專利名稱：單光子雪崩二極管及基于此的三維coms圖像傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電子技術(shù)以及光電成像技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種單光子雪崩二極管及 基于該二極管的三維COMS圖像傳感器。
背景技術(shù)：
雪崩光電二極管作為一個重要的光探測器件，有著廣泛的應(yīng)用空間?？梢詰?yīng)用在 通信、測距、三維成像等領(lǐng)域。雪崩光電二極管在工作模式時，要求加在雪崩光電二極管兩 端的反向電壓要高于雪崩擊穿電壓，來獲得較高的雪崩增益。在雪崩光電二極管PN結(jié)的平 面制造工藝中，雜質(zhì)原子通過掩膜板窗口向襯底擴散。在傳統(tǒng)的雪崩光電二極管中，采用的 是矩形的掩膜版，這樣就有四個90度尖銳的角，在PN結(jié)這些尖銳的地方電荷比較集中，電 場較大容易引起擊穿。當(dāng)工作在蓋革模式時，對PN結(jié)加高于反向擊穿的電壓，極易引起邊 緣PN結(jié)過早擊穿，增加了邊緣暗電流，從而降低了信噪比，這種邊緣過早擊穿是要盡量避 免的。另外，由于單光子雪崩二極管優(yōu)秀的性能表現(xiàn)，也用作三維CMOS圖像傳感器的感 光器件。傳統(tǒng)的二維圖像技術(shù)已不能滿足人們的需求，越來越多的三維圖像技術(shù)被應(yīng)用在 相關(guān)領(lǐng)域中，例如，海洋陸地勘測、機器視覺、視覺游戲、三維家庭影院、三維視頻會議、汽車 移動控制等等。隨著三維CMOS技術(shù)的成熟，它的廉價與便攜等優(yōu)勢加上其廣闊的應(yīng)用空 間，相信其應(yīng)用將會越來越普及化。在傳統(tǒng)的三維成像技術(shù)中，三維成像系統(tǒng)由分立元器件精密的機器掃描與強大的 信號處理芯片構(gòu)成。這樣構(gòu)成的系統(tǒng)不僅笨拙體積大而且價格昂貴，此外它的功耗高也是 其一大劣勢。而單芯片CMOS圖像傳感器，基于TOF (TIME OF FLY)測距原理，用一個約幾 十毫伏功率的激光脈沖代替了傳統(tǒng)的機器掃描，并且將讀出電路，信號處理電路與像素電 路集成到單一芯片上，用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝來實現(xiàn)這一設(shè)計。三維成像系統(tǒng)基本的原理結(jié)構(gòu) 如圖1所示，所要獲取的深度圖像的景深是依靠時間間隔測量來控制的。這樣就很好解決 了功耗、體積、費用等一系列問題。為三維成像技術(shù)的推廣應(yīng)用，奠定了很好的基礎(chǔ)。在三維圖像傳感器中，感光器件采用的是工作在蓋革模式下的單光子雪崩二極 管。這種二極管有很高的光電倍增效應(yīng)，能夠在光線較暗的環(huán)境下也能獲得較好的成像效 果，增大了其動態(tài)范圍，使其能在一個幾十毫瓦激光源下對物體進行探測。且單光子雪崩二 極管的優(yōu)秀的性能表現(xiàn)能滿足三維成像的要求，最終被用作三維圖像傳感器的感光器件。 但單光子雪崩二極管的感光增益均勻性，會受到PN結(jié)邊緣過早擊穿的影響。另外，圖像分辨率是表征圖像一個相當(dāng)重要的參數(shù)。在一定芯片面積上怎樣實現(xiàn) 分辨率達(dá)到最優(yōu)是設(shè)計者要關(guān)心的問題。如果要實現(xiàn)高分辨率，傳統(tǒng)的方法是縮小像素單 元的面積來提高一定芯片面積上的像素單元個數(shù)。然而，如果不斷的縮小單光子雪崩二極 管的面積來增加分辨率，會引起信噪比(SNR)的減小，串?dāng)_率的增加，這樣不但沒提高圖像 的質(zhì)量，反而引起圖像質(zhì)量的下降。綜上所述，雖然采用單光子雪崩二極管作為感光器件的三維圖像傳感器相比于傳統(tǒng)的三維成像技術(shù)具有很大的優(yōu)越性，但仍然存在著PN結(jié)邊緣容易過早擊穿而帶來的感 光增益均勻性差以及難以提高圖像分辨率等缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)所在的上述缺陷，提供一種改變PN結(jié)形狀的單光 子雪崩二極管，以及將此單光子雪崩二極管作為感光器件并且改變其像素單元的排列方 式，在此基礎(chǔ)上方便地使用像素插值的三維COMS圖像傳感器。本發(fā)明是通過如下的技術(shù)方案來實現(xiàn)上述目的的
首先，提供一種單光子雪崩二極管，其特點是其感光PN結(jié)為正八邊形。更具體地說，單光子雪崩二極管的硅襯底為P型襯底，在P型襯底上設(shè)有一個正八 邊型的N型深阱，在N型深阱頂部設(shè)有正八邊形的P+層，在P+層邊緣設(shè)有保護環(huán)。其二，提供一種基于上述單光子雪崩二極管的三維COMS圖像傳感器。它是一種 采用單光子雪崩二極管作為像素單元，用于拍攝圖像并生成包括像素值的圖像數(shù)據(jù)的傳感 器；其特點是由單光子雪崩二極管所組成的二維像素陣列在傳統(tǒng)排列方式的基礎(chǔ)上旋轉(zhuǎn) 45度成蜂窩狀形式排列；同時，在該二維像素陣列的一側(cè)設(shè)置了被旋轉(zhuǎn)了 45度的行解碼 器，在另一側(cè)則設(shè)置了列解碼器，列解碼器垂直于行解碼器，并可方便地在水平線與垂直線 交叉的位置處存在的沒有形成實際圖像數(shù)據(jù)的部分進行插值。本發(fā)明將單光子雪崩二極管的PN結(jié)形狀由傳統(tǒng)的矩形改為正八邊形，并將其排 列旋轉(zhuǎn)45度，實現(xiàn)蜂窩狀排列。在水平線和垂直線交叉的位置處存在沒有形成實際圖像 數(shù)據(jù)的部分，可利用其特點對用于該位置的數(shù)據(jù)進行插值并且將虛擬圖像數(shù)據(jù)插入在該位 置，從而實現(xiàn)在水平各垂直方向上的圖像分辨率的提高。同時還設(shè)置了該二維像素陣列的 行解碼器和列解碼器，行解碼器與列解碼器能提取指定的像素數(shù)據(jù)，同時充分對所提取的 數(shù)據(jù)進行放大并生成包括像素值的圖像數(shù)據(jù)。因此，本發(fā)明能削弱單光子雪崩二極管中PN 結(jié)的邊緣過早擊穿，提高硅片的填充率，最終達(dá)到提高單光子雪崩二極管均勻性和提高三 維CMOS圖像傳感器感分辨率的目的。本發(fā)明的原理如下
在PN結(jié)的平面制造工藝中，所摻入的雜質(zhì)原子通過掩模版所確定的二氧化硅窗口從 表面向體內(nèi)擴散，與些同時，擴散也會發(fā)生在橫向，基本上可以近似認(rèn)為橫向與縱向的擴散 深度相等。因而，在矩形雪崩光電二極管中，擴散形成的PN結(jié)接觸的底部是一平面；在PN 接觸的側(cè)壁近似為一四分之一圓柱曲面，這種形狀的結(jié)被稱作曲PN面結(jié)；由于矩形中四個 相對尖銳的90度角，在PN結(jié)接觸的地方形成了一個八分之一的球面，也此被稱作球面PN 結(jié)。在相同的襯底材料，相同的摻雜材料，相同的摻雜濃度，相同的外加反向偏置電壓的情 況下，在球面PN結(jié)中電場集中強度最大，柱面PN結(jié)次之，而平面PN結(jié)的電場集中程度最 小。因為外加反向偏置電壓相同時，生成的空間電荷區(qū)厚度不同，從厚到薄順序依次為平 面PN結(jié)、柱面PN結(jié)、球面PN結(jié)，因此，最大電場強度從強到弱的順序為球面PN結(jié)、柱面 PN結(jié)、平面PN結(jié)，而電離率隨電場強度的增加快速增大，因此它們的擊穿電壓從大到小依 次為平面PN結(jié)、柱面PN結(jié)、球面PN結(jié)。因而，在球面PN結(jié)、柱面PN結(jié)這些區(qū)域中易過早 發(fā)生雪崩擊穿，從而導(dǎo)致整個雪崩光電二極管的擊穿電壓降低。如果PN結(jié)越淺，柱面PN結(jié) 與球面PN結(jié)就越容易擊穿，擊穿電壓也降低得顯著。
現(xiàn)行存在的工藝技術(shù)中，為了降低柱面PN結(jié)、球面PN結(jié)對擊穿電壓的影響，采用 的方法有深結(jié)擴散，增大曲率半徑，使其更趨向于平面PN結(jié)，減弱電場的集中程度，從而 提高雪崩擊穿電壓；磨角法，將電場相對集中柱面PN結(jié)、球面PN結(jié)打磨光滑形成臺面PN 結(jié)；采用保護環(huán)，在PN結(jié)周圍加環(huán)狀。本發(fā)明提出的將矩形結(jié)構(gòu)的單光子雪崩二極管改進為正八邊形結(jié)構(gòu)，以此來削弱 邊緣擊穿，防止過早擊穿，提高單光子雪崩二極管的增益均勻性。正如前面所闡述的，PN結(jié)曲率越大，擊穿電壓相對較大，而掩膜版所確定的單光子 雪崩二極管形狀的角越尖銳，其越容易被過早擊穿。在本發(fā)明的正八邊形單光子雪崩二極 管中每個角的大小由矩形90度角增加到了 135度，減弱了電場的集中程度，這樣就會相應(yīng) 提高擊穿電壓，進而提高單光子雪崩二極管的增益均勻性。另一方面，我們?nèi)菀字?，在相等的周長條件下，構(gòu)成正八邊形的面積比構(gòu)成矩形 的面積要大。隨著光感應(yīng)面積的增大，單光子雪崩二極管的感應(yīng)強度也隨之增大，這自然也 能提高單光子雪崩二極管的性能。從反面來說，在縮小單光子雪崩二極管尺寸增加分辨率 的時，感光度也隨之降低，如果一味的縮小尺寸，就會出現(xiàn)信噪比下降，串?dāng)_率增加，最終不 會因為分辨率的提高而提高圖像的質(zhì)量，相反會導(dǎo)致圖像質(zhì)量下降。以上所述是將單光子雪崩二極管的形狀改進為正八邊形的優(yōu)勢，下面來闡述蜂窩 狀的三維CMOS圖像傳感器的在插值上的優(yōu)勢。據(jù)相關(guān)資料所知，在人類視覺細(xì)胞中，一億二千萬個工作于黑暗時，六百萬個工作 于明亮?xí)r并對顏色有反應(yīng)。盡管這些細(xì)胞以鑲嵌方式分布在視網(wǎng)膜表面，但水平軸、垂直軸 高頻信息感光度遠(yuǎn)比45度對角線高。還有地心引力使空間頻率的功率主要集中于水平、垂 直方向，要有效捕獲視覺信息，眼睛在這些位置需更靈敏。同樣三維CMOS圖像傳感器水平 軸、垂直軸分辨率也是決定器件分辨率的關(guān)鍵，而對角線高頻特性損失對圖像影響極小。據(jù) 此，在本發(fā)明中將單光子雪崩二極管單位像素旋轉(zhuǎn)45度，排列成蜂窩狀形式，以此來提高 水平軸、垂直軸的分辨率，配合其它技術(shù)，使三維CMOS圖像傳感器的性能指標(biāo)得到提高。本發(fā)明所述的三維CMOS圖像傳感器的主要思想是將像素單元旋轉(zhuǎn)45度成蜂窩狀 排列，再加上簡單的優(yōu)質(zhì)的插值，能使像素間水平、垂直距離比像素本身對角線距離短。這 種結(jié)構(gòu)更符合人類視覺的特點，同時可以提高像素單元的排列密度。從而不但提高了水平 與垂直方向的分辨率，也提高了整個圖像的分辨率。與具有規(guī)則矩形單位像素的圖像傳感器相比，本發(fā)明的三維CMOS圖像傳感器的 優(yōu)點在于采用了蜂窩狀的排列方式，使其能容易地執(zhí)行插值，因此該三維CMOS圖像傳感器 具有提高實際像素數(shù)量的優(yōu)勢，從而在保持靈敏度等性能的同時使分辨率增加。在讀取圖 像信息時，現(xiàn)有的三維CMOS圖像傳感器是4*4方式掃描的，這樣僅構(gòu)成水平垂直各四條掃 描線。而在超級三維CMOS圖像傳感器中采用像素蜂窩狀的排列方式，其水平、垂直方向上 的有效掃描線將會各達(dá)到7條之多。這樣像素電路將排列得更加緊密，單位面積上在像素 面積相等的情況下也將有更多數(shù)量的像素，產(chǎn)生的圖像更豐富、更逼真、更清晰。本發(fā)明所述單光子雪崩二極管，用正八邊形的單光子雪崩二極管代替了現(xiàn)有的矩 形雪崩光電二極管，使空間效率得到提高也就是提高了填充系數(shù)；同時采用正八邊形的形 狀，其角為135度，這樣在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中將獲得比矩形單光子雪崩二極管更高的增益一 致性。從而提高了光吸收效率，感光度、信噪比也得到改善，動態(tài)范圍也有擴大。
本發(fā)明所述三維CMOS圖像傳感器采用蜂窩狀排列，能方便優(yōu)質(zhì)地對圖像進行像 素插值。由于將矩陣式的排列改進為蜂窩狀的排列，行解碼器與列解碼器也隨之增加，在某 些行與列交叉的位置沒有感光單元，如此，我們可以利用相鄰的四個像素對該位置進行插 值，來提高水平與垂直方向的像素分辨率，并且這種插值方式能保持很好的圖像質(zhì)量。


圖1為具有三維CMOS圖像傳感器的成像系統(tǒng)的原理流程示意圖。圖2為本發(fā)明的正八邊形感光PN結(jié)的單光子雪崩二極管的剖面結(jié)構(gòu)框圖。圖3為本發(fā)明的以正八邊形單光子雪崩二極管為像素單元且成蜂窩狀排列的像 素陣列示意圖。圖4為本發(fā)明的基于正八邊形單光子雪崩二極管的三維CMOS圖像傳感器執(zhí)行插 值的示意圖。圖5為一種具有規(guī)則四邊形單位像素的圖像傳感器的執(zhí)行圖像數(shù)據(jù)插值的示意 圖。圖6是圖2所示結(jié)構(gòu)的單光子雪崩二極管的工藝過程原理示意圖。圖7為可將圖6所示的工藝過程應(yīng)用的雪崩光電二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步詳細(xì)的描述。參見圖1，是一種具有三維CMOS圖像傳感器的成像系統(tǒng)的原理流程示意圖。將本 發(fā)明的三維CMOS圖像傳感器應(yīng)用于圖1所示的成像系統(tǒng)，可提供一種方便簡單的像素插值 方法。從圖1中可見，該成像系統(tǒng)具有一個三維CMOS圖像傳感器，該三維CMOS圖像傳感器 用于拍攝圖像并生成包括像素值的圖像數(shù)據(jù)；一個激光發(fā)射源，用于提供一束一致性高合 適波長的錐狀激光光束照射在目標(biāo)物體上；時間數(shù)字解碼器，用來測量激光發(fā)射到被三維 CMOS圖像傳感器檢測到的時間間隔；圖像處理單元，用于接收來自該三維CMOS圖像傳感器 的圖像數(shù)據(jù)、插值像素、基于所插值的像素對各自像素交叉的點插值數(shù)據(jù)，并生成修改的圖 像數(shù)據(jù)；顯示單元，用于接收來自圖像處理單元的修改的圖像數(shù)據(jù)并在屏幕上顯示所修改 的圖像數(shù)據(jù)；控制單元，用于控制三維CMOS圖像傳感器、圖像處理單元和顯示單元。其中的 所述的圖像處理單元、顯示單元、控制單元也可以用一廣義上的計算機來實現(xiàn)。參見圖3，是本發(fā)明的以正八邊形單光子雪崩二極管為像素單元且成蜂窩狀排列 的像素陣列示意圖。如圖3所示，本發(fā)明的圖像傳感器具有正八邊形的單位像素，采用正八 邊形單光子雪崩二極管1做為感光器件，能在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中能降低邊緣擊穿對擊穿電壓 的影響，而獲得PN結(jié)更好的增益一致性。因此，本發(fā)明的三維CMOS圖像傳感器能提高感光 度、信噪比、動態(tài)范圍。參見圖2，是本發(fā)明的正八邊形感光PN結(jié)的單光子雪崩二極管的剖面結(jié)構(gòu)框圖。 圖2所示的是光從正面入射的單光子雪崩二極管的剖面圖。經(jīng)掩膜版刻蝕(一般采用光刻 工藝)的通光孔，由傳統(tǒng)的矩形結(jié)構(gòu)改為了正八邊形狀，而經(jīng)擴散形成的PN結(jié)也成正八邊 形，其角也就由相對比較尖銳的90度變?yōu)榱?135度。另外，在實際CMOS工藝制造時，在本 來由各個面相交組成的角度相對尖銳的地方都會使其有一定的弧度，這樣也可以在一定程度上緩和電場的擊穿強度，提高雪崩擊穿電壓。圖2所示結(jié)構(gòu)的單光子雪崩二極管的硅襯底為P型襯底，在P型襯底上設(shè)有一個 正八邊型的N型深阱，在N型深阱頂部設(shè)有正八邊形的P+層，在P+層邊緣設(shè)有保護環(huán)。下面對圖2所示結(jié)構(gòu)的單光子雪崩二極管的工藝過程進行介紹。參見圖6，首先 在P型襯底上沉積一層氮化硅Si3N4，其能阻止離子注入從而控制離子注入的區(qū)域。然后通 過正八邊形的掩膜版，將N阱上方的Si3N4刻蝕掉，這樣就可以通過被刻蝕Si3N4的位置進行 N注入形成圖6中的4所示的N阱。接著，將器件放在高溫、純凈的氧氣氛圍下，使其氧化 在有硅曝露的地方生長一層較厚的氧化層，擴散使兩個N阱在底部也連在一起，如圖6中5 所示。再者，將其余的Si3N4刻蝕掉，利用二氧化硅對離子注入的阻止，在兩N阱間隙處進行 自對準(zhǔn)P型離子注入，接著在高溫下進行驅(qū)動擴散形成一個低摻雜的P阱型保護環(huán)，如圖6 中6所示。再然后就是通過正八邊形的掩膜，將中心區(qū)域的二氧化硅刻蝕，并離子注入形成 一八邊形P+區(qū)，如圖6中7所示。剩下的工藝主要是在P襯底與N阱中分別注入P+與N+ 作為金屬接觸。這樣最終形成了圖2所示的單光子雪崩二極管的結(jié)構(gòu)。上述的實施例旨在示范，不論是平面型正面入光的單光子雪崩二極管結(jié)構(gòu)，還是 平面型背照式的單光子雪崩二極管結(jié)構(gòu)、臺面型正面入光的單光子雪崩二極管結(jié)構(gòu)、臺面 型背照式單光子雪崩二極管結(jié)構(gòu)等等，都能方便簡單將感光的PN結(jié)制作成正八邊形，能提 高單光子雪崩二極管的均勻性，同時還可以應(yīng)用在如圖7中8、9、10、11所示的雪崩光電二 極管的結(jié)構(gòu)中，其中，正八邊形的P+層邊緣的保護環(huán)，或者是在P+層下中心處設(shè)有正八邊 形的N+層，或者是在P+層邊緣處設(shè)有正八邊形的P-阱，或者是在間隔P+層小距離處設(shè)有 正八邊形的P型環(huán)。參見圖4，是本發(fā)明的具有正八邊形單元像素成蜂窩狀排列的三維CMOS圖像傳感 器進行圖像數(shù)據(jù)插值的示意圖。由圖4可見，正八邊形單位像素旋轉(zhuǎn)45度成蜂窩狀排列， 從而在水平線和垂直線交叉的位置處2形成實際不存在圖像的部分。通過圖像處理能方便 簡單對該部分插值，并在該部分處插入虛擬圖像數(shù)據(jù)，從而充分利用蜂窩狀的結(jié)構(gòu)下讀取 圖像數(shù)據(jù)的解碼器來提高圖像的分辨率。參見圖5，是現(xiàn)有技術(shù)中的一種具有規(guī)則四邊形單位像素的圖像傳感器的插值圖 像數(shù)據(jù)的示意圖。如圖5所示，當(dāng)像素陣列成矩形狀排列時，這樣的排列使得四個像素相 鄰，在用圖像處理單元對圖像進行插值時，對每四個像素相鄰的位置處3插入一個像素，這 樣得到的像素被插入到了與水平、垂直方向成45度角的方向，而人眼對這個方向的像素最 不敏感。與蜂窩狀的插值比較，由于在蜂窩狀圖像傳感器中，對圖像進行插值時，插入的像 素在水平、垂直方向上，提高了水平垂直方向的分辨率。顯然，蜂窩狀的圖像傳感器將獲得 比矩形狀排列的圖像傳感器更高的有效像素。同時，成蜂窩狀排列的圖像傳感器排列得更 加緊密，填充系數(shù)更高。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明所公開的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化、變更、或替 換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，在這里，本專利保護的范圍僅限于包含在所 附權(quán)利要求中的限定及其等價的權(quán)利要求，而不受此描述的該實施例的限制。
權(quán)利要求
一種單光子雪崩二極管，其特征在于其感光PN結(jié)為正八邊形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單光子雪崩二極管，其特征在于單光子雪崩二極管的硅襯 底為P型襯底，在P型襯底上設(shè)有一個正八邊型的N型深阱，在N型深阱頂部設(shè)有正八邊形 的P+層，在P+層邊緣設(shè)有保護環(huán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求書2所述的單光子雪崩二極管，基特征在于所述的正八邊形的P+層 邊緣的保護環(huán)，或者是在P+層下中心處設(shè)有正八邊形的N+層，或者是在P+層邊緣處設(shè)有 正八邊形的P-講，或者是在間隔P+層小距離處設(shè)有正八邊形的P型環(huán)。
4.一種基于權(quán)利要求1所述單光子雪崩二極管的三維COMS圖像傳感器，是采用單光子 雪崩二極管作為像素單元，用于拍攝圖像并生成包括像素值的圖像數(shù)據(jù)；其特征在于由 單光子雪崩二極管所組成的二維像素陣列在傳統(tǒng)排列方式的基礎(chǔ)上旋轉(zhuǎn)45度成蜂窩狀形 式排列；同時，在該二維像素陣列的一側(cè)設(shè)置了被旋轉(zhuǎn)了 45度的行解碼器，在另一側(cè)則設(shè) 置了列解碼器，列解碼器垂直于行解碼器，并可方便地在水平線與垂直線交叉的位置處存 在的沒有形成實際圖像數(shù)據(jù)的部分進行插值。
全文摘要
本發(fā)明屬于電子技術(shù)以及光電成像技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種單光子雪崩二極管及基于該二極管的三維COMS圖像傳感器。其技術(shù)要點是本發(fā)明的單光子雪崩二極管將傳統(tǒng)的矩形感光PN結(jié)改進為正八邊形，能夠方便簡單地削弱邊緣擊穿，提高單光子雪崩二極管的增益均勻性。本發(fā)明的基于該二極管的三維CMOS圖像傳感器的二維像素陣列，是由具有正八形的單光子雪崩二極管的單元像素組成并以蜂窩狀的形式排列，因此能夠方便地進行插值，增加水平與垂直方向上的分辨率。
文檔編號H01L31/18GK101931021SQ20101026508
公開日2010年12月29日 申請日期2010年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月28日
發(fā)明者周曉亞, 金湘亮 申請人:湘潭大學(xué)