專利名稱：：防反射用光學(xué)元件以及原盤的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及防反射用光學(xué)元件以及用于制造該防反射用光學(xué)元件的原盤的制造方法。尤其涉及一種在表面上以小于等于可視光波長的細(xì)微間隔配置有多個由凸部或凹部構(gòu)成的構(gòu)造體的防反射用光學(xué)元件。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)有技術(shù)中，存在以下方法在采用了玻璃、塑料等透光性基材的光學(xué)元件中，進行用于抑制光的表面反射的表面處理。作為這種表面處理，存在在光學(xué)元件表面形成微小且致密的凹凸(蛾眼(motheye))形狀的方法(例如參照“光技術(shù)接觸”「光技術(shù)二々卜JVol.43,No.11(2005)，630-637)。一般，當(dāng)在光學(xué)元件表面設(shè)置周期的凹凸形狀的情況下，光透過這里時會發(fā)生衍射，透過光的直線傳播成分會大幅度減少。但是，當(dāng)凹凸形狀的間隔短于透過光的波長的情況下，不會發(fā)生衍射，比如當(dāng)凹凸形狀為下文中描述的矩形時，對于其間隔或深度等所對應(yīng)的單一波長的光，則可以獲得有效的防反射效果。作為采用電子束曝光制作的蛾眼(77·4)構(gòu)造體，公開有微小帳狀的蛾眼構(gòu)造體(間隔約300nm，深度約400nm)(參照NTT先進技術(shù)(株)、“無波長依存性的防止反射體(蛾眼)用成形金屬模原盤”、online、平成20年2月27日檢索、網(wǎng)絡(luò)<URL:http//keytech.ntt—at.co.jp/nano/prd_0033.html(NTT7卜·、K>7歹夕7口夕(株)、“波長依存性O(shè)^^反射防止體(^74)用成形金型原盤”、[online],[平成19年8月20日検索]、<>夕一本夕卜<URL:http//keytech.ntt-at.co.jp/nano/prd_0016.html>參照)。該蛾眼構(gòu)造體可以獲得反射率小于等于的高性能防反射特性。但是，近年來，為了提高液晶顯示裝置等各種顯示裝置的可視性，渴望實現(xiàn)更卓越的防反射特性。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的在于提供防反射特性卓越的防反射用光學(xué)元件以及用于制造該防反射用光學(xué)元件的原盤的制造方法。為了解決上述問題，本發(fā)明第一方面的防反射用光學(xué)元件，其包括基體；以及多個凸?fàn)罨虬紶畹臉?gòu)造體，以小于等于可視光的波長的細(xì)微間隔被配置在基體的表面，其中，各個構(gòu)造體被配置成在基體表面構(gòu)成多列軌跡，且形成六邊形格子圖案、準(zhǔn)六邊形格子圖案、四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案，構(gòu)造體是沿軌跡的延伸方向具有長軸方向的橢圓錐或橢圓錐臺形狀。5本發(fā)明第二方面的防反射用光學(xué)元件，其包括基體；以及多個由凸部或凹部構(gòu)成的構(gòu)造體，以小于等于可視光的波長的細(xì)微間隔被配置在基體的表面，其中，各個構(gòu)造體被配置成在基體表面構(gòu)成多列軌跡，且形成準(zhǔn)六邊形格子圖案、四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案，構(gòu)造體對基體表面的填充率大于等于65%。本發(fā)明第三方面的防反射用光學(xué)元件，其包括基體；以及多個由凸部或凹部構(gòu)成的構(gòu)造體，以小于等于可視光的波長的細(xì)微間隔被配置在基體的表面，其中，各個構(gòu)造體被配置成在基體表面構(gòu)成多列軌跡，且形成準(zhǔn)六邊形格子圖案，當(dāng)將相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置間隔設(shè)定為P1，并將構(gòu)造體底面在軌跡方向上的直徑設(shè)定為2r時，直徑2r對配置間隔Pl的比率((2r/Pl)X100)大于等于85%。本發(fā)明第四方面的防反射用光學(xué)元件，其包括基體；以及多個由凸部或凹部構(gòu)成的構(gòu)造體，以小于等于可視光的波長的細(xì)微間隔被配置在基體的表面，其中，各個構(gòu)造體被配置成在基體表面構(gòu)成多列軌跡，且形成四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案，當(dāng)將相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置間隔設(shè)定為P1，并將構(gòu)造體底面在軌跡方向上的直徑設(shè)定為2r時，直徑2r對配置間隔Pl的比率((2r/Pl)X100)大于等于90%。本發(fā)明第五方面的用于制作防反射用光學(xué)元件的原盤的制造方法，其包括在圓柱狀或圓筒狀的原盤的周面上形成抗蝕層的步驟；使形成有抗蝕層的原盤旋轉(zhuǎn)，并在使激光的光點以平行于圓柱狀或圓筒狀的原盤的中心軸的方式進行相對移動的同時，對抗蝕層間歇性地照射激光，以短于可視光波長的間隔形成潛像的步驟；使抗蝕層顯影，在原盤的表面形成抗蝕圖案的步驟；以及通過實施以抗蝕圖案作為掩模的蝕刻處理，從而在原盤的表面形成凹狀或凸?fàn)畹臉?gòu)造體的步驟，其中，在潛像的形成步驟中，潛像被配置成在原盤表面構(gòu)成多列軌跡，且形成六邊形格子圖案、準(zhǔn)六邊形格子圖案、四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案，潛像是沿軌跡的延伸方向具有長軸方向的橢圓形狀。本發(fā)明第六方面的用于制作防反射用光學(xué)元件的原盤的制造方法，其包括在圓柱狀或圓筒狀的原盤的周面上形成抗蝕層的步驟；使形成有抗蝕層的原盤旋轉(zhuǎn)，并在使激光的光點以平行于圓柱狀或圓筒狀的原盤的中心軸的方式進行相對移動的同時，對抗蝕層間歇性地照射激光，以短于可視光波長的間隔形成潛像的步驟；使抗蝕層顯影，在原盤的表面形成抗蝕圖案的步驟；以及通過實施以抗蝕圖案作為掩模的蝕刻處理，從而在原盤的表面形成凹狀或凸?fàn)畹臉?gòu)造體的步驟，其中，在潛像的形成步驟中，潛像被配置成在原盤表面構(gòu)成多列軌跡，且形成準(zhǔn)六邊形格子圖案、四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案，構(gòu)造體對原盤表面的填充率大于等于65%。本發(fā)明第七方面的用于制作防反射用光學(xué)元件的原盤的制造方法，其包括在圓柱狀或圓筒狀的原盤的周面上形成抗蝕層的步驟；使形成有抗蝕層的原盤旋轉(zhuǎn)，并在使激光的光點以平行于圓柱狀或圓筒狀的原盤的中心軸的方式進行相對移動的同時，對抗蝕層間歇性地照射激光，從而以短于可視光波長的間隔形成潛像的步驟；使抗蝕層顯影，在原盤的表面形成抗蝕圖案的步驟；以及通過實施以抗蝕圖案作為掩模的蝕刻處理，從而在原盤的表面形成凹狀或凸?fàn)畹臉?gòu)造體的步驟，其中，在潛像的形成步驟中，潛像被配置成在原盤表面構(gòu)成多列軌跡，且形成準(zhǔn)六邊形格子圖案，當(dāng)將相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置間隔設(shè)定為P1，并將構(gòu)造體在軌跡方向上的直徑設(shè)定為2r時，直徑2r對配置間隔Pl的比率((2r/PI)X100)在大于等于85%的范圍內(nèi)。本發(fā)明第八方面的用于制作防反射用光學(xué)元件的原盤的制造方法，其包括在圓柱狀或圓筒狀的原盤的周面上形成抗蝕層的步驟；使形成有抗蝕層的原盤旋轉(zhuǎn)，并在使激光的光點以平行于圓柱狀或圓筒狀的原盤的中心軸的方式進行相對移動的同時，對抗蝕層間歇性地照射激光，以短于可視光波長的間隔形成潛像的步驟；使抗蝕層顯影，在原盤的表面形成抗蝕圖案的步驟；以及通過實施以抗蝕圖案作為掩模的蝕刻處理，從而在原盤的表面形成凹狀或凸?fàn)畹臉?gòu)造體的步驟，其中，在潛像的形成步驟中，潛像被配置成在原盤表面構(gòu)成多列軌跡，且形成四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案，當(dāng)將相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置間隔設(shè)定為P1，并將構(gòu)造體在軌跡方向上的直徑設(shè)定為2r時，直徑2r對配置間隔Pl的比率((2r/Pl)X100)在大于等于127%的范圍內(nèi)。在本發(fā)明中，優(yōu)選將主構(gòu)造體周期性地配置成四邊形格子狀或準(zhǔn)四邊形格子狀。這里，所謂四邊形格子是指正四邊形的格子。準(zhǔn)四邊形格子不同于正四邊形的格子，是指歪曲的正四邊形的格子。例如，當(dāng)構(gòu)造體被配置在直線上時，準(zhǔn)四邊形格子是指沿直線狀的排列方向(軌跡方向)拉伸正四邊形的格子使其歪曲所得到的四邊形格子。而當(dāng)構(gòu)造體蛇形排列時，準(zhǔn)四邊形格子是指通過構(gòu)造體的蛇形排列使正四邊形的格子歪曲所得到的四邊形格子。或者，準(zhǔn)四邊形格子是指沿直線狀的排列方向(軌跡方向)拉伸正四邊形的格子使其歪曲、且通過構(gòu)造體的蛇形排列使正四邊形的格子歪曲所得到的四邊形格子。在本發(fā)明中，優(yōu)選將構(gòu)造體周期性地配置成六邊形格子狀或準(zhǔn)六邊形格子狀。這里，所謂六邊形格子是指正六邊形的格子。準(zhǔn)六邊形格子不同于正六邊形的格子，是指歪曲的正六邊形的格子。例如，當(dāng)構(gòu)造體被配置在直線上時，準(zhǔn)六邊形格子是指沿直線狀的排列方向(軌跡方向)拉伸正六邊形的格子使其歪曲所得到的六邊形格子。而當(dāng)構(gòu)造體蛇形排列時，準(zhǔn)六邊形格子是指通過構(gòu)造體的蛇形排列使正六邊形的格子歪曲所得到的六邊形格子?；蛘撸瑴?zhǔn)六邊形格子是指沿直線狀的排列方向(軌跡方向)拉伸正六邊形的格子使其歪曲、且通過構(gòu)造體的蛇形排列使正六邊形的格子歪曲所得到的六邊形格子。在本發(fā)明中，橢圓不僅包括數(shù)學(xué)上所定義的完整橢圓，還包括被賦予少許歪斜的橢圓。圓形不僅包括數(shù)學(xué)上所定義的完整圓形(正圓)，還包括被賦予少許歪斜的圓形。在本發(fā)明中，優(yōu)選相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置間隔Pl長于鄰接的兩個軌跡間的構(gòu)造體的配置間隔P2。這樣，可以提高具有橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀的構(gòu)造體的填充率，因此可以提高防反射特性。在本發(fā)明中，當(dāng)各構(gòu)造體在基體表面形成六邊形格子圖案或準(zhǔn)六邊形格子圖案的情況下，當(dāng)將相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置間隔設(shè)定為P1，并將鄰接的兩個軌跡間的構(gòu)造體的配置間隔設(shè)定為P2時，優(yōu)選比率P1/P2滿足1.00<P1/P2<1.1或1.00<P1/P2<1.1的關(guān)系。通過設(shè)定為這樣的數(shù)值范圍，從而可以提高具有橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀的構(gòu)造體的填充率，因此可以提高防反射特性。在本發(fā)明中，優(yōu)選在各構(gòu)造體在基體表面形成六邊形格子圖案或準(zhǔn)六邊形格子圖案的情況下，各構(gòu)造體為在軌跡延伸方向具有長軸方向且中央部的傾斜比頂部以及底部的傾斜形成得更急劇的橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀。通過設(shè)置成這樣的形狀，從而可以提高防反射特性和透過特性。7在本發(fā)明中，優(yōu)選在各構(gòu)造體在基體表面形成六邊形格子圖案或準(zhǔn)六邊形格子圖案的情況下，軌跡延伸方向上的構(gòu)造體的高度或深度小于軌跡的列方向上的構(gòu)造體的高度或深度。如果不滿足這一關(guān)系，則需要拉長軌跡延伸方向上的配置間隔，因而軌跡延伸方向上的構(gòu)造體的填充率降低。一旦填充率如此降低，將導(dǎo)致反射特性降低。在本發(fā)明中，優(yōu)選在構(gòu)造體在基體表面形成四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案的情況下，相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置間隔Pi長于鄰接的兩個軌跡間的構(gòu)造體的配置間隔P2。這樣，可以提高具有橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀的構(gòu)造體的填充率，因此可以提高防反射特性。優(yōu)選當(dāng)構(gòu)造體在基體表面形成四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案的情況下，當(dāng)將相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置間隔設(shè)定為P1，并將鄰接的兩個軌跡間的構(gòu)造體的配置間隔設(shè)定為P2時，比率P1/P2滿足1.4<P1/P2(1.5的關(guān)系。通過設(shè)定為這樣的數(shù)值范圍，從而可以提高具有橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀的構(gòu)造體的填充率，因此可以提高防反射特性。優(yōu)選當(dāng)各構(gòu)造體在基體表面形成四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案的情況下，各構(gòu)造體為在軌跡延伸方向具有長軸方向且中央部的傾斜比頂部以及底部的傾斜形成得更急劇的橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀。通過設(shè)置成這樣的形狀，從而可以提高防反射特性和透過特性。優(yōu)選當(dāng)構(gòu)造體在基體表面形成四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案的情況下，相對于軌跡45°方向或約45°方向上的構(gòu)造體的高度或深度小于軌跡的列方向上的構(gòu)造體的高度或深度。如果不滿足這樣的關(guān)系，則需要延長相對于軌跡45°方向或約45°方向上的配置間隔，因而相對于軌跡45°方向或約45°方向上的構(gòu)造體的填充率降低。一旦填充率如此降低，將導(dǎo)致反射特性降低。在本發(fā)明中，以細(xì)微間隔配置在基體表面的多個構(gòu)造體構(gòu)成多列軌跡，且在鄰接的三列軌跡之間形成六邊形格子圖案、準(zhǔn)六邊形格子圖案、四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案。因此，可以提高表面上的構(gòu)造體的填充密度，由此，可以提高可視光的防反射效率，從而獲得防反射特性卓越的透過率極高的光學(xué)元件。此外，當(dāng)將光盤的記錄技術(shù)用于構(gòu)造體的制作時，可以短時間且高效地制造光學(xué)元件制作用原盤，并且可以應(yīng)對基體的大型化，由此，可以實現(xiàn)光學(xué)元件的生產(chǎn)率的提高。此外，當(dāng)構(gòu)造體的細(xì)微排列不只設(shè)置在光射入面上，也設(shè)置在光射出面上時，可以進一步提高透過特性。發(fā)明效果如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以實現(xiàn)防反射性卓越的光學(xué)元件。圖IA是示出本發(fā)明的第一實施方式所涉及的光學(xué)元件的一個結(jié)構(gòu)例的概要俯視圖，圖IB是放大示出圖IA所示的光學(xué)元件的一部分的俯視圖，圖IC是圖IB中的軌跡Tl、T3...的剖面圖，圖ID是圖IB中的軌跡T2、T4...的剖面圖，圖IE是示出用于形成與圖IB中的軌跡Tl、Τ3...相對應(yīng)的潛像的激光的調(diào)制波形的略線圖，圖IF是示出用于形成與圖IB中的軌跡Τ2、Τ4..相對應(yīng)的潛像的激光的調(diào)制波形的略線圖；圖2是放大示出圖IA所示的光學(xué)元件的一部分的立體圖3A是圖IA所示的光學(xué)元件沿軌跡延伸方向的剖面圖，圖3B是圖IA所示的光學(xué)元件1沿θ方向的剖面圖；圖4是放大示出圖IA所示的光學(xué)元件1的一部分的立體圖；圖5是放大示出圖IA所示的光學(xué)元件1的一部分的立體圖；圖6是放大示出圖IA所示的光學(xué)元件1的一部分的立體圖；圖7是構(gòu)造體的邊界不明確時的構(gòu)造體底面的設(shè)定方法的說明圖；圖8Α至圖8D是改變構(gòu)造體底面的橢圓率時的底面形狀的示意圖；圖9Α是具有圓錐形狀或圓錐臺形狀的構(gòu)造體的一個配置例的示意圖，圖9Β是具有橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀的構(gòu)造體3的一個配置例的示意圖；圖IOA是示出用于制作光學(xué)元件的輥狀原盤的一個結(jié)構(gòu)例的立體圖，圖IOB是示出用于制作光學(xué)元件的輥狀原盤的一個結(jié)構(gòu)例的俯視圖；圖11是示出輥狀原盤曝光裝置的一個結(jié)構(gòu)例的概要圖；圖12Α至圖12C是用于說明本發(fā)明的第一實施方式所涉及的光學(xué)元件的制造方法的步驟圖；圖13Α至圖13C是用于說明本發(fā)明的第一實施方式所涉及的光學(xué)元件的制造方法的步驟圖；圖14Α是示出本發(fā)明的第二實施方式所涉及的光學(xué)元件的一個結(jié)構(gòu)例的概要俯視圖，圖14Β是放大示出圖14Α所示的光學(xué)元件的一部分的俯視圖，圖14C是圖14Β中的軌跡Τ1、Τ3...的剖面圖，圖14D是圖14Β中的軌跡Τ2、Τ4...的剖面圖，圖14Ε是示出用于形成與圖14Β中的軌跡Τ1、Τ3...相對應(yīng)的潛像的激光的調(diào)制波形的略線圖，圖14F是示出用于形成與圖14Β中的軌跡Τ2、Τ4...相對應(yīng)的潛像的激光的調(diào)制波形的略線圖；圖15Α是示出用于制作光學(xué)元件的輥狀原盤的一個結(jié)構(gòu)例的立體圖，圖15Β是示出用于制作光學(xué)元件的輥狀原盤的一個結(jié)構(gòu)例的俯視圖；圖16Α是示出本發(fā)明的第三實施方式所涉及的光學(xué)元件的一個結(jié)構(gòu)例的概要俯視圖，圖16Β是放大示出圖16Α所示的光學(xué)元件的一部分的俯視圖；圖17Α是示出本發(fā)明的第四實施方式所涉及的光學(xué)元件的一個結(jié)構(gòu)例的概要俯視圖，圖17Β是放大示出圖17Α所示的光學(xué)元件的一部分的俯視圖，圖17C是圖14Β中的軌跡Τ1、Τ3...的剖面圖，圖17D是圖17Β中的軌跡Τ2、Τ4...的剖面圖；圖18是放大示出圖17所示的光學(xué)元件的一部分的俯視圖；圖19是本發(fā)明的第五實施方式所涉及的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖20是本發(fā)明的第六實施方式所涉及的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖21是示出實施例1中的光學(xué)元件的反射率的波長依存性的坐標(biāo)圖；圖22是示出實施例2中的光學(xué)元件的反射率的波長依存性的坐標(biāo)圖；圖23是示出實施例3中的光學(xué)元件的透過率的波長依存性的坐標(biāo)圖；圖24是示出實施例4中的光學(xué)元件的透過率的波長依存性的坐標(biāo)圖；圖25是示出實施例5中的光學(xué)元件的反射率的波長依存性的坐標(biāo)圖；圖26是示出實施例6中的光學(xué)元件的頂視圖(TopView)的SEM照片；圖27是示出實施例7中的光學(xué)元件的頂視圖(TopView)的SEM照片；圖28是示出實施例8中的光學(xué)元件的頂視圖(TopView)的SEM照片；圖29是示出試驗例1中的模擬結(jié)果的坐標(biāo)圖；圖30是示出試驗例2中的模擬結(jié)果的坐標(biāo)圖；圖31是示出試驗例3中的模擬結(jié)果的坐標(biāo)圖；圖32是示出試驗例4中的模擬結(jié)果的坐標(biāo)圖；圖33是示出試驗例5中的模擬結(jié)果的坐標(biāo)圖；圖34是示出試驗例6中的模擬結(jié)果的坐標(biāo)圖；圖35是示出試驗例5中的模擬結(jié)果的坐標(biāo)圖；圖36A是示出試驗例7中的模擬結(jié)果的坐標(biāo)圖，圖36B是示出試驗例8中的模擬結(jié)果的坐標(biāo)圖；圖37A是示出試驗例9中的模擬結(jié)果的坐標(biāo)圖，圖37B是示出試驗例10中的模擬結(jié)果的坐標(biāo)圖；圖38A是示出試驗例11中的模擬結(jié)果的坐標(biāo)圖，圖38B是示出試驗例12中的模擬結(jié)果的坐標(biāo)圖；圖39A是構(gòu)造體排列成六邊形格子狀時的填充率的說明圖，圖39B是構(gòu)造體排列成四邊形格子狀時的填充率的說明圖；圖40是示出試驗例15中的模擬結(jié)果的坐標(biāo)圖；以及圖41是改變構(gòu)造體底面的橢圓率時的底面形狀的示意圖。具體實施例方式根據(jù)下列順序?qū)Ρ景l(fā)明的實施方式進行說明。另外，在下述實施方式的所有附圖中，對相同或相應(yīng)的部分標(biāo)以相同的標(biāo)記。1、第一實施方式(將構(gòu)造體二維排列成六邊形格子狀的實施例)2、第二實施方式(將構(gòu)造體二維排列成四邊形格子狀的實施例)3、第三實施方式(蛇行排列構(gòu)造體的實施例)4、第四實施方式(將凹形狀的構(gòu)造性形成在基體表面的實施例)5、第五實施方式(對顯示裝置的第一應(yīng)用例)6、第六實施方式(對顯示裝置的第二應(yīng)用例)<1、第一實施方式〉[光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)]圖IA是示出本發(fā)明的第一實施方式所涉及的光學(xué)元件的一個結(jié)構(gòu)例的概要俯視圖。圖IB是放大示出圖IA所示的光學(xué)元件的一部分的俯視圖。圖IC是圖IB中的軌跡(track)TUT3...的剖面圖。圖ID是圖IB中的軌跡T2、T4...的剖面圖。圖IE是示出用于形成與圖IB中的軌跡Tl、Τ3...相對應(yīng)的潛像的激光的調(diào)制波形的略線圖。圖IF是示出用于形成與圖IB中的軌跡Τ2、Τ4...相對應(yīng)的潛像的激光的調(diào)制波形的略線圖。圖2、圖4、圖5、圖6是放大示出圖IA所示的光學(xué)元件1的一部分的立體圖。圖3Α是圖IA所示的光學(xué)元件沿軌跡的延伸方向(X方向(下面也適當(dāng)稱作軌跡方向))的剖面圖。圖3Β是圖IA所示的光學(xué)元件沿θ方向的剖面圖。該光學(xué)元件1優(yōu)選適用于顯示器、光電裝置(photoelectronics)、光通信(光纖)、太陽電池以及照明裝置等各種光學(xué)設(shè)備。比如，可以適用于優(yōu)選適于防止具有可視光的波長區(qū)域的光反射的防反射基板或?qū)Ч獍?。而且，還可以適用于具有與入射光的入射角相對應(yīng)的透過率的濾光器以及采用該濾光器的背光裝置。第一實施方式所涉及的光學(xué)元件1具有在基體2的表面上以與可視光的波長同等程度的間隔(Pitch)配置有多個作為凸部的構(gòu)造體3的結(jié)構(gòu)。該光學(xué)元件1具有防止沿圖2中的Z方向透過基體2的光在構(gòu)造體3與其周圍的空氣之間的界面上發(fā)生反射的功能。這里，所謂“小于等于可視光的波長”表示約小于等于400nm的波長?；w2為具有透光性的透明基體，比如以聚碳酸酯(PC)或聚對苯二甲酸乙酯(PET)等透明合成樹脂、玻璃等為主要成分?；w2的形狀可以是薄膜狀、片(sheet)狀、板狀、塊狀，但不限于這些形狀。優(yōu)選根據(jù)顯示器、光電裝置、光通信、太陽電池以及照明裝置等需要規(guī)定的防反射功能的各種光學(xué)設(shè)備的主體部分的形狀等來選擇基體2的形狀。此外，優(yōu)選根據(jù)這些光學(xué)設(shè)備上所安裝的片狀或薄膜狀的防反射功能部件的形狀等來選擇確定基體2的形狀。光學(xué)元件1的各構(gòu)造體3具有在基體2的表面上形成多列軌跡Tl、T2、T3...(以下總稱為“軌跡T”)的配置形態(tài)。在本發(fā)明中，軌跡是指構(gòu)造體3成列連成直線狀的部分。另外，列方向是指在基體2的成形面上與軌跡的延伸方向(X方向)正交的方向。對于各構(gòu)造體3，在鄰接的兩個軌跡T之間，在排列在一列軌跡(例如Tl)上的各構(gòu)造體3的中間位置(錯開半間隔的位置)上，配置有另一列軌跡(例如T2)的構(gòu)造體3。其結(jié)果是，如圖IB所示，以如下方式配置各構(gòu)造體3在鄰接的三列軌跡(TlT3)之間，形成構(gòu)造體3的中心位于ala7各點的六邊形格子(lattice)圖像或準(zhǔn)六邊形格子圖案。在本發(fā)明中，所謂的準(zhǔn)六邊形格子圖案不同于正六邊形格子圖案，是指沿軌跡的延伸方向(X方向)被拉伸歪曲了的六邊形格子圖案。如圖IB所示，通過以形成上述的準(zhǔn)六邊形格子圖案的方式配置各構(gòu)造體3，相同軌跡(例如Tl)內(nèi)的各構(gòu)造體3的配置間隔Pl(例如ala2之間的距離)比鄰接的兩個軌跡(例如Tl及T2)之間的構(gòu)造體3的配置間隔長。即比P2長，其中，P2是相對于軌跡延伸方向約士60°方向上的構(gòu)造體3的配置間隔(例如ala7、a2a7之間的距離)。通過如此配置構(gòu)造體3，從而可以進一步提高構(gòu)造體3的填充密度。如圖2和圖4所示，構(gòu)造體3優(yōu)選為其底面為具有長軸和短軸的橢圓形、長圓形或卵形的錐體結(jié)構(gòu)且頂部為曲面的橢圓錐形狀。或者如圖5所示，優(yōu)選其底面為具有長軸和短軸的橢圓形、長圓形或卵形的錐體結(jié)構(gòu)且頂部平坦的橢圓錐臺形狀。這是因為如果是這樣的形狀，則可以提高列方向的填充率。此外，若基于提高反射特性以及透過特性的觀點，則優(yōu)選構(gòu)造體3為中央部的傾斜比底部以及頂部更急劇的橢圓錐形狀(參照圖2)，或者頂部平坦的橢圓錐臺形狀(參照圖5)。如果構(gòu)造體3具有橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀，則其底面的長軸方向優(yōu)選平行于軌跡延伸方向。圖1中，各構(gòu)造體3分別具有相同的形狀，但構(gòu)造體3的形狀并不限于此，可以在基體表面形成兩種形狀以上的構(gòu)造體3。此外，構(gòu)造體3也可以與基體2—體形成。此外，如圖2、圖4至圖6所示，優(yōu)選在構(gòu)造體3周圍的一部分或整體上設(shè)置突出部4。這是因為這樣的話，即使構(gòu)造體3的填充率很低的情況下，也可以較低地抑制反射率。具體來講，比如如圖2、圖4以及圖5所示，突出部4設(shè)置在相鄰的構(gòu)造體3之間。另外，如圖6所示，細(xì)長的突出部4可以設(shè)置在構(gòu)造體3的整個周圍。作為突出部4的形狀，可以列舉剖面三角形狀以及剖面四邊形狀等，但并不限于這些形狀，可以通過考慮成形的容易度來選擇突出部4的形狀。此外，也可以在構(gòu)造體3周圍的一部分或整個表面上形成粗糙的形狀。具體地，比如可以在相鄰的構(gòu)造體3之間的表面上形成粗糙形狀。構(gòu)造體3并不僅限于圖示的凸部形狀，也可以由形成在基體2表面的凹部構(gòu)成。構(gòu)造體3的高度并沒有特別的限定，例如可以在420nm程度(左右)，具體為415nm421nm。此外，如果構(gòu)造體3為凹部形狀，則為構(gòu)造體3的深度。軌跡延伸方向上的構(gòu)造體3的高度Hl優(yōu)選小于列方向上的構(gòu)造體3的高度H2。即，構(gòu)造體3的高度Hl和H2優(yōu)選滿足Hl<H2的關(guān)系。這是因為如果以滿足Hl彡H2的關(guān)系的方式來排列構(gòu)造體3，則需要拉長軌跡延伸方向上的配置間隔P1，從而軌跡延伸方向上的構(gòu)造體3的填充率降低。一旦填充率如此降低，將導(dǎo)致反射特性降低。另外，并不僅限于構(gòu)造體3的縱橫尺寸比為全部相同的情況，也可以構(gòu)成為各構(gòu)造體3具有一定的高度分布(例如縱橫尺寸比為0.831.46左右的范圍)。通過設(shè)置具有高度分布的構(gòu)造體3，從而可以降低反射特性的波長依存性。因此，可以實現(xiàn)具有卓越的防反射特性的光學(xué)元件1。這里，高度分布是指具有兩種以上的高度(深度)的構(gòu)造體3被設(shè)置在基體2表面。即，意味著具有作為基準(zhǔn)的高度的構(gòu)造體3、以及具有和該構(gòu)造體3不同高度的構(gòu)造體3被設(shè)置在基體2表面。具有和基準(zhǔn)不同的高度的構(gòu)造體3例如被周期性地或非周期性(隨機)地設(shè)置在基體2的表面。作為其周期性的方向，例如可以列舉有軌跡延伸方向、列方向寸。優(yōu)選在構(gòu)造體3的周邊部設(shè)置裙?fàn)畈?skirtportion)3a0這是因為可以在光學(xué)元件的制作步驟中，易于從金屬模等剝離光學(xué)元件。此外，若基于上述剝離特性的觀點，則優(yōu)選裙?fàn)畈?a為高度平穩(wěn)降低的曲面狀。此外，裙?fàn)畈?a可以只設(shè)置在構(gòu)造體3的周邊部的一部分上，但是，若基于上述提高剝離特性的觀點，則優(yōu)選裙?fàn)畈?a設(shè)置在構(gòu)造體3的周邊部的整體上。此外，當(dāng)構(gòu)造體3為凹部時，裙?fàn)畈?a為被設(shè)置在作為構(gòu)造體3的凹部的開口周邊上的曲面。構(gòu)造體3的高度(深度)并沒有特別的限定，可以根據(jù)透過的光的波長區(qū)域而進行適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，例如可以設(shè)定在236nm450nm程度的范圍。優(yōu)選構(gòu)造體3的縱橫尺寸比(高度/配置間隔)被設(shè)定為0.811.46的范圍，更優(yōu)選為0.941.28的范圍。這是因為如果小于0.81，則會有反射特性以及透過特性降低的傾向，如果大于1.46，則會有以下傾向在光學(xué)元件的制作時，剝離特性降低，從而無法漂亮地獲取復(fù)制品的復(fù)制。此外，若基于進一步提高反射特性的觀點，則優(yōu)選構(gòu)造體3的縱橫尺寸比被設(shè)定為0.941.46的范圍。而且，若基于進一步提高透過特性的觀點，則優(yōu)選構(gòu)造體3的縱橫尺寸比被設(shè)定為0.811.28的范圍。此外，在本發(fā)明中，通過以下的式(1)來定義縱橫尺寸比?？v橫尺寸比=H/P...(1)其中，H:構(gòu)造體的高度，P:平均配置間隔(平均周期)這里，通過以下的式(2)定義平均配置間隔P。平均配置間隔P=(Pl+P2+P2)/3.··(2)其中，Pl軌跡延伸方向的配置間隔(軌跡延伸方向周期)、P2相對于軌跡延伸方向，士θ方向(其中，θ=60°-δ，這里，δ優(yōu)選為0°<δ彡11°，更優(yōu)選3°彡δ彡6°)的配置間隔(θ方向周期)。此外，將構(gòu)造體3的高度H設(shè)定為構(gòu)造體3的列方向的高度。構(gòu)造體3的軌跡延伸方向(X方向)的高度小于列方向(Y方向)的高度，此外，由于構(gòu)造體3的軌跡延伸方向以外的部分的高度與列方向的高度大致相同，因此，由列方向的高度來代表亞波長構(gòu)造體的深度。但是，當(dāng)構(gòu)造體3為凹部時，上述式(1)中的構(gòu)造體的高度H則為構(gòu)造體的深度H。當(dāng)將相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體3的配置間隔設(shè)定為Ρ1，并將鄰接的兩個軌跡間的構(gòu)造體3的配置間隔設(shè)定為Ρ2時，優(yōu)選比率Ρ1/Ρ2滿足1.00(Ρ1/Ρ2<1.1或1.00<Pl/Ρ2^1.1的關(guān)系。通過設(shè)定為這樣的數(shù)值范圍，從而可以提高具有橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀的構(gòu)造體3的填充率，因此可以提高防反射特性?；w表面的構(gòu)造體3的填充率以100%為上限，且為大于等于65%，優(yōu)選為大于等于73%，更優(yōu)選為大于等于86%的范圍內(nèi)。通過將填充率設(shè)定在這樣的范圍內(nèi)，從而可以提高防反射特性。為了提高填充率，優(yōu)選接合鄰接的構(gòu)造體3的下部彼此、或調(diào)整構(gòu)造體底面的橢圓率等使構(gòu)造體3產(chǎn)生歪斜。這里，構(gòu)造體3的填充率(平均填充率)為如下求出的值。首先，用掃描型電子顯微鏡(SEMScanningElectronMicroscope)以頂視圖(TopView)拍攝光學(xué)元件1的表面。然后，從所拍攝的SEM照片中隨機選出單位格子Uc，測定該單位格子Uc的配置間隔Pl和軌跡間隔Tp(參見圖1)。然后，通過圖像處理對位于該單位格子Uc的中央的構(gòu)造體3的底面面積S進行測定。隨后，用所測定的配置間隔P1、軌跡間隔Tp以及底面面積S根據(jù)下面的式(3)求出填充率。填充率=(S(hex.)/S(unit))X100...(3)單位格子面積S(unit)=PlX2Tp存在于單位格子中的構(gòu)造體的底面面積S(hex.)=2S對從所拍攝的SEM照片中隨機選出的十處單位格子進行上述的填充率計算處理。然后，簡單地平均(算術(shù)平均)測定值，求出填充率的平均率，并將其作為基體表面的構(gòu)造體3的填充率。對于構(gòu)造體3重疊時或構(gòu)造體3之間存在突出部4等副構(gòu)造體時的填充率，可以通過將構(gòu)造體3的高度中的5%的高度所對應(yīng)的部分作為閾值來判定面積比的方法來求得填充率。圖7是構(gòu)造體3的邊界不明確時的填充率計算方法的說明圖。當(dāng)構(gòu)造體3的邊界不明確時，如圖7所示，通過剖面SEM觀察將相當(dāng)于構(gòu)造體3的高度h的5%(=(d/h)X100)的部分作為閾值，并用其高度d換算構(gòu)造體3的直徑，從而求出填充率。如果構(gòu)造體3的底面為橢圓，則用長軸和短軸進行相同的處理。圖8是改變構(gòu)造體3的底面的橢圓率時的底面形狀的示意圖。圖8A至圖8D所示的橢圓的橢圓率分別為100%、110%、120%和141%。通過如此改變橢圓率，從而可以改變基體表面的構(gòu)造體3的填充率。當(dāng)構(gòu)造體3形成準(zhǔn)六邊形格子圖案時，優(yōu)選構(gòu)造體底面的橢圓率e在100%<e<150%以下。這是因為通過將橢圓率e設(shè)定在這一范圍內(nèi)，從而可以提高構(gòu)造體3的填充率，得到卓越的防反射特性。這里，當(dāng)將構(gòu)造體底面的軌跡方向(X方向)上的直徑設(shè)定為a、并將與其垂直的13列方向(Y方向)上的徑長設(shè)定為b時，橢圓率e由(a/b)X100來定義。另外，構(gòu)造體3的直徑a、b為通過如下方法求出的值。用掃描型電子顯微鏡(SEM=ScarmingElectronMicroscope)以頂視圖(TopView)拍攝光學(xué)元件1的表面，從所拍攝的SEM照片中隨機提取10個構(gòu)造體3。然后，測定所提取的構(gòu)造體3各自的底面直徑a、b。接著，分別簡單地平均(算術(shù)平均)測定值a、b，求出直徑a、b的平均率，并將其作為構(gòu)造體3的直徑a、b。圖9A示出了具有圓錐形狀或圓錐臺形狀的構(gòu)造體3的一個配置例。圖9B示出了具有橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀的構(gòu)造體3的一個配置例。如圖9A和圖9B所示，優(yōu)選接合構(gòu)造體3以使其下部重疊。具體地，優(yōu)選將構(gòu)造體3的下部與處于鄰接關(guān)系的構(gòu)造體3的一部分或整個下部接合。更具體地，優(yōu)選在軌跡方向、θ方向或這兩個方向上將構(gòu)造體3的下部相互接合。更具體地，優(yōu)選在軌跡方向、θ方向或這兩個方向上將構(gòu)造體3的下部相互接合。圖9Α和圖9Β中示出了接合處于鄰接關(guān)系的構(gòu)造體3的整個下部的例子。通過像這樣接合構(gòu)造體3，從而可以提高構(gòu)造體3的填充率。優(yōu)選根據(jù)考慮了折射率的光路長度在使用環(huán)境下的光的波段最大值的1/4以下的部分將構(gòu)造體相互接合。這樣，可以獲得卓越的防反射特性。如圖9Β所示，當(dāng)具有橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀的構(gòu)造體3的下部相互接合的情況下，比如接合部的高度按照接合部a、b、c的順序遞減。直徑2r與配置間隔P2的比率((2r/Pl)X100)大于等于85%，優(yōu)選大于等于90%，更優(yōu)選大于等于95%。這是因為通過設(shè)定成這樣的范圍，從而可以提高構(gòu)造體3的填充率，提高防反射特性。如果比率((2r/Pl)X100)增大，從而構(gòu)造體3的重疊過大，則將出現(xiàn)防反射特性降低的傾向。因此，優(yōu)選設(shè)定比率((2r/Pl)X100)的上限值，以便根據(jù)考慮了折射率的光路長度在使用環(huán)境下的光的波段的最大值的1/4以下的部分將構(gòu)造體相互接合。這里，配置間隔Pl是構(gòu)造體3在軌跡方向上的配置間隔，直徑2r是構(gòu)造體底面在軌跡方向上的直徑。另外，如果構(gòu)造體底面為圓形，直徑2r為直徑，如果構(gòu)造體底面為橢圓形，直徑2r則為長徑。(輥狀原盤(rollmaster)的結(jié)構(gòu))圖10示出了用于制作具有上述結(jié)構(gòu)的光學(xué)元件的輥狀原盤的一個結(jié)構(gòu)例。如圖10所示，輥狀原盤11具有在原盤12的表面以與可視光的波長同等程度的間隔設(shè)置有多個作為凹部的構(gòu)造體13的結(jié)構(gòu)。原盤12具有圓柱形或圓筒形的形狀。原盤12的材料比如可以采用玻璃，但并不僅限于這種材料。采用后述的輥狀原盤曝光裝置使二維圖案(pattern)空間地連接，對應(yīng)每一個軌跡使極性反轉(zhuǎn)格式器(formatter)信號和記錄裝置的旋轉(zhuǎn)控制器(controller)同步地產(chǎn)生信號，根據(jù)CAV以適當(dāng)?shù)妮斔烷g隔來形成圖案。這樣，可以記錄六邊形格子圖案或準(zhǔn)六邊形格子圖案。通過適當(dāng)設(shè)定極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率以及輥的旋轉(zhuǎn)數(shù)，從而在希望的記錄區(qū)域上形成空間頻率一樣的格子圖案。[光學(xué)元件的制造方法]下面，參照圖11至圖13對如上構(gòu)成的光學(xué)元件1的制造方法進行說明。第一實施方式所涉及的光學(xué)元件的制造方法包括在原盤上形成抗蝕層的抗蝕成膜步驟、用輥狀原盤曝光裝置在抗蝕膜上形成蛾眼圖案的潛像的曝光步驟、使形成有潛像的抗蝕層顯影的顯影步驟、采用等離子蝕刻法制作輥狀原盤的蝕刻步驟以及用紫外線硬化樹脂制作復(fù)制基板的復(fù)制步驟。14(曝光裝置的結(jié)構(gòu))首先，參照圖11對用于蛾眼圖案的曝光步驟的輥狀原盤曝光裝置的結(jié)構(gòu)進行描述。該輥狀原盤曝光裝置是以光盤記錄裝置為基礎(chǔ)而構(gòu)成的。激光光源12是用于曝光成膜在作為記錄介質(zhì)的原盤12的表面上的抗蝕劑的光源，用于振蕩例如波長λ=266nm的記錄用激光15。從激光光源21射出的激光15以平行光束的狀態(tài)直線傳播，入射到光電元件(EOM:ElectroOpticalModulator)22。透過光電元件22的激光15被反射器23反射，并被導(dǎo)向調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25。反射器23由偏振分光器(polarizedbeamsplitter)構(gòu)成，其具有反射一部分的偏光成分且透過其它偏光成分的功能。透過反射器23的偏光成分被光電二極管24接收，根據(jù)該接收信號來控制光電元件22，并進行激光15的相位調(diào)制。在調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25中，由聚光透鏡26將激光15聚光于包括石英(SiO2)等的聲光元件(AOM:aC0ust0-0ptiCmodulator)27。激光15被聲光元件27強度調(diào)制并發(fā)散后，被透鏡28變?yōu)槠叫泄馐恼{(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25射出的激光15被反射器31反射，從而水平且平行地被導(dǎo)向移動光學(xué)臺(table)32。移動光學(xué)臺32包括光束擴展器33以及對物透鏡(objectivelens)34。導(dǎo)向移動光學(xué)臺32的激光15被光束擴展器33整形為希望的光束形狀后，通過對物透鏡34，向原盤12上的抗蝕層進行照射。原盤12被放置在與主軸電動機35連接的轉(zhuǎn)臺(turntable)36上。此外，使原盤12旋轉(zhuǎn)，同時，使激光15沿原盤12的高度方向移動，并向抗蝕層間歇性地照射激光15，從而進行抗蝕層的曝光步驟。形成的潛像為在圓周方向具有長軸的大致橢圓形。通過移動光學(xué)臺32向箭頭R方向的移動來移動激光15。曝光裝置包括用于對抗蝕層形成潛像的控制機構(gòu)37，其中，該潛像對應(yīng)于如圖IB所示的六邊形格子或準(zhǔn)六邊形格子的二維圖案?？刂茩C構(gòu)37包括格式器(formatter)29和驅(qū)動器30。格式器29包括極性反轉(zhuǎn)部，該極性反轉(zhuǎn)部用于控制對抗蝕層照射激光15的定時(timing)。驅(qū)動器30用于接收極性反轉(zhuǎn)部的輸出并控制聲光元件27。在該輥狀原盤曝光裝置中，對應(yīng)每一個軌跡使極性反轉(zhuǎn)格式器信號和記錄裝置的旋轉(zhuǎn)控制器同步地產(chǎn)生信號，以使二維圖案空間地連接，并通過聲光元件27進行強度調(diào)制。通過以角速度(CAV)恒定的方式以適當(dāng)?shù)男D(zhuǎn)數(shù)和適當(dāng)?shù)恼{(diào)制頻率以及適當(dāng)?shù)妮斔烷g隔來形成圖案，可以記錄六邊形格子圖案或準(zhǔn)六邊形格子圖案。例如，如圖10B所示，為了將圓周方向的周期設(shè)為315nm，將相對于圓周方向約60°方向(約-60°方向)的周期設(shè)為300nm，只要將輸送間隔設(shè)為251nm即可(畢達哥拉斯定理)。極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率根據(jù)輥的旋轉(zhuǎn)數(shù)(1800rpm、900rpm、450rpm)而變化(參見表1)。在希望的記錄區(qū)域上空間頻率(圓周315nm周期、圓周方向約60度方向(約-60°方向)300nm周期)一致的準(zhǔn)六邊形格子圖案通過下述方法來獲得通過移動光學(xué)臺32上的光束擴展器(BEX)33將遠(yuǎn)紫外線激光放大為5倍的光徑，然后通過開口數(shù)(NA)O.9的對物透鏡34將其照射于原盤12上的抗蝕層，形成微細(xì)的潛像。(表1)下面，依次對本發(fā)明的第一實施方式所涉及的光學(xué)元件的制造方法的各個步驟進行說明。(抗蝕劑成膜步驟)首先，如圖12A所示，準(zhǔn)備一個圓柱形的原盤12。該原盤12比如為玻璃原盤。然后，如圖12B所示，在原盤12的表面形成抗蝕層14。抗蝕層14的材料比如可以采用有機類抗蝕劑和無機類抗蝕劑中的任一種。有機類抗蝕劑比如可以采用酚醛樹脂類抗蝕劑或化學(xué)增強型抗蝕劑。而無機類抗蝕劑比如可以采用一種或兩種以上鎢或鉬等的過渡金屬的金屬氧化物(曝光步驟)然后，如圖12C所示，用上述輥狀原盤曝光裝置使原盤12旋轉(zhuǎn)，同時將激光(曝光光束)15照射于抗蝕層14。此時，通過使激光15向原盤12的高度方向(與圓柱形或圓筒形的原盤12的中心軸平行的方向)移動，同時間歇性地照射激光，從而使整個抗蝕層14曝光。由此，在抗蝕層14的整個面上以與可視光波長同等程度的間隔形成與激光15的軌跡相對應(yīng)的潛像16。潛像16比如配置成在原盤表面構(gòu)成多列軌跡，并形成六邊形格子圖案或準(zhǔn)六邊形格子圖案。潛像16比如是在軌跡延伸方向具有長軸方向的橢圓形狀。(顯影步驟)然后，旋轉(zhuǎn)原盤12，同時將顯影液滴在抗蝕層14上，如圖13A所示，對抗蝕層14進行顯影處理。如圖所示，當(dāng)抗蝕層14由正型(positive)抗蝕劑形成時，經(jīng)過激光15曝光的曝光部與非曝光部相比較，相對于顯影液的溶解速度增加，因此，與潛像(曝光部)16相對應(yīng)的圖案被形成在抗蝕層14上。(蝕刻步驟)接下來，將形成在原盤12上的抗蝕層14的圖案(抗蝕圖案)作為掩模(mask)，對原盤12的表面進行蝕刻處理。從而，如圖13B所示，可以得到在軌跡延伸方向具有長軸方向的橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀的凹部、即構(gòu)造體13。蝕刻方法比如通過干式蝕刻進行。這時，通過交互進行蝕刻處理和拋光(ashing)處理，從而可以形成比如錐體狀的構(gòu)造體13的圖案。同時可以制作抗蝕層14的三倍以上深度(選擇比為3以上)的玻璃原盤(master)，并可實現(xiàn)構(gòu)造體3的高縱橫尺寸比化。根據(jù)上述處理，可以得到具有深度比如為200nm左右至350nm左右的凹形的六邊形格子圖案或準(zhǔn)六邊形格子圖案的輥狀原盤11。(復(fù)制步驟)接著，比如將輥狀原盤11緊貼于涂敷有轉(zhuǎn)印材料的片(sheet)等基體2，并在照射紫外線使其硬化的同時進行剝離。由此，如圖13C所示，可以制作想要的蛾眼紫外線硬化復(fù)制片等光學(xué)元件1。轉(zhuǎn)印材料比如由紫外線硬化材料和引發(fā)劑(initiator)構(gòu)成，根據(jù)需要，可以包括填充劑或功能性添加劑等。紫外線硬化材料比如由單官能團單體、雙官能團單體、多官能團單體等構(gòu)成，具體為混合有單個或多個下述材料的物質(zhì)。作為單官能團單體，可以列舉例如羧酸類(丙烯酸)、羥基類(丙烯酸-2-羥基乙酯、丙烯酸-2-羥基丙酯、丙烯酸-4-羥基丁酯)、烷基類、脂環(huán)類(丙烯酸異丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸十二酯、丙烯酸十八酯、丙烯酸異冰片酯(isobonylacrylate)、丙烯酸環(huán)己基酯)、其它功能性單體(2_甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯(methoxyethyleneglycolacrylate)、2_乙氧基乙基丙烯酸酯、丙烯酸四氫糠基酯、丙烯酸芐酯、乙卡必醇丙烯酸酯、苯氧基乙基丙烯酸酯、丙烯酸二甲胺基乙酯、二甲胺基丙基丙烯酰胺、N，N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酰嗎啉、η-異丙基丙烯酰胺、N，N-二乙基丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、2-(全氟辛基)乙基丙烯酸酯、3-全氟己基-2-羥基丙基丙烯酸酯、3-全氟辛基-2-羥基丙基丙烯酸酯、2-全氟癸基丙烯酸乙酯、2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸酯、2，4，6_三溴苯酚丙烯酸酯、2，4，6-三溴苯酚甲基丙烯酸酯、2-(2，4，6_三溴苯氧基)乙基丙烯酸酯)、和丙烯酸-2-乙基己酯等。作為雙官能團單體，可以列舉例如二縮三丙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二烯丙基醚、聚氨酯丙烯酸酯等。作為多官能團單體，可以列舉例如三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、雙季戊四醇五丙烯酸酯、雙季戊四醇六丙烯酸酯以及雙三羥甲基丙烷四丙烯酸酯等。作為引發(fā)劑，可以列舉例如2，2_二甲氧基-1，2-二苯基乙-1-酮、1-羥基環(huán)己基苯基甲酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮等。作為填充劑比如可以采用無機微粒及有機微粒中的任一種。作為無機微?？梢粤信e例如，SiO2,TiO2,ZrO2,SnO2^Al2O3等金屬氧化物微粒。作為功能性添加劑，可以列舉例如勻染劑、表面調(diào)整劑、消泡劑等。作為基體2的材料，可以列舉例如，甲基丙烯酸甲酯(共)聚合物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚合物、甲基丙烯酸甲酯_苯乙烯共聚物、二醋酸纖維素、三醋酸纖維素、醋酸丁酸纖維素、聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇縮乙醛、聚醚酮、聚氨酯、和玻璃等。基體2的成形方法沒有特定限定，可以是射出成形體，也可以是擠出成形體，還可以是鑄造成形體。根據(jù)需要，也可以對基體表面進行電暈(corona)處理等表面處理。<2.第二實施方式〉圖14A是示出本發(fā)明的第二實施方式所涉及的光學(xué)元件的一個結(jié)構(gòu)例的概要俯視圖。圖14B是放大示出圖14A所示的光學(xué)元件的一部分的俯視圖。圖14C是圖14B中的軌跡T1、T3...的剖面圖。圖14D是圖14Β中的軌跡Τ2、Τ4...的剖面圖。圖14Ε是示出用于形成與圖14Β中的軌跡Τ1、Τ3...相對應(yīng)的潛像的激光的調(diào)制波形的略線圖。圖14F是示出用于形成與圖14Β中的軌跡Τ2、Τ4...相對應(yīng)的潛像的激光的調(diào)制波形的略線圖。第二實施方式所涉及的光學(xué)元件1與第一實施方式的光學(xué)元件的區(qū)別在于各構(gòu)造體3在鄰接的三列軌跡之間構(gòu)成四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案。在本發(fā)明中，所謂的準(zhǔn)四邊形格子圖案不同于正四邊形格子圖案，其是指沿軌跡的延伸方向(X方向)被拉伸歪曲了的四邊形格子圖案。構(gòu)造體3的高度或深度并沒有特別的限定，例如可以在159nm312nm程度(左右)。相對于軌跡(約)45°方向上的間隔P2例如為275nm297nm左右。構(gòu)造體3的縱橫尺寸比(高度/配置間隔)例如為0.541.13左右。另外，并不僅限于各構(gòu)造體3的縱橫尺寸比為全部相同的情況，也可以構(gòu)成為各構(gòu)造體3具有一定的高度分布。優(yōu)選相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體3的配置間隔Pl大于鄰接的兩個軌跡間的構(gòu)造體3的配置間隔P2。此外，當(dāng)將相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體3的配置間隔設(shè)定為P1，并將鄰接的兩個軌跡間的構(gòu)造體3的配置間隔設(shè)定為P2時，優(yōu)選P1/P2滿足1.4<P1/P2(1.5的關(guān)系。通過設(shè)定為這樣的數(shù)值范圍，從而可以提高具有橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀的構(gòu)造體3的填充率，因此可以提高防反射特性。另外，優(yōu)選相對于軌跡45°方向或約45°方向上的構(gòu)造體3的高度或深度小于軌跡延伸方向上的構(gòu)造體3的高度或深度。優(yōu)選相對于軌跡延伸方向傾斜的構(gòu)造體3的排列方向(θ方向)上的高度Η2小于軌跡延伸方向上的構(gòu)造體3的高度HI。即，優(yōu)選滿足構(gòu)造體3的高度Hl和H2滿足Hl>H2的關(guān)系。圖41是改變構(gòu)造體3的底面的橢圓率時的底面形狀的示意圖。橢圓率3”32、33分別為100%、141%和163.3%。通過如此改變橢圓率，從而可以改變基體表面的構(gòu)造體3的填充率。當(dāng)構(gòu)造體3形成四邊形格子或準(zhǔn)四邊形格子圖案時，優(yōu)選構(gòu)造體底面的橢圓率e為180%。這是因為通過將橢圓率e設(shè)定在這一范圍內(nèi)，從而可以提高構(gòu)造體3的填充率，得到卓越的防反射特性?；w表面的構(gòu)造體3的填充率以100%為上限，且為大于等于65%，優(yōu)選為大于等于73%，更優(yōu)選為大于等于86%的范圍內(nèi)。通過將填充率設(shè)定在這樣的范圍內(nèi)，從而可以提高防反射特性。這里，構(gòu)造體3的填充率(平均填充率)為如下求出的值。首先，用掃描型電子顯微鏡(SEMScanningElectronMicroscope)以頂視圖(TopView)拍攝光學(xué)元件1的表面。然后，從所拍攝的SEM照片中隨機選出單位格子Uc，測定該單位格子Uc的配置間隔P1和軌跡間隔Tp(參見圖24B)。然后，通過圖像處理對該單位格子Uc中所包含的四個構(gòu)造體3中的任意一個構(gòu)造體3的底面面積S進行測定。隨后，用所測定的配置間隔Ρ1、軌跡間隔Tp以及底面面積S根據(jù)下面的式(2)求出填充率。填充率=(S(tetra)/S(unit))X100...(2)單位格子面積:S(unit)=2X((PlXTp)X(1/2))=PlXTp存在于單位格子中的構(gòu)造體的底面面積S(tetra)=S對從所拍攝的SEM照片中隨機選出的10處單位格子進行上述的填充率計算處理。然后，簡單地平均(算術(shù)平均)測定值，求出填充率的平均率，并將其作為基體表面的構(gòu)造體3的填充率。直徑2r與配置間隔P2的比率((2r/Pl)X100)大于等于127%，優(yōu)選大于等于137%，更優(yōu)選大于等于146%。這是因為通過設(shè)定成這樣的范圍，從而可以提高構(gòu)造體3的填充率，提高防反射特性。這里，配置間隔Pl是構(gòu)造體3在軌跡方向上的配置間隔，直徑2r是構(gòu)造體底面在軌跡方向上的直徑。另外，如果構(gòu)造體底面為圓形，則直徑2r為直徑，如果構(gòu)造體底面為橢圓形，則直徑2r為長徑。圖15示出了用于制作具有上述結(jié)構(gòu)的光學(xué)元件的輥狀原盤的一個結(jié)構(gòu)例。該輥狀原盤與第一實施方式中的輥狀原盤的區(qū)別在于在其表面上，凹狀的構(gòu)造體13構(gòu)成了四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案。采用輥狀原盤曝光裝置使二維圖案空間地連接，對應(yīng)每一個軌跡使極性反轉(zhuǎn)格式器信號和記錄裝置的旋轉(zhuǎn)控制器同步地產(chǎn)生信號，根據(jù)CAV以適當(dāng)?shù)妮斔烷g隔來形成圖18案。這樣，可以記錄四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案。優(yōu)選通過適當(dāng)設(shè)定極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率以及輥的旋轉(zhuǎn)數(shù)，從而利用激光的照射在原盤12上的抗蝕劑上形成在希望的記錄區(qū)域上空間頻率一致的格子圖案。<3.第三實施方式〉圖16A是示出本發(fā)明的第三實施方式所涉及的光學(xué)元件的一個結(jié)構(gòu)例的概要俯視圖。圖16B是放大示出圖16A所示的光學(xué)元件的一部分的俯視圖。第三實施方式所涉及的光學(xué)元件1與第一實施方式中的光學(xué)元件的區(qū)別在于構(gòu)造體3排列在蛇形的軌跡(下面稱之為擺動(wobble)軌跡)上。優(yōu)選基材2上的各軌跡的擺動同步。即，優(yōu)選擺動是同步擺動。通過像這樣使擺動同步，從而可以保持六邊形格子或準(zhǔn)六邊形格子的單位格子形狀，保持很高的填充率。作為擺動軌跡的波形，可以列舉如正弦波、三角波等。擺動軌跡的波形并不僅限于周期性的波形，也可以是非周期性的波形。擺動軌跡的擺動振幅例如被選擇在士10μm左右。在該第三實施方式中，上述以外的內(nèi)容是與第一實施方式相同的。根據(jù)第三實施方式，由于將構(gòu)造體3排列在擺動軌跡上，因此可以抑制外觀上的不均。<4.第四實施方式〉圖17A是示出本發(fā)明的第四實施方式所涉及的光學(xué)元件的一個結(jié)構(gòu)例的概要俯視圖。圖17B是放大示出圖17A所示的光學(xué)元件的一部分的俯視圖。圖17C是圖17B中的軌跡T1、T3...的剖面圖。圖17D是圖17Β中的軌跡Τ2、Τ4...的剖面圖。圖18是放大示出圖17所示的光學(xué)元件的一部分的立體圖。第四實施方式所涉及的光學(xué)元件1與第一實施方式的光學(xué)元件的區(qū)別在于多個作為凹部的構(gòu)造體3排列在基體表面上。該構(gòu)造體3的形狀是將第一實施方式中的構(gòu)造體3的凸形反轉(zhuǎn)所成的凹形。另外，當(dāng)如上所述地將構(gòu)造體3作為凹部的情況下，作為凹部的構(gòu)造體3的開口部(凹部中的入口部分)被定義為下部，在基體2的深度方向上的最下部(凹部中最深的部分)被定義為頂部。即，通過作為非實體空間的構(gòu)造體3來定義頂部和下部。此外，在第四實施方式中，由于構(gòu)造體3為凹部，因此式(1)等中的構(gòu)造體3的高度H變成構(gòu)造體3的深度H。在該第四實施方式中，上述以外的內(nèi)容是與第一實施方式相同的。該第四實施方式由于是將第一實施方式中的凸形構(gòu)造體3的形狀反轉(zhuǎn)所成凹形，因此可以獲得與第一實施方式相同的效果。<5.第五實施方式〉圖19示出了本發(fā)明的第五實施方式所涉及的液晶顯示裝置的一個結(jié)構(gòu)例。如圖19所示，該液晶顯示裝置包括用于射出光線的背光53以及用于對從背光53射出的光進行時間空間的調(diào)制從而顯示圖像的液晶面板5。液晶面板51的兩個面上分別設(shè)有作為光學(xué)部件的偏光器51a、51b。設(shè)置在液晶面板51的顯示面?zhèn)壬系钠馄?1b上設(shè)有光學(xué)元件1。這里，將在一個主面上設(shè)有光學(xué)元件1的偏光器51b稱為帶防反射功能偏光器52。帶防反射功能偏光器52是帶防反射功能光學(xué)部件的一例。下面，依次對用于構(gòu)成液晶顯示裝置的背光53、液晶面板51、偏光器51a、51b以及光學(xué)元件1進行描述。(背光)作為背光(backlight)53，例如可以采用直下型背光、邊緣型背光以及平面光源型背光。背光53例如包括光源、反射板以及光學(xué)膜等。作為光源，例如可以采用冷陰極熒光管(ColdCathodeFluorescentLamp:CCFL)、熱陰極熒光管(HotCathodeFluorescentLamp:HCFL)、有機電致發(fā)光(OrganicElectroLuminescence:0EL)、無機電致發(fā)光(InorganicElectroLuminescence:IEL)以及發(fā)光二極管(LightEmittingDiodeLED)等。(液晶面板)作為液晶面板51，可以采用諸如扭曲向列(TwistedNematic:TN)模式、超扭曲向列(SuperTwistedNematic:STN)模式、垂直取向(VerticallyAligned:VA)模式、平面轉(zhuǎn)換(In-PlaneSwitching:IPS)模式、光學(xué)補償彎曲排列(OpticallyCompensatedBirefringence:0CB)模式、鐵電液晶(FerroelectricLiquidCrystal:FLC)模式、高分子分散型液晶(PolymerDispersedLiquidCrystal:PDLC)模式以及相變賓主型(PhaseChangeGuestHost:PCGH)模式等顯示模式。(偏光器)例如，偏光器51a、51b以其透過軸相互垂直的方式設(shè)置在液晶面板51的兩個面上。偏光器51a、51b是用于僅使入射光中的垂直的偏光成分中的一部分通過，并通過吸收而遮蔽另一部分的部件。偏光器51a、51b可以使用使諸如聚乙烯醇類膜、部分縮甲醛化聚乙烯醇類膜、乙烯_醋酸乙烯共聚物類部分皂化膜等的親水性高分子膜吸附碘或者二色性染料等的二色性物質(zhì)并使其單軸延伸后所得的膜。優(yōu)選在偏光器51a、51b的兩個面上設(shè)置三醋酸纖維素(TAC)膜等保護層。當(dāng)像這樣設(shè)置保護層時，優(yōu)選光學(xué)元件1的基體2為兼作保護層的結(jié)構(gòu)。這是因為通過設(shè)置成這樣的結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)帶防反射功能偏光器52的薄型化。(光學(xué)元件)光學(xué)元件1與上述第一至第四實施方式中的任意一個實施方式相同，因此省略說明。根據(jù)第五實施方式，由于在液晶顯示裝置的顯示面上設(shè)置了光學(xué)元件1，因此可以提高液晶顯示裝置的顯示面的防反射功能。從而，可以提高液晶顯示裝置的可視性。〈第六實施方式〉[液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)]圖20示出了本發(fā)明的第六實施方式所涉及的液晶顯示裝置的一個結(jié)構(gòu)例。該液晶顯示裝置與第五實施方式中液晶顯示裝置的區(qū)別在于在液晶面板51的前面?zhèn)染哂星懊娌考?4，并且在液晶面板51的前面、前面部件54的前面以及背面的至少一個面上具有光學(xué)元件1。圖20示出了在液晶面板51的前面以及前面部件54的前面和背面的所有面上都具有光學(xué)元件1的例子。在液晶面板51和前面部件54之間例如設(shè)有空氣層。對與上述第五實施方式相同的部分標(biāo)上相同的標(biāo)記，并省略說明。此外，在本發(fā)明中，前面是指作為顯示面的一側(cè)的面、即作為觀察者側(cè)的面，背面是指與顯示面相反的一側(cè)的面。前面部件54是基于機械保護、熱保護以及耐氣候保護和外觀設(shè)計性的目的而用于液晶顯示51的前面(觀察者側(cè))的前板等。前面部件54例如具有片狀、膜狀或板狀。20作為前面部件54的材料，例如可以使用玻璃、三醋酸纖維素(TAC)、聚酯(TPEE)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亞胺(PI)、聚酰胺(PA)、芳香族聚酰胺纖維、聚乙烯(PE)、聚丙烯酸酯、聚醚砜、聚砜、聚丙烯(PP)、二醋酸纖維素、聚氯乙烯、丙烯酸樹脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)等，但并不僅限于這些材料，只要是具有透光性的材料，就可以使用。根據(jù)第六實施方式，與第五實施方式一樣，可以提高液晶顯示裝置的可視性。[實施例]下面，利用實施例對本發(fā)明進行具體說明，但本發(fā)明并不僅限于這些實施例。(實施例1)首先，準(zhǔn)備外徑為126mm的玻璃輥狀原盤，通過下述方法將抗蝕劑成膜在該玻璃原盤的表面上。即用稀釋劑將光致抗蝕劑(photoresist)稀釋成1/10，利用浸漬(dip)將該稀釋抗蝕劑以130nm左右的厚度涂敷在玻璃輥狀原盤的圓柱面上，從而使抗蝕劑成膜。然后，通過將作為記錄介質(zhì)的玻璃原盤輸送到圖11所示的輥狀原盤曝光裝置上，曝光抗蝕劑，從而在抗蝕劑上形成圖案(patterning)連接成一個螺旋狀，同時在鄰接的三列軌跡之間構(gòu)成六邊形格子圖案的潛像。具體地，對需要形成六邊形格子圖案的區(qū)域照射用于曝光至玻璃輥狀原盤表面的能量(power)為0.50mj/m的激光，從而形成凹狀的準(zhǔn)六邊形格子圖案。另外，如圖13A所示，軌跡列的列方向上的抗蝕劑厚度為120nm左右，軌跡延伸方向上的抗蝕劑厚度為IOOnm左右ο接著，對玻璃輥狀原盤上的抗蝕劑進行顯影處理，從而使曝光部分的抗蝕劑融化以進行顯影。具體地，將未顯影的玻璃輥狀原盤放置在未圖示的顯影機的轉(zhuǎn)臺上，在每次使轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)的同時，將顯影液滴到玻璃輥狀原盤的表面，從而使其表面的抗蝕劑顯影。這樣，可以得到抗蝕層向準(zhǔn)六邊形格子圖案開口的抗蝕玻璃原盤。隨后，通過輥式等離子蝕刻(rollplasmaetching)進行CHF3氣體環(huán)境下的等離子蝕刻。這樣，在玻璃輥狀原盤的表面，僅對從抗蝕劑層露出的準(zhǔn)六邊形格子圖案的部分進行蝕刻，而其他區(qū)域由于光致抗蝕劑形成掩模，而不被蝕刻，從而可以得到橢圓錐形狀的凹部。此時的圖案中的蝕刻量(深度)根據(jù)蝕刻時間而變化。最后，通過O2拋光(ashing)完全除去光致抗蝕劑，從而可以得到凹狀的六邊形格子圖案的蛾眼玻璃輥狀原盤。列方向上的凹部的深度大于軌跡延伸方向上的凹部的深度。通過將上述蛾眼玻璃輥狀原盤緊貼于涂敷有紫外線硬化樹脂的丙烯酸片(acrylicsheet)，并照射紫外線使其硬化并剝離，從而制成光學(xué)元件(圖13C)。(實施例2)通過對應(yīng)每一個軌跡調(diào)整極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率、輥的旋轉(zhuǎn)數(shù)以及合適的輸送間隔來對抗蝕層形成圖案，從而在抗蝕層上記錄準(zhǔn)六邊形格子圖案。除此以外均與實施例1同樣地來制作光學(xué)元件。(實施例3)通過對應(yīng)每一個軌跡調(diào)整極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率、輥的旋轉(zhuǎn)數(shù)以及合適的輸送間隔來對抗蝕層形成圖案，從而在抗蝕層上記錄四邊形格子圖案。除此以外均與實施例1同樣地來制作光學(xué)元件。(實施例4)通過對應(yīng)每一個軌跡調(diào)整極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率、輥的旋轉(zhuǎn)數(shù)以及合適的輸送間隔來對抗蝕層形成圖案，從而在抗蝕層上記錄準(zhǔn)四邊形格子圖案。除此以外均與實施例1同樣地來制作光學(xué)元件。(形狀的評價)用原子力顯微鏡(AFM:AtomicForceMicroscope)對通過上述方法制作的實施例1至4中的光學(xué)元件進行觀察。并且，根據(jù)AFM的剖面圖求出各實施例中的構(gòu)造體的高度。結(jié)果如表2和表3所示。(表2)實施例1實施例2格子圖案六邊形格子準(zhǔn)六邊形格子軌跡延伸方向上的高度243nm308nm列方向上的高度30Inm348nm軌跡延伸方向周期(Pi)300nm315nm60°方向周期(P2)300nm300nm平均周期300nm305nm縱橫尺寸比11.14(表3)實施例3實施例4格子圖案四邊形格子準(zhǔn)四邊形格于相對于軌跡延伸方向(約)45°方向上的高度248nm202nm列方向上的高度275nm226nm軌跡延伸方向周期(Pl)360nm360nm軌跡周期180nm160nm周期(P2)255nm24Inm縱橫尺寸比1.080.94實施例1和2中的光學(xué)元件的蛾眼形狀為六邊形格子和準(zhǔn)六邊形格子的凸?fàn)顧E圓椎臺(橢圓錐)。由上述AFM剖面形狀測定可知，軌跡延伸方向上的構(gòu)造體的高度小于軌跡列方向上的構(gòu)造體的高度。而且，由于軌跡延伸方向以外的構(gòu)造體的高度幾乎與軌跡列方向上的構(gòu)造體的高度相同，因此以軌跡列方向上的高度來代表構(gòu)造體的高度。實施例3和4中的光學(xué)元件的蛾眼形狀為四邊形格子和準(zhǔn)四邊形格子的凸?fàn)顧E圓椎臺(橢圓錐)。由上述AFM剖面形狀測定可知，相對于軌跡延伸方向45°方向上的構(gòu)造體的高度小于軌跡列方向上的構(gòu)造體的高度。而且，由于相對于軌跡延伸方向45°方向以外的構(gòu)造體的高度幾乎與軌跡列方向上的構(gòu)造體的高度相同，因此以軌跡列方向上的高度來代表構(gòu)造體的高度。(反射率/透過率的評價)采用日本分光公司制造的評價裝置(V-550)來評價實施例1至4中的光學(xué)元件的22反射率和透過率。圖21和圖22分別示出了實施例1和實施例2中的光學(xué)元件的反射率的波長依存性。圖23和圖24分別示出了實施例3和實施例4中的光學(xué)元件的透過率的波長依存性。在實施例1和2的光學(xué)元件中，雖然存在反射率的波長依存性，但無蛾眼的基板的反射率為4.5%，而在UV光到可視光(波長350nm800nm)區(qū)域，平均反射率為0.15%，該值非常低?？梢源_認(rèn)軌跡延伸方向上的構(gòu)造體的高度較低的光學(xué)元件能夠得到充分的防反射效果。實施例3和4中，在可視光(波長400nm800nm)區(qū)域，可以得到了98%99%的充分的透過特性。而入射角到30度時，波長650nm、540nm、460nm的RGB光的透過率為99%，角度依存性也很充分。可以確認(rèn)相對于軌跡延伸方向(約)45°方向上的構(gòu)造體的高度較低的光學(xué)元件能夠得到充分的透過特性。如上所述，上述光學(xué)元件的蛾眼形狀為六邊形格子、準(zhǔn)六邊形格子或四邊形格子、準(zhǔn)四邊形格子的凸?fàn)顧E圓錐臺(橢圓錐)，在尺寸縱橫比為0.941.14的光學(xué)元件中，能夠得到充分的防反射特性。而且，可以確認(rèn)蛾眼玻璃原盤中也存在凹狀的橢圓錐槽。(實施例5)首先，和實施例2—樣地得到蛾眼玻璃原盤。然后，在蛾眼玻璃原盤上涂敷紫外線硬化樹脂后，將丙烯酸片(厚0.20mm)緊貼在紫外線硬化樹脂上，照射紫外線使其硬化并進行剝離，從而得到蛾眼紫外線硬化復(fù)制片。然后，將蛾眼紫外線硬化復(fù)制片緊貼于Φ25πιπι的平凸透鏡(焦距為70mm)的凸面。接著，在80°C的熱水中用透鏡架(lensholder)使平凸透鏡和蛾眼紫外線硬化復(fù)制片進一步緊貼，同時將蛾眼紫外線復(fù)制片彎曲成凸透鏡形狀。隨后，放入熱水幾分鐘后取出，拆除透鏡架，制成彎曲成凸透鏡形狀的蛾眼紫外線硬化復(fù)制片。接著，通過無電鍍法(electrolessplatingmethod)等在彎曲成凸透鏡形狀的蛾眼紫外線硬化復(fù)制片的凹凸圖案上形成由鎳皮膜構(gòu)成的導(dǎo)電膜。然后，將形成有導(dǎo)電膜的光盤原盤安裝在電鑄裝置上，通過電鍍法在導(dǎo)電膜上形成厚度在300士5(μm)左右的鎳鍍層。接著，用切割機(cutter)等將鎳鍍層從蛾眼紫外線硬化復(fù)制片上剝離，并用丙酮(acetone)等洗凈該鎳鍍層信號形成面上的光致抗蝕劑，從而制成彎曲成凸透鏡形狀的蛾眼Ni金屬原盤。隨后，通過下述方法來制作彎曲成凸透鏡形狀的蛾眼成形復(fù)制基板。將上述彎曲成凸透鏡形狀的蛾眼Ni金屬原盤設(shè)置在金屬模上，采用聚碳酸酯(折射率1.59)的透明樹脂通過射出成形來成形基板。這樣，形成在信號形成面上的大致六邊形格子圖案被轉(zhuǎn)印到透明樹脂上，制成彎曲成凸透鏡形狀的蛾眼成形復(fù)制基板。(反射率/透過率的評價)采用日本分光公司制造的評價裝置(V-550)來評價實施例5中的光學(xué)元件的反射率。圖25示出了實施例5中的光學(xué)元件的反射率的波長依存性。(實施例6)通過對應(yīng)每一個軌跡調(diào)整極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率、輥的旋轉(zhuǎn)數(shù)以及合適的輸送間隔來對抗蝕層形成圖案，從而在抗蝕層上記錄準(zhǔn)六邊形格子圖案。除此以外均與實施例1同樣地來制作光學(xué)元件。(實施例7)通過對應(yīng)每一個軌跡調(diào)整極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率、輥的旋轉(zhuǎn)數(shù)以及合適的輸送間隔來對抗蝕層形成圖案，從而在抗蝕層上記錄四邊形格子圖案。除此以外均與實施例1同樣地來制作光學(xué)元件。(實施例8)通過對應(yīng)每一個軌跡調(diào)整極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率、輥的旋轉(zhuǎn)數(shù)以及合適的輸送間隔來對抗蝕層形成圖案，從而在抗蝕層上記錄四邊形格子圖案。除此以外均與實施例1同樣地來制作光學(xué)元件。(形狀的評價)通過掃描型電子顯微鏡(SEMScanningElectronMicroscope)以頂視圖(TopView)對利用上述方法制成的實施例6至8中的光學(xué)元件進行觀察。結(jié)果如表4所示。(表4)由圖26可知，在實施例6中，構(gòu)造體排列成準(zhǔn)六邊形格子狀。而且還可以看出構(gòu)造體的底面形狀為橢圓形狀。由圖27和圖28可知，在實施例7和8中，構(gòu)造體排列成四邊形格子狀。而且還可以看出構(gòu)造體的底面形狀為橢圓形狀。而且，在實施例8中可以看出構(gòu)造體的下部彼此重疊配置。接下來，通過RCWA(RigorousCoupledWaveAnalysis嚴(yán)格耦合波分析)模擬(simulation)對構(gòu)造體的高度與反射率之間的關(guān)系進行研究。(試驗例1)將構(gòu)造體的底面徑(直徑)2r設(shè)為配置間隔Pl的85%、90%、95%、99%的大小，然后進行RCWA模擬。其結(jié)果如圖29所示。模擬條件如下所示構(gòu)造體形狀吊鐘型偏光無偏光折射率1.48軌跡間隔Tp:320nm構(gòu)造體的高度365nm縱橫尺寸比1.14構(gòu)造體的排列六邊形格子由圖29可知，當(dāng)構(gòu)造體的底面徑的大小改變，且填充率下降時，反射率惡化。(試驗例2)除了在軌跡方向上的構(gòu)造體之間設(shè)置縱橫尺寸比為0.3的低突出部以外，其余與試驗例1一樣地進行RCWA模擬。其結(jié)果如圖30所示。從圖30可以看出當(dāng)軌跡方向上的構(gòu)造體之間存在低突出部時，即使填充率下降，也可以較低地抑制反射率。(試驗例3)在軌跡方向上的構(gòu)造體之間設(shè)置高度為構(gòu)造體的高度的1/4的低突出部，改變構(gòu)造體的高度，根據(jù)下述條件進行RCWA模擬。其結(jié)果如圖31所示。構(gòu)造體形狀吊鐘型偏光無偏光折射率1.48軌跡間隔Tp:320nm構(gòu)造體的底面徑軌跡間隔Tp的90%縱橫尺寸比0.93、1.00、1.14、1.30(深度分別為0.270μm、0.320μm、0.385μm、0.415μm)構(gòu)造體的排列六邊形格子(試驗例4)將使試驗例3中的各個高度的構(gòu)造體以相同的比例存在，并使其具有深度分布時的結(jié)果(Ave.)增加到試驗例3的坐標(biāo)圖中，則如圖32所示。從圖31和圖32可以看出當(dāng)在軌跡方向上的構(gòu)造體之間設(shè)置低突出部，并使構(gòu)造體具有高度分布時，可以得到波長依存性較低的低反射特性。(試驗例5)通過改變軌跡間隔來進行RCWA模擬。其結(jié)果如圖33和圖35所示。模擬條件如下所示構(gòu)造體形狀吊鐘型偏光無偏光格子配置六邊形格子折射率1.48軌跡間隔Tp:0·090.30μm構(gòu)造體的高度0.090.30μm縱橫尺寸比統(tǒng)一為1.0構(gòu)造體的底面徑軌跡間隔Tp的99%的大小(填充率幾乎為最大)(試驗例6)除了在構(gòu)造體周圍設(shè)置微細(xì)的突出部以外，其余與試驗例5—樣地進行RCWA模擬。其結(jié)果如圖34所示。由圖33和圖34可知，當(dāng)軌跡間隔Tp較大時，雖然在構(gòu)造體周圍設(shè)置微細(xì)的突出部會有反射率降低的傾向，但如果構(gòu)造體本身很小，相反會有反射率惡化的傾向(尤其參照圖34中的區(qū)域Rl和區(qū)域R2)。此外，由圖35可知，當(dāng)軌跡間隔Tp為0.3μm時，可知存在波長400nm上的衍射抑25制降低的傾向。(試驗例7)將軌跡間隔設(shè)為0.25μm,并改變構(gòu)造體的高度和縱橫尺寸比，從而來進行RCWA模擬。其結(jié)果如圖36所示。模擬條件如下所示構(gòu)造體形狀吊鐘型偏光無偏光格子配置六邊形格子折射率1.48軌跡間隔Tp:0.25μm構(gòu)造體的高度0.15nm、0.2nm、0.25nm、0.3nm縱橫尺寸比0.6、0.8、1.0、1.2構(gòu)造體的底面徑軌跡間隔Tp的99%(試驗例8)除了在構(gòu)造體周圍設(shè)置微細(xì)的突出部之外，其余與試驗例7—樣地進行RCWA模擬。其結(jié)果如圖36B所示。(試驗例9)將軌跡間隔設(shè)為0.15μm,將構(gòu)造體的高度設(shè)為0.09μm、0.12μm、0.15μm、0.18μm,并將縱橫尺寸比設(shè)為0.6,0.8,1.0,1.2，除此以外，其余與試驗例7—樣地進行RCffA模擬。其結(jié)果如圖37A所示。(試驗例10)除了在構(gòu)造體周圍設(shè)置微細(xì)的突出部之外，其余與試驗例9一樣地進行RCWA模擬。其結(jié)果如圖37B所示。(試驗例11)將軌跡間隔設(shè)為0.09μπι，將構(gòu)造體的高度設(shè)為0.072μπι、0.09μπι、0.108μm、0.126μm、0.144μm,并將縱橫尺寸比設(shè)為0.8、1.0、1.2、1.4、1.6，除此以外，其余與試驗例7一樣地進行RCWA模擬。其結(jié)果如圖38A所示。(試驗例12)除了在構(gòu)造體周圍設(shè)置微細(xì)的突出部之外，其余與試驗例11一樣地進行RCWA模擬。其結(jié)果如圖38B所示。由圖36至圖38可以認(rèn)為為了將反射率R抑制到小于等于左右，軌跡間隔Tp為0.15μm以及的縱橫尺寸比為1.0是極限。此外，可以看出即使設(shè)置了微細(xì)的突出部，如果軌跡間隔Tp較窄，也會出現(xiàn)反射率抑制效果降低的傾向。下面，通過RCWA(RigorousCoupledWaveAnalysis嚴(yán)格耦合波分析)模擬對比率((2r/Pl)X100)與防反射特性之間的關(guān)系進行研究。(試驗例13)圖39A是構(gòu)造體排列成六邊形格子狀時的填充率的說明圖。如圖39A所示，當(dāng)構(gòu)造體排列成六邊形格子狀時，通過下面的式⑵來求出改變比率((2r/Pl)X100)(其中，Pl相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置間隔；r構(gòu)造體底面的半徑)時的填充率。填充率=(S(hex.)/S(unit))X100...(2)單位格子面積:S(unit)=2rX(2V3)r存在于單位格子內(nèi)的構(gòu)造體的底面面積S(hex.)=2XJir2(其中，當(dāng)2r>P1時，通過作圖來計算)比如，當(dāng)配置間隔Pl=2、構(gòu)造體的底面半徑r=1時，S(hex.)、S(unit)、比率((2r/Pl)X100)以及填充率的值如下所示S(unit)=6.9282S(hex.)=6.28319(2r/Pl)X100=100.0%填充率=(S(hex.)/S(unit))X100=90.7%表5示出了通過上述式⑵求出的填充率與比率((2r/Pl)X100)之間的關(guān)系。(表5)(試驗例14)圖39B是構(gòu)造體排列成四邊形格子狀時的填充率的說明圖。如圖39B所示，當(dāng)構(gòu)造體排列成四邊形格子狀時，通過下面的式(3)來求出改變比率((217^1)乂100)、比率((2r/P2)X100)(其中，Pl相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置間隔；P2相對于軌跡45°方向上的配置間隔；r構(gòu)造體底面的半徑)時的填充率。填充率=(S(tetra)/S(unit))X100.··(3)單位格子面積S(unit)=2rX2r存在于單位格子內(nèi)的構(gòu)造體的底面面積S(tetra)=πr2(其中，當(dāng)2r>Pl時，通過作圖來計算)比如，當(dāng)配置間隔P2=2、構(gòu)造體的底面半徑r=1時，S(unit)、S(tetra)、比率((2r/Pl)X100)、比率((2r/P2)X100)以及填充率的值如下所示S(unit)=4S(tetra)=3.14159(2r/Pl)X100=141.4%(2r/P2)X100=100.0%填充率=(S(tetra)/S(unit))X100=78.5%表6示出了通過上述式(3)求出的填充率與比率((2r/Pl)X100)、比率((2r/P2)X100)之間的關(guān)系。而且，四方格子的配置間隔Pl和P2之間的關(guān)系為Pl=V2XP2。(表6)(試驗例15)將構(gòu)造體的底面直徑2r與配置間隔Pl之間的比率((2r/Pl)X100)的大小設(shè)為80%,85%,90%,95%,99%,然后根據(jù)以下條件通過模擬來求出反射率。其結(jié)果坐標(biāo)圖如圖40所示。構(gòu)造體形狀吊鐘型偏光無偏光折射率1.48配置間隔Pl:320nm構(gòu)造體的高度415nm縱橫尺寸比1.30構(gòu)造體的排列六邊形格子由圖40可知，如果比率((2r/Pl)X100)大于等于85%，則在可視光波段(0.4μπι0.7μπι)，平均反射率R<0.5%，可以得到充分的防反射效果。此時，底面的填充率大于等于65%。而如果比率((2r/Pl)X100)大于等于90%，則在可視光波段，平均反射率R<0.3%，可以得到更高性能的防反射效果。此時，底面的填充率大于等于73%，以100%為上限，填充率越高，性能越好。當(dāng)構(gòu)造體彼此重疊時，構(gòu)造體高度被認(rèn)為是從最低位置起的高度。而且，還確認(rèn)了四方格子中的填充率和反射率的傾向也是同樣的。上面用防反射基板對本發(fā)明的實施例進行了說明，但上述實施例根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案可以進行各種變形。上面對本發(fā)明的實施方式和實施例進行了具體說明，但本發(fā)明并不限于上述實施方式和實施例，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案進行各種變形。例如，上述實施方式和實施例中所列舉的結(jié)構(gòu)、方法、形狀、材料以及數(shù)值等都只是示例，根據(jù)需要，可以采用與此不同的結(jié)構(gòu)、方法、形狀、材料和數(shù)值等。而且，上述實施方式中的各個結(jié)構(gòu)可以在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)相互組口O此外，在上述實施方式中，以本發(fā)明應(yīng)用于液晶顯示裝置的情況為例進行了說明，但本發(fā)明還可以應(yīng)用于液晶顯示裝置以外的其他各種顯示裝置。例如，本發(fā)明還可以應(yīng)用于CRT(CathodeRayTube陰極射線管)顯示器、等離子顯示器(PlasmaDisplayPanel:PDP)、電致發(fā)光(ElectroLuminescence:EL)顯示器、表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示器(Surface-conductionElectron-emitterDisplay:SED)等各禾中顯不裝置。此外，在上述實施方式中，以將本發(fā)明應(yīng)用于偏光器從而構(gòu)成帶防反射功能偏光器的情況為例進行了說明，但本發(fā)明并不僅限于此例。除了偏光器之外，還可以將本發(fā)明應(yīng)用于透鏡、導(dǎo)光板、窗材、顯示元件、照相機鏡筒等從而構(gòu)成帶防反射功能光學(xué)部件。此外，本發(fā)明還可以應(yīng)用于光學(xué)部件以外的其他器件，例如，本發(fā)明可以應(yīng)用于太陽電池。此外，在上述實施方式中，可以通過適當(dāng)改變構(gòu)造體的間隔從而在從正面傾斜的方向上產(chǎn)生衍射光，從而使光學(xué)元件帶有防窺視功能(peep-preventingfunction)0另外，在上述實施方式中，可以在形成有構(gòu)造體的基體表面上進一步形成低折射率層。低折射率層優(yōu)選以具有比構(gòu)成基體和構(gòu)造體的材料低的折射率的材料為主要成分。作為這種低折射率層的材料，可以列舉例如氟類樹脂等有機類材料或LiF、MgF2等無機類低折射率材料。在上述實施方式中，以采用感光樹脂來制造光學(xué)元件的情況為例進行了說明，但光學(xué)元件的制造方法并不限于此例。例如，可以通過熱轉(zhuǎn)印或射出成形來制造光學(xué)元件。此外，在上述實施方式中，以在圓柱形或圓筒形的原盤的外周面上形成凹狀或凸?fàn)畹臉?gòu)造體的情況為例進行了說明，但當(dāng)原盤為圓筒形時，也可以在原盤的內(nèi)周面上形成凹狀或凸?fàn)畹臉?gòu)造體。符號說明1光學(xué)元件2基體3構(gòu)造體4凸部11輥狀原盤12基體13構(gòu)造體14抗蝕層15激光16潛像21激光器22光電調(diào)制器23、31反射器24光電二極管26聚光透鏡27聲光調(diào)制器28準(zhǔn)直透鏡29格式器30驅(qū)動器32移動光學(xué)臺系統(tǒng)33光束擴展器34對物透鏡35主軸電動機36轉(zhuǎn)臺37控制機構(gòu)29權(quán)利要求一種防反射用光學(xué)元件，其特征在于，包括基體；以及多個由凸部或凹部構(gòu)成的構(gòu)造體，以小于等于可視光的波長的細(xì)微間隔被配置在所述基體的表面，其中，各個所述構(gòu)造體被配置成在所述基體表面構(gòu)成多列軌跡，且形成準(zhǔn)六邊形格子圖案、四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案，所述構(gòu)造體是橢圓錐或橢圓錐臺形狀，所述構(gòu)造體的底面的長軸方向與所述軌跡的延伸方向平行，所述構(gòu)造體對所述基體表面的填充率大于等于65％。2.一種防反射用光學(xué)元件，其特征在于，包括基體；以及多個由凸部或凹部構(gòu)成的構(gòu)造體，以小于等于可視光的波長的細(xì)微間隔被配置在所述基體的表面，其中，各個所述構(gòu)造體被配置成在所述基體表面構(gòu)成多列軌跡，且形成準(zhǔn)六邊形格子圖案、四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案，所述構(gòu)造體是沿所述軌跡的延伸方向具有長軸方向的橢圓錐或橢圓錐臺形狀，所述軌跡的相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置間隔Pl長于鄰接的兩個軌跡間的構(gòu)造體的配置間隔P2，所述構(gòu)造體對所述基體表面的填充率大于等于65%。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防反射用光學(xué)元件，其特征在于，所述構(gòu)造體對所述基體表面的填充率大于等于73%。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的防反射用光學(xué)元件，其特征在于，所述構(gòu)造體對所述基體表面的填充率大于等于86%。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防反射用光學(xué)元件，其特征在于，所述各個構(gòu)造體被配置為構(gòu)成具有直線狀的多列軌跡，且形成準(zhǔn)六邊形格子圖案，所述軌跡的延伸方向上的所述構(gòu)造體的高度或深度小于所述軌跡的列方向上的所述構(gòu)造體的高度或深度。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防反射用光學(xué)元件，其特征在于，所述各個構(gòu)造體被配置為構(gòu)成具有直線狀的多列軌跡，且形成四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案，相對于所述軌跡的延伸方向傾斜的排列方向上的所述構(gòu)造體的高度或深度小于所述軌跡的延伸方向上的所述構(gòu)造體的高度或深度。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防反射用光學(xué)元件，其特征在于，所述各個構(gòu)造體在所述基體表面形成準(zhǔn)六邊形格子圖案，當(dāng)將相同軌跡內(nèi)的所述構(gòu)造體的配置間隔設(shè)定為P1，并將鄰接的兩個軌跡間的所述構(gòu)造體的配置間隔設(shè)定為P2時，比率P1/P2滿足1.00<P1/P2^1.1的關(guān)系。8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防反射用光學(xué)元件，其特征在于，所述構(gòu)造體在所述基體表面形成四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案，當(dāng)將相同軌跡內(nèi)的所述構(gòu)造體的配置間隔設(shè)定為P1，并將鄰接的兩個軌跡間的所述構(gòu)造體的配置間隔設(shè)定為P2時，比率P1/P2滿足1.4<P1/P2(1.5的關(guān)系。9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防反射用光學(xué)元件，其特征在于，所述軌跡是蛇形軌跡。10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防反射用光學(xué)元件，其特征在于，所述構(gòu)造體的周邊部的一部分或全部上設(shè)置高度平穩(wěn)降低的曲面狀的裙?fàn)畈俊?1.一種偏光器，其特征在于，在一個主面上包括權(quán)利要求1至10中的任一項所述的防反射用光學(xué)元件。12.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至10中的任一項所述的防反射用光學(xué)元件。13.一種顯示裝置，其特征在于，包括具有顯示面的面板；以及設(shè)置在所述面板的顯示面?zhèn)鹊那懊娌考?，所述前面部件具有顯示面和作為與該顯示面相反側(cè)的面的背面，在所述面板的顯示面、所述前面部件的顯示面以及所述前面部件的背面的至少一個面上包括權(quán)利要求1至10中的任一項所述的防反射用光學(xué)元件。14.一種太陽能電池，其特征在于，包括權(quán)利要求1至10中的任一項所述的防反射用光學(xué)元件。15.一種用于制作防反射用光學(xué)元件的原盤的制造方法，其特征在于，包括在圓柱狀或圓筒狀的原盤的周面上形成抗蝕層的步驟；使形成有所述抗蝕層的所述原盤旋轉(zhuǎn)，并在使激光的光點以平行于所述圓柱狀或圓筒狀的原盤的中心軸的方式進行相對移動的同時，對所述抗蝕層間歇性地照射激光，以短于可視光波長的間隔形成潛像的步驟；使所述抗蝕層顯影，在所述原盤的表面形成抗蝕圖案的步驟；以及通過實施以所述抗蝕圖案作為掩模的蝕刻處理，從而在所述原盤的表面形成凹狀或凸?fàn)畹臉?gòu)造體的步驟，其中，在所述潛像的形成步驟中，所述潛像被配置成在所述原盤表面構(gòu)成多列軌跡，且形成準(zhǔn)六邊形格子圖案、四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案，所述構(gòu)造體是橢圓錐或橢圓錐臺形狀，所述構(gòu)造體的底面的長軸方向與所述軌跡的延伸方向平行，所述構(gòu)造體對所述原盤表面的填充率大于等于65%。16.一種用于制作防反射用光學(xué)元件的原盤的制造方法，其特征在于，包括在圓柱狀或圓筒狀的原盤的周面上形成抗蝕層的步驟；使形成有所述抗蝕層的所述原盤旋轉(zhuǎn)，并在使激光的光點以平行于所述圓柱狀或圓筒狀的原盤的中心軸的方式進行相對移動的同時，對所述抗蝕層間歇性地照射激光，以短于可視光波長的間隔形成潛像的步驟；使所述抗蝕層顯影，在所述原盤的表面形成抗蝕圖案的步驟；以及通過實施以所述抗蝕圖案作為掩模的蝕刻處理，從而在所述原盤的表面形成凹狀或凸?fàn)畹臉?gòu)造體的步驟，其中，在所述潛像的形成步驟中，所述潛像被配置成在所述原盤表面構(gòu)成多列軌跡，且形成準(zhǔn)六邊形格子圖案、四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案，所述構(gòu)造體是沿所述軌跡的延伸方向具有長軸方向的橢圓錐或橢圓錐臺形狀，所述軌跡的相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置間隔Pl長于鄰接的兩個軌跡間的構(gòu)造體的配置間隔P2，所述構(gòu)造體對所述原盤表面的填充率大于等于65%。17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的防反射用光學(xué)元件，其特征在于，所述軌跡是蛇形軌跡。18.一種防反射用光學(xué)元件的制造方法，其特征在于，包括在圓柱狀或圓筒狀的原盤的周面上形成抗蝕層的步驟；使形成有所述抗蝕層的所述原盤旋轉(zhuǎn)，并在使激光的光點以平行于所述圓柱狀或圓筒狀的原盤的中心軸的方式進行相對移動的同時，對所述抗蝕層間歇性地照射激光，以短于可視光波長的間隔形成潛像的步驟；使所述抗蝕層顯影，在所述原盤的表面形成抗蝕圖案的步驟；通過實施以所述抗蝕圖案作為掩模的蝕刻處理，從而在所述原盤的表面形成凹狀或凸?fàn)畹臉?gòu)造體的步驟；以及通過在樹脂材料上轉(zhuǎn)印形成在所述原盤上的結(jié)構(gòu)體而制作光學(xué)元件，其中，在所述潛像的形成步驟中，所述潛像被配置成在所述原盤表面構(gòu)成多列軌跡，且形成準(zhǔn)六邊形格子圖案、四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案，所述構(gòu)造體是橢圓錐或橢圓錐臺形狀，所述構(gòu)造體的底面的長軸方向與所述軌跡的延伸方向平行，所述構(gòu)造體對所述原盤表面的填充率大于等于65%。19.一種防反射用光學(xué)元件的制造方法，其特征在于，包括在圓柱狀或圓筒狀的原盤的周面上形成抗蝕層的步驟；使形成有所述抗蝕層的所述原盤旋轉(zhuǎn)，并在使激光的光點以平行于所述圓柱狀或圓筒狀的原盤的中心軸的方式進行相對移動的同時，對所述抗蝕層間歇性地照射激光，以短于可視光波長的間隔形成潛像的步驟；使所述抗蝕層顯影，在所述原盤的表面形成抗蝕圖案的步驟；通過實施以所述抗蝕圖案作為掩模的蝕刻處理，從而在所述原盤的表面形成凹狀或凸?fàn)畹臉?gòu)造體的步驟；以及通過在樹脂材料上轉(zhuǎn)印形成在所述原盤上的結(jié)構(gòu)體而制作光學(xué)元件，其中，在所述潛像的形成步驟中，所述潛像被配置成在所述原盤表面構(gòu)成多列軌跡，且形成準(zhǔn)六邊形格子圖案、四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案，所述構(gòu)造體是沿所述軌跡的延伸方向具有長軸方向的橢圓錐或橢圓錐臺形狀，所述軌跡的相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置間隔Pi長于鄰接的兩個軌跡間的構(gòu)造體的配置間隔P2，所述構(gòu)造體對所述原盤表面的填充率大于等于65%。20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的防反射用光學(xué)元件，其特征在于，所述軌跡是蛇形軌跡。全文摘要本發(fā)明提供了防反射用光學(xué)元件以及用于制造該防反射用光學(xué)元件的原盤的制造方法。本發(fā)明的光學(xué)元件通過在基體表面以小于等于可視光的波長的細(xì)微間隔配置多個由凸部或凹部構(gòu)成的構(gòu)造體而形成。各構(gòu)造體被配置成在基體表面構(gòu)成多列軌跡，且形成準(zhǔn)六邊形格子圖案、四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案。構(gòu)造體的底面的長軸方向與軌跡的延伸方向平行，構(gòu)造體對基體表面的填充率大于等于65％。文檔編號H01L31/052GK101930086SQ20101023576公開日2010年12月29日申請日期2009年2月27日優(yōu)先權(quán)日2008年2月27日發(fā)明者林部和彌,遠(yuǎn)藤惣銘申請人:索尼株式會社