專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，特別涉及一種半導(dǎo)體器件的制作方法。
背景技術(shù)：
圖1 圖17為現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體器件的制作方法的過程剖面示意圖，該方法主要包括步驟101，參見圖1，提供一半導(dǎo)體襯底1001，在半導(dǎo)體襯底1001上形成N阱1002、 P阱1003以及淺溝槽隔離區(qū)(STI) 1004。首先，采用雙阱工藝來定義N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)管和P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)管的有源區(qū)，從而得到N阱1002和P阱1003，然后，通過光刻以及刻蝕等工藝， 在半導(dǎo)體襯底1001上形成STI 1004，STI1004用于電絕緣所形成的NMOS管和PMOS管的有源區(qū)。步驟102，參見圖2，在半導(dǎo)體襯底1001表面生長柵氧化層和沉積多晶硅，并利用光刻、刻蝕和離子注入等工藝在P阱1003上方形成NMOS管的柵極結(jié)構(gòu)1005，在N阱1002 上方形成PMOS管的柵極結(jié)構(gòu)1005。本步驟中，首先進行柵氧化層的生長；然后，通過化學(xué)氣相沉積工藝，在晶片表面沉積一層多晶硅，厚度約為500至2000埃；之后，通過光刻、刻蝕和離子注入等工藝，制作出 NMOS管和PMOS管的柵極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所述柵極結(jié)構(gòu)包括由多晶硅構(gòu)成的柵極和位于柵極下方的柵氧化層。至此，完成了柵極結(jié)構(gòu)的制作。步驟103，參見圖3，旋涂光阻膠(PR) 1006，在I3R 1006之上施加第一掩膜版(圖未示出)，并進行曝光、顯影，從而形成第一光刻圖案，其中，曝光、顯影后保留的I3R 1006覆蓋在PMOS管的表面，匪OS管的表面暴露出來。步驟104，參見圖4，進行輕摻雜漏(LDD)注入，在NMOS管柵極結(jié)構(gòu)1005兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底1001上形成輕摻雜漏極1007和輕摻雜源極1008。注入的離子為N型元素，例如磷或砷。在半導(dǎo)體器件微型化、高密度化、高速化和系統(tǒng)集成化等需求的推動下，柵極結(jié)構(gòu)的寬度不斷減小，其下方的溝道長度也不斷減小，然而漏端的電壓并沒有顯著減小，這就造成了在漏端的電場的增加，使得附近的電荷具有較大的能量，這些熱載流子有可能穿越柵氧化層，引起了漏電流的增加，因此，需要采用一些手段來降低漏電流出現(xiàn)的可能性，如LDD注入。步驟105，參見圖5，灰化I3R 1006，將第一光刻圖案剝離。采用氧氣(O2)灰化PR 1006，氧氣與I3R 1006發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，可將冊1006去除。步驟106，參見圖6，旋涂I3R 1006，在I3R 1006之上施加第二掩膜版(圖未示出)，
并進行曝光、顯影，從而形成第二光刻圖案，其中，曝光、顯影后保留的I3R 1006覆蓋NMOS管表面，PMOS管的表面暴露出來。
步驟107，參見圖7，進行輕摻雜漏LDD注入，在PMOS管柵極結(jié)構(gòu)1005兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底1001上形成輕摻雜漏極1007和輕摻雜源極1008。注入的離子為P型元素，例如硼或銦。至此，完成了 NMOS管和PMOS管的輕摻雜漏極1007和輕摻雜源極1008的制作。步驟108，參見圖8，灰化I3R 1006，將第二光刻圖案剝離后，在半導(dǎo)體襯底1001表面和柵極結(jié)構(gòu)1005表面依次沉積二氧化硅(SiO2) 1009和氮化硅(Si3N4) 1010，并采用各向異性干法刻蝕刻蝕半導(dǎo)體襯底1001表面和柵極結(jié)構(gòu)1005上表面的氮化硅1010，采用濕法刻蝕工藝刻蝕半導(dǎo)體襯底1001表面的二氧化硅1009，形成NMOS管和PMOS管的柵極結(jié)構(gòu) 1005的側(cè)壁層。其中，側(cè)壁層包括第一側(cè)壁層和第二側(cè)壁層，第一側(cè)壁層為刻蝕后的二氧化硅 1009，第二側(cè)壁層為刻蝕后的氮化硅1010。側(cè)壁層可用于防止后續(xù)進行源漏注入時過于接近溝道以致發(fā)生源漏穿通，即注入的雜質(zhì)發(fā)生擴散從而產(chǎn)生漏電流。至此，完成了側(cè)壁層的制作。
步驟109，參見圖9，旋涂I3R 1006，在I3R 1006之上施加第三掩膜版(圖未示出)，
并進行曝光、顯影，從而形成第三光刻圖案，其中，曝光、顯影后保留的I3R 1006覆蓋在PMOS 管的表面，NMOS管的表面暴露出來。步驟110，參見圖10，進行離子注入，從而形成NMOS管的漏極1011和源極1012。注入的離子為N型元素，例如磷或砷，N型離子注入后形成的結(jié)深比步驟104中進行LDD注入后形成的結(jié)深略大。需要說明的是，由于側(cè)壁層可作為柵極結(jié)構(gòu)1005的保護層，因此注入的離子難以進入柵極，從而僅對柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底1001實現(xiàn)了注入，并最終形成漏極1011和源極 1012。步驟111，參見圖11，灰化PR 1006，將第三光刻圖案剝離。步驟112，參見圖12，旋涂I3R 1006，在I3R 1006之上施加第四掩膜版(圖未示出)， 并進行曝光、顯影，從而形成第四光刻圖案，其中，曝光、顯影后保留的I3R 1006覆蓋NMOS管表面，PMOS管的表面暴露出來。步驟113，參見圖13，進行離子注入，從而形成PMOS管的漏極1011和源極1012。注入的離子為P型元素，例如硼或銦，P型離子注入后形成的結(jié)深比步驟107中進行LDD注入后形成的結(jié)深略大。步驟114，參見圖14，灰化I3R 1006，將第四光刻圖案剝離。至此，完成了 NMOS管和PMOS管的漏極、源極的制作。步驟115，參見圖15，在半導(dǎo)體襯底1001表面和第二側(cè)壁層表面沉積氮化硅，形成接觸孔刻蝕停止層1013。在實際應(yīng)用中，如圖15的上圖所示，由于接觸孔刻蝕停止層1013在NMOS管和 PMOS管的柵極結(jié)構(gòu)之間會形成向下的凹陷區(qū)域，該凹陷區(qū)域具有比較大的縱橫比(也可稱為高寬比)，當(dāng)后續(xù)沉積介質(zhì)層時，很容易在凹陷區(qū)域的底部形成真空區(qū)域，真空區(qū)域通常為一空洞，當(dāng)進行金屬互連而形成接觸孔時，空洞的存在有可能會使得所定義的接觸孔的區(qū)域擴大。
在現(xiàn)有技術(shù)中，為了避免空洞的產(chǎn)生，通常采用的方法是減小接觸孔刻蝕停止層 1013的厚度，盡量使得接觸孔刻蝕停止層1013的厚度比較薄，如圖15A的下圖所示，以此來降低該凹陷區(qū)域的縱橫比，從而不易在溝槽底部形成真空區(qū)域，能夠避免沉積介質(zhì)層時形成空洞。 步驟116，參見圖16，在接觸孔刻蝕停止層1013之上沉積介質(zhì)層1014。介質(zhì)層1014為絕緣材料，通常為二氧化硅。步驟116，參見圖17，依次對介質(zhì)層1014和接觸孔刻蝕停止層1013刻蝕，形成接觸孔1015。至此，本流程結(jié)束。然而，在上述步驟115中，由于接觸孔刻蝕停止層1013的厚度比較薄，如果介質(zhì)層1014和接觸孔刻蝕停止層1013具有比較低的刻蝕選擇比，則在步驟116中，當(dāng)對介質(zhì)層 1014進行刻蝕時，很容易直接刻蝕到接觸孔刻蝕停止層1013并繼續(xù)向刻蝕停止層1013的下方進行刻蝕，從而對接觸孔1015下方的柵極結(jié)構(gòu)造成損傷，可見，為了避免對半導(dǎo)體器件造成損傷，在接觸孔刻蝕停止層1013的厚度比較薄的前提下，要求介質(zhì)層1014和接觸孔刻蝕停止層1013具有較高的刻蝕選擇比，然而現(xiàn)有技術(shù)還沒有相應(yīng)的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，能夠避免刻蝕接觸孔時對半導(dǎo)體器件造成損傷。為達到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的一種半導(dǎo)體器件的制作方法，該方法包括在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成用于隔離P型金屬氧化物半導(dǎo)體PMOS管和N型金屬氧化物半導(dǎo)體NMOS管的淺溝槽隔離區(qū)STI，并在半導(dǎo)體襯底表面形成NMOS管和PMOS管的柵極結(jié)構(gòu)；分別向PMOS管和NMOS管的柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底進行輕摻雜漏LDD注入， 在PMOS管和匪OS管的柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成PMOS管和匪OS管的輕摻雜漏極、PMOS管和匪OS 管的輕摻雜源極；分別在PMOS管和NMOS管的柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)壁層；分別向PMOS管和NMOS管的側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底進行離子注入，在PMOS管和 NMOS管的側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成PMOS管和NMOS管的輕摻雜漏極、PMOS管和NMOS 管的輕摻雜源極；在半導(dǎo)體襯底表面、匪OS管和PMOS管的柵極結(jié)構(gòu)上表面以及匪OS管和PMOS管的柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁層表面沉積接觸孔刻蝕停止層，所述接觸孔刻蝕停止層為摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳或無定形碳；在接觸孔刻蝕停止層之上沉積介質(zhì)層，并在介質(zhì)層之上旋涂光阻膠PR，對PR進行曝光、顯影，形成光刻圖案；按照光刻圖案對介質(zhì)層進行刻蝕，并停止于接觸孔刻蝕停止層的上表面面，形成一溝槽；對所述光刻圖案和所述溝槽中的接觸孔刻蝕停止層進行灰化，形成接觸孔。
所述沉積接觸孔刻蝕停止層的方法為采用化學(xué)氣相沉積CVD沉積摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳或無定形碳。所述接觸孔刻蝕停止層的厚度為200埃至500埃。所述灰化的方法包括采用氧氣O2流對ra和所述溝槽中的接觸孔刻蝕停止層進行灰化。所述氧氣流的流量為300標(biāo)況毫升每分至1000標(biāo)況毫升每分，所述灰化的壓力為 20豪托至50豪托，所述灰化的功率為100瓦特至500瓦特。在本發(fā)明所提供的一種半導(dǎo)體器件的制作方法中，接觸孔刻蝕停止層為摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳或無定形碳，然后在接觸孔刻蝕停止層之上沉積介質(zhì)層，并對介質(zhì)層進行刻蝕且停止于接觸孔刻蝕停止層的上表面，形成一溝槽，最后對接觸孔刻蝕停止層進行灰化，形成接觸孔，可見，由于介質(zhì)層相比于摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、 摻氯無定形碳或無定形碳具有很高的刻蝕選擇比，可將摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳或無定形碳作為接觸孔刻蝕停止層的主要成分，這樣，當(dāng)對介質(zhì)層進行刻蝕時，對接觸孔刻蝕停止層的損傷比較小，更避免了向接觸孔刻蝕停止層下方進行刻蝕，從而避免對半導(dǎo)體器件造成損傷。另外，摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳和無定形碳還具有可灰化的特性，因此，將摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳或無定形碳作為接觸孔刻蝕停止層的主要成分后，可在對用于光刻接觸孔的I3R進行灰化時，一并將接觸孔刻蝕停止層灰化，且灰化過程不會對接觸孔刻蝕停止層下方的半導(dǎo)體器件造成損傷。


圖1 圖17為現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體器件的制作方法的過程剖面示意圖。圖18為本發(fā)明所提供的一種半導(dǎo)體器件的制作方法的流程圖。圖19 圖37為本發(fā)明所提供的一種半導(dǎo)體器件的制作方法的實施例的過程剖面示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下參照附圖并舉實施例，對本發(fā)明所述方案作進一步地詳細(xì)說明。本發(fā)明的核心思想為由于介質(zhì)層相比于摻硼無定形碳(Boron DopedAmorphous Carbon)、慘氟無定形碳(Fluorin Doped Amorphous Carbon)、慘氯無定形碳(Chlorine Doped Amorphous Carbon)或無定形碳(Amorphous Carbon)具有很高的刻蝕選擇比，可將摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳或無定形碳作為接觸孔刻蝕停止層的主要成分，這樣，當(dāng)對介質(zhì)層進行刻蝕時，對接觸孔刻蝕停止層的損傷比較小，更避免了向接觸孔刻蝕停止層下方進行刻蝕，從而避免對半導(dǎo)體器件造成損傷。進一步地，摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳和無定形碳還具有可灰化的特性，因此，將摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳或無定形碳作為接觸孔刻蝕停止層的主要成分后，可在對用于光刻接觸孔的I3R進行灰化時，一并將接觸孔刻蝕停止層灰化，且灰化過程不會對接觸孔刻蝕停止層下方的半導(dǎo)體器件造成損傷。
圖18為本發(fā)明所提供的一種半導(dǎo)體器件的制作方法的流程圖。如圖18所示，該方法包括以下步驟步驟11，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成用于隔離PMOS管和NMOS管的STI，并在半導(dǎo)體襯底表面形成NMOS管和PMOS管的柵極結(jié)構(gòu)。步驟12，分別向PMOS管和NMOS 管的柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底進行LDD注入，在 PMOS管和匪OS管的柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成PMOS管和匪OS管的輕摻雜漏極、PMOS管和匪OS管的輕摻雜源極。步驟13，分別在PMOS管和NMOS管的柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)壁層。步驟14，分別向PMOS管和NMOS管的側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底進行離子注入，在 PMOS管和NMOS管的側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成PMOS管和NMOS管的輕摻雜漏極、PMOS 管和NMOS管的輕摻雜源極。步驟15，在半導(dǎo)體襯底表面、NMOS管和PMOS管的柵極結(jié)構(gòu)上表面以及NMOS管和 PMOS管的柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁層表面沉積接觸孔刻蝕停止層，所述接觸孔刻蝕停止層為摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳或無定形碳。步驟16，在接觸孔刻蝕停止層之上沉積介質(zhì)層，并在介質(zhì)層之上旋涂PR，對ra進行曝光、顯影，形成光刻圖案。步驟17，按照光刻圖案對介質(zhì)層進行刻蝕，并停止于接觸孔刻蝕停止層的表面， 形成一溝槽。步驟18，對光刻圖案和溝槽中的接觸孔刻蝕停止層進行灰化，形成接觸孔。至此，本流程結(jié)束。下面通過一個實施例對本發(fā)明進行詳細(xì)說明。圖19 圖37為本發(fā)明所提供的一種半導(dǎo)體器件的制作方法的實施例的過程剖面示意圖，該方法主要包括步驟201，參見圖19，提供一半導(dǎo)體襯底1001，在半導(dǎo)體襯底1001上形成N阱 1002、P 阱 1003 以及 STI 1004。步驟202，參見圖20，在半導(dǎo)體襯底1001表面生長柵氧化層和沉積多晶硅，并利用光刻、刻蝕和離子注入等工藝在P阱1003上方形成NMOS管的柵極結(jié)構(gòu)1005，在N阱1002 上方形成PMOS管的柵極結(jié)構(gòu)1005。步驟203，參見圖21，旋涂I3R 1006，在I3R 1006之上施加第一掩膜版(圖未示出)， 并進行曝光、顯影，從而形成第一光刻圖案，其中，曝光、顯影后保留的I3R 1006覆蓋在PMOS 管的表面，NMOS管的表面暴露出來。步驟204，參見圖22，進行LDD注入，在NMOS管柵極結(jié)構(gòu)1005兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底 1001上形成輕摻雜漏極1007和輕摻雜源極1008。步驟205，參見圖23，灰化I3R 1006，將第一光刻圖案剝離。步驟206，參見圖24，旋涂I3R 1006，在I3R 1006之上施加第二掩膜版(圖未示出)， 并進行曝光、顯影，從而形成第二光刻圖案，其中，曝光、顯影后保留的I3R 1006覆蓋NMOS管表面，PMOS管的表面暴露出來。步驟207，參見圖25，進行輕摻雜漏LDD注入，在PMOS管柵極結(jié)構(gòu)1005兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底1001上形成輕摻雜漏極1007和輕摻雜源極1008。
步驟208，參見圖26，在半導(dǎo)體襯底1001表面和柵極結(jié)構(gòu)1005表面依次沉積二氧化硅1009和氮化硅1010，并采用各向異性干法刻蝕工藝刻蝕半導(dǎo)體襯底1001表面和柵極結(jié)構(gòu)1005上表面的氮化硅1010，采用濕法刻蝕工藝刻蝕半導(dǎo)體襯底1001表面的二氧化硅 1009，形成NMOS管和PMOS管的柵極結(jié)構(gòu)1005的側(cè)壁層。其中，側(cè)壁層包括第一側(cè)壁層和第二側(cè)壁層，第一側(cè)壁層為刻蝕后的二氧化硅 1009，第二側(cè)壁層為刻蝕后的氮化硅1010。進一步地，還可在形成第二側(cè)壁層后，沉積二氧化硅(圖未示出)，沉積后的二氧化硅覆蓋半導(dǎo)體襯底1001表面和第二側(cè)壁層的表面，然后再對所沉積的二氧化硅進行濕法刻蝕，形成第三側(cè)壁層。 步驟209，參見圖27，旋涂I3R 1006，在I3R 1006之上施加第三掩膜版(圖未示出)， 并進行曝光、顯影，從而形成第三光刻圖案，其中，曝光、顯影后保留的PR 1006覆蓋在PMOS 管的表面，NMOS管的表面暴露出來。步驟210，參見圖28，進行離子注入，從而形成NMOS管的漏極1011和源極1012。步驟211，參見圖29，灰化I3R 1006，將第三光刻圖案剝離。步驟212，參見圖30，旋涂I3R 1006，在I3R 1006之上施加第四掩膜版(圖未示出)， 并進行曝光、顯影，從而形成第四光刻圖案，其中，曝光、顯影后保留的I3R 1006覆蓋NMOS管表面，PMOS管的表面暴露出來。步驟213，參見圖31，進行離子注入，從而形成PMOS管的漏極1011和源極1012。步驟214，參見圖32，灰化I3R 1006，將第四光刻圖案剝離。
上述步驟與現(xiàn)有技術(shù)相同，不再詳述。步驟215，參見圖33，在半導(dǎo)體襯底1001表面、NMOS管和PMOS管的柵極結(jié)構(gòu)1005 上表面以及NMOS管和PMOS管的柵極結(jié)構(gòu)1005兩側(cè)的側(cè)壁層表面沉積摻硼無定形碳，將摻硼無定形碳作為接觸孔刻蝕停止層1013。沉積摻硼無定形碳的方法為化學(xué)氣相沉積(CVD)。在實際應(yīng)用中，介質(zhì)層的主要成分為二氧化硅，當(dāng)后續(xù)形成接觸孔而對介質(zhì)層進行干法刻蝕的主要氣體為八氟化丁烷(C4F8),已有實驗表明，針對C4F8，二氧化硅相比于摻硼無定形碳具有很高的刻蝕選擇比，可將摻硼無定形碳作為接觸孔刻蝕停止層的主要成分，這樣，當(dāng)對介質(zhì)層進行刻蝕時，不易刻蝕接觸孔刻蝕停止層，更避免了向接觸孔刻蝕停止層下方進行刻蝕，從而避免對半導(dǎo)體器件造成損傷。優(yōu)選地，摻硼無定形碳的厚度為200埃至500埃。另外，摻氟無定形碳、摻氯無定形碳和無定型碳具有與摻硼無定形碳相同的特性， 介質(zhì)層的材料相比于摻氟無定形碳、摻氯無定形碳或無定型碳也具有很高的刻蝕選擇比， 也可將摻氟無定形碳、摻氯無定形碳或無定形碳作為接觸孔刻蝕停止層的主要成分。步驟216，參見圖34，在接觸孔刻蝕停止層1013之上沉積介質(zhì)層1014。介質(zhì)層1014的成分與現(xiàn)有技術(shù)相同，通常為二氧化硅。沉積介質(zhì)層的方法為CVD。優(yōu)選地，介質(zhì)層1014的厚度為2000埃至4000埃。步驟217，參見圖35，旋涂I3R 1006，在I3R 1006之上施加第五掩膜版(圖未示出)，
并進行曝光、顯影，從而形成第五光刻圖案。
其中，第五光刻圖案用于定義接觸孔的刻蝕圖案。步驟218，參見圖36，按照第五光刻圖案對介質(zhì)層1014進行刻蝕，并停止于接觸孔刻蝕停止層1013的表面，形成一溝槽。刻蝕的方法為采用C4F8對介質(zhì)層1014進行干法刻蝕。在本步驟中，當(dāng)刻蝕至介質(zhì)層1014與摻硼無定形碳的交界面時，由于介質(zhì)層1014 與摻硼無定形碳具有很高的選擇比，則不會對摻硼無定形碳進行刻蝕，更不會刻蝕至摻硼無定形碳下方的半導(dǎo)體器件。 步驟219，參見圖37，對I3R 1006和溝槽中的接觸孔刻蝕停止層1013進行灰化，形成接觸孔1015。摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳和無定形碳還具有可灰化的特性，可在對ra 1006進行灰化時，一并將接觸孔刻蝕停止層1013灰化，與現(xiàn)有技術(shù)相比，省略了對接觸孔刻蝕停止層1013專門進行刻蝕的步驟，節(jié)省了流程。而且灰化過程不會對接觸孔刻蝕停止層1013下方的半導(dǎo)體器件造成損傷，也避免了對半導(dǎo)體器件的損傷。優(yōu)選地，可采用氧氣(O2)流對PR 1006和接觸孔刻蝕停止層1013進行灰化，其中， 氧氣流的流量為300標(biāo)況毫升每分(sccm)至1000標(biāo)況毫升每分(sccm)，氣壓為20豪托 Ontor)至50豪托(mtor)，灰化的功率為100瓦特(W)至500瓦特(W)。最終，刻蝕后的介質(zhì)層1014以及灰化后的接觸孔刻蝕停止層1013共同構(gòu)成接觸孔 1015。至此，本流程結(jié)束。根據(jù)本發(fā)明所提供的技術(shù)方案，接觸孔刻蝕停止層為摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳或無定形碳，然后在接觸孔刻蝕停止層之上沉積介質(zhì)層，并對介質(zhì)層進行刻蝕且停止于接觸孔刻蝕停止層的上表面，形成一溝槽，最后對接觸孔刻蝕停止層進行灰化，形成接觸孔，可見，由于介質(zhì)層相比于摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳或無定形碳具有很高的刻蝕選擇比，可將摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳或無定形碳作為接觸孔刻蝕停止層的主要成分，這樣，當(dāng)對介質(zhì)層進行刻蝕時，對接觸孔刻蝕停止層的損傷比較小，更避免了向接觸孔刻蝕停止層下方進行刻蝕，從而避免對半導(dǎo)體器件造成損傷。另外，摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳和無定形碳還具有可灰化的特性，因此，將摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳或無定形碳作為接觸孔刻蝕停止層的主要成分后，可在對用于光刻接觸孔的ra進行灰化時，一并將接觸孔刻蝕停止層灰化，且灰化過程不會對接觸孔刻蝕停止層下方的半導(dǎo)體器件造成損傷。以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，該方法包括在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成用于隔離P型金屬氧化物半導(dǎo)體PMOS管和N型金屬氧化物半導(dǎo)體NMOS管的淺溝槽隔離區(qū)STI，并在半導(dǎo)體襯底表面形成NMOS管和PMOS管的柵極結(jié)構(gòu)；分別向PMOS管和NMOS管的柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底進行輕摻雜漏LDD注入，在 PMOS管和匪OS管的柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成PMOS管和匪OS管的輕摻雜漏極、PMOS管和匪OS管的輕摻雜源極；分別在PMOS管和NMOS管的柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)壁層；分別向PMOS管和NMOS管的側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底進行離子注入，在PMOS管和NMOS 管的側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成PMOS管和NMOS管的輕摻雜漏極、PMOS管和NMOS管的輕摻雜源極；在半導(dǎo)體襯底表面、NMOS管和PMOS管的柵極結(jié)構(gòu)上表面以及NMOS管和PMOS管的柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁層表面沉積接觸孔刻蝕停止層，所述接觸孔刻蝕停止層為摻硼無定形碳、 摻氟無定形碳、摻氯無定形碳或無定形碳；在接觸孔刻蝕停止層之上沉積介質(zhì)層，并在介質(zhì)層之上旋涂光阻膠PR，對I3R進行曝光、顯影，形成光刻圖案；按照光刻圖案對介質(zhì)層進行刻蝕，并停止于接觸孔刻蝕停止層的上表面面，形成一溝槽；對所述光刻圖案和所述溝槽中的接觸孔刻蝕停止層進行灰化，形成接觸孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積接觸孔刻蝕停止層的方法為采用化學(xué)氣相沉積CVD沉積摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳或無定形碳。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述接觸孔刻蝕停止層的厚度為200埃至 500 埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述灰化的方法包括采用氧氣O2流對 PR和所述溝槽中的接觸孔刻蝕停止層進行灰化。
5.根據(jù)權(quán)利要求4述的方法，其特征在于，所述氧氣流的流量為300標(biāo)況毫升每分至 1000標(biāo)況毫升每分，所述灰化的壓力為20豪托至50豪托，所述灰化的功率為100瓦特至 500瓦特。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件的制作方法，接觸孔刻蝕停止層為摻硼無定形碳、摻氟無定形碳、摻氯無定形碳或無定形碳，然后在接觸孔刻蝕停止層之上沉積介質(zhì)層，并對介質(zhì)層進行刻蝕且停止于接觸孔刻蝕停止層的上表面，形成一溝槽，最后對溝槽中的接觸孔刻蝕停止層進行灰化，形成接觸孔。采用本發(fā)明公開的方法能夠避免刻蝕接觸孔時對半導(dǎo)體器件造成損傷。
文檔編號H01L21/768GK102376644SQ20101025705
公開日2012年3月14日 申請日期2010年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月19日
發(fā)明者周俊卿, 孫武, 張海洋 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司