專利名稱：半導(dǎo)體元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件，特別涉及一種半導(dǎo)體元件，其在圖案化基板的凸塊 (具有多個晶格方向)上的外延層實質(zhì)上具有單一晶格方向，以便降低缺陷密度并提升靜電放電(ESD)防護(hù)能力。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體元件(例如發(fā)光二極管)，已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用在各種交通號志、車用電子、 液晶顯示器背光模塊以及一般照明等。發(fā)光二極管基本上是在基板上依序形成η型半導(dǎo)體層、發(fā)光區(qū)域、P型半導(dǎo)體層，并采用在P型半導(dǎo)體層及η型半導(dǎo)體層上形成電極，通過自半導(dǎo)體層注入的電洞與電子再結(jié)合，在發(fā)光區(qū)域上產(chǎn)生光束，其經(jīng)由P型半導(dǎo)體層上的透光性電極或基板射出發(fā)光二極管。用于制造可見光發(fā)光二極管的常用材料包括各種III-V 族化合物，包括用于制造綠、黃、橙或紅光發(fā)光二極管的磷化鋁鎵銦(AWaInP)以及用于制造藍(lán)光或紫外光發(fā)光二極管的氮化鎵(GaN)，其中氮化鎵發(fā)光二極管是成長在藍(lán)寶石基板上。然而，在現(xiàn)有的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)中，藍(lán)寶石基板與氮化鎵外延層之間的晶格系數(shù)差異 (lattice mismatch)很大，因而難以降低發(fā)光層的差排密度。中國臺灣專利公告第561632號揭示一種高外部量子效率的發(fā)光元件，其在基板的表面部分形成使發(fā)光區(qū)域產(chǎn)生的光散射或衍射的至少一個凹部及/或凸塊。凹部及/或凸塊的形狀可避免結(jié)晶缺陷形成于半導(dǎo)體層內(nèi)部。中國臺灣專利公告第1236773號揭示一種發(fā)光元件，其包含一基板及一形成在該基板上的外延體。該基板具有一基面及多個相間隔地由該基板的基面凹陷的凹槽。該外延體具有一基面及多個由該外延體的基面凸伸而出的凸柱。該外延體的凸柱是分別設(shè)置于該基板的凹槽內(nèi)。該基板的每一凹槽與該外延體的每一凸柱相配合界定出多個封閉孔。中國臺灣專利公告第1253771號揭示一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括基板、第一型摻雜半導(dǎo)體層、第一電極、發(fā)光層、第二型摻雜半導(dǎo)體層與第二電極。其中，基板具有一表面以及多個位于表面上的圓柱狀光子晶體，而第一型摻雜半導(dǎo)體層是配置于基板上以覆蓋這些光子晶體。發(fā)光層、第二型摻雜半導(dǎo)體層與第二電極是依序配置于部分的第一型摻雜半導(dǎo)體層上，而第一電極則是配置于未覆蓋有發(fā)光層的部分第一型摻雜半導(dǎo)體層上。由于具有光子晶體的基板能夠改善第一型摻雜半導(dǎo)體層的外延質(zhì)量，并增加正向出射發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的光能量，因此可有效提高發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率。武東星等人揭示一種近紫外光氮化物發(fā)光二極管，其發(fā)光波長約為410奈米(參見“成長在圖案化藍(lán)寶石基板上的近紫外光氮化銦鎵-氮化鎵發(fā)光二極管的加強(qiáng)輸出功率，” IEEE電子技術(shù)快報，第17卷，2005年2月2日，“Enhanced Output Power of Near-Ultraviolet InGaN-GaN LEDs Grown onPatterned Sapphire Substrates, " IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, VOL. 17，NO. 2，F(xiàn)EBRUARY 2005)。相較于現(xiàn)有的發(fā)光二極管，使用圖案化藍(lán)寶石基板的發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度提升約63 %。使用圖案化藍(lán)寶石基板的發(fā)光二極管操作在20mA的正向電流下的輸出功率及外部量子效率分別為10. 4mff及14. 1%。發(fā)光強(qiáng)度的提升主要?dú)w因于使用圖案化基板而降低螺紋狀差排(threading dislocations)及增加在橫向的取光效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體元件，其在圖案化基板上的外延層實質(zhì)上具有單一晶格方向，以便降低缺陷密度并提升靜電放電(ESD)防護(hù)能力。本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的一實施例包含一基板及設(shè)置于該基板上方的一外延層。該基板包含一上表面以及多個設(shè)置于該上表面的凸塊，該凸塊包含一頂面及多個壁面，該頂面實質(zhì)上平行于該上表面，該壁面夾置于該頂面與該上表面之間。該外延層在該上表面上方的晶格方向與在該壁面上方的晶格方向?qū)嵸|(zhì)相同。本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的另一實施例包含一基板及設(shè)置于該基板上方的一外延層。 該基板包含一上表面以及多個設(shè)置于該上表面的凸塊，該凸塊包含一頂面及多個壁面，該頂面實質(zhì)上平行于該上表面，該壁面夾置于該頂面與該上表面之間。該外延層具有單一晶格方向且實質(zhì)上覆蓋該基板及該凸塊的壁面，該外延層實質(zhì)上沒有空洞。上文已相當(dāng)廣泛地概述本發(fā)明的技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)，以使下文的本發(fā)明詳細(xì)描述得以獲得較佳了解。構(gòu)成本發(fā)明的保護(hù)范圍標(biāo)的的其它技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)將描述于下文。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識的人員應(yīng)了解，可相當(dāng)容易地利用下文揭示的概念與特定實施例可作為修改或設(shè)計其它結(jié)構(gòu)或工藝而實現(xiàn)與本發(fā)明相同的目的。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識的人員亦應(yīng)了解，這類等效建構(gòu)無法脫離所附的權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明的精神和范圍。通過參照前述說明及下列附圖，本發(fā)明的技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)得以獲得完全了解。


圖1為本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體元件的俯視圖；圖2為沿圖1的剖面線1-1線的剖示圖；圖3為本發(fā)明第一實施例的基板的俯視圖；圖4為本發(fā)明第一實施例的基板的掃瞄式電子影像；圖5為本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體元件的局部掃瞄式電子影像；圖6示出了圖5的掃瞄區(qū)域；圖7至圖10為本發(fā)明第一實施列的半導(dǎo)體元件的不同區(qū)域的納米電子束衍射圖；圖11為本發(fā)明比較例的半導(dǎo)體元件的局部掃瞄式電子影像；圖12至圖15為本發(fā)明比較例的半導(dǎo)體元件的不同區(qū)域的納米電子束衍射圖；圖16及圖17為現(xiàn)有技藝制備的外延層的表面形貌影像；以及圖18及圖19為本發(fā)明制備的外延層的表面形貌影像。其中，附圖標(biāo)記說明如下10半導(dǎo)體元件12 基板12A上表面
13緩沖層
14N型半導(dǎo)體層
16發(fā)光結(jié)構(gòu)
18P型半導(dǎo)體層
20接觸層
22導(dǎo)電透明層
24第一電極
26第二電極
30凸塊
32頂面
34壁面
36斜面
38底面
具體實施例方式為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題并提升發(fā)光效率，本案發(fā)明人提出使用圖案化藍(lán)寶石基板作為發(fā)光二極管的外延基板，通過圖案化藍(lán)寶石基板的凸塊的頂面、斜面及壁面以不同角度反射/衍射發(fā)光結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的光束，以便大幅地降低發(fā)光結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的光束在該半導(dǎo)體發(fā)光元件的內(nèi)部重復(fù)進(jìn)行反射，因而得以避免該光束被該發(fā)光結(jié)構(gòu)本身吸收而衰減消滅，以便提升取光效率(詳參美國專利申請案號12/327，367;發(fā)明名稱為半導(dǎo)體發(fā)光元件 ΓSEMICONDUCTORLIGHT-EMITTING DEVICE」)，其全文以引用方式并入本文中。然而，圖案化藍(lán)寶石基板的凸塊的頂面、斜面及壁面的晶向(orientation)不同且均可供外延成長，導(dǎo)致從不同晶向成長的晶粒在接觸形成膜層時，因晶向不同而無可避免地會形成孔洞狀缺陷(如圖16所示)。因此，后續(xù)外延成長的發(fā)光結(jié)構(gòu)內(nèi)部也形成孔洞狀缺陷(如圖17所示)，亦即發(fā)光結(jié)構(gòu)內(nèi)部的缺陷密度增加而導(dǎo)致半導(dǎo)體元件對靜電放電 (ESD)的防護(hù)能力降低。為了解決此一使用圖案化基板(具有多個晶格方向)所衍生的缺陷密度增加問題，本案發(fā)明人通過在外延工藝之前，先行在圖案化基板上實施一熱處理工藝，使得后續(xù)的外延工藝僅在一特定面向成長外延層，其它的面向并不會成長外延層，如此外延層實質(zhì)上具有單一晶格方向，解決了不同晶向成長的晶粒形成缺陷的問題，詳如下文所述。圖1為本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體元件10的俯視圖，圖2為沿圖1的剖面線1-1 線的剖示圖。在本發(fā)明的一實施例中，該半導(dǎo)體元件10包含一基板12、設(shè)置于該基板12上方的一緩沖層13、設(shè)置于該緩沖層13上方的一 N型半導(dǎo)體層14、設(shè)置于該N型半導(dǎo)體層14 上方的一發(fā)光結(jié)構(gòu)16、設(shè)置于該發(fā)光結(jié)構(gòu)16上方的一 P型半導(dǎo)體層18、設(shè)置于該P(yáng)型半導(dǎo)體層18上方的一接觸層20、設(shè)置于該接觸層20上方的一導(dǎo)電透明層22、設(shè)置于該N型半導(dǎo)體層14上的一第一電極24、以及設(shè)置于該導(dǎo)電透明層22上方的一第二電極26。圖3為本發(fā)明第一實施例的基板12的俯視圖，圖4為本發(fā)明第一實施例的基板12 的掃瞄式電子影像。在本發(fā)明的一實施例中，該基板12包含一上表面12A以及多個以周期方式設(shè)置于該上表面12A的凸塊30，該凸塊30排列成多個奇數(shù)列及多個偶數(shù)列，且在偶數(shù)列的各凸塊30位于鄰近奇數(shù)列的兩個凸塊30之間。在本發(fā)明的一實施例中，該凸塊30的高度介于0. 5至5微米之間，間隔介于0. 5至10微米之間，寬度介于0. 5至5微米之間。在本發(fā)明的一實施例中，該凸塊30包含一頂面32、三個壁面34以及三個斜面36， 其中該斜面36夾置于該頂面32與該壁面34之間。在本發(fā)明的一實施例中，該壁面34與該斜面36的傾斜度不同(即與該基板12的上表面12A的夾角不同)，兩者相連且夾角介于 90至180度之間。該凸塊30包含一底面38，該底面38具有三個轉(zhuǎn)角，且該轉(zhuǎn)角的連線呈弧狀，亦即該壁面34呈弧狀。圖5為本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體元件10的局部掃瞄式電子影像，圖6為圖5的掃瞄區(qū)域，圖7至圖10為本發(fā)明第一實施列的半導(dǎo)體元件10的不同區(qū)域的納米電子束衍射圖(Nano Beam Diffraction，NBD)。在本發(fā)明的一實施例中，該基板12為一藍(lán)寶石基板， 該N型半導(dǎo)體外延層14為一氮化鎵層，且在進(jìn)行外延工藝以成長該緩沖層13之前，先在一預(yù)定溫度下進(jìn)行一熱處理工藝，使得該壁面34實質(zhì)上不適合外延成長。在本發(fā)明的一實施例中，該處理工藝較佳地在1030°C至1050°C之間，200torrs的壓力，進(jìn)行約3分鐘，以便選擇性地移除在該上表面12A及該頂面32的懸鍵(dangling bonds)，使得該上表面12A及該頂面32適合外延成長；相對地，該凸塊30的壁面34則仍由懸鍵占據(jù)而不適合外延成長。 本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識的人員應(yīng)了解，在不背離所附權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明精神和范圍內(nèi)，該處理工藝可通過改變溫度、壓力或處理時間，抑或添加可改變表面環(huán)境的物種，而達(dá)成選擇性地移除懸鍵的目的。在該處理工藝之后，該外延層13的成長工藝起始于該上表面12A及該頂面32，再延伸至該凸塊30的壁面34，因此該外延層13在該上表面12上方的晶格方向與在該壁面34 上方的晶格方向?qū)嵸|(zhì)相同，如圖8及圖9所示。在本發(fā)明的一實施例中，該外延層13具有單一晶格方向且實質(zhì)上覆蓋該基板的上表面12A及該凸塊30的壁面34，且該外延層13內(nèi)部實質(zhì)上沒有空洞。特而言之，該外延層13在該壁面34上方的衍射圖與在該基板12的衍射圖相符，如圖10所示。如此，該外延層13及其上方的膜層內(nèi)部的缺陷密度大幅地降低， 亦即該半導(dǎo)體元件10的內(nèi)部缺陷密度降底，因而對靜電放電(ESD)具有較佳的防護(hù)能力。圖11為本發(fā)明比較例的半導(dǎo)體元件的局部掃瞄式電子影像，圖12至圖15為本發(fā)明比較例的半導(dǎo)體元件的不同區(qū)域的納米電子束衍射圖，其中在該緩沖層13的外延成長工藝前，在高于1050°C的溫度下進(jìn)行熱處理工藝。該熱處理工藝不僅移除了在該上表面 12A及該頂面32的懸鍵，亦一并移除該凸塊30的壁面34的懸鍵，使得該上表面12A、該頂面32及該壁面32均適合外延成長，而該外延層13的成長工藝可起始于該基板12的上表面12A或起始于該凸塊30的壁面34。因此，該外延層13在該基板12的上表面12A的晶格方向不同于該凸塊30的壁面34的晶格方向，如圖13及圖14所示。特而言之，該外延層13在該壁面34上方的衍射圖與在該基板12的衍射圖不相符，如圖15所示。如此，該外延層13及其上方的膜層內(nèi)部的缺陷密度增加，亦即該半導(dǎo)體元件10的內(nèi)部缺陷密度增加，因而對靜電放電(ESD)的防護(hù)能力降低。在本發(fā)明的一實施例中，該基板12包含絕緣透光材料，例如藍(lán)寶石(Sapphire)、 硅或碳化硅；該N型半導(dǎo)體層14、該發(fā)光結(jié)構(gòu)16及該P(yáng)型半導(dǎo)體層18包含III-V族材料，例如氮化鋁鎵、氮化鎵、氮化銦鎵、氮化鋁鎵銦、磷化鎵或磷砷化鎵；該接觸層20包含III-V族材料，例如氮化鋁鎵、氮化鎵、氮化銦鎵、氮化鋁鎵銦、磷化鎵或磷砷化鎵；該導(dǎo)電透明層22包含氧化銦、氧化錫或氧化銦錫；該發(fā)光結(jié)構(gòu)16可以是量子阱(quantum well)或是多重量子阱(multi-quantum well)，夾置于P型披覆層與N型披覆層之間。此外，該N型半導(dǎo)體層 14、該發(fā)光結(jié)構(gòu)16及該P(yáng)型半導(dǎo)體層18的材料亦可II-VI，其可選自硒化鋅鎘(SiCdk)、 硒化鋅鎂(ZnMgSe)、硒化鋅鋇(SiBak)、硒化鋅鈹(SiBek)、硒化鋅鈣(SiCak)、硒化鋅鍶(SiSrk)、硒硫化鋅鎘(ZnCdSk)、硒硫化鋅鎂(ZnMgSk)、碲化鋅鎘(SiCdTe)、碲化鋅鎂 (ZnMgiTe)、碲化鋅鋇(ZnBaiTe)、碲化鋅鈹SiBeiTe、碲化鋅鈣(SiCaiTe)、碲化鋅鍶(SiSriTe)、 碲硫化鋅鎘(SiCdSTe)及碲硫化鋅鎂(ZnMgSTe)組成的群。特而言之，該基板12上的膜層可采用外延機(jī)臺予以制備。在本發(fā)明的一實施例中，該頂面32為C面(0，0，1)，實質(zhì)上平行于該基板12的上表面12A。該凸塊30的工藝主要包含形成一屏蔽，其具有局部覆蓋該基板的圖案；進(jìn)行蝕刻工藝以局部去除未被該圖案覆蓋的基板，而于該圖案下方形成該凸塊30。在本發(fā)明的一實施例中，該蝕刻工藝為一濕蝕刻工藝，其蝕刻液包含磷酸。圖16及圖17為現(xiàn)有技藝制備的外延層的表面形貌影像。現(xiàn)有技藝使用圖4的基板，在進(jìn)行外延工藝以成長該緩沖層13的前，并未先行在一預(yù)定溫度下進(jìn)行一熱處理工藝使得該壁面34實質(zhì)上不適合外延成長，因此除了在C面(0，0，1)會成長外延層外，在其它的面向也會成長外延層，如圖16所示的緩沖層13的表面形貌影像?，F(xiàn)有技藝容許外延工藝在多個個長晶方向成長外延層，使得完成外延工藝的半導(dǎo)體元件的表面形貌在放大倍率為5，000倍即呈現(xiàn)明顯的孔洞缺陷，如圖17所示的P型半導(dǎo)體層18的表面形貌影像。圖18及圖19為本發(fā)明制備的外延層的表面形貌影像。本發(fā)明同樣使用圖4的基板，但在進(jìn)行外延工藝以成長該緩沖層13的前，先行在一預(yù)定溫度下進(jìn)行一熱處理工藝使得該壁面34實質(zhì)上不適合外延成長，因此外延工藝僅在C面(0，0，1)成長外延層，其它的面向并不會成長外延層，如圖18所示的緩沖層13的表面形貌影像。本發(fā)明控制外延工藝僅得在單一長晶方向成長外延層，有效地降低缺陷的產(chǎn)生，即使將表面形貌影像的放大倍率為50，000倍時，仍無法觀察到明顯孔洞缺陷，如圖19所示的P型半導(dǎo)體層18的表面形貌影像。本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識的人員應(yīng)了解，在不背離后附申請專利范圍所界定的本發(fā)明精神和范圍內(nèi)，本發(fā)明的教示及揭示可作種種的替換及修飾。例如，上文揭示的許多工藝可以不同的方法實施或以其它工藝予以取代，或者采用上述二種方式的組合。此外，本案的權(quán)利范圍并不局限于上文揭示的特定實施例的工藝、機(jī)臺、制造、物質(zhì)的成份、裝置、方法或步驟。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)了解，基于本發(fā)明教示及揭示工藝、機(jī)臺、制造、物質(zhì)的成份、裝置、方法或步驟，無論現(xiàn)在已存在或日后開發(fā)者，其與本案實施例揭示者以實質(zhì)相同的方式執(zhí)行實質(zhì)相同的功能，而達(dá)到實質(zhì)相同的結(jié)果，亦可使用于本發(fā)明。因此，所附的權(quán)利要求書的范圍用以涵蓋用以此類工藝、機(jī)臺、制造、物質(zhì)的成份、裝置、方法或步驟。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體元件，包含一基板，包含一上表面以及多個設(shè)置于該上表面的凸塊，該凸塊包含一頂面及多個壁面，該頂面實質(zhì)上平行于該該上表面，該壁面夾置于該頂面與該上表面之間；以及一外延層，設(shè)置于該基板上方，該外延層在該上表面上方的晶格方向與在該壁面上方的晶格方向?qū)嵸|(zhì)相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該凸塊包含多個斜面，該斜面夾置于該頂面與該壁面之間，且各斜面位于兩個壁面之間，該外延層在該斜面上方的晶格方向與在該壁面上方的晶格方向?qū)嵸|(zhì)相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該壁面與該斜面的傾斜度不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該壁面與該斜面相連，且夾角介于90至 180度之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該壁面呈弧狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該外延層在該壁面上方的衍射圖與在該基板的衍射圖相符。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該頂面為一C面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該凸塊以周期性方式設(shè)置于該上表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該凸塊排列成多個奇數(shù)列及多個偶數(shù)列， 且在偶數(shù)列的各凸塊位于鄰近奇數(shù)列的兩個凸塊之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該凸塊的高度介于0.5至5微米之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該凸塊的間隔介于0.5至10微米之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該凸塊的寬度介于0.5至5微米之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該半導(dǎo)體元件還包含一發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置于該外延層上方。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，其中該凸塊經(jīng)配置以散射/衍射該發(fā)光結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的光線。
15.一種半導(dǎo)體元件，包含一基板，包含一上表面以及多個設(shè)置于該上表面的凸塊，該凸塊包含一頂面及多個壁面，該頂面實質(zhì)上平行于該上表面，該壁面夾置于該頂面與該上表面之間；以及一外延層，設(shè)置于該基板上方，該外延層具有單一晶格方向且實質(zhì)上覆蓋該基板及該凸塊的壁面，該外延層實質(zhì)上沒有空洞。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其中該凸塊包含多個斜面，該斜面夾置于該頂面與該壁面之間，且各斜面位于兩個壁面之間，該外延層在該斜面上方的晶格方向與在該壁面上方的晶格方向?qū)嵸|(zhì)相同。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件，其中該壁面與該斜面的傾斜度不同。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件，其中該壁面與該斜面相連，且夾角介于90至 180度之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件，其中該壁面呈弧狀。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其中該外延層在該壁面上方的衍射圖與在該基板的衍射圖相符。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其中該頂面為一C面。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其中該凸塊以周期性方式設(shè)置于該上表面。
23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其中該凸塊排列成多個奇數(shù)列及多個偶數(shù)列，且在偶數(shù)列的各凸塊位于鄰近奇數(shù)列的兩個凸塊之間。
24.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其中該凸塊的高度介于0.5至5微米之間。
25.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其中該凸塊的間隔介于0.5至10微米之間。
26.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其中該凸塊的寬度介于0.5至5微米之間。
27.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其中該半導(dǎo)體元件還包含一發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置于該外延層上方。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體元件，其中該凸塊經(jīng)配置以散射/衍射該發(fā)光結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的光線。
全文摘要
在本發(fā)明的一實施例中，半導(dǎo)體元件包含一基板及設(shè)置于該基板上方的一外延層。該基板包含一上表面以及多個設(shè)置于該上表面的凸塊，該凸塊包含一頂面及多個壁面，該頂面實質(zhì)上平行于該該上表面，該壁面夾置于該頂面與該上表面之間。在本發(fā)明的一實施例中，該外延層在該上表面上方的晶格方向與在該壁面上方的晶格方向?qū)嵸|(zhì)相同。
文檔編號H01L33/16GK102201510SQ20101022171
公開日2011年9月28日 申請日期2010年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月26日
發(fā)明者程志青, 童敬文 申請人:廣鎵光電股份有限公司