專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法、特別是涉及在支撐襯底之上形成諸如晶體管 的半導(dǎo)體元件之后去除支撐襯底的半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，通過在諸如玻璃襯底的剛性襯底之上形成半導(dǎo)體元件，供諸如LCD或有 機(jī)EL顯示器的顯示器或諸如光電傳感器或太陽能電池的光電變換元件等使用的半導(dǎo)體 器件已得到積極開發(fā)。除此之外，沒有接點的發(fā)射和接收數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件(也被稱為 RFID (射頻識別)標(biāo)簽、ID標(biāo)簽、IC標(biāo)簽、IC芯片、無線標(biāo)簽、電子標(biāo)簽或無線芯片)也已 得到積極開發(fā)。另外，最近需要諸如薄膜狀態(tài)顯示器的柔性器件或被嵌入紙內(nèi)的半導(dǎo)體器 件，并且，減小厚度一直是重要的思路。為了減小半導(dǎo)體器件的厚度，存在例如使用事先被減薄的襯底的方法。但是，在這 種情況下，出現(xiàn)襯底的翹曲等的問題，或者，在處理元件的過程中，出現(xiàn)由于應(yīng)力導(dǎo)致翹曲、 難以操作、在光刻或印刷步驟中無法對準(zhǔn)的問題。因此，一般使用在襯底之上形成半導(dǎo)體元 件之后減薄或去除襯底的方法。作為用于減薄或去除襯底的方法，存在例如通過磨削處理或拋光處理或使用化學(xué) 反應(yīng)的濕蝕刻去除支撐襯底(玻璃襯底)的技術(shù)(例如，參見參考文獻(xiàn)1 日本專利申請?zhí)?開 2002-87844)。

發(fā)明內(nèi)容
但是，在去除上面形成半導(dǎo)體元件的襯底的情況下，通過磨削處理或拋光處理，由 于器件的精度的限制和拋光的面內(nèi)不均勻性，因此存在減薄膜的限制，從而難以使得整個 表面具有50 μ m或更小的厚度，難以去除襯底。另外，當(dāng)襯底經(jīng)受磨削處理和拋光處理時， 在襯底之上設(shè)置的半導(dǎo)體元件產(chǎn)生應(yīng)力，由此具有損壞半導(dǎo)體元件的危險。這是因為，隨著 襯底變薄，半導(dǎo)體元件的應(yīng)力大大增加，因此難以通過磨削處理或拋光處理去除襯底。另外，在去除上面形成半導(dǎo)體元件的襯底的情況下，通過化學(xué)處理，以較高的產(chǎn)量 并且均勻地僅去除襯底是極其困難的，因此存在執(zhí)行處理占用太多的時間的問題。鑒于以上的問題，本發(fā)明的目的是提供即使在在支撐襯底之上形成半導(dǎo)體元件之 后減薄或去除支撐襯底的情況下，也防止半導(dǎo)體元件受損并提高其生產(chǎn)速度的半導(dǎo)體器件 的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，半導(dǎo)體器件的制造方法包括以下步驟在襯底的上表面 之上形成多個元件組；形成絕緣膜以覆蓋多個元件組；選擇性地在位于在多個元件組中的兩個相鄰的元件組之間的區(qū)域中的絕緣膜中形成開口以露出襯底；形成第一膜以覆蓋絕緣 膜和開口 ；通過去除襯底露出元件組；形成第二膜以覆蓋露出的元件組的表面；和在多個 元件組之間切斷以不露出絕緣膜。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，半導(dǎo)體器件的制造方法包括以下步驟在襯底的上表面 之上形成基底膜；在基底膜之上形成多個元件組；形成絕緣膜以覆蓋多個元件組；選擇性 地在位于在多個元件組中的兩個相鄰的元件組之間的區(qū)域中的絕緣膜中形成開口以露出 襯底或基底膜；形成第一膜以覆蓋絕緣膜和開口 ；通過去除襯底露出基底膜；形成第二膜 以覆蓋露出的基底膜的表面；和在多個元件組之間切斷以不露出絕緣膜。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，在以上的結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體器件的制造方法中，通過從另 一側(cè)減薄并然后通過使用化學(xué)反應(yīng)的化學(xué)處理(化學(xué)反應(yīng)處理(以下，也被簡稱為化學(xué)處 理))去除減薄的襯底，去除襯底。注意，可以通過使用物理手段或具有化學(xué)手段的物理手 段減薄襯底，并且，例如，可以使用磨削處理或拋光處理中的任一種或兩種?？梢酝ㄟ^將減 薄的襯底浸入化學(xué)溶液中并對減薄的襯底產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)執(zhí)行化學(xué)處理。即使在去除上面形成半導(dǎo)體元件的襯底的情況下，也可根據(jù)本發(fā)明防止半導(dǎo)體元 件受損。因此，可以提高半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)速度。


在附圖中，圖IA ID是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子的示圖；圖2A 2D是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子的示圖；圖3A 3C是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子的示圖；圖4A和圖4B是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子的示圖；圖5A 5D是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子的示圖；圖6A 6C是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子的示圖；圖7A和圖7B是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子的示圖；圖8A和圖8B是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子的示圖；圖9A和圖9B是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子的示圖；圖IOA IOC是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式的例子的示圖；圖IlA IlH是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式的例子的示圖；圖12A 12D是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式的例子的示圖；圖13A和圖13B是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式的例子的示圖；圖14是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式的例子的示圖；圖15A 15F是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式的例子的示圖；圖16是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子的示圖。
具體實施例方式以下參照附圖解釋本發(fā)明的實施方式。但是，本發(fā)明不限于以下的解釋，并且，很 容易理解，各種變化和修改對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是十分明顯的。因此，除非這些變化和 修改背離本發(fā)明的主旨和范圍，否則它們應(yīng)被解釋為在此被包含。注意，在以下解釋的本發(fā)
5明的結(jié)構(gòu)中，在不同的附圖中都使用表示相同部分的相同的附圖標(biāo)記，并且在一些情況下 省略其解釋。(實施方式1)本實施方式將參照附圖解釋本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子。首先，在襯底101之上形成元件組102 (圖1A)。在本實施方式中，在襯底101之上 設(shè)置多個構(gòu)成半導(dǎo)體器件的元件組102。通過在襯底101之上形成多個元件組102，可以從 一個襯底制造多個半導(dǎo)體器件，這是優(yōu)選的。作為襯底101，優(yōu)選使用在一個表面之上形成絕緣膜的玻璃襯底、石英襯底、金屬 襯底或不銹鋼襯底或可在該過程中耐受處理溫度的耐熱塑料襯底等。對于這種襯底101的 面積或形狀沒有限制。因此，例如只要一側(cè)為1米或更大的矩形襯底被用作襯底101，那么 生產(chǎn)率可大大提高。此外，也可使用諸如Si襯底的半導(dǎo)體襯底。例如，元件組102包含諸如晶體管或二極管的半導(dǎo)體元件。作為晶體管，可以設(shè)置 在諸如玻璃的剛性襯底上形成的半導(dǎo)體膜被用作溝道的薄膜晶體管(TFT)、襯底被用作溝 道的諸如Si襯底的半導(dǎo)體襯底上的場效應(yīng)晶體管(FET)或有機(jī)材料被用作溝道的有機(jī)TFT 等。另外，作為二極管，可以應(yīng)用諸如可變電容二極管、肖特基二極管和隧道二極管的各種 二極管。在本發(fā)明中，通過使用這些晶體管或二極管等，可以設(shè)置包含CPU、存儲器、微處理 器和諸如溫度傳感器、濕度傳感器和生物傳感器的各種傳感器等的任意種類的集成電路。 并且，作為元件組102，除了諸如晶體管的半導(dǎo)體元件以外，本發(fā)明還包括具有天線的方式。 元件組102具有天線的半導(dǎo)體器件可以通過在天線中產(chǎn)生的AC電壓來操作，可以通過調(diào)制 施加到天線上的AC電壓在不與一件外部設(shè)備(讀取器/寫入器)接觸的情況下發(fā)射和接 收數(shù)據(jù)。注意，天線可以與具有晶體管的集成電路一起形成，或者也可以在以與集成電路分 開的方式形成之后與集成電路電連接。然后，形成絕緣膜103以覆蓋元件組102 (圖1B)。絕緣膜103被設(shè)置在多個元件 組102之上以及元件組之間，并用作元件組102的保護(hù)膜。絕緣膜103可具有諸如氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNY) (X > Y)膜或氮氧化硅(SiNx0Y) (X > Y)膜的含氧和/或氮的絕緣膜、諸如DLC (類鉆碳)膜的 含碳的膜、諸如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯或丙烯酸樹脂的有機(jī) 材料或諸如硅氧烷樹脂的硅氧烷材料的單層結(jié)構(gòu)或它們的疊層結(jié)構(gòu)。注意，硅氧烷材料與 具有Si-O-Si鍵的材料對應(yīng)。硅氧烷具有由硅(Si)和氧(0)的鍵形成的骨架。作為取代 基，使用至少包含氫的有機(jī)基團(tuán)(例如，烷基基團(tuán)或芳族烴)。作為替代基，也可以使用氟基 基團(tuán)(fiuoro group)。作為替代方案，可以使用至少包含氫和氟基基團(tuán)的有機(jī)基團(tuán)作為替 代基。然后，在絕緣膜103中選擇性地形成開口 104(圖1C)。通過用激光照射多個元件 組102之間的部分(這里是相鄰的元件組102之間的部分)或通過使用光刻方法選擇性地 形成開口 104。注意，開口 104在避開元件組102的部分中形成，并且，這里，通過用激光照 射元件組之間的部分線性形成開口 104。因此，優(yōu)選不通過形成開口 104露出元件組102。然后，形成膜105以覆蓋絕緣膜103和開口 104 (圖1D)。當(dāng)包含元件組102、絕緣 膜103和膜105的層(以下被稱為元件形成層110)與襯底101分開時，通過設(shè)置膜105防 止元件形成層110變形(transform)。另外，這里優(yōu)選形成膜105以使其部分或完全填充開
膜105可以是由聚丙烯、聚酯、乙烯基(vinyl)、聚氟乙烯或聚氯乙烯等制成的膜、 纖維材料的紙或基底膜(聚酯、聚酰胺、無機(jī)汽相淀積膜或紙等)和粘接劑合成樹脂膜(丙 烯酸基合成樹脂或環(huán)氧樹脂基合成樹脂等)的層疊膜等。該膜通過經(jīng)受熱處理和壓力處理 固定到待處理物體上。在執(zhí)行熱處理和壓力處理的過程中，設(shè)置在膜的最上面的表面之上 的粘接劑層或設(shè)置在最外面的層上的層(不是粘接劑層)通過熱處理熔化，以通過施加壓 力被固定?？梢栽谀さ谋砻嬷显O(shè)置粘接劑層；但未必設(shè)置它。粘接劑層與包含諸如熱固 性樹脂、UV硬化樹脂、環(huán)氧樹脂基樹脂或樹脂添加劑的粘接劑的層對應(yīng)。用于密封的膜優(yōu)選 涂有硅石以防止水分等在密封之后進(jìn)入內(nèi)部，并且，例如，可以使用其中層疊粘接劑層、聚 酯等的膜和硅石涂層的板材。因此，這些膜的粘接劑層被設(shè)置為部分或完全填充開口 104。另外，可以使用熱熔性粘接劑作為粘接劑層。熱熔性粘接劑是通過使用不含水或 溶液的不揮發(fā)的熱塑性材料形成的，并在室溫下保持固態(tài)。熱熔性粘接劑是通過施加溶解 狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)并使其冷卻將物體固定在一起的化學(xué)物質(zhì)。并且，熱熔性粘接劑具有粘接 時間短、無污染、安全、衛(wèi)生、節(jié)能和成本低的優(yōu)點。由于熱熔性粘接劑在正常溫度下保持固 態(tài)，因此可以使用事先處理成膜形式或纖維形式的熱熔性粘接劑。作為替代方案，可以使用 事先在由聚酯等制成的基底膜之上形成并然后被處理成膜形式的粘接劑層。這里使用在由 聚對苯二甲酸乙二酯制成的基底膜之上形成熱熔性膜的膜。通過使用軟化點比基底膜的軟 化點低的樹脂形成熱熔性膜。通過執(zhí)行熱處理，只有熱熔性膜被溶解并變成橡膠態(tài)，使得溶 解的熱熔性膜被固定到物體上。熱熔性膜在冷卻時硬化。作為熱熔性膜，例如可以使用包 含乙烯_醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚酯、聚酰胺、熱塑性彈性體或聚烯烴等作為其主要成 分的膜。然后，通過用于對膜進(jìn)行減薄的手段107對襯底101進(jìn)行減薄(圖2A)。這里，通 過從要成為襯底106的襯底101的相對側(cè)(背面)減薄上面形成元件組102的襯底101減 薄襯底101。在減薄襯底101的情況下，優(yōu)選盡可能地減薄以減少隨后的步驟(通過化學(xué) 處理蝕刻)中的處理時間。但是，隨著襯底101變薄，襯底101可能由于施加到元件形成層 110上的應(yīng)力而受到損壞。因此，使得襯底106的厚度為5 50 μ m、優(yōu)選5 20 μ m、更優(yōu) 選5 10 μ m。作為用于對膜進(jìn)行減薄的手段107，可以使用物理手段和具有化學(xué)手段的物理手 段，并且，例如可以使用磨削處理或拋光處理等。關(guān)于磨削處理，通過使用磨石的晶粒磨削 待處理物體的上表面(這里是襯底101的背面)并使平滑化。關(guān)于拋光處理，通過塑性平 滑加工或使用諸如有研磨涂層的布和紙的研磨劑或研磨顆粒的摩擦拋光加工使待處理物 體的上表面平滑化。在執(zhí)行磨削處理或拋光處理的情況下，可以使用純凈水或拋光溶液等。 另外，作為拋光處理，也可以使用CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)。在本實施方式中，對襯底101的背面執(zhí)行磨削處理，然后，對襯底101的背面執(zhí)行 拋光處理，因此將襯底101減薄成襯底106。注意，可以執(zhí)行磨削處理和拋光處理中的一種。 在執(zhí)行磨削處理或拋光處理中的任一種或兩種的情況下，優(yōu)選盡可能多地減薄襯底101。但 是，隨著襯底101被減薄，元件形成層110可能受到應(yīng)力，因此存在由于裂紋等而受損的擔(dān) 心。一般地，如圖4A和圖4B所示，在在不設(shè)置開口 104地在元件組102之上形成絕緣
7膜103和膜105之后對襯底101執(zhí)行磨削處理或拋光處理的情況下(圖4A)，當(dāng)元件形成層 110受到應(yīng)力時，在元件組102或絕緣膜103中產(chǎn)生裂紋111(圖4B)。另一方面，在在本實施方式中說明的制造方法中，在襯底101經(jīng)受磨削處理或拋 光處理之前的階段中，存在在多個元件組102 (這里是相鄰的元件組102之間的部分)之間 形成開口 104的結(jié)構(gòu)。因此，存在當(dāng)元件形成層110由于磨削處理或拋光處理受到應(yīng)力時 被施加到元件組102和絕緣膜103上的應(yīng)力被分散的優(yōu)點，因此不可能在元件組102中產(chǎn) 生裂紋。另外，當(dāng)產(chǎn)生應(yīng)力時，只要應(yīng)力被選擇性地施加到設(shè)置到開口 104上的膜105上就 可有效抑制元件組102的損壞。因此，在考慮覆蓋元件組102的絕緣膜103和膜105的材 料時，例如優(yōu)選用比元件組102或絕緣膜103更易于彎曲的材料形成膜105。用于膜105的材料優(yōu)選具有比元件組102或絕緣膜103更易于彎曲的性能。例如， 可以使用表現(xiàn)出彈性的材料或具有塑性的材料。注意，在使用表現(xiàn)出彈性的材料的情況下， 用于膜105的材料被設(shè)為具有比用于絕緣膜103的材料低的彈性模量(應(yīng)力與應(yīng)變的比)。 在使用具有塑性的材料的情況下，用于膜105的材料被設(shè)為具有比在絕緣膜103中設(shè)置的 材料高的彈性。注意，這里彈性是指形狀或體積由于外力而變化的物體在力被去除之后返 回其原始條件的性能。另外，這里塑性意味著易于通過外力變形并且即使在去除力之后也 保持變形的性能。另外，在使用具有玻璃轉(zhuǎn)變溫度的高分子量有機(jī)化合物等作為絕緣膜103或膜 105的情況下，用于膜105的材料被設(shè)為具有比用于絕緣膜103的材料低的玻璃轉(zhuǎn)變點。具 有較低的玻璃轉(zhuǎn)變點的材料具有比具有較高的玻璃轉(zhuǎn)變點的材料高的粘彈性。因此，在設(shè) 置具有較低的玻璃轉(zhuǎn)變的材料和具有較高的玻璃轉(zhuǎn)變的材料的情況下，當(dāng)施加應(yīng)力時，在 具有較低的玻璃轉(zhuǎn)變點的材料中選擇性地產(chǎn)生較大的應(yīng)力。因此，可以抑制覆蓋有絕緣膜 103的元件組102的損傷。然后，通過對襯底106執(zhí)行化學(xué)處理將其去除(圖2B)。作為化學(xué)處理，通過使用 化學(xué)溶液對待處理物體執(zhí)行化學(xué)蝕刻。這里，通過將襯底106和元件形成層110浸入化學(xué) 溶液108中執(zhí)行襯底106的蝕刻。只要可以去除襯底，那么可以采用任何化學(xué)溶液作為化 學(xué)溶液108，并且，例如，在使用玻璃襯底作為襯底101的情況下優(yōu)選使用含有氫氟酸的溶 液作為化學(xué)溶液108。注意，作為膜105，優(yōu)選使用不可能與化學(xué)溶液108反應(yīng)的材料。另 外，可以用不可能與化學(xué)溶液108反應(yīng)的材料在襯底101和元件組102之間形成基底膜。在 使用玻璃襯底作為襯底101并且通過將玻璃襯底浸入氫氟酸中將其去除的情況下，優(yōu)選向 基底膜提供氮化物，例如，諸如氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNY) (X > Y)膜或氮氧化硅 (SiNxOy) (X > Y)膜的含氮的絕緣膜的單層結(jié)構(gòu)或它們的疊層結(jié)構(gòu)。注意，在以上的步驟中，可以通過磨削處理或拋光處理等去除襯底101。但是，在以 襯底101被減薄的狀態(tài)執(zhí)行磨削處理或拋光處理的情況下，難以獲得均勻的薄膜，并且，由 于施加到元件形成層110上的應(yīng)力的產(chǎn)生導(dǎo)致受損的概率增加。另一方面，可以在不使用 磨削處理或拋光處理的情況下通過使用化學(xué)處理去除襯底101 ；但是，在這種情況下，存在 去除襯底101花費很多時間并且生產(chǎn)速度降低的擔(dān)心。并且，存在長時間將元件形成層浸 入化學(xué)溶液中給元件形成層110帶來有害的效果的擔(dān)心。因此，在本發(fā)明中，在執(zhí)行磨削處理或拋光處理等并在一定程度上減薄襯底101 之后，通過使用化學(xué)處理去除減薄的襯底。因此，可抑制施加到元件形成層上的應(yīng)力等，并且生產(chǎn)速度可提高。然后，在元件形成層110的一個表面(去除襯底101的表面)之上形成膜109以 對元件形成層110執(zhí)行密封處理(圖2C)。膜109可以是由聚丙烯、聚酯、乙烯基(vinyl)、聚氟乙烯或聚氯乙烯等制成的膜、 纖維材料的紙或基底膜(聚酯、聚酰胺、無機(jī)汽相淀積膜或紙等)和粘接劑合成樹脂膜(丙 烯酸基合成樹脂或環(huán)氧樹脂基合成樹脂等)的層疊膜等。該膜通過經(jīng)受熱處理和壓力處 理固定到待處理物體上。在執(zhí)行熱處理和壓力處理的過程中，設(shè)置在膜的最上面的表面之 上的粘接劑層或設(shè)置在最外面的層上的層(不是粘接劑層)通過熱處理熔化，以通過施加 壓力被固定?？梢栽谀さ谋砻嬷显O(shè)置粘接劑層；但未必設(shè)置它。粘接劑層與包含諸如熱 固性樹脂、UV硬化樹脂、環(huán)氧樹脂基樹脂或樹脂添加劑的粘接劑的層對應(yīng)。用于密封的膜 優(yōu)選涂有硅石以防止水分等在密封之后進(jìn)入內(nèi)部，并且，例如，可以使用其中層疊有粘接劑 層、聚酯等的膜和硅石涂層的板材。另外，可以使用熱熔性粘接劑作為粘接劑層。熱熔性粘接劑是通過使用不合水或 溶液的不揮發(fā)的熱塑性材料形成的，并在室溫下保持固態(tài)。熱熔性粘接劑是通過施加溶解 狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)并使其冷卻將物體固定在一起的化學(xué)物質(zhì)。并且，熱熔性粘接劑具有粘接 時間短、無污染、安全、衛(wèi)生、節(jié)能和成本低的優(yōu)點。由于熱熔性粘接劑在正常溫度下保持固 態(tài)，因此可以使用事先處理成膜形式或纖維形式的熱熔性粘接劑。作為替代方案，可以使用 事先在由聚酯等制成的基底膜之上形成并然后被處理成膜形式的粘接劑層。這里使用在由 聚對苯二甲酸乙二酯制成的基底膜之上形成熱熔性膜的膜。通過使用軟化點比基底膜的軟 化點低的樹脂形成熱熔性膜。通過執(zhí)行熱處理，只有熱熔性膜被溶解并變成橡膠態(tài)，使得溶 解的熱熔性膜被固定到物體上。熱熔性膜在冷卻時硬化。作為熱熔性膜，例如可以使用包 含乙烯_醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚酯、聚酰胺、熱塑性彈性體或聚烯烴等作為其主要成 分的膜。然后，切割元件形成層110和膜109，并將設(shè)置在襯底101上的多個元件組分成各 個元件組(圖2D)。在分開時優(yōu)選使得在不露出絕緣膜103的情況下露出膜105和膜109。 這是因為，當(dāng)絕緣膜103被露出時，水分或雜質(zhì)元素混入絕緣膜103中，由此使元件組102 的特性劣化。一般地，如圖3A 3C所示，在在在不設(shè)置開口 104的情況下在元件組102之上形 成絕緣膜103和膜105 (圖3A)并去除襯底101以形成膜109 (圖3B)之后將設(shè)置在襯底 101之上的多個元件組分成各個元件組(圖3C)的情況下，存在在側(cè)面露出絕緣膜103的結(jié) 構(gòu)。另一方面，使得通過使用在本實施方式中說明的制造方法獲得的半導(dǎo)體器件具有在去 除襯底101之前的階段在多個元件組102之間形成開口 104以向開口提供膜105的結(jié)構(gòu)。 因此，如圖2D所示，可存在元件組102和絕緣膜103在被分成各個元件時覆蓋有膜105和 膜109的結(jié)構(gòu)。具體而言，在該結(jié)構(gòu)中，元件組102覆蓋有絕緣膜103和膜109而不被露出， 并且絕緣膜103覆蓋有膜105和膜109而不被露出。因此，抑制水分或雜質(zhì)元素進(jìn)入元件 組102和絕緣膜103中，并且，可提高半導(dǎo)體器件的可靠性。通過以上步驟，可形成半導(dǎo)體器件。(實施方式2)本實施方式參照附圖解釋與上面的實施方式不同的半導(dǎo)體器件的制造方法。具體地，將參照附圖解釋包含薄膜晶體管、存儲元件和天線的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法。首先，在襯底201的一個表面之上形成要成為基底(base)的絕緣膜202，并且在絕 緣膜202之上形成半導(dǎo)體膜203 (圖5A)。注意，可連續(xù)形成絕緣膜202和半導(dǎo)體膜203。作為襯底201，優(yōu)選使用在一個表面之上形成絕緣膜的玻璃襯底、石英襯底、金屬 襯底或不銹鋼襯底或可在該過程中耐受處理溫度的耐熱塑料襯底等。對于這種襯底201的 面積或形狀沒有限制，因此例如只要一側(cè)為1米或更大的矩形襯底被用作襯底201，那么生 產(chǎn)率可大大提高。此外，也可使用諸如Si襯底的半導(dǎo)體襯底。可以用諸如氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNY) (X > Y)膜或 氮氧化硅(SiNx0Y) (X>Y)膜的含氧和/或氮的絕緣膜的單層結(jié)構(gòu)或它們的疊層結(jié)構(gòu)，通過 CVD方法或濺射方法等設(shè)置絕緣膜202。當(dāng)要成為基底的絕緣膜具有二層結(jié)構(gòu)時，例如，優(yōu) 選形成氮氧化硅膜作為第一層并形成氧氮化硅膜作為第二層。當(dāng)要成為基底的絕緣膜具有 三層結(jié)構(gòu)時，例如，優(yōu)選形成氧化硅膜作為第一層、形成氮氧化硅膜作為第二層并形成氧氮 化硅膜作為第三層。作為替代方案，優(yōu)選形成氧氮化硅膜作為第一層、形成氮氧化硅膜作為 第二層并形成氧氮化硅膜作為第三層。要成為基底的絕緣膜用作防止雜質(zhì)進(jìn)入襯底201的 阻擋膜?？梢杂梅蔷О雽?dǎo)體或半晶半導(dǎo)體(SAS)形成半導(dǎo)體膜203。作為替代方案，可以使 用多晶半導(dǎo)體膜。SAS具有非晶結(jié)構(gòu)和晶體結(jié)構(gòu)(包含單晶和多晶)之間的中間結(jié)構(gòu)和自 由能穩(wěn)定的第三狀態(tài)，并且SAS包含具有短程有序和晶格畸變的晶體區(qū)域。在該膜的某一 區(qū)域的至少一部分中，可觀察到0. 5 20nm的晶體區(qū)域。在包含硅作為主成分的情況下， 拉曼光譜偏移到比520CHT1低的波數(shù)側(cè)。在X射線衍射中觀察到由硅的晶格導(dǎo)致的(111) 或(220)的衍射峰。包含至少1原子％或更多的氫或鹵素以終止不飽和鍵。通過對含硅氣 體執(zhí)行輝光放電分解(等離子CVD)形成SAS。給出SiHJt為含硅氣體。另外，也可以使 用Si2H6, SiH2Cl2, SiHCl3、SiCl4或SiF4等作為含硅氣體。另外，也可以混合GeF40可以用 H2或H2和He、Ar、Kr和Ne的一種或更多種稀有氣體元素稀釋含硅氣體。其稀釋比可以為 2 1000倍；壓力為約0. 1 133Pa ；電源頻率為1 120MHz、優(yōu)選為13 60MHz ；襯底加 熱溫度為300°C或更低。作為膜中的雜質(zhì)元素的諸如氫、氮或碳的大氣組成雜質(zhì)的濃度優(yōu) 選為1 X IO20原子/cm3或更低；具體地，氧的濃度為5 X IO19原子/cm3或更低、優(yōu)選1 X IO19 原子/cm3或更低。這里，通過使用濺射方法或CVD方法等、以含硅(Si)氣體作為其主成分 (諸如SixGei_x)以25 200nm的厚度(優(yōu)選以30 150nm的厚度)形成非晶半導(dǎo)體膜。然后，通過用諸如激光結(jié)晶方法、使用RTA或退火爐的熱結(jié)晶方法或使用促進(jìn)結(jié) 晶的金屬元素的熱結(jié)晶方法等的結(jié)晶方法使非晶半導(dǎo)體膜203結(jié)晶形成晶體半導(dǎo)體膜。 另外，也可以通過通過施加DC偏壓產(chǎn)生熱等離子并將熱等離子施加到半導(dǎo)體膜上執(zhí)行半 導(dǎo)體膜的結(jié)晶。然后，將獲得的半導(dǎo)體膜蝕刻成希望的形狀以形成晶體半導(dǎo)體膜203a 203f，并且形成柵絕緣膜204以覆蓋半導(dǎo)體膜203a 203f (圖5B)。以下簡要解釋半導(dǎo)體膜203a 203f的制造過程的例子。首先，通過使用等離子 CVD方法形成66nm厚的非晶半導(dǎo)體膜。然后，在在非晶半導(dǎo)體膜上保持含有作為促進(jìn)結(jié)晶 的金屬元素的鎳的溶液之后，通過對非晶半導(dǎo)體膜執(zhí)行脫氫處理(在500°C下處理1小時) 和熱結(jié)晶處理(在550°C下處理4小時)形成晶體半導(dǎo)體膜。然后，如果有必要，用激光照 射晶體半導(dǎo)體膜，并且通過使用光刻方法形成晶體半導(dǎo)體膜203a 203f。
在用激光結(jié)晶方法形成晶體半導(dǎo)體膜的情況下，可以使用連續(xù)波激光束(CW激光 束)或脈沖波激光束(脈沖激光束)。作為這里可使用的激光束，可以使用從諸如Ar激光 器、Kr激光器和準(zhǔn)分子激光器的氣體激光器、YAG激光器、YVO4激光器、鎂橄欖石(Mg2SiO4)、 YAlO3激光器和GdVO4激光器的單晶或摻雜有作為摻雜劑的Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta 中的一種或更多種的YAG、Y203、YV04、YA103和GdVO4的多晶(陶瓷)、玻璃激光器、紅寶石激 光器、變石激光器、Ti:藍(lán)寶石激光器、銅蒸汽激光器和金蒸汽激光器中的一個或更多個振 蕩的激光束。通過除了以上激光束的基諧波以外還發(fā)射基波的第二到第四波的激光束，可 以獲得具有較大的晶粒尺寸的晶體。例如，可以使用NchYVO4激光(基波，1064nm)的二次 諧波(532nm)或三次諧波(355nm)。此時，激光需要約0. 01 lOOMW/cm2 (優(yōu)選為約0. 1 10MW/cm2)的功率密度。激光在約10 2000cm/sec的掃描速度下被發(fā)射。注意，可以連續(xù) 振蕩使用YAG、YVO4、鎂橄欖石(Mg2SiO4)、YAlO3或GdVO4的單晶或摻雜有作為摻雜劑的Nd、 Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm 和 Ta 中的一種或更多種的 YAG、Y203、YV04、YAlO3 或 GdVO4 的多晶(陶 瓷)、Ar離子激光器或Ti:藍(lán)寶石激光器作為介質(zhì)的激光。并且，可以通過執(zhí)行Q開關(guān)操作 或模式同步等用IOMHz或更大的振蕩頻率執(zhí)行其脈沖振蕩。當(dāng)用IOMHz或更大的重復(fù)頻率 振蕩激光束時，在半導(dǎo)體膜被激光束熔化并然后固化的過程中，半導(dǎo)體膜被下一個脈沖照 射。因此，與使用具有較低的重復(fù)頻率的脈沖激光器的情況不同，固液界面可以在半導(dǎo)體膜 中連續(xù)移動，使得可獲得向掃描方向連續(xù)生長的晶粒。另外，使用用于促進(jìn)結(jié)晶的金屬元素使非晶半導(dǎo)體膜結(jié)晶的優(yōu)點是可以在短時間 內(nèi)在較低的溫度下執(zhí)行結(jié)晶并且晶體的方向變得十分均勻，同時存在這樣一種問題，即，由 于截止電流(off current)因金屬元素在晶體半導(dǎo)體膜中的殘留而增加，因此性能是不穩(wěn) 定的。因此，優(yōu)選在晶體半導(dǎo)體膜之上形成用作吸氣點(gettering site)的非晶半導(dǎo)體 膜。為了形成吸氣點，要求非晶半導(dǎo)體膜包含諸如磷或氬的雜質(zhì)元素，因此優(yōu)選通過可使得 以高濃度包含氬氣的濺射方法形成非晶半導(dǎo)體膜。然后，執(zhí)行熱處理(RTA方法或使用退火 爐的熱退火等)以將金屬元素擴(kuò)散到非晶半導(dǎo)體膜中，并且含有金屬元素的非晶半導(dǎo)體膜 被去除。因此，可減少或去除晶體半導(dǎo)體膜中的金屬元素的含量。通過CVD方法或濺射方法等、通過包含硅的氧化物或硅的氮化物的膜的單層或疊 層形成柵絕緣膜204。具體地，以單層結(jié)構(gòu)形成或通過層疊形成包含氧化硅的膜、包含氧氮 化硅的膜或包含氮氧化硅的膜。另外，也可以通過對半導(dǎo)體膜203a 203f的氧化物或氮化物表面執(zhí)行高濃度等 離子處理形成柵絕緣膜204。例如，通過引入諸如He、Ar、Kr或Xe的稀有氣體和氧氣、氧化 氮(NO2)、氨氣、氮氣和氫氣等的混合氣體的等離子處理形成柵絕緣膜204。在這種情況下， 當(dāng)通過引入微波執(zhí)行等離子的激發(fā)時，可以在較低的電子溫度下產(chǎn)生高濃度等離子。半導(dǎo) 體膜的表面可被由該高濃度等離子產(chǎn)生的氧根(可包含OH根)或氮根(可包含NH根)氧 化或氮化。通過這種使用高濃度等離子的處理，在半導(dǎo)體膜之上形成厚度為1 20nm、一般 為5 IOnm的絕緣膜。由于這種情況下的反應(yīng)是固相反應(yīng)，因此可使得絕緣膜和半導(dǎo)體膜 之間的界面狀態(tài)濃度極低。在這種高濃度等離子處理中，由于半導(dǎo)體膜(晶體硅或多晶硅) 被直接氧化(或氮化)，因此可十分理想地使得形成的絕緣膜的厚度的變化極小。另外，由 于晶體硅的晶粒邊界中的半導(dǎo)體膜沒有被氧化太多，因此可獲得極希望的狀態(tài)。換句話說，
11在這里說明的高濃度等離子處理中，通過半導(dǎo)體膜表面的固相氧化，可以在不過量氧化晶 粒邊界的情況下形成具有有利的均勻性和較低的界面狀態(tài)濃度的絕緣膜。關(guān)于柵絕緣膜，可僅使用由高濃度等離子處理形成的絕緣膜。作為替代方案，可以 通過使用等離子或熱反應(yīng)的CVD方法將氧化硅、氧氮化硅或氮化硅等的絕緣膜淀積或?qū)盈B 為絕緣膜。在任意情況下，在包含由高濃度等離子形成的絕緣膜作為柵絕緣膜的一部分或 全部的晶體管中特性變化可減小。并且，通過在用連續(xù)波激光束或以IOMHz或更大的頻率振蕩的激光束照射的同時 沿一個結(jié)晶方向掃描半導(dǎo)體膜獲得的半導(dǎo)體膜203a 203f具有晶體沿射束的掃描方向生 長的特性?？梢酝ㄟ^配置晶體管使得掃描方向與溝道長度方向(當(dāng)形成溝道形成區(qū)域時載 流子的流動方向)對準(zhǔn)并通過組合以上的柵絕緣膜獲得特性變化減小并且場效應(yīng)遷移率 較高的晶體管(TFT)。然后，在柵絕緣膜204之上層疊第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜。通過等離子CVD方法 或濺射方法等形成第一導(dǎo)電膜以使其具有20 IOOnm的厚度。通過等離子CVD方法或濺 射方法等形成第二導(dǎo)電膜以使其具有100 400nm的厚度。用鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬 (Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)和鈮(Nb)等的元素或包含該元素作為其主成分的合金材料 或化合物材料形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜。作為替代方案，用以摻雜有諸如磷的雜質(zhì)元 素的多晶硅為代表的半導(dǎo)體材料形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜。作為第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo) 電膜的組合的例子，可以舉出氮化鉭(TaN)膜和鎢(W)膜、氮化鎢(WN)膜和鎢膜和氮化鉬 (MoN)膜和鉬(Mo)膜等。由于鎢和氮化鉭具有較高的耐熱性，因此可以在形成第一導(dǎo)電膜 和第二導(dǎo)電膜之后執(zhí)行用于熱激活的熱處理。在不是二層結(jié)構(gòu)而是三層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu) 選使用鉬膜、鋁膜和鉬膜的疊層結(jié)構(gòu)。然后，通過使用光刻方法形成光刻膠掩模，并執(zhí)行用于形成柵電極和柵線的蝕刻 處理以形成用作柵電極的導(dǎo)電膜(以下，稱為柵電極205)。這里，柵電極205具有層疊以上 材料中的任意材料的結(jié)構(gòu)。然后，通過光刻方法形成光刻膠掩模，并且通過離子摻雜方法或離子注入方法以 較低的濃度將賦予N型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素添加到半導(dǎo)體膜203b、203c、203e和203f以形成 N型雜質(zhì)區(qū)域206。作為賦予N型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素，優(yōu)選使用屬于第15族的元素，例如使 用磷(P)或砷(As)。然后，通過光刻方法形成光刻膠掩模，并且將賦予P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素添加到 半導(dǎo)體膜203a和203d以形成P型雜質(zhì)區(qū)域207。作為賦予P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素，例如使 用硼⑶(圖5C)。然后，形成絕緣膜以覆蓋柵絕緣膜204和柵電極205。用包含諸如硅、硅的氧化物 和/或硅的氮化物的無機(jī)材料的膜或包含諸如有機(jī)樹脂的有機(jī)材料的膜的單層結(jié)構(gòu)或疊 層結(jié)構(gòu)通過等離子CVD方法或濺射方法等形成絕緣膜。然后，通過主要沿垂直方向執(zhí)行蝕 刻的各向異性蝕刻選擇性地蝕刻絕緣膜，以形成與柵電極205的側(cè)面接觸的絕緣膜(也被 稱為側(cè)壁)208。與絕緣膜208的制造同時，蝕刻柵絕緣膜204以形成絕緣膜210。絕緣膜 208在隨后形成源極和漏極區(qū)的過程中被用作用于摻雜的掩模。然后，使用由光刻方法形成的光刻膠掩模和絕緣膜208作為掩模，將賦予N型導(dǎo)電 性的雜質(zhì)元素添加到半導(dǎo)體膜203b、203c、203e和203f以形成第一 N型雜質(zhì)區(qū)域209a (也
12被稱為LDD (輕摻雜漏極)區(qū)域)和第二 N型雜質(zhì)區(qū)域209b。在第一 N型雜質(zhì)區(qū)域209a中 包含的雜質(zhì)元素的濃度比第二 N型雜質(zhì)區(qū)域209b中的低。通過以上步驟，完成N型薄膜晶 體管230b、230c、230e和230f以及P型薄膜晶體管230a和230d(圖5D)。注意，為了形成LDD區(qū)域，存在在蝕刻或執(zhí)行各向異性蝕刻等時，用形成為兩個層 或更多個層的柵電極的低導(dǎo)電膜作為柵極的掩模，以提供錐形的柵電極的技術(shù)，和用作為 側(cè)壁的絕緣膜作為掩模的技術(shù)。通過使用前一種技術(shù)形成的薄膜晶體管具有LDD區(qū)域被設(shè) 置為與柵電極交迭使得在其間插入柵絕緣膜的結(jié)構(gòu)。但是，為了利用蝕刻或各向異性蝕刻 以在該結(jié)構(gòu)中提供錐形的柵電極，難以控制LDD區(qū)域的寬度，并且，只要優(yōu)選不執(zhí)行蝕刻步 驟，就在一些情況下不能形成LDD區(qū)域。另一方面，通過使用作為側(cè)壁的絕緣膜作為掩模的 后一種技術(shù)，與前一種技術(shù)相比，可更確定地形成LDD區(qū)域。隨后，形成絕緣膜的單層或疊層以覆蓋薄膜晶體管230a 230f (圖6A)。用諸如 硅的氧化物和/或硅的氮化物的無機(jī)材料或諸如聚酰亞胺、聚酰胺、苯并環(huán)丁烯、丙烯酸樹 脂、環(huán)氧樹脂或硅氧烷的有機(jī)材料等的單層或疊層通過SOG方法或液滴排出方法等形成覆 蓋薄膜晶體管230a 230f的絕緣膜。例如，在覆蓋薄膜晶體管230a 230f的絕緣膜具 有三層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選形成包含氧化硅的膜作為第一層的絕緣膜211、形成包含樹脂的 膜作為第二層的絕緣膜212并形成包含氮化硅的膜作為第三層的絕緣膜213。注意，優(yōu)選在形成絕緣膜211 213之前或形成絕緣膜211 213中的一個或多 個之后執(zhí)行用于恢復(fù)半導(dǎo)體膜的結(jié)晶性、激活添加到半導(dǎo)體膜中的雜質(zhì)元素或使半導(dǎo)體膜 氫化的熱處理。優(yōu)選通過施加熱退火方法、激光退火方法或RTA方法等執(zhí)行熱處理。然后，通過光刻方法選擇性地蝕刻絕緣膜211 213以形成露出半導(dǎo)體膜203a 203f的接觸孔。隨后，形成導(dǎo)電膜以使其填充接觸孔。導(dǎo)電膜被構(gòu)圖為形成用作源極和漏 極布線的導(dǎo)電膜214。用鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀 (Ag)、錳(Mn)、鈮(Nb)、碳(C)和硅(Si)的元素或包含該元素作為其主要成分的合金材料 或化合物材料的單層或疊層通過CVD方法或濺射方法等形成導(dǎo)電膜214。包含鋁作為其主 要成分的合金材料與例如包含作為其成分的鋁和鎳的材料或包含作為其主要成分的鋁、鎳 和碳或硅中的任一種或兩種的合金材料對應(yīng)。導(dǎo)電膜214可具有例如阻擋膜、鋁硅(Al-Si) 膜和阻擋膜的疊層結(jié)構(gòu)或阻擋膜、鋁硅(Al-Si)膜、氮化鈦(TiN)膜和阻擋膜的疊層結(jié)構(gòu)。 注意，阻擋膜與鈦、鈦的氮化物、鉬或鉬的氮化物的薄膜對應(yīng)。鋁和鋁硅具有較低的電阻并 且較為便宜，它們是導(dǎo)電膜214的材料的最佳選項。當(dāng)設(shè)置上下阻擋層時，可以防止鋁或鋁 硅的隆起(hillock)的產(chǎn)生。通過形成作為具有較高的還原性的元素的鈦的阻擋膜，即使 當(dāng)在晶體半導(dǎo)體膜之上形成較薄的自然氧化物膜時，自然氧化物膜也可減少，使得可以形 成與晶體半導(dǎo)體膜的有利的接觸。然后，形成絕緣膜215以覆蓋導(dǎo)電膜214 (圖6B)。通過SOG方法、液滴排出方法或 諸如絲網(wǎng)印刷方法或凹版印刷(gravure printing)方法的印刷方法，用無機(jī)材料或有機(jī)材 料的單層或疊層形成絕緣膜215。另外，形成的絕緣膜215優(yōu)選具有0. 75 3 μ m的厚度。隨后，通過光刻方法蝕刻絕緣膜215以形成在薄膜晶體管230a、230c、230d和230f 中露出導(dǎo)電膜214的接觸孔。然后，形成導(dǎo)電膜以使其填充接觸孔。通過使用等離子CVD 方法或濺射方法等由導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電膜。然后，對導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖以形成導(dǎo)電膜216a 216d。注意，導(dǎo)電膜216b和216d中的每一個用作在后面形成的存儲元素中包含的一對導(dǎo) 電膜中的一個。因此，優(yōu)選用鈦或包含鈦作為其主要分成的合金材料或化合物材料的單層 或疊層形成導(dǎo)電膜216b和216d。鈦具有較低的電阻，這導(dǎo)致存儲元件的尺寸的減小并實 現(xiàn)更高的集成度。在用于形成導(dǎo)電膜216a 216d的光刻步驟中，優(yōu)選執(zhí)行濕蝕刻處理以 不致?lián)p壞下面的薄膜晶體管230a 230f，并且優(yōu)選使用氟化氫(HF)或過氧化氨作為蝕刻 劑。然后，形成絕緣膜217以覆蓋導(dǎo)電膜216a 216d的端部。通過SOG方法或液滴 排出方法等用無機(jī)材料或有機(jī)材料的單層或疊層形成絕緣膜217。另外，形成的絕緣膜217 優(yōu)選具有0. 75 3μπι的厚度。然后，與導(dǎo)電膜216a和216c接觸形成用作天線的導(dǎo)電膜218 (圖6C)。通過CVD方 法、濺射方法、印刷方法或液滴排出方法等由導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電膜218。優(yōu)選地，用鋁(Al)、 鈦(Ti)、銀(Ag)、銅(Cu)和金(Au)的元素或包含該元素作為其主要成分的合金材料或化 合物材料的單層或疊層形成導(dǎo)電膜218。具體地，通過通過絲網(wǎng)印刷方法使用含銀漿料并且 然后在50 350°C的溫度下執(zhí)行熱處理形成導(dǎo)電膜218。注意，可以通過在優(yōu)選的熱處理 的時間施加壓力獲得具有優(yōu)選的特性的天線。作為替代方案，通過通過濺射方法形成鋁膜 并對鋁膜進(jìn)行構(gòu)圖形成導(dǎo)電膜218。優(yōu)選通過濕蝕刻處理對鋁膜進(jìn)行構(gòu)圖，并且，在濕蝕刻 處理之后，優(yōu)選在200 30(TC的溫度下執(zhí)行熱處理。然后，形成用作存儲元件的有機(jī)化合物層219以使其與導(dǎo)電膜216b和216d接觸 (圖7A)。性能或狀態(tài)通過電效應(yīng)、光效應(yīng)或熱效應(yīng)等改變的材料可被用作用于存儲元件的 材料。例如，可以使用性能或狀態(tài)通過由焦耳熱或電介質(zhì)擊穿等導(dǎo)致的熔化而改變以導(dǎo)致 上電極和下電極短路的材料。因此，用于存儲元件的層(這里是有機(jī)化合物層)的厚度優(yōu) 選為5 lOOnm、更優(yōu)選10 60nm。這里，通過液滴排出方法、旋涂方法或汽相淀積方法等形成有機(jī)化合物層219。隨 后，形成導(dǎo)電膜220以使其與有機(jī)化合物層219接觸。通過濺射方法、旋涂方法、液滴排出 方法或汽相淀積方法等形成導(dǎo)電膜220。通過以上的步驟，完成包含導(dǎo)電膜216b、有機(jī)化合物層219和導(dǎo)電膜220的疊層體 的存儲元件部分231a和包含導(dǎo)電膜216d、有機(jī)化合物層219和導(dǎo)電膜220的疊層體的存儲 元件部分231b。注意，由于有機(jī)化合物層219的熱阻不高，因此以上的制造步驟的特征是在形成 用作天線的導(dǎo)電膜218的步驟之后執(zhí)行形成有機(jī)化合物層219的步驟。作為用于有機(jī)化合物層的有機(jī)材料，例如，可以使用諸如4，4_ 二 [N-(l-萘 基)-N-苯基-氨基]-聯(lián)苯(縮寫-NPD)、4，4-二 [N-(3-甲苯基)-N-苯基-氨基]-聯(lián)苯 (縮寫TPD)、4，4，4-三(N，N-聯(lián)苯-氨基)-三苯胺(縮寫TDATA)、4，4，4-三[(N-(3-甲 苯基)-N-苯基-苯基]-三苯胺(縮寫=MTDATA)或 4，4- 二 (N-4 (N, N-di-m-tolylamino) 苯基)-N-苯氨基)聯(lián)苯(縮寫DNTPD)的芳族胺基化合物(即，具有苯環(huán)-氮鍵的化合 物)、聚乙烯咔唑(縮寫PVK)或諸如酞菁(縮寫=H2Pc)、銅酞菁(縮寫CuPc)或氧釩酞菁 (縮寫V0Pc)的酞菁化合物等。這些材料具有較高的空穴傳輸性能。此外，可以使用由諸如三(8-羥基喹啉)鋁(縮寫=Alq3)、三(4_甲基_8_羥基喹 啉)鋁(縮寫=Almq3)、二 (10-羥基苯基[h]-quinolinato)鈹(縮寫=BeBq2)或二 (2_ 甲
14基-8-羥基喹啉)-4-聯(lián)苯氧基-鋁(縮寫B(tài)Alq)的具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬 絡(luò)合物等形成的材料或由諸如二 [2-(2_羥基苯基)苯并惡唑]鋅(縮寫=Zn(BOX)2)或二 [2-(2-羥基苯基)苯并噻唑]鋅(縮寫=Zn(BTZ)2)的具有惡唑基或噻唑基配位體的金屬 絡(luò)合物等形成的材料等。這些材料具有較高的電子傳輸性能?？梢允褂弥T如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-切汁-丁苯基)-1，3，4_惡二唑(縮寫PBD)、 l，3-bis[5-(4-tert-丁苯基)-l，3，4-惡二唑-2-yl]苯(縮寫:0XD_7)、3_(4-tert-丁苯 基)-4-苯基-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑(縮寫TAZ)、3-(4-tert-丁苯基)-4-(4-乙苯 基)-5_(4-聯(lián)苯基)-1，2，4_三唑(縮寫p-EtTAZ)、紅菲繞啉(縮寫:BPhen)、或2，9-二甲 基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(bathocuproin，縮寫B(tài)CP)的金屬絡(luò)合物以外的化合物寸。有機(jī)化合物層可具有單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。在疊層結(jié)構(gòu)的情況下，材料可選自上 述材料以形成疊層結(jié)構(gòu)。并且，以上的有機(jī)材料和發(fā)光材料可被層疊。作為發(fā)光材料，可以 使用4-二氰亞甲基-2-甲基-6-[2-(l，l，7，7-四甲基久洛尼定-9-yl)乙烯基]-4H-吡 喃(縮寫DCJT)、4-二氰亞甲基-2-t-丁基-6-[2-(l，l，7，7-四甲基久洛尼定_9_yl) 乙烯基]-4H-吡喃、perifianthene、l，4-二 [2_(10_ 甲氧基)_(1，1，7，7-四甲基久洛尼 定-9-yl)乙烯基]-2，5-二氰基苯、N, N-二甲基喹吖啶酮(dimethylquinacridone)(縮 寫DMQd)、香豆素6、香豆素545T、三(8-羥基喹啉)鋁(縮寫=Alq3)、9，9_binathryl、9， 10-聯(lián)苯蒽(diphenylanthracene)(縮寫:DPA)、9，10- 二 (2-萘基)蒽(縮寫:DNA)或 2， 5,8,11-四-t-buthylperylene (縮寫:TBP)等?？梢允褂闷渲蟹稚⒁陨系陌l(fā)光材料的層。在其中分散以上的發(fā)光材料的層中，可 以使用諸如9，10-二(2-萘基)-2-tert-丁基蒽(縮寫t_BuDNA)的蒽衍生物、諸如4， 4-di(N-咔唑基)聯(lián)苯(縮寫CPB)的咔唑衍生物或諸如二 [2-(2-羥苯基)吡啶]鋅(縮 寫=Znpp2)或二 [2-(2-羥苯基)1^皿(《擬01站0]鋅(縮寫ΖηΒ0Χ)的金屬絡(luò)合物等作為基 材。另外，可以使用三(8-羥基喹啉)鋁(縮寫=Alq3)、9，10-二(2-萘基)蒽(縮寫DNA) 或二(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-聯(lián)苯氧基-鋁(縮寫B(tài)Alq)等。這些有機(jī)材料通過熱效應(yīng)等改變其性能，因此其玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)優(yōu)選為50 300°C、更優(yōu)選為80 120°C。另外，可以使用金屬氧化物與有機(jī)材料或發(fā)光材料混合的材料。注意，混合金屬氧 化物的材料包含金屬氧化物與以上的有機(jī)材料或以上的發(fā)光材料混合或?qū)盈B的狀態(tài)。具體 地，它指示通過使用多個蒸發(fā)源的共蒸發(fā)方法形成的狀態(tài)。這種材料可指的是有機(jī)-無機(jī) 復(fù)合材料。例如，在將具有較高的空穴傳輸性能的物質(zhì)與金屬氧化物混合的情況下，優(yōu)選使 用氧化釩、氧化鉬、氧化鈮、氧化錸、氧化鎢、氧化釕、氧化鈦、氧化鉻、氧化鋯、氧化鉿或氧化 鉭作為金屬氧化物。在將具有較高的電子傳輸性能的物質(zhì)與金屬氧化物混合的情況下，優(yōu)選使用氧化 鋰、氧化鈣、氧化鈉、氧化鉀或氧化鎂作為金屬氧化物?？蓪τ谟袡C(jī)化合物層使用性能通過電效應(yīng)、光效應(yīng)或熱效應(yīng)改變的材料，因此例 如，可以使用摻有通過吸收光產(chǎn)生酸的化合物(光酸產(chǎn)生劑，photoacid generator)的共 軛高分子化合物。作為共軛高分子化合物，可以使用聚乙炔、聚苯撐乙烯撐(polyphenylene
15vinylene)、聚噻吩、聚苯胺或聚苯撐乙炔撐(polyphenylene ethynylene)等。作為光酸 產(chǎn)生劑，可以使用芳基锍鹽(aryl sulfonium salt)、芳基碘翁鹽(aryl iodonium salt)、 ο-硝基芐基甲苯磺酸鹽、芳基磺酸P-硝基芐基酯、磺酰乙酰苯或Fe-芳烴絡(luò)合物PF6鹽等。注意，這里說明使用有機(jī)化合物材料作為存儲元件部分231a和231b的例子；但 是，本發(fā)明不限于此。例如，可以使用諸如在晶體狀態(tài)和非晶狀態(tài)之間可逆地變化的材料或 在第一晶體狀態(tài)和第二晶體狀態(tài)之間可逆地變化的材料的相變材料。另外，也可以使用僅 從非晶狀態(tài)變化為晶體狀態(tài)的材料。在晶體狀態(tài)和非晶狀態(tài)之間可逆地變化的材料是包含鍺(Ge)、碲(Te)、銻(Sb)、 硫(S)、氧化碲(TeOx)、錫(Sn)、金(Au)、鎵(Ga)、硒(Se)、銦(In)、鉈(Tl)、鈷(Co)和銀 (Ag)中的多種元素的材料。例如，可以使用基于Ge-Te-Sb-S、Te-TeO2-Ge-Sn、Te-Ge-Sn-Au、 Ge—Te—Sn、Sn—Se—Te、Sb-Se-Te> Sb-Se> Ga-Se-Te> Ga-Se-Te-Ge> In_Se、In-Se—Tl—Co、 Ge-Sb-Te、In-Se-Te或Ag-In-Sb-Te的材料。在第一晶體狀態(tài)和第二晶體狀態(tài)之間可逆地 變化的材料是包含例如 Ag-Zn、Cu-Al-Ni、In-Sb、In-Sb-Se 或 In-Sb-Te 的銀(Ag)、鋅(Zn)、 銅(Cu)、鋁(Al)、鎳(Ni)、銦(In)、銻(Sb)、硒(Se)和碲(Te)中的多種元素的材料。當(dāng)使用 該材料時，在兩種不同的晶體狀態(tài)之間實施相變。僅從非晶狀態(tài)變化為晶體狀態(tài)的材料是 包含例如 Te-TeO2、Te-TeO2-Pd 或 Sb2Se3M2Te3 的碲(Te)、氧化碲(TeOx)、鈀(Pd)、銻(Sb)、 硒(Se)和鉍(Bi)中的多種元素的材料。然后，通過SOG方法、旋涂方法、液滴排出方法或印刷方法等形成用作保護(hù)膜的絕 緣膜221以覆蓋存儲元件部分231a和231b和用作天線的導(dǎo)電膜218。絕緣膜221由包含 諸如DLC(類鉆碳)的碳的膜、包含氮化硅的膜、包含氮氧化硅的膜或優(yōu)選為環(huán)氧樹脂的有 機(jī)材料形成。然后，如在以上的實施方式中說明的那樣，在具有薄膜晶體管203a 203f、用作 天線的導(dǎo)電膜218和存儲元件部分231a和231b等的元件形成層233中選擇性地形成開口， 并且形成膜222以覆蓋元件形成層233和開口(圖7B)。膜222可以是由聚丙烯、聚酯、乙烯樹脂、聚氟乙烯或聚氯乙烯等制成的膜、纖維 材料的紙或基底膜(聚酯、聚酰胺、無機(jī)汽相淀積膜或紙等)和粘接劑合成樹脂膜(丙烯酸 基合成樹脂或環(huán)氧樹脂基合成樹脂等)的層疊膜等。該膜通過經(jīng)受熱處理和壓力處理固定 到待處理物體上。在執(zhí)行熱處理和壓力處理的過程中，設(shè)置在膜的最上面的表面之上的粘 接劑層或設(shè)置在最外面的層上的層(不是粘接劑層)通過熱處理熔化，以通過施加壓力被 固定?？梢栽谀さ谋砻嬷显O(shè)置粘接劑層；但未必設(shè)置它。粘接劑層與包含諸如熱固性樹 月旨、UV硬化樹脂、環(huán)氧樹脂基樹脂或樹脂添加劑的粘接劑的層對應(yīng)。用于密封的膜優(yōu)選涂 有硅石以防止水分等在密封之后進(jìn)入內(nèi)部，并且，例如，可以使用其中層疊粘接劑層、聚酯 等的膜和硅石涂層的板材。然后，通過對襯底201執(zhí)行磨削處理或拋光處理中的任一種或兩種將襯底201減 薄成襯底224。這里，襯底201的上面沒有形成元件形成層223的一側(cè)(背面)經(jīng)受磨削 處理，然后，襯底201的背面進(jìn)一步經(jīng)受拋光處理以減薄襯底201，由此獲得襯底224。在對 襯底201執(zhí)行磨削處理或拋光處理的情況下優(yōu)選盡可能多地減薄襯底201。但是，隨著襯 底201被減薄，元件形成層233容易產(chǎn)生應(yīng)力，因此使得襯底224具有5 50 μ m、優(yōu)選5 20 μ m、更優(yōu)選5 10 μ m的厚度。
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然后，通過化學(xué)處理去除襯底224 (圖8B)。作為化學(xué)處理，通過使用化學(xué)溶液對 待處理物體執(zhí)行化學(xué)蝕刻。這里，通過將襯底224和元件形成層233浸入化學(xué)溶液中執(zhí)行 襯底224的蝕刻。只要可以去除襯底，那么可以采用任何化學(xué)溶液作為化學(xué)溶液，并且，例 如，在使用玻璃襯底作為襯底201的情況下優(yōu)選使用含有氫氟酸的溶液作為化學(xué)溶液。注 意，作為膜222，優(yōu)選使用不可能與化學(xué)溶液反應(yīng)的材料，并且，這里使用包含環(huán)氧樹脂的絕 緣膜。另外，由于在去除襯底201之后絕緣膜202與化學(xué)溶液直接接觸，因此優(yōu)選使用對化 學(xué)溶液具有抵抗力的材料作為絕緣膜202。例如，優(yōu)選在二層結(jié)構(gòu)中設(shè)置絕緣膜202，這里 形成氮氧化硅膜作為第一層并形成氧氮化硅膜作為第二層。然后，通過對元件形成層233的一側(cè)設(shè)置膜225執(zhí)行密封處理(圖9A)。作為密封 處理，在元件形成層233的一側(cè)(去除襯底201的一側(cè))設(shè)置膜225，并且，如圖16所示通 過使用滾筒243將膜225固定到元件形成層233上。用于密封的膜225可以是由聚丙烯、聚酯、乙烯樹脂、聚氟乙烯或聚氯乙烯等制成 的膜、纖維材料的紙或基底膜(聚酯、聚酰胺、無機(jī)汽相淀積膜或紙等)和粘接劑合成樹脂 膜(丙烯酸基合成樹脂或環(huán)氧樹脂基合成樹脂等)的層疊膜等。該膜通過經(jīng)受熱處理和壓 力處理固定到待處理物體上。在執(zhí)行熱處理和壓力處理的過程中，設(shè)置在膜的最上面的表 面之上的粘接劑層或設(shè)置在最外面的層上的層(不是粘接劑層)通過熱處理熔化，以通過 施加壓力被固定?？梢栽谀?25的表面之上設(shè)置粘接劑層；但未必設(shè)置它。粘接劑層與包 含諸如熱固性樹脂、UV硬化樹脂、環(huán)氧樹脂基樹脂或樹脂添加劑的粘接劑的層對應(yīng)。用于 密封的膜優(yōu)選涂有硅石以防止水分等在密封之后進(jìn)入內(nèi)部，并且，例如，可以使用其中層疊 粘接劑層、聚酯等的膜和硅石涂層的板材。例如，作為膜225，可以使用在諸如聚對苯二甲酸乙二酯的基底膜之上設(shè)置包含熱 塑性樹脂的熱熔性粘接劑的膜。熱熔性粘接劑在室溫下保持固態(tài)但通過施加熱溶解。因此， 元件形成層233的表面具有具有熱熔性粘接劑的膜，并然后經(jīng)受滾筒243的熱處理和壓力 處理，因此元件形成層233可被密封。注意，在用滾筒243執(zhí)行熱處理的情況下，必須在使 得熱熔性粘接劑充分溶解的高溫下執(zhí)行處理。因此，在臺板(stage) 241使用諸如鋁的金屬 的情況下，存在臺板241吸收由滾筒243產(chǎn)生的熱的擔(dān)心，因此熱溶性粘接劑不充分溶解。 因此，優(yōu)選在臺板241和待處理物體之間設(shè)置諸如硅橡膠的熱絕緣材料。作為膜222和膜225，也可使用經(jīng)受用于防止靜電等的抗靜電處理的膜(以下，稱 為抗靜電膜)。抗靜電膜包含在樹脂中分散抗靜電材料的膜和固定抗靜電材料的膜等。包 含抗靜電材料的膜可以是一側(cè)具有抗靜電材料的膜或兩側(cè)均有抗靜電材料的膜。并且，在 一側(cè)具有抗靜電材料的膜中，可以將包含抗靜電材料的一側(cè)固定到膜的里面或外面。注意， 可以在膜的整個表面或一部分之上設(shè)置抗靜電材料。這里抗靜電材料包含金屬、銦和錫的 氧化物(ITO)和諸如兩性離子表面活性劑、陽離子表面活性劑和非離子表面活性劑的表面 活性劑。作為替代，可以使用包含在側(cè)鏈中具有羧基團(tuán)和季銨基的交聯(lián)的共聚物高分子化 合物的樹脂材料作為抗靜電材料?？梢酝ㄟ^將這些材料固定、捏制或施加到膜上獲得抗靜 電膜。當(dāng)用抗靜電膜密封半導(dǎo)體器件時，可以在半導(dǎo)體元件作為產(chǎn)品被操作時保護(hù)其免受 外部靜電等的影響。注意，在用膜225執(zhí)行元件形成層233的密封處理之后，如有必要可以執(zhí)行密封以 覆蓋膜222。
然后，將元件形成層233、膜222和膜225切分成各個元件(圖9B)。此時，優(yōu)選在 分開時使得在不露出元件形成層233的情況下露出膜222和膜225。通過以這種方式完全 用膜222和膜225覆蓋元件形成層233，可以抑制雜質(zhì)元素或水分從外面混入諸如薄膜晶體 管的半導(dǎo)體元件中，因此可以獲得高度可靠的半導(dǎo)體器件。注意，可以通過與以上的實施方式任意地組合實施本實施方式。換句話說，也可在 本實施方式中組合使用在以上的實施方式中說明的材料或形成方法，并且也可以在以上的 實施方式中組合使用在本實施方式中說明的材料或形成方法。(實施方式3)本實施方式將解釋通過使用在以上的實施方式中說明的制造方法獲得的半導(dǎo)體 器件的應(yīng)用方式的例子。具體地，下面將參照附圖解釋可以非接觸地交換數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器 件的應(yīng)用。根據(jù)應(yīng)用方式，可以非接觸地交換數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件也被稱為RFID (射頻識別) 標(biāo)簽、ID標(biāo)簽、IC標(biāo)簽、IC芯片、RF(射頻)標(biāo)簽、無線標(biāo)簽、電子標(biāo)簽或無線芯片。半導(dǎo)體器件80具有非接觸地傳送數(shù)據(jù)的功能，并且包含高頻電路81、電源電路 82、復(fù)位電路83、時鐘產(chǎn)生電路84、數(shù)據(jù)解調(diào)電路85、數(shù)據(jù)調(diào)制電路86、用于控制其它電路 的控制電路87、存儲電路88和天線89 (圖10A)。高頻電路81是從天線89接收信號并從 天線89輸出通過數(shù)據(jù)調(diào)制電路86接收的信號的電路。電源電路82是從接收的信號產(chǎn)生 電源電勢的電路。復(fù)位電路83是產(chǎn)生復(fù)位信號的電路。時鐘產(chǎn)生電路84是基于從天線89 輸入的接收的信號產(chǎn)生各種時鐘信號的電路。數(shù)據(jù)解調(diào)電路85是對接收的信號進(jìn)行解調(diào) 并將該信號輸出到控制電路87的電路。數(shù)據(jù)調(diào)制電路86是調(diào)制從控制電路87接收的信 號的電路。作為控制電路87，例如設(shè)置代碼提取電路91、代碼確定電路92、CRC確定電路93 和輸出單元電路94。注意，代碼提取電路91是單獨地提取在向控制電路87傳送的指令中 包含的多個代碼的電路。代碼確定電路92是將提取的代碼與與基準(zhǔn)對應(yīng)的代碼相比較以 確定指令的內(nèi)容的電路。CRC電路是基于確定的代碼檢測傳送誤差等的有無的電路。另外，要被設(shè)置的存儲電路的數(shù)量不限于一個，可以是多個。可以使用SRAM、快擦 寫存儲器、ROM或FeRAM等或在存儲元件部分中使用在以上實施方式中說明的有機(jī)化合物 層的電路。然后，將解釋本發(fā)明的可非接觸地傳送數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件的操作的例子。首先，通 過天線89接收無線電信號。無線電信號通過高頻電路81被傳送到電源電路82，并且，產(chǎn)生 高電源電勢(以下稱為VDD)。VDD被供給到在半導(dǎo)體器件80中包含的各個電路。另外，通 過高頻電路81被傳送到數(shù)據(jù)解調(diào)電路85的信號被解調(diào)(以下稱為解調(diào)信號)。并且，經(jīng) 由高頻電路81通過復(fù)位電路83和時鐘產(chǎn)生電路84傳送的信號以及解調(diào)信號被傳送給控 制電路87。傳送給控制電路87的信號通過代碼提取電路91、代碼確定電路92和CRC評價 電路93等被分析。然后，根據(jù)分析的信號，存儲在存儲電路88中的半導(dǎo)體器件的信息被輸 出。半導(dǎo)體器件的輸出信息通過輸出單元電路94被編碼。并且，半導(dǎo)體器件80的編碼信 息通過數(shù)據(jù)調(diào)制電路86作為無線電信號被天線89傳送。注意，在半導(dǎo)體器件80中包含的 多個電路中低電源電勢(以下稱為VSS)是共用的，且VSS可被設(shè)為GND。因此，可以通過從讀取器/寫入器向半導(dǎo)體器件80傳送信號并通過讀取器/寫入 器接收從半導(dǎo)體器件80傳送的信號讀取半導(dǎo)體器件的數(shù)據(jù)。另外，半導(dǎo)體器件80可以在不安裝電源(電池)的情況下通過電磁波或在安裝電源(電池)的情況下通過電磁波和電源(電池)向各個電路供給電源電壓。由于可以通過使用在以上的實施方式中示出的結(jié)構(gòu)制造可彎曲的半導(dǎo)體器件，因 此，可以通過固定在具有彎曲表面的物體之上設(shè)置半導(dǎo)體器件。然后，將解釋可非接觸地交換數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式的例子。包含顯示部 分3210的便攜式終端的側(cè)面具有讀取器/寫入器3200，并且物品3220的側(cè)面具有半導(dǎo)體 器件3230 (圖10B)。當(dāng)在在物品3220中包含的半導(dǎo)體器件3230之上保持讀取器/寫入器 3200時，在顯示部分3210上顯示諸如原材料、原產(chǎn)地、各制造過程中的檢查結(jié)果、分配的歷 史或物品的解釋的關(guān)于物品3220的信息。另外，當(dāng)通過傳輸帶運輸產(chǎn)品3260時，可以通過 使用讀取器/寫入器3240和在產(chǎn)品3260之上設(shè)置的半導(dǎo)體器件3250檢查產(chǎn)品3260 (圖 10C)。因此，通過利用用于系統(tǒng)的半導(dǎo)體器件，可以很容易地獲取信息，并且可以實現(xiàn)系統(tǒng) 的功能和附加價值的提高。如在以上的實施方式中示出的那樣，即使當(dāng)半導(dǎo)體器件被固定 到具有彎曲表面的物體上時也可防止在半導(dǎo)體器件中包含的晶體管等免受損壞，并且可提 供可靠的半導(dǎo)體器件。另外，作為可以非接觸地交換數(shù)據(jù)的以上的半導(dǎo)體器件中的信號傳送方法，可以 使用電磁耦合方法、電磁感應(yīng)方法或微波方法等?？梢钥紤]預(yù)期用途由從業(yè)者適當(dāng)?shù)剡x擇 傳送系統(tǒng)，并且可根據(jù)傳送方法設(shè)置最佳的天線。在使用例如電磁耦合方法或電磁感應(yīng)方法(例如，13. 56MHz頻帶)作為半導(dǎo)體器 件中的傳送方法的情況下，通過磁場密度的變化導(dǎo)致電磁感應(yīng)。因此，以環(huán)形形狀(例如， 環(huán)形天線)或螺旋形狀(例如，螺旋天線)形成用作天線的導(dǎo)電膜。在使用例如微波方法(例如，UHF頻帶(860 960MHz頻帶)或2. 45GHz頻帶等) 作為半導(dǎo)體器件中的信號傳送方法的情況下，可以考慮對信號傳送使用的電磁波的波長適 當(dāng)?shù)卦O(shè)定諸如天線的導(dǎo)電膜的諸如長度的形狀。例如，可以以線性形狀(例如，偶極天線 (圖12A))、平板形狀(例如，貼片天線patCh antenna (圖12B))或條帶形狀(圖12C和 圖12D)等形成用作天線的導(dǎo)電膜。用作天線的導(dǎo)電膜的形狀不限于線性形狀，并且可以考 慮電磁波的波長以曲線形狀、曲折形狀或它們的組合設(shè)置用作天線的導(dǎo)電膜。通過CVD方法、濺射方法、諸如絲網(wǎng)印刷方法或凹版印刷方法的印刷方法、液滴排 出方法、分配器方法或電鍍方法等用導(dǎo)電材料形成用作天線的導(dǎo)電膜。用鋁(Al)、鈦(Ti)、 銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鉭(Ta)和鉬(Mo)的元素或包含這些 元素作為其主要成分的合金材料或化合物材料的單層結(jié)構(gòu)或其疊層結(jié)構(gòu)等形成導(dǎo)電材料。在通過例如絲網(wǎng)印刷方法形成用作天線的導(dǎo)電膜的情況下，可以通過選擇性印刷 在有機(jī)樹脂中溶解或分散分別具有幾納米到幾十微米的粒子尺寸的導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電漿料 提供導(dǎo)電膜。作為導(dǎo)電粒子，可以使用諸如銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、鈀 (Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)和鈦(Ti)的金屬粒子中的一種或更多種、鹵化銀的微細(xì)粒子或可分 散的納米粒子。另外，作為在導(dǎo)電漿料中包含的有機(jī)樹脂，可以使用分別用作粘合劑、溶劑、 分散劑或金屬粒子的涂層的一種或多種有機(jī)樹脂。一般地，可以使用諸如環(huán)氧樹脂或硅樹 脂的有機(jī)樹脂。在形成導(dǎo)電膜的過程中，優(yōu)選在施加導(dǎo)電漿料之后執(zhí)行烘焙。例如，在使用 包含銀作為其主要成分的細(xì)粒子(其晶粒尺寸為1 IOOnm)作為導(dǎo)電漿料的材料的情況 下，可以通過在150 300°C的溫度下烘焙使導(dǎo)電漿料硬化獲得導(dǎo)電膜。作為替代方案，可 以使用包含焊料或無鉛焊料作為其主要成分的細(xì)粒子；在這種情況下，優(yōu)選使用具有20微米或更小的晶粒尺寸的細(xì)粒子。焊料或無鉛焊料具有諸如低成本的優(yōu)點。除了以上的材料以外，可以向天線施加陶瓷或鐵氧體等。并且，可以對天線施加其 介電常數(shù)和導(dǎo)磁率在微波帶中為負(fù)的材料(超材料=Hietamaterial)。在應(yīng)用電磁耦合方法或電磁感應(yīng)方法并設(shè)置包含與金屬接觸的天線的半導(dǎo)體器 件的情況下，優(yōu)選在半導(dǎo)體器件和金屬之間設(shè)置具有導(dǎo)磁性的磁性材料。在設(shè)置包含與金 屬接觸的天線的半導(dǎo)體器件的情況下，渦流伴隨磁場的變化在金屬中流動，并且由渦流產(chǎn) 生的去磁場削弱磁場的變化并減小通信距離。因此，通過在半導(dǎo)體器件和金屬之間設(shè)置具 有導(dǎo)磁性的材料，可抑制金屬的渦流和通信范圍的減小。注意，可以使用具有較高的導(dǎo)磁率 和很小的高頻波損失的鐵氧體或金屬薄膜作為磁性材料。在設(shè)置天線的情況下，可以在一個襯底之上直接形成諸如晶體管的半導(dǎo)體元件和 用作天線的導(dǎo)電膜，或者，半導(dǎo)體元件和用作天線的導(dǎo)電膜可被設(shè)置在分開的襯底之上并 然后被固定為相互電連接。注意，除了以上的應(yīng)用范圍以外，柔性半導(dǎo)體器件的應(yīng)用范圍是很寬的，并且，柔 性半導(dǎo)體器件可被應(yīng)用于任何產(chǎn)品，只要它非接觸地澄清諸如物體的歷史的信息并對于制 造或管理等是有用的。例如，半導(dǎo)體器件可被安裝到紙幣、硬幣、有價證券、證書、無記名債 券、包裝容器、書、記錄介質(zhì)、私人用品、車輛、食品、衣物、保健產(chǎn)品、日用品、藥品和電子設(shè) 備等上。將參照圖IlA IlH解釋其例子。紙幣和硬幣是在市場中分布的錢幣，并包含在特定區(qū)域有效的錢幣(代金券)和 紀(jì)念幣等。有價證券是指支票、憑證和期票等(圖11A)。證書是指駕駛員的許可證和居住 證等(圖11B)。無記名債券是指郵票、糧票和各種禮券等(圖11C)。包裝容器是指用于食 品容器等的包裝紙和塑料瓶等(圖11D)。書是指硬皮書和平裝本等(圖11E)。記錄介質(zhì) 是指DVD軟件和視頻帶等(圖11F)。車輛是指諸如自行車的有輪車輛和輪船等(圖11G)。 私人用品是指包和眼鏡等(圖11H)。食品是指食物和飲料等。衣物是指衣服和鞋襪等。保 健產(chǎn)品是指醫(yī)療器械和保健器械等。日用品是指家具和照明設(shè)備等。藥品是指醫(yī)療產(chǎn)品和 殺蟲劑等。電子設(shè)備是指液晶顯示器、EL顯示器、電視(電視機(jī)和平板屏幕電視機(jī))和蜂 窩式電話等。通過向紙幣、硬幣、有價證券、證書或無記名債券等提供半導(dǎo)體器件，可以防止偽 造。通過向包裝容器、書、記錄介質(zhì)、私人用品、食品、日用品或電子設(shè)備等提供半導(dǎo)體器件， 可以提高檢查系統(tǒng)或在租用商店中使用的系統(tǒng)等的效率。通過向車輛、保健產(chǎn)品或藥品等 提供半導(dǎo)體器件，可以防止偽造或盜竊；并且，在藥物的情況下，可以防止誤服藥物。在將半 導(dǎo)體器件安裝到以上的物品上時可將半導(dǎo)體器件固定到其表面上或嵌入其中。例如，在書 的情況下，可以將半導(dǎo)體器件嵌入一張紙中；在由有機(jī)樹脂制成的封裝的情況下，可以將半 導(dǎo)體器件嵌入有機(jī)樹脂中。通過使用柔性半導(dǎo)體器件，即使在將半導(dǎo)體器件安裝在紙等上 時也可防止在半導(dǎo)體器件內(nèi)包含的元件的破裂等。如上所述，通過向包裝容器、記錄介質(zhì)、私人用品、食品、衣物、日用品或電子設(shè)備 等提供半導(dǎo)體器件，可以提高檢查系統(tǒng)或在租用商店中使用的系統(tǒng)等的效率。另外，通過向 車輛提供半導(dǎo)體器件，可以防止偽造或盜竊。并且，通過將半導(dǎo)體器件植入諸如動物的生物 體內(nèi)，可以很容易地識別單個的生物。例如，通過將具有傳感器的半導(dǎo)體器件植入諸如家畜 的生物體內(nèi)，可以很容易地管理諸如當(dāng)前的體溫的其健康狀況以及其出生年份、性別或品
20種等。注意，在實現(xiàn)本實施例時可將其與以上的實施方式任意組合。換句話說，也可在本 實施方式中組合使用在以上的實施方式中說明的材料或形成方法，并且也可以在以上的實 施方式中組合使用在本實施方式中說明的材料或形成方法。(實施方式4)本實施方式將解釋通過使用在以上的實施方式中說明的制造方法獲得的半導(dǎo)體 器件的應(yīng)用方式的例子。具體地，將參照附圖解釋具有顯示單元的半導(dǎo)體器件。首先，作為顯示單元，將參照圖13A和圖13B解釋向像素部件提供發(fā)光元件的情 況。注意，圖13A表示表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的例子的俯視圖；圖13B表示沿線a-b和 c-d切取的圖13A的斷面圖。如圖13A所示，在本實施方式中示出的半導(dǎo)體器件包含在膜225(膜狀襯底)之 上設(shè)置的掃描線驅(qū)動器電路502、信號線驅(qū)動器電路503和像素部分504等。另外，設(shè)置膜 222 (膜狀襯底)以與膜225 —起夾住像素部分504?？梢酝ㄟ^在膜225之上形成分別具有 在以上的實施方式中示出的結(jié)構(gòu)中的任一種的薄膜晶體管設(shè)置掃描線驅(qū)動器電路502、信 號線驅(qū)動器電路503和像素部分504。掃描線驅(qū)動器電路502和信號線驅(qū)動器電路503從用作外部輸入端子的FPC(柔 性印刷電路)507接收視頻信號、時鐘信號、開始信號或復(fù)位信號等。注意，這里僅示出FPC， 但是FPC可帶有印刷布線板。另外，作為形成信號線驅(qū)動器電路503或掃描線驅(qū)動器電路 502的薄膜晶體管，可以如在以上的實施方式中示出的那樣使用層疊薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。通 過設(shè)置層疊的薄膜晶體管，信號線驅(qū)動器電路503或掃描線驅(qū)動器電路502占據(jù)的面積可 減少，因此形成的像素部分504可具有較大的面積。圖13B是沿線a-b和c-d切取的圖13A的斷面圖的示意圖。這里，示出在膜225 之上設(shè)置在信號線驅(qū)動器電路503和像素部分504中包含的薄膜晶體管的情況。形成作為 具有在以上的實施方式中示出的結(jié)構(gòu)中的任一種的η型薄膜晶體管510a和ρ型薄膜晶體 管510b的組合的CMOS電路作為信號線驅(qū)動器電路503?？梢酝ㄟ^使用CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成用來形成諸如掃描線驅(qū)動器 電路502或信號線驅(qū)動器電路503的驅(qū)動器電路的薄膜晶體管。在本實施方式中說明在膜 225之上形成諸如掃描線驅(qū)動器電路502或信號線驅(qū)動器電路503的驅(qū)動器電路的驅(qū)動器 集成(integration)類型，但是這不是必需的，也可以在膜225之外，而不是之上，形成驅(qū)動 器電路。像素部分504由分別包含發(fā)光元件516和用于驅(qū)動發(fā)光元件516的薄膜晶體管 511的多個像素形成。可將具有在以上的實施方式中示出的結(jié)構(gòu)中的任一種的薄膜晶體管 應(yīng)用于薄膜晶體管511。這里，第一電極513被設(shè)置為與與薄膜晶體管511的源極或漏極區(qū) 域連接的導(dǎo)電膜214連接，并且絕緣膜217形成為覆蓋第一電極513的端部。絕緣膜217 用作多個像素中的隔離物。作為絕緣膜217，這里使用正型光敏丙烯酸樹脂膜。為了有利于覆蓋，絕緣膜217 形成為在其上端部分或下端部分上具有曲面。例如，在使用正型光敏丙烯酸樹脂作為絕緣 膜217的材料時，絕緣膜217優(yōu)選形成為僅在上端部分上具有具有曲率半徑(0. 2 3 μ m) 的曲面。通過光照射變得不可溶于蝕刻劑中的負(fù)型或通過光照射變得可溶于蝕刻劑中的正型可被用作絕緣膜217。作為替代方案，絕緣膜217可具有諸如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、聚酰 胺、聚乙烯基苯酚、苯并環(huán)丁烯或硅氧烷樹脂的有機(jī)材料的單層結(jié)構(gòu)或它們的疊層結(jié)構(gòu)。如 在以上的實施方式中示出的那樣，可通過使絕緣膜217經(jīng)受等離子處理并氧化或氮化絕緣 膜217將絕緣膜217的表面改性以獲得致密的膜。通過將絕緣膜217的表面改性，可以提 高絕緣膜217的密度，并且可以減少諸如形成開口等時的裂紋產(chǎn)生或蝕刻時的膜縮小的物 理損傷。另外，通過將絕緣膜217的表面改性，可以提高諸如與要在絕緣膜217之上設(shè)置的 發(fā)光層514的粘接性的界面質(zhì)量。另外，在圖13A和圖13B所示的半導(dǎo)體器件中，在第一電極513之上形成發(fā)光層 514，并在發(fā)光層514之上形成515。發(fā)光元件516具有第一電極513、發(fā)光層514和第二電 極515的疊層結(jié)構(gòu)。第一電極513和第二電極515中的一個被用作陽極，另一個被用作陰極。對于陽極優(yōu)選使用具有較高的功函的材料。例如，可以使用以下的結(jié)構(gòu)諸如ITO 膜、包含硅的氧化銦錫膜、通過使用氧化銦與2 20襯％的氧化鋅(ZnO)混合的靶材通過濺 射方法形成的透明導(dǎo)電膜、氧化鋅(ZnO)膜、氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、Zn膜或Pt膜的單層膜； 氮化鈦膜和包含鋁作為其主要成分的膜的疊層；氮化鈦膜、包含鋁作為其主要成分的膜和 另一氮化鈦膜的三層結(jié)構(gòu)；等等。當(dāng)使用疊層結(jié)構(gòu)時，電極可如布線那樣具有較低的電阻并 形成有利的歐姆接點。并且，電極可用作陽極。對于陰極優(yōu)選使用具有較低的功函的材料(Al、Ag、Li、Ca或諸如MgAg、MgIn, AlLi, CaF2或Ca3N2的它們的合金)。在使得用作陰極的電極透光的情況下，優(yōu)選使用具有 較小的厚度的金屬薄膜和透明的導(dǎo)電膜(ΙΤ0膜、包含硅的氧化銦錫膜、通過使用氧化銦與 2 20襯％的氧化鋅(ZnO)混合的靶材通過濺射方法形成的透明導(dǎo)電膜或氧化鋅(ZnO) 等)的疊層作為電極。這里，通過使用具有透光性能的ITO作為陽極形成第一電極513，并且，從膜225側(cè) 引出光。注意，可以通過對第二電極515使用具有透光性能的材料從膜222側(cè)引出光，或者 可以通過用具有透光性能的材料形成第一電極513和第二電極515(該結(jié)構(gòu)被稱為雙發(fā)射) 從膜225側(cè)和膜222側(cè)引出光?？梢酝ㄟ^諸如使用蒸發(fā)掩模的汽相淀積方法、噴墨方法或旋涂方法的方法用低分 子材料、中間分子材料(包含低聚物或樹枝狀聚合物)或高分子材料(也稱為聚合物)的 單層或疊層結(jié)構(gòu)形成發(fā)光層514。注意，包含像素部分的半導(dǎo)體器件不限于以上的如上面說明的那樣在像素部分中 使用發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，并且它還包含在像素部分中使用液晶的半導(dǎo)體器件。在圖14中示出 在像素部分中使用液晶的半導(dǎo)體器件。圖14表示在像素部分中具有液晶的半導(dǎo)體器件的例子。液晶522被設(shè)置在被設(shè) 置為覆蓋導(dǎo)電膜214和第一電極513的取向膜521和被設(shè)置在膜222之上的取向膜523之 間。另外，第二電極524被設(shè)置為與膜222接觸。通過控制施加到設(shè)置在第一電極513和 第二電極524之間的液晶上的電壓、通過控制透光率顯示圖像。并且，在液晶522中設(shè)置隔 板525以控制第一電極513和第二電極524之間的距離(單元間隙)。如上所述，在本實施方式中說明的半導(dǎo)體器件中，像素部分可具有發(fā)光元件或液
下面，參照附圖解釋具有以上的像素部分的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式。作為具有以上的像素部分的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式，可給出以下的電子裝置諸 如攝像機(jī)或數(shù)字照相機(jī)的照相機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器(頭戴式顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、音頻再現(xiàn) 裝置(汽車音頻或音頻部件等)、計算機(jī)、游戲機(jī)、便攜式信息終端(移動計算機(jī)、蜂窩式電 話、便攜式游戲機(jī)或電子圖書等)和具有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置(具體而言，能夠處理諸 如數(shù)字萬用盤(DVD)的記錄介質(zhì)中的數(shù)據(jù)并具有可顯示數(shù)據(jù)的圖像的顯示器的裝置)等。 以下說明其特定的例子。圖15A表示包含主體4101、支架4102或顯示部分4103等的顯示器。通過使用可 實現(xiàn)輕薄的顯示器的柔性襯底形成顯示部分4103。另外，顯示部分4103可以是彎曲的，并 可從支架4102上被卸下，并且顯示器可沿彎曲的墻壁被安裝。因此，可以在彎曲的部分以 及平整的表面之上設(shè)置柔性顯示器，因此它可被用于各種應(yīng)用?？梢酝ㄟ^對顯示部分4103 或電路等使用在本實施方式或以上的實施方式中說明的柔性半導(dǎo)體器件制造作為本發(fā)明 的半導(dǎo)體器件的一個應(yīng)用方式的柔性顯示器。圖15B表示包含主體4201和顯示部分4202等的可卷起的顯示器。由于主體4201 和顯示部分4202是通過使用柔性襯底使用的，因此可以在彎曲或卷起的狀態(tài)中攜帶顯示 器。因此，即使在顯示器具有較大的尺寸的情況下，可以在彎曲或卷起的狀態(tài)中在袋子中攜 帶顯示器。可以通過對顯示部分4202或電路等使用在本實施方式或以上的實施方式中示 出的柔性半導(dǎo)體器件制造作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個應(yīng)用方式的柔性輕薄大尺寸顯 不器。圖15C表示包含主體4401、顯示部分4202、鍵盤4403、觸摸板4404、外部連接端口 4405和電源插頭4406等的板型計算機(jī)。通過使用可實現(xiàn)輕薄的顯示器的柔性襯底形成顯 示部分4402。另外，顯示部分4202可被卷起，并且，可通過向主體4401的一部分提供存放 空間將其存放在主體內(nèi)。并且，還通過形成柔性的鍵盤4403，鍵盤4403可以以與顯示部分 4202類似的方式被卷起并被存放在主體4401的存放空間內(nèi)，這便于隨身攜帶?？梢酝ㄟ^對 顯示部分4402或電路等使用在本實施方式或以上的實施方式中說明的柔性半導(dǎo)體器件制 造作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個應(yīng)用方式的柔性輕薄計算機(jī)。圖15D表示具有20 80英寸的大尺寸顯示部分的顯示裝置，該顯示裝置包含主 體4300、作為操作部分的鍵盤4301、顯示部分4302或揚聲器4303等。顯示部分4302是通 過使用柔性襯底形成的，并且主體4300可以在鍵盤4301被卸下的情況下在彎曲或卷起的 狀態(tài)中被攜帶。另外，可以在沒有導(dǎo)線的情況下執(zhí)行鍵盤4301和顯示部分4302之間的連 接。例如，主體4300可沿彎曲墻壁被安裝，并且可以在沒有導(dǎo)線的情況下通過鍵盤4301被 操作。在這種情況下，可以通過對顯示部分4302或電路等使用在本實施方式或以上的實施 方式中說明的柔性半導(dǎo)體器件制造作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個應(yīng)用方式的柔性輕薄 大尺寸顯示裝置。圖15E表示包含主體4501、顯示部分4502和操作鍵4503等的電子圖書。另外，可 以在主體4501中加入調(diào)制解調(diào)器。顯示部分4502是通過使用柔性襯底形成的并且可被彎 曲或卷起。因此，電子圖書可以在不占據(jù)位置的情況下被攜帶。并且，顯示部分4502可顯 示移動圖像以及諸如字符的靜態(tài)圖像?？梢酝ㄟ^對顯示部分4502或電路等使用在本實施 方式或以上的實施方式中說明的柔性半導(dǎo)體器件制造作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個應(yīng)
23用方式的柔性輕薄電子圖書。圖15F表示包含主體4601、顯示部分4602和連接端子4603等的IC卡。由于顯示 部分4602通過使用柔性襯底形成為輕薄板型，因此它可通過固定在卡表面之上形成。當(dāng)IC 卡可以非接觸地接收數(shù)據(jù)時，可以在顯示部分4602上顯示從外面獲得的信息?？梢酝ㄟ^對 顯示部分4602或電路等使用在本實施方式或以上的實施方式中說明的柔性半導(dǎo)體器件制 造作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個應(yīng)用方式的柔性輕薄IC卡。如上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的適用范圍是十分寬的，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件可 被應(yīng)用于各領(lǐng)域的電子裝置。注意，可以通過與以上的實施方式任意組合實現(xiàn)本實施方式。 換句話說，也可在本實施方式中組合使用在以上的實施方式中說明的材料或形成方法，并 且也可以在以上的實施方式中組合使用在本實施方式中說明的材料或形成方法。本申請基于在2005年9月30日在日本專利局提交的日本專利申請 No. 2005-288141，在此加入其全部內(nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體器件，包括第一膜；包含夾設(shè)在多個絕緣膜之間的薄膜晶體管的元件組；以及覆蓋所述元件組的上表面和側(cè)表面的第二膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一膜包含聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟乙 烯、聚氯乙烯、以及纖維材料的紙中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二膜包含聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟乙 烯、聚氯乙烯、以及纖維材料的紙中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件是RFID標(biāo)簽、ID標(biāo)簽、IC標(biāo) 簽、IC芯片、RF標(biāo)簽、無線標(biāo)簽、電子標(biāo)簽以及無線芯片中的一種。
5.一種半導(dǎo)體器件，包括第一膜；包含夾設(shè)在多個絕緣膜之間的薄膜晶體管的元件組；以及在所述元件組的上方的第二膜，其中，所述第二膜的一部分與所述第一膜接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一膜包含聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟乙 烯、聚氯乙烯、以及纖維材料的紙中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二膜包含聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟乙 烯、聚氯乙烯、以及纖維材料的紙中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件是RFID標(biāo)簽、ID標(biāo)簽、IC標(biāo) 簽、IC芯片、RF標(biāo)簽、無線標(biāo)簽、電子標(biāo)簽以及無線芯片中的一種。
9.一種半導(dǎo)體器件，包括第一膜；包含夾設(shè)在多個絕緣膜之間的薄膜晶體管的元件組；以及覆蓋所述元件組的上表面和側(cè)表面的第二膜，其中，所述第一膜的側(cè)表面與所述第二 膜的側(cè)表面對齊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一膜包含聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟 乙烯、聚氯乙烯、以及纖維材料的紙中的至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二膜包含聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟 乙烯、聚氯乙烯、以及纖維材料的紙中的至少一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件是RFID標(biāo)簽、ID標(biāo)簽、IC標(biāo) 簽、IC芯片、RF標(biāo)簽、無線標(biāo)簽、電子標(biāo)簽以及無線芯片中的一種。
13.一種半導(dǎo)體器件，包括第一膜；包含夾設(shè)在多個絕緣膜之間的薄膜晶體管的元件組；以及在所述元件組的上方的第二膜，其中，所述第二膜的一部分與所述第一膜接觸，且所述 第一膜的側(cè)表面與所述第二膜的側(cè)表面對齊。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一膜包含聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟 乙烯、聚氯乙烯、以及纖維材料的紙中的至少一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二膜包含聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟乙烯、聚氯乙烯、以及纖維材料的紙中的至少一種。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件是RFID標(biāo)簽、ID標(biāo)簽、IC 標(biāo)簽、IC芯片、RF標(biāo)簽、無線標(biāo)簽、電子標(biāo)簽以及無線芯片中的一種。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，即使在支撐襯底之上形成半導(dǎo)體元件之后減薄或去除支撐襯底的情況下，也防止半導(dǎo)體元件受損并提高其生產(chǎn)速度。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法包括以下步驟在襯底的上表面之上形成多個元件組；形成絕緣膜以覆蓋多個元件組；選擇性地在位于在多個元件組中的兩個相鄰的元件組之間的區(qū)域中的絕緣膜中形成開口以露出襯底；形成第一膜以覆蓋絕緣膜和開口；通過去除襯底露出元件組；形成第二膜以覆蓋露出的元件組的表面；和在多個元件組之間切斷以不露出絕緣膜。
文檔編號H01L27/12GK101916763SQ20101023724
公開日2010年12月15日 申請日期2006年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者渡邊了介 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所