專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示面板和包括該顯示面板的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種用于提供可以驅(qū)動(dòng)顯示面板的電路結(jié)構(gòu)的方法 和設(shè)備，更具體地講，本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種用于為顯示面板提供最優(yōu)電路構(gòu)造 以實(shí)現(xiàn)高開(kāi)口率、透射率、可視性的方法和設(shè)備，該方法和設(shè)備可以不同地用于顯示器的應(yīng) 用，例如，液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
作為最廣泛地使用的平板顯示器(FPD)之一，液晶顯示器(LCD)可以包括可設(shè)置 有諸如像素電極和共電極的場(chǎng)產(chǎn)生電極的兩個(gè)顯示面板，液晶層可以設(shè)置在兩個(gè)顯示面板 之間?？梢詫㈦妷菏┘拥綀?chǎng)產(chǎn)生電極，以產(chǎn)生貫穿液晶層的電場(chǎng)，通過(guò)施加的電場(chǎng)來(lái)確定液 晶層的液晶分子的取向。因此，可以控制入射光的偏振，從而執(zhí)行圖像顯示。IXD還可以包括連接到各個(gè)像素電極的開(kāi)關(guān)元件，可以設(shè)置諸如柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn) 的多條信號(hào)線(xiàn)以控制開(kāi)關(guān)元件并施加電壓以操作像素電極。然而，顯示裝置的生產(chǎn)者面臨顯示裝置(例如，IXD)的電路構(gòu)造的復(fù)雜程度持續(xù) 增加的挑戰(zhàn)，例如液晶顯示器的信號(hào)線(xiàn)的復(fù)雜的構(gòu)造和柵極線(xiàn)的數(shù)量的增加，從而，可降低 開(kāi)口率，且可視性和透射率可劣化。在本背景技術(shù)部分中公開(kāi)的上面的信息僅意在樹(shù)立申請(qǐng)人所認(rèn)知的在已有技術(shù) 領(lǐng)域內(nèi)的問(wèn)題，并僅用于基于問(wèn)題的所識(shí)別的根源來(lái)強(qiáng)化對(duì)本發(fā)明的背景的理解，因此，作 為申請(qǐng)人的自己陳述的上面的信息不能被用作在確定本發(fā)明的顯而易見(jiàn)性時(shí)的現(xiàn)有技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供一種用于提供顯示裝置的能夠增加開(kāi)口率并實(shí)現(xiàn)高 可視性和透射率的電路構(gòu)造的方法和設(shè)備。本發(fā)明的其他的特征將在下面的描述中進(jìn)行闡述，并且通過(guò)描述在一定程度上將 是明顯的，或可以通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而獲知。本發(fā)明的示例性實(shí)施例公開(kāi)了一種顯示面板。所述顯示面板包括柵極線(xiàn)和與柵極 線(xiàn)交叉的數(shù)據(jù)線(xiàn)。所述顯示面板還包括連接到柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)的第一晶體管。所述顯示面 板包括連接到柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)的第二晶體管和與柵極線(xiàn)分開(kāi)的存儲(chǔ)電極線(xiàn)。所述顯示面板 包括連接到存儲(chǔ)電極線(xiàn)和第二晶體管的第三晶體管。所述顯示面板還包括連接到第一晶體 管的第一像素電極。所述顯示面板包括連接到第二晶體管和第三晶體管的第二像素電極。本發(fā)明的示例性實(shí)施例公開(kāi)了一種顯示裝置。所述裝置包括下顯示面板，下顯示 面板包括柵極線(xiàn)、與柵極線(xiàn)交叉的數(shù)據(jù)線(xiàn)、連接到柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)的第一晶體管、連接到柵 極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)的第二晶體管、與柵極線(xiàn)分開(kāi)的存儲(chǔ)電極線(xiàn)、連接到存儲(chǔ)電極線(xiàn)和第二晶體 管的第三晶體管、連接到第一晶體管的第一像素電極、連接到第二晶體管和第三晶體管的 第二像素電極。所述裝置還包括設(shè)置在下顯示面板上的液晶層。所述裝置包括設(shè)置在液晶 層上的上顯示面板，上顯示面板包括共電極。
本發(fā)明的示例性實(shí)施例公開(kāi)了一種提供用于操作顯示裝置的電路布局的方法。所 述方法包括在基底上設(shè)置柵極線(xiàn)和與柵極線(xiàn)交叉的數(shù)據(jù)線(xiàn)。所述方法還包括在基底上設(shè)置 第一像素電極和第二像素電極。所述方法還包括形成第一晶體管、第二晶體管、第三晶體 管，每個(gè)晶體管包括柵電極、源電極、漏電極。第一晶體管和第二晶體管結(jié)合到柵極線(xiàn)和數(shù) 據(jù)線(xiàn)，第一像素電極和第二像素電極結(jié)合到各個(gè)晶體管。所述方法還包括形成與柵極線(xiàn)分 開(kāi)的存儲(chǔ)電極線(xiàn)。結(jié)合到存儲(chǔ)電極線(xiàn)和第二晶體管的第三晶體管與柵極線(xiàn)分開(kāi)。第一像素 電極結(jié)合到第一晶體管，第二像素電極結(jié)合到第二晶體管和第三晶體管。應(yīng)該理解的是，前述的一般性描述和下面的詳細(xì)描述均是示例性和說(shuō)明性的，并 意在提供對(duì)如權(quán)利要求所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步的說(shuō)明。


包括附圖以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，附圖包括在本說(shuō)明書(shū)中并作為本說(shuō)明書(shū) 的一部分，附圖示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并與描述一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理。圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的俯視圖。圖2是沿圖1的Ι-Γ線(xiàn)截取的剖視圖。圖3、圖5、圖7是示出圖1和圖2中示出的液晶顯示器的制造方法的俯視圖。圖4、圖6、圖8是分別沿圖3、圖5、圖7的Ι-Γ線(xiàn)截取的剖視圖。圖9是在通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)施加正數(shù)據(jù)電壓時(shí)獲取的液晶顯示器的電路圖。圖10是在通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)施加正數(shù)據(jù)電壓之后獲取的液晶顯示器的電路圖。圖11是在通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)施加負(fù)數(shù)據(jù)電壓時(shí)獲取的液晶顯示器的電路圖。圖12是在通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)施加負(fù)數(shù)據(jù)電壓之后獲取的液晶顯示器的電路圖。圖13示出圖1和圖2中示出的液晶顯示器的包括第一像素電極的高區(qū)域和包括 第二像素電極的低區(qū)域之間的亮度差異的曲線(xiàn)圖。圖14是示出當(dāng)施加正電壓和負(fù)電壓時(shí)圖1和圖2中示出的液晶顯示器的高區(qū)域 的第一像素電極和低區(qū)域的第二像素電極之間的電壓差的曲線(xiàn)圖。圖15是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的俯視圖。圖16是沿圖15的ΙΙ-ΙΓ線(xiàn)截取的剖視圖。圖17是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的電路圖。圖18是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的俯視圖。圖19是沿圖18的ΙΙΙ-ΙΙΓ線(xiàn)截取的剖視圖。圖20是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的圖像顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法的框圖。
具體實(shí)施例方式在參照附圖的情況下詳細(xì)地描述提供了顯示面板和包括該顯示面板的液晶顯示 器的本發(fā)明的示例性實(shí)施例。通過(guò)參照下面對(duì)示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述和附圖，可以更容 易地理解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施，且不應(yīng)被解釋 為局限于這里闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開(kāi)將是徹底和完整的，并將把 本發(fā)明的構(gòu)思充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明僅由權(quán)利要求進(jìn)行限定。因此，在一些特定的實(shí)施例中，可以省略公知的處理步驟、裝置或方法、或冗余的部件以避免不必要地模糊了本發(fā)明。此外，本發(fā)明的示例性實(shí)施例以示例的方式進(jìn)行舉例 說(shuō)明，且不是以限制的方式進(jìn)行舉例說(shuō)明，例如i)在附圖中示意性地示出了結(jié)構(gòu)性形狀、 尺寸、比率、數(shù)量，從而可以或多或少地對(duì)它們進(jìn)行改變，ii)從觀(guān)察者的視角示出了附圖， 從而可以根據(jù)觀(guān)察者的位置來(lái)不同地改變用于說(shuō)明附圖的方向或位置，iii)即使在參照 不同的元件時(shí)，相同的標(biāo)號(hào)也可以用于指示那些元件，iv)當(dāng)使用術(shù)語(yǔ)“包括”、“具有”或
“由......構(gòu)成”時(shí)，除非采用術(shù)語(yǔ)“僅”來(lái)限定相關(guān)對(duì)象的組件，否則相關(guān)對(duì)象可以包括其
他部件，ν)當(dāng)以單數(shù)形式來(lái)進(jìn)行說(shuō)明時(shí)，其可以以復(fù)數(shù)形式以及單數(shù)形式進(jìn)行理解，vi)即 使在沒(méi)有采用術(shù)語(yǔ)“大約”或“基本”來(lái)說(shuō)明數(shù)值、形狀、尺寸比較、位置關(guān)系時(shí)，它們也可以
被解釋為包括公差范圍，vii)即使在引入了與時(shí)間的順序相關(guān)的術(shù)語(yǔ)(例如，“在......之
后”、“在......之前”、“并且”、“在此”或“順序地”)時(shí)，它們也可以沒(méi)有意在限定時(shí)域位
置，viii)僅處于方便而選擇性地、交換性地或重復(fù)性地使用指示次序的術(shù)語(yǔ)(例如，“第 一”、“第二”)，且可以沒(méi)有意在以任意限定的方式來(lái)理解指示次序的術(shù)語(yǔ)，ix)應(yīng)該理解的 是，當(dāng)元件被稱(chēng)為“在”另一元件“上”、“在”另一元件“上方”、“在”另一元件“之上”、“在” 另一元件“下方”或“在”另一元件“旁”時(shí)，它可以直接在另一元件上或者也可以存在一個(gè) 或更多的中間元件。應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)為“在”另一元件或?qū)印吧稀被颉斑B接到”另一元件 或?qū)訒r(shí)，它可以直接在另一元件或?qū)由匣蛑苯舆B接到另一元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖谥虚g元 件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱(chēng)為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀被颉爸苯舆B接到”另一元件或?qū)?時(shí)，不存在中間元件或?qū)印D1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的俯視圖。圖2是沿圖1的I-I' 線(xiàn)截取的剖視圖。參照?qǐng)D1和圖2，液晶顯示器包括下顯示面板1、上顯示面板2、設(shè)置在下顯示面板 1和上顯示面板2之間的液晶層3。對(duì)于下顯示面板1，柵極線(xiàn)121、第一柵電極124a、第二柵電極124b、存儲(chǔ)電極線(xiàn) 131、存儲(chǔ)電極133、第三柵電極124c設(shè)置在基板110上。光阻擋構(gòu)件(未示出)可以與柵 極線(xiàn)121設(shè)置為同一層。光阻擋構(gòu)件可以具有與數(shù)據(jù)線(xiàn)171類(lèi)似的平面形狀，可以與數(shù)據(jù) 線(xiàn)171疊置，或者可以具有基本等于或?qū)捰跀?shù)據(jù)線(xiàn)171的寬度的寬度。光阻擋構(gòu)件可以電 隔罔。柵極線(xiàn)121和存儲(chǔ)電極線(xiàn)131設(shè)置為彼此靠近。此外，柵極線(xiàn)121和存儲(chǔ)電極線(xiàn) 131可以基本上彼此平行地延伸。存儲(chǔ)電極133連接到存儲(chǔ)電極線(xiàn)131，并可以沿遠(yuǎn)離柵極線(xiàn)121的方向延伸。例 如，存儲(chǔ)電極133的一個(gè)側(cè)部可以包括第一部分133a，朝向像素的內(nèi)部并延伸遠(yuǎn)離柵極線(xiàn) 121 ；第二部分133b，連接到第一部分133a，朝向像素的外部延伸遠(yuǎn)離柵極線(xiàn)121。此外，存 儲(chǔ)電極133可以具有或可以不具有閉環(huán)形狀。在本示例中，存儲(chǔ)電極133圍繞第一像素電 極191a的外部，從而防止漏光。第一柵電極124a和第二柵電極124b與柵極線(xiàn)121 —體地形成。在柵極線(xiàn)121中 的具有寬的寬度的朝向存儲(chǔ)電極線(xiàn)131的一部分可以被用作第一柵電極124a和第二柵電 極124b。此外，第一柵電極124a和第二柵電極124b可以彼此分開(kāi)。第三柵電極124c與存儲(chǔ)電極線(xiàn)131 —體地形成。存儲(chǔ)電極線(xiàn)131中的具有寬的寬度的朝向柵極線(xiàn)121的一部分可以被用作第三柵電極124c。覆蓋柵極線(xiàn)121、第一柵電極124a、第二柵電極124b、存儲(chǔ)電極線(xiàn)131、存儲(chǔ)電極 133、第三柵電極124c的絕緣層140形成在基板110上。這里，絕緣層140的設(shè)置在第一柵電極124a、第二柵電極124b、第三柵電極124c 上的部分對(duì)應(yīng)于第一柵極絕緣層140a、第二柵極絕緣層140b、第三柵極絕緣層140c。半導(dǎo)體層圖案150、歐姆接觸層圖案160、導(dǎo)電層圖案(標(biāo)記為171、173a、173b、 173c、175a、175b、175c、177a、177b)順序設(shè)置在絕緣層 140 上。導(dǎo)電層圖案(171、173a、173b、173c、175a、175b、175c、177a、177b)包括數(shù)據(jù)線(xiàn) 171、第一源電極173a、第二源電極173b、第三源電極173c、第一漏電極175a、第二漏電極 175b、第三漏電極175c、第一接觸區(qū)域177a、第二接觸區(qū)域177b。數(shù)據(jù)線(xiàn)171沿與存儲(chǔ)電極線(xiàn)131和柵極線(xiàn)121交叉的方向延伸，并在存儲(chǔ)電極133 外部具有根據(jù)存儲(chǔ)電極133而延伸的形狀。第一源電極173a連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)171，并設(shè)置在第一柵電極124a上。第一源電極 173a具有在側(cè)部上凹進(jìn)的第一凹部R1。第一凹部Rl可以具有沿從存儲(chǔ)電極線(xiàn)131朝向柵 極線(xiàn)121的方向凹進(jìn)的形狀。第二源電極173b連接到第一源電極173a，并設(shè)置在第二柵電極124b上。第二源 電極173b的形狀可以與第一源電極173a的形狀基本相同。即，第二源電極173b的側(cè)部具 有凹進(jìn)的第二凹部R2，第二凹部R2可以具有沿從存儲(chǔ)電極線(xiàn)131朝向柵極線(xiàn)121的方向凹 進(jìn)的形狀。例如，第一源電極173a和第二源電極173b可以具有基本上與“U”相似的形狀。此 外，第一源電極173a和第二源電板173b彼此連接的結(jié)構(gòu)可以具有基本上與“ ω ”相似的形 狀。第三源電極173c可以設(shè)置在第三柵電極124c上。第三源電極173c的側(cè)部可以 具有凹進(jìn)的第三凹部R3。這里，第三凹部R3可以具有沿從第二源電極173b朝向第三源電 極173c的方向凹進(jìn)的形狀。例如，第三源電極173c可以具有基本上與“〕，，相似的形狀。第一漏電極175a設(shè)置在第一源電極173a的第一凹部Rl中，并與第一源電極173a 分開(kāi)預(yù)定間距。第二漏電極175b設(shè)置到第二源電極173b的第二凹部R2中，并與第二源電 極173b分開(kāi)預(yù)定間距。第三漏電極175c設(shè)置到第三源電極173c的第三凹部R3中，并與 第三源電極173c分開(kāi)預(yù)定間距。第二漏電極175b和第三漏電極175c可以彼此一體地形成。此外，第二漏電極175b 和第三漏電極175c可以通過(guò)單個(gè)接觸孔H2連接到第二像素電極191b。此外，源電極173a、173b、173c和漏電極175a、175b、175c的每個(gè)的形狀分為為條 形，并設(shè)置為彼此面對(duì)。此外，可以基于構(gòu)造來(lái)不同地改變?cè)措姌O173a、173b、173c和漏電 極 175a、175b、175c 的形狀。第一接觸區(qū)域177a連接到第一漏電極175a。此外，第二接觸區(qū)域177b連接在第 二漏電極175b和第三源電極173c之間。第一接觸區(qū)域177a和第二接觸區(qū)域177b的寬度 可以大于第一漏電極175a、第二漏電極175b、第三漏電極175c的寬度。設(shè)置在導(dǎo)電層圖案171、173a、173b、173c、175a、175b、175c、177a、177b 下的歐姆 接觸層圖案 160 的形狀與導(dǎo)電層圖案(171、173a、173b、173c、175a、175b、175c、177a、177b)的形狀基本相同。這里，歐姆接觸層圖案160中的設(shè)置在第一源電極173a和第一漏電極175a下的 部分與第一歐姆接觸圖案160a對(duì)應(yīng)，歐姆接觸層圖案160中的設(shè)置在第二源電極173b和 第二漏電極175b下的部分與第二歐姆接觸圖案160b對(duì)應(yīng)，歐姆接觸層圖案160中的設(shè)置 在第三源電極173c和第三漏電極175c下的部分與第三歐姆接觸圖案160c對(duì)應(yīng)。半導(dǎo)體層圖案150設(shè)置在歐姆接觸層圖案160下。半導(dǎo)體層圖案150的形狀與導(dǎo) 電層圖案(171、173a、173b、173e、175a、175b、175c、177a、177b)和歐姆接觸層圖案 160 的形 狀不同。半導(dǎo)體層圖案150包括第一部分15a，暴露在第一源電極173a和第一漏電極 175a之間；第二部分15b，暴露在第二源電極173b和第二漏電極175b之間；第三部分15c， 暴露在第三源電極173c和第三漏電極175c之間。半導(dǎo)體層圖案150中的設(shè)置在第一柵電極124a上的部分與第一半導(dǎo)體圖案150a 對(duì)應(yīng)，半導(dǎo)體層圖案150中的設(shè)置在第二柵電極124b上的部分與第二半導(dǎo)體圖案150b對(duì) 應(yīng)，半導(dǎo)體層圖案150中的設(shè)置在第三柵電極124c上的部分與第三半導(dǎo)體圖案150c對(duì)應(yīng)。然而，當(dāng)利用不同的掩模形成半導(dǎo)體層圖案、歐姆接觸層圖案、數(shù)據(jù)線(xiàn)、漏電極時(shí)， 數(shù)據(jù)線(xiàn)和漏電極的平面形狀可以不與歐姆接觸層圖案的平面形狀相同，半導(dǎo)體層圖案可以 僅形成在與柵電極疊置的區(qū)域上。鈍化層184形成在上述結(jié)構(gòu)上。絕緣層193形成在鈍化層184上。根據(jù)本發(fā)明的 示例性實(shí)施例，濾色器(未示出)和光阻擋構(gòu)件(未示出)中的至少一種可以設(shè)置在鈍化 層184和絕緣層193之間。絕緣層193和鈍化層184具有暴露第一接觸區(qū)域177a的第一接觸孔Hl和暴露第 二接觸區(qū)域177b的第二接觸孔H2。通過(guò)第一接觸孔Hl連接到第一接觸區(qū)域177a的第一像素電極191a設(shè)置在絕緣 層193上。第一像素電極191a可以具有這樣的形狀，S卩，平行四邊形的兩個(gè)電極片(piece) 關(guān)于第一電極191的平行于存儲(chǔ)電極線(xiàn)的中線(xiàn)彼此對(duì)稱(chēng)。兩個(gè)電極片的邊界可以具有微小 的分支結(jié)構(gòu)，微小的分支的寬度可以在大約2. 0 μ m至大約5. 0 μ m的范圍內(nèi)，微小的分支之 間的距離可以在大約2. 0 μ m至大約5. 0 μ m的范圍內(nèi)。這里，可以省略與柵極線(xiàn)121平行 地設(shè)置在兩個(gè)電極片之間的切口(cutout)以避免不必要地模糊了本發(fā)明。此外，第一像素 電極191a的邊界可以與存儲(chǔ)電極133的邊界對(duì)應(yīng)。此外，通過(guò)第二接觸孔H2連接到第二接觸區(qū)域177b的第二像素電極191b設(shè)置在 絕緣層193上。第二像素電極191b可以具有這樣的形狀，即，平行四邊形的兩個(gè)電極片關(guān) 于第二像素電極191b的與存儲(chǔ)電極線(xiàn)平行的中線(xiàn)彼此對(duì)稱(chēng)。這里，第二像素電極191b的面積可以大于第一像素電極191a的面積。例如，第二 像素電極191b的面積可以為第一像素電極191a的面積的大約兩倍大。此外，第二像素電 極191b的微小的分支的數(shù)量可以多于第一像素電極191a的微小的分支的數(shù)量。參照?qǐng)D2，上顯示面板2包括共電極270。液晶層3設(shè)置在下顯示面板1和上顯示 面板2之間。圖15是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的俯視圖。圖16是沿圖15的 II-II'線(xiàn)截取的剖視圖。省略了與圖1和圖2的液晶顯示器重復(fù)的描述以避免不必要地模糊了本發(fā)明。存儲(chǔ)電極133連接到存儲(chǔ)電極線(xiàn)131，并具有圍繞像素電極191a的閉環(huán)形狀。數(shù)據(jù)線(xiàn)171沿基本垂直的方向延伸。第一源電極173a連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)171，并設(shè)置在第一柵電極124a上。第一源電極 173a可以具有在側(cè)部上凹進(jìn)的第一凹部R1。第一凹部Rl可以具有沿從存儲(chǔ)電極線(xiàn)131朝 向柵極線(xiàn)121的方向凹進(jìn)的形狀。例如，第一源電極173a可以具有基本上與“U”相似的形 狀。第二源電極173b連接到第一源電極173a，并設(shè)置在第二柵電極124b上。第二源 電極173b可以具有凹進(jìn)的第二凹部R2。第二凹部R2可以具有沿從第二漏電極175b朝向 第一源電極173a的方向凹進(jìn)的形狀。例如，第二源電極173b可以具有基本上與‘‘(=，’相似 的形狀。例如，第一源電極173a和第二源電極173b可以彼此連接。第一柵電極124a和第 二柵電極124b可以彼此連接。第三源電極173c可以設(shè)置在第三柵電極124c上。第三柵電極124c連接到存儲(chǔ) 電極線(xiàn)131。第三源電極173c可以具有凹進(jìn)的第三凹部R3。這里，第三凹部R3可以具有 沿從柵極線(xiàn)121朝向存儲(chǔ)電極線(xiàn)131的方向凹進(jìn)的形狀。例如，第三源電極173c可以具有 基本上與“Π”相似的形狀。此外，第三源電極173c的第三凹部R3的兩側(cè)均可以延伸為矩 形形狀，因此第三源電極173c可以與第三柵電極124c形成電容器。例如，第三源電極173c 可以具有第二側(cè)部，第二側(cè)部可以具有與第三柵電極124c的外部對(duì)應(yīng)的形狀。第一漏電極175a插入到第一源電極173a的第一凹部Rl中，并與第一源電極173a 分開(kāi)預(yù)定間距。第二漏電極175b插入到第二源電極173b的第二凹部R2中，并與第二源電 極173b分開(kāi)預(yù)定間距。第三漏電極175c插入到第三源電極173c的第三凹部R3中，并與 第一源電極173c分開(kāi)預(yù)定間距。第二漏電極175b和第三漏電極175c可以彼此一體地形成。此外，第二漏電極175b 和第三漏電極175c可以通過(guò)第二接觸孔H2連接到第二像素電極191b。此外，源電極173a、173b、173c和漏電極175a、175b、175c分別具有條形電極，并設(shè) 置為彼此面對(duì)。此外，可以基于構(gòu)造來(lái)不同地改變?cè)措姌O173a、173b、173c和漏電極175a、 175b、175c 的形狀。第一接觸區(qū)域177a連接到第一漏電極175a。此外，第二接觸區(qū)域177b連接在第 二漏電極175b和第三源電極173c之間。第一接觸區(qū)域177a的寬度和第二接觸區(qū)域177b 的寬度大于第一漏電極175a的寬度、第二漏電極175b的寬度、第三漏電極175c的寬度。設(shè)置在導(dǎo)電層圖案(171、173a、173b、173c、175a、175b、175c、177a、177b)下的歐 姆接觸層圖案 160 與導(dǎo)電層圖案(171、173a、173b、173c、175a、175b、175c、177a、177b)的形 狀基本相同。這里，歐姆接觸層圖案160中的設(shè)置在第一源電極173a和第一漏電極175a下的 部分與第一歐姆接觸圖案160a對(duì)應(yīng)，歐姆接觸層圖案160中的設(shè)置在第二源電極173b和 第二漏電極175b下的部分與第二歐姆接觸圖案160b對(duì)應(yīng)，歐姆接觸層圖案160中的設(shè)置 在第三源電極173c和第三漏電極175c下的部分與第三歐姆接觸圖案160c對(duì)應(yīng)。半導(dǎo)體層圖案150設(shè)置在歐姆接觸層圖案160下。半導(dǎo)體層圖案150的形狀與導(dǎo)
9電層圖案(171、173a、173b、173c、175a、175b、175c、177a、177b)和歐姆接觸層圖案 160 的形 狀不同。半導(dǎo)體層圖案150包括第一部分15a，暴露在第一源電極173a和第一漏電極 175a之間；第二部分15b，暴露在第二源電極173b和第二漏電極175b之間；第三部分15c， 暴露在第三源電極173c和第三漏電極175c之間。半導(dǎo)體層圖案150中的設(shè)置在第一柵電極124a上的部分與第一半導(dǎo)體圖案150a 對(duì)應(yīng)，半導(dǎo)體層圖案150中的設(shè)置在第二柵電極124b上的部分與第二半導(dǎo)體圖案150b對(duì) 應(yīng)，半導(dǎo)體層圖案150中的設(shè)置在第三柵電極124c上的部分與第三半導(dǎo)體圖案150c對(duì)應(yīng)。鈍化層184形成在上述結(jié)構(gòu)上。絕緣層193形成在鈍化層184上。鈍化層184和 絕緣層193中的至少一種可以省略。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，濾色器230可以設(shè)置在鈍 化層184和絕緣層193之間。光阻擋構(gòu)件220可以設(shè)置在鈍化層184和絕緣層193之間。 光阻擋構(gòu)件220可以設(shè)置在幾個(gè)濾色器230之間，并可以覆蓋濾色器230的邊緣。例如，濾 色器230和光阻擋構(gòu)件220均可以在下顯示面板1中，或者均可以設(shè)置在上顯示面板2中。 此外，濾色器230和光阻擋構(gòu)件220中的一種可以設(shè)置在下顯示面板1中，或者可以設(shè)置在 第二顯示面板2中。絕緣層193和鈍化層184具有暴露第一接觸區(qū)域177a的第一接觸孔Hl和暴露第 二接觸區(qū)域177b的第二接觸孔H2。通過(guò)第一接觸孔Hl連接到第一接觸區(qū)域177a的第一像素電極191a設(shè)置在絕緣 層193上。第一像素電極191a的整體形狀可以為近似的四邊形，并可以包括交叉柄，具有 橫向柄和縱向柄；外部柄，圍繞交叉柄的外部；突起，從交叉柄的縱向柄的下部向下突出。 這里，外部柄可以圍繞交叉柄的整個(gè)外部，或者可以圍繞交叉柄的外部的一部分。第二像素電極191b的整體形狀可以為近似的四邊形，并可以包括交叉柄，具有 橫向柄和縱向比；上橫向部分；下橫向部分；突起，從交叉柄的縱向柄的上部向上突出。交叉柄將第一像素電極191a和第二像素電極191b分別分成4個(gè)子區(qū)域。第一像 素電極191a和第二像素電極191b在每個(gè)子區(qū)域中包括從交叉柄向外傾斜延伸的多個(gè)微小 的分支，微小的縫隙形成在微小的分支之間。微小的分支的寬度可以在大約2. 0 μ m至大約 5. Oym的范圍內(nèi)，微小的分支之間的間距可以在大約2. 0 μ m至大約5. 0 μ m的范圍內(nèi)。取向?qū)?未示出)可以形成在第一像素電極191a、第二像素電極191b、絕緣層193 上。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第一像素電極191a和第二像素電極191b包括四個(gè) 子區(qū)域，四個(gè)子區(qū)域包括具有不同的長(zhǎng)度方向的微小的分支或微小的縫隙，從而液晶層3 的液晶分子的傾斜方向共為四個(gè)方向?？梢酝ㄟ^(guò)改變液晶分子的傾斜方向來(lái)增加液晶顯示 器的參考視角。這里，第二像素電極191b的面積可以大于第一像素電極191a的面積。例如，第二 像素電極191b的面積可以在第一像素電極191a的面積的大約1倍大至3倍大的范圍內(nèi)。圖18是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的俯視圖?？梢允÷耘c圖1和圖 2的液晶顯示器重復(fù)的描述以避免不必要地模糊了本發(fā)明?？梢赃M(jìn)一步包括連接到第一像素電極191a的第一像素電極的擴(kuò)展部分191c。第一像素電極的擴(kuò)展部分191c可以連接到第一像素電極191a的一端。例如，第一像素電極 的擴(kuò)展部分191c可以連接到第一像素電極191a中的靠近第三晶體管Tr3的側(cè)部。第一像 素電極的擴(kuò)展部分191c的平面形狀可以與第三源電極173c的平面形狀相似。第一像素電 極的擴(kuò)展部分191c可以與第一像素電極191a設(shè)置為同一層。第一像素電極的擴(kuò)展部分 191c和第一像素電極191a可以在相同的圖案化工藝中同時(shí)形成?？梢詫⑴c向第一像素電 極191a施加的數(shù)據(jù)電壓相同的數(shù)據(jù)電壓施加到第一像素電極的擴(kuò)展部分191c。第一像素 電極的擴(kuò)展部分191c可以與第三源電極173c形成上電容器Cup。第一像素電極191a的分 支可以與存儲(chǔ)電極133疊置。上顯示面板2包括含有切口 71的共電極270和光阻擋構(gòu)件220。此外，液晶層3 設(shè)置在下顯示面板1和上顯示面板2之間。用于防止漏光的光阻擋構(gòu)件220形成在基板110上方。光阻擋構(gòu)件220與第二像 素電極191b的分支疊置。共電極270形成在基板210和光阻擋構(gòu)件220上。共電極270可以由諸如氧化銦 錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)的透明導(dǎo)電體制成。共電極270包括多個(gè)切口 71。每個(gè)切口 71包括三角形的槽(notch)。槽可以具 有四邊形、梯形或半圓形的形狀，并可以是突出或凹進(jìn)的。槽確定設(shè)置在與切口對(duì)應(yīng)的區(qū)域 邊界上的液晶分子的取向方向。取向?qū)?未示出)可以位于顯示面板1和2上，并可以為垂直取向?qū)?。液晶?可以具有負(fù)介電各項(xiàng)異性，當(dāng)沒(méi)有施加電場(chǎng)時(shí)，液晶分子可以取向?yàn)槠?主軸與兩個(gè)顯示面板1和2的表面基本垂直。圖3、圖5、圖7是示出圖1和圖2中示出的液晶顯示器的制造方法的俯視圖。圖 4、圖6、圖8分別是沿圖3、圖5、圖7的I-I'線(xiàn)截取的剖視圖。參照?qǐng)D3和圖4，在基板110上形成導(dǎo)電層(未示出)。通過(guò)第一蝕刻工藝圖案化 導(dǎo)電層以形成柵極線(xiàn)121、第一柵電極124a、第二柵電極124b、存儲(chǔ)電極線(xiàn)131、存儲(chǔ)電極 133、第三柵電極124c。這里，存儲(chǔ)電極133的一個(gè)側(cè)部可以包括第一部分133a，朝向像素的內(nèi)部，并延 伸遠(yuǎn)離柵極線(xiàn)121 ；第二部分133b，連接到第一部分133a，并朝向像素的外部延伸遠(yuǎn)離柵極 線(xiàn) 121。此外，存儲(chǔ)電極133可以具有閉環(huán)形狀。在本示例中，存儲(chǔ)電極133圍繞第一像素 電極191a的外部，從而防止漏光。參照?qǐng)D5和圖6，在基板110上形成覆蓋柵極線(xiàn)121、第一柵電極124a、第二柵電極 124b、存儲(chǔ)電極線(xiàn)131、存儲(chǔ)電極133、第三柵電極124c的絕緣層140。在絕緣層140上順序形成半導(dǎo)體層(未示出)、歐姆接觸層(未示出)、導(dǎo)電層(未 示出)。在導(dǎo)電層上對(duì)齊掩模，并執(zhí)行第二蝕刻工藝。蝕刻導(dǎo)電層以形成包括數(shù)據(jù)線(xiàn)171、第一源電極173a、第二源電極173b、第三源電 極173c、第一漏電極175a、第二漏電極175b、第三漏電極175c、第一接觸區(qū)域177a、第二接 觸區(qū)域 177b 的第一導(dǎo)電層圖案(171、173a、173b、173c、175a、175b、175c、177a、177b)。蝕刻歐姆接觸層以形成在導(dǎo)電層圖案(171、173a、173b、173c、175a、175b、175c、 177a、177b)下的歐姆接觸層圖案160。歐姆接觸層圖案160的形狀與導(dǎo)電層圖案(171、173a、173b、173c、175a、175b、175c、177a、177b)的形狀基本相同。蝕刻半導(dǎo)體層以形成在歐姆接觸層圖案160下的半導(dǎo)體層圖案150。半導(dǎo)體層圖 案 150 的形狀與導(dǎo)電層圖案(171、173a、173b、173c、175a、175b、175c、177a、177b)和歐姆接 觸層圖案160的形狀不同。半導(dǎo)體層圖案150可以具有這樣的結(jié)構(gòu)，S卩，通過(guò)第二蝕刻工藝沒(méi)有去除而是保 持了在第一源電極173a和第一漏電極175a之間的第一部分15a、在第二源電極173b和第 二漏電極175b之間的第二部分15b、在第三源電極173c和第三漏電極175c之間的第三部 分 15c。當(dāng)控制在第二蝕刻工藝中使用的掩模的厚度時(shí)，可以保持半導(dǎo)體圖案150的第一 部分15a、第二部分15b、第三部分15c。在一些示例中，當(dāng)掩模中的設(shè)置在第一部分15a、第二部分15b、第三部分15c上 的部分的厚度更小時(shí)，去除導(dǎo)電層和歐姆接觸層的設(shè)置在半導(dǎo)體層150的第一部分15a、第 二部分15b、第三部分15c上的部分，然而，沒(méi)有蝕刻半導(dǎo)體層150的第一部分15a、第二部 分15b、第三部分15c，從而可以保持半導(dǎo)體層150的第一部分15a、第二部分15b、第三部分 15c0形成了圖5和圖6的結(jié)構(gòu)，然后，參照?qǐng)D7和圖8，沉積鈍化層184。在鈍化層184 上形成絕緣層193。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可以在鈍化層184上形成濾色器(未示 出)之后形成絕緣層193。通過(guò)第三蝕刻工藝圖案化絕緣層193和鈍化層184，以形成暴露第一接觸區(qū)域 177a的第一接觸孔Hl和暴露第二接觸區(qū)域177b的第二接觸孔H2。參照?qǐng)D1和圖2，在絕緣層193上形成填充第一接觸孔Hl和第二接觸孔H2的導(dǎo)電 層(未示出)。通過(guò)第四蝕刻工藝圖案化導(dǎo)電層，以形成通過(guò)第一接觸孔Hl連接到第一接觸區(qū) 域177a的第一像素電極191a和通過(guò)第二接觸孔H2連接到第二接觸區(qū)域177b的第二像素 電極191b。因此，形成了液晶顯示器的下顯示面板1。參照?qǐng)D2，提供了具有共電極270的上顯示面板2。然后，在下顯示面板1和上顯 示面板2之間形成液晶層3，以完成液晶顯示器。圖1、圖2、圖15、圖16的液晶顯示器是具有圖9、圖10、圖11、圖12的液晶顯示器 的電路的示例。因此，如果提供了圖9、圖10、圖11、圖12的液晶顯示器的電路中示出的連 接關(guān)系，則可以不同地改變液晶顯示器的布置。參照?qǐng)D1、圖2、圖15、圖16，第一柵電極124a、第一柵極絕緣層140a、第一半導(dǎo)體 圖案150a、第一歐姆接觸圖案160a、第一源電極173a、第一漏電極175a形成第一晶體管 Trl0第二柵電極124b、第二柵極絕緣層140b、第二半導(dǎo)體圖案150b、第二歐姆接觸圖 案160b、第二源電極173b、第二漏電極175b形成第二晶體管Tr2。第一柵電極124a和第二柵電極124b連接到柵極線(xiàn)121。第一源電極173a和第二 源電極連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)171。因此，第一晶體管Trl和第二晶體管Tr2同時(shí)導(dǎo)通或截止。第三柵電極124c、第三柵極絕緣層140c、第三半導(dǎo)體圖案150c、第三歐姆接觸圖 案160c、第三源電極173c、第三漏電極175c形成第三晶體管Tr3。這里，第三柵電極124c
12連接到存儲(chǔ)電極線(xiàn)131?？梢元?dú)立于共電極270地向存儲(chǔ)電極線(xiàn)131施加預(yù)定幅值的電 壓。即，存儲(chǔ)電極線(xiàn)131可以用于將信號(hào)施加到第三柵電極124c，從而可以不減小液晶層 的開(kāi)口率和透射率。要施加到存儲(chǔ)電極線(xiàn)131或共電極270的電壓可以是考慮到回踢電壓 (kick-backvoltage)的值。例如，當(dāng)液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)電壓為15V且回饋電壓為IV時(shí)，參 考電勢(shì)可以為15AV，驅(qū)動(dòng)電壓可以以大約4.5V至8.5V的幅值擺動(dòng)(swing)。此外，對(duì)于 諸如大約240Hz或大約480Hz的高速驅(qū)動(dòng)，可以應(yīng)用當(dāng)前的柵極導(dǎo)通電壓和先前的柵極導(dǎo) 通電壓彼此重疊的預(yù)充電驅(qū)動(dòng)方法(pre-charge driving method)以及當(dāng)前的柵極導(dǎo)通電 壓和先前的柵極導(dǎo)通電壓彼此不重疊的驅(qū)動(dòng)方法，與前一種驅(qū)動(dòng)方法相比，后一種驅(qū)動(dòng)方 法可以進(jìn)一步改善顯示裝置的顯示品質(zhì)。這里，第三柵電極124c、第三柵極絕緣層140、第三源電極173c形成下電容器 Cdown。下電容器Cdown可以包括順序位于第三絕緣層140和第三源電極173c之間的第三 半導(dǎo)體圖案150c和第三歐姆接觸圖案160c。第一像素電極191a、液晶層3、共電極270形成液晶電容器Clc，第二像素電極 19Ib、液晶層3、共電極270形成液晶電容器Clc。圖9是在通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)施加正數(shù)據(jù)電壓時(shí)獲取的液晶顯示器的電路圖，圖10是在通 過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)施加正數(shù)據(jù)電壓之后獲取的液晶顯示器的電路圖。參照?qǐng)D9，節(jié)點(diǎn)Bl的電壓變?yōu)閿?shù)據(jù)電壓，節(jié)點(diǎn)A的電壓也變?yōu)閿?shù)據(jù)電壓。節(jié)點(diǎn)B2 的電壓因考慮到下電容器的充電比而為與數(shù)據(jù)電壓相關(guān)的值，電流沿由虛線(xiàn)指示的電流方 向流動(dòng)?？梢酝ㄟ^(guò)第三晶體管的寬度、下電容器的大小(magnitude)、施加到存儲(chǔ)電極線(xiàn)的 電壓的幅值來(lái)適當(dāng)?shù)乜刂葡码娙萜鞯某潆姳?。第三晶體管Tr3的尺寸可以與柵極導(dǎo)通時(shí)間 相關(guān)。例如，隨著柵極導(dǎo)通時(shí)間增加，第三晶體管Tr3的尺寸可以增加。相反，隨著柵極導(dǎo) 通時(shí)間減少，第三晶體管Tr3的尺寸可以減小。此外，第三晶體管Tr3的尺寸可以大于晶體 管的最小尺寸，并可以小于第二晶體管Tr2的尺寸。參照?qǐng)D10，在施加正數(shù)據(jù)電壓之后，基于液晶電容器Clc和下電容器Cdown的大小 (magnitude)出現(xiàn)了電壓分布，從而節(jié)點(diǎn)Bl的電壓等于節(jié)點(diǎn)B2的電壓，節(jié)點(diǎn)A的電壓保持 在數(shù)據(jù)電壓。因此，施加到第一像素電極191a的電壓的幅值大于施加到第二像素電極191b 的電壓的幅值。因此，當(dāng)施加正電壓時(shí)，第一像素電極191a占據(jù)的區(qū)域?yàn)楦邊^(qū)域，第二像素電極 191b占據(jù)的區(qū)域?yàn)榈蛥^(qū)域。圖11是在通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)施加負(fù)數(shù)據(jù)電壓時(shí)獲取的液晶顯示器的電路圖，圖12是在 通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)施加負(fù)數(shù)據(jù)電壓之后獲取的液晶顯示器的電路圖。參照?qǐng)D11，節(jié)點(diǎn)Bl的電壓變?yōu)閿?shù)據(jù)電壓，節(jié)點(diǎn)A的電壓也變?yōu)閿?shù)據(jù)電壓。節(jié)點(diǎn)B2 的電壓因考慮到下電容器的充電比而為與數(shù)據(jù)電壓相關(guān)的值，電流沿由虛線(xiàn)指示的電流方 向流動(dòng)?？梢酝ㄟ^(guò)第三晶體管的寬度、下電容器的大小(magnitude)、施加到存儲(chǔ)電極線(xiàn)的 電壓的幅值來(lái)適當(dāng)?shù)乜刂葡码娙萜鞯某潆姳?。參照?qǐng)D12，在施加負(fù)數(shù)據(jù)電壓之后，基于液晶電容器Clc的和下電容器Cdown的 大小(magnitude)出現(xiàn)了電壓分布，從而節(jié)點(diǎn)Bl的電壓等于節(jié)點(diǎn)B2的電壓，節(jié)點(diǎn)A的電壓 保持在數(shù)據(jù)電壓。因此，施加到第一像素電極191a的電壓的幅值大于施加到第二像素電極 191b的電壓的幅值。
因此，當(dāng)施加負(fù)電壓時(shí)，第一像素電極191a占據(jù)的區(qū)域?yàn)楦邊^(qū)域，第二像素電極 191b占據(jù)的區(qū)域?yàn)榈蛥^(qū)域。圖17是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的電路圖。省略了與圖9、圖10、 圖11、圖12的電路圖重復(fù)的描述以避免不必要地模糊了本發(fā)明。圖18和圖19的液晶顯示器示例性地表現(xiàn)了圖17的液晶顯示器的電路圖。因此， 如果提供了圖17的液晶顯示器的電路中示出的連接關(guān)系，則可以不同地改變液晶顯示器 的布置。與圖9、圖10、圖11、圖12的電路圖相比，圖17的電路還包括連接到節(jié)點(diǎn)B2和節(jié) 點(diǎn)A之間的上電容器Cup。通過(guò)上電容器Cup的連接，可以進(jìn)一步增加施加到第一像素電 極191a的電壓的幅值。結(jié)果，可以進(jìn)一步增加施加到第一像素電極191a的電壓的幅值和 施加到第二像素電極191b的電壓的幅值之間的差。因此，可以進(jìn)一步增加高區(qū)域和低區(qū)域 之間的亮度差異，從而可以進(jìn)一步改善液晶顯示器的可視性。此外，可以進(jìn)一步改善液晶顯 示器的透射率?？梢酝ㄟ^(guò)上電容器Cup和下電容器Cdown來(lái)改變第一液晶電容器Clca和第二液 晶電容器Clcb的充電電壓。即，連接到第二開(kāi)關(guān)元件Tr2的輸出端的第二像素電極191b 的電荷流動(dòng)到上電容器Cup中，從而可以降低第二液晶電容器Clcb的電壓。此外，連接到 第三開(kāi)關(guān)元件Tr3的輸出端的上電容器Cup的電荷流動(dòng)到下電容器Cdown中，從而可以增 加第一液晶電容器Clca的電壓。因此，可以通過(guò)上電容器Cup來(lái)減小第二液晶電容器Clcb 的充電電壓，可以通過(guò)下電容器Cdown來(lái)增大第一液晶電容器Clca的充電電壓，從而可以 增加第一液晶電容器Clca和第二液晶電容器Clcb的充電電壓之間的差異。通過(guò)這樣的操作，如果將電壓充入第一液晶電容器Clca和第二液晶電容器Clcb， 則電場(chǎng)形成于液晶層3。因此，液晶層3的液晶分子響應(yīng)于電場(chǎng)而改變?nèi)∠?，從而液晶分?的主軸變?yōu)榕c電場(chǎng)的方向垂直，并且根據(jù)液晶分子的傾斜程度而改變?nèi)肷涞揭壕?的光 的偏振的改變程度。通過(guò)偏振器將偏振的改變表現(xiàn)為透射率的改變，因此，液晶顯示器顯示 圖像。第一液晶電容器Clca的充電電壓和第二液晶電容器Clcb的充電電壓可以不同， 從而在第一像素電極191a和第二像素電極191b中液晶分子的傾斜角可以不同，像素的與 第一像素電極191a和第二像素電極191b對(duì)應(yīng)的亮度可以不同。因此，如果適當(dāng)?shù)乜刂频?一液晶電容器Clca的充電電壓和第二液晶電容器Clcb的充電電壓，則在側(cè)部觀(guān)看的圖像 可以最接近在前面觀(guān)看的圖像，從而可以改善側(cè)部可視性。另一方面，微小的分支的邊緣使電場(chǎng)變形，因此使得水平分量與微小的分支的邊 緣垂直，并可以基于水平分量來(lái)確定液晶分子的傾斜方向。這里，液晶分子可以沿與微小的 分支的長(zhǎng)度方向平行的方向傾斜。因此，設(shè)置在像素電極上的液晶分子沿由切口形成的域 的方向快速取向，從而可以改善液晶顯示器的響應(yīng)速度。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，一個(gè)像素的微小的分支195延伸所沿的長(zhǎng)度方向?yàn)?全部的四個(gè)方向，從而液晶分子傾斜所沿的方向可以為全部的四個(gè)方向。如上所述，可以通 過(guò)改變液晶分子的傾斜方向來(lái)增加液晶顯示器的參考視角。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，可以通過(guò)構(gòu)造將圖1至圖19的液晶顯示器修改為3D 顯示器。3D顯示器可以被分為通常利用諸如開(kāi)閉器眼鏡和偏振眼鏡的眼鏡進(jìn)行觀(guān)看的立體方法和不需要眼鏡的設(shè)置有柱狀透鏡(lenticularlens)或視差阻擋件的自動(dòng)立體方法。圖20是利用衍射透鏡的3D顯示器的驅(qū)動(dòng)方法的框圖。衍射透鏡400可以切換開(kāi)/關(guān)以利用光的衍射來(lái)劃分顯示面板300中顯示的圖像 的視場(chǎng)(vision field)。即，衍射透鏡400通過(guò)利用光的衍射來(lái)衍射顯示面板300的圖像， 從而在對(duì)應(yīng)的視場(chǎng)處形成圖像。當(dāng)顯示面板300處于2D模式下時(shí)衍射透鏡400關(guān)閉，當(dāng)顯 示面板300處于3D模式下時(shí)衍射透鏡400打開(kāi)，從而具有劃分顯示面板300的圖像的視場(chǎng) 的功能。此外，當(dāng)顯示面板300處于3D模式下時(shí)衍射透鏡400可以關(guān)閉，當(dāng)顯示面板300 處于2D模式下時(shí)衍射透鏡400可以打開(kāi)。衍射透鏡400可以通過(guò)菲涅耳帶板(Fresnel zone plate)來(lái)實(shí)現(xiàn)。按與普通的 菲涅耳帶相同的放射的方式來(lái)布置菲涅耳帶板，菲涅耳帶板是指通過(guò)利用間距從中心至外 部減小的多個(gè)同心圓而利用光的衍射而非光的折射的透鏡功能的裝置。圖像顯示裝置外部的存儲(chǔ)單元700存儲(chǔ)2D圖像信息和3D圖像信息，并可以接收 確定顯示2D圖像還是顯示3D圖像的選擇信息。輸入有選擇信息的存儲(chǔ)單元700根據(jù)選擇 信息來(lái)將2D圖像信號(hào)Din_2D或3D圖像信號(hào)Din_3D和選擇信號(hào)SEL輸出到圖像顯示裝置 的控制器600。從存儲(chǔ)單元700輸出的圖像信號(hào)的種類(lèi)可以確定為一種，從而可以省略選擇 信號(hào)SEL?？刂破?00的圖像處理器610接收2D圖像信號(hào)Din_2D或3D圖像信號(hào)Din_3D和 選擇信號(hào)SEL，并對(duì)它們進(jìn)行適當(dāng)?shù)靥幚恚詫⒔?jīng)處理的2D圖像信號(hào)Dout_2D或經(jīng)處理的 3D圖像信號(hào)Dout_3D傳輸?shù)斤@示面板控制器620，并將開(kāi)關(guān)信號(hào)SWT傳輸?shù)窖苌渫哥R控制 器630。開(kāi)關(guān)信號(hào)SWT是用于衍射透鏡400的開(kāi)/關(guān)切換的信號(hào)。輸入有開(kāi)關(guān)信號(hào)SWT的衍射透鏡控制器630產(chǎn)生衍射透鏡控制信號(hào)C0NT2，以將衍 射透鏡控制器C0NT2輸出到圖像顯示裝置的衍射透鏡400。衍射透鏡控制信號(hào)C0NT2控制 衍射透鏡400切換開(kāi)/關(guān)。接收經(jīng)處理的2D圖像信號(hào)Dout_2D或經(jīng)處理的3D圖像信號(hào)Dout_3D的顯示面板 控制器620產(chǎn)生顯示面板控制信號(hào)CONTl和2D圖像數(shù)據(jù)DAT_2D或3D圖像數(shù)據(jù)DAT_3D，以 將它們輸出到顯示面板300。顯示面板控制信號(hào)CONTl控制顯示面板在3D模式下操作還是 在2D模式下操作。當(dāng)在2D模式下操作時(shí)，顯示2D圖像數(shù)據(jù)DAT_2D，當(dāng)在3D模式下操作時(shí)，顯示3D 圖像數(shù)據(jù)DAT_3D。根據(jù)衍射透鏡控制信號(hào)C0NT2來(lái)切換衍射透鏡400的開(kāi)/關(guān)。當(dāng)顯示面板300處 于2D模式下時(shí)可以關(guān)閉衍射透鏡400，當(dāng)顯示面板300處于3D模式下時(shí)可以打開(kāi)衍射透鏡 400 ；與此相反，當(dāng)顯示面板300處于3D模式下時(shí)可以關(guān)閉衍射透鏡400，當(dāng)顯示面板300處 于2D模式下時(shí)可以打開(kāi)衍射透鏡400。這可以根據(jù)衍射透鏡400的種類(lèi)來(lái)確定。圖13是描述圖1和圖2中示出的液晶顯示器中的包括第一像素電極的高區(qū)域和 包括第二像素電極的低區(qū)域之間的亮度差異的模擬結(jié)果的曲線(xiàn)圖。參照?qǐng)D13，得出的是高區(qū)域和低區(qū)域之間的亮度差異在大約24至大約40的中灰 度處大。當(dāng)亮度差異在中灰度處大時(shí)，可以改善可視性，從而液晶顯示器可以具有優(yōu)良的可 視性。圖14是示出當(dāng)施加正電壓和負(fù)電壓時(shí)圖1和圖2中示出的液晶顯示器中的高區(qū)域的第一像素電極和低區(qū)域的第二像素電極之間的電壓差的模擬結(jié)果的曲線(xiàn)圖。參照?qǐng)D14，電壓差在大約64的最大灰度處非常小，為大約1.0至大約1.3。當(dāng)電 壓差在最大灰度處小時(shí)，透射率增加，從而液晶顯示器具有很高且優(yōu)良的透射率。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)應(yīng)該明顯的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下 可以在本發(fā)明中進(jìn)行修改和變化。因此，本發(fā)明意在覆蓋本發(fā)明的修改和變化，只要它們落 入權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)即可。
權(quán)利要求
一種顯示面板，包括柵極線(xiàn)；數(shù)據(jù)線(xiàn)，與柵極線(xiàn)交叉；第一晶體管，連接到柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)；第二晶體管，連接到柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)；存儲(chǔ)電極線(xiàn)，與柵極線(xiàn)分開(kāi)；第三晶體管，連接到存儲(chǔ)電極線(xiàn)和第二晶體管；第一像素電極，連接到第一晶體管；第二像素電極，連接到第二晶體管和第三晶體管。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，第一晶體管的柵電極和第二晶體管的柵電極 連接到柵極線(xiàn)。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，第三晶體管的柵電極連接到存儲(chǔ)電極線(xiàn)。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示面板，其中，第三晶體管的柵電極與存儲(chǔ)電極線(xiàn)一體地形成。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示面板，其中，第三晶體管的柵電極為存儲(chǔ)電極線(xiàn)一部分，該 部分的寬度寬于存儲(chǔ)電極線(xiàn)的其他部分的寬度。
6.如權(quán)利要求3所述的顯示面板，其中，第三晶體管連接到包括第一端和第二端的第 一電容器，第一電容器的第一端連接到第三晶體管的柵電極，第一電容器的第二端連接到 第三晶體管的源電極。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示面板，其中，第三晶體管連接到包括第一端和第二端的第 二電容器，第二電容器的第一端連接到第一像素電極，第二電容器的第二端連接到第三晶 體管的源電極。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示面板，其中，第三晶體管的源電極包括第一側(cè)部，第一側(cè) 部包括凹進(jìn)的凹部，第三晶體管的漏電極與第三晶體管的源電極分開(kāi)并設(shè)置在凹進(jìn)的凹部 中。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示面板，其中，第三晶體管的源電極包括第二側(cè)部，第二側(cè)部 具有與第三晶體管的柵電極的外部對(duì)應(yīng)的形狀。
10.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，第一晶體管包括連接到柵極線(xiàn)的第一柵電極、連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)的第一源電極、與第一源 電極分開(kāi)的第一漏電極，第二晶體管包括連接到柵極線(xiàn)的第二柵電極、連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)的第二源電極、與第二源 電極分開(kāi)的第二漏電極，第三晶體管包括連接到存儲(chǔ)電極線(xiàn)的第三柵電極、連接到第二漏電極的第三漏電極、 與第三漏電極分開(kāi)的第三源電極， 第一像素電極連接到第一漏電極， 第二像素電極連接到第二漏電極和第三漏電極。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示面板，其中，第一源電極的第一側(cè)部包括凹進(jìn)的第一凹部，第二源電極的第一側(cè)部包括凹進(jìn)的第二 凹部，第三源電極的第一側(cè)部包括凹進(jìn)的第三凹部，2第一漏電極設(shè)置在第一凹部中，同時(shí)與第一源電極保持間距，第二漏電極設(shè)置在第二 凹部中，同時(shí)與第二源電極保持間距，第三漏電極，設(shè)置在第三凹部中，同時(shí)與第三源電極 保持間距。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中，第一源電極和第二源電極彼此一體地形成。
13.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中，第三源電極具有第二側(cè)部，第二側(cè)部具有與 第三柵電極的外部對(duì)應(yīng)的形狀。
14.如權(quán)利要求10所述的顯示面板，其中，第三晶體管連接到包括第一端和第二端的 第一電容器，第一電容器的第一端連接到第三柵電極，第一電容器的第二端連接到第三源 電極。
15.如權(quán)利要求14所述的顯示面板，其中，第三晶體管連接到包括第一端和第二端的 第二電容器，第二電容器的第一端連接到第一像素電極，第二電容器的第二端連接到第三 源電極。
16.如權(quán)利要求10所述的顯示面板，其中，第二漏電極和第三漏電極彼此一體地形成， 第二漏電極和第三漏電極通過(guò)接觸孔連接到第二像素電極。
17.一種顯示裝置，包括下顯示面板，包括柵極線(xiàn)、與柵極線(xiàn)交叉的數(shù)據(jù)線(xiàn)、連接到柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)的第一晶體 管、連接到柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)的第二晶體管、與柵極線(xiàn)分開(kāi)的存儲(chǔ)電極線(xiàn)、連接到存儲(chǔ)電極線(xiàn) 和第二晶體管的第三晶體管、連接到第一晶體管的第一像素電極、連接到第二晶體管和第 三晶體管的第二像素電極；液晶層，設(shè)置在下顯示面板上；上顯示面板，設(shè)置在液晶層上，上顯示面板包括共電極。
18.如權(quán)利要求17所述的裝置，其中，第一晶體管的柵電極和第二晶體管的柵電極連 接到柵極線(xiàn)，第三晶體管的柵電極連接到存儲(chǔ)電極線(xiàn)。
19.如權(quán)利要求18所述的裝置，其中，第三晶體管連接到包括第一端和第二端的第一 電容器，第一電容器的第一端連接到第三晶體管的柵電極，第一電容器的第二端連接到第 三晶體管的源電極。
20.如權(quán)利要求19所述的裝置，其中，第三晶體管連接到包括第一端和第二端的第二 電容器，第二電容器的第一端連接到第一像素電極，第二電容器的第二端連接到第三晶體 管的源電極。
21.如權(quán)利要求19所述的裝置，其中，第三晶體管的源電極具有形狀與第三晶體管的 柵電極的外部對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)側(cè)部。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種顯示面板和包括該顯示面板的顯示裝置。提供了一種用于以高開(kāi)口率、透射率、可視性來(lái)操作顯示面板和液晶顯示器電路構(gòu)造的方法，該電路構(gòu)造包括柵極線(xiàn)；數(shù)據(jù)線(xiàn)，與柵極線(xiàn)交叉；第一晶體管，連接到柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)；第二晶體管，連接到柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)；存儲(chǔ)電極線(xiàn)，與柵極線(xiàn)分開(kāi)；第三晶體管，連接到存儲(chǔ)電極線(xiàn)和第二晶體管；第一像素電極，連接到第一晶體管；第二像素電極，連接到第二晶體管和第三晶體管。與另外的柵極線(xiàn)分開(kāi)的第三晶體管連接到存儲(chǔ)電極線(xiàn)，從而可以增加開(kāi)口率，并可以增強(qiáng)可視性和透射率。
文檔編號(hào)H01L27/02GK101958318SQ20101022610
公開(kāi)日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2010年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月14日
發(fā)明者尹寧秀, 蔡鐘哲, 鄭光哲, 高俊哲 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社