專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種設(shè)有半導(dǎo)體發(fā)光元件的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
圖6和7示出了常規(guī)半導(dǎo)體發(fā)光裝置的一個(gè)例子(例如，參見 JP-A-2005-353914)。該示出的半導(dǎo)體發(fā)光裝置X包括導(dǎo)線架91、LED芯片92、殼體93和透 明樹脂94。導(dǎo)線架91包括兩個(gè)條狀部分，即相對(duì)較長的部分91a和相對(duì)較短的部分91b， 如圖6所示。從圖7可以看出，這兩個(gè)部分具有相同的寬度，并以導(dǎo)線架91的底表面露出 殼體93之外的方式裝配到殼體93的下部空間中。LED芯片92作為半導(dǎo)體發(fā)光裝置X的光 源，并被焊接到導(dǎo)線架91的較長條狀部分91a上。LED芯片92通過導(dǎo)線95連接到導(dǎo)線架 91的較短條狀部分91b。發(fā)光裝置X例如可以安裝到印刷電路板上。為了從半導(dǎo)體發(fā)光裝置X獲得更強(qiáng)的光發(fā)射，需要對(duì)LED芯片92施加更大的電功 率。不可避免地，由LED芯片92產(chǎn)生的熱量增加，為了維持適當(dāng)?shù)墓獍l(fā)射，應(yīng)當(dāng)將該熱量從 較長條狀部分91a傳導(dǎo)到電路板。一種促進(jìn)熱傳導(dǎo)的方法是加寬與LED芯片92連接的條 狀部分91a(從而加寬導(dǎo)線架91)。雖然較長條狀部分91a的寬度被加大，但是殼體93的整個(gè)尺寸可以不變，以使發(fā) 光裝置X保持小型化。在此情況下，殼體93的側(cè)壁需要被制得更薄，以允許較長條狀部分 91a的尺寸加大。然而，這種結(jié)構(gòu)將削弱殼體93的框架夾持力，這可能使導(dǎo)線架91從殼體 93脫落。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而提出的，其目的在于提供一種小型的并能夠發(fā)射亮光的 半導(dǎo)體發(fā)光裝置。根據(jù)本發(fā)明，提供一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括導(dǎo)線架，其包括具有頂表面和底表 面的焊接區(qū)；半導(dǎo)體發(fā)光元件，其安裝在焊接區(qū)的頂表面上；以及殼體，其覆蓋導(dǎo)線架的一 部分。焊接區(qū)的底表面露出到殼體的外部。導(dǎo)線架包括從焊接區(qū)延伸并具有頂表面和底表 面的薄延伸部分，薄延伸部分的頂表面與焊接區(qū)的頂表面齊平，而薄延伸部分的底表面從 焊接區(qū)的底表面向焊接區(qū)的頂表面偏移。優(yōu)選地，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光裝置可以進(jìn)一步包括從焊接區(qū)延伸并具有頂表面 和底表面的厚延伸部分。厚延伸部分被布置成靠近薄延伸部分且厚度與焊接區(qū)的厚度相 同。厚延伸部分的底表面露出到殼體的外部。參照附圖閱讀以下說明，將會(huì)清楚本發(fā)明的其它特征和優(yōu)勢。


圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的主要部分的平面圖。圖2是表示圖1所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的底視圖。圖3是沿圖1中的III-III線的截面圖。圖4是沿圖1中的IV-IV線的截面圖。圖5是沿圖1中的V-V線的截面圖。圖6是表示常規(guī)半導(dǎo)體發(fā)光裝置的截面圖。圖7是沿圖6中的VII-VII線的截面圖。
具體實(shí)施例方式下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行描述。圖1-5示出了根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。半導(dǎo)體發(fā)光裝置A包括導(dǎo)線架1、發(fā) 光二極管(LED)芯片2、殼體3和允許從LED芯片2發(fā)出的光通過的保護(hù)樹脂4。發(fā)光裝置 A為長約4毫米、寬約1毫米、高約0. 6毫米的小長方體。在圖1中，為了方便說明，未示出 保護(hù)樹脂4。導(dǎo)線架1由銅、鎳或者包含銅和/或鎳的合金制成。如圖2所示，導(dǎo)線架1的底表 面露出到殼體3之外，并且導(dǎo)線架1被分成較長的主要部分和較短的次要部分。該主要部 分包括焊接區(qū)11、多個(gè)薄延伸部分12和多個(gè)厚延伸部分13。在圖1中，焊接區(qū)11和延伸 部分12、13之間的邊界用雙點(diǎn)虛線表示。焊接區(qū)11為條狀區(qū)域，LED芯片2安裝到它的一部分上。每個(gè)薄延伸部分12從 焊接區(qū)11中伸出，其厚度例如約為焊接區(qū)11厚度的一半。如圖4所示，薄延伸部分12的 頂表面與焊接區(qū)11的頂表面齊平。薄延伸部分12的底表面被設(shè)置成高于焊接區(qū)11的底 表面，如圖4中縱向所示(換句話說，薄延伸部分12的底表面從焊接區(qū)11的底表面向焊接 區(qū)11的頂表面偏移)。薄延伸部分12的底表面被殼體3覆蓋。如圖5所示，每個(gè)厚延伸部分13從焊接區(qū)11伸出，其厚度基本與焊接區(qū)11的厚 度相同。厚延伸部分13的頂表面與焊接區(qū)11的頂表面齊平，厚延伸部分13的底表面(其 與焊接區(qū)11的底表面齊平)露出到殼體3的外部。如圖1和2所示，薄延伸部分12和厚 延伸部分13在導(dǎo)線架1的橫向交替地布置。作為發(fā)光裝置A的光源的LED芯片2被配置成發(fā)出預(yù)定波長的光。LED芯片2由 諸如氮化鎵(GaN)等的半導(dǎo)體材料制成，并通過電子和空穴在夾于η型半導(dǎo)體層和ρ型半 導(dǎo)體層之間的活性層處的再結(jié)合而發(fā)出藍(lán)光、綠光或紅光。LED芯片2通過導(dǎo)線5連接到導(dǎo) 線架1的較短部分。殼體3例如由白樹脂制成，并且通常為矩形框架。如圖3-5所示，殼體3的內(nèi)表面 作為向下斜削的反射體3a。反射體3a向上反射從LED芯片2側(cè)方發(fā)出的光。如圖4所示， 殼體3保持與薄延伸部分12以不易松開的方式嚙合在一起。而且，如圖2所示，殼體3與 薄延伸部分12和厚延伸部分13相嚙合。保護(hù)樹脂4由填充于由殼體3限定的空間中的例如透明樹脂或透明環(huán)氧樹脂制 成。保護(hù)樹脂4覆蓋LED芯片2，同時(shí)保護(hù)LED芯片2。接下來，下面將描述半導(dǎo)體發(fā)光裝置A的功能。
如上所述，殼體3被保持為與薄延伸部分12以不易松開的方式接合。因此，導(dǎo)線 架1被殼體3可靠地保持，以防止導(dǎo)線架1從殼體3中脫落。結(jié)果，盡管發(fā)光裝置A具有非 常小的寬度(約1毫米)，但是導(dǎo)線架1露出殼體3之外的面積較大，如圖2所示。因此，熱 量能夠有效地從LED芯片2傳導(dǎo)到例如印刷電路板等，這有助于獲得預(yù)期強(qiáng)度的光發(fā)射。如上所述，薄延伸部分12和厚延伸部分13彼此交替地布置，厚延伸部分13的底 表面露出到殼體3的外部，如圖2所示。以這種方式，能夠增加導(dǎo)線架1的露出面積。有利 地，這便于將LED芯片2的熱量散逸出去。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括導(dǎo)線架，其包括焊接區(qū)；半導(dǎo)體發(fā)光元件，其安裝在所述焊接區(qū)；以及殼體，其覆蓋所述導(dǎo)線架的一部分，其中所述焊接區(qū)露出到所述殼體的外部；其中所述導(dǎo)線架包括從所述焊接區(qū)延伸的第一延伸部分，該第一延伸部分在厚度上小于所述焊接區(qū)；并且其中所述導(dǎo)線架還包括從所述焊接區(qū)延伸的第二延伸部分，該第二延伸部分在厚度上大于所述第一延伸部分；其中所述第二延伸部分露出到所述殼體的外部。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述導(dǎo)線架包括從所述焊接區(qū)延伸的多 個(gè)第一延伸部分和從所述焊接區(qū)延伸的多個(gè)第二延伸部分，所述多個(gè)第一延伸部分與所述 多個(gè)第二延伸部分交替地布置，所述殼體具有位于各第一延伸部分與相鄰的一個(gè)第二延伸 部分之間的部分。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述導(dǎo)線架還包括導(dǎo)線連接區(qū)，該導(dǎo)線 連接區(qū)具有面對(duì)所述焊接區(qū)的邊緣，所述導(dǎo)線連接區(qū)的所述邊緣形成有附加的延伸部分， 該附加的延伸部分在厚度上小于所述焊接區(qū)。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述導(dǎo)線架的所述焊接區(qū)為長形并且具 有縱向邊緣，多個(gè)第一延伸部分和多個(gè)第二延伸部分從所述縱向邊緣突出。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述第二延伸部分具有與所述焊接區(qū)相 同的厚度。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述導(dǎo)線架還包括經(jīng)由導(dǎo)線連接到所述 發(fā)光元件的導(dǎo)線連接區(qū)，該導(dǎo)線連接區(qū)比所述焊接區(qū)短。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光元件是LED。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光元件包括η型半導(dǎo)體層和P型 半導(dǎo)體層。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光元件包括η型半導(dǎo)體層，ρ型半 導(dǎo)體層，以及夾于所述η型半導(dǎo)體層和所述ρ型半導(dǎo)體層之間的活性層。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光元件發(fā)紅光。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光元件發(fā)綠光。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光元件發(fā)藍(lán)光。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述殼體具有斜削的內(nèi)表面。
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述殼體由白樹脂制成。
15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述殼體填充有透明樹脂。
16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述導(dǎo)線架具有形成有切口的外端。
17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述導(dǎo)線架為長形，所述發(fā)光元件基本 上安裝在所述導(dǎo)線架的縱向的中央。
18.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述導(dǎo)線架為長形，所述發(fā)光元件基本 上安裝在所述導(dǎo)線架的寬度方向的中央。
19.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光元件連接到導(dǎo)線，該導(dǎo)線具有 與所述導(dǎo)線架的頂表面基本上平行地延伸的部分。
20.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述殼體具有較寬的上部和較窄的下部。
21.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，具有4mm的長度、Imm的寬度和0.6mm的高度。
全文摘要
一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括導(dǎo)線架、安裝在焊接區(qū)的頂表面上的半導(dǎo)體發(fā)光元件，和覆蓋導(dǎo)線架的一部分的殼體。焊接區(qū)的底表面露出到殼體的外部。導(dǎo)線架包括薄延伸部分，薄延伸部分從焊接區(qū)延伸，并且該薄延伸部分的頂表面與焊接區(qū)的頂表面齊平。薄延伸部分的底表面從焊接區(qū)的底表面向焊接區(qū)的頂表面偏移。
文檔編號(hào)H01L33/62GK101916809SQ20101022677
公開日2010年12月15日 申請(qǐng)日期2008年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日
發(fā)明者小早川正彥 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司