專利名稱：表面處理裝置及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種表面處理裝置，尤其是涉及一種利用等離子體對(duì)沉積層進(jìn)行平坦化的一種表面處理裝置及其方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有薄膜制作工藝中，在傳輸腔和工藝腔體中放置一等離子體產(chǎn)生裝置。當(dāng)基板傳送至工藝腔體前，在傳輸中即時(shí)進(jìn)行表面清潔、干式蝕刻、表面活化或改質(zhì)等制作工藝。例如以低壓化學(xué)氣相沉積(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD) 制作工藝中沉積的氧化鋅(aio)薄膜時(shí)，由于氧化鋅薄膜的表面形貌常成金字塔狀，而形成尖銳的薄膜表面，因此會(huì)影響界面覆蓋性與致密度，而不利后續(xù)元件制作工藝的制作，例如硅薄膜太陽(yáng)電池高轉(zhuǎn)換效率的制作。在現(xiàn)有技術(shù)中，例如美國(guó)專利US. Pat. No. 6，855，908揭露對(duì)于尚未進(jìn)行制作工藝的基材進(jìn)行處理的技術(shù)，其利用等離子體蝕刻的方式均勻基材表面，而使基材表面可以達(dá)到0. 04-1. 3nm/cm2的平坦度。在引證案中揭露出根據(jù)等離子體產(chǎn)生的功率以及電及大小對(duì)基材進(jìn)行平坦化處理，以得到好的平坦度。另外，美國(guó)專利US. Pat. No. 5，254，830則教導(dǎo)控制材料移除裝置的技術(shù)，通過(guò)建立存儲(chǔ)信息，利用等離子體化學(xué)蝕刻的機(jī)制去除基材超過(guò)變異量的位置上的材料以均勻硅基材或其上的氧化物層的厚度。另外，又如美國(guó)專利 US. Pat. No. 6，541, 380則揭露一種等離子體蝕刻技術(shù)，其對(duì)于沉積于基材上的金屬層或者是金屬氧化物進(jìn)行等離子體蝕刻，以去除對(duì)應(yīng)掩模上的金屬層或金屬氧化物層。此外，又如US. Pat. No. 5，002, 796或7，390, 731也教導(dǎo)一種沉積技術(shù)，其在工藝腔體內(nèi)設(shè)置等離子體產(chǎn)生裝置以提高鍍膜效率與降低鍍膜溫度。而在us. Pat. No. 5，545, 443 則教導(dǎo)一種利用LPCVD沉積ZnO時(shí)，同時(shí)使用紫外線(UV)照射反應(yīng)物，增加反應(yīng)速率，并改善薄膜的電性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種表面處理裝置及其方法，其在與工藝腔體相耦接的一傳輸腔體內(nèi)設(shè)置有一等離子體產(chǎn)生裝置，以對(duì)由該工藝腔體移動(dòng)至傳輸腔體內(nèi)的基板上的沉積層進(jìn)行表面平坦化處理，以改善沉積層的表面特性，進(jìn)而減少缺陷結(jié)構(gòu)的發(fā)生。該等離子體產(chǎn)生裝置可在真空腔體及大氣環(huán)境之下使用。本發(fā)明的另一目的在于提供一種表面處理裝置及其方法，其利用長(zhǎng)線型的等離子體產(chǎn)生裝置，對(duì)由工藝腔體進(jìn)入傳輸腔體內(nèi)的一基板上的沉積層進(jìn)行大面積的表面平坦化處理，以增加表面處理的效率。為達(dá)上述目的，在一實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種表面處理裝置，其包括有一工藝腔體，其提供一沉積制作工藝使一基板上形成一沉積層，該工藝腔體具有一第一開(kāi)口 ；一傳輸腔體，其耦接于該工藝腔體的一側(cè)，該傳輸腔體內(nèi)具有一空間與該工藝腔體相連通，且其一側(cè)具有一第二開(kāi)口與該第一開(kāi)口相對(duì)應(yīng)，該傳輸腔體上開(kāi)設(shè)有一開(kāi)槽與該空間相連通，該傳輸腔體具有一傳輸裝置以將該基板由該傳輸腔體輸送至該工藝腔體或者是由該工藝腔體輸送至該傳輸腔體；一等離子體產(chǎn)生裝置，其設(shè)置于該開(kāi)槽上；以及一控制單元，其與該等離子體產(chǎn)生裝置電連接，該控制單元使該等離子體產(chǎn)生裝置產(chǎn)生等離子體以對(duì)由該工藝腔體進(jìn)入該傳輸腔體的一基板上的一沉積層進(jìn)行表面平坦化處理。在另一實(shí)施例中，本發(fā)明更提供一種表面處理方法，其包括有下列步驟提供一表面處理裝置，其包括有一工藝腔體、一傳輸腔體以及一等離子體產(chǎn)生裝置，該傳輸腔體，其耦接于該工藝腔體的一側(cè)，該傳輸腔體內(nèi)具有一空間，該傳輸腔體上開(kāi)設(shè)有一開(kāi)槽與該空間相連通，該等離子體產(chǎn)生裝置，其設(shè)置于該開(kāi)槽上；經(jīng)由該傳輸腔體提供一基板進(jìn)入該工藝腔體內(nèi)以對(duì)該基板進(jìn)行一沉積制作工藝，使該基板上形成有一沉積層；在沉積制作工藝完畢之后，將該基板由該工藝腔體移動(dòng)至該傳輸腔體；以及使該等離子體產(chǎn)生裝置產(chǎn)生等離子體以對(duì)由該工藝腔體進(jìn)入該傳輸腔體的該基板上的該沉積層進(jìn)行表面平坦化處理。


圖IA為本發(fā)明的表面處理裝置實(shí)施例立體示意圖；圖IB為具有沉積層的基板示意圖；圖IC為本發(fā)明的表面處理裝置另一實(shí)施例示意圖；圖2A與圖2B為本發(fā)明的等離子體產(chǎn)生裝置第一實(shí)施例剖面與立體分解示意圖；圖2C為本發(fā)明的通孔布設(shè)示意圖；圖3A與圖:3B為本發(fā)明的等離子體產(chǎn)生裝置第二實(shí)施例剖面以及立體分解示意圖；圖4A與圖4B為本發(fā)明的表面處理裝置對(duì)基板進(jìn)行平坦化處理示意圖；圖5為本發(fā)明的表面處理方法實(shí)施例流程示意圖；圖6A與圖6B為現(xiàn)有沉積制作工藝結(jié)果與利用本發(fā)明的表面處理方法所進(jìn)行表面處理結(jié)果比較示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明2-表面處理裝置20-工藝腔體200-工藝空間201-側(cè)面202-第一開(kāi)口21-傳輸腔體210-空間211-第二開(kāi)口212-板體213-開(kāi)槽214-槽口215-傳輸裝置22-等離子體產(chǎn)生裝置220-等離子體模塊CN 102315087 A
說(shuō)明書(shū)
3/6頁(yè)2200-側(cè)面2201-負(fù)極座2202-正極棒2203-氣體通道2204-容置槽2205-第一側(cè)面2206-通孔2207-介電材料層2208-第二側(cè)面2209-氣體平衡槽221-蓋體2210-進(jìn)氣孔2211-凹槽222-冷卻單元2220-冷卻水道223-固鎖元件224-等離子體模塊2240-負(fù)極座2241-正極棒2242-容置槽2243、2M4、2245_ 側(cè)面2246-第一氣體通道2247-第二氣體通道2248-通孔225-蓋板2250-第一進(jìn)氣孔2251-第二進(jìn)氣孔2 、227-板體2洸0、2270_導(dǎo)引通道23-控制單元
24-金屬板3-表面處理方法30 33-步驟90-基板91-沉積層92-等離子體
具體實(shí)施例方式為使貴審查委員能對(duì)本發(fā)明的特征、目的及功能有更進(jìn)一步的認(rèn)知與了解，下文
6特將本發(fā)明的裝置的相關(guān)細(xì)部結(jié)構(gòu)以及設(shè)計(jì)的理念原由進(jìn)行說(shuō)明，以使得審查委員可以了解本發(fā)明的特點(diǎn)，詳細(xì)說(shuō)明陳述如下請(qǐng)參閱圖IA所示，該圖為本發(fā)明的表面處理裝置實(shí)施例立體示意圖。該表面處理裝置2包括有一工藝腔體20、一傳輸腔體21、一等離子體產(chǎn)生裝置22以及一控制單元 23。該工藝腔體20，其內(nèi)具有一工藝空間200以提供容置一基板90，該工藝腔體20可以提供一沉積制作工藝，以使在該工藝腔體20內(nèi)的基板90上形成如圖IB所示的一沉積層 91。在本實(shí)施例中，該沉積制作工藝可以為低壓化學(xué)氣相沉積(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD)制作工藝，但不以此為限制，例如等離子體輔助化學(xué)氣相沉積 (plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)或其他化學(xué)氣相沉積制作工藝都可。此外，該沉積層91為金屬氧化物層，本實(shí)施例中，該金屬氧化物層為一氧化鋅(SiO)層， 但不以此為限制。在該工藝腔體20的一側(cè)面201上具有一第一開(kāi)口 202，其為該基材90的進(jìn)出口。該傳輸腔體21，其耦接于該工藝腔體20的一側(cè)，該傳輸腔體21內(nèi)具有一空間210 與該工藝腔體20相連通。在本實(shí)施例中，該傳輸腔體21與該工藝腔體20對(duì)應(yīng)的側(cè)面上具有一第二開(kāi)口 211與該第一開(kāi)口 202相對(duì)應(yīng)，使得基板90可以由該第二開(kāi)口 211通過(guò)該第一開(kāi)口 202，進(jìn)而進(jìn)入到該工藝腔體20內(nèi)。該傳輸腔體21上方的板體212上開(kāi)設(shè)有一開(kāi)槽 213與該空間210相連通。本實(shí)施例中，該開(kāi)槽213內(nèi)具有一槽口 214提供該等離子體產(chǎn)生裝置22通過(guò)而與該空間210相連通。該傳輸腔體21具有一傳輸裝置215，其將該基板90 由該傳輸腔體21輸送至該工藝腔體20或者是由該工藝腔體20輸送至該傳輸腔體21。該傳輸裝置215可以為現(xiàn)有技術(shù)的任何傳輸機(jī)制，例如用輸送帶，機(jī)器手臂或者是可進(jìn)行至少兩個(gè)維度運(yùn)動(dòng)(如前后移動(dòng)以及升降移動(dòng))的傳輸臺(tái)等。該等離子體產(chǎn)生裝置22，其設(shè)置于該開(kāi)槽213上。該開(kāi)槽213的構(gòu)形配合該等離子體產(chǎn)生裝置22的結(jié)構(gòu)而定，而該開(kāi)槽213的位置則根據(jù)需要而定，在本實(shí)施例中，該開(kāi)槽 213靠近于該第二開(kāi)口 211的位置上。此外，在本實(shí)施例中，該等離子體產(chǎn)生裝置22為一線形等離子體產(chǎn)生裝置，其可以在大氣環(huán)境中或者是真空環(huán)境中產(chǎn)生等離子體。在另一實(shí)施例中，如圖IC所示，為了增進(jìn)該等離子體產(chǎn)生裝置22產(chǎn)生等離子體的效果，在該傳輸腔體 21內(nèi)對(duì)應(yīng)該等離子體產(chǎn)生裝置22的位置上還具有一金屬板對(duì)。請(qǐng)參閱圖2A與圖2B所示，該圖為本發(fā)明的等離子體產(chǎn)生裝置第一實(shí)施例剖面與立體分解示意圖。該等離子體產(chǎn)生裝置22包括有一等離子體模塊220，其具有負(fù)極座2201 以及一正極棒2202，該負(fù)極座2201為一長(zhǎng)方體且容置于如一 A所示的開(kāi)槽213內(nèi)且通過(guò)該槽口 214，該負(fù)極座2201具有多個(gè)第一氣體通道2203以及與該多個(gè)第一氣體通道2203 相連通以及提供容置該正極棒2202的一容置槽2204，該容置槽2204在該負(fù)極座2201上的一第一側(cè)面2205上具有一通孔2206，該正極棒2202的表面具有一介電材料層2207。本實(shí)施例中，該多個(gè)通孔2206呈現(xiàn)如圖2C所示的兩排的布設(shè)方式。要說(shuō)明的是，該多個(gè)通孔 2206也可以呈現(xiàn)一排以上的排列，其根據(jù)需求而定，并不以本實(shí)施例的圖示為兩排的限制。 該正極棒2202的剖面可以圓形或者是半圓等形狀，但不以此為限制，例如，也可以為具有至少兩不相等曲率半徑的截面形狀。此外，為了增加通過(guò)該第一氣體通道2203而進(jìn)入至該容置槽2204內(nèi)與該正極棒 2202產(chǎn)生等離子體反應(yīng)的氣體的均勻混合的效果，更進(jìn)一步地，可以在該負(fù)極座2201相對(duì)于該第一側(cè)面2205的一第二側(cè)面2208上開(kāi)設(shè)有至少一氣體平衡槽2209，其與該多個(gè)第一氣體通道2203相連通，該第二側(cè)面2208上更設(shè)置有一蓋體221，該蓋體221對(duì)應(yīng)該氣體平衡槽2209的位置上開(kāi)設(shè)有多個(gè)進(jìn)氣孔2210，其可以提供至少一種反應(yīng)氣體進(jìn)入該等離子體模塊220內(nèi)。當(dāng)反應(yīng)氣體由該進(jìn)氣孔2210進(jìn)入至該氣體平衡槽2209，可通過(guò)氣體平衡槽2209 內(nèi)預(yù)先混合均勻，再經(jīng)過(guò)第一氣體通道2203進(jìn)入該容置槽2204，而讓電極棒2202與負(fù)極座 2201間的高電壓解離反應(yīng)氣體而產(chǎn)生等離子體，進(jìn)而通過(guò)通孔2206而離開(kāi)該負(fù)極座2201。 而該介電材料層2207可以減弱等離子體的強(qiáng)度，進(jìn)而控制等離子體蝕刻材料的能力。在本實(shí)施例中，該蓋體221對(duì)應(yīng)該氣體平衡槽2209的位置上也開(kāi)設(shè)有凹槽2211。要說(shuō)明的是該凹槽2211并非為必要的元件，可視狀況而設(shè)。在該負(fù)極座2201位于該容置槽2204兩側(cè)的兩側(cè)面2200上更分別設(shè)置有一冷卻單元222，每一冷卻單元222具有至少一冷卻水道 2220。在本實(shí)施例中，每一冷卻單元222具有一板體2221，其通過(guò)固鎖元件223(例如螺栓)固設(shè)于與負(fù)極座2201對(duì)應(yīng)的側(cè)面2200上。而冷卻水道2220則開(kāi)設(shè)于板體2221內(nèi)。請(qǐng)參閱圖3A與圖:3B所示，該圖為本發(fā)明的等離子體產(chǎn)生裝置第二實(shí)施例剖面以及立體分解示意圖。在本實(shí)施例中，該等離子體產(chǎn)生裝置22同樣具有一等離子體模塊224， 其具有一負(fù)極座2240以及一正極棒2241。該負(fù)極座2240上的容置槽2242以及正級(jí)棒2241 的特征與前述的容置槽2204以及正極棒2202特征相同，因此在此不作贅述。在該負(fù)極座 2240上的側(cè)面2243、2244以及2245分別開(kāi)設(shè)與該容置槽相連通的第一氣體通道2246以及分別設(shè)置于該容置槽2242兩側(cè)的多個(gè)第二氣體通道2247。容置槽2242與該負(fù)極座2240 的一側(cè)面間開(kāi)設(shè)有通孔2248，以供等離子體通過(guò)。該側(cè)面2243上具有一蓋板225，其上開(kāi)設(shè)有多個(gè)第一進(jìn)氣孔2250以及多個(gè)位于該第一進(jìn)氣孔2250兩側(cè)的第二進(jìn)氣孔2251。該側(cè)面2244與2245上分別固設(shè)一板體2 與227，其分別具有一導(dǎo)引通道2260與2270。該多個(gè)第一進(jìn)氣孔2250與該第一氣體通道 2246相連通，而該多個(gè)第二進(jìn)氣通2251道則分別經(jīng)由導(dǎo)引通道2260與2270與該多個(gè)第二氣體通道2247相連通。再回到圖IA所示，該控制單元23，其與該等離子體產(chǎn)生裝置22電連接，該控制單元23使該等離子體產(chǎn)生裝置22產(chǎn)生等離子體以對(duì)由該工藝腔體20進(jìn)入該傳輸腔體21的一基板90上的沉積層進(jìn)行表面平坦化處理。在本實(shí)施例中，由于該等離子體產(chǎn)生裝置22 為線型的結(jié)構(gòu)，因此當(dāng)基板90通過(guò)該等離子體產(chǎn)生裝置22時(shí)，如圖4A所示，該等離子體產(chǎn)生裝置22所產(chǎn)生的等離子體92可以掃描該基板90，使得等離子體92蝕刻沉積層91上凸出的沉積結(jié)構(gòu)，進(jìn)而形成如圖4B的狀態(tài)。在圖4B中，可以看出沉積層91已經(jīng)沒(méi)有如圖4A 中凸出的尖銳的沉積結(jié)構(gòu)。如圖IA所示，另外，要說(shuō)明的是，本實(shí)施例的等離子體產(chǎn)生裝置22，并非只對(duì)沉積層進(jìn)行等離子體蝕刻，以使沉積層表面平坦化，更進(jìn)一步地，可以在基板90進(jìn)入工藝腔體20前，在傳輸腔體21內(nèi)傳送的過(guò)程中，控制單元23啟動(dòng)等離子體產(chǎn)生裝置22產(chǎn)生等離子體，當(dāng)基板90通過(guò)等離子體產(chǎn)生裝置22時(shí)，其所產(chǎn)生的等離子體可對(duì)該基板90進(jìn)行清潔處理，使得后續(xù)在工藝腔體20內(nèi)進(jìn)行沉積制作工藝時(shí)，沉積效果可以更好。請(qǐng)參閱圖5所示，該圖為本發(fā)明的表面處理方法實(shí)施例流程示意圖。該方法3先以步驟30提供一表面處理裝置。在本步驟中，該表面處理裝置的結(jié)構(gòu)如圖IA或圖IC所示的結(jié)構(gòu)，在此不作贅述。接著進(jìn)行步驟31，經(jīng)由該傳輸腔體提供一基板進(jìn)入該工藝腔體內(nèi)以對(duì)該基板進(jìn)行一沉積制作工藝，使該基板上形成有一沉積層。在本步驟中，請(qǐng)參閱圖IA所示，該傳輸裝置215從外部環(huán)境，例如卡匣或者是其他的裝載基板的裝置中取出待加工的基板，再經(jīng)由該傳輸腔體21，將該基板91輸送至工藝腔體20內(nèi)。接著進(jìn)行沉積制作工藝， 本實(shí)施例的沉積制作工藝為L(zhǎng)PCVD，但不以此為限制。在該基板91上形成一層沉積層之后， 接著以步驟32，將該基板由該工藝腔體移動(dòng)至該傳輸腔體。在本步驟中，以圖IA為例，同樣利用傳輸裝置215將基板由該工藝腔體20內(nèi)取出，而向該傳輸腔體21內(nèi)移動(dòng)。當(dāng)基板 91進(jìn)入傳輸腔體21而與等離子體產(chǎn)生裝置22對(duì)應(yīng)時(shí)，則以步驟33使該等離子體產(chǎn)生裝置產(chǎn)生等離子體，以對(duì)由該工藝腔體進(jìn)入該傳輸腔體的該基板上的沉積層進(jìn)行表面平坦化處理。此外，當(dāng)該基板經(jīng)由該傳輸腔體進(jìn)入該工藝腔體內(nèi)時(shí)，更包括有使該等離子體產(chǎn)生裝置產(chǎn)生等離子體以對(duì)該基板表面進(jìn)行清潔的步驟。如圖6A與圖6B所示，該圖為現(xiàn)有沉積制作工藝結(jié)果與利用本發(fā)明的圖5的方法所進(jìn)行表面處理結(jié)果比較示意圖。其中圖6A的部分是僅單純進(jìn)行低壓氣相沉積制作工藝的結(jié)果，由該圖中可以發(fā)現(xiàn)沉積層的表面均方根(root mean square，RMS)值為34nm 42nm。經(jīng)過(guò)了圖5的表面處理流程之后，沉積層的表面平坦度結(jié)果如圖6B所示，其均方根值為Mnm ^nm,大幅度地改善沉積層表面的平坦度。形成圖6B的等離子體產(chǎn)生裝置所使用的電源為脈沖式直流電源，操作頻率30kHz，等離子體產(chǎn)生裝置與基板的距離為3mm， 以定功率模式操作，電壓為^v。要說(shuō)明的是，啟動(dòng)電壓產(chǎn)生裝置的電壓與等離子體產(chǎn)生裝置與沉積層間的距離有關(guān)，因此使用者是可視需要而決定相關(guān)的參數(shù)大小，并不以前述之值為限制。以上所述的僅為本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng)不能以之限制本發(fā)明范圍。即大凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化及修飾，仍將不失本發(fā)明的要義所在，也不脫離本發(fā)明的精神和范圍，故都應(yīng)視為本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施狀況。
權(quán)利要求
1.一種表面處理裝置，其包括有工藝腔體，其提供一沉積制作工藝使一基板上形成一沉積層，該工藝腔體具有第一開(kāi)口 ；傳輸腔體，其耦接于該工藝腔體的一側(cè)，該傳輸腔體內(nèi)具有空間，其與該工藝腔體相連通，且其一側(cè)具有第二開(kāi)口，與該第一開(kāi)口相對(duì)應(yīng)，該傳輸腔體上開(kāi)設(shè)有一開(kāi)槽，與該空間相連通，該傳輸腔體具有傳輸裝置，以將該基板由該傳輸腔體輸送至該工藝腔體或者是由該工藝腔體輸送至該傳輸腔體；等離子體產(chǎn)生裝置，其設(shè)置在該開(kāi)槽上；以及控制單元，其與該等離子體產(chǎn)生裝置電連接，該控制單元使該等離子體產(chǎn)生裝置產(chǎn)生等離子體以對(duì)由該工藝腔體進(jìn)入該傳輸腔體的一基板上的一沉積層進(jìn)行表面平坦化處理。
2.如權(quán)利要求1所述的表面處理裝置，其中該等離子體產(chǎn)生裝置為一線型等離子體產(chǎn)生裝置，包括有等離子體模塊，其具有負(fù)極座以及正極棒，該負(fù)極座為一長(zhǎng)方體且容置于該開(kāi)槽內(nèi)，該負(fù)極座具有多個(gè)第一氣體通道以及與該多個(gè)第一氣體通道相連通以及提供容置該正極棒的一容置槽，該容置槽在該負(fù)極座上的第一側(cè)面上具有至少一排通孔，其與該容置槽相連通，該正極棒的表面具有一介電材料層。
3.如權(quán)利要求2所述的表面處理裝置，其中該負(fù)極座相對(duì)于該第一側(cè)面的第二側(cè)面上開(kāi)設(shè)有至少一氣體平衡槽，其與該多個(gè)第一氣體通道相連通，該側(cè)面上還設(shè)置有蓋體，該蓋體對(duì)應(yīng)該氣體平衡槽的位置上開(kāi)設(shè)有多個(gè)進(jìn)氣孔。
4.如權(quán)利要求2所述的表面處理裝置，其中該容置槽兩側(cè)面上還分別設(shè)置有多個(gè)第二氣體通道。
5.如權(quán)利要求4所述的表面處理裝置，其中該第一側(cè)面上具有蓋板，其上開(kāi)設(shè)有多個(gè)第一進(jìn)氣孔以及多個(gè)第二進(jìn)氣孔，該多個(gè)第一進(jìn)氣孔與該第一氣體通道相連通，而該多個(gè)第二進(jìn)氣孔則分別與該多個(gè)第二氣體通道相連通。
6.如權(quán)利要求2所述的表面處理裝置，其中該負(fù)極座在該容置槽兩側(cè)的側(cè)面上還分別設(shè)置有冷卻單元，每一冷卻單元具有至少一冷卻水道。
7.如權(quán)利要求1所述的表面處理裝置，其中該傳輸腔體內(nèi)對(duì)應(yīng)該等離子體產(chǎn)生裝置的位置上還具有金屬板。
8.如權(quán)利要求1所述的表面處理裝置，其中該控制單元在該基板進(jìn)入該工藝腔體內(nèi)之前，還包括有使該等離子體產(chǎn)生裝置產(chǎn)生等離子體以對(duì)該基板表面進(jìn)行清潔處理的步驟。
9.如權(quán)利要求1所述的表面處理裝置，其中該沉積制作工藝為一低壓化學(xué)氣相沉積制作工藝。
10.如權(quán)利要求1所述的表面處理裝置，其中該等離子體產(chǎn)生裝置在真空或者是大氣環(huán)境下產(chǎn)生等離子體。
11.如權(quán)利要求1所述的表面處理裝置，其中該等離子體產(chǎn)生裝置所使用的電源為脈沖式直流電源，操作頻率30kHz，等離子體產(chǎn)生裝置與該基板的距離為3mm，以定功率模式操作，電壓為^v。
12.—種表面處理方法，其包括有下列步驟提供一表面處理裝置，其包括有工藝腔體、傳輸腔體以及等離子體產(chǎn)生裝置，該傳輸腔體，其耦接于該工藝腔體的一側(cè)，該傳輸腔體內(nèi)具有空間，該傳輸腔體上開(kāi)設(shè)有開(kāi)槽，其與該空間相連通，該等離子體產(chǎn)生裝置設(shè)置于該開(kāi)槽上；經(jīng)由該傳輸腔體提供一基板進(jìn)入該工藝腔體內(nèi)以對(duì)該基板進(jìn)行一沉積制作工藝，使該基板上形成有一沉積層；在沉積制作工藝完畢之后，將該基板由該工藝腔體移動(dòng)至該傳輸腔體；以及使該等離子體產(chǎn)生裝置產(chǎn)生等離子體以對(duì)由該工藝腔體進(jìn)入該傳輸腔體的該基板上的該沉積層進(jìn)行表面平坦化處理。
13.如權(quán)利要求12所述的表面處理方法，其中該等離子體產(chǎn)生裝置包括有等離子體模塊，其具有負(fù)極座以及正極棒，該負(fù)極座為一長(zhǎng)方體且容置于該開(kāi)槽內(nèi)，該負(fù)極座具有多個(gè)第一氣體通道以及與該多個(gè)第一氣體通道相連通以及提供容置該正極棒的一容置槽，該容置槽在該負(fù)極座上的第一側(cè)面上具有至少一排通孔，其與該容置槽相連通，該正極棒的表面具有一介電材料層。
14.如權(quán)利要求13所述的表面處理方法，其中該負(fù)極座相對(duì)于該第一側(cè)面的第二側(cè)面上開(kāi)設(shè)有至少一氣體平衡槽，其與該多個(gè)第一氣體通道相連通，該側(cè)面上還設(shè)置有蓋體，該蓋體對(duì)應(yīng)該氣體平衡槽的位置上開(kāi)設(shè)有多個(gè)進(jìn)氣孔。
15.如權(quán)利要求13所述的表面處理方法，其中該容置槽兩側(cè)面上還分別設(shè)置有多個(gè)第二氣體通道。
16.如權(quán)利要求15所述的表面處理方法，其中該第一側(cè)面上具有蓋板，其上開(kāi)設(shè)有多個(gè)第一進(jìn)氣孔以及多個(gè)第二進(jìn)氣孔，該多個(gè)第一進(jìn)氣孔與該第一氣體通道相連通，而該多個(gè)第二進(jìn)氣孔則分別與該多個(gè)第二氣體通道相連通。
17.如權(quán)利要求13所述的表面處理方法，其中該容置槽兩側(cè)面上還分別設(shè)置有冷卻單元，每一冷卻單元具有至少一冷卻水道。
18.如權(quán)利要求12所述的表面處理方法，其中該傳輸腔體內(nèi)對(duì)應(yīng)該等離子體產(chǎn)生裝置的位置上還具有金屬板。
19.如權(quán)利要求12所述的表面處理方法，其中在該基板經(jīng)由該傳輸腔體進(jìn)入該工藝腔體內(nèi)時(shí)，還包括有使該等離子體產(chǎn)生裝置產(chǎn)生等離子體以對(duì)該基板表面進(jìn)行清潔處理的步馬聚ο
20.如權(quán)利要求12所述的表面處理方法，其中該等離子體產(chǎn)生裝置在真空或者是大氣環(huán)境下產(chǎn)生等離子體。
21.如權(quán)利要求12所述的表面處理方法，其中該等離子體產(chǎn)生裝置所使用的電源為脈沖式直流電源，操作頻率30kHz，等離子體產(chǎn)生裝置與該基板的距離為3mm，以定功率模式操作，電壓為^v。
全文摘要
本發(fā)明提供一種表面處理裝置及其方法，該表面處理裝置包括有工藝腔體、傳輸腔體以及等離子體產(chǎn)生裝置。該工藝腔體，其提供一沉積制作工藝。該傳輸腔體，其耦接于該工藝腔體的一側(cè)，該傳輸腔體上開(kāi)設(shè)有一開(kāi)槽以提供容置該等離子體產(chǎn)生裝置。該等離子體產(chǎn)生裝置產(chǎn)生等離子體并將等離子體導(dǎo)引至該傳輸腔體內(nèi)。利用該表面處理裝置，本發(fā)明更提供一種表面處理方法，當(dāng)一基板在該工藝腔體內(nèi)完成沉積制作工藝之后，由該工藝腔體進(jìn)入該傳輸腔體的過(guò)程中，使該等離子體產(chǎn)生裝置產(chǎn)生等離子體以對(duì)該沉積層進(jìn)行表面平坦化處理。
文檔編號(hào)H01L21/00GK102315087SQ20101022106
公開(kāi)日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2010年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者張志振, 楊宏仁, 林士欽, 梁沐旺, 簡(jiǎn)榮禎 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院