專利名稱：畫素結(jié)構(gòu)及其制造方法
畫素結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種畫素結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有多晶硅薄 膜晶體管的畫素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)為應(yīng)用于顯示器的驅(qū)動(dòng)組件。其中，低 溫多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)薄膜晶體管是一種有別于傳統(tǒng)的非晶硅 薄膜晶體管的組件。因?yàn)榈蜏囟嗑Ч璞∧ぞw管的電子遷移率可以達(dá)到200cm7V-sec以 上，所以可制作出尺寸更小的薄膜晶體管，進(jìn)而能增加開口率(aperture ratio) 0藉此，可 提升顯示器亮度并減少電力的消耗。一般多晶硅薄膜晶體管是在多晶硅島狀圖案中形成信道區(qū)、源極區(qū)以及漏極區(qū)。 之后，在多晶硅島狀圖案上覆蓋一層?xùn)艠O絕緣層，再于柵極絕緣層上形成柵極。然，由于多 晶硅島狀圖案具有一定的高度(或稱為厚度)，柵極絕緣層可能因?yàn)槎嗑Ч鑽u狀圖案?jìng)?cè)壁 的高度而有不良的階梯覆蓋性。如此，將導(dǎo)致柵極與多晶硅島狀圖案之間產(chǎn)生漏電。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種畫素結(jié)構(gòu)及其制造方法，其可以減少畫素結(jié)構(gòu)中的多晶硅薄膜晶 體管的柵極與多晶硅島狀圖案之間產(chǎn)生漏電的問(wèn)題。本發(fā)明提出一種畫素結(jié)構(gòu)，其包括基板、第一多晶硅圖案、第一絕緣圖案、第二多 晶硅圖案、第二絕緣圖案、絕緣層、第一柵極、第二柵極、第一覆蓋層、第一源極金屬層以及 第一漏極金屬層、第二源極金屬層以及第二漏極金屬層、第二覆蓋層以及畫素電極?；寰?有第一組件區(qū)以及第二組件區(qū)。第一多晶硅圖案位于第一組件區(qū)內(nèi)，且第一多晶硅圖案具 有第一源極區(qū)、第一漏極區(qū)以及第一信道區(qū)。第一絕緣圖案位于第一多晶硅圖案上。第二多 晶硅圖案位于第二組件區(qū)內(nèi)，且第二多晶硅圖案具有第二源極區(qū)、第二漏極區(qū)以及第二信 道區(qū)。第二絕緣圖案位于第二多晶硅圖案上，其中第一絕緣圖案與第二絕緣圖案彼此分離。 絕緣層覆蓋第一絕緣圖案與第二絕緣圖案。第一柵極位于第一信道區(qū)上方的絕緣層上。第 二柵極位于第二信道區(qū)上方的絕緣層上。第一覆蓋層覆蓋第一柵極與第二柵極。第一源極 金屬層以及第一漏極金屬層位于第一覆蓋層上且分別與第一源極區(qū)以及第一漏極區(qū)電性 連接。第二源極金屬層以及第二漏極金屬層位于第一覆蓋層上分別與第二源極區(qū)以及第二 漏極區(qū)電性連接。第二覆蓋層覆蓋第一源極金屬層、第一漏極金屬層、第二源極金屬層以及 第二漏極金屬層。畫素電極位于第二覆蓋層上且與第一漏極金屬層電性連接。本發(fā)明另提出一種畫素結(jié)構(gòu)的制造方法。首先提供基板，其具有第一組件區(qū)以及 第二組件區(qū)。在基板上依序形成多晶硅層以及絕緣材料層。同時(shí)圖案化絕緣材料層以及多 晶硅層以于第一組件區(qū)內(nèi)形成第一多晶硅圖案以及第一絕緣圖案，并且在第二組件區(qū)內(nèi)形 成第二多晶硅圖案以及第二絕緣圖案，其中第一絕緣圖案與第二絕緣圖案彼此分離。在第 一多晶硅圖案中形成第一源極區(qū)、第一漏極區(qū)以及第一信道區(qū)。在第二多晶硅圖案中形成第二源極區(qū)、第二漏極區(qū)以及第二信道區(qū)。形成絕緣層以覆蓋第一絕緣圖案與第二絕緣圖 案。于第一信道區(qū)上方的絕緣層上形成第一柵極。于第二信道區(qū)上方的絕緣層上形成第二 柵極。形成第一覆蓋層以覆蓋第一柵極與第二柵極。于第一覆蓋層上形成第一源極金屬層 以及第一漏極金屬層，其分別與第一源極區(qū)以及第一漏極區(qū)電性連接。于第一覆蓋層上形 成第二源極金屬層以及第二漏極金屬層，其分別與第二源極區(qū)以及第二漏極區(qū)電性連接。 形成第二覆蓋層以覆蓋第一源極金屬層、第一漏極金屬層、第二源極金屬層以及第二漏極 金屬層。于第二覆蓋層上形成畫素電極，所述畫素電極與第一漏極金屬層電性連接?；谏鲜觯诘谝欢嗑Ч鑸D案上的第一絕緣圖案與第二多晶硅圖案上的第二絕緣 圖案是彼此分離，且另一絕緣層是覆蓋住上述的第一絕緣圖案以及第二絕緣圖案。此種結(jié) 構(gòu)可以減少柵極與多晶硅圖案之間的漏電情形。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式 作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖IA至圖IH是依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制造流程剖面示意圖。
圖2A至圖2D是依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制造流程剖面示意圖
圖3A為對(duì)應(yīng)圖IG的第一組件區(qū)N與電容區(qū)C的上視示意圖。
圖3B為對(duì)應(yīng)圖IG的第二組件區(qū)P的上視示意圖。
圖4A為對(duì)應(yīng)圖2C的第一組件區(qū)N與電容區(qū)C的上視示意圖。
圖4B為對(duì)應(yīng)圖2C的第二組件區(qū)P的上視示意圖。
主要組件符號(hào)說(shuō)明
100 基板
102 多晶硅層
102a, 102b, 102c 多晶硅圖案
104 絕緣材料
104a，104b，104c 絕緣圖案
106:圖案化光阻層
106a, 106b 光阻圖案
108 絕緣層
110，112 覆蓋層
T1、T2 主動(dòng)組件
G1、G2 柵極
S1、S2 源極區(qū)
D1、D2 漏極區(qū)
CHU CH2 信道區(qū)
LDD 淺摻雜漏極區(qū)
CL:電容電極
V, Vl V5 接觸窗
SMU SM2 源極金屬層
DMl、DM2 漏極金屬層CM 電容器金屬層PE:畫素電極N、P:組件區(qū)C 電容區(qū)
具體實(shí)施方式第一實(shí)施例圖IA至圖IH是依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制造流程剖面示意圖。請(qǐng)參 照?qǐng)D1A，首先提供基板100。基板100主要是作為承載組件之用，其材質(zhì)可為玻璃、石英、有 機(jī)聚合物或是金屬等等?；?00具有第一組件區(qū)N以及第二組件區(qū)P。根據(jù)本發(fā)明的一 實(shí)施例，基板100可選擇性地包括電容區(qū)C。本實(shí)施例是以具有電容區(qū)C為范例，但不限于 此。于其它實(shí)施例中，電容區(qū)C也可不存在。根據(jù)本實(shí)施例，后續(xù)于第一組件區(qū)N中所形成 的主動(dòng)組件例如是N型多晶硅薄膜晶體管，且第二組件區(qū)P中所形成的主動(dòng)組件例如是P 型多晶硅薄膜晶體管。之后，在基板100上依序形成多晶硅層102以及絕緣材料層104。形成多晶硅層 102的方法例如是先沉積一層非晶硅材料，之后對(duì)所述非晶硅材料進(jìn)行雷射退火程序，以使 非晶硅材料轉(zhuǎn)變成多晶硅層。此外，形成絕緣材料層104的方法例如是利用化學(xué)氣相沉積 法或是物理氣相沉積法，且其材質(zhì)可為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它合適的材料。接著，在絕緣材料104上形成圖案化光阻層106。所述圖案化光阻層106具有第 一光阻圖案106a以及第二光阻圖案106b，且第一光阻圖案106a的厚度大于第二光阻圖案 106b的厚度。第一組件區(qū)N的絕緣材料104上方有第一光阻圖案106a、在第二組件區(qū)P的 絕緣材料104上方有第一光阻圖案106a及第二光阻圖案106b，且第二光阻圖案106b位于 第一光阻圖案106a的兩側(cè)、以及在電容區(qū)C的絕緣材料104上方具有第二光阻圖案106b。 形成圖案化光阻層106的方法例如是先涂布一層光阻材料，之后利用灰階光罩或半色調(diào)光 罩對(duì)光阻材料進(jìn)行微影程序以圖案化光阻材料。之后，利用圖案化光阻層106作為蝕刻罩幕，對(duì)多晶硅層102以及絕緣材料層104 進(jìn)行蝕刻程序，以于第一組件區(qū)N內(nèi)形成第一多晶硅圖案102a以及第一絕緣圖案104a，在 第二組件區(qū)P內(nèi)形成第二多晶硅圖案102b以及第二絕緣圖案104b，并且在電容區(qū)C內(nèi)形成 第三多晶硅圖案102c以及第三絕緣圖案104c，如圖IB所示。換言之，在上述的圖案化程序(蝕刻程序)中，絕緣材料層104以及多晶硅層102 是同時(shí)被圖案化，以于第一組件區(qū)N內(nèi)形成第一多晶硅圖案102a以及第一絕緣圖案104a， 在第二組件區(qū)P內(nèi)形成第二多晶硅圖案102b以及第二絕緣圖案104b，并且在電容區(qū)C內(nèi)形 成第三多晶硅圖案102c以及第三絕緣圖案104c。因此，在進(jìn)行上述的圖案化程序之后，第 一絕緣圖案104a、第二絕緣圖案104b以及第三絕緣圖案104c是彼此分離開來(lái)的。請(qǐng)參照?qǐng)D1C，根據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，在進(jìn)行上述的圖案化程序(蝕刻程序) 之后，可更進(jìn)一步對(duì)第一多晶硅圖案102a、第一絕緣圖案104a、第二多晶硅圖案102b、第二 絕緣圖案104b、第三多晶硅圖案102c以及第三絕緣圖案104c進(jìn)行側(cè)向蝕刻程序。所述側(cè) 向蝕刻程序是利用圖案化光阻層106保護(hù)或遮蔽住第一絕緣圖案104a、第二絕緣圖案104b以及第三絕緣圖案104c的頂部，且暴露出第一多晶硅圖案102a、第一絕緣圖案104a、第二 多晶硅圖案102b、第二絕緣圖案104b、第三多晶硅圖案102c以及第三絕緣圖案104c的側(cè) 壁，因而可以蝕刻掉第一多晶硅圖案102a、第一絕緣圖案104a、第二多晶硅圖案102b、第二 絕緣圖案104b、第三多晶硅圖案102c以及第三絕緣圖案104c的側(cè)壁局部的厚度。之后，進(jìn)行一光阻層灰化程序，以移除圖案化光阻層106的第二光阻圖案106b以 及部分第一光阻層106a，以使部分的第二絕緣圖案104b以及部分的第三絕緣圖案104c暴 露出，如圖ID所示。接著，進(jìn)行離子植入程序，以于第三多晶硅圖案102c中植入離子，并且 于第二多晶硅圖案102b中形成第二主動(dòng)組件T2的第二源極區(qū)S2、第二漏極區(qū)D2以及第二 信道區(qū)CH2。根據(jù)本實(shí)施例，上述的離子植入程序是植入P型離子，因而在進(jìn)行上述的離子 植入程序之后，第三多晶硅圖案102c成為摻雜P型離子的多晶硅圖案，且第二源極區(qū)S2與 第二漏極區(qū)D2則分別為P型摻雜區(qū)。根據(jù)本實(shí)施例，如圖ID所示，于移除圖案化光阻層106的第二光阻圖案106b時(shí)或 之后，可更進(jìn)一步進(jìn)行另一蝕刻處理步驟。所述蝕刻處理步驟可進(jìn)一步移除位于第二源極 區(qū)S2以及第二漏極區(qū)D2上方的第二絕緣圖案104b的一部分厚度，并且移除第三絕緣圖案 104c的一部分厚度。因此，第三絕緣圖案104c的厚度以及位于第二源極區(qū)S2以及第二漏 極區(qū)D2上方的第二絕緣圖案104b的厚度都會(huì)比第一絕緣圖案104a的厚度薄。根據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，如圖IE所示，上述的蝕刻處理步驟可進(jìn)一步使第一 絕緣圖案104a與第一多晶硅圖案102a具有坡度側(cè)壁，使第二絕緣圖案104b與第二多晶硅 圖案102b具有坡度側(cè)壁，并且使第三絕緣圖案104c與第三多晶硅圖案102c具有坡度側(cè) 壁。換言之，第一絕緣圖案104a與第一多晶硅圖案102a的側(cè)壁并非陡峭垂直的側(cè)壁而是 為緩坡側(cè)壁。第二絕緣圖案104b與第二多晶硅圖案102b的側(cè)壁也不是陡峭垂直的側(cè)壁而 是為緩坡側(cè)壁。第三絕緣圖案104c與第三多晶硅圖案102c的側(cè)壁亦不是陡峭垂直的側(cè)壁 而是為緩坡側(cè)壁。之后，請(qǐng)參照?qǐng)D1F，移除圖案化光阻層的第一光阻圖案106a。然后，在基板100 上形成絕緣層108，覆蓋第一絕緣圖案104a、第二絕緣圖案104b及第三絕緣圖案104c。形 成絕緣層108的方法例如是利用化學(xué)氣相沉積法或是物理氣相沉積法，且其材質(zhì)可為氧化 硅、氮化硅、氮氧化硅或其它合適的材料。值得一提的是，在本實(shí)施例中，絕緣層108的材料 可不同或相同于第一絕緣圖案104a、第二絕緣圖案104b與第三絕緣圖案104c的材質(zhì)。舉 例來(lái)說(shuō)，第一絕緣圖案104a、第二絕緣圖案104b與第三絕緣圖案104c的材質(zhì)為氧化硅，則 絕緣層108的材料則使用氮化硅，或是第一絕緣圖案104a、第二絕緣圖案104b、第三絕緣圖 案104c與絕緣層108的材質(zhì)皆為氮化硅，本發(fā)明并不限于此。接著，在第一組件區(qū)N的絕緣層108上形成第一主動(dòng)組件Tl的第一柵極G1，在第 二組件區(qū)P的絕緣層108上形成第二主動(dòng)組件T2的第二柵極G2，并且在電容區(qū)C的絕緣 層108上形成電容電極CL。第一柵極G1、第二柵極G2以及電容電極CL 一般是使用金屬材 料。然，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其它實(shí)施例，第一柵極G1、第二柵極G2以及電容電極CL也可 以使用其它導(dǎo)電材料。接著，在第一多晶硅圖案102a中形成第一主動(dòng)組件Tl的第一源極區(qū)Si、第一漏極 區(qū)Dl以及第一信道區(qū)CH1。根據(jù)本實(shí)施例，形成第一源極區(qū)Sl與第一漏極區(qū)Dl的方法例 如是進(jìn)行N型離子植入程序，因而第一源極區(qū)Sl與第一漏極區(qū)Dl分別為N型摻雜區(qū)。根據(jù)本實(shí)施例，可進(jìn)一步在第一源極區(qū)Sl與第一信道區(qū)CHl之間以及第一漏極區(qū)Dl與第一 信道區(qū)CHl之間形成淺摻雜漏極區(qū)LDD。請(qǐng)參照?qǐng)D1G，在基板100上形成第一覆蓋層110以覆蓋第一柵極G1、第二柵極G2 以及電容電極CL。第一覆蓋層110的材料可為無(wú)機(jī)材料、有機(jī)材料或其它合適的材料。之 后，于第一覆蓋層110上形成第一源極金屬層SMl以及第一漏極金屬層DM1，其分別通過(guò)接 觸窗VI、V2與第一源極區(qū)Sl以及第一漏極區(qū)Dl電性連接。在此同時(shí)，于第一覆蓋層110 上形成第二源極金屬層SM2以及第二漏極金屬層DM2，其分別通過(guò)接觸窗V4、V5與第二源 極區(qū)S2以及第二漏極區(qū)D2電性連接。此外，更于第一覆蓋層110上形成電容器金屬層CM， 其與第一漏極金屬層DMl電性連接并且通過(guò)接觸窗V3與第三多晶硅圖案102c電性連接。圖3A為對(duì)應(yīng)圖IG的第一組件區(qū)N與電容區(qū)C的上視示意圖。圖3B為對(duì)應(yīng)圖IG 的第二組件區(qū)P的上視示意圖。換言之，在完成圖IG的步驟之后所形成的結(jié)構(gòu)的上視圖即 如圖3A以及圖3B所示。請(qǐng)參照?qǐng)D3A以及圖3B由于第一絕緣圖案104a與第一多晶硅圖 案102a具有坡度側(cè)壁，因此第一多晶硅圖案102a不會(huì)完全被第一絕緣圖案104a所遮蔽。 換言之，第一多晶硅圖案102a的邊緣會(huì)被第一絕緣圖案104a所暴露出來(lái)。類似地，第二絕 緣圖案104b與第二多晶硅圖案102b具有坡度側(cè)壁，因此第二多晶硅圖案102b不會(huì)完全被 第二絕緣圖案104b所遮蔽。換言之，第二多晶硅圖案102b的邊緣會(huì)被第二絕緣圖案104b 所暴露出來(lái)。同樣地，第三絕緣圖案104c與第三多晶硅圖案102c具有坡度側(cè)壁，因此第三 多晶硅圖案102c不會(huì)完全被第三絕緣圖案104c所遮蔽。換言之，第三多晶硅圖案102c的 邊緣會(huì)被第三絕緣圖案104c所暴露出來(lái)。之后，請(qǐng)參照?qǐng)D1H，在基板100上形成第二覆蓋層112以覆蓋第一源極金屬層 SMl、第一漏極金屬層DMl、第二源極金屬層SM2、第二漏極金屬層DM2以及電容器金屬層CM。 第二覆蓋層112的材料可為無(wú)機(jī)材料、有機(jī)材料或其它合適的材料。之后，于第二覆蓋層 112上形成畫素電極PE，且畫素電極PE通過(guò)接觸窗V與第一漏極金屬層DMl電性連接。畫 素電極PE可為透明畫素電極、反射畫素電極或是半穿透半反射畫素電極。根據(jù)上述實(shí)施例的方法所形成的畫素結(jié)構(gòu)如圖IH所示，其包括基板100、第一多 晶硅圖案102a、第一絕緣圖案104a、第二多晶硅圖案102b、第二絕緣圖案104b、絕緣層108、 第一柵極G1、第二柵極G2、第一覆蓋層110、第一源極金屬層SMl以及第一漏極金屬層DM1、 第二源極金屬層SM2以及第二漏極金屬層DM2、第二覆蓋層112以及畫素電極PE。根據(jù)本 發(fā)明的一實(shí)施例，所述畫素結(jié)構(gòu)可選擇性地包含第三多晶硅圖案102c、第三絕緣圖案104c 以及電容電極CL?；?00具有第一組件區(qū)N、第二組件區(qū)P以及電容區(qū)C。第一多晶硅圖案102a位于第一組件區(qū)N內(nèi)，且第一多晶硅圖案102a具有第一源 極區(qū)Si、第一漏極區(qū)Dl以及第一信道區(qū)CH1。根據(jù)本實(shí)施例，第一源極區(qū)Sl與第一信道區(qū) CHl以及第一漏極區(qū)Dl與第一信道區(qū)CHl之間可進(jìn)一步包括淺摻雜漏極區(qū)LDD。第一絕緣 圖案104a位于第一多晶硅圖案102a上。根據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，第一絕緣圖案104a 與第一多晶硅圖案102a構(gòu)成堆棧層，且構(gòu)成堆棧層的第一絕緣圖案104a與第一多晶硅圖 案102a具有坡度側(cè)壁。第二多晶硅圖案102b位于第二組件區(qū)P內(nèi)，且第二多晶硅圖案102b具有第二源 極區(qū)S2、第二漏極區(qū)D2以及第二信道區(qū)CH2。第二絕緣圖案104b位于第二多晶硅圖案102b上。根據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，第二絕緣圖案104b與第二多晶硅圖案102b具有坡度側(cè) 壁。此外，根據(jù)本實(shí)施例，位于第二源極區(qū)S2以及第二漏極區(qū)D2上方的第二絕緣圖案104b 的厚度小于位于第二信道區(qū)CH2上方的第二絕緣圖案104b的厚度。第三多晶硅圖案102c位于電容區(qū)C內(nèi)，且第三絕緣圖案104c位于第三多晶硅圖 案102c上。特別是，第三絕緣圖案104c、第二絕緣圖案104b及第一絕緣圖案104a彼此分 離。根據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，第三絕緣圖案104c的厚度小于第一絕緣圖案104a的厚 度。此外，第三絕緣圖案104c的厚度與位于第二源極區(qū)S2以及第二漏極區(qū)D2上方的第二 絕緣圖案104b的厚度相當(dāng)，但是第三絕緣圖案104c的厚度小于第二信道區(qū)CH2位于上方 的第二絕緣圖案104b的厚度。絕緣層108覆蓋第一絕緣圖案104a、第二絕緣圖案104b以及第三絕緣圖案104c。 根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，絕緣層108的材料可相同或不同于第一絕緣圖案104a、第二絕緣 圖案104b以及第三絕緣圖案104c的材料。第一柵極Gl位于第一信道區(qū)CHl上方的絕緣層108上。第二柵極G2位于第二信 道區(qū)CH2上方的絕緣層108上。電容電極CL位于第三多晶硅圖案102c上方的絕緣層108上。第一覆蓋層110覆蓋第一柵極G1、第二柵極G2與電容電極CL。第一源極金屬層SMl以及第一漏極金屬層DMl位于第一覆蓋層110上，且分別通 過(guò)接觸窗V1、V2與第一源極區(qū)Sl以及第一漏極區(qū)Dl電性連接。第二源極金屬層SM2以及 第二漏極金屬層DM2位于第一覆蓋層112上分別通過(guò)接觸窗V4、V5與第二源極區(qū)S2以及 第二漏極區(qū)D2電性連接。此外，第一覆蓋層110上更包括設(shè)置有電容器金屬層CM，其與第 一漏極金屬層DMl電性連接并且通過(guò)接觸窗V3與第三多晶硅圖案102c電性連接。第二覆蓋層112覆蓋第一源極金屬層SM1、第一漏極金屬層DM1、第二源極金屬層 SM2、第二漏極金屬層DM2以及電容器金屬層CM。畫素電極PE位于第二覆蓋層112上且通過(guò)接觸窗V與第一漏極金屬層DMl電性 連接。因此，畫素電極PE通過(guò)與接觸窗V、電容器金屬層CM以及接觸窗V3而與第三多晶硅 圖案102c電性連接。第二實(shí)施例圖2A至圖2D是依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制造流程剖面示意圖。圖 2A至圖2D的實(shí)施例與圖IA至圖IH的實(shí)施例相似，因此與圖IA至圖IH相同的組件以相同 的符號(hào)表示且不再重復(fù)贅述。請(qǐng)參照?qǐng)D2A，其與第一實(shí)施例的圖ID相似，不同的處在于，于 移除圖案化光阻層106的第二光阻圖案106b時(shí)或之后，所進(jìn)行的蝕刻處理步驟是移除第三 絕緣圖案104c以及位于第二源極區(qū)S2以及第二漏極區(qū)D2上方的第二絕緣圖案104b。換 言之，在圖2A的實(shí)施例中，第三多晶硅圖案102c以及第二源極區(qū)S2與第二漏極區(qū)D2上方 上并未覆蓋有絕緣圖案。之后，在圖2B的步驟中，所形成的絕緣層108是直接覆蓋第三多晶硅圖案102c的 表面以及第二源極區(qū)S2與第二漏極區(qū)D2的表面。而后續(xù)圖2C與圖2D的步驟則與圖IG 以及圖IH相同或相似。值得一提的是，圖4A為對(duì)應(yīng)圖2C的第一組件區(qū)N與電容區(qū)C的上視示意圖。圖 4B為對(duì)應(yīng)圖2C的第二組件區(qū)P的上視示意圖。換言之，在完成圖2C的步驟之后所形成的結(jié)構(gòu)的上視圖即如圖4A以及圖4B所示。請(qǐng)參照?qǐng)D4A以及圖4B，由于第一絕緣圖案104a 與第一多晶硅圖案102a具有坡度側(cè)壁，因此第一多晶硅圖案102a不會(huì)完全被第一絕緣圖 案104a所遮蔽。換言之，第一多晶硅圖案102a的邊緣會(huì)被第一絕緣圖案104a所暴露出來(lái)。 然，在此實(shí)施例中，因?yàn)榈谌^緣圖案104c以及位于第二源極區(qū)S2以及第二漏極區(qū)D2上 方的第二絕緣圖案104b都會(huì)被移除。因此，在圖4A以及圖4B中第三多晶硅圖案102c不 會(huì)被絕緣圖案所遮蔽或覆蓋，且在第二多晶硅圖案102b的第二源極區(qū)S2以及第二漏極區(qū) D2上方也不會(huì)被絕緣圖案所遮蔽或覆蓋。綜上所述，本發(fā)明在第一多晶硅圖案上的第一絕緣圖案與第二多晶硅圖案上的第 二絕緣圖案是彼此分離，且另一絕緣層是覆蓋住上述的第一絕緣圖案以及第二絕緣圖案。 此種結(jié)構(gòu)可以減少柵極與多晶硅圖案之間的漏電情形。另外，本發(fā)明的第一主動(dòng)組件的第一絕緣圖案與第一多晶硅圖案具有坡度側(cè)壁， 且第二主動(dòng)組件的第二絕緣圖案與第二多晶硅圖案亦具有坡度側(cè)壁。因此，當(dāng)后續(xù)形成絕 緣層以覆蓋第一絕緣圖案及第二絕緣圖案時(shí)能具有較佳的階梯覆蓋性。如此一來(lái)，第一主 動(dòng)組件與第二主動(dòng)組件能具有較佳的組件可靠度。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域 中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明 的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
1權(quán)利要求
一種畫素結(jié)構(gòu)，包括一基板，其具有一第一組件區(qū)以及一第二組件區(qū)；一第一多晶硅圖案，位于該第一組件區(qū)內(nèi)，其中該第一多晶硅圖案具有一第一源極區(qū)、一第一漏極區(qū)以及一第一信道區(qū)；一第一絕緣圖案，位于該第一多晶硅圖案上；一第二多晶硅圖案，位于該第二組件區(qū)內(nèi)，其中該第二多晶硅圖案具有一第二源極區(qū)、一第二漏極區(qū)以及一第二信道區(qū)；一第二絕緣圖案，位于該第二多晶硅圖案上，其中該第一絕緣圖案與該第二絕緣圖案彼此分離；一絕緣層，覆蓋該第一絕緣圖案與該第二絕緣圖案；一第一柵極，位于該第一信道區(qū)上方的該絕緣層上；一第二柵極，位于該第二信道區(qū)上方的該絕緣層上；一第一覆蓋層，覆蓋該第一柵極與該第二柵極；一第一源極金屬層以及一第一漏極金屬層，位于該第一覆蓋層上且分別與該第一源極區(qū)以及該第一漏極區(qū)電性連接；一第二源極金屬層以及一第二漏極金屬層，位于該第一覆蓋層上分別與該第二源極區(qū)以及該第二漏極區(qū)電性連接；一第二覆蓋層，覆蓋該第一源極金屬層、該第一漏極金屬層、該第二源極金屬層以及該第二漏極金屬層；以及一畫素電極，位于該第二覆蓋層上，且與該第一漏極金屬層電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一絕緣圖案與該第一多晶硅圖 案構(gòu)成一堆棧層，且該堆棧層具有一坡度側(cè)壁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二絕緣圖案與該第二多晶硅圖 案具有一坡度側(cè)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板更包括一電容區(qū)，且該畫素結(jié) 構(gòu)更包括一第三多晶硅圖案，位于該電容區(qū)；一第三絕緣圖案，位于該第三多晶硅圖案上，且被該絕緣層所覆蓋，其中該第三絕緣圖 案與該第二絕緣圖案及該第一絕緣圖案彼此分離；一電容電極，位于該第三多晶硅圖案上方的該絕緣層上，其中該電容電極與該畫素電 極電性連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三絕緣圖案的厚度小于該第一 絕緣圖案的厚度且小于該第二絕緣圖案的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板更包括一電容區(qū)，且該畫素結(jié) 構(gòu)更包括一第三多晶硅圖案，位于該電容區(qū)，且該第三多晶硅圖案被該絕緣層所覆蓋；以及 一電容電極，位于該第三多晶硅圖案上方的該絕緣層上，其中該電容電極與該畫素電 極電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣層的材料不同于該第一絕緣圖案以及該第二絕緣圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣層的材料相同于該第一絕緣 圖案以及該第二絕緣圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，位于該第二源極區(qū)以及該第二漏極 區(qū)上方的該第二絕緣圖案的厚度小于位于該第二信道區(qū)上方的該第二絕緣圖案的厚度。
10.一種畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一基板，其具有一第一組件區(qū)以及一第二組件區(qū)； 在該基板上依序形成一多晶硅層以及一絕緣材料層；同時(shí)圖案化該絕緣材料層以及該多晶硅層，以于該第一組件區(qū)內(nèi)形成一第一多晶硅圖 案以及一第一絕緣圖案，并且在該第二組件區(qū)內(nèi)形成一第二多晶硅圖案以及一第二絕緣圖 案，其中該第一絕緣圖案與該第二絕緣圖案彼此分離；在該第一多晶硅圖案中形成一第一源極區(qū)、一第一漏極區(qū)以及一第一信道區(qū)； 在該第二多晶硅圖案中形成一第二源極區(qū)、一第二漏極區(qū)以及一第二信道區(qū)； 形成一絕緣層，覆蓋該第一絕緣圖案與該第二絕緣圖案； 于該第一信道區(qū)上方的該絕緣層上形成一第一柵極； 于該第二信道區(qū)上方的該絕緣層上形成一第二柵極； 形成一第一覆蓋層，以覆蓋該第一柵極與該第二柵極；于該第一覆蓋層上形成一第一源極金屬層以及一第一漏極金屬層，其分別與該第一源 極區(qū)以及該第一漏極區(qū)電性連接；于該第一覆蓋層上形成一第二源極金屬層以及一第二漏極金屬層，其分別與該第二源 極區(qū)以及該第二漏極區(qū)電性連接；形成一第二覆蓋層，覆蓋該第一源極金屬層、該第一漏極金屬層、該第二源極金屬層以 及該第二漏極金屬層；以及于該第二覆蓋層上形成一畫素電極，且其與該第一漏極金屬層電性連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該基板更包括一電容 區(qū)，且該方法更包括于圖案化該絕緣材料層以及該多晶硅層時(shí)，更包括同時(shí)在該電容區(qū)中形成一第三多晶 硅圖案以及一第三絕緣圖案；以及于形成該絕緣層之后，該第三絕緣圖案會(huì)被該絕緣層所覆蓋；以及 于該第三多晶硅圖案上方的該絕緣層上形成一電容電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，圖案化該絕緣材料層 及該多晶硅層的步驟包括在該絕緣材料上形成一圖案化光阻層，該圖案化光阻層具有一第一光阻圖案以及一第 二光阻圖案，其中該第一光阻圖案的厚度大于第二光阻圖案的厚度；以及利用該圖案化光阻層進(jìn)行一蝕刻程序，以于該第一組件區(qū)內(nèi)形成該第一多晶硅圖案以 及該第一絕緣圖案，在該第二組件區(qū)內(nèi)形成該第二多晶硅圖案以及該第二絕緣圖案，并且 在該電容區(qū)內(nèi)形成該第三多晶硅圖案以及該第三絕緣圖案。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，進(jìn)行該蝕刻程序之后 更包括對(duì)該第一多晶硅圖案、該第一絕緣圖案、該第二多晶硅圖案、該第二絕緣圖案、該第三多晶硅圖案以及該第三絕緣圖案進(jìn)行一側(cè)向蝕刻程序。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，于該側(cè)向蝕刻程序之 后，更包括移除該圖案化光阻層的該第二光阻圖案，以使部分的該第二絕緣圖案以及該第三絕緣 圖案暴露出；進(jìn)行一離子植入程序，以于該三多晶硅圖案中植入離子，并且于該第二多晶硅圖案中 形成該第二源極區(qū)、該第二漏極區(qū)以及該第二信道區(qū)；以及 移除該圖案化光阻層的該第一光阻圖案。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，于移除該圖案化光阻 層的該第二光阻圖案時(shí)或之后，更進(jìn)一步進(jìn)行一蝕刻處理步驟，以使該第一絕緣圖案與該 第一多晶硅圖案具有一坡度側(cè)壁，并且使該第二絕緣圖案與該第二多晶硅圖案具有一坡度側(cè)壁。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該蝕刻處理步驟更包 括移除位于該第二源極區(qū)以及該第二漏極區(qū)上方的該第二絕緣圖案一部分的厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該蝕刻處理步驟更包 括移除該第三絕緣圖案一部分的厚度。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該蝕刻處理步驟更包 括移除該第三絕緣圖案。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該絕緣層的材料不同 于該第一絕緣圖案以及該第二絕緣圖案。
20.根據(jù)權(quán)利要求10所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該絕緣層的材料相同 于該第一絕緣圖案以及該第二絕緣圖案。
全文摘要
一種畫素結(jié)構(gòu)。基板具有第一、第二組件區(qū)。第一多晶硅圖案位于第一組件區(qū)內(nèi)。第一絕緣圖案位于第一多晶硅圖案上。第二多晶硅圖案位于第二組件區(qū)內(nèi)。第二絕緣圖案位于第二多晶硅圖案上，且第一絕緣圖案與第二絕緣圖案彼此分離。絕緣層覆蓋第一與第二絕緣圖案。第一與第二柵極位于絕緣層上。第一覆蓋層覆蓋第一與第二柵極。第一源極/漏極金屬層位于第一覆蓋層上且分別與第一多晶硅圖案中的第一源極/漏極區(qū)電性連接。第二源極/漏極金屬層位于第一覆蓋層上分別與第二多晶硅圖案中的第二源極/漏極區(qū)電性連接。第二覆蓋層覆蓋第一源極/漏極金屬層以及第二源極/漏極金屬層。畫素電極位于第二覆蓋層上且與第一漏極金屬層電性連接。
文檔編號(hào)H01L27/12GK101980365SQ20101028633
公開日2011年2月23日 申請(qǐng)日期2010年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月7日
發(fā)明者謝秀春, 邱大維, 陳亦偉, 陳崇道 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司