專利名稱：具堆棧功能的晶圓級半導(dǎo)體封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件，且特別是有關(guān)于一種具有堆棧功能的晶圓級半導(dǎo)體封裝件。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體組件日趨復(fù)雜，使其至少需要在某種程度上縮小尺寸以及增強(qiáng)功能。然而在縮小尺寸以及增強(qiáng)功能得到好處的時候，半導(dǎo)體組件也同時產(chǎn)生出相應(yīng)的問題。在一般的晶圓級封裝，半導(dǎo)體組件先封裝于晶圓中，在對晶圓作切割工藝。如此， 一般的晶圓級封裝會受限于一扇入結(jié)構(gòu)(即電性接觸件)，而一完成的半導(dǎo)體封裝件的其它組件會被限制在由半導(dǎo)體組件周圍所定義的區(qū)域。任何設(shè)置于半導(dǎo)體組件周圍外的組件通常不被支持，且一般皆在切割工藝中被移除。在組件持續(xù)微縮而組件功能持續(xù)增加的情況下，此一扇入結(jié)構(gòu)的限制將形成挑戰(zhàn)。電子產(chǎn)品通常必須在有限的空間中容置高密度的半導(dǎo)體組件。舉例來說，對于制造者、內(nèi)存組件、及其它主動或被動組件來說，在手機(jī)、PDA、膝上型計算機(jī)、及其它可攜式消費產(chǎn)品中可用的空間是更進(jìn)一步受到限制的。在半導(dǎo)體封裝件中的半導(dǎo)體封裝可在電子產(chǎn)品內(nèi)產(chǎn)生額外新增的有用空間。如此，現(xiàn)有的強(qiáng)大的技術(shù)趨勢是傾向在一半導(dǎo)體封裝件所占有的一腳位區(qū)域(footprint)下增加半導(dǎo)體組件密度。不幸的是，一般傳統(tǒng)的晶圓級封裝對于處理此技術(shù)趨勢是不恰當(dāng)?shù)?。這和背景有所沖突，因而產(chǎn)生發(fā)展晶圓級半導(dǎo)體封裝件、相關(guān)的堆棧封裝組裝件及方法的需求。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一方面提供一種具有堆棧功能的晶圓級半導(dǎo)體封裝件及相關(guān)堆棧封裝組裝件。在一實施例中，一半導(dǎo)體封裝件包括(1) 一重新分布單元包括一上表面；(2) 一組堆棧半導(dǎo)體組件包括(a) —第一半導(dǎo)體組件設(shè)置鄰接于重新分布單元，且包括一第一主動表面，此第一主動表面面對重新分布單元的上表面，以及(b) —第二半導(dǎo)體組件設(shè)置鄰接于該第一半導(dǎo)體組件，且包括一第二主動表面，此第二主動表面背向于第一主動表面；(3) —組連接組件設(shè)置鄰接于堆棧半導(dǎo)體組件的一周圍，且皆由重新分布單元的上表面向上延伸，此連接組件包括(a) —第一連接組件包括一第一上底端，以及(b) —第二連接組件包括一第二上底端，第二上底端焊線接合至第二半導(dǎo)體組件的第二主動表面；以及 (4) 一封裝體設(shè)置鄰接于重新分布單元的上表面，且覆蓋此堆棧半導(dǎo)體組件及連接組件，封裝體包括一中央上表面和一外圍上表面，封裝體之中央上表面位于第二半導(dǎo)體組件的第二主動表面的上，第一連接組件的第一上底端暴露鄰接于封裝體的外圍上表面。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種形成具有堆棧功能的晶圓級半導(dǎo)體封裝件的制造方法。在一實施例中，一制造方法包括(1)提供一第一半導(dǎo)體組件及一第二半導(dǎo)體組件，第一半導(dǎo)體組件包括一第一主動表面，第二半導(dǎo)體組件包括一第二主動表面；(2)堆棧第一半導(dǎo)體組件及第二半導(dǎo)體組件，使第一主動表面及第二主動表面彼此相背；(3)施加一第一封膠材料形成封膠結(jié)構(gòu)，以覆蓋第一半導(dǎo)體組件及第二半導(dǎo)體組件的邊緣，封膠結(jié)構(gòu)包括一前表面及一相對的背表面，第一半導(dǎo)體組件的第一主動表面至少部分暴露鄰接封膠結(jié)構(gòu)之前表面，第二半導(dǎo)體組件的第二主動表面至少部分暴露鄰接封膠結(jié)構(gòu)的背表面； (4)形成一組通孔，此組通孔于封膠結(jié)構(gòu)之前表面和背表面間作延伸，且環(huán)繞第一半導(dǎo)體組件及第二半導(dǎo)體組件；(5)施加一導(dǎo)電材料于通孔中以形成一組連接組件；(6)形成一重新分布單元，此重新分布單元鄰接于第一半導(dǎo)體組件的第一主動表面及封膠結(jié)構(gòu)之前表面；通過一組焊線，用以電性連接第二半導(dǎo)體組件的第二主動表面至連接組件中的至少其中之一；以及(8)施加一第二封膠材料，此第二封膠材料鄰接于第二半導(dǎo)體組件的第二主動表面及封膠結(jié)構(gòu)的背表面，以形成一封膠體，此封膠體包括一中央部分及一外圍部分，中央部分有一中央厚度Hpi以覆蓋第二半導(dǎo)體組件的第二主動表面及焊線，外圍部分有一外圍厚度Hp2以至少部分暴露至少一組連接組件的一底端。本發(fā)明的其它方面和實施例也都被仔細(xì)考慮。前述發(fā)明內(nèi)容及相關(guān)特殊實施例的詳細(xì)描述并非用以限制本發(fā)明，僅用于說明本發(fā)明的部分實施例。


圖IA繪示依照本發(fā)明一較佳實施例的晶圓級半導(dǎo)體封裝件的示意圖。圖IB繪示一圖IA中的線A-A的封裝件的剖面圖。圖2A 2B繪示于圖IA及圖IB中利用封裝形成的一拉長、堆棧封裝組裝件剖面圖。圖3繪示一于圖IA及圖IB中利用封裝形成的一堆棧封裝組裝件剖面圖。圖4A 4H繪示形成圖IA及圖IB中的封裝件的制造方法。主要組件符號說明100 封裝件102、104 半導(dǎo)體組件106、110、120 下表面108、112、122 上表面114a、114b、116a、116b、204 接觸墊118:重新分布單元124、126、146、148 側(cè)向表面128、130:介電層132:導(dǎo)電層132a、132b、132c、132d、150a、150b、304a、304b 電性接觸件134a、134b、134c 電性互連件136a、136b、136c、136d 連接組件138 焊線140 封裝體142:中央上表面144 外圍上表面
200 導(dǎo)電柱
202 導(dǎo)電通道
300 堆棧封裝組裝件
302 半導(dǎo)體封裝件
400 載具
402、412 封膠材料
404 封膠結(jié)構(gòu)
406a、406b、406c、406d 通孔
408 前表面
410 背表面
418 導(dǎo)電材料
Hpi 中央厚度
Hp2 外圍厚度
Hc 尚度
Wc:寬度
具體實施例方式下列定義本發(fā)明的某些實施例在某些觀點上的應(yīng)用說明。這些定義同樣也可以與此的上作延伸。除非內(nèi)文中明確地指明，否則于此所用的單數(shù)項“a”、“an”以及“the”包含了數(shù)個指示對象。故舉例來說，除非內(nèi)文中明確地指明，否則當(dāng)提及一電性互連件時，此一電性互連件可包含數(shù)個電性互連件。于此所用的項目“set”表示一個或多個組件的集合。故舉例來說，一層組可以包含單一個層或多個層。一組的組件(components of a set)也可以視為是此組的一部份 (members of the set)。一組的組件可以是相同或不同的。在某些例子中，一組的組件可以共享一個或多個共同的特征。于此所用的項目“adjacent”表示鄰近或靠近。鄰近的數(shù)個組件可彼此相互分開或者是實質(zhì)上彼此相互直接接觸。在某些例子中，鄰近的數(shù)個組件可以彼此相互連接或者是一體成形。于此所用例如是“化1^1~，，、“丨壯61^01~，，、“0肽61~，，、“61{61^01~，，、“切？，，、“130 0111”、 "front，，、"back，，、"upper，，、"upwardly，，、"lower ""‘downwardly，，、"vertical，，、 "vertically",“ lateral “ laterally", "above"以及"below” 的相關(guān)項目表示一組件組
相對于另一組件組的方向，例如是如圖式所示，但此些組件在制造過程中或使用中并不需要局限在特定的方向。于此所用的項目“connect”、“connected”以及“connection”表示操作上的耦合或連結(jié)。數(shù)個連接組件可以彼此相互直接耦合，或者是彼此相互間接耦合，彼此相互間接耦接例如經(jīng)由另一組的組件來達(dá)成。于此所用的項目“substantially”以及“substantial”表示一應(yīng)考慮的等級程度或范圍。當(dāng)上述的項目連同一個事件或情況一起使用時，上述的項目可以表示事件或情況準(zhǔn)確地發(fā)生的實例，以及可以表示事件或情況在非常接近地狀況下發(fā)生的實例，例如像是在此說明的一般制造操作的容忍程度。于此所用的項目 “electrically conductive” 以及“electrically conductivity”表示一電流傳輸?shù)哪芰Αｋ娦詡鲗?dǎo)材料通常是那些顯現(xiàn)出極小或者沒有反抗電流流通的材料。每公尺數(shù)個西門子(Siemens per meter，“S ^1”)為導(dǎo)電性的一種度量單位。一般來說，一電性傳導(dǎo)材料具有大于IO4S .m-1的傳導(dǎo)性，例如是最少約為IO5S .m-1 或者最少約為IO6S ^nT1。一材料的導(dǎo)電性有時可以隨溫度而變化。除非另有明確說明，一材料的導(dǎo)電性是于室溫下所定義。首先請參照圖IA和圖1B，圖IA和圖IB繪示依照本發(fā)明實施例的晶圓級半導(dǎo)體封裝件100的示意圖。其中圖IA繪示封裝件100的示意圖，而圖IB繪示乃圖IA的封裝件 100沿著圖IA的A-A線的剖面圖。請參照圖1B，封裝件100包括數(shù)個半導(dǎo)體組件，其中包括半導(dǎo)體組件102及半導(dǎo)體組件104，半導(dǎo)體組件104設(shè)置鄰接于半導(dǎo)體組件102。在此實施例，于封裝件100中，半導(dǎo)體組件102及104被設(shè)置為一堆棧結(jié)構(gòu)，組件彼此之間為一安全的合適形式，比如利用一晶粒貼附薄膜或一黏著層。于封裝件100中，此半導(dǎo)體組件102及104的堆棧結(jié)構(gòu)具有可在一給定的腳位區(qū)域之下，于封裝件100中達(dá)到一更高密度的半導(dǎo)體組件的優(yōu)點。雖然圖IB 中繪示二個半導(dǎo)體組件102及104，在其它實施中，其中亦可以包括更多或更少的半導(dǎo)體組件來用以實現(xiàn)其它的應(yīng)用。更特別的是，經(jīng)由額外增加的半導(dǎo)體組件在封裝件100中，可以實現(xiàn)出具有更高密度的半導(dǎo)體組件。如圖IB所示，半導(dǎo)體組件102包括一上表面108和一下表面106，上表面108為半導(dǎo)體組件102的背表面，而下表面106為半導(dǎo)體組件102的一主動表面，下表面106上具有接觸墊114a和114b，接觸墊114a和114b和下表面106鄰接設(shè)置。半導(dǎo)體組件104包括一下表面110和一上表面112，下表面110為半導(dǎo)體組件104的一背表面，上表面112為半導(dǎo)體組件104的一主動表面，上表面112上具有接觸墊116a和116b，接觸墊116a和116b和上表面112鄰接設(shè)置。接觸墊114a和114b為半導(dǎo)體組件102提供輸入電性連接點和輸出電性連接點，而接觸墊116a和116b為半導(dǎo)體組件104提供輸入電性連接點和輸出電性連接點。在此實施例中，半導(dǎo)體組件102和104為一背對背堆棧結(jié)構(gòu)來設(shè)置，如此，半導(dǎo)體組件102和104的背表面彼此面對，而半導(dǎo)體組件102和104的主動表面為彼此背向。然而， 可以推想得到的是，在其它實際應(yīng)用情形中，半導(dǎo)體組件102和104的堆?？梢跃哂胁煌慕Y(jié)構(gòu)。于此實施例中，雖然各半導(dǎo)體組件102和104為一半導(dǎo)體芯片，然而一般來說，半導(dǎo)體組件102和104亦可以是任意的主動組件、任意的被動組件、或其中任意組件的組合。如圖IB所示，相較于半導(dǎo)體組件104，半導(dǎo)體組件102有一較大的橫向延伸，然而半導(dǎo)體組件 102也可以具有一較小的橫向延伸，或者半導(dǎo)體組件102和104具有一實質(zhì)上相同的橫向延伸。參照圖IA和圖1B，封裝件100也包括一重新分布單元118，重新分布單元118鄰接地設(shè)置于半導(dǎo)體組件102的下表面106。重新分布單元118電性連接于半導(dǎo)體組件102 和104，其不但提供電性路徑，更提供機(jī)械穩(wěn)定度及針對環(huán)境因素的保護(hù)。如圖IA和圖IB 所示，重新分布單元118包括一下表面120、一上表面122、以及側(cè)向表面124和126，側(cè)向表面124和126鄰接地設(shè)置于重新分布單元118的周圍，且于下表面120和上表面122之間延伸。在此實施例中，各表面120、122、124、及126實質(zhì)上為平面，側(cè)向表面124和126相對下表面120或上表面122實質(zhì)上具有直角方向，然而在其它實施中，表面120、122、124、及 126的形狀及方向可以有所改變。相對于半導(dǎo)體組件102和104，重新分布單元118的周圍 (由側(cè)向表面124和126所定義)具有較大的側(cè)向范圍，因此可使封裝件100以扇出結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)，即封裝件100的組件可設(shè)置于由半導(dǎo)體組件102或104周圍所定義的區(qū)域之內(nèi)和之外。在此實施例中，重新分布單元118于制造中形成一組重新分布層，然而在其它實施中，重新分布單元118可以包括一預(yù)先形成結(jié)構(gòu)。參照圖1B，重新分布單元118為多層的，且包含一對介電層128和130及導(dǎo)電層132，至少部分的導(dǎo)電層132被夾于介電層128 及130之間形成三明治結(jié)構(gòu)。一般來說，各一介電層128和130可由一介電材料所形成，此介電材料可為聚合物或非聚合物。舉例來說，介電層128和130中至少有一者由聚亞酰胺 (polyimide)、聚苯惡唑(polybenzoxazole)、苯環(huán)丁烯(benzocyclobutene)或以上材料的組合物所形成。介電層128和130可由相同的介電材料或不同的介電材料形成。就一個實例來說，介電層128和130中至少有一層可由光可成像或感光的介電材料來形成，如此可經(jīng)由利用微影工藝制作圖案來減少制造成本與時間。雖然圖IB中繪示二個介電層128和 130，然而在其它實施中，其中亦可以包含更多或更少的介電層。如圖IB所示，介電層128具有一組開口，此開口經(jīng)過位置上的對準(zhǔn)及尺寸上的調(diào)整，以至少可部分暴露出接觸墊114a和114b，且允許接觸墊114a和114b電性連接至導(dǎo)電層132，且另一組經(jīng)過位置上的對準(zhǔn)及尺寸上的調(diào)整的開口至少部分暴露出導(dǎo)電層132，以鄰接至重新分布單元118的上表面122及半導(dǎo)體組件102或104周圍的外圍。參照圖1B，介電層130具有數(shù)個開口，此些開口經(jīng)由位置上的對準(zhǔn)，使介電層130至少部分暴露出導(dǎo)電層 132，以鄰接重新分布單元118的下表面120，且此些開口經(jīng)過尺寸上的調(diào)整以容納電性接觸件132a、132b、132c、及132d。電性接觸件132a、132b、132c、及132d為封裝件100提供輸入電性連接點和輸出電性連接點，且電性接觸件132a、132b、132c、及132d的至少一個子集通過導(dǎo)電層132電性連接至半導(dǎo)體組件102和104。于此實施例中，電性接觸件132a、132b、 132c、及132d為焊接凸塊，且依照封裝件100的扇出結(jié)構(gòu)，電性接觸件132a、132b、132c、及 132d橫向地設(shè)置于半導(dǎo)體組件102或104周圍的外部。然而，一般來說，電性接觸件132a、 132b、132c、及132d可以橫向地設(shè)置于半導(dǎo)體組件102或104周圍之內(nèi)、半導(dǎo)體組件102或 104周圍之外、或分布于半導(dǎo)體組件102或104周圍的內(nèi)外。據(jù)此，經(jīng)由降低對半導(dǎo)體組件 102的接觸墊114a和114b的空間設(shè)置和間距的相依關(guān)系及降低對半導(dǎo)體組件104的接觸墊116a和116b的空間設(shè)置和間距的相依關(guān)系，可使得封裝件100的扇出結(jié)構(gòu)可就電性接觸件132a、132b、132c、及132d的空間設(shè)置和間距的設(shè)計提供允許更大的彈性。對于半導(dǎo)體組件102的接觸墊114a和114b以及半導(dǎo)體組件104的接觸墊116a 和116b來說，導(dǎo)電層132為一重新分布網(wǎng)絡(luò)，且依照封裝件100的扇出結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電層132橫向地延伸于重新分布單元118中以及半導(dǎo)體組件102或104周圍的內(nèi)部跟外部。如圖IB 所示，導(dǎo)電層132包括一電性互連件134a、一電性互連件134b，以及一電性互連件134c，電性互連件134a電性連接至電性接觸件132a，且暴露并鄰接于重新分布單元118的上表面 122。電性互連件134b將電性接觸件114a和116a電性連接至電性接觸件132b，且暴露并鄰接于重新分布單元118的上表面122。電性互連件134c將接觸墊114b和116b電性連接至電性接觸墊132c和132d，且暴露并鄰接于重新分布單元118的上表面122。一般來說，各電性互連件134a、134b、及134c可由金屬、金屬合金、金屬或金屬合金分散于其中的材料、 或另一合適的導(dǎo)電材料形成。舉例來說，電性互連件134a、134b、及134c中至少有一可被當(dāng)作是一組孔洞及一組電性線路，該組孔洞及電性線路由鋁、銅、鈦或其組合物所形成。電性互連件134a、134b、及134c可由相同的導(dǎo)電材料或不同的導(dǎo)電材料所形成。雖然圖IB中繪示一個導(dǎo)電層132，然而在其它實施中，其亦可以包含有額外增加的導(dǎo)電層。如圖IB所示，封裝件100也包含了連接組件136a、136b、136c、及136d，連接組件 136a、136b、136c、及136d設(shè)置于半導(dǎo)體組件102或104周圍的外部。連接組件136a、136b、 136c、及136d自導(dǎo)電層132向上作延伸。連接組件136a電性連接電性互連件134a，并且自電性互連件134a向上作延伸；連接組件136b電性連接電性互連件134b，并且自電性互連件134b向上作延伸；連接組件136c及136d電性連接電性互連件134c，并且自電性互連件 134c向上作延伸。參照圖IA和圖1B，連接組件136a、136b、136c、及136d以列的形式作分布，其中每一列沿著實質(zhì)上為矩形圖案或為正方型圖案的四邊做延伸。此些列包括外部列和內(nèi)部列，外部列包括連接組件136a和136d，而內(nèi)部列包括連接組件136b和136c。在此實施例中，外部列的連接組件(如連接組件136a和136d)提供數(shù)個電性路徑，此些電性路徑位于封裝件100和另一在一堆棧封裝組裝件中的封裝件之間，而內(nèi)部列的連接組件(如連接組件136b和136c)提供數(shù)個電性路徑，此些電性路徑位于封裝件100中，且位于半導(dǎo)體組件104和封裝件100的其它組件之間。然而，連接組件136a、136b、136c、及136d其中之一個或多個亦可結(jié)合跨封裝件(inter-package)和內(nèi)封裝件(intra-package)電性路徑。經(jīng)由提供此些垂直延伸的電性路徑，連接組件136a、136b、136c、及136d可使此由導(dǎo)電層132 所提供的重新分布網(wǎng)絡(luò)延伸為三維。據(jù)此，連接組件136a、136b、136c、及136d有助于半導(dǎo)體組件102和104在封裝件100中的堆棧，以及封裝件100和另一個(在堆棧封裝組裝件中的)封裝件間的堆棧，從而在一給定的腳位區(qū)域中實現(xiàn)出更高密度的半導(dǎo)體組件。雖然圖IB繪示出兩列連接組件136a、136b、136c、及136d，然而在其它實施中，其中可以包含有更多或更少列的連接組件，且連接組件136a、136b、136c、及136d在一般情況下可以是任意一種一維圖案或二維圖案的分布。在此實施例中，連接組件136a、136b、136c、及136d被作成伸長結(jié)構(gòu)，更進(jìn)一步的說，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)被設(shè)置于其中，且至少部分填充其所形成的通孔，依照下述的制造操作。連接組件136a、136b、136c、及136d由金屬、金屬合金、金屬或金屬合金分散于其中的材料、或另一合適的導(dǎo)電材料。舉例來說，連接組件136a、136b、136c、及136d中的至少一個由銅或銅合金所形成。如圖IB所示，各連接組件136a、136b、136c、或136d的尺寸可以是依照連接組件136a、136b、136c、及136d的一高度氏(即是連接組件136a、136b、136c、或136d的垂直范圍)以及連接組件136a、136b、136c、或136d的寬度Wc (即是連接組件136a、136b、136c、 或136d的橫向范圍)來做明確指定。如果連接組件136a、136b、136c、及136d有一非均勻橫向范圍，舉例來說，該寬度W?？梢勒找谎刂唤M直角方向的平均橫向范圍來指定。對一特殊的實施，每一連接組件136a、136b、136c、或136d的高度He可在大約100微米到700微米(μ m)的范圍之間，例如大約150微米到650微米間，或200微米到600微米間，而連接組件136a、136b、136c、或136d的寬度\可在大約100微米到50微米的范圍之間，例如大約150微米到450微米間，或200微米到400微米間。
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參照圖1B，每一連接組件136a、136b、136c、或136d的上底端實質(zhì)上對準(zhǔn)半導(dǎo)體組件104的上表面112或與其為共平面，而每一連接組件136a、136b、136c、或136d的下底端實質(zhì)上對準(zhǔn)半導(dǎo)體組件102的下表面106或與其為共平面。以另一種方式來說，每一連接組件136a、136b、136c、或136d的高度Hc實質(zhì)上與半導(dǎo)體組件102和104的堆棧結(jié)構(gòu)的垂直延伸總和相等。然而在其它實施中，連接組件136a、136b、136c、及136d的垂直范圍，以及連接組件136a、136b、136c、及136d與上表面112及下表面106的對準(zhǔn)關(guān)可以有所變更的。 如圖IB所示，半導(dǎo)體組件104通過一組焊線138焊線接合至連接組件136b和136c，此組焊線138將連接墊116a和116b分別電性連接至連接組件136b和136c的上底端(以及其它內(nèi)部列連接組件)。焊線138由金、銅、或其它合適的導(dǎo)電材料所形成。在一實例中，因為銅相較于金有更佳的導(dǎo)電性以及更低的成本，同時可允許焊線138以一減少的直徑來形成， 故而焊線138中至少一個子集合由銅所形成。焊線138可以一合適的金屬鍍膜來形成，如鈀，以保護(hù)不受氧化及外界環(huán)境影響。使用焊線接合有益于幫助封裝件100的堆棧功能，包括不需形成另一重新分布單元來提供電性路徑，即可于封裝件100內(nèi)堆棧半導(dǎo)體組件102 和104，所以可減少制造成本及時間。此外，使用焊線接合可以更容易地容納特定形式的半導(dǎo)體組件，如焊線接合特殊設(shè)計以用來焊線接合的芯片。參照圖IA和圖1B，封裝件100包括一封裝體140，封裝體140設(shè)置鄰接于重新分布單元118的上表面122。封裝體140連接重新分布單元118，且實質(zhì)上包覆或覆蓋半導(dǎo)體組件102和104、焊線138、以及連接組件136b和136c (及其它內(nèi)部列連接組件)以提供結(jié)構(gòu)剛性并且保護(hù)不受外界環(huán)境影響。此外，封裝體140延伸至重新分布單元118的周邊，并且包覆或覆蓋連接組件136a和136d (及其它外部列連接組件)，至少部分暴露出連接組件 136a和136d的上底端，以堆棧另一封裝件于封裝件100之上。封裝體140由封膠材料所形成，并且包括一中央上表面142、一外圍上表面144、以及側(cè)向表面146和148，側(cè)向表面146和148設(shè)置鄰接于封膠體140的周邊。在此實施例中，每一中央上表面142及外圍上表面144實質(zhì)上為平面，且有實質(zhì)上和重新分布單元118 的下表面120或上表面122平行的方向，然而在其它實施中，上表面142和144的形狀與方向可以有所變更。參照圖IA和圖1B，封裝體140于鄰接于封裝體140的一中央部分處有一較大的厚度，以實質(zhì)上覆蓋半導(dǎo)體組件102和104、焊線138、以及連接組件136b和136c， 而封裝體140于鄰接于封裝體140的外圍部分處有減少的厚度，以至少部分暴露出連接組件136a和136d，而連接組件136a和136d的上底端實質(zhì)上和外圍上表面144對準(zhǔn)或共平面。另外，封膠體140之中央厚度HP1，即垂直距離。此垂直距離位于封膠體140之中央上表面142和重新分布單元118的上表面122之間，此距離大于封膠體140的外圍厚度HP2， 此厚度Hp2為一垂直距離。此垂直距離位于封膠體140的外圍上表面144和重新分布單元 118的上表面122之間，且實質(zhì)上和各連接組件136a、136b、136c、或136d的高度He相同。 更特別的，外圍厚度Hp2不大于中央厚度Hpi的9/10，例如約2/1到約9/10HP1，或者約2/3到約9/10HP1。在一實例中，中央厚度Hpi可在約200微米到800微米的范圍之間，如約250微米到750微米或者約300微米到700微米，而外圍厚度Hp2可在約100微米到700微米的范圍之間，如約150微米到650微米或者約200微米到600微米。如圖所示的連接組件136a 和136d的上底端為實質(zhì)上對準(zhǔn)外圍上表面144，連接組件136a和136d的上底端也可以向下凹或突出外圍上表面144。
參照圖IA和圖1B，封膠體140的側(cè)向表面146及148實質(zhì)上為平面，且和重新分布單元118的下表面120或上表面122實質(zhì)上有一直角方向，然而在其它實施中，側(cè)向表面 146和148的形狀及方向可以有所變更。側(cè)向表面146及148實質(zhì)上分別對準(zhǔn)重新分布單元118的側(cè)向表面124及126或者是共平面，使得側(cè)向表面146及148與側(cè)向表面124及 126相連接，側(cè)向表面146及148定義出封裝件100的周邊。經(jīng)由實行此表面對準(zhǔn)操作可使得封膠體140有一側(cè)向范圍，此側(cè)向范圍實質(zhì)上和重新分布單元118的側(cè)向范圍相符，雖然此側(cè)向范圍在鄰接于封裝件100的周邊上會有一減少的厚度。對其他實施來說，圖IA及圖 IB中所示的側(cè)向表面124、126、146、及148可以有所變更的。電性接觸件設(shè)置鄰接于封裝體140的外圍上表面144，包括電性接觸件150a及 150b,電性接觸件150a及150b分別和連接組件136a及136d的上底端(及其它外部列連接組件)電性接觸且由連接組件136a及136d的上底端向上延伸。電性接觸件150a及 150b當(dāng)作預(yù)先焊接材料，用以堆棧另一封裝件于封裝件100之上，并且如同連接組件136a 和136d，電性接觸件150a和150b以一列的形式沿著實質(zhì)上為矩形圖案或?qū)嵸|(zhì)上為方型圖案的四邊做延伸分布。在實施例中，電性接觸件150a及150b被形成作為焊接凸塊，且依照封裝件100的扇出結(jié)構(gòu)，電性接觸件150a及150b橫向分布于半導(dǎo)體組件102或104的周圍外部，然而一般來說，電性接觸件150a及150b可以是橫向設(shè)置于周圍的內(nèi)部、周圍的外部、或周圍的內(nèi)外部。接著請參照圖2A和圖2B，圖2A和圖2B繪示出圖IA和圖IB的封裝件100的部分放大剖面圖，為簡單表示，故省略相關(guān)細(xì)節(jié)。且其中，圖2A繪示一連接組件136b的一特殊實施，而圖2B繪示另一連接組件136b的特殊實施。雖然下列特征的描述參照連接組件 136b，然而這些特征可以類似地應(yīng)用于封裝件100的其它連接組件。首先請參照圖2A，連接組件136b以固態(tài)伸長結(jié)構(gòu)來做實施，且更特殊的是，例如是設(shè)置一導(dǎo)電柱或?qū)щ姌?00于連接組件136b中，且實質(zhì)上填充由封裝體140所定義出的通孔。導(dǎo)電柱200的上底端包括一連接表面，此連接表面和焊線138為電性連接。在制造中，此連接表面可由經(jīng)過導(dǎo)電柱200的上底端至一組表面終止操作(surface finishing operation)而形成，此組表面終止操作產(chǎn)生一組組層以增強(qiáng)連接至焊線138的電性連接可靠度。以表面終止層包括那些以金為基底的例子，例如化學(xué)金、無電鍍鎳/化學(xué)金、以及非電鍍鎳/非電鍍鈀/化學(xué)金。接著參照圖2B，連接組件136b以空心伸長結(jié)構(gòu)來做實行，且更特殊的是，設(shè)置導(dǎo)電材料202于連接組件136b中，且部分填充由封裝體140定義出的通孔。參照圖2B，用以形成封裝體140的封膠材料可填充部分的通孔，然而其它合適的填充材料也可以拿來使用。另外，通孔可以是至少部分為空心的。導(dǎo)電通道202的上底端有一較大的橫向范圍，且此橫向范圍被用來實行成為一連接墊204，此連接墊204包含一連接表面，此連接表面電性連接至焊線138。在制造中，此連接表面可以由通過接觸墊204至一組類似于圖2A所述的表面終止操作而形成。圖3繪示依照本發(fā)明一實施例的堆棧封裝組裝件300的剖面圖，為簡單表示，故省略相關(guān)細(xì)節(jié)。其中，圖3繪示組裝件300的特殊實施，此組裝件300使用圖IA到圖2B的封裝件100所形成。如圖3所示，組裝件300包括一半導(dǎo)體封裝件302，此半導(dǎo)體封裝件302相當(dāng)于一
11設(shè)置于封裝件100上的上封裝件，并且和相對于其下的封裝件100作電性連接。在此實施例中，封裝件302以一球柵矩陣排列(ball grid array，BGA)封裝件來作實施，然而其它形式的封裝件也可拿來作使用，包括一接點柵格矩陣排列(land gridarray, LGA)封裝件、一四方扁平無外引腳(quad flat no-lead, QFN)封裝件、一先進(jìn)四方扁平無外引腳(advanced quad flat no-lead, aQFN)封裝件、以及其它形式的球柵矩陣排列封裝件，例如一窗型球柵矩陣排列封裝件。雖然圖3繪示二個堆棧封裝件100和302，然而在其它實施中可包含有額外增加的封裝件。封裝件302的一特殊方面，可以用一和前述封裝件100類似的形式執(zhí)行， 故而不于此再作描述。參照圖3，封裝件302包括電性接觸件，電性接觸件包括電性接觸件304a和304b， 電性接觸件304a和304b為封裝件302提供了輸入電性連接點和輸出電性連接點，且從封裝件302的一下表面向下延伸。在一實施例中，電性接觸件304a和304b為焊接凸塊，且電性接觸件150a和150b亦為焊接凸塊，電性接觸件304a和304b以一列狀分布，且沿著一實質(zhì)上為矩形圖案或為正方形圖案的四邊做延伸。在堆棧操作中，封裝件302的電性接觸件 304a和304b為回流的，并且金屬接線至封裝件100的電性接觸件150a和150b。其中，電性接觸件304a和304b和電性接觸件150a和150b的其中之一接合或融合，以提供封裝件 100和302間的電性路徑。圖4A至圖4H繪示依照本發(fā)明一實施例的一形成晶圓級半導(dǎo)體封裝件的制造流程。為簡單表示，下列制造操作參照圖IA至圖2B的封裝件100作描述。然而，此制造操作可類似地執(zhí)行以形成其它半導(dǎo)體封裝件。首先請參照圖4A，提供一載具400，多對半導(dǎo)體組件以一堆棧結(jié)構(gòu)設(shè)置鄰接于載具400之上，包括半導(dǎo)體組件102和104。在此實施例中，半導(dǎo)體組件102和104為一背對背堆棧結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體組件104的主動表面112面向載具400，而半導(dǎo)體組件102的主動表面 106背向載具400。成對堆棧的半導(dǎo)體組件可以一數(shù)組方式設(shè)置安排于載具400上，其中成對堆棧的半導(dǎo)體組件以一二維形式作設(shè)置安排，或用一帶狀方式，其中成對堆棧的半導(dǎo)體組件以一線性方式做連續(xù)設(shè)置安排。開始時，相對于鄰近的半導(dǎo)體組件，半導(dǎo)體組件102或104被包含在一晶圓的一起始空間中，接著此晶圓經(jīng)過切割工藝，將半導(dǎo)體組件102或104和其相鄰的半導(dǎo)體組件分隔開。在此實施例中，相較于晶圓中的起始最近相鄰空間，安排設(shè)置成對堆棧的半導(dǎo)體組件，以得到相對于彼此的一最大的最近相鄰空間，如此有助于一完成封裝件的扇出結(jié)構(gòu)。為簡單表示，下列制造操作主要對照半導(dǎo)體組件102和104及相關(guān)組件作描述，然而制造操作可以類似地執(zhí)行于其它以平行方式或連續(xù)的成對堆棧半導(dǎo)體組件。如圖4B所示，施以一封膠材料402于載具400上，以覆蓋或包覆半導(dǎo)體組件102 和104，而半導(dǎo)體組件102和104的主動表面106和112依然是至少部分暴露。由于半導(dǎo)體組件104的主動表面112設(shè)置面向載具400，半導(dǎo)體組件104的周邊實質(zhì)上被封膠材料402 所包覆，故而其主動表面112實質(zhì)上不受封膠材料402包覆。經(jīng)由設(shè)置封膠盤或其它封膠結(jié)構(gòu)，并使封膠盤或其它封膠結(jié)構(gòu)鄰接于半導(dǎo)體組件102的主動表面106，半導(dǎo)體組件102 的周邊實質(zhì)上被封膠材料402所包覆，半導(dǎo)體組件102的主動表面106實質(zhì)上不受封膠材料402所包覆。舉例來說，封膠材料402包括一酚醛基樹脂、一環(huán)氧基樹脂、一硅基樹脂、或其它適合的密封材料。合適的填充物可以包含在內(nèi)，如粉末狀二氧化硅(SiO2)?？梢允褂萌我庖环N封膠技術(shù)來施加封膠材料402，例如壓縮封膠、射出成型封膠、或轉(zhuǎn)換封膠。一旦施以， 封膠材料402即硬化或固化，例如降低溫度以使封膠材料402的熔點下降，因而形成封膠結(jié)構(gòu)404。參照圖4B，一完成的封膠結(jié)構(gòu)404包括一前表面408，前表面408和半導(dǎo)體組件102 的主動表面106為實質(zhì)上地對準(zhǔn)或共平面，且一和前表面408相對的背表面410和半導(dǎo)體組件104的主動表面112為實質(zhì)上地對準(zhǔn)或共平面。以另一方式說明，封膠結(jié)構(gòu)404的厚度和堆棧的半導(dǎo)體組件102和104的垂直范圍總和實質(zhì)上為相同。封膠結(jié)構(gòu)404沿著被覆蓋的半導(dǎo)體組件102和104，封膠結(jié)構(gòu)404可以被視為是一重新組合晶圓。接著請參照圖4C，數(shù)個通孔形成于封膠結(jié)構(gòu)404之中，包括通孔406a、406b、406c、 及406d，其以一外部列和一內(nèi)部列的形式分布，且環(huán)繞于半導(dǎo)體組件102和104周圍，每一列皆沿著實質(zhì)上為矩形圖案或為正方形圖案的四邊作延伸?？梢杂萌我庖环N方法形成通孔 406a、406b、406c、及406d，例如化學(xué)蝕刻、激光鉆孔、或機(jī)械鉆孔以形成開口。舉例來說，激光鉆孔可以使用一綠光激光、一紅外光激光、一固態(tài)激光、或一 CO2激光來作實行，其應(yīng)用為一脈沖形式或連續(xù)波形式的一激光束。在此實施例中，每一通孔406a、406b、406c、及406d有一側(cè)向邊界，其形狀為一圓柱狀，包括一實質(zhì)上的圓剖面。然而，一般來說，406a、406b、406c、及406d的形狀可以是任意一種形狀，例如另一形式的圓柱狀，例如一橢圓柱狀、一方形柱狀、或一矩形柱狀、或一非柱狀，例如一圓錐、一漏斗狀、或另一錐狀。通孔406a，406b，406c，及406d的側(cè)向邊界也可以是曲線或粗糙紋理。依然參照圖4C，每一通孔406a、406b、406c、及406d通過封膠結(jié)構(gòu)404實質(zhì)地全部厚度作垂直延伸，即實質(zhì)上延伸一半導(dǎo)體組件102和104的主動表面106和112之間的垂直距離。然而，在其它實施方式中，通孔406a、406b、406c、及406d的垂直延伸可以有所改變。 在激光鉆孔的例子中，適當(dāng)?shù)剡x擇和控制激光的操作參數(shù)，可控制通孔406a、406b、406c、及 406d的尺寸大小和形狀。接著，施加一導(dǎo)電材料418于通孔406a、406b、406c、及406d中，以至少部分填充通孔406a、406b、406c、及406d，從而形成圖4D中所示的連接組件136a、136b、136c、及136d。 導(dǎo)電材料418包括金屬、金屬合金、金屬或金屬合金分散于其中的材料、或其它合適的導(dǎo)電材料。舉例來說，導(dǎo)電材料418可以包括金屬，例如是銅，一焊接材料，例如是任意一種熔點位于約90°C到450°C范圍之間的易熔金屬合金，或者一導(dǎo)電附著物或糊狀物，例如是任意一種樹脂，此樹脂具有導(dǎo)電填充物散布于其中。合適的焊接凸塊例子包括錫鉛合金、銅鋅合金、銅銀合金、錫銀銅合金、含鉍合金、含銦合金、及含銻合金，以及合適的附著物例子包括環(huán)氧基樹脂及具有銀填充物或碳填充物的硅基樹脂。可以任意一種方式施加導(dǎo)電材料418， 例如無電電鍍沉積、電鍍沉積、或經(jīng)由使用一分配器施加導(dǎo)電材料418。依然參照圖4D，每一完成的連接組件136a、136b、136c、及136d包括一底端和一相對的底端，連接組件136a、136b、136c、及136d的底端和封膠結(jié)構(gòu)404 (且和半導(dǎo)體組件 102的主動表面106)之前表面408為實質(zhì)上地對準(zhǔn)或共平面，連接組件136a、136b、136c、 及136d的相對底端和封膠結(jié)構(gòu)404 (且和半導(dǎo)體組件104的主動表面112)的背表面410 為實質(zhì)上地對準(zhǔn)或共平面。以另一方式說明，每一連接組件136a、136b、136c、及136d的高度Hc和封膠結(jié)構(gòu)404的厚度實質(zhì)上相同。然而，在其它實施中，連接組件136a、136b、136c、及136d的垂直范圍以及其與表面408和410的對準(zhǔn)可以有所變更。接著形成一組重新分布層，此組重新分布層鄰接于封膠結(jié)構(gòu)404之前表面408以及半導(dǎo)體組件102的主動表面106，因此形成圖4E中的重新分布單元118。重新分布單元 118包括一對介電層128和130、以及導(dǎo)電層132，至少部分的導(dǎo)電層132被夾于介電層128 及130之間形成三明治結(jié)構(gòu)。使用任意一種鍍膜技術(shù)來施加一介電材料以形成每一介電層 128和130，例如印刷、旋涂、或噴霧，接著圖案化，以形成合適大小的尺寸及位置上對準(zhǔn)的開口。使用任意一種技術(shù)以類似地施加一導(dǎo)電材料，例如化學(xué)氣相沉積、無電電鍍沉積、電鍍沉積、印刷、旋涂、噴霧、濺鍍、或真空沉積，接著圖案化以形成導(dǎo)電層132。介電層128和 130以及導(dǎo)電層132的圖案化可以任意一種方法實行，例如微影工藝、化學(xué)蝕刻、激光鉆孔、 或機(jī)械鉆孔。當(dāng)形成重新分布單元118后，接著形成電性連接件12a，132b，132c，及132d，例如是施加一焊接材料并且回流及固化，使焊接材料形成焊接凸塊，并且容納于由介電層130 定義出的開口中。接著，沿著不同被覆蓋組件的封膠結(jié)構(gòu)404自載具400上分隔開，并且再轉(zhuǎn)換至一直立方向，如圖4F所示。半導(dǎo)體組件104接著通過焊線138，焊線接合至連接組件136b和 136c (以及其它內(nèi)部列連接組件)?？扇缜笆鲆粯訉嵭谢蜻B接一組表面終止操作，焊線接合可增強(qiáng)電性連接件的可靠性。如前所述，焊線接合的使用提供了電性路徑可允許半導(dǎo)體組件102和104的堆棧，而不需去形成另一重新分布單元以鄰接至封膠結(jié)構(gòu)404的背表面410 以及半導(dǎo)體組件104的主動表面112。如圖4F和圖4G所示，接著，選擇性地施加封膠材料412于一封膠結(jié)構(gòu)404之中央部分，以實質(zhì)上覆蓋或包覆半導(dǎo)體組件104的主動表面112、焊線138、以及連接組件136b 和136c的上底端(以及其它內(nèi)部列連接組件)。對照于圖4B，封膠材料412和前述的封膠材料402可以是相同的或不同的，且可以任意一封膠技術(shù)施加，例如壓縮封膠、射出成型封膠、或轉(zhuǎn)換封膠。一旦施加，封膠材料412即硬化或固化，例如降低溫度以使封膠材料412 的熔點下降，而形成封膠體140。參照圖4G，位于鄰接于封裝體140邊緣的地方，封裝體140有一減少的厚度，封裝體140鄰接于連接組件136a和136d上底端之處為暴露的。封裝體140亦可經(jīng)由施加封膠材料412來形成，以得到一實質(zhì)上均勻的厚度，之后接續(xù)一厚度縮減操作，例如化學(xué)蝕刻、 激光鉆孔、機(jī)械切害I]、鉆孔、布線、或研磨、或其它移除技術(shù)以產(chǎn)生不同的厚度外型。接著，如圖4H所示，形成電性連接件150a和150b，且電性連接件150a和150b設(shè)置鄰接于連接組件136a和136d的上底端，例如施加一焊接材料并且回流和固化，使焊接材料形成焊接凸塊，從而形成封裝件100。依照此特殊實施，執(zhí)行一列的切割操作將封裝件 100分隔為相鄰的封裝件。本發(fā)明已參照較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾。此外，在不脫本發(fā)明的范圍和精神下，為適應(yīng)一特殊環(huán)境可針對材料、事件組成、方法、或工藝上做更多的修改。所有的修改皆在本專利范圍所界定的范圍內(nèi)。更特別的，于此所揭露的方法參照一特殊的操作，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)下，該些操作可以被合并、分開、或重新排列組合以形成一等同的方法。除了于此特別指出，該些組合與操作并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種堆棧封裝組裝件，包括一第一半導(dǎo)體封裝件包括一重新分布單元，包括一上表面；一組堆棧半導(dǎo)體組件，包括(a)一第一半導(dǎo)體組件，設(shè)置鄰接于該重新分布單元，該第一半導(dǎo)體組件包括一第一主動表面，該第一主動表面面對該重新分布單元的該上表面以及(b)一第二半導(dǎo)體組件，設(shè)置鄰接于該第一半導(dǎo)體組件，該第二半導(dǎo)體組件包括一第二主動表面，該第二主動表面背向該第一主動表面；一組連接組件，設(shè)置鄰接于該組堆棧半導(dǎo)體組件的一周圍，且各該組連接組件皆由該重新分布單元的該上表面向上延伸，該組連接組件包括(a)一第一連接組件，包括一第一上底端；及(b)一第二連接組件，包括一第二上底端，該第二上底端焊線接合至該第二半導(dǎo)體組件的該第二主動表面；以及一封裝體，設(shè)置鄰接于該重新分布單元的該上表面，該封裝體包覆該組堆棧半導(dǎo)體組件及該組連接組件，該封裝體包括一中央上表面及一外圍上表面，該中央上表面位于該第二半導(dǎo)體組件的該第二主動表面上，該第一連接組件的該第一上底端暴露鄰接于該封裝體的該外圍上表面。
2.如權(quán)利要求1所述的該堆棧封裝組裝件，其中該第二半導(dǎo)體組件的該第二主動表面實質(zhì)上對準(zhǔn)至少與該第一連接組件的該第一上底端及該第二連接組件的該第二上底端其中之一對準(zhǔn)。
3.如權(quán)利要求2所述的該堆棧封裝組裝件，其中該第二半導(dǎo)體組件的該第二主動表面實質(zhì)上對準(zhǔn)該封裝體的該外圍上表面。
4.如權(quán)利要求3所述的該堆棧封裝組裝件，其中該第一連接組件的該第一上底端實質(zhì)上對準(zhǔn)該封裝體的該外圍上表面。
5.如權(quán)利要求1所述的該堆棧封裝組裝件，其中該封裝體有一中央厚度Hpi和該中央上表面相對應(yīng)，以及一外圍厚度Hp2和外圍上表面相對應(yīng)，且該第一中央厚度HPl大于該外圍厚度HP2。
6.如權(quán)利要求5所述的該堆棧封裝組裝件，其中該外圍厚度Hp2介于1/2該中央厚度 Hpi到9/10該中央厚度Hpi的范圍之間。
7.如權(quán)利要求5所述的該堆棧封裝組裝件，其中該第一連接組件及該第二連接組件其中的至少一者有一高度H。，且該高度H。實質(zhì)上等同于該外圍厚度HP2。
8.如權(quán)利要求1所述的該堆棧封裝組裝件，其中該第一連接組件及該第二連接組件其中的至少一者對應(yīng)至一固體連續(xù)延伸結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求1所述的該堆棧封裝組裝件，其中該第一連接組件及該第二連接組件其中的至少一者對應(yīng)至一中空延伸的結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的該堆棧封裝組裝件，其中該第二連接組件的該第二上底端對應(yīng)至一接觸墊，該接觸墊焊線接合至該第二半導(dǎo)體組件的該第二主動表面。
11.如權(quán)利要求1所述的該堆棧封裝組裝件，其中該重新分布單元包括數(shù)個側(cè)向表面， 與該重新分布單元的一周圍相鄰，該封裝體包括數(shù)個側(cè)向表面與該封裝體的一周圍相鄰，該封裝體的該些側(cè)向表面實質(zhì)上分別對準(zhǔn)該重新分布單元的該些側(cè)向表面。
12.如權(quán)利要求1所述的該堆棧封裝組裝件，更包括一第二半導(dǎo)體封裝件設(shè)置鄰接于該第一半導(dǎo)體封裝件的該封裝體，該第二半導(dǎo)體封裝件電性連接于該第一連接組件的該第一上底端。
13.如權(quán)利要求12所述的該堆棧封裝組裝件，其中該第二半導(dǎo)體封裝件經(jīng)由一組焊接凸塊電性連接至該第一連接組件的該第一上底端。
14.一制造方法，包括提供一第一半導(dǎo)體組件及一第二半導(dǎo)體組件，該第一半導(dǎo)體組件包括一第一主動表面，該第二半導(dǎo)體組件包括一第二主動表面；堆棧該第一半導(dǎo)體組件及該第二半導(dǎo)體組件，使得該第一主動表面及該第二主動表面彼此為背向；施加一第一封膠材料以形成一封膠結(jié)構(gòu)，覆蓋該第一半導(dǎo)體組件的邊緣及該第二半導(dǎo)體組件的邊緣，該封膠結(jié)構(gòu)包括一前表面及一相對的背表面，該第一半導(dǎo)體組件的該第一主動表面至少部分暴露鄰接于該封膠結(jié)構(gòu)的該前表面，該第二半導(dǎo)體組件的該第二主動表面至少部分暴露鄰接于該封膠結(jié)構(gòu)的該背表面；形成一組通孔，從該組通孔于該封膠結(jié)構(gòu)的該前表面延伸至該封膠結(jié)構(gòu)的該背表面， 并圍繞該第一半導(dǎo)體組件及該第二半導(dǎo)體組件；施加一導(dǎo)電材料至該組通孔，以形成一組連接組件；形成一重新分布單元鄰接該第一半導(dǎo)體組件的該第一主動表面及該封膠結(jié)構(gòu)的該前表面；通過一組焊線，電性連接該第二半導(dǎo)體組件的該第二主動表面至該組連接組件中的至少其中之一；以及施加一第二封膠材料，該第二封膠材料鄰接于該第二半導(dǎo)體組件的該第二主動表面及該封膠結(jié)構(gòu)的該背表面，以形成一封裝體，該封裝體包括一中央部分及一外圍部分，該中央部分有一中央厚度Hpi，并覆蓋該第二半導(dǎo)體組件的該第二主動表面及該組焊線，該外圍部分有一外圍厚度HP2，以使該組連接組件中的至少一個連接組件的一底端部分暴露。
15.如權(quán)利要求14所述的該制造方法，其中使用激光鉆孔以形成該組通孔。
16.如權(quán)利要求14所述的該制造方法，其中經(jīng)由形成該組通孔的步驟來形成一第一組通孔及一第二組通孔，該第一組通孔分布于一外部列上，該外部列環(huán)繞該第一半導(dǎo)體組件及該第二半導(dǎo)體組件，該第二組通孔分布于一內(nèi)部列上，該內(nèi)部列環(huán)繞該第一半導(dǎo)體組件及該第二半導(dǎo)體組件。
17.如權(quán)利要求14所述的該制造方法，其中至少使用一化學(xué)電鍍及一電解電鍍其中至少一者，以施加該導(dǎo)電材料。
18.如權(quán)利要求14所述的該制造方法，其中提供一焊料及一導(dǎo)電黏著劑其中至少一者，以施加該導(dǎo)電材料。
19.如權(quán)利要求14所述的該制造方法，其中中央厚度Hpi大于外圍厚度HP2。
20.如權(quán)利要求14所述的該制造方法，其中外圍厚度Hp2介于2/3中央厚度Hpi到9/10 中央厚度Hpi的范圍之間。
全文摘要
具有堆棧功能的晶圓級半導(dǎo)體封裝件及相關(guān)堆棧封裝組裝件及方法于此敘述。在一實施例中，一半導(dǎo)體封裝件包含一組連接組件，其設(shè)置鄰接于一組堆棧的半導(dǎo)體組件。至少有一連接組件為焊線接合于一堆棧于上方的半導(dǎo)體組件的一主動表面。
文檔編號H01L23/31GK102214641SQ20101029103
公開日2011年10月12日 申請日期2010年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月2日
發(fā)明者丁一權(quán), 陳家慶 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司