專利名稱：：半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片和半導(dǎo)體晶圓的切割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片和使用該粘合片的半導(dǎo)體晶圓的切割方法。
背景技術(shù)：
：近年來(lái)，在1個(gè)半導(dǎo)體封裝中裝載多個(gè)半導(dǎo)體芯片的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)在實(shí)現(xiàn)電子儀器的高性能且小型輕量化方面成為非常重要的技術(shù)。關(guān)于目前的SiP產(chǎn)品，在層壓LSI芯片后，通過(guò)引線接合技術(shù)將所層壓的每個(gè)芯片的突起電極和電路基板進(jìn)行接線的方法正成為主流。另一方面，作為實(shí)現(xiàn)更高密度且可靠性高的安裝的技術(shù)，也采用對(duì)形成有貫通電極的芯片進(jìn)行層壓的方法。具有貫通電極的半導(dǎo)體晶圓在晶圓的兩面形成高度為150μm的突起電極，是兩面具有凹凸的半導(dǎo)體晶圓。在切割這種半導(dǎo)體晶圓時(shí)，在半導(dǎo)體晶圓的一個(gè)面上粘貼切割用粘合片，但粘貼面也存在突起電極引起的凹凸。因此，以往所使用的切割帶無(wú)法追隨于晶圓表面的凹凸，無(wú)法完全進(jìn)行粘貼。其結(jié)果，切割時(shí)會(huì)產(chǎn)生芯片飛濺、切削水和切削屑所引起的污染或芯片的破損等，從而存在使芯片的可靠性顯著降低、并顯著降低成品率的問(wèn)題。與此相對(duì)，提出了一種切割帶，其能夠用于保護(hù)表面具有凹凸的半導(dǎo)體晶圓以避免切割時(shí)的切削屑和切削水的影響(例如，專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2001-203255號(hào)公報(bào))。該切割帶通過(guò)用彈性模量為30IOOOkPa的中間層掩埋形成有突起電極的半導(dǎo)體晶圓的凹凸，從而防止切削水所引起的污染和晶圓的破損。另外，還提出了一種在粘合劑層中引入氣泡并將半導(dǎo)體晶圓的突起埋入粘合劑層中從而進(jìn)行切割的工序(例如，專利文獻(xiàn)2日本特開(kāi)2006-13452號(hào)公報(bào))。然而，若中間層或粘合劑層過(guò)于柔軟，則會(huì)存在芯片破裂(碎裂)所導(dǎo)致的可靠性和成品率的顯著降低的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的問(wèn)題本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而進(jìn)行的，目的在于提供一種半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片和使用該粘合片的半導(dǎo)體晶圓的切割方法，所述半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片即使在半導(dǎo)體晶圓的表面存在凹凸等的情況下，也能夠良好地追隨于該凹凸，且能夠防止粘合片粘貼面的浸水、污染、芯片飛濺(chipflying)、碎裂(chipping)等。用于解決問(wèn)題的方案本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片的特征在于，該半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片至少由基材、中間層和粘合劑層層壓而成，所述中間層由熔點(diǎn)為50100°C的熱塑性樹(shù)脂形成，所述基材的熔點(diǎn)高于所述中間層的熔點(diǎn)。這種半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片優(yōu)選將所述基材、中間層和粘合劑層按照該順序進(jìn)行層壓而成。另外，所述基材的熔點(diǎn)優(yōu)選為比中間層的熔點(diǎn)高20°C以上。此外，所述粘合劑層優(yōu)選為以丙烯酸系聚合物作為主要成分。所述中間層的厚度優(yōu)選為3200μm。所述粘合劑層的厚度優(yōu)選為160μm。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓的切割方法的特征在于，將上述的粘合片粘貼到晶圓的凹凸表面來(lái)切割半導(dǎo)體晶圓。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片，其即使在半導(dǎo)體晶圓的表面存在凹凸等的情況下，也能夠良好地追隨于該凹凸，且能夠防止粘合片粘貼面的浸水、污染、芯片飛濺、碎裂等。另外，通過(guò)使用這種粘合片，能夠提供一種可提高成品率的半導(dǎo)體晶圓的切割方法。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片主要包含基材、中間層和粘合劑層而構(gòu)成。中間層通常優(yōu)選配置于基材與粘合劑層之間。另外，中間層適合通過(guò)熱塑性樹(shù)脂形成。作為熱塑性樹(shù)脂，可列舉出例如聚乙烯(PE)；聚丁烯；乙烯-丙烯共聚物(EPM)；乙烯-丙烯-二烯共聚物(EPDM)；乙烯-丙烯酸乙酯共聚物(EEA)；乙烯-丙烯酸酯-馬來(lái)酸酐共聚物(EEAMAH)；乙烯-甲基丙烯酸縮水甘油酯共聚物(EGMA)、乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)等乙烯共聚物或聚烯烴系共聚物；丁二烯系彈性體、乙烯-異戊二烯系彈性體、酯系彈性體等熱塑性彈性體；熱塑性聚酯聚十二酰胺系共聚物等聚酰胺系樹(shù)脂；聚氨酯；聚苯乙烯系樹(shù)脂；賽璐酚；聚丙烯酸酯；甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹(shù)脂；氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物等聚氯乙烯等。其中，優(yōu)選為選自乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物、低密度聚乙烯、離聚物中的至少1種共聚物。它們可以單獨(dú)或組合2種以上使用。另外，關(guān)于中間層，在后述的粘合劑層使用輻射固化型粘合劑的情況下，為了使輻射通過(guò)中間層等而照射，適合用規(guī)定量以上的能夠透射輻射的材料(例如，具有透明性的樹(shù)脂等)而構(gòu)成。構(gòu)成中間層的熱塑性樹(shù)脂的熔點(diǎn)適合為50100°C左右，優(yōu)選為5095°C左右，更優(yōu)選為5090°C左右，進(jìn)一步優(yōu)選為6090°C左右。若熔點(diǎn)過(guò)低，則接近切割時(shí)的環(huán)境溫度，因而中間層會(huì)軟化，容易因切割而產(chǎn)生中間層的振動(dòng)和變形，該變形等會(huì)誘發(fā)被切斷體即晶圓的位置偏移。由此，可能會(huì)導(dǎo)致以碎裂為代表的芯片缺損、切斷品質(zhì)的降低等。另外，產(chǎn)品搬運(yùn)等的環(huán)境溫度也同樣地可能會(huì)產(chǎn)生中間層變形等問(wèn)題。若熔點(diǎn)過(guò)高，則雖然能夠利用加熱而粘貼到半導(dǎo)體晶圓上，但在裝置和安全方面，粘貼等操作變得困難。另一方面，通過(guò)使中間層的熔點(diǎn)在該范圍內(nèi)，在將粘合片粘貼到具有凹凸的半導(dǎo)體晶圓上時(shí)，粘合片粘貼面即晶圓表面的突起被中間層所固定，在切割時(shí)能夠牢固地固定晶圓，且能夠抑制晶圓的破損。尤其是，通過(guò)將粘合片加熱粘貼到具有凹凸的晶圓表面上，中間層適度地柔軟化，從而能夠確實(shí)地追隨于凹凸，且確實(shí)地實(shí)現(xiàn)晶圓凹凸的保護(hù)和防止研磨屑、研磨水浸入晶圓表面，并防止芯片飛濺。另外，切割時(shí)，通過(guò)恢復(fù)到常溫，中間層變硬，可保持晶圓芯片的位置，即使因切割時(shí)的振動(dòng)也不會(huì)使晶圓芯片移動(dòng)，可防止碎裂等芯片破損等，能夠良好地保持可靠性和成品率的精度。熔點(diǎn)是指利用DSC根據(jù)JISK7121測(cè)定的值。中間層的厚度可以在不損害晶圓的保持性和保護(hù)性的范圍內(nèi)適宜調(diào)整。例如，適合為3200μm左右，優(yōu)選為3150μm左右，更優(yōu)選為3120μm左右，進(jìn)一步優(yōu)選為5120μπι左右。若中間層的厚度過(guò)小，則難以追隨于半導(dǎo)體晶圓表面的凹凸，切割時(shí)會(huì)產(chǎn)生芯片飛濺和由切削屑或切削水所導(dǎo)致的污染。另一方面，若中間層的厚度過(guò)大，則粘合片的粘貼需要花費(fèi)時(shí)間，操作效率降低，切割精度下降，由此芯片缺損、難以維持熱層壓時(shí)的產(chǎn)品形狀。另一方面，通過(guò)使中間層的厚度在該范圍內(nèi)，在以中間層的熔點(diǎn)進(jìn)行層壓時(shí)，對(duì)于半導(dǎo)體晶圓表面所存在的突起的追隨性變得良好?；倪m合通過(guò)熔點(diǎn)高于中間層熔點(diǎn)的材料形成。例如，優(yōu)選為高20°C左右以上，更優(yōu)選高25°C左右以上、進(jìn)而優(yōu)選30°C左右以上、特別優(yōu)選40°C左右以上。基材的軟化點(diǎn)等根據(jù)其種類而異，但若基材的軟化點(diǎn)與中間層的熔點(diǎn)的溫度差較小，則無(wú)法穩(wěn)定地進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓與粘合片的粘貼。另一方面，若基材的軟化點(diǎn)與中間層的熔點(diǎn)的溫度差變大，則即使在加熱的狀態(tài)下也能夠穩(wěn)定地粘貼?；目梢允褂镁埘?PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯系薄膜，聚酰亞胺(PI)等芳香族聚酰亞胺系薄膜，聚丙烯(PP)等聚烯烴系薄膜等。這些材料可以單獨(dú)使用或2種以上組合使用，基材可以是單層或2層以上的層壓結(jié)構(gòu)。基材的厚度通常適合為5400μm左右，優(yōu)選為10300μm左右，更優(yōu)選為30200μm左右。關(guān)于基材，在后述的粘合劑層使用輻射固化型粘合劑的情況下，為了使輻射通過(guò)基材而照射，適合用規(guī)定量以上的能夠透射輻射的材料(例如，具有透明性的樹(shù)脂等)而構(gòu)成?；目梢酝ㄟ^(guò)公知的成膜方法、例如濕式澆鑄法、吹脹法(inflationmethod)、T模擠出法等而形成?；目梢允菬o(wú)拉伸的基材，也可以是進(jìn)行了單軸或雙軸拉伸處理的基材中的任一種。另外，中間層可以通過(guò)上述方法與基材分別形成，可以在基材上層壓，也可以通過(guò)上述方法與基材一起同時(shí)形成?；暮椭虚g層可以在其單面或兩面進(jìn)行例如消光處理、電暈處理、底涂處置、交聯(lián)處理(化學(xué)交聯(lián)(硅烷))等物理或化學(xué)處理。尤其是，優(yōu)選在中間層的粘合劑層的層壓側(cè)進(jìn)行這些處理。作為粘合劑層，可以使用該領(lǐng)域中公知的粘合劑，例如壓敏性粘合劑。具體而言，可以利用丙烯酸系粘合劑、硅酮系粘合劑、橡膠系粘合劑等各種粘合劑。其中，從對(duì)于半導(dǎo)體晶圓的粘接性、剝離后的半導(dǎo)體晶圓的利用超純水和醇等有機(jī)溶劑的清凈/洗滌性等觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選以丙烯酸系聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸系粘合劑。作為丙烯酸系聚合物，可列舉出使用了例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯等(甲基)丙烯酸(^(^(尤其優(yōu)選為C4C18直鏈或支鏈)烷基酯等(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯(例如，環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)等的1種或2種以上的單體成分的丙烯酸系聚合物。關(guān)于這些丙烯酸系單體的使用量，在作為構(gòu)成粘合劑的聚合物的原料的全部單體中適合以6099重量％左右的范圍含有。另外，本說(shuō)明書中，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸和甲基丙烯酸。為了內(nèi)聚力、耐熱性等的改性，根據(jù)需要，丙烯酸系聚合物也可以是上述單體與其他共聚性單體的共聚物等。作為其他共聚性單體，可列舉出例如(甲基)丙烯酸、巴豆酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、富馬酸、馬來(lái)酸、馬來(lái)酸酐等含有羧基或酸酐基的單體；(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環(huán)己基)甲酯等含有羥基的單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、磺丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含有磺酸基的單體；2-羥基乙基丙烯?；姿狨サ群辛姿峄膯误w；(甲基)丙烯酸嗎啉酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等含有氨基的單體等。另外，作為其他共聚性單體，可以使用醋酸乙烯酯等乙烯酯類；苯乙烯等苯乙烯系單體；丙烯腈等含有氰基的單體；環(huán)狀或非環(huán)狀的(甲基)丙烯酰胺類等作為丙烯酸系壓敏性粘合劑的改性用單體已知的各種單體。其中，優(yōu)選為(甲基)丙烯酸，更優(yōu)選為丙烯酸。這種單體由于使聚合物產(chǎn)生交聯(lián)鍵，因而是有效的。它們可以單獨(dú)或2種以上組合使用。其他共聚性單體適合為包含丙烯酸系單體在內(nèi)的全部單體的50重量％以下，優(yōu)選為140重量％。此外，為了進(jìn)行交聯(lián)處理等，根據(jù)需要還可以含有多官能性單體等。作為這種單體，可列舉出例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸尿烷酯等。這些多官能性單體可以使用1種或2種以上。從粘合特性等觀點(diǎn)出發(fā)，多官能性單體的使用量?jī)?yōu)選為全部單體的30重量％以下。另外，通過(guò)在交聯(lián)劑的存在下使包含具有羧基、羥基、環(huán)氧基、氨基等官能團(tuán)的單體(例如，丙烯酸系單體)的單體混合物聚合，能夠獲得具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)的聚合物。這種聚合物通過(guò)包含在粘合劑層中，從而自我保持性提高，且能夠防止粘合片的變形，能夠維持粘合片的平板狀態(tài)。因此，能夠使用自動(dòng)粘貼裝置等在半導(dǎo)體晶圓上準(zhǔn)確、且簡(jiǎn)單地粘貼。丙烯酸系聚合物通過(guò)使單一單體或2種以上的單體混合物聚合而獲得。聚合可以使用溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等任意方法。通過(guò)這些方法合成的聚合物可以直接作為粘合劑的基礎(chǔ)聚合物使用，但通常為了提高粘合劑的內(nèi)聚力而適合配合交聯(lián)劑、其他添加劑等。丙烯酸系聚合物的重均分子量適合為30萬(wàn)左右以上，優(yōu)選為40300萬(wàn)左右。另外，聚合物的重均分子量可以通過(guò)凝膠滲透色譜法(GPC法)求出。作為粘合劑，為了提高作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸系聚合物等的重均分子量，或者在合成丙烯酸系聚合物時(shí)添加作為內(nèi)部交聯(lián)劑的多官能(甲基)丙烯酸酯等，或者可以在合成丙烯酸系聚合物后添加作為外部交聯(lián)劑的多官能的環(huán)氧系化合物、異氰酸酯系化合物、氮丙啶系化合物、蜜胺系化合物等。另外，可以通過(guò)照射輻射而施加交聯(lián)處理。其中，優(yōu)選添加外部交聯(lián)劑。這里，多官能是指2官能以上。作為多官能環(huán)氧化合物，可列舉出例如山梨糖醇四縮水甘油醚、三羥甲基丙烷縮水甘油醚、四縮水甘油基-1，3_雙氨基甲基環(huán)己烷、四縮水甘油基間苯二甲胺、三縮水甘油基對(duì)氨基苯酚等。作為多官能異氰酸酯化合物，可列舉出例如二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等。作為氮丙啶系化合物，可列舉出例如2，2_雙羥基甲基丁醇-三[3-(1_氮丙啶基)丙酸酯]、4，4-雙(乙烯亞氨基羰基氨基)二苯基甲烷等。作為蜜胺系化合物，可列舉出例如六甲氧基甲基蜜胺等。這些交聯(lián)劑可以單獨(dú)或組合2種以上使用。使用量可以根據(jù)丙烯酸系聚合物的組成、分子量等而適宜調(diào)整。此時(shí)，為了促進(jìn)反應(yīng)，可以使用通常用在粘合劑中的二丁基錫月桂酯等交聯(lián)催化劑。此外，本發(fā)明的粘合劑層中可以適宜選擇并添加軟化劑、抗老化劑、固化劑、填充劑、紫外線吸收劑、光穩(wěn)定劑、聚合引發(fā)劑等中的1種以上。另外，這些物質(zhì)可以單獨(dú)或組合2種以上使用。這些添加劑可以使用本領(lǐng)域中公知的任意添加劑。作為聚合引發(fā)劑，可以使用過(guò)氧化氫、過(guò)氧化苯甲酰、叔丁基過(guò)氧化物等過(guò)氧化物系等。聚合引發(fā)劑期望為單獨(dú)使用，但也可以與還原劑組合而作為氧化還原系聚合引發(fā)劑使用。作為還原劑，可列舉出例如亞硫酸鹽、亞硫酸氫鹽，鐵、銅、鈷鹽等離子化的鹽，三乙醇胺等胺類，醛糖、酮糖等還元糖等。此外，可以使用2，2’-偶氮雙-2-甲基丙脒酸鹽、2，2’-偶氮雙_2，4_二甲基戊腈、2，2’-偶氮雙-N，N’-二亞甲基異丁基脒酸鹽、2，2’-偶氮雙異丁腈、2，2’-偶氮雙-2-甲基-N-(2-羥基乙基)丙酰胺等偶氮化合物。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用，也可以2種以上并用。粘合劑層中，作為光聚合引發(fā)劑，優(yōu)選添加具有如下作用的物質(zhì)通過(guò)照射紫外線而激發(fā)、活化并生成自由基，通過(guò)自由基聚合而使多官能低聚物固化。由此，能夠形成輻射固化型的粘合劑層，在粘合片的粘貼時(shí)，由于通過(guò)低聚物成分而對(duì)粘合劑賦予了塑性流動(dòng)性，因而粘貼變得容易，而且在粘合片的剝離時(shí)，能夠照射輻射而使粘合劑層固化，有效地降低粘合力。這里，輻射固化型的粘合劑層是指，通過(guò)照射(例如，50mJ/cm2左右以上)輻射(電子束、紫外線、可見(jiàn)光、紅外線等)而交聯(lián)/固化，從而降低粘合性。具體而言，為了使粘合劑為輻射固化型粘合劑，適合在(甲基)丙烯酸尿烷酯低聚物中含有配合了單體成分和光聚合引發(fā)劑并使其光聚合而成的聚合物。這里，作為(甲基)丙烯酸尿烷酯低聚物，例如，可列舉出分子量為50010萬(wàn)左右、優(yōu)選為10003萬(wàn)的低聚物，且為以酯/二醇作為主骨架的2官能化合物。作為單體成分，可列舉出(甲基)丙烯酸嗎啉酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、二環(huán)戊基(甲基)丙烯酸酯、二環(huán)戊烯基(甲基)丙烯酸酯、甲氧基化環(huán)癸三烯(甲基)丙烯酸酯等。(甲基)丙烯酸尿烷酯系低聚物與單體成分的混合比優(yōu)選為低聚物單體成分=955595(重量％)，進(jìn)一步優(yōu)選為50705030(重量％)。作為光聚合引發(fā)劑，可列舉出例如，甲氧基苯乙酮、2，2_二乙氧基苯乙酮、4-苯氧基二氯苯乙酮、4-叔丁基二氯苯乙酮、二乙氧基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-(4_異丙基苯基)-2_羥基-2-甲基丙烷-1-酮、1-(4_十二烷基苯基)-2_羥基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2_羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮、2-甲基_1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代-1-丙烷、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮等苯乙酮系光聚合引發(fā)劑；4_(2_羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、a-羥基-a，a，-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮等a-酮醇化合物；苯偶酰二甲基縮酮等縮酮系化合物；苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚等苯偶姻系光聚合引發(fā)劑；二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、苯甲酰苯甲酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、羥基二苯甲酮、4-苯甲酰-4’-甲基二苯基硫化物、3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系光聚合引發(fā)劑；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4-二氯噻噸酮、2，4-二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系光聚合引發(fā)劑；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；1-苯酮-1，1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光學(xué)活性肟系化合物；a-?；旷?、甲基苯基乙醛酸酯、苯偶酰、樟腦醌、二苯并環(huán)庚酮、2-乙基蒽醌、4’，4”-二乙基間二苯甲?；郊淄?isophthalophenone)、鹵化酮、?；趸ⅰⅤ；⑺狨サ忍厥獾墓饩酆瞎璉發(fā)劑等?？紤]到反應(yīng)性，相對(duì)于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸系聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份，光聚合引發(fā)劑適合為0.1重量份左右以上，優(yōu)選為0.5重量份左右以上。另外，若過(guò)多，則粘合劑的保存性有降低的傾向，因而適合為15重量份左右以下，優(yōu)選為5重量份左右以下。另外，也可以添加上述以外的輻射固化性低聚物。作為這種低聚物，可以是聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物的選擇、組合。通常相對(duì)于基礎(chǔ)聚合物100重量份為30重量份以下，優(yōu)選為10重量份以下。粘合劑層適合在至少1層中含有分子中具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系聚合物作為主要成分。通過(guò)含有這種分子，與低聚物添加型相比，整體被交聯(lián)，因而能夠防止殘膠(adhesivedeposit)等。作為向丙烯酸系聚合物的分子內(nèi)側(cè)鏈中引入碳-碳雙鍵的方法，可以采用現(xiàn)有公知的各種方法。例如，可列舉出如下方法預(yù)先使具有官能團(tuán)的單體與丙烯酸系聚合物共聚，然后，使具有能與該官能團(tuán)發(fā)生加成反應(yīng)的官能團(tuán)以及碳-碳雙鍵的化合物以維持碳_碳雙鍵的輻射固化性的狀態(tài)進(jìn)行縮合或加成反應(yīng)。其原因在于分子設(shè)計(jì)較容易。作為這些官能團(tuán)的組合，可列舉出羧酸基和環(huán)氧基、羧酸基和氮丙啶基、羥基和異氰酸酯基等。其中，從反應(yīng)跟蹤的容易性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選羥基和異氰酸酯基的組合。在這些官能團(tuán)的組合中，各官能團(tuán)可以存在于丙烯酸系共聚物、和具有官能團(tuán)和聚合性碳-碳雙鍵的化合物的任一側(cè)。其中，優(yōu)選的是，丙烯酸系共聚物具有羥基，具有官能團(tuán)和聚合性碳_碳雙鍵的化合物具有異氰酸酯基。作為具有官能團(tuán)和聚合性碳_碳雙鍵的化合物，可列舉出例如甲基丙烯?；惽杷狨ァ?-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-a，a-二甲基芐基異氰酸酯、丙烯?；惽杷狨ァ?-丙烯酰氧基乙基異氰酸酯、1，1_雙(丙烯酰氧基甲基)乙基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸系共聚物，可列舉出使上述含羥基的單體、2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等醚系化合物共聚而成的物質(zhì)。具有聚合性碳_碳雙鍵的丙烯酸系共聚物可以單獨(dú)或配合2種以上使用。粘合劑層的厚度適合為160iim，優(yōu)選為150ym，更優(yōu)選為140ym，進(jìn)一步優(yōu)選為340ym。若粘合劑層厚度過(guò)小，則對(duì)于半導(dǎo)體晶圓的粘合力較低，具有產(chǎn)生芯片飛濺的傾向，若過(guò)大的話，則存在產(chǎn)生由于切割精度的降低而導(dǎo)致的芯片缺損、芯片側(cè)面的殘膠的傾向。本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片只要在基材的一個(gè)面上具備上述多個(gè)層即可，也可以在基材的兩面上具備單層或?qū)訅旱膶拥?。另外，為了保護(hù)粘合劑層，優(yōu)選在粘合劑層上層壓剝離薄膜直至使用時(shí)。此外，半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片的形態(tài)沒(méi)有特定限制，可以是片狀、帶狀等任意的形態(tài)。在制造本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片時(shí)，對(duì)于粘合劑層，可以將使用的聚合物根據(jù)需要而再溶解于有機(jī)溶劑中，并利用輥涂機(jī)等公知的涂布法直接涂布于基材上，從而形成薄膜。另外，也可以利用以下等方法在適當(dāng)?shù)膭冸x襯墊(隔片)上涂布而形成粘合劑層，并將其轉(zhuǎn)印(移動(dòng))到基材上。在通過(guò)轉(zhuǎn)印而形成的情況下，在轉(zhuǎn)印到基材上后，利用高壓釜處理等施加加熱加壓處理，從而能夠使在基材與粘合劑層的界面產(chǎn)生的空隙(void)擴(kuò)散并消失。另外，在利用溶液聚合、乳液聚合等制造聚合物的情況下，通過(guò)將得到的聚合物溶液或聚合物的水分散液用公知的方法涂布到基材或隔片等上，能夠形成粘合劑層。這樣形成的粘合劑層根據(jù)需要可以通過(guò)干燥工序、該工序后的光照射、電子射線照射工序等而進(jìn)行交聯(lián)處理。本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片被用于半導(dǎo)體裝置制造中，并能夠進(jìn)行再剝離。尤其是，對(duì)于半導(dǎo)體晶圓的表面，在存在規(guī)定高度(例如，10150i!m左右)的凹凸(例如，通過(guò)配置突起電極等)的半導(dǎo)體晶圓的一個(gè)面上粘貼，從而能夠作為半導(dǎo)體晶圓等的固定用的半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片、半導(dǎo)體等的保護(hù)/掩蔽用的半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片而禾ll用。另外，還能夠作為硅半導(dǎo)體背面研磨用的半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片、化合物半導(dǎo)體背面研磨用的半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片、硅半導(dǎo)體切割用的半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片、化合物半導(dǎo)體切割用的半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片、半導(dǎo)體封裝切割用的半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片、玻璃切割用的半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片、陶瓷切割用的半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片、半導(dǎo)體電路的保護(hù)用等而利用。尤其是，在研磨半導(dǎo)體晶圓背面時(shí)、或者將半導(dǎo)體晶圓磨削至極薄時(shí)和/或磨削大口徑晶圓時(shí)等，能夠在半導(dǎo)體晶圓的一個(gè)面上粘貼而使用。另外，本發(fā)明的粘合片適合在加熱后粘貼到半導(dǎo)體晶圓上。加熱粘貼是邊施加中間層的熔點(diǎn)以上的熱邊進(jìn)行粘貼的方法。作為粘貼方法，可以使用現(xiàn)有公知的方法，例如可列舉出如下方法利用輥一邊加壓一邊粘貼的方法；一邊減壓一邊使半導(dǎo)體晶圓與片材附著的方法；在片材背面設(shè)置球體(balloon)并使球體膨脹，從而進(jìn)行粘貼的方法等。作為加熱方法，只要是能夠?qū)χ虚g層施加熱直至到達(dá)中間層的熔點(diǎn)的溫度，則可以使用任何方法?？闪信e出例如對(duì)設(shè)置半導(dǎo)體晶圓的平板(table)進(jìn)行加熱的方法；對(duì)輥進(jìn)行加熱的方法；使粘貼區(qū)域的環(huán)境溫度上升的方法等。加熱溫度只要在中間層的熔點(diǎn)以上即可，優(yōu)選為比中間層的熔點(diǎn)高10°C左右以上的溫度，這是適合的。在粘合片粘貼到半導(dǎo)體晶圓上后，進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓的切割，切割可以通過(guò)該領(lǐng)域中公知的方法、例如按照日本特開(kāi)2006-13452號(hào)公報(bào)等中所記載的那樣進(jìn)行。另外，切割后的粘合片的剝離也是同樣的。這樣在半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片的使用時(shí)或使用結(jié)束時(shí)，可以在(1)與半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片的剝離相伴的各種物品、或構(gòu)件的制造和加工中的異物等的除去、⑵各種制造裝置中的異物等的除去、(3)避免切割時(shí)的切削水所產(chǎn)生的腐蝕(銹)、切削屑等的表面保護(hù)、或掩蔽等中廣泛使用。以下，基于實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例和比較例中，只要沒(méi)有特別說(shuō)明則份和％為重量基準(zhǔn)。(實(shí)施例1)如表1所示那樣，基材使用PET薄膜，中間層的樹(shù)脂使用熔點(diǎn)為56°C的乙烯_醋酸乙烯酯共聚物樹(shù)脂，利用層壓法制作厚度38ym的基材與厚度60ym的中間層的層壓體。接著，對(duì)該中間層的設(shè)置粘合劑層的面實(shí)施電暈處理。對(duì)中間層的實(shí)施了電暈處理的面轉(zhuǎn)印厚度為5ym的粘合劑層。粘合劑層通過(guò)以下粘合劑而形成，該粘合劑為在100份雙鍵引入型丙烯酸系聚合物(對(duì)含有丙烯酸2-乙基己酯(以下，有時(shí)記為“2EHA”)和丙烯酸2-羥基乙酯(以下，有時(shí)記為“HEA”)的丙烯酸系共聚物加成2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯(以下，有時(shí)記為“M0I”)而成的聚合物2EHA/HEA/M0I=89份/II份/12份，重均分子量85萬(wàn))中，加入3份光聚合引發(fā)劑“Irgacure651”(CibaSpecialtyChemicalsInc.制)和3份聚異氛酸酉旨系化合物"CoronateL"(NipponPolyurethaneIndustryCo.,Ltd.制)。在轉(zhuǎn)印粘合劑層后，在45°C加熱24小時(shí)，并冷卻至室溫，從而制作半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片。(實(shí)施例2)如表1所示那樣，基材使用PET薄膜，中間層的樹(shù)脂使用熔點(diǎn)為61°C的乙烯_醋酸乙烯酯共聚物樹(shù)脂，利用層壓法制作厚度38ym的基材與厚度60ym的中間層的層壓體。接著，對(duì)該中間層的設(shè)置粘合劑層的面實(shí)施電暈處理。對(duì)中間層的實(shí)施了電暈處理的面轉(zhuǎn)印與實(shí)施例1同樣的粘合劑層(厚度5i!m)。在轉(zhuǎn)印粘合劑層后，在45°C加熱24小時(shí)，并冷卻至室溫，從而制作半導(dǎo)體晶圓切10割用粘合片。(實(shí)施例3)如表1所示那樣，基材使用PET薄膜，中間層的樹(shù)脂使用熔點(diǎn)為90°C的乙烯_醋酸乙烯酯共聚物樹(shù)脂，利用層壓法制作厚度38ym的基材與厚度60ym的中間層的層壓體。接著，對(duì)該中間層的設(shè)置粘合劑層的面實(shí)施電暈處理。對(duì)中間層的實(shí)施了電暈處理的面轉(zhuǎn)印與實(shí)施例1同樣的粘合劑層(厚度5i!m)。在轉(zhuǎn)印粘合劑層后，在45°C加熱24小時(shí)，并冷卻至室溫，從而制作半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片。(實(shí)施例4)如表1所示那樣，基材使用PET薄膜，中間層的樹(shù)脂使用熔點(diǎn)為61°C的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物樹(shù)脂，利用層壓法制作厚度38ym的基材與厚度60ym的中間層的層壓體。接著，對(duì)該中間層的設(shè)置粘合劑層的面實(shí)施電暈處理。對(duì)中間層的實(shí)施了電暈處理的面轉(zhuǎn)印與實(shí)施例1同樣的粘合劑層(厚度20i!m)。在轉(zhuǎn)印粘合劑層后，在45°C加熱24小時(shí)，并冷卻至室溫，從而制作半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片。(實(shí)施例5)如表1所示那樣，基材使用PET薄膜，中間層的樹(shù)脂使用熔點(diǎn)為61°C的乙烯_醋酸乙烯酯共聚物樹(shù)脂，利用層壓法制作厚度38ym的基材與厚度40ym的中間層的層壓體。接著，對(duì)該中間層的設(shè)置粘合劑層的面實(shí)施電暈處理。對(duì)中間層的實(shí)施了電暈處理的面轉(zhuǎn)印與實(shí)施例1同樣的粘合劑層(厚度20i!m)。在轉(zhuǎn)印粘合劑層后，在45°C加熱24小時(shí)，并冷卻至室溫，從而制作半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片。(比較例1)如表1所示那樣，基材使用LDPE薄膜。對(duì)該基材薄膜的設(shè)置粘合劑層的面實(shí)施電暈處理。對(duì)該實(shí)施了電暈處理的面轉(zhuǎn)印與實(shí)施例1同樣的粘合劑層(厚度5i!m)。在轉(zhuǎn)印粘合劑層后，在45°C加熱24小時(shí)，并冷卻至室溫，從而制作半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片。(比較例2)如表1所示那樣，基材使用LDPE薄膜。對(duì)該基材薄膜的設(shè)置粘合劑層的面實(shí)施電暈處理。對(duì)該實(shí)施了電暈處理的面轉(zhuǎn)印與實(shí)施例1同樣的粘合劑層(厚度50i!m)。在轉(zhuǎn)印粘合劑層后，在45°C加熱24小時(shí)，并冷卻至室溫，從而制作半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片。(比較例3)如表1所示那樣，基材使用LDPE薄膜。對(duì)該基材薄膜的設(shè)置粘合劑層的面實(shí)施電暈處理。對(duì)該實(shí)施了電暈處理的面轉(zhuǎn)印與實(shí)施例1同樣的粘合劑層(厚度50um)。在轉(zhuǎn)印粘合劑層后，在45°C加熱24小時(shí)，并冷卻至室溫，從而制作半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片。(比較例4)如表1所示那樣，基材使用PET薄膜。對(duì)該基材薄膜的設(shè)置粘合劑層的面實(shí)施電暈處理。對(duì)該實(shí)施了電暈處理的面轉(zhuǎn)印與實(shí)施例1同樣的粘合劑層(厚度50um)。在轉(zhuǎn)印粘合劑層后，在45°C加熱24小時(shí)，并冷卻至室溫，從而制作半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片。表權(quán)利要求一種半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片，其特征在于，該半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片至少由基材、中間層和粘合劑層層壓而成，所述中間層由熔點(diǎn)為50～100℃的熱塑性樹(shù)脂形成，所述基材的熔點(diǎn)高于所述中間層的熔點(diǎn)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合片，其中，所述基材、中間層和粘合劑層按照該順序?qū)訅憾伞?.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的粘合片，其中，所述基材的熔點(diǎn)比中間層的熔點(diǎn)高20°C以上。4.根據(jù)權(quán)利要求13中任一項(xiàng)所述的粘合片，其中，所述粘合劑層以丙烯酸系聚合物作為主要成分。5.根據(jù)權(quán)利要求14中任一項(xiàng)所述的粘合片，其中，所述中間層的厚度為3200μHIo6.根據(jù)權(quán)利要求15中任一項(xiàng)所述的粘合片，其中，所述粘合劑層的厚度為160μm07.一種半導(dǎo)體晶圓的切割方法，其特征在于，將權(quán)利要求16中任一項(xiàng)所述的粘合片粘貼到晶圓的凹凸表面來(lái)切割半導(dǎo)體晶圓。全文摘要本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片和使用該粘合片的半導(dǎo)體晶圓的切割方法，所述半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片即使在半導(dǎo)體晶圓的表面存在凹凸等的情況下，也能夠良好地追隨于該凹凸，能夠防止粘合片粘貼面的浸水、污染、芯片飛濺、碎裂等。一種半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片，該半導(dǎo)體晶圓切割用粘合片至少由基材、中間層和粘合劑層層壓而成，所述中間層通過(guò)熔點(diǎn)為50～100℃的熱塑性樹(shù)脂形成，所述基材的熔點(diǎn)高于所述中間層的熔點(diǎn)。文檔編號(hào)H01L21/68GK101942278SQ201010223680公開(kāi)日2011年1月12日申請(qǐng)日期2010年7月7日優(yōu)先權(quán)日2009年7月7日發(fā)明者川島教孔,杉村敏正,淺井文輝,高橋智一申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社