專利名稱：一種納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熱電材料領(lǐng)域，尤其涉及一種納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料及其 制備方法。
背景技術(shù)：
熱電材料是通過半導(dǎo)體材料的賽貝克效應(yīng)和帕爾貼效應(yīng)實(shí)現(xiàn)熱能與電能直接相互 耦合、相互轉(zhuǎn)化的一類功能材料。隨著能源危機(jī)與環(huán)境污染的日益嚴(yán)重，熱電材料因其自 身具有無污染、無噪音、體積小、壽命長、可精確控制等優(yōu)點(diǎn)引起了人們廣泛的關(guān)注。碲化鉍基合金是迄今為止室溫附近性能最佳的熱電材料之一，在熱電制冷和溫 差發(fā)電等方面擁有十分廣闊的應(yīng)用前景。目前，制約熱電材料，包括碲化鉍基熱電材料 發(fā)展和應(yīng)用的主要瓶頸是其相對(duì)較低的熱電轉(zhuǎn)換效率。熱電轉(zhuǎn)換效率主要取決于無量綱 熱電優(yōu)值ZT，ZT= α2στ/κ ,其中α為塞貝克系數(shù)、σ為電導(dǎo)率、κ為熱導(dǎo)率、T 為絕對(duì)溫度。要獲得較高的熱電性能，即較大的ZT值，需要材料同時(shí)具有較高的電導(dǎo) 率和賽貝克系數(shù)以及較低的熱導(dǎo)率，而這三個(gè)參數(shù)并不是獨(dú)立的，它們之間相互關(guān)聯(lián)， 都受到載流子濃度等因素的影響。因此，如何實(shí)現(xiàn)三個(gè)參數(shù)的協(xié)同調(diào)控以獲得最佳的ZT 值成為研究熱電材料的關(guān)鍵。提高材料熱電性能的傳統(tǒng)方法是通過摻雜等手段，優(yōu)化載流子濃度，從而提高 材料的熱電性能。但是，目前通過該方法很難實(shí)現(xiàn)材料熱電性能的進(jìn)一步優(yōu)化。近年 來，納米顆粒復(fù)合熱電材料的制備成為一種提高材料熱電性能的有效手段。一般，納米 第二相的添加可通過外部機(jī)械混合法或原位反應(yīng)析出法實(shí)現(xiàn)。外部機(jī)械混合法工藝相對(duì) 簡單，容易控制；原位反應(yīng)析出法能夠使納米粒子更加均勻地分散在集體材料中。另 外，Brochin等人通過電弧放電法將幻02納米顆粒摻入到Bi熱電材料中，隨著SiO2納米顆 粒含量的增加，材料的賽貝克系數(shù)增大，熱導(dǎo)率得到一定程度的降低；Scoville和Slack 等人分別將BN和B4C納米顆粒摻入SiGe合金熱電材料中，使SiGe合金的熱導(dǎo)率降低了 40% ； Mercouri G Kanatzidis利用原位析出法將納米顆粒引入熱電材料中，獲得了 ZT值 高達(dá)2.2的AgPbmSbTe2+m熱電材料。因此，納米顆粒的調(diào)控和復(fù)合是改善傳統(tǒng)材料熱電 性能行之有效的手段。但是已報(bào)道的納米顆粒復(fù)合熱電材料也存在一定的問題。例如，在納米顆粒增 強(qiáng)聲子散射、降低晶格熱導(dǎo)率的同時(shí)，載流子也會(huì)受到一定程度的散射，因此會(huì)降低材 料的電導(dǎo)率。尤其當(dāng)復(fù)合的第二相為導(dǎo)電性較差的納米顆粒時(shí)，基體的電輸運(yùn)性能通常 會(huì)受到消極影響；而當(dāng)導(dǎo)電性相對(duì)好的金屬納米相作為第二相時(shí)，又可能會(huì)由于金屬自 身熱穩(wěn)定性差而影響基體材料的化學(xué)穩(wěn)定性，這些問題都將限制材料熱電性能的進(jìn)一步 提尚。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材
3料及其制備方法。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)上述目的所采用的技術(shù)方案為一種納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材 料，以碲化鉍熱電材料為基體，在基體中摻雜納米顆粒，所述的納米顆粒是導(dǎo)電氧化物 納米顆粒。其中，導(dǎo)電氧化物優(yōu)選是鋅鋁合金氧化物、銦錫合金氧化物和錫銻合金氧化物 中的一種或兩種以上的組合物；氧化物納米顆粒占基體總質(zhì)量的百分?jǐn)?shù)優(yōu)選為0.1% 20%。本發(fā)明一種納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料的制備方法包括如下步驟步驟1 稱取適量碲化鉍基熱電材料的粉料作為基體原料；步驟2 稱取適量導(dǎo)電氧化物納米顆粒作為第二相；或者稱取適量組成導(dǎo)電氧化物的非氧元素的粉體，以及適量氧化鉍作為前驅(qū)體；步驟3 將步驟1中的基體原料與步驟2中的第二相或者前驅(qū)體放入石英玻璃管 中，然后將石英玻璃管抽真空密封后置于700°C 900°C的搖擺爐中搖擺加熱0.5小時(shí) 2 小時(shí)，之后冷卻至室溫；步驟4:將步驟3得到的密封石英玻璃管放入?yún)^(qū)熔爐中，設(shè)定區(qū)熔溫度為 650°C 900°C、升溫速度為10°C /分鐘 30°C /分鐘、熔區(qū)寬度為10毫米 40毫米、 溫度梯度為10°C /厘米 50°C /厘米，區(qū)熔生長制備得到納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材 料。為了優(yōu)化一種納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料的制備方法，采取的措施還包 括步驟4中的區(qū)熔生長速度為10毫米/小時(shí) 30毫米/小時(shí)。步驟4得到的納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料進(jìn)一步經(jīng)過粉碎、過篩、球磨， 以及燒結(jié)等工藝處理，將得到高致密的納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電塊體材料，一方面能 夠大幅度提高材料的力學(xué)性能，另一方面能夠使納米顆粒在基體中的分布更加均勻。具 體過程為將步驟4得到的納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料粉碎，得到粒徑為IOnm 500nm的粉體，將該粉體進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)溫度為300°C 500°C、燒結(jié)壓力為30MPa 150MPa,燒結(jié)后保溫5分鐘 90分鐘，得到納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電塊體材料，該塊 體材料的致密度能夠達(dá)到90%以上。上述工藝處理過程中，優(yōu)選的處理為粉碎后的粉體首先進(jìn)行球磨，球磨后在 80°C 100°C下真空干燥4小時(shí) 8小時(shí)，然后進(jìn)行燒結(jié)；另一種優(yōu)選的處理為粉碎后 的粉體首先進(jìn)行過篩，然后進(jìn)行燒結(jié)。上述工藝處理過程中，燒結(jié)方法可采用熱壓燒結(jié)、放電等離子燒結(jié)或微波燒結(jié)。與現(xiàn)有的技術(shù)相比，本發(fā)明一種納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料采用導(dǎo)電氧化 物納米顆粒作為第二相與碲化鉍基合金基體進(jìn)行復(fù)合，該導(dǎo)電氧化物納米顆粒一方面能 夠增強(qiáng)對(duì)低頻聲子的選擇性散射，從而有效降低碲化鉍基熱電材料的晶格熱導(dǎo)率，另一 方面能夠提高材料的電導(dǎo)率，因此，整體調(diào)控效果使碲化鉍基熱電材料的熱電優(yōu)值ZT得 到了提高，從而優(yōu)化了碲化鉍基熱電材料的熱電性能；另外，該導(dǎo)電氧化物納米顆粒復(fù) 合的碲化鉍基熱電材料具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例1中鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合前后碲化鉍基熱電材料的 電導(dǎo)率隨溫度變化圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例1中鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合前后碲化鉍基晶體材料的 賽貝克系數(shù)隨溫度變化圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例1中鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合前后碲化鉍基熱電材料的 晶格熱導(dǎo)率隨溫度變化圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例1中鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合前后碲化鉍基晶體材料的 熱導(dǎo)率隨溫度變化圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例1中鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合前后碲化鉍基熱電材料的 熱電優(yōu)值ZT隨溫度變化圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。實(shí)施例1 在鉍Bi、碲Te和硒Se元素組成的基體材料中摻入納米顆粒的鋅鋁合金氧化物， 形成鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合的N型Bi2(Te，36)3晶體熱電材料，其中鋅鋁合金氧 化物納米顆粒占基體材料的1.5%。具體制備方法如下以元素Bi、Te、Se為基體原料，按照N型Bi2 (Te，Se) 3的成分比例稱取總量為
50g的基體元素粉末，再按基體元素粉末總質(zhì)量的1.5%稱取0.75g鋅鋁合金氧化物的納米 粉體作為第二相；將第二相與基體元素粉末混合裝入石英玻璃管中，在O.OlPa下對(duì)石英 玻璃管進(jìn)行真空封管處理，再置于搖擺爐中，在70(TC進(jìn)行加熱熔融2小時(shí)，使第二相與 基體元素粉末均勻混合，然后取出石英玻璃管自然冷卻至室溫；在區(qū)熔溫度為750°C、 升溫速度為25°C /min、熔區(qū)寬度為30mm、溫度梯度為25°C /cm的條件下，以30mm/h 的生長速度進(jìn)行區(qū)熔生長，最終獲得N型鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合的碲化鉍基晶體 熱電材料。測量并計(jì)算上述N型鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合的碲化鉍基晶體熱電材料的 電導(dǎo)率、賽貝克系數(shù)、熱導(dǎo)率、晶格熱導(dǎo)率及ZT值隨溫度的變化關(guān)系，同時(shí)對(duì)復(fù)合前 的碲化鉍基晶體材料進(jìn)行相同的測試和計(jì)算以起到對(duì)比作用，得到圖1至圖5。從圖1 至圖5可以得出以下結(jié)果在相同溫度下，鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合的碲化鉍基晶 體熱電材料相比復(fù)合前的碲化鉍基晶體熱電材料，如圖1所示，電導(dǎo)率得到了提高；如 圖2所示，賽貝克系數(shù)降低；如圖3所示，熱導(dǎo)率基本相似；如圖4所示，晶格熱導(dǎo)率 得到了降低；如圖5所示，最終材料的熱電優(yōu)值ZT得到了增加。例如，在380K時(shí)電 導(dǎo)率由0.95X 105S/m提高到1.17X105S/m，晶格熱導(dǎo)率從0.77W/(K · m)降到0.62W/ (K · m), ZT 值由 0.90 增大到 1.06。實(shí)施例2:在鉍Bi、碲Te和銻Sb元素組成的基體材料中摻入納米顆粒的鋅鋁合金氧化物， 形成鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合的P型(Bi，Sb)2Te3體熱電材料，其中鋅鋁合金氧化物納米顆粒占基體材料的2%。具體制備方法如下以元素Bi、Te、Sb為基體原料，按照P型(Bi，Sb)2Te3的成分比例稱取總量 為50g的基體元素粉末，再按基體元素粉末總質(zhì)量的2%稱取Ig鋅鋁合金氧化物的納米 粉體作為第二相；將第二相與基體元素粉末混合裝入石英玻璃管中，在O.OlPa下對(duì)石英 玻璃管進(jìn)行真空封管處理，再置于搖擺爐中，在70(TC進(jìn)行加熱熔融1小時(shí)，使第二相 與基體元素粉末均勻混合，然后取出石英玻璃管淬火冷卻至室溫；接著，在區(qū)熔溫度為 750升溫速度為25V /min、熔區(qū)寬度為30mm、溫度梯度為25V /cm的條件下，以 30mm/h的生長速度進(jìn)行區(qū)熔生長，最終獲得P型鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合的碲化鉍 基晶體熱電材料。測量并計(jì)算上述P型鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合的碲化鉍基晶體熱電材料的 電導(dǎo)率、賽貝克系數(shù)、熱導(dǎo)率、晶格熱導(dǎo)率及ZT值隨溫度的變化關(guān)系，同時(shí)對(duì)復(fù)合前的 碲化鉍基晶體材料進(jìn)行相同的測試和計(jì)算以起到對(duì)比作用，得到類似于圖1至圖5的曲 線，表明本實(shí)施例P型鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合的碲化鉍基晶體熱電材料降低了材 料晶格熱導(dǎo)率，同時(shí)提高了電導(dǎo)率，最終提高了熱電優(yōu)值ZT，優(yōu)化了材料的熱電性能。實(shí)施例3 在鉍Bi、碲Te和銻Sb元素組成的基體材料中摻入納米顆粒的鋅鋁合金氧化物， 形成鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合的P型(Bi，Sb)2Te^e0體熱電材料，其中鋅鋁合金氧化 物納米顆粒占基體材料的10%。具體制備方法如下以Bi、Te、Sb為基體元素，按照P型(Bi，Sb)2Te3的成分比例稱取總量為50g
的基體元素粉末；以Zn、Al、Bi2O3作為鋅鋁合金氧化物的前軀體，該前軀體發(fā)生氧化 還原反應(yīng)得到鋅鋁合金氧化物，根據(jù)鋅鋁合金氧化物占基體元素粉末總質(zhì)量的10%，可 以換算出所需的前軀體Zn、Al和Bi2O3各自的質(zhì)量，并稱取該質(zhì)量的前軀體Zn、Al和 Bi2O3 ；將該前軀體與基體元素粉末混合裝入石英玻璃管，在O.OlPa下對(duì)石英玻璃管進(jìn)行 真空封管處理，再置于搖擺爐中，在850°C進(jìn)行搖擺加熱熔融1小時(shí)，在該熔融溫度下， 前軀體將發(fā)生氧化還原反應(yīng)，生成的鋅鋁合金氧化物以第二相的形式分布于基體中，然 后取出石英玻璃管自然冷卻至室溫；接著在區(qū)熔溫度為70(TC、升溫速度為25°C/min、 熔區(qū)寬度為30mm、溫度梯度為25°C/cm的條件下，以25mm/h的生長速度進(jìn)行區(qū)熔生 長，最終獲得P型鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合的碲化鉍基晶體熱電材料。測量并計(jì)算上述P型鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合的碲化鉍基晶體熱電材料的 電導(dǎo)率、賽貝克系數(shù)、熱導(dǎo)率、晶格熱導(dǎo)率及ZT值隨溫度的變化關(guān)系，同時(shí)對(duì)復(fù)合前的 碲化鉍基晶體材料進(jìn)行相同的測試和計(jì)算以起到對(duì)比作用，得到類似于圖1至圖5的曲 線，表明本實(shí)施例P型鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合的碲化鉍基晶體熱電材料降低了材 料晶格熱導(dǎo)率，同時(shí)提高了電導(dǎo)率，最終提高了熱電優(yōu)值ZT，優(yōu)化了材料的熱電性能。實(shí)施例4 基體材料、摻雜的導(dǎo)電納米顆粒以及制備方法與實(shí)施例1相同，得到N型鋅鋁合 金氧化物納米顆粒復(fù)合的碲化鉍基晶體熱電材料。取適量的上述N型鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合的碲化鉍基晶體熱電材料進(jìn)行 粉碎處理，將粉碎的碲化鉍基晶體熱電材料先后用100目和120目分樣篩進(jìn)行過篩處理，得到粒徑范圍為125 μ m 150 μ m的粉體，對(duì)該粉體進(jìn)行熱壓燒結(jié)處理真空條件下， 采用燒結(jié)溫度為450°C，燒結(jié)壓力為150MPa，升溫速率為45°C /min,保溫時(shí)間為1.5小 時(shí)，最終獲得致密度為95%的N型鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合的碲化鉍基晶體熱電塊 體材料。測量并計(jì)算實(shí)施例4中的碲化鉍基晶體熱電塊體材料的電導(dǎo)率、賽貝克系數(shù)、 熱導(dǎo)率、晶格熱導(dǎo)率及ZT值隨溫度的變化關(guān)系，得到類似于圖1至圖5的曲線結(jié)果，表 明本實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了降低材料晶格熱導(dǎo)率的同時(shí)提高其電導(dǎo)率，最終提高了材料的熱電優(yōu) 值ZT，優(yōu)化了材料的熱電性能。另外，該實(shí)施例中得到的碲化鉍基晶體熱電塊體材料能夠使納米顆粒在基體中 的分布更加均勻，而且測試燒結(jié)塊體材料的抗彎強(qiáng)度為70MPa，區(qū)熔晶體的抗彎強(qiáng)度僅 為15MPa，大幅度提高了碲化鉍基晶體熱電材料的力學(xué)性能。實(shí)施例5 基體材料、摻雜的導(dǎo)電納米顆粒以及制備方法與實(shí)施例1相同，得到N型鋅鋁合 金氧化物納米顆粒復(fù)合的碲化鉍基晶體熱電材料。取適量的上述N型鋅鋁合金氧化物納米顆粒復(fù)合的碲化鉍基晶體熱電材料進(jìn)行 粉碎處理，然后將20g左右粉碎后的晶體材料置于含IOOmL酒精的球磨罐中進(jìn)行60小 時(shí)的球磨處理，之后將球磨粉體與酒精進(jìn)行過濾分離，再于80°C下真空干燥6小時(shí)，得 到平均粒徑小于IOOnm的球磨粉體；將球磨粉體進(jìn)行熱壓燒結(jié)處理，具體條件為真空 條件下，燒結(jié)溫度為400°C，燒結(jié)壓力為lOOMPa，升溫速率為45°C/min，保溫時(shí)間為 1.5h，最終獲得致密度為97%的碲化鉍基納米復(fù)合塊體材料。測量并計(jì)算實(shí)施例5中碲化鉍基納米復(fù)合塊體材料的電導(dǎo)率、賽貝克系數(shù)、熱 導(dǎo)率、晶格熱導(dǎo)率及ZT值隨溫度的變化關(guān)系，得到類似于圖1至圖5的曲線結(jié)果，表明 本實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了降低材料晶格熱導(dǎo)率的同時(shí)提高其電導(dǎo)率，最終提高了材料的熱電優(yōu)值 ZT,優(yōu)化了材料的熱電性能。另外，該實(shí)施例中得到的碲化鉍基晶體熱電塊體材料能夠使納米顆粒在基體中 的分布更加均勻，測試燒結(jié)塊體材料的抗彎強(qiáng)度為75MPa，大幅度提高了碲化鉍基晶體 熱電材料的力學(xué)性能。
權(quán)利要求
1.一種納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料，其特征是以碲化鉍熱電材料為基體，在 基體中摻雜納米顆粒，所述的納米顆粒是導(dǎo)電氧化物納米顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料，其特征是所述的 導(dǎo)電氧化物是鋅鋁合金氧化物、銦錫合金氧化物和錫銻合金氧化物中的一種或兩種以上 的組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料，其特征是所述 的氧化物納米顆粒占基體總質(zhì)量的百分?jǐn)?shù)為0.1% 20%。
4.如權(quán)利要求1所述的一種納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料的制備方法，其特征是 包括如下步驟步驟1 稱取適量碲化鉍基熱電材料的粉料作為基體原料；步驟2:稱取適量導(dǎo)電氧化物納米顆粒作為第二相；或者稱取適量組成導(dǎo)電氧化物的非氧元素的粉體，以及適量氧化鉍作為前驅(qū)體；步驟3 將步驟1中的基體原料與步驟2中的第二相或者前驅(qū)體放入石英玻璃管中， 然后將石英玻璃管抽真空密封后置于700°C 900°C的搖擺爐中搖擺加熱0.5小時(shí) 2小 時(shí)，之后冷卻至室溫；步驟4:將步驟3得到的密封石英玻璃管放入?yún)^(qū)熔爐中，設(shè)定區(qū)熔溫度為650°C 900升溫速度為10°C /分鐘 30°C /分鐘、熔區(qū)寬度為10毫米 40毫米、溫度梯度 為10°C /厘米 50°C /厘米，區(qū)熔生長制備得到納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料的制備方法，其特征 是所述的步驟2中的區(qū)熔生長速度為10毫米/小時(shí) 30毫米/小時(shí)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的一種納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料的制備方法， 其特征是將步驟4得到的納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料粉碎，得到粒徑為IOnm 500nm的粉體，將該粉體進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)溫度為300°C 500°C、燒結(jié)壓力為30MPa 150MPa,燒結(jié)后保溫5分鐘 90分鐘，得到納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電塊體材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料的制備方法，其特征 是所述的粉體首先進(jìn)行球磨，球磨后在80°C 100°C下真空干燥4小時(shí) 8小時(shí)，然后 進(jìn)行燒結(jié)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料的制備方法，其特征 是所述的納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電塊體材料的致密度為90%以上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料及其制備方法，該納米顆粒復(fù)合碲化鉍基熱電材料以碲化鉍熱電材料為基體，在基體中摻雜納米顆粒，所述的納米顆粒是導(dǎo)電氧化物納米顆粒。與現(xiàn)有的技術(shù)相比，本發(fā)明采用導(dǎo)電氧化物納米顆粒作為第二相與碲化鉍基合金基體進(jìn)行復(fù)合，該導(dǎo)電氧化物納米顆粒一方面能夠增強(qiáng)對(duì)低頻聲子的選擇性散射，從而有效降低碲化鉍基熱電材料的晶格熱導(dǎo)率，另一方能夠提高材料的電導(dǎo)率，因此，整體調(diào)控效果使碲化鉍基熱電材料的熱電優(yōu)值ZT得到了提高，從而優(yōu)化了碲化鉍基熱電材料的熱電性能。
文檔編號(hào)H01L35/16GK102024899SQ20101029123
公開日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2010年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月22日
發(fā)明者張婷, 張秋實(shí), 李煒, 熊震, 蔣俊, 許高杰, 陳建敏 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所