專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)是利用模鑄(molding)的技術(shù)，直接于基板上形成封裝體。在其封裝體形成過程中，需要制作模具以固定封裝體的形狀，然后將熔融的液態(tài)塑料注入模具中，待塑料冷卻固化后再移除模具以形成預(yù)期的結(jié)構(gòu)。由于在封裝體形成過程中，封裝體成型模具需與熔融的液態(tài)塑料直接接觸，因此，該成型模具需要采用耐高溫材料制成， 從而增加了發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造成本。此外，制作模具以及成型封裝體的制程時(shí)間冗長，且模具移除時(shí)常會(huì)造成封裝體結(jié)構(gòu)碎裂，而導(dǎo)致制程良率不佳的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種制造成本較低的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及制造方法。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括基座、發(fā)光二極管芯片、封裝體及擋墻。所述基座包括一第一表面及與所述第一表面相對的第二表面。所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置于所述第一表面上。所述擋墻設(shè)置于所述基座的第一表面上且環(huán)繞發(fā)光二極管芯片，該擋墻與基座一同形成一容置空間，所述封裝體形成于所述容置空間中，所述擋墻由熱固性樹脂制成。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟提供一基座，該基座包括一第一表面及與所述第一表面相對的第二表面；在所述基座的第一表面上貼設(shè)發(fā)光二極管芯片，并形成擋墻環(huán)繞所述發(fā)光二極管芯片，該擋墻采用熱固性樹脂制成，其與所述基座一同形成一容置空間；及在所述容置空間中形成一封裝體以包覆所述發(fā)光二極管芯片。本發(fā)明實(shí)施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法中，通過采用熱固性樹脂來形成擋墻以固定第一封裝體的形狀，從而無需采用耐高溫模具來固定封裝體的形狀， 大大降低發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造成本及節(jié)省制程時(shí)間。


圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖視圖。圖2是圖1中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法示意圖。圖3是本發(fā)明第二實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖視圖。圖4是圖3中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法示意圖。圖5是本發(fā)明第三實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖視圖。圖6是圖5中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法示意圖。主要元件符號說明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu) 10，20，30基座11
3容置空間

具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。請參閱圖1，本發(fā)明第一實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10包括基座 11、發(fā)光二極管芯片12、第一封裝體13及擋墻14。所述基座11包括絕緣基板111、第一電極112及第二電極113。所述基座11具有一第一表面114及與所述第一表面114相對的第二表面115。所述第一電極112及第二電極113均從基座11的第一表面114延伸到第二表面115，從而便于發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10 采用表面貼裝的方式安裝到一電路板(圖未示)上。所述絕緣基板111的材料可選自塑料、硅或陶瓷等。優(yōu)選地，所述絕緣基板111采用高導(dǎo)熱且電絕緣材料制成，該高導(dǎo)熱且電絕緣材料可選自環(huán)氧樹脂、硅氧烷樹脂、氮化鋁、氧化鋁、硅以及氧化硅中的一種或幾種的混合。所述第一電極112和第二電極113可采用金屬或金屬合金制成，如氧化銦錫(ITO)、 銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鋁(Al)、錫(Sn)、金(Au)等中的一種或幾種的合金(alloy)。所述發(fā)光二極管芯片12貼設(shè)于所述基座11的第一表面114上，且與所述第一電極112及第二電極113電連接。具體地，所述發(fā)光二極管芯片12共晶、打線或覆晶的方式與所述第一電極112及第二電極113電連接。本實(shí)施方式中，所述發(fā)光二極管芯片12采用打線的方式與所述第一電極112及第二電極113電連接。所述擋墻14環(huán)繞發(fā)光二極管芯片12設(shè)置于基座11上，并與基座11 一同形成一個(gè)容置空間141 (請參閱圖2)。該擋墻14的材料為熱固性樹脂，如熱固性環(huán)氧樹脂、熱固性娃樹脂等中的一種或幾種的混合。為提高擋墻14的固化速度，可在上述擋墻14的材料中適當(dāng)添加一些固著劑。所述擋墻14還可摻雜一些反射材料粒子，如二氧化鈦粒子等，使得擋墻14具有反射功能。所述第一封裝體13填充于所述容置空間141中，用于保護(hù)發(fā)光二極管芯片12免受灰塵、水氣等影響。本實(shí)施方式中，所述第一封裝體13內(nèi)摻雜有熒光粉，所述熒光粉可選自石榴石結(jié)構(gòu)的化合物、氮化物、氮氧化物、硫化物及硅酸鹽中的一種或幾種的組合。請參閱圖2，所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10的制造方法包括以下步驟步驟一，提供基座11。所述基座11包括絕緣基板111、第一電極112及第二電極
發(fā)光二極管芯片第一封裝體擋墻反射杯第二封裝體焚光粉層絕緣基板第一電極第二電極第一表面第二表面113。所述基座11具有一第一表面114及與所述第一表面114相對的第二表面115。步驟二，在所述基座11上貼設(shè)發(fā)光二極管芯片12，并將發(fā)光二極管芯片12與所述基座11上的第一電極112和第二電極113電連接。具體地，所述發(fā)光二極管芯片12共晶、 打線或覆晶的方式與所述第一電極112及第二電極113電連接。步驟三，在所述基座11上環(huán)繞所述發(fā)光二極管芯片12形成擋墻14，該擋墻14與所述基座11 一同形成容置空間141。所述擋墻14可采用涂鍍、點(diǎn)膠、印刷、鑄造及熱壓合等方式形成在所述基座11上。當(dāng)形成擋墻14的熱固性樹脂在液態(tài)時(shí)的粘度大于300帕.秒 (Pa. s)時(shí)，由于粘度高且流動(dòng)性較低，所述熱固性樹脂可直接采用點(diǎn)膠的方式涂布在基座 11上，然后，通過加熱固化形成擋墻14。上述步驟二和步驟三的順序可以調(diào)換，即先在所述基座11上環(huán)繞所述發(fā)光二極管芯片12欲貼設(shè)區(qū)域形成擋墻14，然后再將發(fā)光二極管芯片 12貼設(shè)到基座11上。步驟四，在所述容置空間141中形成第一封裝體13。所述第一封裝體13可通過射出(injection molding)成型或轉(zhuǎn)注成型(transfer molding)的方法形成在所述容置空間141中。所述第一封裝體13內(nèi)可摻雜有熒光粉，所述熒光粉可選自石榴石結(jié)構(gòu)的化合物、氮化物、氮氧化物、硫化物及硅酸鹽中的一種或幾種的組合。本實(shí)施方式中，所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中采用晶圓級封裝的方式同時(shí)形成多個(gè)所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10。然而，亦可以將多個(gè)發(fā)光二極管芯片12設(shè)置于發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10內(nèi)，以形成多晶粒的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10。本實(shí)施方式中，所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10的制造方法還包括步驟五，即切割分離所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10。請參閱圖3，本發(fā)明第二實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)20與第一實(shí)施方式中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10相似，二者區(qū)別在于，所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)20進(jìn)一步包括一環(huán)繞所述擋墻14設(shè)置的反射杯21，以及填充在反射杯21內(nèi)包覆所述擋墻14及第一封裝體13的第二封裝體22。該反射杯21用于將發(fā)光二極管芯片12照射到其上的光反射出發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)20。本實(shí)施方式中，所述反射杯21的高度大于擋墻14的高度。并且所述反射杯21的材質(zhì)可以與擋墻14的材質(zhì)相同。請參閱圖4，所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)20的制造方法與第一實(shí)施方式中提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10的制造方法相似，二者區(qū)別在于，所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)20的制造方法進(jìn)一步包括步驟六，在所述基座11上環(huán)繞所述擋墻14形成反射杯21，其中反射杯21 的材質(zhì)可以與擋墻14的材質(zhì)相同，并且反射杯21形成的方法可以與前述擋墻14形成的方式相同；及步驟七，在所述反射杯21內(nèi)形成第二封裝體22以包覆所述擋墻14及第一封裝體13。請參閱圖5，本發(fā)明第三實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)30與第二實(shí)施方式中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)20相似，二者區(qū)別在于，所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)30中的第一封裝體13中沒有摻雜有熒光粉，而是在第一封裝體13的遠(yuǎn)離基座11的頂面形成有一熒光粉層31。所述第二封裝體22包覆所述擋墻14及熒光粉層31。請參閱圖6，所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)30的制造方法與第二實(shí)施方式中提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)20的制造方法相似，二者區(qū)別在于，所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)30的制造過程中，在形成第二封裝體22之前，還包括步驟八在第一封裝體13形成遠(yuǎn)離基座11的頂面形成熒光粉層31。本發(fā)明實(shí)施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法中，通過采用熱固性樹脂來形成擋墻以固定第一封裝體的形狀，從而無需采用耐高溫模具來固定封裝體的形狀， 大大降低發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造成本及節(jié)省制程時(shí)間。可以理解的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它各種像應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括基座、發(fā)光二極管芯片、封裝體及擋墻，所述基座包括一第一表面及與所述第一表面相對的第二表面，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置于所述第一表面上，其特征在于，還包括一設(shè)置于所述基座的第一表面上且環(huán)繞發(fā)光二極管芯片的擋墻，該擋墻與基座一同形成一容置空間，所述封裝體形成于所述容置空間中，所述擋墻由熱固性樹脂制成。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述熱固性樹脂選自熱固性環(huán)氧樹脂、熱固性硅樹脂中的一種或兩種的混合。
3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述封裝體內(nèi)摻雜有熒光粉。
4.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括一環(huán)繞所述擋墻設(shè)置的反射杯。
5.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述封裝體的遠(yuǎn)離基座的頂面形成有一熒光粉層。
6.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟 提供一基座，該基座包括一第一表面及與所述第一表面相對的第二表面；在所述基座的第一表面上貼設(shè)發(fā)光二極管芯片，并形成擋墻環(huán)繞所述發(fā)光二極管芯片，該擋墻采用熱固性樹脂制成，其與所述基座一同形成一容置空間；及在所述容置空間中形成一封裝體以包覆所述發(fā)光二極管芯片。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述擋墻采用涂鍍、點(diǎn)膠、印刷、鑄造或熱壓合方式形成在所述基座上。
8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法還包括步驟在所述基座上環(huán)繞所述擋墻形成一反射杯。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述反射杯采用熱固性樹脂制成，且使用涂鍍、點(diǎn)膠、印刷、鑄造或熱壓合方式形成。
10.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法還包括步驟在所述發(fā)光二極管芯片上形成一熒光粉層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括基座、發(fā)光二極管芯片、封裝體及擋墻。所述基座包括一第一表面及與所述第一表面相對的第二表面。所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置于所述第一表面上。所述擋墻設(shè)置于所述基座的第一表面上且環(huán)繞發(fā)光二極管芯片，該擋墻與基座一同形成一容置空間，所述封裝體形成于所述容置空間中，所述擋墻由熱固性樹脂制成。本發(fā)明還涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
文檔編號H01L33/54GK102347418SQ20101024230
公開日2012年2月8日 申請日期2010年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月2日
發(fā)明者林升柏 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司