專利名稱：半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件的制造方法以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
這里公開(kāi)的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件的制造方法以及電子設(shè)備
背景技術(shù)：
在某些情況下，在利用螺紋件或其他緊固件將襯底安裝到殼體等的同時(shí)，外應(yīng)力 可能施加到具有安裝到其上的電子組件的襯底(例如，印刷電路板)上。外應(yīng)力可能傳播 到襯底并且在電子組件與襯底之間的焊錫接合部分產(chǎn)生連續(xù)的蠕變應(yīng)力。因此，在安裝殼體之后可能發(fā)生焊錫接合部分中的破裂和/或襯底上的導(dǎo)體焊盤(pán) 的脫落。球柵陣列(BGA)已經(jīng)被公知為將電子組件安裝到襯底上的方法。特別地，因?yàn)榫?有BGA構(gòu)造的電子組件通常具有短的端子，所以電子組件不能充分地承受外應(yīng)力。為了減小焊錫接合部分的破裂和/或焊盤(pán)的脫落，通常執(zhí)行底層填料涂布以將樹(shù) 脂灌注在電子組件與印刷電路板之間的空隙中。此外，可以執(zhí)行機(jī)械加工以在安裝電子組 件之后獲得可靠的構(gòu)造。例如，已經(jīng)知道安裝襯底的構(gòu)造包括具有預(yù)定厚度的加強(qiáng)件，通 過(guò)使用粘合劑和/或螺紋件將加強(qiáng)件固定到安裝襯底的頂面和/或底面，因此獲得與通過(guò) 使用底層填料材料獲得的效果相同的效果。上述技術(shù)例如描述在日本公開(kāi)專利申請(qǐng)1-105593和2007-227550中。然而，一旦在襯底上執(zhí)行底層填料涂布，替換電子組件可能比較困難。因此，如果 在電測(cè)試之前已經(jīng)涂布了底層填料的襯底電測(cè)試失敗的話，襯底通常被放棄或者丟棄，這 可能造成襯底的浪費(fèi)。此外，在使用加強(qiáng)件的情況下，以另一個(gè)電子組件對(duì)電子組件進(jìn)行替換也可能比 較困難，這也引起襯底浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，半導(dǎo)體器件具有襯底、電子組件以及樹(shù)脂構(gòu)件。襯底具有第 一電極。電子組件設(shè)置在襯底上，并且第二電極電連接到第一電極。樹(shù)脂構(gòu)件減輕施加到 電子組件的第二電極的外應(yīng)力。樹(shù)脂構(gòu)件設(shè)置在襯底上的、與電子組件相分離的區(qū)域處。應(yīng)該理解上述概括描述和以下的詳細(xì)描述是示例性的和解釋性的，并且不是限制 性的。


通過(guò)結(jié)合附圖，本發(fā)明的上述和其他特征將會(huì)變得明顯，其中圖IA示出了根據(jù)第一實(shí)施例的襯底單元；
圖IB也示出了根據(jù)第一實(shí)施例的襯底單元；圖2示出了由于外應(yīng)力施加到外應(yīng)力施加點(diǎn)而在襯底中產(chǎn)生的外應(yīng)力；圖3示出了設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件的不同圖案；圖4示出了設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件的不同圖案；圖5示出了設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件的不同圖案；圖6示出了根據(jù)第二實(shí)施例的襯底單元；圖7A示出了用于測(cè)量的樹(shù)脂的形狀；圖7B示出了用于測(cè)量的樹(shù)脂的另一個(gè)形狀；圖7C示出了用于測(cè)量的樹(shù)脂的另一個(gè)形狀；圖8是示出了測(cè)量結(jié)果的圖；圖9是示出了測(cè)量襯底單元的方法；圖10也是出了制造襯底單元的方法；圖11示出了根據(jù)第二實(shí)施例的制造方法而制造的襯底單元中發(fā)生的示例性應(yīng) 力；圖12A示出了判斷設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件的位置的方法；圖12B示出了判斷設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件的位置的另一個(gè)方法；圖12C示出了判斷設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件的位置的另一個(gè)方法；圖13示出了模擬器件的示例硬件構(gòu)造；圖14示出了顯示在監(jiān)視器上的模擬結(jié)果。
具體實(shí)施例方式下文中，將要參照附圖詳細(xì)描述實(shí)施例。圖IA和圖IB示出了根據(jù)第一實(shí)施例的襯底單元1。圖IA是示出了襯底單元1的平面圖，其中襯底單元1包括柔性襯底2、設(shè)置在襯 底2上的電子組件3以及樹(shù)脂構(gòu)件或結(jié)構(gòu)401、402、403、404、405、406、407和408 (它們可 以簡(jiǎn)單地被稱作樹(shù)脂構(gòu)件4)。這里，樹(shù)脂構(gòu)件或結(jié)構(gòu)401到408由不同的附圖標(biāo)記指示，以 表明這些樹(shù)脂構(gòu)件設(shè)置在不同的位置。電子組件3包括引線插入型封裝和表面安裝型封裝等，并且包括設(shè)置為預(yù)定形式 的多個(gè)電極。每個(gè)上述電極都根據(jù)例如焊錫回流法而電結(jié)合到設(shè)置在襯底2上的電極(未 示出)。電子組件3例如可以是半導(dǎo)體集成電路，諸如中央處理單元(CPU)、包括隨機(jī)存取 存儲(chǔ)器(RAM)等的存儲(chǔ)器、將處理結(jié)果的數(shù)據(jù)傳送到CPU和/或從CPU接收處理結(jié)果的數(shù) 據(jù)的外圍邏輯電路、將數(shù)據(jù)傳送到外圍邏輯電路和/或從外圍邏輯電路接收數(shù)據(jù)的接口電路。此外，表面安裝型封裝例如可以包括鷗翼引線和/或直引線、J引線封裝、具有或 不具有焊錫球的BGA型封裝、方形扁平無(wú)引線(QFN)封裝、小輪廓無(wú)引線(SON)封裝等。上 述封裝包括陶瓷、塑料等。每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4在平面圖中為矩形形狀并且樹(shù)脂構(gòu)件4設(shè)置在襯底2的表面上， 該表面與設(shè)置電子組件3的表面相同。在圖IA中，包括樹(shù)脂構(gòu)件401到408的八個(gè)樹(shù)脂構(gòu)
4件設(shè)置在上述表面上。例如通過(guò)將樹(shù)脂涂布在襯底2上，而將樹(shù)脂構(gòu)件4設(shè)置在襯底2上。這里，每個(gè)樹(shù) 脂構(gòu)件4的尺寸(寬度和高度)由襯底2的尺寸、電子組件3的尺寸以及每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件與 不同的電子組件(未示出)之間的關(guān)系等決定，并且沒(méi)有具體地限制。然而，每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件 4的寬度可以從0. 5mm到5. Omm(包括端點(diǎn))。此外，每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4的高度可以從0. 5mm 到3. Omm(包括端點(diǎn))。樹(shù)脂構(gòu)件4有規(guī)律地設(shè)置在除了電子組件3結(jié)合到襯底2的部分之外的部分上的 預(yù)定位置處。換言之，樹(shù)脂構(gòu)件4遠(yuǎn)離電子組件3預(yù)定距離規(guī)律地設(shè)置。在圖IA和圖IB的每一者中，示出了外應(yīng)力施加點(diǎn)20。樹(shù)脂構(gòu)件4設(shè)置為使得在 平面圖中應(yīng)力施加點(diǎn)20和電子組件3在樹(shù)脂構(gòu)件4在它們中間的狀態(tài)下相對(duì)設(shè)置。此外，關(guān)于應(yīng)力施加點(diǎn)20朝向電子組件3(從圖1的左側(cè)到右側(cè))設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件 4的多個(gè)段(諸如三個(gè)段)。更具體地，樹(shù)脂構(gòu)件401、402和403設(shè)置在第一段，樹(shù)脂構(gòu)件 404和405設(shè)置在第二段并且樹(shù)脂構(gòu)件406、407和408設(shè)置在第三段。此外，樹(shù)脂構(gòu)件4交替或交錯(cuò)地設(shè)置，使得樹(shù)脂構(gòu)件4的至少一部分彼此重疊，使 得在從圖1的左側(cè)觀察時(shí)沒(méi)有空隙。更具體地，在從圖1的左側(cè)觀察時(shí)，樹(shù)脂404設(shè)置在樹(shù) 脂構(gòu)件401與402之間，樹(shù)脂405設(shè)置在樹(shù)脂構(gòu)件402與403之間并且樹(shù)脂407設(shè)置在樹(shù) 脂構(gòu)件404與405之間。上述設(shè)置允許分散在應(yīng)力施加點(diǎn)20產(chǎn)生的應(yīng)力，因此防止電子組件3被直接施加 應(yīng)力。雖然每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4的材料沒(méi)有具體限制，但是材料可以是熱硬化樹(shù)脂，包括環(huán)氧樹(shù) 脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、不飽和聚酯樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂和硅樹(shù)脂等。在上述樹(shù)脂構(gòu)件中，環(huán)氧樹(shù)脂和環(huán)氧丙烯酸樹(shù)脂可以比其余的更優(yōu)選。在材料包 括環(huán)氧樹(shù)脂時(shí)，上述材料的硬度和粘附力(附著力)增加。此外，在材料包括環(huán)氧丙烯酸樹(shù) 脂時(shí)，材料快速干燥并且在低溫下(例如室溫下)硬化或者紫外線硬化。在圖1中，樹(shù)脂構(gòu)件4設(shè)置在與設(shè)置電子組件3的表面相同的表面上。然而，不限 制于上述設(shè)置，樹(shù)脂構(gòu)件4可以設(shè)置在與設(shè)置電子組件3的表面相反的表面上。上述設(shè)置 也允許分散應(yīng)力。在這種情況下，樹(shù)脂構(gòu)件4也設(shè)置為使得在平面圖中應(yīng)力施加點(diǎn)20和電 子組件3在樹(shù)脂構(gòu)件4位于它們之間的狀態(tài)下彼此相對(duì)。圖IB是由支撐構(gòu)件10保持在懸臂狀態(tài)的襯底單元1的側(cè)視圖。在圖IB中，外應(yīng) 力從頁(yè)面的上側(cè)朝向下側(cè)施加到應(yīng)力施加點(diǎn)20。隨后，襯底單元1彎曲。因?yàn)樵谏鲜鰧?shí)施例中規(guī)律地設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件4，所以減小了施加到電子組件3的外 應(yīng)力。上述應(yīng)力小于在沒(méi)有設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件4的時(shí)候施加到電子組件3的應(yīng)力。圖2示出了 由于施加到應(yīng)力施加點(diǎn)20的應(yīng)力而產(chǎn)生在襯底單元1中的應(yīng)力。因?yàn)橐r底單元1由支撐構(gòu)件10保持，所以施加到應(yīng)力施加點(diǎn)20的應(yīng)力產(chǎn)生沿著 使得所產(chǎn)生的應(yīng)力從應(yīng)力施加點(diǎn)20朝向支撐構(gòu)件10快速傳播的方向傳播的外應(yīng)力。圖2 示出了所產(chǎn)生的應(yīng)力沿著虛線傳播的方向的示例。在所產(chǎn)生的應(yīng)力作用到樹(shù)脂構(gòu)件402上時(shí)，如圖2所示，傳播的應(yīng)力的一部分由樹(shù) 脂構(gòu)件402吸收，使得傳播的應(yīng)力減弱并且沿著樹(shù)脂構(gòu)件402的表面移動(dòng)。在應(yīng)力到達(dá)樹(shù) 脂構(gòu)件402的角部之后，應(yīng)力的一部分作用到樹(shù)脂構(gòu)件404和405上。在應(yīng)力作用到樹(shù)脂構(gòu)件404和405上時(shí)，傳播的應(yīng)力的一部分由樹(shù)脂構(gòu)件404和405吸收，使得傳播的應(yīng)力減小并且沿著每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件404和405的表面移動(dòng)。在之后應(yīng)力 到達(dá)樹(shù)脂404的角部時(shí)，應(yīng)力的一部分作用到樹(shù)脂406上。在之后應(yīng)力到達(dá)樹(shù)脂405的角 部時(shí)，應(yīng)力的一部分作用到樹(shù)脂408上。在應(yīng)力作用到樹(shù)脂構(gòu)件406和408上時(shí)，傳播的應(yīng)力的一部分由樹(shù)脂構(gòu)件406和 408吸收，使得傳播的應(yīng)力減小并且沿著每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件406和408的表面移動(dòng)。之后，應(yīng)力 到達(dá)每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件406和408的角部，并且朝向襯底2的邊傳播。根據(jù)上述襯底單元1，樹(shù)脂構(gòu)件4設(shè)置在應(yīng)力施加點(diǎn)20與電子組件3之間。因此， 即使應(yīng)力作用在電子組件3上，應(yīng)力也變得比從前更小，這使得有可能簡(jiǎn)單地保護(hù)電子組 件3使其不受到應(yīng)力。此外，樹(shù)脂構(gòu)件4設(shè)置為遠(yuǎn)離電子組件3，使得電子組件3可以容易地安裝到襯底 2上或從襯底2上拆除。此外，電子組件3與襯底2之間的接合部分間接地由樹(shù)脂構(gòu)件4增 強(qiáng)，使得作用到接合部分的應(yīng)力減小。此外，樹(shù)脂構(gòu)件4中的至少兩個(gè)在其之間設(shè)置有預(yù)定的間隙，使得應(yīng)力比設(shè)置單 個(gè)樹(shù)脂的情況下更平均地分散。此外，相比于執(zhí)行底層填料涂布的情況，舉例來(lái)說(shuō)，溫度循 環(huán)測(cè)試(溫度加速的壽命測(cè)試)特性可能根據(jù)底層填料特性而劣化。然而，在上述實(shí)施例 中實(shí)現(xiàn)的設(shè)置可以避免特性劣化。此外，由于底層填料的接觸，可能發(fā)生特定組件和/或外圍組件的特性變化。因 此，按照底層填料涂布，可能難以增強(qiáng)特定組件與襯底2之間的接合部分。另一方面，即使 將特定組件安裝到襯底2上，在上述實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)的樹(shù)脂構(gòu)件4的設(shè)置仍允許容易地減小 產(chǎn)生在電子組件3中的應(yīng)力。此外，如下所述，將使用加強(qiáng)件的情況與上述實(shí)施例相比較。在這種情況下，加強(qiáng) 件設(shè)置為包括電子組件3的結(jié)構(gòu)，使得組件的數(shù)目增加。因此，電路面積增加。然而，在上 述實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)的樹(shù)脂構(gòu)件4的設(shè)置，允許防止電路面積增加。雖然在圖2中未示出，但是樹(shù)脂構(gòu)件4的寬度(沿著圖2中的水平方向限定的厚 度)可以不相等。例如，樹(shù)脂構(gòu)件401到403的寬度可以大于樹(shù)脂構(gòu)件404到408的寬度。 即，樹(shù)脂構(gòu)件4的寬度可以根據(jù)作用到樹(shù)脂構(gòu)件4上的應(yīng)力的大小而變化。在樹(shù)脂構(gòu)件401到403的寬度大于樹(shù)脂構(gòu)件404到408的寬度時(shí)，作用到后者的 樹(shù)脂構(gòu)件404到408上的應(yīng)力可以比圖2中示出的更低。在上述實(shí)施例中，每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4形成為矩形形狀。然而，每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4的邊的 一部分和/或全部可以是曲線的和/或彎曲的，而不限于上述實(shí)施例。此外，在將不同的電 子組件設(shè)置在電子組件3附近時(shí)，樹(shù)脂構(gòu)件4還可以設(shè)置在不同的電子組件上。之后，將要描述樹(shù)脂構(gòu)件4的不同的示例性設(shè)置(下文中稱作設(shè)置圖案)。圖3、 圖4和圖5中的每一者示出了不同的樹(shù)脂設(shè)置圖案。通常被稱作樹(shù)脂構(gòu)件4的樹(shù)脂構(gòu)件409、410、411、414、415和416設(shè)置在圖3中示 出的襯底單元Ia上，并且相對(duì)于垂直方向(圖3中限定的上下方向)向左側(cè)傾斜預(yù)定角度。 此外，樹(shù)脂構(gòu)件412和413設(shè)置并且相對(duì)于垂直方向向右側(cè)傾斜預(yù)定角度。每個(gè)上述樹(shù)脂構(gòu)件409、410、411、414、415和416設(shè)置在這樣的位置決定該位置 以分散在應(yīng)力施加點(diǎn)20產(chǎn)生的外應(yīng)力并減小作用在電子組件3上的應(yīng)力。舉例來(lái)說(shuō)，在圖 3中，作用在樹(shù)脂409上的應(yīng)力由樹(shù)脂409分散，并且還由樹(shù)脂構(gòu)件410、413和411分散。此外，作用在樹(shù)脂412上的應(yīng)力由樹(shù)脂412分散，并且還由樹(shù)脂構(gòu)件410、413和411分散。 此外，作用在樹(shù)脂415上的應(yīng)力由樹(shù)脂415分散并且引導(dǎo)到襯底2的邊緣。設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件4的上述圖案也減小作用在電子組件3上的應(yīng)力。在圖4中示出的 襯底單元Ib上，設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件417和418來(lái)代替設(shè)置在襯底單元1上的樹(shù)脂構(gòu)件404和 405。樹(shù)脂構(gòu)件417和418設(shè)置在樹(shù)脂構(gòu)件404和405圍繞樹(shù)脂構(gòu)件404和405的矩形形 狀的各自的中心旋轉(zhuǎn)90°時(shí)將會(huì)設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件404和405的位置。之后，將要描述在外應(yīng)力產(chǎn)生在襯底單元Ib中的情況下執(zhí)行的處理過(guò)程。在外應(yīng) 力施加到應(yīng)力施加點(diǎn)20時(shí)，外應(yīng)力產(chǎn)生在襯底2中并且快速地傳播經(jīng)過(guò)襯底2。在所產(chǎn)生的應(yīng)力施加到樹(shù)脂構(gòu)件402上時(shí)，傳播的應(yīng)力的一部分由樹(shù)脂構(gòu)件402 吸收，使得傳播的應(yīng)力減小并且沿著樹(shù)脂構(gòu)件402的表面移動(dòng)。其后，傳播的應(yīng)力到達(dá)樹(shù)脂 構(gòu)件402的角部并且傳播的應(yīng)力的一部分作用到每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件417和418上。在應(yīng)力作用到每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件417和418上時(shí)，傳播的應(yīng)力的一部分由樹(shù)脂構(gòu)件417 和418吸收，使得傳播的應(yīng)力被吸收并且沿著樹(shù)脂構(gòu)件417和418的表面移動(dòng)。其后，應(yīng)力 到達(dá)樹(shù)脂417的角部，并且應(yīng)力的一部分合成并且作用到樹(shù)脂406上。此外，在應(yīng)力到達(dá)樹(shù) 脂418的角部時(shí)，應(yīng)力的一部分合成并且作用到樹(shù)脂408。在應(yīng)力作用到樹(shù)脂構(gòu)件406和408上時(shí)，傳播的應(yīng)力由樹(shù)脂構(gòu)件406和408吸收， 使得傳播的應(yīng)力減小并且沿著每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件406和408的表面移動(dòng)。之后，應(yīng)力被引導(dǎo)到 襯底2的邊緣。上述設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件4的圖案也減小了作用在電子組件3上的應(yīng)力。根據(jù)圖5中示 出的襯底單元lc，結(jié)合使用在圖2中示出的設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件4的圖案以及在圖3中示出的設(shè) 置樹(shù)脂構(gòu)件4的圖案。S卩，在設(shè)置在襯底單元1上的樹(shù)脂構(gòu)件4中，設(shè)置在應(yīng)力施加點(diǎn)20那一側(cè)的三個(gè) 樹(shù)脂構(gòu)件409、412和414被設(shè)置并且相對(duì)于垂直方向傾斜預(yù)定角度。此外，設(shè)置在電子組 件3那一側(cè)上的三個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件406、407和408沿著垂直方向設(shè)置。舉例來(lái)說(shuō)，在圖5中，作用在樹(shù)脂409上的外應(yīng)力由樹(shù)脂409分散并且還由樹(shù)脂構(gòu) 件412和407分散。此外，作用在樹(shù)脂408上的應(yīng)力由樹(shù)脂408分散，并且引導(dǎo)到襯底2的 邊緣。設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件4的上述圖案也減小了作用在電子組件3上的應(yīng)力。在上述實(shí)施例 中，僅示例性地描述了從施加到應(yīng)力施加點(diǎn)20那一側(cè)上的應(yīng)力產(chǎn)生的應(yīng)力。然而，外應(yīng)力 也從支撐構(gòu)件10那一側(cè)產(chǎn)生。因此，樹(shù)脂構(gòu)件4可以設(shè)置在支撐構(gòu)件10與電子組件3之 間。在這種情況下，可以適當(dāng)?shù)剡x擇上述設(shè)置圖案以設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件4。之后，在下文中描述根據(jù)第二實(shí)施例的襯底單元。下文中，將要主要描述第二實(shí)施 例的襯底單元與第一實(shí)施例的襯底單元之間的區(qū)別，并且與第一實(shí)施例相同的細(xì)節(jié)將會(huì)被 省略。圖6示出了根據(jù)第二實(shí)施例的襯底單元。由于產(chǎn)品使用條件，外應(yīng)力可能產(chǎn)生在 多個(gè)位置。因此，在襯底單元Id上，樹(shù)脂構(gòu)件4設(shè)置為環(huán)繞電子組件3。S卩，在襯底單元Id 上，樹(shù)脂構(gòu)件4設(shè)置在電子組件3的支撐構(gòu)件10那一側(cè)。此外，每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4可以為L(zhǎng)形(鉤形)并且設(shè)置為覆蓋電子組件3的角部。因 此，改變了應(yīng)力分布(參照產(chǎn)生應(yīng)力的方向)以減輕作用在角部的應(yīng)力并且減小作用到電子組件3的角部的所產(chǎn)生的應(yīng)力。此外，每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4的厚度和/或高度可以改變，以減小其扭曲量。此外，每個(gè) 樹(shù)脂構(gòu)件4可以具有不同的形狀，而不限于圖6中示出的L形。下文中，將會(huì)示出在每個(gè)樹(shù) 脂構(gòu)件4的厚度和/或高度改變時(shí)以及每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4的形狀改變到不同的形狀時(shí)獲得的 示例性地測(cè)量的扭曲量。如圖6所示，在襯底單元Id由支撐構(gòu)件10保持的同時(shí)將外應(yīng)力施加到應(yīng)力施加 點(diǎn)20，使得負(fù)載施加到襯底單元Id。之后，測(cè)量與襯底2的位移量相對(duì)的扭曲量。然而，如 下所述地改變每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4的形狀。圖7A、圖7B和圖7C中的每個(gè)示出了用于測(cè)量的樹(shù)脂構(gòu)件4的形狀。如圖7A所 示，每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4的寬度和內(nèi)徑由相應(yīng)的符號(hào)W和Ll表示。此外，電子組件3的端面與 每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4之間的間距由符號(hào)L2表示。將施加到電子組件3附近的扭曲量相互比較，其中扭曲量是與根據(jù)以下設(shè)置圖案 而獲得的。此外，具有34. 0X34. OX 1. 5mm尺寸的BGA封裝被用作電子組件3。設(shè)置圖案(a)不使用樹(shù)脂構(gòu)件4。設(shè)置圖案(b)四個(gè)L形樹(shù)脂構(gòu)件4設(shè)置為圍繞電子組件3。每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4的長(zhǎng) 度和寬度由相應(yīng)的表達(dá)式W = 5. Omm和H = 2. 5mm表示。設(shè)置圖案(c)四個(gè)L形樹(shù)脂構(gòu)件4設(shè)置為圍繞電子組件3。每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4的長(zhǎng) 度和寬度由相應(yīng)的表達(dá)式W = 2. 5mm和H = 2. 5mm表示。設(shè)置圖案(d)四個(gè)L形樹(shù)脂構(gòu)件4設(shè)置為圍繞電子組件3。每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4的長(zhǎng) 度和寬度由相應(yīng)的表達(dá)式W = 5. Omm和H= 1.5mm表示。根據(jù)上述設(shè)置圖案(1)到(4)，每 個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4的長(zhǎng)度Ll和L2分別確定為15mm和4. 0mm。此外，研究了如圖7B所示設(shè)置樹(shù)脂4以覆蓋電子組件3的整個(gè)邊緣的示例。設(shè)置圖案(e)樹(shù)脂4的長(zhǎng)度和寬度由相應(yīng)的表達(dá)式W = 2. 5mm和H = 1. 5mm表
7J\ ο此外，研究了每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4是點(diǎn)狀并且多個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4如圖7C所示地設(shè)置的示 例。在樹(shù)脂4設(shè)置為點(diǎn)狀樹(shù)脂時(shí)，樹(shù)脂4可以容易成形。設(shè)置圖案(f)每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4的點(diǎn)直徑和高度由相應(yīng)的表達(dá)式Φ = 2. 5mm和H =1. 5mm 表不。圖8是示出了測(cè)量結(jié)果的圖(圖表)。縱軸表示襯底2a的扭曲量(μ ε )并且橫軸表示襯底2a的位移量(單位為毫米)。 對(duì)應(yīng)于設(shè)置圖案(a)的扭曲量畫(huà)為圓形。對(duì)應(yīng)于設(shè)置圖案(b)的扭曲量畫(huà)為正方形。對(duì)應(yīng) 于設(shè)置圖案(c)的扭曲量畫(huà)為菱形。對(duì)應(yīng)于設(shè)置圖案(d)的扭曲量畫(huà)為三角形。對(duì)應(yīng)于設(shè) 置圖案(e)的扭曲量畫(huà)為十字。對(duì)應(yīng)于設(shè)置圖案(f)的扭曲量畫(huà)為星號(hào)。在與對(duì)應(yīng)于設(shè)置圖案(a)的扭曲量相比較時(shí)，獲得了通過(guò)設(shè)置圖案(2)到(6)而 取得的成效的評(píng)價(jià)。例如，對(duì)應(yīng)于各個(gè)設(shè)置圖案的扭曲量彼此比較，其中每個(gè)扭曲量是在襯 底位移量為5mm的位置處獲得的。設(shè)置圖案(b)的位移量相對(duì)于設(shè)置圖案(a)減小70%左右。設(shè)置圖案(c)的位移 量相對(duì)于設(shè)置圖案(a)減小60%左右。設(shè)置圖案(d)的位移量相對(duì)于設(shè)置圖案(a)減小 40%左右。設(shè)置圖案(e)的位移量相對(duì)于設(shè)置圖案(a)減小20%左右。設(shè)置圖案(f)的位移量相對(duì)于設(shè)置圖案(a)減小20%左右。此外，即使樹(shù)脂構(gòu)件4形狀相同，但是每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4的寬度和高度可能在樹(shù)脂涂 布時(shí)變化，使得所獲得的效果變化。更具體地，確認(rèn)了扭曲量隨著寬度W和高度H的增加而 減小。此外，將設(shè)置圖案(2)和(3)之間的關(guān)系與設(shè)置圖案(2)和⑷之間的關(guān)系相比 較。因此，可以確認(rèn)在高度變?yōu)殡p倍(增加)時(shí)獲得的扭曲量比在寬度W變?yōu)閮杀?增加) 時(shí)獲得的扭曲量更小。更具體地，可以確認(rèn)使得高度H變?yōu)閮杀毒哂袑?yīng)力減小約30%的 效果。此外，可以確認(rèn)使得寬度W變?yōu)殡p倍具有將應(yīng)力減小約10%的效果。此外，設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件4的圖案可以不限于設(shè)置圖案⑵到(6)，但是可以結(jié)合使用 設(shè)置圖案⑵到(6)中的至少兩個(gè)。例如，可以結(jié)合使用設(shè)置圖案(5)和(6)。此外，可以結(jié)合使用第二實(shí)施例的設(shè)置圖案和第一實(shí)施例的設(shè)置圖案。例如，可以 沿著從電子組件3朝向襯底2的邊緣限定的方向設(shè)置根據(jù)設(shè)置圖案(b)設(shè)置的樹(shù)脂構(gòu)件4 的多個(gè)段。之后，將要參照?qǐng)D9和圖10描述制造襯底單元的方法。[步驟Si]首先，制備襯底2a，襯底2a具有孔以容納螺紋件。之后，將電子組件 3a、3b、3c、3d和3e焊接并安裝到制備的襯底2上。[步驟S2]因?yàn)橐r底2a被螺紋固定到殼體9，所以每個(gè)螺紋位置變?yōu)閼?yīng)力源并且 外應(yīng)力產(chǎn)生在襯底2中。因此，通過(guò)粘合劑等將扭曲標(biāo)尺7臨時(shí)地粘附到預(yù)料到應(yīng)力集中的區(qū)域處(例如， 每個(gè)電子組件3a到3e的角部)。之后，通過(guò)使用膠帶8將每個(gè)扭曲標(biāo)尺7的導(dǎo)線固定到襯 底2a。之后，將螺紋件插入螺紋孔中并且將襯底2a螺紋固定到殼體9。圖9示出了通過(guò)使 用螺紋件6a到6f將襯底2a螺紋固定到殼體9的狀態(tài)。襯底2a被螺紋固定到殼體9，使得外應(yīng)力產(chǎn)生在襯底2a中。在這個(gè)狀態(tài)下，通過(guò) 扭曲標(biāo)尺7實(shí)際測(cè)量產(chǎn)生在每個(gè)電子組件3a到3e的角部等中的外應(yīng)力。[步驟S3]之后，如圖10所示，基于由于螺紋件而產(chǎn)生的應(yīng)力的實(shí)際測(cè)量結(jié)果來(lái) 檢測(cè)設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件4的地點(diǎn)。此外，為每個(gè)設(shè)置地點(diǎn)決定每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4的適當(dāng)形狀(位 置、寬度、高度等)。將要在下文中描述決定上述形狀的示例性方法。此外，圖10示出了螺 紋孑L 5a、5b、5c、5d、5e 禾口 5f。在圖10中，決定將樹(shù)脂419設(shè)置為使得應(yīng)力不集中在電子組件3a的左上角。決 定將樹(shù)脂420設(shè)置為使得應(yīng)力不集中在電子組件3a的右上角。決定將樹(shù)脂422設(shè)置為使 得應(yīng)力不集中在電子組件3b的左上角。決定將形成段的樹(shù)脂構(gòu)件423、424和425設(shè)置為 使得應(yīng)力不集中在電子組件3b的右上角。決定將樹(shù)脂426設(shè)置為使得應(yīng)力不集中在電子 組件3c的左下角。決定將樹(shù)脂421設(shè)置為使得應(yīng)力不集中在電子組件3d的右上角。決定 將樹(shù)脂427設(shè)置為使得應(yīng)力不集中在電子組件3d的右下角。決定將樹(shù)脂428設(shè)置為使得 應(yīng)力不集中在電子組件3e的左下角。[步驟S4]之后，將樹(shù)脂涂布到所決定的地點(diǎn)上。之后，根據(jù)適當(dāng)?shù)姆椒?諸如自 然干燥法、紫外輻射法、加熱法等)使得所涂布的樹(shù)脂硬化。因此，襯底單元完成了。因此完成了制造襯底單元的制造方法的描述。也可以根據(jù)上述方法制造每個(gè)上述 襯底單元1和Ia到Id。
圖11示出了根據(jù)第二實(shí)施例的制造方法制造的襯底單元中產(chǎn)生應(yīng)力的示例。樹(shù) 脂構(gòu)件419到428的設(shè)置允許減小集中在應(yīng)當(dāng)被保護(hù)而不受到應(yīng)力集中的地點(diǎn)(圖11中 示出的虛圓)。之后，將要描述在步驟S3中執(zhí)行的決定設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件4的位置的方法。圖12A、圖 12B和圖12C示出了決定設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件4的位置的方法。下文中，為了簡(jiǎn)化，將要關(guān)于設(shè)置 在襯底2b上的電子組件3描述上述方法。[步驟Sll]關(guān)于電子組件3的每個(gè)地點(diǎn)(圖12A到圖12C中示出的虛圓)決定每 個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件4的設(shè)置位置和形狀，其中這些地點(diǎn)最靠近螺紋固定位置并且應(yīng)當(dāng)被保護(hù)而不 受到應(yīng)力集中。在圖12A中，最靠近螺紋件6g的螺紋固定位置的地點(diǎn)是電子組件3的左上角。因 此，可以決定將L形樹(shù)脂429設(shè)置在左上角附近。最靠近螺紋件6h的螺紋固定位置的地點(diǎn) 是電子組件3的右上角。因此，決定將矩形樹(shù)脂430設(shè)置在右上角附近。最靠近螺紋件6i 的螺紋固定位置的地點(diǎn)是電子組件3的右下角和左下角。因此，決定將U形樹(shù)脂431設(shè)置 在右下角和左下角附近。[步驟S12]預(yù)測(cè)由于設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)件429、430和431而引起的應(yīng)力分散(離開(kāi))的方向。在預(yù)測(cè)的應(yīng)力分散方向被限定為朝向應(yīng)當(dāng)被保護(hù)而不受到應(yīng)力集中的地點(diǎn)時(shí)，決 定第二樹(shù)脂4的設(shè)置位置和形狀，來(lái)因此設(shè)置第二樹(shù)脂4。由于設(shè)置了樹(shù)脂4，所以應(yīng)力可 能例如由于電子組件3和/或不同的電子組件切斷應(yīng)力分散方向而不適當(dāng)?shù)胤稚?。因此?考慮將樹(shù)脂4涂布到襯底的效率，來(lái)調(diào)整樹(shù)脂4的設(shè)置位置和形狀。更具體地，進(jìn)行以下預(yù)測(cè)樹(shù)脂429的設(shè)置使得由于螺紋件6a螺紋固定到襯底2b 而產(chǎn)生的外應(yīng)力作用到電子組件3的右上角。此外，進(jìn)行以下預(yù)測(cè)樹(shù)脂430的設(shè)置使得由 于螺紋件6h螺紋固定到襯底2b而產(chǎn)生的外應(yīng)力作用到電子組件3的左上角。因此，如圖 12B所示，決定設(shè)置樹(shù)脂432以切斷上述應(yīng)力分散的方向。在這里，考慮到涂布效率，優(yōu)選地將樹(shù)脂構(gòu)件429和432彼此結(jié)合。因此，決定如 圖12C所示地實(shí)際設(shè)置樹(shù)脂433。另一方面，進(jìn)行以下預(yù)測(cè)由于樹(shù)脂430的設(shè)置而將由于將螺紋件6i螺紋固定到 襯底2b而產(chǎn)生的外應(yīng)力適當(dāng)?shù)胤稚?，并且減小作用在電子組件3上的應(yīng)力。因此，決定基 于該決定來(lái)設(shè)置樹(shù)脂430。[步驟S13]在作用在應(yīng)當(dāng)被保護(hù)而不受到應(yīng)力的地點(diǎn)上的外應(yīng)力較大時(shí)，決定增 加每個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件430、431和433的寬度W和/或高度H。因此完成了對(duì)于決定設(shè)置位置的方法的描述。此外，在步驟Sll到S13中示出的 決定方法不限于僅用在步驟S3處示出的過(guò)程，而是也可以用于在步驟S4處設(shè)置樹(shù)脂4之 后執(zhí)行的視覺(jué)檢查螺紋固定狀態(tài)、第二應(yīng)力測(cè)量等顯示出樹(shù)脂4的形狀應(yīng)當(dāng)被調(diào)整并且應(yīng) 當(dāng)增加新形狀的樹(shù)脂4的情況。因此，上述實(shí)施例的襯底單元制造方法允許減小集中在應(yīng)當(dāng)被保護(hù)而不受到應(yīng)力 的地點(diǎn)上的應(yīng)力。在與襯底單元包括通過(guò)使用螺紋件而結(jié)合到其上的加強(qiáng)件的情況相比較 時(shí)，應(yīng)當(dāng)在受到設(shè)置在襯底中的布線的限制的同時(shí)對(duì)于襯底執(zhí)行孔加工。此外，可能將會(huì)產(chǎn) 生不同的應(yīng)力。然而，根據(jù)上述實(shí)施例的制造方法，由于樹(shù)脂構(gòu)件4的使用布線限制比執(zhí)行
10孔加工的情況變得更不嚴(yán)重。此外，產(chǎn)生不同應(yīng)力的可能性較低。此外，在使用粘合劑將加強(qiáng)件接合到襯底單元時(shí)，應(yīng)當(dāng)執(zhí)行與底層填料涂布操作 幾乎相等的操作，使得制造工時(shí)增加。上述制造方法允許使得工時(shí)的增加減小。根據(jù)上述襯底單元制造方法，通過(guò)經(jīng)由使用扭曲標(biāo)尺7實(shí)際測(cè)量應(yīng)力來(lái)決定每個(gè) 樹(shù)脂構(gòu)件4的設(shè)置位置。然而，不限于上述方法，可以通過(guò)模擬裝置來(lái)預(yù)測(cè)產(chǎn)生在每個(gè)電子 組件3與襯底2a相接觸的區(qū)域(焊接區(qū)域)處的外應(yīng)力，因此根據(jù)預(yù)測(cè)結(jié)果來(lái)決定設(shè)置樹(shù) 脂構(gòu)件4的位置。圖13示出了模擬裝置100的示例性硬件構(gòu)造。CPU 101可以控制整個(gè)模擬裝置 100。RAM 102、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD) 103、圖像處理裝置104、輸入接口 105、外部輔助存儲(chǔ)裝置 106和通信接口 107可以經(jīng)由總線108連接到CPU 101。由CPU 101執(zhí)行的操作系統(tǒng)(OS)的程序的至少一部分以及應(yīng)用程序(例如包括 提供外應(yīng)力模擬的應(yīng)用程序)臨時(shí)地存儲(chǔ)在RAM 102中。此外，適合于通過(guò)CPU 101執(zhí)行 的處理的各種類型的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在RAM102中。OS和/或應(yīng)用程序存儲(chǔ)在HDD 103中。此外，程序文件數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在HDD 103中。 監(jiān)視器104a連接到圖像處理裝置104，其中圖像處理裝置104構(gòu)造為基于從CPU 101發(fā)出 的指令將圖像數(shù)據(jù)顯示在監(jiān)視器104a的顯示屏上。鍵盤(pán)105a和鼠標(biāo)105b連接到輸入接 口 105，其中輸入接口 105構(gòu)造為將從鍵盤(pán)105a和/或鼠標(biāo)105b發(fā)出的信號(hào)經(jīng)由總線108 發(fā)送到CPUlOl。外部輔助存儲(chǔ)裝置106讀取寫(xiě)在記錄介質(zhì)上的信息和/或?qū)⑿畔?xiě)在記錄介質(zhì) 上。適合于外部輔助存儲(chǔ)裝置106的可讀和可寫(xiě)的記錄介質(zhì)例如包括磁性記錄裝置、光盤(pán)、 磁光學(xué)記錄介質(zhì)、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器等。磁性記錄裝置例如可以是HDD、軟盤(pán)(FD)、磁帶等。光 盤(pán)例如可以是數(shù)字通用盤(pán)(DVD)、DVD隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、⑶-R0M(緊湊型盤(pán)只讀存儲(chǔ) 器)、⑶-可記錄(R)/可擦寫(xiě)(RW)等。磁光學(xué)記錄介質(zhì)例如可以是磁光盤(pán)(M0)。通信接口 107連接到網(wǎng)絡(luò)30。通信接口 107將數(shù)據(jù)經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)30發(fā)送到不同的計(jì) 算機(jī)和/或從不同的計(jì)算機(jī)接收數(shù)據(jù)。上述硬件構(gòu)造允許實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的處理功能。之后，將要描述通過(guò)使用模擬裝 置100來(lái)制造襯底單元的方法。[步驟Sla]首先，設(shè)計(jì)者操作模擬裝置100并且開(kāi)始提供外應(yīng)力模擬的應(yīng)用程序。 之后，在襯底的數(shù)據(jù)中設(shè)置電子組件并且形成螺紋孔，襯底的數(shù)據(jù)顯示在監(jiān)視器104a上。[步驟S2]使得應(yīng)用程序進(jìn)行模擬并且將產(chǎn)生在襯底中的外應(yīng)力的顯示數(shù)據(jù)顯示 在監(jiān)視器104a上。圖14示出了顯示在監(jiān)視器104a上的數(shù)據(jù)的模擬結(jié)果。這里，襯底2c對(duì)應(yīng)于襯底 2a。電子組件3f、3g、3h、3i和3j對(duì)應(yīng)于相應(yīng)的電子組件3a到3e。螺紋件6j、6k、6m、6n和 6q對(duì)應(yīng)于相應(yīng)的螺紋件6a到6e。圖14也將每個(gè)所產(chǎn)生的應(yīng)力示出為虛線。每個(gè)應(yīng)力的強(qiáng)度例如表示為等級(jí)。因 此，使用者可以容易理解應(yīng)力集中在電子組件3的哪個(gè)地點(diǎn)上。下文中，電子組件3a到3e可以與上述步驟Sl的情況相同地設(shè)置在實(shí)際襯底2a 上，并且執(zhí)行與上述步驟S3到S5相同的處理過(guò)程。此時(shí)，根據(jù)模擬結(jié)果決定樹(shù)脂4的適當(dāng) 的形狀(位置、寬度、高度等)。
此外，可以通過(guò)使用應(yīng)用程序的樹(shù)脂設(shè)置功能將樹(shù)脂設(shè)置在襯底2c上(襯底2c 的數(shù)據(jù)顯示在監(jiān)視器104a上)，并且可以再次執(zhí)行模擬。因此，變得可以容易地把握在設(shè)置 樹(shù)脂的狀態(tài)下作用在每個(gè)電子組件3f到3j上的外應(yīng)力。因此，已經(jīng)基于圖示的實(shí)施例描述了本發(fā)明的半導(dǎo)體器件、制造半導(dǎo)體器件的方 法以及電子設(shè)備。然而，每個(gè)組件的構(gòu)造可以由任意地構(gòu)造為具有與上述組件相同功能的 組件來(lái)代替，而不限于實(shí)施例。此外，本發(fā)明可以包括附加的不同任意結(jié)構(gòu)和/或過(guò)程。此外，本發(fā)明可以結(jié)合包括在上述實(shí)施例中的至少兩個(gè)任意結(jié)構(gòu)或特性。雖然沒(méi) 有特別限制所公開(kāi)的襯底單元的使用，但是襯底單元可以設(shè)置為例如安裝在包括在應(yīng)當(dāng)尺 寸緊湊的電子設(shè)備中的殼體上的襯底單元，和/或具備扁平電纜的襯底單元。此外，根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制造方法可以用于集成電路。附帶地，可以通過(guò) 計(jì)算機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)上述模擬功能。在這種情況下，提供描述通過(guò)模擬裝置100的功能來(lái)執(zhí)行的 處理細(xì)節(jié)的程序。由計(jì)算機(jī)執(zhí)行程序，使得通過(guò)計(jì)算機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)上述處理功能。描述處理細(xì) 節(jié)的程序可以存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)中，計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)例如可以是磁性記錄裝 置、光盤(pán)、磁光學(xué)記錄介質(zhì)、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器等。磁性記錄裝置例如可以是HDD、軟盤(pán)(FD)、磁 帶等。光盤(pán)例如可以是數(shù)字通用盤(pán)(DVD)、DVD隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、⑶-ROM (緊湊型盤(pán)只 讀存儲(chǔ)器)、CD-可記錄(R)/可擦寫(xiě)(RW)等。磁光學(xué)記錄介質(zhì)例如可以是磁光盤(pán)(M0)。為了使得程序流通，出售存儲(chǔ)有程序的便攜式記錄介質(zhì)，其中便攜式記錄介質(zhì)可 以是DVD、⑶-ROM等。此外，程序可以存儲(chǔ)在服務(wù)器計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器中，使得可以經(jīng)由網(wǎng)絡(luò) 將程序從服務(wù)器計(jì)算機(jī)傳送到不同的計(jì)算機(jī)。執(zhí)行模擬程序的計(jì)算機(jī)將記錄在便攜式記錄介質(zhì)上的程序和/或從服務(wù)器計(jì)算 機(jī)傳送的程序存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器中。之后，計(jì)算機(jī)從其存儲(chǔ)器讀取程序并且根據(jù)程序 來(lái)執(zhí)行處理。此外，計(jì)算機(jī)可以直接從便攜式記錄介質(zhì)讀取程序并且基于該程序來(lái)執(zhí)行處 理。此外，每次從服務(wù)器計(jì)算機(jī)傳送程序時(shí)，計(jì)算機(jī)可以根據(jù)所傳送的程序來(lái)逐次執(zhí)行處理。這里陳述的所有示例和條件性的語(yǔ)言是為了教育目的，以幫助堵著理解本發(fā)明以 及由本發(fā)明貢獻(xiàn)以促進(jìn)現(xiàn)有技術(shù)的概念，并且將會(huì)被理解為不限制到這些特別陳述的實(shí)力 和條件，并且在說(shuō)明書(shū)中的這些示例的組織也不涉及示出本發(fā)明的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)。雖然已經(jīng) 詳細(xì)描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，可以在不超出本發(fā)明如權(quán)利 要求所述的精神和范圍的情況下作出各種改變、替換和變化。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體器件，包括包括第一電極的襯底；設(shè)置在所述襯底上的電子組件，所述電子組件包括電連接到所述第一電極的第二電極；以及減輕施加到所述電子組件的所述第二電極的外應(yīng)力的樹(shù)脂構(gòu)件，所述樹(shù)脂構(gòu)件在與所述電子組件相分離的區(qū)域處設(shè)置在所述襯底上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述樹(shù)脂構(gòu)件包括交替地設(shè)置在所述襯 底上的多個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)樹(shù)脂構(gòu)件相對(duì)于所述電子組件 交替地設(shè)置，從而將所述外應(yīng)力分散。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述樹(shù)脂構(gòu)件設(shè)置為圍繞所述電子組件 的角部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述樹(shù)脂構(gòu)件包括多個(gè)點(diǎn)狀部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述樹(shù)脂構(gòu)件圍繞所述電子組件的外圍設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述樹(shù)脂構(gòu)件設(shè)置在所述襯底的表面上， 所述襯底與設(shè)置所述電子組件的表面相反。
8.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括提供所述半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括襯底和設(shè)置在所述襯底上的電子組件； 在與所述電子組件相分離的區(qū)域處將樹(shù)脂構(gòu)件設(shè)置在所述襯底上，以減輕施加到所述 電子組件的第二電極的外應(yīng)力，所述第二電極電連接到所述襯底的第一電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，還包括 使得涂布在所述襯底上的樹(shù)脂構(gòu)件硬化。
10.一種電子設(shè)備，包括 殼體；以及安裝在所述殼體中的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件包括襯底和設(shè)置在所述襯底上 的電子組件，所述襯底包括第一電極并且所述電子組件包括電連接到所述第一電極的第二 電極；以及減輕施加到所述電子組件的所述第二電極的外應(yīng)力的樹(shù)脂構(gòu)件，所述樹(shù)脂構(gòu)件 在與所述電子組件相分離的區(qū)域處設(shè)置在所述襯底上。
全文摘要
本發(fā)明提供了半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件的制造方法以及電子設(shè)備。半導(dǎo)體器件具有襯底、電子組件以及樹(shù)脂構(gòu)件。襯底具有第一電極。電子組件設(shè)置在襯底上，并且第二電極電連接到第一電極。樹(shù)脂構(gòu)件減輕施加到電子組件的第二電極的外應(yīng)力。樹(shù)脂構(gòu)件設(shè)置在襯底上的、與電子組件相分離的區(qū)域處。
文檔編號(hào)H01L23/16GK101944513SQ20101022434
公開(kāi)日2011年1月12日 申請(qǐng)日期2010年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月7日
發(fā)明者山本敬一, 福田孝 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社