專(zhuān)利名稱(chēng)：保護(hù)帶剝離方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于剝離保護(hù)帶的保護(hù)帶剝離方法及其裝置，該保護(hù)帶用于保護(hù)半 導(dǎo)體晶圓、電路基板以及電子設(shè)備(例如，LED (Light-emitting diode) ^ CCD (charge coupled device))等的基板的電路表面，特別是涉及從將基板分割成預(yù)定形狀后得到的芯 片元件剝離保護(hù)帶的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體晶圓(以下僅稱(chēng)為“晶圓”)的表面上形成許多元件后，在背磨工序中對(duì) 晶圓背面進(jìn)行磨削。隨后，在切割工序中將該晶圓切分成各元件。近年來(lái)，伴隨著對(duì)高密度 安裝的需求，傾向于使晶圓厚度保持在100 μ m至50 μ m甚至更薄。因此，在背磨工序中對(duì)晶圓進(jìn)行薄化加工時(shí)，為了保護(hù)晶圓的電路表面、保護(hù)晶圓 不受背磨時(shí)的磨削應(yīng)力影響以及加強(qiáng)因背磨而變薄的晶圓的強(qiáng)度，在晶圓表面粘貼有保護(hù)帶。并且，在背磨工序之后，在借助于切割帶將晶圓粘接保持于環(huán)形框而構(gòu)成的安裝 框上，通過(guò)將用于剝離的粘接帶粘貼于該晶圓的保護(hù)帶上并剝離該粘接帶，使保護(hù)帶與該 粘接帶一體地從晶圓表面剝離(參照日本特開(kāi)2006-165385號(hào)公報(bào))。但是，在上述以往使用的方法中存在以下問(wèn)題。即，在以往的保護(hù)帶剝離方法中，對(duì)剝離帶進(jìn)行剝離時(shí)可能會(huì)發(fā)生以下情況由于 作用于剝離部位的拉伸力，不僅是保護(hù)帶受到拉拽，而且薄型化的晶圓也被拉伸抬起并翹 曲。這種情況下就會(huì)損壞晶圓。并且，即使晶圓被切割帶粘接保持，但對(duì)于薄型化的晶圓來(lái)說(shuō)僅靠切割帶的加強(qiáng) 已經(jīng)不能對(duì)剛性降低的晶圓進(jìn)行充分加強(qiáng)。因此，產(chǎn)生了將安裝框輸送至切割工序過(guò)程中 晶圓易破損這樣新的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，在不損壞基板情況下剝離保護(hù)帶。本發(fā)明為了達(dá)到上述目的采用了以下結(jié)構(gòu)。本發(fā)明是一種用于剝離粘貼于基板表面的保護(hù)帶的保護(hù)帶剝離方法，該方法包括 以下工序粘著力減弱工序，對(duì)于將粘貼有上述保護(hù)帶的狀態(tài)下的基板分割成預(yù)定形狀而成 的芯片元件，使粘貼于該芯片元件的上述保護(hù)帶的粘著力減弱；吸附上述基板整個(gè)表面，并將粘著力減弱的上述保護(hù)帶從基板表面剝離的剝離工序。采用這種保護(hù)帶剝離方法，由于從背磨工序至分割成芯片元件工序的過(guò)程中基板 表面粘貼有保護(hù)帶，所以基板一直處于被加強(qiáng)狀態(tài)。由此，抑制了從背磨處理后起至切割處 理開(kāi)始止的過(guò)程中易發(fā)生的基板破損。
并且，由于從芯片元件剝離的是粘著力減弱狀態(tài)的保護(hù)帶，因此能夠避免從薄型 化的大型基板上剝離保護(hù)帶時(shí)易發(fā)生的破損。即，由于與保護(hù)帶的粘接于基板整個(gè)表面的 面積相比，保護(hù)帶的粘貼于芯片元件的粘接面積極小，所以在剝離時(shí)作用于芯片元件的剝 離應(yīng)力顯著變小。由此，能夠防止因剝離應(yīng)力導(dǎo)致的芯片元件破損。另外，在本發(fā)明中，不 僅限于粘著力減弱，還包括粘著力消失的情況。并且，在上述方法中，例如，在上述粘著力減弱工序中，可以在使設(shè)置有加熱器的 吸附板與具有熱發(fā)泡性粘接層的保護(hù)帶抵接并對(duì)具有熱發(fā)泡性粘接層的保護(hù)帶進(jìn)行吸附 情況下對(duì)，具有熱發(fā)泡性粘接層的保護(hù)帶進(jìn)行加熱。在上述剝離工序中，使用吸附機(jī)構(gòu)吸附因加熱發(fā)泡而減弱了粘著力的保護(hù)帶并剝 離去除該保護(hù)帶。采用該方法，使熱發(fā)泡性粘接層因被加熱而減弱了粘著力。隨后，通過(guò)利用吸附機(jī) 構(gòu)對(duì)保護(hù)帶進(jìn)行吸附保持從而從芯片元件上剝離去除該保護(hù)帶。由此，能夠以在芯片元件 上不留下保護(hù)帶殘?jiān)姆绞礁呔鹊厝コＷo(hù)帶。并且，在上述方法的上述粘著力減弱工序中，使設(shè)置有加熱器的吸附板抵接于能 夠向一個(gè)預(yù)定的軸向翹曲的保護(hù)帶，在使該保護(hù)帶熱收縮的同時(shí)，隨著該熱收縮率的增大 而使吸附板上升并增大吸附力。在上述剝離工序中，使用上述吸附板來(lái)吸附保護(hù)帶并剝離去除該保護(hù)帶。采用該方法，使得被分割成與芯片元件相同形狀的保護(hù)帶有規(guī)律地向一個(gè)軸向翹 曲，從而能夠抑制在保護(hù)帶沿不同方向翹曲時(shí)容易發(fā)生的保護(hù)帶分散。并且，由于與保護(hù)帶 的熱收縮相對(duì)應(yīng)地使吸附板不斷上升，從而能夠抑制因保護(hù)帶在芯片元件和吸附板之間翹 曲而作用于芯片元件的按壓力。同時(shí)，通過(guò)隨著熱收縮率的增大而使吸附板對(duì)保護(hù)帶的吸 附力也增大，從而促進(jìn)了保護(hù)帶從芯片元件剝離，能夠可靠地剝離去除保護(hù)帶。并且，在上述方法中的上述粘著力減弱工序中，可以對(duì)紫外線固化型保護(hù)帶進(jìn)行 紫外線照射。在上述剝離工序中，使用吸附板吸附粘著力因紫外線照射而減弱的保護(hù)帶并剝離 去除該保護(hù)帶。采用該方法，使得保護(hù)帶的粘接層因紫外線照射而固化，其粘著力減弱。并且，在上述方法中的上述粘著力減弱工序中，使設(shè)置有紫外線照射單元的具有 透過(guò)性的吸附板抵接于保護(hù)帶，在該吸附板吸附著該保護(hù)帶的情況下進(jìn)行紫外線照射。采用該方法，在通過(guò)吸附板和芯片元件夾住并吸附保護(hù)帶的同時(shí)對(duì)保護(hù)帶進(jìn)行紫 外線照射。因而，能夠在使粘著力減弱后的保護(hù)帶不飛散的情況下可靠地從芯片元件上剝 離該保護(hù)帶。并且，本發(fā)明為了達(dá)成該目的采用以下結(jié)構(gòu)?！N用于剝離粘貼于基板的表面的保護(hù)帶的保護(hù)帶剝離裝置，上述裝置包括以下 構(gòu)成元件吸盤(pán)臺(tái)，其用于吸附并保持上述基板，上述基板在已粘貼有上述保護(hù)帶狀態(tài)下被 分割有的預(yù)定形狀的芯片元件；粘著力減弱裝置，其用于減弱上述保護(hù)帶的粘著力；剝離裝置，其用于將減弱了粘著力的上述保護(hù)帶從芯片元件剝離。
采用該結(jié)構(gòu)，在使遍布在被分割前的基板的整個(gè)表面上的芯片元件均處于被吸盤(pán) 臺(tái)吸附保持的狀態(tài)下，利用粘著力減弱裝置使吸盤(pán)臺(tái)表面的保護(hù)帶的粘著力減弱。隨后從 芯片元件上剝離去除保護(hù)帶。并且，在上述結(jié)構(gòu)中，例如，優(yōu)選上述保護(hù)帶具有熱發(fā)泡性粘接層，上述粘著力減 弱裝置為加熱器。并且，在上述結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選將上述加熱器埋設(shè)于吸附板內(nèi)。采用該結(jié)構(gòu)，能夠在吸附多個(gè)芯片的同時(shí)對(duì)其表面的保護(hù)帶進(jìn)行加熱，該多個(gè)芯 片處于被保持于吸盤(pán)臺(tái)并且被吸附板夾住狀態(tài)。因而，能夠在因加熱而減弱了粘著力的保 護(hù)帶不飛散的情況下直接吸附并剝離去除該保護(hù)帶。并且，在上述結(jié)構(gòu)中，上述保護(hù)帶構(gòu)成為向預(yù)定的一個(gè)軸向翹曲，優(yōu)選上述粘著力 減弱裝置為加熱器。并且，在該結(jié)構(gòu)中，加熱器埋設(shè)于吸附板內(nèi)，并且優(yōu)選該結(jié)構(gòu)中包括如下的控制 部該控制部在使吸附板抵接于保護(hù)帶而使保護(hù)帶熱收縮的同時(shí)，能夠隨著該熱收縮率的 增大而使吸附板上升并使吸附力增大。并且，在上述結(jié)構(gòu)中，上述保護(hù)帶為紫外線固化型的粘接帶，優(yōu)選上述粘著力減弱 裝置為紫外線照射單元。此外，在該結(jié)構(gòu)中，更優(yōu)選粘著力減弱裝置為設(shè)置有紫外線照射單元的吸附板。雖然為了描述本發(fā)明而圖示出了若干優(yōu)選實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限定于圖示的 結(jié)構(gòu)及方案。


圖1是安裝框的立體圖2是保護(hù)帶剝離裝置的俯視圖3是保護(hù)帶剝離裝置的主視圖4是盒載置部的主視圖5是第1輸送機(jī)構(gòu)的俯視圖6是第1輸送機(jī)構(gòu)的主視圖7是吸盤(pán)臺(tái)的主視圖8是帶剝離機(jī)構(gòu)的側(cè)視圖9-12是實(shí)施例的保持臺(tái)的動(dòng)作說(shuō)明圖13是表示變形例的保護(hù)帶結(jié)構(gòu)的剖視圖14是表示變形例的保護(hù)帶剝離動(dòng)作的說(shuō)明圖15是使用紫外線固化型保護(hù)帶的變形裝置的主視圖。
具體實(shí)施例方式接下來(lái)，參照附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。在該實(shí)施例中，將半導(dǎo)體晶圓作為基板來(lái)進(jìn)行舉例說(shuō)明。如圖1所示，在半導(dǎo)體晶 圓W(以下僅稱(chēng)為“晶圓W”)上粘貼有用于保護(hù)晶圓上電路圖案的保護(hù)帶PT的狀態(tài)下對(duì)該 晶圓進(jìn)行背磨處理以及切割處理，從而將該晶圓分割成芯片元件CP。通過(guò)粘接帶DT(切割帶)將該多個(gè)芯片元件CP粘貼保持于環(huán)形框f上，從而作為安裝框MF來(lái)使用。在此，保護(hù)帶PT包括熱發(fā)泡性粘接層，該熱發(fā)泡性粘接層會(huì)因帶基材進(jìn)行加熱而 發(fā)泡膨脹并喪失粘著力。在圖2和圖3中示出了實(shí)行本發(fā)明的保護(hù)帶剝離裝置的大致結(jié)構(gòu)以及保護(hù)帶剝離 的工序。該保護(hù)帶剝離裝置由以下結(jié)構(gòu)組成盒載置部1，其用于載置盒C，該盒C以隔開(kāi)規(guī) 定間距的多層形式收納安裝框MF ；第1輸送機(jī)構(gòu)3，其用于將安裝框MF從盒C移出并將其 載置于吸盤(pán)臺(tái)上，并且將保護(hù)帶PT被剝離后的安裝框MF收納于盒C中；帶剝離機(jī)構(gòu)4，其 用于從被分割成規(guī)定尺寸的芯片元件CP上剝離保護(hù)帶PT ；帶回收機(jī)構(gòu)5，其用于回收從芯 片元件CP上剝離的保護(hù)帶PT。接下來(lái)，對(duì)各結(jié)構(gòu)進(jìn)行具體說(shuō)明。如圖4所示，盒載置部1包括連接固定于裝置框架的縱導(dǎo)軌6以及在馬達(dá)等驅(qū)動(dòng) 機(jī)構(gòu)7帶動(dòng)下沿該縱導(dǎo)軌6進(jìn)行絲杠進(jìn)給升降的升降臺(tái)8。由此，盒載置部1構(gòu)成為將安裝 框MF載置于升降臺(tái)8上并進(jìn)行螺距進(jìn)給升降的結(jié)構(gòu)。如圖5和圖6所示，第1輸送機(jī)構(gòu)3包括沿引導(dǎo)導(dǎo)軌9左右水平移動(dòng)的可動(dòng)臺(tái)10 以及固定托片11和由缸體12進(jìn)行開(kāi)閉的夾片13。固定托片11和夾片13從上下兩方夾 持安裝框MF的一個(gè)端部。并且，可動(dòng)臺(tái)10的下部與在馬達(dá)14的驅(qū)動(dòng)下而進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)的皮帶 15連接。利用馬達(dá)14的正反動(dòng)作而使可動(dòng)臺(tái)10左右往復(fù)移動(dòng)。如圖7所示，吸盤(pán)臺(tái)2構(gòu)成為從安裝框MF的背面?zhèn)日婵瘴皆摪惭b框MF。并且吸 盤(pán)臺(tái)2被可動(dòng)臺(tái)17支承，該可動(dòng)臺(tái)17被支承為能沿著前后水平配設(shè)的左右一對(duì)導(dǎo)軌16前 后滑動(dòng)?？蓜?dòng)臺(tái)17利用絲杠軸19進(jìn)行絲杠進(jìn)給運(yùn)動(dòng)，該絲杠軸19被脈沖馬達(dá)18正反驅(qū) 動(dòng)。即，吸盤(pán)臺(tái)2在接收安裝框MF的位置與剝離保護(hù)帶PT的位置之間進(jìn)行往復(fù)移動(dòng)。如圖8所示，帶剝離機(jī)構(gòu)4包括以下結(jié)構(gòu)可動(dòng)臺(tái)22，其能夠沿著縱向配置于縱壁 20背部的導(dǎo)軌21升降；可動(dòng)框體23，其被可動(dòng)臺(tái)22支承，并且可以調(diào)節(jié)其高度；吸附板25， 其被安裝于從該可動(dòng)框體23向前方延伸出來(lái)的臂部24上。絲杠軸26在馬達(dá)27帶動(dòng)下進(jìn) 行正反轉(zhuǎn)動(dòng)，可動(dòng)臺(tái)22由該絲杠軸26進(jìn)行絲杠進(jìn)給升降。并且，吸附板25的下表面為真 空吸附面，并且加熱器28埋設(shè)于該吸附板內(nèi)部。另外，帶剝離機(jī)構(gòu)4相當(dāng)于本發(fā)明的剝離 機(jī)構(gòu)。如圖2及圖3所示，帶回收機(jī)構(gòu)5在從能沿引導(dǎo)導(dǎo)軌29左右水平移動(dòng)的可動(dòng)臺(tái)30 延伸出來(lái)的臂部31的前端部具有回收箱32。并且，可動(dòng)臺(tái)30與在馬達(dá)33的驅(qū)動(dòng)下進(jìn)行轉(zhuǎn) 動(dòng)的傳送帶34相連接。利用馬達(dá)33的正反動(dòng)作而使可動(dòng)臺(tái)30進(jìn)行左右往復(fù)移動(dòng)。接下來(lái)，參照?qǐng)D9 圖12，對(duì)使用上述實(shí)施例中裝置而將保護(hù)帶PT粘貼至晶圓W 表面的一系列基本動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。位于圖2中靠中央的待機(jī)位置的第1輸送機(jī)構(gòu)3移動(dòng)至安裝框MF的搬出位置。該 第1輸送機(jī)構(gòu)3夾持以多層方式收納于盒C內(nèi)的安裝框MF并且一邊后退一邊將安裝框MF 從盒C搬出，在該過(guò)程中保持晶圓W的表面朝上。此時(shí)吸盤(pán)臺(tái)2從帶剝離機(jī)構(gòu)4正下方的 剝離位置移動(dòng)至接收安裝框MF的位置并進(jìn)行待機(jī)。第1輸送機(jī)構(gòu)3在待機(jī)位置停止后下降，通過(guò)打開(kāi)夾片13來(lái)將安裝框MF移載至 吸盤(pán)臺(tái)2上。吸盤(pán)臺(tái)2 —邊吸附保持安裝框MF的整個(gè)背面一邊移動(dòng)至剝離位置。
吸盤(pán)臺(tái)2如圖9所示那樣到達(dá)剝離位置時(shí)，如圖10所示，使帶剝離機(jī)構(gòu)4動(dòng)作而 使吸附板25下降并吸附保護(hù)帶PT。在該狀態(tài)下加熱器28對(duì)吸附板25進(jìn)行加熱。隨著吸 附板25被加熱，保護(hù)帶PT的粘接層發(fā)泡膨脹。結(jié)果，粘接層的粘著力逐漸喪失。在該加熱過(guò)程中，圖7所示的控制部35對(duì)剝離機(jī)構(gòu)4進(jìn)行控制，使得該剝離機(jī)構(gòu)4 與保護(hù)帶PT的厚度的變化相對(duì)應(yīng)地間歇或連續(xù)地上升，該保護(hù)帶PT的厚度的變化是根據(jù) 保護(hù)帶PT所使用的粘接層種類(lèi)、加熱溫度以及加熱時(shí)間所事先決定的。S卩，由于粘接層發(fā) 泡膨脹而使保護(hù)帶PT的厚度增大，從而導(dǎo)致對(duì)夾在吸附板25和吸盤(pán)臺(tái)2之間的薄型化芯 片元件CP施加過(guò)大的按壓力，為了不使該芯片元件CP破損而控制吸附板25上升。如圖11所示，粘接層的加熱發(fā)泡處理結(jié)束時(shí)，吸附板25繼續(xù)保持吸附保護(hù)帶PT 的狀態(tài)而上升至規(guī)定高度。此時(shí)，吸盤(pán)臺(tái)2繼續(xù)吸附保持被吸附板25從全部芯片元件CP 剝離保護(hù)帶PT后的安裝框MF并移動(dòng)至安裝框MF的交接位置。另外，此時(shí)帶回收機(jī)構(gòu)5工 作，使回收箱32從待機(jī)位置移動(dòng)至剝離位置。吸盤(pán)臺(tái)2到達(dá)安裝框MF的交接位置時(shí)，第1輸送機(jī)構(gòu)3的夾片13夾持處理完畢 的安裝框MF并將其從吸盤(pán)臺(tái)2搬出，收納于盒C的原來(lái)位置。收納結(jié)束后，升降臺(tái)8上升 規(guī)定間距，從而第2輸送機(jī)構(gòu)3將新的安裝框MF搬出。如圖12所示，回收箱32到達(dá)剝離位置時(shí)，吸附板25的吸附被解除，所有從芯片元 件CP剝離的保護(hù)帶PT落入回收箱32中。以上完成了一系列的操作，對(duì)于收納于盒C內(nèi)的全部安裝框MF重復(fù)進(jìn)行相同的處理。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，對(duì)于在背磨處理后粘接保持于安裝框MF的晶圓W來(lái)說(shuō)，由于是在 保持粘貼有保護(hù)帶的狀態(tài)下進(jìn)行了切割處理，并以該狀態(tài)被輸送至剝離工序，因此與使用 以往的保護(hù)帶剝離后的安裝框MF相比，能夠在剛性被加強(qiáng)的狀態(tài)下使用。結(jié)果，能夠消除 從背磨工序至切割工序的輸送過(guò)程中易發(fā)生的晶圓W破損現(xiàn)象。并且，從芯片元件剝離呈喪失粘著力狀態(tài)的保護(hù)帶PT，因此能夠避免在將保護(hù)帶 PT從薄型化的大型晶圓W的整個(gè)表面剝離時(shí)易產(chǎn)生的破損。即，由于與保護(hù)帶PT的粘接 于晶圓整個(gè)表面的面積相比，保護(hù)帶PT的粘貼于芯片元件CP的粘接面積極小，作用于芯片 元件CP的剝離應(yīng)力顯著減小。由此，能夠防止因剝離應(yīng)力導(dǎo)致的芯片元件CP的破損、飛散等。本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，也可以進(jìn)行如下的變形實(shí)施。(1)作為保護(hù)帶PT，可以利用包含因加熱而向規(guī)定的一個(gè)軸向翹曲的熱收縮性粘 接層的保護(hù)帶PT。即，如圖13所示，保護(hù)帶PT為主動(dòng)打卷型粘接片，其由具有能夠向一個(gè)軸向收縮 性的收縮性薄膜層40、約束該收縮性薄膜層40的收縮的約束層41以及粘接層42的疊層體 構(gòu)成。約束層41進(jìn)一步由收縮性薄膜層40 —側(cè)的彈性層43以及與收縮性薄膜層40相 反的一側(cè)的剛性薄膜層44構(gòu)成。收縮性薄膜層40只要為至少在1個(gè)軸向具有收縮性的薄膜層即可，其可以是熱收 縮性薄膜、在光的作用下表現(xiàn)出收縮性的薄膜、因電刺激而收縮的薄膜等中的任一種。此 外，收縮性薄膜層40既可以是單層，也可以是由2層以上的層構(gòu)成的多層。
約束層41約束收縮性薄膜層40的收縮，由于產(chǎn)生反作用力，作為疊層體整體產(chǎn)生 力偶，成為引起打卷的驅(qū)動(dòng)力。并且，通過(guò)該約束層41，抑制了收縮性薄膜層40的與主收 縮方向不同方向的副收縮，將雖說(shuō)是沿一個(gè)軸線方向收縮性但也不能說(shuō)就都一樣地收縮的 收縮性薄膜層40的收縮方向統(tǒng)一到一個(gè)方向上。因此，對(duì)層疊片施加用于促進(jìn)收縮性薄膜 層40收縮的熱量等刺激時(shí)，約束層41對(duì)收縮性薄膜層40的收縮力所產(chǎn)生的反作用力成為 驅(qū)動(dòng)力，使層疊片的外緣部(第1端部或相對(duì)的第2端部)上翹，以收縮性薄膜層40 —側(cè) 作為內(nèi)側(cè)，從端部開(kāi)始沿一個(gè)方向或向中心方向(通常是熱收縮性薄膜的主收縮軸向)主 動(dòng)打卷并形成筒狀卷體。并且，通過(guò)該約束層41，能夠防止因收縮性薄膜層40的收縮變形 所產(chǎn)生的剪切力傳遞至粘接層42或芯片元件CP，因此能夠防止芯片元件CP的破損和污染等。彈性層43由在收縮性薄膜層40收縮時(shí)的溫度下易變形的材料構(gòu)成。例如，優(yōu)選 為橡膠狀態(tài)。通過(guò)剛性薄膜層44的作用在于，對(duì)約束層41賦以剛性或韌性，相對(duì)于收縮性薄膜 層40的收縮力產(chǎn)生反作用力，進(jìn)而使之具有打卷時(shí)所必須的力偶。通過(guò)設(shè)有剛性薄膜層 44，在對(duì)收縮性薄膜層40施加熱量等能夠?qū)е缕涫湛s的刺激時(shí)，層疊片能夠在中途不停止 或不偏離方向就順暢地進(jìn)行主動(dòng)打卷，最后形成完整形狀的筒狀卷體。如圖14所示，這種情況下，通過(guò)吸附板25對(duì)被分割成規(guī)定芯片元件CP尺寸的多 張保護(hù)帶PT進(jìn)行加熱的話，該多張保護(hù)帶PT會(huì)從左右端向上翹曲并剝離。由此，與上述實(shí) 施例同樣，在加熱過(guò)程中，控制部35控制帶剝離機(jī)構(gòu)4使其與保護(hù)帶PT的翹曲量相對(duì)應(yīng)地 間歇或連續(xù)上升，上述保護(hù)帶PT的翹曲量根據(jù)保護(hù)帶PT所使用的粘接層種類(lèi)、加熱溫度、 加熱時(shí)間預(yù)先確定。并且同時(shí)控制吸附板25使其吸附力增大。S卩，由于保護(hù)帶PT翹曲而使高度方向的距離增大，從而會(huì)有過(guò)大的按壓力作用于 夾在吸附板25和吸盤(pán)臺(tái)2之間的薄型化芯片元件CP，為了不使該芯片元件CP破損而控制 吸附板25上升。同時(shí)，為了不使保護(hù)帶PT因翹曲而與吸附板25的接觸面積減小，與翹曲 量相對(duì)應(yīng)地控制吸附板25使其吸附力增大。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，即使保護(hù)帶PT翹曲而沿高度方向的厚度增大，也不會(huì)使芯片元件CP 破損，并且能夠防止因吸附不良引起的保護(hù)帶PT的飛散。(2)在上述實(shí)施例中，也可以使用紫外線固化型粘接帶作為保護(hù)帶PT。此時(shí)，如圖 15所示，吸附板25具有透過(guò)性，其由在與各芯片元件CP相對(duì)應(yīng)的位置上具有吸附孔的強(qiáng)化 玻璃或丙烯酸板(acrylic sheet)構(gòu)成，并且在與保護(hù)帶PT抵接側(cè)相反的一側(cè)配設(shè)有用于 紫外線照射的熒光管36。另外，用于紫外線照射的熒光管36相當(dāng)于本發(fā)明的紫外線照射單元。并且，紫外線照射單元的結(jié)構(gòu)不限定為熒光管，也可以是紫外線照射用燈、LED。在 該紫外線照射單元為L(zhǎng)ED的情況下，優(yōu)選以二維方式配設(shè)與芯片元件CP數(shù)量相同的LED。 通過(guò)該結(jié)構(gòu)，能夠?qū)Ω餍酒﨏P上的保護(hù)帶PT進(jìn)行均勻的紫外線照射。采用該結(jié)構(gòu)時(shí)，在保持使吸附板25抵接并吸附保護(hù)帶PT狀態(tài)下對(duì)該保護(hù)帶PT進(jìn) 行紫外線照射。當(dāng)利用規(guī)定時(shí)間的紫外線照射而使粘著力減弱時(shí)，通過(guò)在保持吸附保護(hù)帶 PT的狀態(tài)下使吸附板25上升，能夠一次性地從所有芯片元件CP上剝離去除保護(hù)帶PT。(3)在上述各實(shí)施例中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)使吸盤(pán)臺(tái)2與吸附板25反轉(zhuǎn)，使用吸附板25從保護(hù)帶PT的下側(cè)吸附并去除朝下的保護(hù)帶PT。此時(shí)，配設(shè)有一個(gè)相對(duì)于吸附板25獨(dú)立的吸附板，使用該獨(dú)立的吸附板結(jié)構(gòu)能夠 實(shí)現(xiàn)從上側(cè)吸附并去除從芯片元件CP剝離而位于吸附板25上方的保護(hù)帶PT。并且，吸附 板25也可以為能夠反轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明在不背離發(fā)明構(gòu)思或者主旨的情況下能夠以其他的具體形式實(shí)施，因此， 作為本發(fā)明的保護(hù)范圍，應(yīng)參照所附的權(quán)利要求而不是以上說(shuō)明。
權(quán)利要求
1. 一種保護(hù)帶剝離方法，用于剝離粘貼于基板表面的保護(hù)帶， 上述方法包括以下工序粘著力減弱工序?qū)τ谡迟N有上述8保護(hù)帶的狀態(tài)的上述基板分割成規(guī)定形狀而形成 的芯片元件，使粘貼于該芯片元件的該保護(hù)帶的粘著力減弱；剝離過(guò)程吸附上述基板整個(gè)表面，并將粘著力減弱了的上述保護(hù)帶從基板表面剝離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1上述的保護(hù)帶剝離方法，其特征在于，在上述粘著力減弱工序中，在使設(shè)置有加熱器的吸附板抵接于具有熱發(fā)泡性粘接層的 保護(hù)帶并吸附該具有熱發(fā)泡性粘接層的保護(hù)帶的狀態(tài)下，對(duì)該具有熱發(fā)泡性粘接層的保護(hù) 帶進(jìn)行加熱；在上述剝離工序中，使用吸附機(jī)構(gòu)吸附并剝離去除因加熱發(fā)泡導(dǎo)致粘著力減弱的保護(hù)市。
3.根據(jù)權(quán)利要求1上述的保護(hù)帶剝離方法，其特征在于，在上述粘著力減弱工序中，使設(shè)置有加熱器的吸附板抵接于向規(guī)定的一個(gè)軸向翹曲的 保護(hù)帶，在使該保護(hù)帶熱收縮的同時(shí)，隨著該熱收縮率的增大而使吸附板上升并提高吸附 力；在上述剝離工序中，通過(guò)上述吸附板來(lái)吸附保護(hù)帶并剝離去除該保護(hù)帶。
4.根據(jù)權(quán)利要求1上述的保護(hù)帶剝離方法，其特征在于，在上述粘著力減弱工序中，對(duì)紫外線固化型保護(hù)帶照射紫外線； 在上述剝離工序中，使用吸附板吸附并剝離去除因紫外線照射而使粘著力減弱的保護(hù)市。
5.根據(jù)權(quán)利要求4上述的保護(hù)帶剝離方法，其特征在于，在上述粘著力減弱工序中，使設(shè)置有紫外線照射單元并且具有透過(guò)性的吸附板抵接于 保護(hù)帶，在保持吸附該保護(hù)帶的狀態(tài)下照射紫外線。
6. 一種保護(hù)帶剝離裝置，用于剝離粘貼于基板表面的保護(hù)帶，上述裝置包括以下結(jié)構(gòu)吸盤(pán)臺(tái)，其用于吸附并保持上述基板，上述基板在已粘貼有保護(hù)帶的狀態(tài)下被分割有 規(guī)定形狀的芯片元件；粘著力減弱裝置，其用于減小上述保護(hù)帶的粘著力；剝離機(jī)構(gòu)，其用于將減弱了粘著力的上述保護(hù)帶從芯片元件剝離。
7.根據(jù)權(quán)利要求6上述的保護(hù)帶剝離裝置，其特征在于， 上述保護(hù)帶具有熱發(fā)泡性粘接層，上述粘著力減弱裝置為加熱器。
8.根據(jù)權(quán)利要求7上述的保護(hù)帶剝離裝置，其特征在于， 上述加熱器埋設(shè)于吸附板內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6上述的保護(hù)帶剝離裝置，其特征在于， 上述保護(hù)帶被構(gòu)成為向規(guī)定的一個(gè)軸向翹曲，上述粘著力減弱裝置為加熱器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9上述的保護(hù)帶剝離裝置，其特征在于，上述裝置還包括以下構(gòu)成元件控制部，該控制部使埋設(shè)有上述加熱器的吸附板抵接于保護(hù)帶而使保護(hù)帶熱收縮，同 時(shí)隨著該熱收縮率的增大，該控制部使吸附板上升并使吸附力增大。
11.根據(jù)權(quán)利要求6上述的保護(hù)帶剝離裝置，其特征在于， 上述保護(hù)帶為紫外線固化型粘接帶，上述粘著力減弱裝置為紫外線照射單元。
12.根據(jù)權(quán)利要求11上述的保護(hù)帶剝離裝置，其特征在于，上述粘著力減弱裝置是將上述紫外線照射單元設(shè)于吸附板的結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種保護(hù)帶剝離方法及其裝置，吸盤(pán)臺(tái)從在粘貼有保護(hù)帶狀態(tài)下進(jìn)行了切割處理后的安裝框的背面吸附保持該安裝框，并且通過(guò)將埋設(shè)有加熱器的吸附板抵接于安裝框并進(jìn)行對(duì)安裝框加熱，使得粘接層發(fā)泡膨脹并喪失粘著力，隨后，一邊維持吸附力一邊使吸附板上升，進(jìn)而從所有芯片元件剝離保護(hù)帶。
文檔編號(hào)H01L21/67GK102005365SQ20101027202
公開(kāi)日2011年4月6日 申請(qǐng)日期2010年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月31日
發(fā)明者山本雅之, 長(zhǎng)谷幸敏 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社