專(zhuān)利名稱(chēng)：Dmos器件及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種DMOS器件，本發(fā)明還涉及該DMOS器件制造方法。
背景技術(shù)：
高壓DMOS是BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工藝中的重要器件之一，其特性的重要標(biāo)準(zhǔn)是擊穿電壓(包括截止態(tài)擊穿電壓和導(dǎo)通態(tài)擊穿電壓)和導(dǎo)通電阻，DMOS的器件優(yōu)化主要都是圍繞提高擊穿電壓和降低導(dǎo)通電阻上。截止態(tài)擊穿電壓的提高和熱電子效應(yīng)的降低可由漂移區(qū)摻雜濃度的降低來(lái)實(shí)現(xiàn)，可是導(dǎo)通態(tài)擊穿電壓的提高則要通過(guò)適當(dāng)增加漂移區(qū)的摻雜、減小大注入效應(yīng)而達(dá)到，降低導(dǎo)通電阻的最有效手段就是增加漂移區(qū)的摻雜濃度。 因此在DMOS的截止態(tài)擊穿電壓、導(dǎo)通態(tài)擊穿電壓和導(dǎo)通電阻優(yōu)化上，對(duì)漂移區(qū)的摻雜要求是矛盾的，這也是常規(guī)DMOS特性優(yōu)化的主要制約因素。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種DMOS器件，能夠降低導(dǎo)通電阻、減小大注入效應(yīng)、增加導(dǎo)通擊穿電壓，同時(shí)還能使器件的截止擊穿電壓保持不變或提高。為此，本發(fā)明還提供了 DMOS器件的制造方法。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的DMOS器件的漂移區(qū)的橫向雜質(zhì)分布不均勻， 處于DMOS器件有源區(qū)的漂移區(qū)的雜質(zhì)濃度大于隔離氧化層下漂移區(qū)雜質(zhì)濃度。更優(yōu)選擇，本發(fā)明的DMOS器件，包括一第二導(dǎo)電類(lèi)型的輕摻雜漂移區(qū)，形成于一第一導(dǎo)電類(lèi)型硅襯底上；一第一導(dǎo)電類(lèi)型的溝道區(qū)，形成于所述輕摻雜漂移區(qū)上；一第二導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)，形成所述溝道區(qū)上；一第二導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)，形成在所述輕摻雜漂移區(qū)上并和所述溝道區(qū)在橫向上間隔一距離；一隔離氧化層，形成在所述輕摻雜漂移區(qū)上并在橫向上和所述漏區(qū)相鄰接以及與所述溝道區(qū)相隔一距離；處于所述溝道區(qū)和所述隔離氧化層間的漂移區(qū)雜質(zhì)濃度大于所述隔離氧化層底部的漂移區(qū)雜質(zhì)濃度；一柵極，形成于所述溝道區(qū)上方并橫向延伸至所述隔離氧化層上方，覆蓋了所述溝道區(qū)和部分漂移區(qū)，并通過(guò)一柵氧和所述溝道區(qū)以及所述部分漂移區(qū)隔離。更優(yōu)選擇，所述隔離氧化層為局部場(chǎng)氧隔離氧化層或淺溝槽隔離氧化層。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的第一種DMOS器件的制造方法為，形成漂移區(qū)時(shí)包括如下步驟步驟一、在形成所述漂移區(qū)的區(qū)域進(jìn)行多次離子注入，所述多次離子注入的注入能量按照注入的先后順序逐漸降低。對(duì)于N型DM0S，所述多次離子注入的注入雜質(zhì)為磷或砷,注入能量為IOKeV 1500KeV，注入劑量范圍為IellcnT2 IeHcnT2 ；對(duì)于P型DMOSjjf 述多次離子注入的注入雜質(zhì)為硼，注入能量為^feV lOOOKeV，注入劑量范圍為IellcnT2 IeHcnT20步驟二、在形成隔離氧化層的區(qū)域進(jìn)行硅刻蝕。所述隔離氧化層為局部場(chǎng)氧隔離氧化層或淺溝槽隔離氧化層，當(dāng)所述隔離氧化層為局部場(chǎng)氧隔離氧化層時(shí)，所述硅刻蝕的厚度范圍為100埃 1000埃。當(dāng)所述隔離氧化層為淺溝槽隔離氧化層時(shí)，所述硅刻蝕采用淺溝槽隔離工藝的淺溝槽刻蝕工藝形成，槽深范圍1000埃 3000埃。步驟三、形成所述隔離氧化層，對(duì)所述漂移區(qū)進(jìn)行熱推進(jìn)。當(dāng)所述隔離氧化層為局部場(chǎng)氧隔離氧化層時(shí)，采用局部場(chǎng)氧隔離工藝即采用高溫氧化的方法形成所述隔離氧化層，并能同時(shí)對(duì)所述漂移區(qū)進(jìn)行熱推進(jìn)。當(dāng)所述隔離氧化層為淺溝槽隔離氧化層時(shí)，采用化學(xué)氣相淀積工藝在所述淺溝槽中填入氧化硅并采用化學(xué)機(jī)械拋光工藝進(jìn)行平坦化后形成所述隔離氧化層，之后再對(duì)所述漂移區(qū)進(jìn)行熱推進(jìn)。本發(fā)明方法通過(guò)硅刻蝕，能使在所述隔離氧化層底部硅中經(jīng)多次離子注入后的低能量注入的雜質(zhì)隨著硅刻蝕而去除，從而使形成的漂移區(qū)的雜質(zhì)濃度在橫向上不均勻，其中有源區(qū)的漂移區(qū)雜質(zhì)濃度大于所述隔離氧化層底部的漂移區(qū)雜質(zhì)濃度。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的第二種DMOS器件的制造方法為，形成漂移區(qū)時(shí)包括如下步驟步驟一、在形成所述漂移區(qū)的區(qū)域進(jìn)行第一次離子注入形成一輕摻雜漂移區(qū)、形成隔離氧化層、對(duì)所述輕摻雜漂移區(qū)進(jìn)行熱推進(jìn)。當(dāng)所述隔離氧化層為局部場(chǎng)氧隔離氧化層時(shí)，采用局部場(chǎng)氧隔離工藝形成所述隔離氧化層；當(dāng)所述隔離氧化層為淺溝槽隔離氧化層時(shí)，采用淺溝槽隔離工藝形成所述隔離氧化層。對(duì)于N型DM0S，所述第一次離子注入的注入雜質(zhì)為磷或砷，注入能量為IOKeV 1500KeV，注入劑量范圍為IellcnT2 lel3cnT2。對(duì)于P型DM0S，所述第一次離子注入的注入雜質(zhì)為硼，注入能量為^feV lOOOKeV，注入劑量范圍為 IellcnT2 lel3cm_2。步驟二、在形成所述漂移區(qū)的區(qū)域進(jìn)行第二次離子注入，所述第二次離子注入的注入能量小于第一次離子注入的注入能量；所述第二次離子注入使得處于DMOS器件的有源區(qū)的所述輕摻雜漂移區(qū)上部的離子濃度增加并形成一中摻雜漂移區(qū)，處于所述隔離氧化層下方的所述輕摻雜漂移區(qū)則會(huì)受到所述隔離氧化層的阻擋作用而保持濃度不變。對(duì)于N 型DM0S，所述第二次離子注入的注入雜質(zhì)為磷或砷，注入能量為20KeV 200KeV，注入劑量范圍為lellcnf2 lel3Cm_2 ；對(duì)于P型DM0S，所述第二次離子注入的注入雜質(zhì)為硼，注入能量為5KeV IOOKeV,注入劑量范圍為IellcnT2 lel3cm_2。步驟三、對(duì)所述第二次離子注入的雜質(zhì)進(jìn)行熱推進(jìn)，由所述輕摻雜漂移區(qū)和所述中摻雜漂移區(qū)一起構(gòu)成所述漂移區(qū)。這樣，最終形成的所述漂移區(qū)具有橫向不均勻性，且處于DMOS器件有源區(qū)的漂移區(qū)即所述中摻雜漂移區(qū)的雜質(zhì)濃度大于隔離氧化層下漂移區(qū)即所述輕摻雜漂移區(qū)的雜質(zhì)濃度。本發(fā)明DMOS器件通過(guò)隔離氧化層下漂移區(qū)即輕摻雜漂移區(qū)實(shí)現(xiàn)DMOS的高擊穿電壓即能使DMOS器件的截止擊穿電壓保持不變或提高；又通過(guò)有源區(qū)的漂移區(qū)即溝道和隔離氧化層之間中摻雜漂移區(qū)的摻雜濃度的提高，能有效提高DMOS的導(dǎo)通擊穿電壓，還能降低DMOS的導(dǎo)通電阻，增寬DMOS的安全工作區(qū)。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明圖1-圖5是本發(fā)明實(shí)施例一 DMOS器件制造方法的各步驟中器件結(jié)構(gòu)示意5
圖6-圖10是本發(fā)明實(shí)施例二 DMOS器件制造方法的各步驟中器件結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式如圖5所示，本發(fā)明實(shí)施例DMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明實(shí)施例DMOS器件包括一第二導(dǎo)電類(lèi)型的輕摻雜漂移區(qū)102，形成于一第一導(dǎo)電類(lèi)型硅襯底101上。一第一導(dǎo)電類(lèi)型的溝道區(qū)108，形成于所述輕摻雜漂移區(qū)102上。一第二導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)109，形成所述溝道區(qū)108上。一第二導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)110，形成在所述輕摻雜漂移區(qū)102上并和所述溝道區(qū)108
在橫向上間隔一距離。一隔離氧化層106，形成在所述輕摻雜漂移區(qū)上并在橫向上和所述漏區(qū)相鄰接以及與所述溝道區(qū)相隔一距離。所述隔離氧化層106為一局部場(chǎng)氧隔離氧化層。處于所述溝道區(qū)108和所述隔離氧化層106間的漂移區(qū)102即為中摻雜漂移區(qū) 107的雜質(zhì)濃度大于所述隔離氧化層底部的漂移區(qū)102即為輕摻雜漂移區(qū)105的雜質(zhì)濃度。 即使得漂移區(qū)102在橫向上不均勻。一柵極111，形成于所述溝道區(qū)108上方并橫向延伸至所述隔離氧化層106上方， 覆蓋了所述溝道區(qū)108和部分漂移區(qū)102即部分中摻雜漂移區(qū)107或部分輕摻雜漂移區(qū) 105，并通過(guò)一柵氧112和所述溝道區(qū)108以及所述部分漂移區(qū)102隔離。如圖1至圖5所示，為本發(fā)明實(shí)施例一 DMOS器件制造方法的各步驟中器件結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實(shí)施例一 DMOS器件制造方法包括如下步驟步驟一、如圖1所示，在第一導(dǎo)電類(lèi)型硅襯底101上進(jìn)行多次第二導(dǎo)電類(lèi)型離子注入，所述第二導(dǎo)電類(lèi)型多次離子注入的注入能量按照注入的先后順序逐漸降低，最后形成輕摻雜漂移區(qū)102，其中注入能量低的離子注入雜質(zhì)處于所述輕摻雜漂移區(qū)102的上部位置處。對(duì)于N型DM0S，所述第二導(dǎo)電類(lèi)型多次離子注入的注入雜質(zhì)為磷或砷，注入能量為 IOKeV 1500KeV，注入劑量范圍為IellcnT2 IeHcnT2 ；對(duì)于P型DM0S，所述第二導(dǎo)電類(lèi)型多次離子注入的注入雜質(zhì)為硼，注入能量為^ieV lOOOKeV，注入劑量范圍為IelIcnT2 IeHcnT20步驟二、在形成隔離氧化層的區(qū)域進(jìn)行硅刻蝕。所述隔離氧化層為局部場(chǎng)氧隔離氧化層，所述硅刻蝕的厚度范圍為100埃 1000埃。進(jìn)行硅刻蝕包括步驟如圖2所示，在所述輕摻雜漂移區(qū)102上由下往上依次淀積硬掩模層即氧化硅103和氮化硅104 ；利用光刻和刻蝕，刻掉形成局部場(chǎng)氧隔離氧化層區(qū)域的所述硬掩模層，形成局部場(chǎng)氧隔離氧化層區(qū)域105 ；如圖3所示，利用所述硬掩模層保護(hù)，刻蝕局部場(chǎng)氧隔離氧化層區(qū)域105的硅，使得局部場(chǎng)氧隔離氧化層區(qū)域105下部的所述輕摻雜漂移區(qū)102中注入能量低注入雜質(zhì)在此時(shí)被去除。步驟三、形成所述隔離氧化層，對(duì)所述輕摻雜漂移區(qū)102進(jìn)行熱推進(jìn)。如圖4所示，所述隔離氧化層為局部場(chǎng)氧隔離氧化層106，采用局部場(chǎng)氧隔離工藝即采用高溫氧化的方法形成所述局部場(chǎng)氧隔離氧化層106，并能同時(shí)對(duì)所述輕摻雜漂移區(qū)102進(jìn)行熱推進(jìn)，該熱推進(jìn)也能在高溫氧化前或后進(jìn)行。所述輕摻雜漂移區(qū)102進(jìn)行熱推進(jìn)后，在器件的有源區(qū)部分形成了中摻雜漂移區(qū)107，而在所述局部場(chǎng)氧隔離氧化層106下部形成的為輕摻雜漂移區(qū)105，最終使形成的漂移區(qū)的雜質(zhì)濃度在橫向上不均勻，其中有源區(qū)的漂移區(qū)即所述中摻雜漂移區(qū)107的雜質(zhì)濃度大于所述局部場(chǎng)氧隔離氧化層106下部的漂移區(qū)即所述輕摻雜漂移區(qū)105的雜質(zhì)濃度。步驟四、如圖5所示，采用現(xiàn)有的常規(guī)工藝形成所述DMOS器件，包括步驟第一導(dǎo)電類(lèi)型的離子注入形成溝道區(qū)108、柵氧112生長(zhǎng)、多晶硅柵極111淀積與刻蝕、源區(qū)109和漏區(qū)110注入。最后形成的所述DMOS器件為一 LDMOS器件。在本發(fā)明實(shí)施例一的制造方法中隔離氧化層也可以采用是淺溝槽隔離氧化層，步驟二、三中需采用淺溝槽隔離工藝代替相對(duì)應(yīng)的局部場(chǎng)氧隔離工藝步驟二中在利用光刻和刻蝕了所述硬掩模層并形成了所述淺溝槽隔離氧化層區(qū)域的窗口后，利用所述硬掩模層的保護(hù)進(jìn)行淺溝槽刻蝕形成淺溝槽，使得淺溝槽隔離氧化層區(qū)域下部的所述輕摻雜漂移區(qū) 102中注入能量低注入雜質(zhì)在此時(shí)被去除；步驟三中采用化學(xué)氣相淀積工藝在所述淺溝槽中生長(zhǎng)墊襯氧化硅薄膜后、再填入氧化硅并采用化學(xué)機(jī)械拋光工藝進(jìn)行平坦化后形成所述淺溝槽隔離氧化層，再去除兩層硬掩模層即氧化硅103和氮化硅104，并對(duì)所述輕摻雜漂移區(qū)102進(jìn)行熱推進(jìn)，所述輕摻雜漂移區(qū)102進(jìn)行熱推進(jìn)后，在器件的有源區(qū)部分形成了中摻雜漂移區(qū)，而在所述淺溝槽隔離氧化層下部形成的為輕摻雜漂移區(qū)105。如圖6至圖10所示，為本發(fā)明實(shí)施例二 DMOS器件制造方法的各步驟中器件結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實(shí)施例二 DMOS器件制造方法包括如下步驟步驟一、如圖6所示，在第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底201上進(jìn)行第一次第二導(dǎo)電類(lèi)型離子注入形成一輕摻雜漂移區(qū)202 ；形成隔離氧化層、對(duì)所述輕摻雜漂移區(qū)202進(jìn)行熱推進(jìn)。對(duì)于 N型DM0S，所述第一次離子注入的注入雜質(zhì)為磷或砷，注入能量為IOKeV 1500KeV，注入劑量范圍為lellcnT2 lel3Cm_2。對(duì)于P型DM0S，所述第一次離子注入的注入雜質(zhì)為硼， 注入能量為^feV lOOOKeV，注入劑量范圍為IellcnT2 lel3cm_2。本實(shí)施例中所述隔離氧化層為局部場(chǎng)氧隔離氧化層，采用局部場(chǎng)氧隔離工藝形成，包括步驟如圖7所示，在所述輕摻雜漂移區(qū)202上由下往上依次淀積硬掩模層即氧化硅203和氮化硅204 ；利用光刻和刻蝕，刻掉形成局部場(chǎng)氧隔離氧化層區(qū)域的所述硬掩模層，形成局部場(chǎng)氧隔離氧化層區(qū)域205 ；對(duì)局部場(chǎng)氧隔離氧化層區(qū)域205進(jìn)行高溫氧化形成局部場(chǎng)氧隔離氧化層206，如圖 8所示，并去除所述硬掩模層即氧化硅203和氮化硅204。對(duì)所述輕摻雜漂移區(qū)202進(jìn)行熱推進(jìn)可以高溫氧化的同時(shí)進(jìn)行，也能在高溫氧化前或后單獨(dú)采用爐管高溫退火工藝進(jìn)行， 熱推進(jìn)后能使所述輕摻雜漂移區(qū)202雜質(zhì)有較均勻的縱向分布。步驟二、如圖9所示，在第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底201上進(jìn)行第二次第二導(dǎo)電類(lèi)型離子注入，所述第二次離子注入的注入能量小于第一次離子注入的注入能量；所述第二次離子注入使得處于DMOS器件的有源區(qū)的所述輕摻雜漂移區(qū)202上部的離子濃度增加并形成一中摻雜漂移區(qū)207，處于所述局部場(chǎng)氧隔離氧化層206下方的所述輕摻雜漂移區(qū)205則會(huì)受到所述局部場(chǎng)氧隔離氧化層206的阻擋作用而保持濃度不變。對(duì)于N型DM0S，所述第二次離子注入的注入雜質(zhì)為磷或砷，注入能量為20KeV 200KeV，注入劑量范圍為lellcnT2 lel3cm_2 ；對(duì)于P型DM0S，所述第二次離子注入的注入雜質(zhì)為硼，注入能量為^feV lOOKeV，注入劑量范圍為IellcnT2 lel3cm_2。步驟三、如圖9所示，對(duì)所述第二次離子注入的雜質(zhì)進(jìn)行熱推進(jìn)，由所述輕摻雜漂移區(qū)202、205和所述中摻雜漂移區(qū)207 —起構(gòu)成漂移區(qū)。這樣，最終形成的所述漂移區(qū)具有橫向不均勻性，且處于DMOS器件有源區(qū)的漂移區(qū)即所述中摻雜漂移區(qū)207的雜質(zhì)濃度大于所述局部場(chǎng)氧隔離氧化層206下的漂移區(qū)即所述輕摻雜漂移區(qū)205的雜質(zhì)濃度。步驟四、如圖10所示，采用現(xiàn)有的常規(guī)工藝形成所述DMOS器件，包括步驟第一導(dǎo)電類(lèi)型的離子注入形成溝道區(qū)208、柵氧212生長(zhǎng)、多晶硅柵極211淀積與刻蝕、源區(qū)209和漏區(qū)210注入。最后形成的所述DMOS器件為一 LDMOS器件。在本發(fā)明實(shí)施例二的制造方法中隔離氧化層也可以采用是淺溝槽隔離氧化層，步驟一中需采用淺溝槽隔離工藝代替相對(duì)應(yīng)的局部場(chǎng)氧隔離工藝在利用光刻和刻蝕了所述硬掩模層并形成了所述淺溝槽隔離氧化層區(qū)域的窗口后，利用所述硬掩模層的保護(hù)進(jìn)行淺溝槽刻蝕形成淺溝槽，采用化學(xué)氣相淀積工藝在所述淺溝槽中生長(zhǎng)墊襯氧化硅薄膜后、再填入氧化硅并采用化學(xué)機(jī)械拋光工藝進(jìn)行平坦化后形成所述淺溝槽隔離氧化層，再去除兩層硬掩模層即氧化硅103和氮化硅104。對(duì)所述輕摻雜漂移區(qū)202進(jìn)行熱推進(jìn)能在所述淺溝槽隔離氧化層形成前或后單獨(dú)采用爐管高溫退火工藝進(jìn)行，熱推進(jìn)后能使所述輕摻雜漂移區(qū)202雜質(zhì)有較均勻的縱向分布。如圖5所示，本發(fā)明實(shí)施例DMOS器件通過(guò)所述局部場(chǎng)氧隔離氧化層106下漂移區(qū)即所述輕摻雜漂移區(qū)105實(shí)現(xiàn)DMOS器件的高擊穿電壓即能使DMOS器件的截止擊穿電壓保持不變或提高；又通過(guò)有源區(qū)的漂移區(qū)即所述溝道區(qū)108和所述局部場(chǎng)氧隔離氧化層106 之間所述中摻雜漂移區(qū)107的摻雜濃度的提高，能有效提高DMOS的導(dǎo)通擊穿電壓，還能降低DMOS的導(dǎo)通電阻，增寬DMOS的安全工作區(qū)。主要的理論根據(jù)是由于漂移區(qū)主要依賴(lài)隔離氧化層下面的區(qū)域即所述輕摻雜漂移區(qū)105進(jìn)行分壓，因此需要采用輕摻雜以保證漏端有高擊穿電壓。溝道區(qū)108與局部場(chǎng)氧隔離氧化層106之間的漂移區(qū)即所述中摻雜漂移區(qū) 107由于有多晶硅柵覆蓋，取到場(chǎng)極板效果，該區(qū)域基本沒(méi)有擊穿的壓力，可采用中等濃度摻雜，能降低導(dǎo)通電阻，并能減小大注入效應(yīng)，增加導(dǎo)通擊穿電壓。表一為T(mén)CAD模擬的DMOS 器件主要特性比較，本發(fā)明實(shí)施例40V DMOS器件和所述常規(guī)40VDM0S器件不同之處是，本發(fā)明實(shí)施例40V DMOS器件在溝道與隔離氧化層之間區(qū)域的漂移區(qū)的摻雜濃度為隔離氧化層以下漂移區(qū)的摻雜濃度的2倍，而所述常規(guī)40VDM0S器件漂移區(qū)在橫向上的濃度是相同的。可以看出，本發(fā)明實(shí)施例器件的摻雜的方式可以保持閾值電壓和飽和電流不變，截止態(tài)擊穿電壓也基本不變，但導(dǎo)通態(tài)的擊穿電壓提高10V，導(dǎo)通電阻也減小了 15%。以上通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。表一
權(quán)利要求
1.一種DMOS器件，其特征在于DM0S器件漂移區(qū)的橫向雜質(zhì)分布不均勻，且處于DMOS 器件有源區(qū)的漂移區(qū)的雜質(zhì)濃度大于隔離氧化層下漂移區(qū)雜質(zhì)濃度。
2.如權(quán)利要求1所述的DMOS器件，其特征在于，包括一第二導(dǎo)電類(lèi)型的輕摻雜漂移區(qū)，形成于一第一導(dǎo)電類(lèi)型硅襯底上；一第一導(dǎo)電類(lèi)型的溝道區(qū)，形成于所述輕摻雜漂移區(qū)上；一第二導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)，形成所述溝道區(qū)上；一第二導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)，形成在所述輕摻雜漂移區(qū)上并和所述溝道區(qū)在橫向上間隔一距離；一隔離氧化層，形成在所述輕摻雜漂移區(qū)上并在橫向上和所述漏區(qū)相鄰接以及與所述溝道區(qū)相隔一距離；處于所述溝道區(qū)和所述隔離氧化層間的漂移區(qū)雜質(zhì)濃度大于所述隔離氧化層底部的漂移區(qū)雜質(zhì)濃度；一柵極，形成于所述溝道區(qū)上方并橫向延伸至所述隔離氧化層上方，覆蓋了所述溝道區(qū)和部分漂移區(qū)，并通過(guò)一柵氧和所述溝道區(qū)以及所述部分漂移區(qū)隔離。
3.如權(quán)利要求1或2所述的DMOS器件，其特征在于所述隔離氧化層為局部場(chǎng)氧隔離氧化層或淺溝槽隔離氧化層。
4.一種如權(quán)利要求1所述的DMOS器件的制造方法，其特征在于形成漂移區(qū)時(shí)包括如下步驟步驟一、在形成所述漂移區(qū)的區(qū)域進(jìn)行多次離子注入，所述多次離子注入的注入能量按照注入的先后順序逐漸降低；步驟二、在形成隔離氧化層的區(qū)域進(jìn)行硅刻蝕；步驟三、形成所述隔離氧化層，對(duì)所述漂移區(qū)進(jìn)行熱推進(jìn)。
5.如權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于對(duì)于N型DM0S，步驟一中所述多次離子注入的注入雜質(zhì)為磷或砷，注入能量為IOKeV 1500KeV，注入劑量范圍為IelIcnT2 IeHcm2 ；對(duì)于P型DM0S，步驟一中所述多次離子注入的注入雜質(zhì)為硼，注入能量為^feV IOOOKeV,注入劑量范圍為 IellcnT2 lel4cnT2。
6.如權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于所述隔離氧化層為局部場(chǎng)氧隔離氧化層或淺溝槽隔離氧化層，當(dāng)所述隔離氧化層為局部場(chǎng)氧隔離氧化層時(shí)，步驟二中所述硅刻蝕的厚度范圍為100埃 1000埃，步驟三中采用局部場(chǎng)氧隔離工藝形成所述隔離氧化層， 并能同時(shí)對(duì)所述漂移區(qū)進(jìn)行熱推進(jìn)；當(dāng)所述隔離氧化層為淺溝槽隔離氧化層時(shí)，步驟二中所述硅刻蝕采用淺溝槽隔離工藝的淺溝槽刻蝕工藝形成，步驟三中采用化學(xué)氣相淀積工藝在所述淺溝槽中填入氧化硅并采用化學(xué)機(jī)械拋光工藝進(jìn)行平坦化后形成所述隔離氧化層， 之后再對(duì)所述漂移區(qū)進(jìn)行熱推進(jìn)。
7.—種如權(quán)利要求1所述的DMOS器件的制造方法，其特征在于形成漂移區(qū)時(shí)包括如下步驟步驟一、在形成所述漂移區(qū)的區(qū)域進(jìn)行第一次離子注入形成一輕摻雜漂移區(qū)、形成隔離氧化層、對(duì)所述輕摻雜漂移區(qū)進(jìn)行熱推進(jìn)；步驟二、在形成所述漂移區(qū)的區(qū)域進(jìn)行第二次離子注入，所述第二次離子注入的注入能量小于第一次離子注入的注入能量；所述第二次離子注入使得處于DMOS器件的有源區(qū)的所述輕摻雜漂移區(qū)上部的離子濃度增加并形成一中摻雜漂移區(qū)，處于所述隔離氧化層下方的所述輕摻雜漂移區(qū)則會(huì)受到所述隔離氧化層的阻擋作用而保持濃度不變；步驟三、對(duì)所述第二次離子注入的雜質(zhì)進(jìn)行熱推進(jìn)，由所述輕摻雜漂移區(qū)和所述中摻雜漂移區(qū)一起構(gòu)成所述漂移區(qū)。
8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于對(duì)于N型DM0S，步驟一中所述第一次離子注入的注入雜質(zhì)為磷或砷，注入能量為IOKeV 1500KeV，注入劑量范圍為IelIcnT2 lel3Cm_2，步驟二中所述第二次離子注入的注入雜質(zhì)為磷或砷，注入能量為20KeV 200KeV，注入劑量范圍為lellcnT2 lel3Cm_2 ；對(duì)于P型DM0S，步驟一中所述第一次離子注入的注入雜質(zhì)為硼，注入能量為^ieV lOOOKeV，注入劑量范圍為lellcnT2 le13cm_2，步驟二中所述第二次離子注入的注入雜質(zhì)為硼，注入能量為^feV lOOKeV，注入劑量范圍為 Iellcm 2 Ie 13cm 2。
9.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于步驟一中所述隔離氧化層為局部場(chǎng)氧隔離氧化層或淺溝槽隔離氧化層，當(dāng)所述隔離氧化層為局部場(chǎng)氧隔離氧化層時(shí)，采用局部場(chǎng)氧隔離工藝形成所述隔離氧化層；當(dāng)所述隔離氧化層為淺溝槽隔離氧化層時(shí)，采用淺溝槽隔離工藝形成所述隔離氧化層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種DMOS器件，其漂移區(qū)的橫向雜質(zhì)分布不均勻，且處于有源區(qū)的漂移區(qū)雜質(zhì)濃度大于隔離氧化層下漂移區(qū)雜質(zhì)濃度。本發(fā)明公開(kāi)了一種DMOS器件的制造方法，包括步驟在形成漂移區(qū)區(qū)域進(jìn)行從高能量到低能量的多次離子注入；在形成隔離氧化層的區(qū)域進(jìn)行硅刻蝕；形成隔離氧化層，對(duì)漂移區(qū)進(jìn)行熱推進(jìn)。本發(fā)明公開(kāi)了另一種的DMOS器件的制造方法，包括步驟進(jìn)行第一次離子注入形成一輕摻雜漂移區(qū)、形成隔離氧化層、對(duì)輕摻雜漂移區(qū)進(jìn)行熱推進(jìn)；進(jìn)行注入能量小于第一次離子注入的第二次離子注入；進(jìn)行雜質(zhì)熱推進(jìn)。本發(fā)明能降低導(dǎo)通電阻、減小大注入效應(yīng)、增加導(dǎo)通擊穿電壓，還能使器件的截止擊穿電壓保持不變或提高。
文檔編號(hào)H01L21/336GK102339857SQ20101022709
公開(kāi)日2012年2月1日 申請(qǐng)日期2010年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月15日
發(fā)明者錢(qián)文生 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司