修整的熔絲組合；所述變量i用于表示本批次熔絲類晶圓中第i個(gè)集成電路，其中，i = 0，1，2，……， L，L為本批次熔絲類晶圓所包含的集成電路的總個(gè)數(shù)；所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件DataFile用于保存集成電路修整熔絲后參數(shù)的修調(diào)值；β的初始化值為0，i的初始化值為0 ；步驟S2，i = i+1;步驟S3，判斷i是否小于等于L，如果為是，執(zhí)行步驟S3，如果為否，結(jié)束本批次熔 絲類晶圓的參數(shù)修調(diào)；在半導(dǎo)體制造業(yè)中，半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)都是批量生產(chǎn)的，本發(fā)明熔絲類晶圓修調(diào) 參數(shù)的方法用于同一批次的各個(gè)熔絲類晶圓的各個(gè)集成電路；步驟S4，測(cè)量第i個(gè)集成電路參數(shù)的初始值Vinit」；步驟S5，判斷所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件DataFile中保存的參數(shù)的修調(diào)值的個(gè)數(shù)是否等 于N，N < L，如果為是，執(zhí)行步驟S6，如果為否，執(zhí)行步驟S7 ；N取大于等于100而小于L的整數(shù)；對(duì)同一批次熔絲類晶圓的各個(gè)集成電路，N為定值；所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件DataFile中可保存的參數(shù)的修調(diào)值的個(gè)數(shù)小于等于N ；步驟S6，計(jì)算差值 Vteim i, Vtrifflj = Vinit i-Vtarget+β，其中，Vinit—i 為第 i 個(gè)集成電路 參數(shù)的初始值，Vtmgrt為參數(shù)的目標(biāo)值，β為變量，β =Vtmgrt-Vave i，Vave i等于所述臨時(shí)數(shù) 據(jù)文件DataFile中N個(gè)參數(shù)的修調(diào)值的平均值；所述參數(shù)的目標(biāo)值Vtmgrt為定值，即對(duì)同一批次熔絲類晶圓而言，各個(gè)集成電路參 數(shù)的目標(biāo)值Vtawt相同；此時(shí)，所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件DataFile中保存著第i個(gè)集成電路之前的N個(gè)集成電路 參數(shù)的修調(diào)值，保存在所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件DataFile中的N個(gè)參數(shù)的修調(diào)值是按照集成電路 修調(diào)次序依次保存至所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件DataFile中的；步驟37，計(jì)算差值^111」，^ 1」=Vinit i-Vtmgrt,其中，Vinit i為第i個(gè)集成電路參數(shù) 的初始值，Vtarget為參數(shù)的目標(biāo)值；所述參數(shù)的目標(biāo)值Vtmgrt為定值，即對(duì)同一批次熔絲類晶圓而言，各個(gè)集成電路參 數(shù)的目標(biāo)值Vtawt相同；步驟S8，從各組熔絲組合中選擇修調(diào)理論值最接近差值Vteim」的熔絲組合作為第 i個(gè)集成電路要修整的熔絲組合，由熔斷電路熔斷相應(yīng)的熔絲；步驟S9，測(cè)量第i個(gè)集成電路參數(shù)的修調(diào)值，并判斷該參數(shù)的修調(diào)值是否符合要 求；
若該參數(shù)的修調(diào)值符合要求，表明第i個(gè)集成電路為合格產(chǎn)品，若該參數(shù)的修調(diào) 值不符合要求，表明第i個(gè)集成電路為不合格產(chǎn)品；步驟S10，更新所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件DataFile中的數(shù)據(jù)；參見圖2，步驟S10. 1，判斷所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件DataFile中保存的參數(shù)的修調(diào)值的 個(gè)數(shù)是否小于N，如果為是，執(zhí)行步驟S10. 2，如果為否，執(zhí)行步驟S10. 3 ；步驟S10. 2，判斷步驟S8測(cè)得的第i個(gè)集成電路參數(shù)的修調(diào)值是否有效，如果是， 將該參數(shù)的修調(diào)值保存至所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件DataFile中，如果否，則不更新所述臨時(shí)數(shù)據(jù) 文件DataFile中的數(shù)據(jù)；步驟S10. 3，判斷步驟S8測(cè)得的第i個(gè)集成電路參數(shù)的修調(diào)值是否有效，如果 是，將該參數(shù)的修調(diào)值保存至所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件DataFile中，并從所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件 DataFile中刪除該參數(shù)的修調(diào)值之前的第N個(gè)參數(shù)的修調(diào)值，如果否，則不更新所述臨時(shí) 數(shù)據(jù)文件DataFile中的數(shù)據(jù)；若步驟S9測(cè)得的第i個(gè)集成電路參數(shù)的修調(diào)值為不完整的數(shù)據(jù)或者異常的數(shù)據(jù) (例如與參數(shù)的目標(biāo)值Vtawt相差較大)，則認(rèn)為該參數(shù)的修調(diào)值無效，該參數(shù)的修調(diào)值不 能保存至所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件DataFile中，即該參數(shù)的修調(diào)值不能用于動(dòng)態(tài)調(diào)整要選擇的 熔絲組合；步驟Sll，返回步驟S2。實(shí)驗(yàn)表明，本發(fā)明熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法與現(xiàn)有技術(shù)相比，可將同一批次不 同晶圓之間測(cè)試良率的波動(dòng)控制在一個(gè)百分點(diǎn)內(nèi)，同一批次整體測(cè)試良率提高二至三個(gè)百 分點(diǎn)。當(dāng)所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件DataFile中保存的參數(shù)的修調(diào)值的個(gè)數(shù)等于N時(shí)，選擇熔絲 組合依據(jù)變量β，即本發(fā)明熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法使熔絲組合的選擇根據(jù)晶圓參數(shù)修 調(diào)情況不斷變化，降低了同一批次不同晶圓之間測(cè)試良率的波動(dòng)，提高了同一批次整體測(cè) 試良率。
權(quán)利要求
一種熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法，其特征在于，包括以下步驟初始化變量β和i，創(chuàng)建臨時(shí)數(shù)據(jù)文件所述變量i表示本批次熔絲類晶圓中的第i個(gè)集成電路，i＝0，1，2，……，L，L為本批次熔絲類晶圓所包含的集成電路的總個(gè)數(shù)，所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件用于保存集成電路修整熔絲后參數(shù)的修調(diào)值，所述變量β和i的初始化值都為0；i＝i+1；判斷i是否小于等于L，如果為是，執(zhí)行下一步驟，如果為否，結(jié)束本批次熔絲類晶圓的參數(shù)修調(diào)；測(cè)量第i個(gè)集成電路參數(shù)的初始值Vinit_i；判斷所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中保存的參數(shù)的修調(diào)值的個(gè)數(shù)是否等于N，N取大于等于100而小于L的整數(shù)，如果為是，計(jì)算差值Vtrim_i，Vtrim_i＝Vinit_i Vtarget+β，β＝Vtarget Vave_i，Vave_i等于所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中N個(gè)參數(shù)的修調(diào)值的平均值，如果為否，計(jì)算差值Vtrim_i，Vtrim_i＝Vinit_i Vtarget，其中，Vinit_i為第i個(gè)集成電路參數(shù)的初始值，Vtarget為參數(shù)的目標(biāo)值；選擇修調(diào)理論值最接近差值Vtrim_i的熔絲組合作為要修整的熔絲組合，由熔斷電路熔斷相應(yīng)的熔絲；測(cè)量第i個(gè)集成電路參數(shù)的修調(diào)值，并判斷該參數(shù)的修調(diào)值是否符合要求；更新所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中的數(shù)據(jù)，返回上述i＝i+1的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法，其特征在于，所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件 中保存的參數(shù)的修調(diào)值的個(gè)數(shù)小于等于N。
3.如權(quán)利要求1所述的熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法，其特征在于，所述參數(shù)的目標(biāo)值 VtogetS定值，N為定值。
4.如權(quán)利要求1所述的熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法，其特征在于，若第i個(gè)集成電路參 數(shù)的修調(diào)值符合要求，表明該集成電路為合格產(chǎn)品。
5.如權(quán)利要求1所述的熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法，其特征在于，保存在所述臨時(shí)數(shù) 據(jù)文件中的參數(shù)的修調(diào)值是按照集成電路修調(diào)次序依次保存至所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中的。
6.如權(quán)利要求5所述的熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法，其特征在于，當(dāng)所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文 件中保存的參數(shù)的修調(diào)值的個(gè)數(shù)等于N時(shí)，被保存的N個(gè)參數(shù)的修調(diào)值是正在進(jìn)行參數(shù)修 調(diào)的集成電路之前的N個(gè)集成電路參數(shù)的修調(diào)值。
7.如權(quán)利要求1或6所述的熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法，其特征在于，所述更新所述臨 時(shí)數(shù)據(jù)文件中的數(shù)據(jù)具體包括以下步驟判斷所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中保存的參數(shù)的修調(diào)值的個(gè)數(shù)是否小于N，如果為是，執(zhí)行下述 步驟判斷測(cè)得的第i個(gè)集成電路參數(shù)的修調(diào)值是否有效，如果是，將該參數(shù)的修調(diào)值保存 至所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中，如果否，則不更新所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中的數(shù)據(jù)；如果否，執(zhí)行下述 步驟判斷測(cè)得的第i個(gè)集成電路參數(shù)的修調(diào)值是否有效，如果是，將該參數(shù)的修調(diào)值保存 至所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中，并從所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中刪除該參數(shù)的修調(diào)值之前的第N個(gè)參數(shù) 的修調(diào)值，如果否，則不更新所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中的數(shù)據(jù)。
8.如權(quán)利要求7所述的熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法，其特征在于，判斷第i個(gè)集成電路 參數(shù)的修調(diào)值是否有效的依據(jù)是該參數(shù)的修調(diào)值是否完整和異常。
全文摘要
本發(fā)明的熔絲類晶圓修調(diào)參數(shù)的方法包括以下步驟初始化變量β和i，創(chuàng)建臨時(shí)數(shù)據(jù)文件；i＝i+1；判斷i是否小于等于L，如果為是，執(zhí)行下一步驟，如果為否，結(jié)束本批次熔絲類晶圓的參數(shù)修調(diào)；測(cè)量第i個(gè)集成電路參數(shù)的初始值Vinit_i；判斷所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中保存的參數(shù)的修調(diào)值的個(gè)數(shù)是否等于N，如果為是，計(jì)算差值Vtrim_i，Vtrim_i＝Vinit_i-Vtarget+β，β＝Vtarget-Vave_i，Vave_i等于所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中N個(gè)參數(shù)的修調(diào)值的平均值，如果為否，計(jì)算差值Vtrim_i，Vtrim_i＝Vinit_i-Vtarget；選擇修調(diào)理論值最接近差值Vtrim_i的熔絲組合作為要修整的熔絲組合，由熔斷電路熔斷相應(yīng)的熔絲；測(cè)量第i個(gè)集成電路參數(shù)的修調(diào)值，并判斷該參數(shù)的修調(diào)值是否符合要求；更新所述臨時(shí)數(shù)據(jù)文件中的數(shù)據(jù)，返回上述i＝i+1的步驟。
文檔編號(hào)H01L23/525GK101937835SQ20101021650
公開日2011年1月5日 申請(qǐng)日期2010年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者劉遠(yuǎn)華, 葉守銀, 岳小兵, 張志勇, 湯雪飛, 牛勇, 王錦, 祁建華 申請(qǐng)人:上海華嶺集成電路技術(shù)有限責(zé)任公司