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      一種自調(diào)q激光晶體材料及其用途的制作方法

      文檔序號(hào):6952187閱讀:690來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:一種自調(diào)q激光晶體材料及其用途的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種自調(diào)Q激光晶體材料及其在調(diào)Q脈沖激光領(lǐng)域的應(yīng)用。
      背景技術(shù)
      高功率、短脈沖和多波長(zhǎng)是當(dāng)今時(shí)代激光發(fā)展的重要方向之一,在納秒和亞納秒范圍內(nèi)具有高功率和高重復(fù)率的激光脈沖在科研、軍事、工業(yè)、醫(yī)療等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值,目前已經(jīng)應(yīng)用于激光測(cè)距、遙感、微機(jī)械加工、非線性光學(xué)、微型手術(shù)、污染監(jiān)控、高速全息照相等領(lǐng)域。采用調(diào)Q方式是獲得高峰值功率的有效方法,它的基本原理是周期性的調(diào)制激光諧振腔內(nèi)的閾值,把激光全部能量壓縮到寬度極窄的脈沖中發(fā)射,從而獲得一個(gè)脈寬為納秒級(jí)的激光巨脈沖。這里的Q是指激光諧振腔的品質(zhì)因數(shù),即Q = 2 π (諧振腔內(nèi)儲(chǔ)存的能量)/(每振蕩周期損耗的能量)。調(diào)Q方法主要包括電光調(diào)Q技術(shù)、可飽和吸收染料調(diào)Q技術(shù)以及聲光調(diào)Q技術(shù)等。傳統(tǒng)的調(diào)Q脈沖激光器件如

      圖1所示,即諧振腔1至少需要兩種調(diào)Q材料,一種是激光材料2,如Nd:YAG或Nd = YVO3等,能夠產(chǎn)生1064nm的激光輸出;另外一種是調(diào)Q材料3,如電光晶體、聲光晶體或可飽和吸收染料等,可對(duì)入射的激光進(jìn)行Q調(diào)制。因而整個(gè)系統(tǒng)體積龐大、設(shè)計(jì)難度大,價(jià)格較高。如果某種材料兼具以上兩種功能,即對(duì)自身產(chǎn)生的激光進(jìn)行Q調(diào)制,從而產(chǎn)生自調(diào)Q脈沖激光輸出(自調(diào)Q激光材料),則可將整個(gè)系統(tǒng)的復(fù)雜性大大降低。Na3La9B8O27類晶體,即硼酸鑭鈉(簡(jiǎn)稱NLB0)是一種新型的非線性光學(xué)晶體,其晶體結(jié)構(gòu)分別被中法兩國(guó)學(xué)者獨(dú)立報(bào)道,該硼酸鑭鈉非線性光學(xué)晶體屬于六方晶系,Peaii空間群(張國(guó)春,新型非線性光學(xué)晶體及激光非線性復(fù)合功能晶體的探索。博士學(xué)位論文,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué),2001 ;P. Gravereau, J. P. Chaminade, S. Pechev, V. Nikolov, D. Ivanova, P. Peshev. Solid StateSci. 4(2002)993.)。采用助熔劑法可以生長(zhǎng)出較大尺寸的單晶,其折射率、透過(guò)光譜等基本光學(xué)性質(zhì)(Y. G.. Li,Y. C. Wu, G. · C. Zhang, et al. J. Cryst. Growth. 292 (2006) 468)結(jié)果表明它可作為非線性光學(xué)材料-倍頻材料使用。2007年,R. Balda等人報(bào)道釹摻雜的NLBO晶體的生長(zhǎng)和光譜性質(zhì) (R. Balda, V. Jubera, C. Frayret, et al. Opt. Mater. 30 (2007) 122)。最近較大尺寸 NLBO 晶體的生長(zhǎng)也取得突破,進(jìn)一步表明其倍頻轉(zhuǎn)換效率為同等條件下LBO晶體的2. 7倍,是一種具有較大應(yīng)用前景的倍頻或自倍頻晶體(Jianxiu Zhang,Guiling Wang,Zuoliang Liu,et al. Opt. Express. 18(2010)237)。最近我們發(fā)現(xiàn)它又是一種性能優(yōu)良的電光晶體,只有一個(gè)電光系數(shù)Y22,該電光系數(shù)的測(cè)量值為Yu = 2.3pm/V。因此它可用于制作電光調(diào)Q器件。 實(shí)驗(yàn)證實(shí),該晶體摻入稀土離子后即可通過(guò)泵浦產(chǎn)生激光,又具有電光調(diào)制性能,所以摻雜稀土離子的Na3La9B8O27類晶體可以實(shí)現(xiàn)對(duì)自身所產(chǎn)生的激光進(jìn)行Q調(diào)制的功能,是一種性能優(yōu)良的自調(diào)Q晶體。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明目的在于針對(duì)已有的調(diào)Q激光器的不足之處,提供一種自調(diào)Q激光晶體材料,該材料兼具激光產(chǎn)生以及電光調(diào)制的作用。
      本發(fā)明的技術(shù)方案如下本發(fā)明提供的自調(diào)Q激光晶體,其化學(xué)式為Na3LivxRExB8O27,其中,0 < χ < 9, RE 為 ft·3+、Nd3+、Sm3+,Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+ 和稀土離子中的一種或兩種。本發(fā)明提供的自調(diào)Q激光晶體屬D3h_62m點(diǎn)群,其線性電光系數(shù)矩陣為
      權(quán)利要求
      1.一種自調(diào)Q激光晶體,其化學(xué)式為Na3LiVxREJ8O27,其中0 < χ < 9,RE為Pr3+、Nd3+、 Sm3+,Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+、和稀土離子中的一種或兩種。
      2.按權(quán)利要求1所述的自調(diào)Q激光晶體,其特征在于,所述自調(diào)Q激光晶體屬E>3h-幻w點(diǎn)群,其線性電光系數(shù)矩陣為
      3.—種權(quán)利要求1所述的自調(diào)Q激光晶體的用途,其用于制作自調(diào)Q脈沖激光器件; 所述的調(diào)Q為電光調(diào)制或電光Q開(kāi)關(guān)。
      4.按權(quán)利要求3所述的自調(diào)Q激光晶體的用途,其用于制作自調(diào)Q激光器件時(shí),沿該自調(diào)Q激光晶體物理學(xué)X方向、物理學(xué)Y方向和物理學(xué)Z方向切割晶體;所述自調(diào)Q激光晶體的物理學(xué)Z方向尺寸定義為長(zhǎng)度1 ;所述自調(diào)Q激光晶體的物理學(xué)X方向或物理學(xué)Y方向定義為厚度d ;所述自調(diào)Q激光晶體的物理學(xué)X方向或物理學(xué)Y方向鍍有金屬導(dǎo)電膜,并在物理學(xué)X 方向或物理學(xué)Y方向加電場(chǎng)。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種自調(diào)Q激光晶體及其用途;該自調(diào)Q激光晶體的化學(xué)式為Na3La9-xRExB8O27,0<x<9,RE為Pr3+、Nd3+、Sm3+,Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+、和Yb3+稀土離子中的一種或兩種;該自調(diào)Q激光晶體屬于D3h-62m點(diǎn)群,線性電光系數(shù)矩陣為只有一個(gè)電光系數(shù)γ22,且該電光系數(shù)γ22=2.3pm/V;該自調(diào)Q激光晶體具有不潮解,抗激光損傷閾值大等優(yōu)點(diǎn);可用于制作結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊的自調(diào)Q脈沖激光器件。
      文檔編號(hào)H01S3/115GK102403649SQ20101027909
      公開(kāi)日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2010年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月10日
      發(fā)明者傅佩珍, 吳以成, 夏明軍, 張國(guó)春, 張建秀, 李如康 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所
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